JP2022138607A - 基板、記録装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】必要に応じてアンチヒューズ素子の書き込み電力を増強可能な技術を提供すること。【解決手段】基板は、アンチヒューズ素子及び該アンチヒューズ素子に対する所定の電圧の印加を切り替えるスイッチング素子を含む複数の記憶部と、前記複数の記憶部がそれぞれ接続される配線と、前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第一の電極パッドと、前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第二の電極パッドと、を備える。【選択図】図1
Description
本発明は、アンチヒューズ素子を有する基板に関する。
製品完成後に、チップIDや設定パラメータ等の製品固有情報を記録するためOTP(One Time Programmable)メモリが用いられている。OTPメモリとしてアンチヒューズ素子を用いたメモリが知られている(特許文献1)。
アンチヒューズ素子の書き込み電力は、メモリが組み込まれる製品の内蔵電源で供給している。多数のアンチヒューズ素子を備えた製品では、アンチヒューズ素子の同時書き込み数が内蔵電源の出力に制約される。製品出荷前の書き込み作業においては、生産効率の観点で、同時書き込み数が多い方が有利である。しかし、そのためだけに内蔵電源の出力を増強すると、出荷後の製品の使用の観点では無駄が多い。
本発明は、必要に応じてアンチヒューズ素子の書き込み電力を増強可能な技術を提供するものである。
本発明によれば、
アンチヒューズ素子及び該アンチヒューズ素子に対する所定の電圧の印加を切り替えるスイッチング素子を含む複数の記憶部と、
前記複数の記憶部がそれぞれ接続される配線と、
前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第一の電極パッドと、
前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第二の電極パッドと、を備える、
ことを特徴とする基板が提供される。
アンチヒューズ素子及び該アンチヒューズ素子に対する所定の電圧の印加を切り替えるスイッチング素子を含む複数の記憶部と、
前記複数の記憶部がそれぞれ接続される配線と、
前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第一の電極パッドと、
前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第二の電極パッドと、を備える、
ことを特徴とする基板が提供される。
本発明によれば、必要に応じてアンチヒューズ素子の書き込み電力を増強可能な技術を提供することができる。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
<第一実施形態>
図1は本発明の一実施形態に係る基板1の回路図である。基板1は複数の記憶部2-1~2-Nを有する記憶装置である。本実施形態の場合、N個の記憶部2-1~2-Nを有しており、総称する場合、或いは、個々の記憶部を区別しない場合は記憶部2と表記する。各記憶部2は、アンチヒューズ素子3を含む、1ビットの情報を保持可能な記憶回路である。図2では、記憶部2-1のみ、その回路を図示しているが、他の記憶部2-2~2-Nも同じ回路を有している。
図1は本発明の一実施形態に係る基板1の回路図である。基板1は複数の記憶部2-1~2-Nを有する記憶装置である。本実施形態の場合、N個の記憶部2-1~2-Nを有しており、総称する場合、或いは、個々の記憶部を区別しない場合は記憶部2と表記する。各記憶部2は、アンチヒューズ素子3を含む、1ビットの情報を保持可能な記憶回路である。図2では、記憶部2-1のみ、その回路を図示しているが、他の記憶部2-2~2-Nも同じ回路を有している。
アンチヒューズ素子3は、例えばMOS構造(Metal Oxide Semiconductor構造)を有しており、情報の書き込み前後でその抵抗値が変化する素子である。本実施形態の場合、アンチヒューズ素子3は、情報が書き込まれる前は容量素子として機能し、情報を書き込んだ後は抵抗素子として機能する。つまり、情報の書き込み動作によってアンチヒューズ素子3の抵抗値が変化し、これにより1ビットの情報を表現することができる。
N個の記憶部2は、配線7と配線8との間に並列に接続されている。各記憶部2のアンチヒューズ素子3は、それぞれ、接続点2aを介して配線7に接続されている。また、各記憶部2のアンチヒューズ素子3は、それぞれ、スイッチング素子4及び接続点2bを介して配線8に接続されている。本実施形態では、配線7にはアンチヒューズ素子3の書き込み電圧が印加され、配線8は接地電位(GND電位)である。書き込み電圧は例えば32Vである。
スイッチング素子4は、アンチヒューズ素子3に対する書き込み電圧の印加を切り替える素子であり、本実施形態の場合、高耐圧N型MOSトランジスタである。高耐圧トランジスタ(DMOSトランジスタ(Double-diffused MOSFET))とは、ロジック回路に用いられるトランジスタ(後述するスイッチング素子5及び6等)より高い耐圧を有するトランジスタである。高耐圧トランジスタには、より高い電圧を印加することができる。スイッチング素子4のドレインDはアンチヒューズ素子3に接続され、ソースS及びバックゲートBは接続点2bを介して配線8に接続されている。スイッチング素子4をオンにするとアンチヒューズ素子3に対して配線7に印加されている電圧を印加することができる。
スイッチング素子4のゲートGは、トランジスタ5及び6に接続されている。トランジスタ5及び6は、本実施形態の場合、ロジック回路(本実施形態ではインバータ)を構成している。本実施形態の場合、トランジスタ5はP型MOSトランジスタであり、トランジスタ6はN型MOSトランジスタである。トランジスタ5のソースS及びバックゲートBには電圧VDDが供給される。トランジスタ5のドレインDは、トランジスタ6のドレインD及びスイッチング素子4のゲートGに接続されている。トランジスタ6のソースS及びバックゲートBは接地されている。ロジック回路を構成するトランジスタ5及び6を、スイッチング素子4よりも低い耐圧のトランジスタとすることで、ロジック回路を高速で動作させることができる。
基板1は、信号制御回路10を備え、トランジスタ5及び6の各ゲートGは信号制御回路10に接続されている。信号制御回路10は、記憶部2-1~2-Nに、接続点2cを介して、対応する制御信号(選択信号)S1~SNを出力する。
基板1は、基板1の外部のデバイスとの電気接点となる電極パッド群11を備える。電極パッド群11は電極パッド12及び13を含む。電極パッド12には、基板1を備える装置(不図示)の内部電源201から電源電圧が印加される。電極パッド13には内部電源201のGNDが接続される。基板1は、電極パッド12と配線7との間に接続された電圧印加回路9を備える。
電圧印加回路9は電極パッド12に印加された電源電圧に基づき、書き込み電圧を配線7に出力する。電圧印加回路9は、配線7に対する書き込み電圧の印加を切り替えるスイッチング回路を含むことができる。電極パッド群11はスイッチング回路に対する制御信号が入力される電極パッドを含み得る。また、電圧印加回路9は電極パッド12に印加される電源電圧が書き込み電圧よりも低い場合は、電源電圧を書き込み電圧に昇圧する昇圧回路を含んでもよい。また、電圧印加回路9は電極パッド12に印加される電源電圧が書き込み電圧よりも高い場合は、電源電圧を書き込み電圧に降圧する降圧回路を含んでもよい。
電極パッド群11は複数の電極パッド14を含む。電極パッド14には基板1を備える装置(不図示)の制御回路(不図示)から信号制御回路10を制御する制御信号が入力される。電極パッド群11は、また、電極パッド15及び16を含む。電極パッド15は配線7に接続され、電極パッド16は配線8に接続されている。電極パッド15には、基板1を備える装置外の外部電源202を選択的に接続して、外部電源202から書き込み電圧を印加可能である。なお、配線8に接続される電極パッドとして、本実施形態では電極パッド13と電極パッド16とが設けられているが、いずれか一方でもよい。
次に、アンチヒューズ素子3に情報を書込む際の動作を説明する。アンチヒューズ素子3への情報の書き込みは、基板1又は基板1を内蔵した製品の出荷前における基板1の製造過程、又は、出荷後における製品の動作時において行われ得る。
まず、配線7に書き込み電圧を印加した状態で、情報の書き込み対象である記憶部2に対して、信号制御回路10からLowレベルの制御信号(接地電位の信号)を出力する。例えば、記憶部2-2のアンチヒューズ素子3に情報を書き込む場合、記憶部2-2の接続点2cに信号制御回路10から制御信号S2を出力する。
信号制御回路10からLowレベルの制御信号を受けた記憶部2では、トランジスタ5がオン、トランジスタ6がオフとなり、スイッチング素子4のゲートGにVDD電圧が供給され、スイッチング素子4がオンになる。その結果、アンチヒューズ素子3に書き込み電圧が印加され、アンチヒューズ素子3は容量素子から抵抗素子に変化する。なお、こうした特性を有するアンチヒューズ素子3の詳細な構成例については図3を参照して後述する。
配線7に印加する書き込み電圧は電圧供給回路9によって供給することができる。しかし、多数の記憶部2の各アンチヒューズ素子3に対して同時に情報を書き込む場合、書き込み電流が同時に情報を書き込むアンチヒューズ素子3の数に比例して増加する。その結果、電圧供給回路9では電力が不十分な場合があり、同時に情報を書き込めるアンチヒューズ素子3の数に制約が生じ得る。出荷前の基板1を製造する生産現場等では情報の書き込み時間を短縮してタクトを向上する必要があるため、より多数のアンチヒューズ素子3に対して同時に書き込める回路構成が求められている。
本実施形態の場合、配線7に書き込み電圧を供給する電源電圧が印加される電極パッド12に加えて、配線7に書き込み電圧を供給する、外部電源202の電源電圧が印加される電極パッド15が設けられている。基板1の製造過程において、多数のアンチヒューズ素子3に情報を書き込む場合、電極パッド15に外部電源202を接続して配線7に外部電源202から書き込み電圧を供給する。内部電源201と外部電源202との併用により、多数のアンチヒューズ素子3に情報を書き込むために必要な電力を配線7に供給できる。また、内部電源201を用いずに、外部電源202のみにより、多数のアンチヒューズ素子3に情報を書き込むために必要な電力を配線7に供給してもよい。
このように本実施形態では、必要に応じてアンチヒューズ素子3の書き込み電力を増強することができる。したがって、製品出荷前の生産現場において製品固有情報等を記憶部2に書き込む場合は、内部電源201と外部電源202を用いて、或いは、外部電源202のみを用いて配線7に書き込み電圧を供給することができる。これにより、同時に多数のアンチヒューズ素子3に対して情報を書き込める。また、製品出荷後において、情報を記憶部2に書き込む場合は、内部電源201を用いて配線7に書き込み電圧を供給することができる。これにより基板1を備える装置における動作履歴等の情報を記憶部2に格納することもできる。
なお、記憶部2に書き込まれた情報の読み出しは、例えば、配線7から、読み出しの対象とする記憶部2のアンチヒューズ素子3に所定の電流値の電流を供給する。これによりアンチヒューズ素子3に生じる電圧(接続点2aと接続点2bとの電位差)を測定し、この電圧を情報として読み出すことができる。
<変形例>
図2は、基板1の変形例を示している。図2の基板1では、記憶部2が抵抗素子17、18を備えている。抵抗素子17は、配線7とアンチヒューズ素子3との間に接続された静電気の対策用の抵抗素子である。例えば、電極パッド15にサージ電圧が印加された場合に、抵抗素子17によってサージ電圧の電気エネルギを吸収して、アンチヒューズ素子3が電気エネルギで破壊されることを防止する。
図2は、基板1の変形例を示している。図2の基板1では、記憶部2が抵抗素子17、18を備えている。抵抗素子17は、配線7とアンチヒューズ素子3との間に接続された静電気の対策用の抵抗素子である。例えば、電極パッド15にサージ電圧が印加された場合に、抵抗素子17によってサージ電圧の電気エネルギを吸収して、アンチヒューズ素子3が電気エネルギで破壊されることを防止する。
抵抗素子18は、アンチヒューズ素子3が、書き込み前の容量素子の状態において、スイッチング素子4がオフの時にスイッチング素子4のドレインDに印加される電圧を配線7の電圧(書き込み電圧)に固定することができる。
<基板構造>
図3に、図2の基板1におけるアンチヒューズ素子3、抵抗素子18、及び、スイッチング素子4の断面構造の具体例を示す。基板1は半導体基板310を含む。
図3に、図2の基板1におけるアンチヒューズ素子3、抵抗素子18、及び、スイッチング素子4の断面構造の具体例を示す。基板1は半導体基板310を含む。
半導体基板310において、P型シリコン基板300上に、Pウエル領域301とNウエル領域302a、302b、及び302cが形成されている。Pウエル領域301は、ロジック回路を構成するN型MOSトランジスタ6のPウエルと同じ工程で形成することができる。また、Nウエル領域302a、302b、及び302cは、ロジック回路を構成するP型MOSトランジスタ5のNウエルと同じ工程で形成することができる。
なお、P型シリコン基板300に対するNウエル領域の不純物濃度は、Nウエル領域302a、302b、及び302cとP型シリコン基板300とのブレイクダウン電圧が、書き込み電圧より高くなる濃度となっている。また、Pウエル領域301とNウエル領域302a、302b、及び302cの不純物濃度は、Pウエル領域301とNウエル領域302a、302bとのブレイクダウン電圧が、書き込み電圧より高くなる濃度となっている。
Pウエル領域301及びNウエル領域302a、302b、及び302cに、フィールド酸化膜303、高濃度N型拡散領域306a~306e、及び高濃度P型拡散領域307が形成されている。フィールド酸化膜303は、例えばLOCOS(Local Oxidation of Silicon)法で形成することができる。
高耐圧N型MOSトランジスタであるスイッチング素子4の構成を説明する。ゲートGを構成するゲート電極305aは、ゲート絶縁膜304を介して、隣接するPウエル領域301とNウエル領域302aの上に配置される。Pウエル領域301とゲート電極305aの重なる領域がチャネル形成領域となる。
高濃度N型拡散領域306aは、スイッチング素子4のソースSであり、高濃度P型拡散領域307は、バックゲートBを構成する電極である。Nウエル領域302aは、ドレインDの電界緩和領域として、ゲート電極305aの下部まで延在している部分を有する。Nウエル領域302a内に形成された高濃度N型拡散領域306bが、スイッチング素子4のドレインDの電極となる。
更に、ゲート電極305aのドレイン側は、Nウエル領域302内に形成されたフィールド酸化膜303上に乗り上げた構造、所謂、LOCOSオフセット構造を有している。これにより、スイッチング素子4がオフの状態、すなわち、ゲート電極305aの電圧が接地電圧(GND)で、ドレインDの電極の電圧が書き込み電圧まで上昇しても、ゲート-ドレイン耐圧が確保できる。
次に、アンチヒューズ素子3の構造を説明する。アンチヒューズ素子3は、上部電極、下部電極、及びその間の絶縁層(ゲート絶縁膜304)を有する。たとえば、Nウエル領域302bの上にゲート絶縁膜304を介して設けられた電極305bが、アンチヒューズ素子3の上部電極として機能する。また、Nウエル領域302bにおいて、高濃度N型拡散領域306cに接続され、半導体基板310のスイッチング素子4等の素子が配される面に対する平面視で、上部電極と重複する部分が、下部電極として機能する。上部電極と下部電極との間に所定の電圧を印加することでゲート絶縁膜304を絶縁破壊し、アンチヒューズ素子3の抵抗値を下げることができる。
なお、スイッチング素子4、アンチヒューズ素子3、及び抵抗素子18等の素子が配される面に対する平面視とは、例えば、スイッチング素子4のチャネル形成領域の表面に対する平面視である。
図3では、Nウエル領域302bの、平面視において上部電極と重ならない領域のみに高濃度N型拡散領域306cが形成されているが、高濃度N型拡散領域306cはこれに限定されない。例えば、上部電極と重複する部分の一部、または重複する部分全域に高濃度N型拡散領域306bが形成されている構造であってもよい。平面視において上部電極と重なる領域に高濃度N型拡散領域306cも形成されている場合には、高濃度N型拡散領域306cの重複部分もアンチヒューズ素子3の下部電極として機能する。
さらに、図2では、アンチヒューズ素子3の下部電極がスイッチング素子4のドレインDに接続されているが、上部電極がスイッチング素子4のドレインDに接続され、下部電極が配線7に接続されていてもよい。
ゲート絶縁膜304は、ロジック回路を構成するトランジスタ5及び6のゲート絶縁膜の形成工程で形成することができ、例えば酸化膜で形成することができる。また、電極305a、305bは、例えばポリシリコン層とすることができる。ポリシリコン層、高濃度N型拡散領域306a~306c、及び、高濃度P型拡散領域307は、低耐圧ロジック回路を構成するトランジスタ5及び6の、各要素の形成工程と同じ工程で形成することができる。
このように、アンチヒューズ素子3はMOS構造を有するアンチヒューズ素子であり、アンチヒューズ素子3への書き込みを制御するスイッチング素子4がMOSトランジスタである。よって、アンチヒューズ素子3トスイッチング素子4を同じ工程で形成することができる。このため、少ない工程数で安価に半導体素子を形成することができる。
高濃度P型拡散領域307、N型拡散領域306a~306e、及びフィールド酸化膜303上には複数のコンタクト部308が設けられた絶縁膜が設けられ、絶縁膜上には、導電層309a~309eが設けられている。導電層309a~309eは、例えばアルミ等の金属から形成することができる。なお、導電層309a~309eと各電極、配線は、電気的に接続されていれば、その製造手法、材料、及び構造は限定されない。
図3では、アンチヒューズ素子3として、下部電極及び上部電極がNウエル領域とポリシリコンで形成される容量素子を例として示しているが、アンチヒューズ素子3はこの構造に限定されず、例えばP型MOSトランジスタを用いた容量素子であってもよい。アンチヒューズ素子3の下部電極及び上部電極の一方が一方の端子、他方が他方の端子として機能する。
抵抗素子18は、半導体基板310内の半導体領域である、Nウエル領域302cを有し、309d及び309eの導電層に、それぞれ高濃度N型拡散領域306d及び306eを介して接続される。抵抗素子18はこの構造に限定されない。例えば、導電層による抵抗体、ポリシリコンによる抵抗体が、抵抗素子18として用いられてもよい。
絶縁膜は、スイッチング素子4や抵抗素子18等を覆うように半導体基板310上に形成された絶縁体層であり、例えば酸化シリコンからなる。また絶縁体層は、これに限定されず、窒化シリコンや炭化シリコンからなっていてもよく、これらの積層や混合物層でもよい。
導電層309aは、コンタクト部308を介してスイッチング素子4のソースSとバックゲートBに接続されており、接地電位が与えられる。導電層309bは、コンタクト部308を介してスイッチング素子4のドレインDの電極とアンチヒューズ素子3の下部電極に接続されている。導電層309cは、コンタクト部308を介してアンチヒューズ素子3の上部電極に接続され、不図示の部分で配線7に接続されている。導電層309cは、情報の書き込み時には、電圧供給回路9から書き込み電圧が印加される。導電層309dは導電層309cと接続され(不図示)、導電層309eは導電層309bと接続される(不図示)。
<第二実施形態>
図4は本発明の一実施形態に係る記録装置30の外観図である。記録装置30はインクを吐出して記録媒体に記録を行うインクジェット記録装置である。
図4は本発明の一実施形態に係る記録装置30の外観図である。記録装置30はインクを吐出して記録媒体に記録を行うインクジェット記録装置である。
なお、「記録」には、文字、図形等有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わず、広く記録媒体上に画像、模様、パターン等を形成する、又は媒体の加工を行う場合も含まれ、人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かを問わない。また、本実施形態では「記録媒体」としてシート状の紙を想定するが、布、プラスチック・フィルム等であってもよい。
また、本発明が適用可能な記録装置はインクジェット記録装置には限定されず、例えば、溶融型や昇華型等の熱転写方式の記録装置についても適用可能である。また、記録装置は、例えば、カラーフィルタ、電子デバイス、光学デバイス、微小構造物等を所定の記録方式で製造するための製造装置であってもよい。また、記録装置は、3Dデータから3次元の像を形成する装置であってもよい。
記録装置30は、一つのユニットとされたインクタンク31及び記録ヘッド32を備え、これらはキャリッジ34に搭載されている。記録ヘッド32はインクタンク31に収容されたインクを記録媒体Pに吐出して記録を行う。キャリッジ34は、駆動ユニット35によって矢印方向に往復移動可能である。駆動ユニット35は、キャリッジ34の移動方向に延設されたリードスクリュー35a及びガイドシャフト35bを備える。リードスクリュー35aはキャリッジ34のネジ穴(不図示)と係合し、その回転によってキャリッジ34が移動する。モータ35c、ギア列35dはリードスクリュー35aの回転機構である。ガイドシャフト35bはキャリッジ34の移動をガイドする。キャリッジ34の移動範囲の一端には、キャリッジ34の被検知片34aを検知する光センサ34bが配置されており、その検知結果はキャリッジ34の移動制御に用いられる。
搬送ユニット33は、記録媒体Pを搬送する。搬送ユニット33は、駆動源であるモータ(不図示)と、モータの駆動力により回転する搬送ローラ(不図示)とを含み、搬送ローラの回転によって記録媒体Pが搬送される。
記録装置30は、記録装置30で消費される電力を供給する内部電源36と、記録装置30を制御する制御回路37とを含む。制御回路37は、キャリッジ34の移動による記録ヘッド32の移動とインクの吐出と、記録媒体Pの搬送とを交互に行わせて記録媒体Pに画像を記録する。
図5(A)は、一つのユニットとされたインクタンク31及び記録ヘッド32の斜視図である。インクタンク31と記録ヘッド32は破線の位置で分離可能である。記録ヘッド32は、インクを吐出する複数のインク吐出口32aを有する。図5(B)はインク吐出口32aの周辺の構造を示す記録ヘッド32の破断図である。
記録ヘッド32は、流路形成部材32b及び素子基板1Aを有している。流路形成部材32bは、インク吐出口32aや各インク吐出口32aにインクを供給するための流路32cや共通液室32dを形成する。素子基板1Aには各インク吐出口32aに対応した吐出素子24が設けられている。本実施形態の吐出素子24は、電力の供給により液体(インク)を吐出する素子であって、特に、電気熱変換素子(ヒータ)である。電気熱変換素子は通電によって加熱してインクを発泡させ、その発泡エネルギでインクをインク吐出口32aから吐出させる。なお、吐出素子24としては、電気熱変換素子に代えて、ピエゾ素子であってもよい。
図6は素子基板1Aの回路図である。素子基板1Aは、第一実施形態で説明した基板1に吐出素子24及びその駆動回路を搭載した構成であり、インク吐出用の基板だけでなく、記憶装置として機能する。図6に示す素子基板1Aのうち、第一実施形態で説明した基板1と共通する構成については同じ符号を付して説明を省略するか、又は、簡単な説明とする。
電極パッド群11の各電極パッドは、キャリッジ34に設けたコンタクト(不図示)と接触して電気的に接続される。キャリッジ34は制御回路37と不図示のケーブルを介して接続されており、制御回路37からの電気信号や、制御回路37を介した内部電源36の電源電圧は、ケーブル及びキャリッジ34を介して電極パッド群11に印加される。
電極パッド群11は、内部電源36からの電源電圧が入力される電極パッド12A、12Bを含む。電極パッド12Aには、記憶部2の書き込み用の電圧が印加され、書き込み用の電圧は電圧供給回路9を介して配線7に供給される。電極パッド12Bには、吐出素子24の駆動電圧が印加される。本実施形態では、2つの電極パッド12A及び12Bを設けている。しかし、記憶部2の書き込み電圧と吐出素子24の駆動電圧が同じ場合や、電圧供給回路9が昇圧又は降圧回路を有していれば、電極パッド12A及び12Bに相当する電極パッドは一つの電極パッドであってもよい。
基板1Aは複数の駆動部23-1~23-Kを有する。本実施形態の場合、K個のインク吐出口32aに対応して、K個の駆動部23-1~23-Kを有している。駆動部23-1~23-Kを総称する場合、或いは、個々の駆動部を区別しない場合は駆動部23表記する。各駆動部23は、吐出素子24を含むインク吐出用駆動回路である。図6では、駆動部23-1のみ、その回路を図示しているが、他の駆動部23-2~23-Kも同じ回路を有している。
K個の駆動部23は、配線27と配線28との間に並列に接続されている。各駆動部23の吐出素子24は、それぞれ、接続点23aを介して配線27に接続されている。また、各駆動部23の吐出素子24は、それぞれ、スイッチング素子25及び接続点23bを介して配線28に接続されている。本実施形態では、配線27には吐出素子27の駆動電圧が印加され、配線28は接地電位(GND電位)である。駆動電圧は例えば24Vである。
スイッチング素子25は、吐出素子24に対する駆動電圧の印加を切り替える素子であり、本実施形態の場合、N型MOSトランジスタである。スイッチング素子25のドレインDは吐出素子24に接続され、ソースS及びバックゲートBは接続点23bを介して配線28に接続されている。スイッチング素子25をオンにすると吐出素子24に対して配線27に印加されている電圧を印加することができる。スイッチング素子25のゲートGは、AND回路26に接続されており、AND回路26からHighレベルの信号がゲートGに入力されるとスイッチング素子25がオンになる。AND回路26の入力の一方は信号線群20の一つに、他方は信号線群21の一つに接続されている。
各記憶部2の接続点2cには、NAND回路19が接続されている。NAND回路19から接続点2cにLowレベルの信号が入力されるとスイッチング素子4がオンとなる。NAND回路19の入力の一方は信号線群20の一つに、他方は信号線22に接続されている。
基板1Aは、信号制御回路10Aを備える。信号制御回路10Aは、駆動部23及び記憶部2に対して、対応する制御信号(選択信号)を出力する。信号制御回路10Aは、例えば、シフトレジスタやラッチ回路等によって構成される。信号制御回路10Aには、制御回路37からクロック信号CLK、データ信号DATA、ラッチ信号LT、ヒータ制御信号HE等が入力され、これにより各駆動部23の駆動を選択する。
駆動部23は時分割によって駆動され得る。K個の駆動部23は、複数のグループに区分けされ、グループ毎に駆動される。時分割駆動において、信号制御回路10Aは、グループを選択するグループ選択信号を信号線群52に出力し、更に、グループ内で駆動する駆動部23を選択するブロック選択信号を信号線群53に出力する。
AND回路26には、対応するグループ選択信号及びブロック選択信号が入力され、両信号がオンのとき、スイッチング素子25がオンとなる。スイッチング素子25がオンのとき、直列に接続された吐出素子24が駆動される。
NAND回路19には、対応するブロック選択信号及び信号線22からの制御信号が入力され、それに応じてスイッチング素子4のオン/オフが切り替わる(両信号がオンのとき、スイッチング素子4がオンとなる。)。
このように本実施形態では、素子基板1Aをインク吐出用の基板だけでなく、記憶装置として機能させることができる。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
1 基板、1A 素子基板、2 記憶部、3 アンチヒューズ素子、4 スイッチング素子、12 電極パッド、15 電極パッド
Claims (11)
- アンチヒューズ素子及び該アンチヒューズ素子に対する所定の電圧の印加を切り替えるスイッチング素子を含む複数の記憶部と、
前記複数の記憶部がそれぞれ接続される配線と、
前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第一の電極パッドと、
前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第二の電極パッドと、を備える、
ことを特徴とする基板。 - 請求項1に記載の基板であって、
前記第一の電極パッドと前記配線との間に接続され、前記第一の電極パッドに印加された電圧に基づいて前記所定の電圧を前記配線に印加する電圧印加手段を備える、
ことを特徴とする基板。 - 請求項1又は請求項2に記載の基板であって、
前記第二の電極パッドは、前記配線に接続されている、
ことを特徴とする基板。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の基板であって、
前記第一の電極パッドは、前記基板が設けられた装置の内部電源が接続される電極パッドであり、
前記第二の電極パッドは、前記装置外の外部電源が接続される電極パッドである、
ことを特徴とする基板。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の基板であって、
前記記憶部は、前記アンチヒューズ素子と前記配線との間に接続された抵抗素子を含む、
ことを特徴とする基板。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の基板であって、
前記記憶部は、前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子を含む、
ことを特徴とする基板。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の基板であって、
前記アンチヒューズ素子はMOS構造を有し、
前記所定の電圧が印加されることにより前記MOS構造のゲート絶縁膜が絶縁破壊され、前記アンチヒューズ素子の抵抗値が下がり、
前記スイッチング素子は、DMOSトランジスタである、
ことを特徴とする基板。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の基板であって、
電力の供給により液体を吐出する複数の吐出素子を備える、
ことを特徴とする基板。 - 請求項8に記載の基板であって、
前記吐出素子は、ヒータである、
ことを特徴とする基板。 - 記録媒体にインクを吐出する記録ヘッドと、
電源と、
を備えた記録装置であって、
前記記録ヘッドは、
インクを吐出する複数の吐出素子を有する基板を備え、
前記基板は、
アンチヒューズ素子及び該アンチヒューズ素子に対する所定の電圧の印加を切り替えるスイッチング素子を含む複数の記憶部と、
前記複数の記憶部がそれぞれ接続される配線と、
前記電源により、前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第一の電極パッドと、
前記記録装置の外部の電源により、前記配線に前記所定の電圧を供給する電圧が印加される第二の電極パッドと、を備える、
ことを特徴とする記録装置。 - 基板の製造方法であって、
前記基板は、
アンチヒューズ素子及び該アンチヒューズ素子に対する所定の電圧の印加を切り替えるスイッチング素子を含む複数の記憶部と、
前記複数の記憶部がそれぞれ接続される配線と、を備え、
前記製造方法は、
前記配線に第一の電源及び第二の電源によって前記所定の電圧を印加する工程と、
前記複数の記憶部のうちの複数の記憶部の前記アンチヒューズ素子に、対応する前記スイッチング素子によって前記所定の電圧を印加する工程と、を含む、
ことを特徴とする製造方法。
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