JP3373445B2 - 半導体装置、半導体チップ用基板、半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置、半導体チップ用基板、半導体装置の製造方法Info
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- JP3373445B2 JP3373445B2 JP32200398A JP32200398A JP3373445B2 JP 3373445 B2 JP3373445 B2 JP 3373445B2 JP 32200398 A JP32200398 A JP 32200398A JP 32200398 A JP32200398 A JP 32200398A JP 3373445 B2 JP3373445 B2 JP 3373445B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップお
よびこれと大きさが略同じか小さい半導体チップ用基板
とを片面同士で接続し、これら間に樹脂を封止する型の
半導体装置に関する。
よびこれと大きさが略同じか小さい半導体チップ用基板
とを片面同士で接続し、これら間に樹脂を封止する型の
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置の１種として、
以下に図６を参照して説明する半導体装置１０がある。
なお、この図６は、この半導体装置１０をその厚さ方向
に沿って切った断面図である。
以下に図６を参照して説明する半導体装置１０がある。
なお、この図６は、この半導体装置１０をその厚さ方向
に沿って切った断面図である。
【０００３】この樹脂封止型の半導体装置１０は、半導
体チップ用基板１１と、これに実装された半導体チップ
１３と、これら基板１１および半導体チップ１３間の隙
間に注入された樹脂１５とを具える。
体チップ用基板１１と、これに実装された半導体チップ
１３と、これら基板１１および半導体チップ１３間の隙
間に注入された樹脂１５とを具える。
【０００４】半導体チップ用基板１１は、その大きさ
が、半導体チップ１３と略同じ（同じ場合も含む。図示
例ではやや大）となっている。また、この半導体チップ
用基板１１は、支持体１１ａと、この支持体１１ａの第
１の面に設けられ金属箔からなる配線パターン１１ｂ
と、この支持体１１ａの第２の面に設けられ外部（典型
的にはマザーボード）との接続に用いる外部接続部１１
ｃと、配線パターン１１ｂを選択的に露出する絶縁層１
１ｄとを具える。
が、半導体チップ１３と略同じ（同じ場合も含む。図示
例ではやや大）となっている。また、この半導体チップ
用基板１１は、支持体１１ａと、この支持体１１ａの第
１の面に設けられ金属箔からなる配線パターン１１ｂ
と、この支持体１１ａの第２の面に設けられ外部（典型
的にはマザーボード）との接続に用いる外部接続部１１
ｃと、配線パターン１１ｂを選択的に露出する絶縁層１
１ｄとを具える。
【０００５】半導体チップ１３の所定部分と、配線パタ
ーン１１ｂの所定部分とが、配線材１７（典型的にはバ
ンプ）を介して、接続されている。これにより、半導体
チップ用基板１１の第１の面に、半導体チップ１３は実
装される。
ーン１１ｂの所定部分とが、配線材１７（典型的にはバ
ンプ）を介して、接続されている。これにより、半導体
チップ用基板１１の第１の面に、半導体チップ１３は実
装される。
【０００６】半導体チップ用基板１１とこれに実装され
た半導体チップ１３との間の隙間に、樹脂１５が注入さ
れている。この樹脂１５は、半導体チップ１３の回路形
成面および半導体チップ用基板１１の配線パターン１１
ｂが覆われるように、注入される。
た半導体チップ１３との間の隙間に、樹脂１５が注入さ
れている。この樹脂１５は、半導体チップ１３の回路形
成面および半導体チップ用基板１１の配線パターン１１
ｂが覆われるように、注入される。
【０００７】上記の構造は、半導体装置の薄型化、小型
化、軽量化に好ましい構造の１つとして、注目されてい
る。
化、軽量化に好ましい構造の１つとして、注目されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置では、半導体チップ用基板１１の大
きさが半導体チップ１３の大きさと略同じであるばかり
でなく、半導体チップ用基板１１の平面形状が、半導体
チップ１３の平面形状とほぼ同じであった。
た従来の半導体装置では、半導体チップ用基板１１の大
きさが半導体チップ１３の大きさと略同じであるばかり
でなく、半導体チップ用基板１１の平面形状が、半導体
チップ１３の平面形状とほぼ同じであった。
【０００９】そのため、半導体チップ用基板１１に半導
体チップ１３を接続した後は、樹脂注入孔が実質的に無
い状態になる。従って、基板１１および半導体チップ１
３間の隙間に樹脂１５を注入する作業がしずらいという
問題点があった。
体チップ１３を接続した後は、樹脂注入孔が実質的に無
い状態になる。従って、基板１１および半導体チップ１
３間の隙間に樹脂１５を注入する作業がしずらいという
問題点があった。
【００１０】そのため、例えば、半導体チップ１３の回
路形成面を樹脂で適正に保護できないという不具合を招
く恐れがあった。また、例えば、樹脂注入装置１９（図
７参照）から樹脂を注入すると、半導体チップ用基板１
１の側面に樹脂もれ１５ａ（図７参照）を発生させる。
この樹脂もれ１５ａによって半導体装置の寸法が大きく
なってしまうため、半導体装置の小型化を損ねる等のお
それがあった。
路形成面を樹脂で適正に保護できないという不具合を招
く恐れがあった。また、例えば、樹脂注入装置１９（図
７参照）から樹脂を注入すると、半導体チップ用基板１
１の側面に樹脂もれ１５ａ（図７参照）を発生させる。
この樹脂もれ１５ａによって半導体装置の寸法が大きく
なってしまうため、半導体装置の小型化を損ねる等のお
それがあった。
【００１１】上記の樹脂注入を行い易くするための１つ
の方法として、半導体チップ用基板１１自体の大きさ
を、図７に示した様に、樹脂１５の注入をガイド出来、
かつ、半導体装置１０の小型化を損ねない範囲で、クリ
アランスΔＸ分、大きくすることが考えられる。このク
リアランスΔＸは、経験的に、０．５ｍｍ程度である。
しかし、このように半導体チップ用基板１１自体を、半
導体チップ１３よりやや大きくしたのでは、この樹脂封
止型半導体装置の小型化を図る上で好ましくない。
の方法として、半導体チップ用基板１１自体の大きさ
を、図７に示した様に、樹脂１５の注入をガイド出来、
かつ、半導体装置１０の小型化を損ねない範囲で、クリ
アランスΔＸ分、大きくすることが考えられる。このク
リアランスΔＸは、経験的に、０．５ｍｍ程度である。
しかし、このように半導体チップ用基板１１自体を、半
導体チップ１３よりやや大きくしたのでは、この樹脂封
止型半導体装置の小型化を図る上で好ましくない。
【００１２】従って、樹脂封止型の半導体装置の小型化
に適した新規な構造を有した半導体装置が望まれる。ま
た、樹脂封止型の半導体装置の小型化に適した新規な構
造を有した半導体チップ用基板が望まれる。また、樹脂
封止型の半導体装置の小型化に適した新規な製造方法が
望まれる。
に適した新規な構造を有した半導体装置が望まれる。ま
た、樹脂封止型の半導体装置の小型化に適した新規な構
造を有した半導体チップ用基板が望まれる。また、樹脂
封止型の半導体装置の小型化に適した新規な製造方法が
望まれる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】そこで、この出願の半導
体装置の発明によれば、大きさが半導体チップと略同じ
（同じ場合も含む）か小さく、かつ、第１の面に配線パ
ターンを持ち、第２の面に外部との接続に用いる外部接
続部を持つ半導体チップ用基板と、この基板の第１の面
に実装された半導体チップと、これら基板および半導体
チップ間の隙間に注入された樹脂とを具える樹脂封止型
の半導体装置において、前記半導体チップ用基板の、前
記配線パターンおよび外部接続部を設けた領域以外の領
域であって該基板の端部に当たる領域の任意の部分に、
前記樹脂を前記隙間に注入するための切り欠き部を具え
たことを特徴とする。
体装置の発明によれば、大きさが半導体チップと略同じ
（同じ場合も含む）か小さく、かつ、第１の面に配線パ
ターンを持ち、第２の面に外部との接続に用いる外部接
続部を持つ半導体チップ用基板と、この基板の第１の面
に実装された半導体チップと、これら基板および半導体
チップ間の隙間に注入された樹脂とを具える樹脂封止型
の半導体装置において、前記半導体チップ用基板の、前
記配線パターンおよび外部接続部を設けた領域以外の領
域であって該基板の端部に当たる領域の任意の部分に、
前記樹脂を前記隙間に注入するための切り欠き部を具え
たことを特徴とする。
【００１４】この半導体装置の発明によれば、樹脂注入
のための所定の切り欠き部を具えたので、半導体チップ
用基板の大きさを半導体チップと略同じかまたは小さく
しても、樹脂注入孔が確保された半導体装置が実現され
る。そのため、半導体チップ間に樹脂が所望の通り注入
された半導体装置が実現される。
のための所定の切り欠き部を具えたので、半導体チップ
用基板の大きさを半導体チップと略同じかまたは小さく
しても、樹脂注入孔が確保された半導体装置が実現され
る。そのため、半導体チップ間に樹脂が所望の通り注入
された半導体装置が実現される。
【００１５】ここで、樹脂注入孔を半導体チップ用基板
の端部に切り欠き部として設けるのではなく、半導体チ
ップ用基板の例えば中央部に穴部として設けることも考
えられる。しかしそうするよりも、本発明の様に基板端
部に切り欠き部として設けた方が、例えば樹脂注入装置
の樹脂突出口を、上記隙間に対して樹脂注入に好ましい
角度にできる、また、注入孔の数を多く出来る等の利点
が得られる。そのため、樹脂を基板および半導体チップ
間の隙間により注入し易い等の利点が得られる。
の端部に切り欠き部として設けるのではなく、半導体チ
ップ用基板の例えば中央部に穴部として設けることも考
えられる。しかしそうするよりも、本発明の様に基板端
部に切り欠き部として設けた方が、例えば樹脂注入装置
の樹脂突出口を、上記隙間に対して樹脂注入に好ましい
角度にできる、また、注入孔の数を多く出来る等の利点
が得られる。そのため、樹脂を基板および半導体チップ
間の隙間により注入し易い等の利点が得られる。
【００１６】また、この出願の半導体チップ用基板の発
明によれば、大きさが半導体チップと略同じ（同じ場合
も含む）か小さく、かつ、第１の面に配線パターンを持
ち、第２の面に外部との接続に用いる外部接続部（後に
外部接続部として具現化される予定部の場合も含む。以
下、この発明において同じ。）を持ち、然も、前記第１
の面に半導体チップが実装されると、これら基板および
半導体チップ間の隙間に樹脂が注入されて使用される、
半導体チップ用基板において、該基板の、前記配線パタ
ーンおよび外部接続部を設けた領域以外の領域であって
該基板の端部に当たる領域の任意の部分に、前述の隙間
に前述の樹脂を注入するための切り欠き部を具えること
を特徴とする。
明によれば、大きさが半導体チップと略同じ（同じ場合
も含む）か小さく、かつ、第１の面に配線パターンを持
ち、第２の面に外部との接続に用いる外部接続部（後に
外部接続部として具現化される予定部の場合も含む。以
下、この発明において同じ。）を持ち、然も、前記第１
の面に半導体チップが実装されると、これら基板および
半導体チップ間の隙間に樹脂が注入されて使用される、
半導体チップ用基板において、該基板の、前記配線パタ
ーンおよび外部接続部を設けた領域以外の領域であって
該基板の端部に当たる領域の任意の部分に、前述の隙間
に前述の樹脂を注入するための切り欠き部を具えること
を特徴とする。
【００１７】この半導体チップ用基板の発明によれば、
樹脂注入のための所定の切り欠き部を具えるので、半導
体チップ用基板の大きさを半導体チップと略同じかまた
は小さくしても、樹脂注入孔が確保される。そのため、
小型の樹脂封止型半導体装置の実現に好適な半導体チッ
プ用基板を提供できる。
樹脂注入のための所定の切り欠き部を具えるので、半導
体チップ用基板の大きさを半導体チップと略同じかまた
は小さくしても、樹脂注入孔が確保される。そのため、
小型の樹脂封止型半導体装置の実現に好適な半導体チッ
プ用基板を提供できる。
【００１８】ここで、樹脂注入孔を半導体チップ用基板
の端部に切り欠き部として設けるのではなく、半導体チ
ップ用基板の例えば中央部に穴部として設けることも考
えられる。しかしそうするよりも、本発明の様に、基板
端部に切り欠き部として設けた方が、例えば樹脂注入装
置の樹脂突出口を、上記隙間に対して樹脂注入に好まし
い角度にできる、注入孔の数を多く出来る等の利点が得
られる。そのため、樹脂を基板および半導体チップ間の
隙間により注入し易い等の利点が得られる。
の端部に切り欠き部として設けるのではなく、半導体チ
ップ用基板の例えば中央部に穴部として設けることも考
えられる。しかしそうするよりも、本発明の様に、基板
端部に切り欠き部として設けた方が、例えば樹脂注入装
置の樹脂突出口を、上記隙間に対して樹脂注入に好まし
い角度にできる、注入孔の数を多く出来る等の利点が得
られる。そのため、樹脂を基板および半導体チップ間の
隙間により注入し易い等の利点が得られる。
【００１９】また、この出願の半導体装置の製造方法の
発明によれば、大きさが半導体チップと略同じ（同じ場
合も含む）か小さく、第１の面に配線パターンを持ち、
第２の面に外部との接続に用いる外部接続部（後に外部
接続部として具現化される予定部の場合も含む。以下、
この発明において同じ）を持つ半導体チップ用基板の、
前記第１の面に、半導体チップを実装する工程と、該実
装された半導体チップと前記基板との間の隙間に樹脂を
注入する工程とを含む半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップ用基板として、該基板の、前記配線パ
ターンおよび外部接続部を設けた領域以外の領域であっ
て該基板の端部に当たる領域の任意の部分に、前述の隙
間に前述の樹脂を注入するための切り欠き部を有する基
板を用い、前述の樹脂を注入する際は、この切り欠き部
から注入することを特徴とする。
発明によれば、大きさが半導体チップと略同じ（同じ場
合も含む）か小さく、第１の面に配線パターンを持ち、
第２の面に外部との接続に用いる外部接続部（後に外部
接続部として具現化される予定部の場合も含む。以下、
この発明において同じ）を持つ半導体チップ用基板の、
前記第１の面に、半導体チップを実装する工程と、該実
装された半導体チップと前記基板との間の隙間に樹脂を
注入する工程とを含む半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップ用基板として、該基板の、前記配線パ
ターンおよび外部接続部を設けた領域以外の領域であっ
て該基板の端部に当たる領域の任意の部分に、前述の隙
間に前述の樹脂を注入するための切り欠き部を有する基
板を用い、前述の樹脂を注入する際は、この切り欠き部
から注入することを特徴とする。
【００２０】この半導体装置の製造方法の発明によれ
ば、半導体チップ用基板として、樹脂注入のための所定
の切り欠き部を具えた基板を用いるので、半導体チップ
用基板の大きさを半導体チップと略同じかまたは小さく
しても、樹脂をこの切り欠き部からこれら基板および半
導体チップ間に所望の通り注入できる。そのため、小型
の樹脂封止型半導体装置を容易に製造することができ
る。
ば、半導体チップ用基板として、樹脂注入のための所定
の切り欠き部を具えた基板を用いるので、半導体チップ
用基板の大きさを半導体チップと略同じかまたは小さく
しても、樹脂をこの切り欠き部からこれら基板および半
導体チップ間に所望の通り注入できる。そのため、小型
の樹脂封止型半導体装置を容易に製造することができ
る。
【００２１】ここで、樹脂注入口を半導体チップ用基板
の端部に切り欠き部として設けるのではなく、半導体チ
ップ用基板の例えば中央部に穴部として設けることも考
えられる。しかしそうするよりも、本発明の様に基板端
部に切り欠き部として設けた方が、例えば樹脂注入装置
の樹脂突出口を、上記隙間に対して樹脂注入に好ましい
角度にできる、注入孔の数を多く出来る等の利点が得ら
れる。そのため、樹脂を基板および半導体チップ間の隙
間により注入し易い等の利点が得られる。
の端部に切り欠き部として設けるのではなく、半導体チ
ップ用基板の例えば中央部に穴部として設けることも考
えられる。しかしそうするよりも、本発明の様に基板端
部に切り欠き部として設けた方が、例えば樹脂注入装置
の樹脂突出口を、上記隙間に対して樹脂注入に好ましい
角度にできる、注入孔の数を多く出来る等の利点が得ら
れる。そのため、樹脂を基板および半導体チップ間の隙
間により注入し易い等の利点が得られる。
【００２２】なお、この出願の半導体チップ用基板の発
明および半導体装置の製造方法の発明を実施するに当た
り、これら発明をいわゆる多連型の半導体チップ用基板
に適用することもできる。この種の樹脂封止型の半導体
装置を量産する場合、典型的には、半導体チップ用基板
として、多連型のものを用いるからである。
明および半導体装置の製造方法の発明を実施するに当た
り、これら発明をいわゆる多連型の半導体チップ用基板
に適用することもできる。この種の樹脂封止型の半導体
装置を量産する場合、典型的には、半導体チップ用基板
として、多連型のものを用いるからである。
【００２３】ここで、多連型の半導体チップ用基板と
は、大きさが半導体チップと略同じか小さく、かつ、第
１の面に配線パターンを持ち、第２の面に外部との接続
に用いる外部配線部（既に説明したが後に具現化される
予定部の場合も含む）を持ち、然も、前記第１の面に半
導体チップが実装されると、これら基板および半導体チ
ップ間の隙間に樹脂が注入されて使用される、半導体チ
ップ用基板（これを個別半導体チップ用基板という）
を、ブリッジによって支持部材に多数連結してあるもの
をいう（例えば図４参照）。
は、大きさが半導体チップと略同じか小さく、かつ、第
１の面に配線パターンを持ち、第２の面に外部との接続
に用いる外部配線部（既に説明したが後に具現化される
予定部の場合も含む）を持ち、然も、前記第１の面に半
導体チップが実装されると、これら基板および半導体チ
ップ間の隙間に樹脂が注入されて使用される、半導体チ
ップ用基板（これを個別半導体チップ用基板という）
を、ブリッジによって支持部材に多数連結してあるもの
をいう（例えば図４参照）。
【００２４】また、この出願の各発明を実施するに当た
り、各発明を、半導体チップ用基板の外部接続部が、Ｆ
ＢＧＡ（ファインピッチボールグリッドアレイ）規格に
従う接続部となっている半導体技術に適用するのが好ま
しい。ＦＢＧＡ規格とは、ボールグリッドのピッチが最
大でも０．８ｍｍ、すなわち、ピッチが０．８ｍｍ以下
に規定された規格である。この規格を採用する半導体装
置は小型化が望まれるものが多いので、この出願の各発
明を適用する価値が大だからである。
り、各発明を、半導体チップ用基板の外部接続部が、Ｆ
ＢＧＡ（ファインピッチボールグリッドアレイ）規格に
従う接続部となっている半導体技術に適用するのが好ま
しい。ＦＢＧＡ規格とは、ボールグリッドのピッチが最
大でも０．８ｍｍ、すなわち、ピッチが０．８ｍｍ以下
に規定された規格である。この規格を採用する半導体装
置は小型化が望まれるものが多いので、この出願の各発
明を適用する価値が大だからである。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この出願
の半導体装置、半導体チップ用基板および半導体装置の
製造方法の各発明の実施の形態について説明する。しか
しながら、説明に用いる各図はこの発明を理解できる程
度に、各構成成分の寸法、形状、配置関係などを概略的
に示してあるにすぎない。また、以下の各図において、
同様な構成成分については同一の番号を付して示し、そ
の重複する説明を省略することもある。
の半導体装置、半導体チップ用基板および半導体装置の
製造方法の各発明の実施の形態について説明する。しか
しながら、説明に用いる各図はこの発明を理解できる程
度に、各構成成分の寸法、形状、配置関係などを概略的
に示してあるにすぎない。また、以下の各図において、
同様な構成成分については同一の番号を付して示し、そ
の重複する説明を省略することもある。
【００２６】図１（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態の
半導体装置２０および半導体チップ用基板２１を説明す
る図である。特に図１（Ａ）は、この半導体装置２０を
その厚さ方向に沿って切った断面図である。また、図１
（Ｂ）は、この半導体装置２０の一部分を、半導体チッ
プ用基板２１の第２の面側からみた平面図である。
半導体装置２０および半導体チップ用基板２１を説明す
る図である。特に図１（Ａ）は、この半導体装置２０を
その厚さ方向に沿って切った断面図である。また、図１
（Ｂ）は、この半導体装置２０の一部分を、半導体チッ
プ用基板２１の第２の面側からみた平面図である。
【００２７】この半導体装置２０は、半導体チップ用基
板２１と、この基板２１にに実装された半導体チップ２
３と、これら基板２１および半導体チップ２３間の隙間
に注入された樹脂２５とを具える。
板２１と、この基板２１にに実装された半導体チップ２
３と、これら基板２１および半導体チップ２３間の隙間
に注入された樹脂２５とを具える。
【００２８】この半導体チップ用基板２１は、支持体２
１ａと、配線パターン２１ｂと、外部接続部２１ｃと、
絶縁層２１ｅとを具える。
１ａと、配線パターン２１ｂと、外部接続部２１ｃと、
絶縁層２１ｅとを具える。
【００２９】この半導体チップ用基板２１の平面的に見
た大きさ（実際は支持体２１ａの大きさ）は、半導体チ
ップ２３と略同じ（同じ場合も含む。）か、または小さ
い。支持体２１ａは、例えばガラスエポキシ基板、また
はセラミックス基板、または高分子材料例えばポリイミ
ドのフィルムで構成できる。好ましくは、高分子材料の
フィルム、より好ましくは、ポリイミドのフィルムで構
成する。
た大きさ（実際は支持体２１ａの大きさ）は、半導体チ
ップ２３と略同じ（同じ場合も含む。）か、または小さ
い。支持体２１ａは、例えばガラスエポキシ基板、また
はセラミックス基板、または高分子材料例えばポリイミ
ドのフィルムで構成できる。好ましくは、高分子材料の
フィルム、より好ましくは、ポリイミドのフィルムで構
成する。
【００３０】配線パターン２１ｂは、支持体２１ａの第
１の面に設けてある。この配線パターン２１ｂを、金属
箔例えば銅箔で構成する。この配線パターン２１ｂは半
導体装置２０の設計に応じたパターンとしてある。この
配線パターン２１ｂの一部分が、半導体チップ２３との
接続に使用されている。
１の面に設けてある。この配線パターン２１ｂを、金属
箔例えば銅箔で構成する。この配線パターン２１ｂは半
導体装置２０の設計に応じたパターンとしてある。この
配線パターン２１ｂの一部分が、半導体チップ２３との
接続に使用されている。
【００３１】外部接続部２１ｃは、この半導体装置２０
を外部と接続するために用いるものである。この外部接
続部２１ｃは、その一端が、支持体２１ａに設けたスル
ーホール２１ｄを介して配線パターン２１ｂに接続され
ている。この外部接続部２１ｃは任意好適な形状とでき
るが、この場合、ハンダボールからなるボールグリッド
としてある。
を外部と接続するために用いるものである。この外部接
続部２１ｃは、その一端が、支持体２１ａに設けたスル
ーホール２１ｄを介して配線パターン２１ｂに接続され
ている。この外部接続部２１ｃは任意好適な形状とでき
るが、この場合、ハンダボールからなるボールグリッド
としてある。
【００３２】絶縁層２１ｅは、配線パターン２１ｂを選
択的に露出するものである。具体的には、配線パターン
２１ｂのうちの、半導体チップ２３との接続に必要な領
域以外を覆う絶縁層である。
択的に露出するものである。具体的には、配線パターン
２１ｂのうちの、半導体チップ２３との接続に必要な領
域以外を覆う絶縁層である。
【００３３】さらに、この半導体チップ用基板２１は、
配線パターン２１ｂおよび外部接続部２１ｃを設けた領
域以外の領域（以下、非配線形成領域と略称することも
ある。）であって該基板２１の端部に当たる領域の任意
の部分に、樹脂注入のための切り欠き部２１ｘを具え
る。
配線パターン２１ｂおよび外部接続部２１ｃを設けた領
域以外の領域（以下、非配線形成領域と略称することも
ある。）であって該基板２１の端部に当たる領域の任意
の部分に、樹脂注入のための切り欠き部２１ｘを具え
る。
【００３４】従って、この半導体チップ用基板２１は、
その大きさが、半導体チップ２３と略同じ（同じ場合も
含む）か小さく、かつ、その平面形状が、切り欠き部２
１ｘの部分を除いて、半導体チップと略同じになってい
る基板になる。
その大きさが、半導体チップ２３と略同じ（同じ場合も
含む）か小さく、かつ、その平面形状が、切り欠き部２
１ｘの部分を除いて、半導体チップと略同じになってい
る基板になる。
【００３５】切り欠き部２１ｘの大きさ、平面形状、個
数は、樹脂注入に好適な大きさ、平面形状および個数と
することができる。例えば、以下のような構成とするこ
とができる。この説明を図２（Ａ）、（Ｂ）および図３
を参照して説明する。なお、図２は、半導体チップ用基
板２１の平面図である。
数は、樹脂注入に好適な大きさ、平面形状および個数と
することができる。例えば、以下のような構成とするこ
とができる。この説明を図２（Ａ）、（Ｂ）および図３
を参照して説明する。なお、図２は、半導体チップ用基
板２１の平面図である。
【００３６】半導体チップ用基板２１の平面形状は、ほ
とんどの場合四角形状である。そのため、切り欠き部２
１ｘの設け方の第１の例として、切り欠き部２１ｘを、
半導体チップ用基板２１（実際は支持体２１ａ）の少な
くとも２つの辺に沿う部分それぞれの一部分に少なくと
も１つ設ける例を挙げることができる。例えば、図２
（Ａ）に示した様に、半導体チップ用基板２１の第１の
辺２１ｙに沿う部分の一部分と、第２の辺２１ｚに沿う
部分の一部分とにそれぞれ切り欠き部２１ｘを設ける例
を挙げることができる。これら第１の辺および第２の辺
２１ｙ、２１ｚは、互いに対向する辺の場合（図２
（Ａ）はこの例）でも良いし、隣り合う辺同士でも良
い。
とんどの場合四角形状である。そのため、切り欠き部２
１ｘの設け方の第１の例として、切り欠き部２１ｘを、
半導体チップ用基板２１（実際は支持体２１ａ）の少な
くとも２つの辺に沿う部分それぞれの一部分に少なくと
も１つ設ける例を挙げることができる。例えば、図２
（Ａ）に示した様に、半導体チップ用基板２１の第１の
辺２１ｙに沿う部分の一部分と、第２の辺２１ｚに沿う
部分の一部分とにそれぞれ切り欠き部２１ｘを設ける例
を挙げることができる。これら第１の辺および第２の辺
２１ｙ、２１ｚは、互いに対向する辺の場合（図２
（Ａ）はこの例）でも良いし、隣り合う辺同士でも良
い。
【００３７】もちろん、第１の辺２１ｙに沿う部分に２
以上の切り欠き部２１ｘを設け、第２の辺２１ｚに沿う
部分に２以上の切り欠き部２１ｘを設ける場合があって
も良い（図示せず）。さらには、第３の辺に沿う部分の
一部分や、第４の辺に沿う部分の一部分に、切り欠き部
２１ｘを設ける場合があっても良い。図３は、半導体チ
ップ用基板２１０の４つの辺に沿う部分それぞれに、少
なくとも１つの切り欠き部２１ｘを設けた例である。よ
り詳細には、半導体装置がＲＡＭＢＵＳ品である場合
の、切り欠き部２１ｘの設け方の一例を示した図であ
る。すなわち、ＲＡＭＢＵＳ用の半導体チップ用基板２
１０の、配線パターン（図示せず）および外部接続部２
１ｃを設けた領域を除く領域であって基板２１０の端部
に、切り欠き部２１ｘを、複数設けた例を示した図であ
る。
以上の切り欠き部２１ｘを設け、第２の辺２１ｚに沿う
部分に２以上の切り欠き部２１ｘを設ける場合があって
も良い（図示せず）。さらには、第３の辺に沿う部分の
一部分や、第４の辺に沿う部分の一部分に、切り欠き部
２１ｘを設ける場合があっても良い。図３は、半導体チ
ップ用基板２１０の４つの辺に沿う部分それぞれに、少
なくとも１つの切り欠き部２１ｘを設けた例である。よ
り詳細には、半導体装置がＲＡＭＢＵＳ品である場合
の、切り欠き部２１ｘの設け方の一例を示した図であ
る。すなわち、ＲＡＭＢＵＳ用の半導体チップ用基板２
１０の、配線パターン（図示せず）および外部接続部２
１ｃを設けた領域を除く領域であって基板２１０の端部
に、切り欠き部２１ｘを、複数設けた例を示した図であ
る。
【００３８】これら第１の例の場合、切り欠き部２１ｘ
が基板２１の複数箇所に設けられる。これら第１の例の
場合、樹脂注入を行う際は、これら複数の切り欠き部２
１ｘの全部を用いても良いし、一部を用いても良い。
が基板２１の複数箇所に設けられる。これら第１の例の
場合、樹脂注入を行う際は、これら複数の切り欠き部２
１ｘの全部を用いても良いし、一部を用いても良い。
【００３９】また、切り欠き部２１ｘを設ける第２の例
として、図２（Ｂ）に示した様に、切り欠き部２１ｘ
を、半導体チップ用基板２１の１つの辺２１ｙに沿う部
分に、少なくとも１つ設ける例を挙げることができる。
として、図２（Ｂ）に示した様に、切り欠き部２１ｘ
を、半導体チップ用基板２１の１つの辺２１ｙに沿う部
分に、少なくとも１つ設ける例を挙げることができる。
【００４０】上述の第１の例、第２の例いずれの場合
も、半導体チップ用基板２１の大きさを、半導体チップ
２３の大きさと略同じか小さくしても、樹脂注入孔を確
保することができる。特に、上記の第１の例の場合は、
樹脂注入箇所を任意に選べるので、樹脂注入作業工程の
自由度を高めることができる。また、上記の第１の例で
あって樹脂注入を１つの切り欠き部２１ｘのみを用いて
行う場合、および、第２の例の場合、樹脂注入孔が基板
の一箇所に集中する。そのため、樹脂注入方向を一方
向、すなわち、１つの切り欠き部２１ｘから基板２１の
他端に向かって樹脂を注入できる。樹脂を複数箇所方向
から注入した場合、各方向が集合する箇所には気泡が残
り易いが、この第２の例等ではその問題が生じにくい。
も、半導体チップ用基板２１の大きさを、半導体チップ
２３の大きさと略同じか小さくしても、樹脂注入孔を確
保することができる。特に、上記の第１の例の場合は、
樹脂注入箇所を任意に選べるので、樹脂注入作業工程の
自由度を高めることができる。また、上記の第１の例で
あって樹脂注入を１つの切り欠き部２１ｘのみを用いて
行う場合、および、第２の例の場合、樹脂注入孔が基板
の一箇所に集中する。そのため、樹脂注入方向を一方
向、すなわち、１つの切り欠き部２１ｘから基板２１の
他端に向かって樹脂を注入できる。樹脂を複数箇所方向
から注入した場合、各方向が集合する箇所には気泡が残
り易いが、この第２の例等ではその問題が生じにくい。
【００４１】この半導体チップ用基板２１に実装される
半導体チップ２３は、その回路形成面側を、半導体チッ
プ用基板２１の第１の面（配線パターン２１ｂを設けた
面）と対向させ、かつ、この回路の所定部分を、配線パ
ターン２１ｂの所定部分に接続することで、基板２１に
実装されている。半導体チップ２３の回路の所定部分
と、配線パターン２１ｂの所定部分とは、接続材２７例
えばハンダバンプにより接続してある。
半導体チップ２３は、その回路形成面側を、半導体チッ
プ用基板２１の第１の面（配線パターン２１ｂを設けた
面）と対向させ、かつ、この回路の所定部分を、配線パ
ターン２１ｂの所定部分に接続することで、基板２１に
実装されている。半導体チップ２３の回路の所定部分
と、配線パターン２１ｂの所定部分とは、接続材２７例
えばハンダバンプにより接続してある。
【００４２】半導体チップ用基板２１とこれに実装され
た半導体チップ２３との間の隙間に、樹脂２５が注入し
てある。この樹脂２５によって、半導体チップ２３の回
路と半導体チップ用基板２１の配線パターン２１ｂと
は、封止される。樹脂２５として、半導体装置２０の設
計に応じた任意の樹脂を用いることができる。
た半導体チップ２３との間の隙間に、樹脂２５が注入し
てある。この樹脂２５によって、半導体チップ２３の回
路と半導体チップ用基板２１の配線パターン２１ｂと
は、封止される。樹脂２５として、半導体装置２０の設
計に応じた任意の樹脂を用いることができる。
【００４３】この半導体装置２０によれば、半導体チッ
プ用基板２１の、非配線形成領域であってかつ基板の端
部に当たる領域の任意の部分に、樹脂注入用の切り欠き
部２１ｘを具えるので、半導体チップ用基板２１の大き
さが半導体チップ２３と略同じか小さくても、この切り
欠き部２１ｘからこれら基板およびチップ間の隙間に樹
脂を注入できる。そのため、従来生じる恐れがあった問
題を解決することができる。
プ用基板２１の、非配線形成領域であってかつ基板の端
部に当たる領域の任意の部分に、樹脂注入用の切り欠き
部２１ｘを具えるので、半導体チップ用基板２１の大き
さが半導体チップ２３と略同じか小さくても、この切り
欠き部２１ｘからこれら基板およびチップ間の隙間に樹
脂を注入できる。そのため、従来生じる恐れがあった問
題を解決することができる。
【００４４】次に、半導体装置の製造方法の実施の形態
について説明する。この説明を図４および図５を参照し
て行う。なお、ここでは、例えば図４に示した様に、多
数の半導体チップ用基板２２０それぞれが、ブリッジ３
１によって支持部材３３（典型的にはテープ本体）に連
結された多連型の基板３５を用いる例で説明する。半導
体装置を量産する場合、半導体チップ用基板としては、
このような多連型の基板３５を用いて連続的な生産が行
われることが多いからである。このような多連型の基板
３５として、例えば、高分子フィルム例えばポリイミド
フィルムを多連型に加工し、かつ、個別半導体チップ用
基板２２０に相当する位置に配線パターン２１ｂを設け
てある（典型的には接着してある）基板を挙げることが
できる。また、図５（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態
の半導体装置の製造工程の要部を示した図である。これ
ら図５（Ａ）および（Ｂ）は、図４中のＩ−Ｉ線に沿っ
た断面図に相当する図である。
について説明する。この説明を図４および図５を参照し
て行う。なお、ここでは、例えば図４に示した様に、多
数の半導体チップ用基板２２０それぞれが、ブリッジ３
１によって支持部材３３（典型的にはテープ本体）に連
結された多連型の基板３５を用いる例で説明する。半導
体装置を量産する場合、半導体チップ用基板としては、
このような多連型の基板３５を用いて連続的な生産が行
われることが多いからである。このような多連型の基板
３５として、例えば、高分子フィルム例えばポリイミド
フィルムを多連型に加工し、かつ、個別半導体チップ用
基板２２０に相当する位置に配線パターン２１ｂを設け
てある（典型的には接着してある）基板を挙げることが
できる。また、図５（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態
の半導体装置の製造工程の要部を示した図である。これ
ら図５（Ａ）および（Ｂ）は、図４中のＩ−Ｉ線に沿っ
た断面図に相当する図である。
【００４５】先ず、図４に示した多連型の基板３５の１
つの半導体チップ用基板（個別半導体チップ用基板）２
２０の第１の面に、半導体チップ２３の回路形成面を接
しさせる（図５（Ａ）参照）。そして、この半導体チッ
プ２３の回路の所定部分と、基板２２０の配線パターン
２１ｂの所定部分とを、接続材２７例えばハンダバンプ
によって接続する（図５（Ａ）参照）。次に、樹脂注入
装置４１から樹脂２５を、この発明に係る切り欠き部２
１ｘを経由させて、基板２２０およびチップ２３間の隙
間に注入する（図５（Ａ）参照）。
つの半導体チップ用基板（個別半導体チップ用基板）２
２０の第１の面に、半導体チップ２３の回路形成面を接
しさせる（図５（Ａ）参照）。そして、この半導体チッ
プ２３の回路の所定部分と、基板２２０の配線パターン
２１ｂの所定部分とを、接続材２７例えばハンダバンプ
によって接続する（図５（Ａ）参照）。次に、樹脂注入
装置４１から樹脂２５を、この発明に係る切り欠き部２
１ｘを経由させて、基板２２０およびチップ２３間の隙
間に注入する（図５（Ａ）参照）。
【００４６】切り欠き部２１ｘを設けてあるので、樹脂
２５を、基板２２０およびチップ２３間の隙間に容易に
注入できる。また、基板２２０の側面やチップ２３の側
面に樹脂２５がもれる危険性は大幅に軽減される。次
に、樹脂２５の種類に応じた適正な処理で樹脂２５を硬
化させる。
２５を、基板２２０およびチップ２３間の隙間に容易に
注入できる。また、基板２２０の側面やチップ２３の側
面に樹脂２５がもれる危険性は大幅に軽減される。次
に、樹脂２５の種類に応じた適正な処理で樹脂２５を硬
化させる。
【００４７】次に、ブリッジ３１の部分を切断装置４３
によって切断して、基板２２０を支持部材３３から切り
離す。
によって切断して、基板２２０を支持部材３３から切り
離す。
【００４８】次に、基板２２０の第２の面に、外部接続
部２１ｃとしての例えばボールグリッドを形成する。こ
うすることで、図１に示した半導体装置２０を得ること
ができる。
部２１ｃとしての例えばボールグリッドを形成する。こ
うすることで、図１に示した半導体装置２０を得ること
ができる。
【００４９】この製造方法によれば、半導体チップ用基
板２２０として、樹脂注入用の所定の切り欠き部２１ｘ
を有した基板を用いたので、基板２２０の大きさがチッ
プ２３と略同じか小さくても、半導体チップ用基板２２
０に半導体チップ２３を実装した後の、これら基板２２
０およびチップ２３間の隙間への樹脂注入を、容易に行
える。そのため、小型の樹脂封止型半導体装置を容易に
製造することができる。
板２２０として、樹脂注入用の所定の切り欠き部２１ｘ
を有した基板を用いたので、基板２２０の大きさがチッ
プ２３と略同じか小さくても、半導体チップ用基板２２
０に半導体チップ２３を実装した後の、これら基板２２
０およびチップ２３間の隙間への樹脂注入を、容易に行
える。そのため、小型の樹脂封止型半導体装置を容易に
製造することができる。
【００５０】上述においては、この出願の各発明の実施
の形態について説明したが、これらの発明は上述の実施
の形態に何ら限定されず、多くの変形又は変更を加える
ことができる。
の形態について説明したが、これらの発明は上述の実施
の形態に何ら限定されず、多くの変形又は変更を加える
ことができる。
【００５１】例えば半導体装置の製造方法の発明では、
多連型の基板３５を用いる例を説明したが、多連型でな
い半導体チップ用基板を用いる場合にも本発明は適用で
きる。
多連型の基板３５を用いる例を説明したが、多連型でな
い半導体チップ用基板を用いる場合にも本発明は適用で
きる。
【００５２】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の半導体装置によれば、半導体チップ用基板とし
て、基板の、非配線形成領域であって該基板の端部に当
たる領域の任意の部分に、樹脂注入のための切り欠き部
を具えた基板を含む。また、この発明の半導体チップ用
基板によれば、該基板の、非配線形成領域であって該基
板の端部に当たる領域の任意の部分に、樹脂注入のため
の切り欠き部を具える。また、この発明の半導体装置の
製造方法によれば、半導体チップ用基板として、基板
の、非配線形成領域であって該基板の端部に当たる領域
の任意の部分に、樹脂注入のための切り欠き部を具える
基板を用い、この切り欠き部から樹脂を注入する。
発明の半導体装置によれば、半導体チップ用基板とし
て、基板の、非配線形成領域であって該基板の端部に当
たる領域の任意の部分に、樹脂注入のための切り欠き部
を具えた基板を含む。また、この発明の半導体チップ用
基板によれば、該基板の、非配線形成領域であって該基
板の端部に当たる領域の任意の部分に、樹脂注入のため
の切り欠き部を具える。また、この発明の半導体装置の
製造方法によれば、半導体チップ用基板として、基板
の、非配線形成領域であって該基板の端部に当たる領域
の任意の部分に、樹脂注入のための切り欠き部を具える
基板を用い、この切り欠き部から樹脂を注入する。
【００５３】従って、これら各発明によれば、半導体チ
ップ用基板の大きさを半導体チップと略同じかまたは小
さくしても、樹脂を上記の切り欠き部から半導体チップ
用基板および半導体チップ間の隙間に注入できる。その
ため、所望の樹脂封止型の半導体装置が実現される。
ップ用基板の大きさを半導体チップと略同じかまたは小
さくしても、樹脂を上記の切り欠き部から半導体チップ
用基板および半導体チップ間の隙間に注入できる。その
ため、所望の樹脂封止型の半導体装置が実現される。
【図１】実施の形態の半導体装置を説明する図であり、
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は一部分の平面図である。
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は一部分の平面図である。
【図２】実施の形態の半導体チップ用基板の具体例を説
明する図である。
明する図である。
【図３】実施の形態の半導体チップ用基板の具体例を説
明する図である。
明する図である。
【図４】製造方法の実施の形態で用いた基板の説明図で
ある。
ある。
【図５】製造方法の実施の形態を説明する工程図であ
る。
る。
【図６】従来技術を説明する図である。
【図７】課題を説明するための図である。
２０：実施の形態の半導体装置
２１、２１０、２２０：半導体チップ用基板
２１ａ：支持体
２１ｂ：配線パターン
２１ｃ：外部接続部
２１ｄ：スルーホール
２１ｅ：絶縁層
２１ｙ：第１の辺
２１ｚ：第２の辺
２３：半導体チップ
２５：樹脂
２７：接続材
３１：ブリッジ
３３：支持部材（テープ本体）
３５：多連型の基板
４１：樹脂注入装置
４３：切断装置
Claims (13)
- 【請求項１】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持つ半導体チップ用
基板と、前記第１の面に実装された半導体チップと、こ
れら半導体チップ用基板および半導体チップ間の隙間に
注入された樹脂とを具えた樹脂封止型の半導体装置にお
いて、 半導体チップ用基板の、前記配線パターンおよび外部接
続部を設けた領域以外の領域であってかつ該基板の端部
に当たる領域の任意の部分に、前記樹脂を前記隙間に注
入するための切り欠き部を具え、 前記切り欠き部を、前記半導体チップ用基板の、少なく
とも２つの辺に沿う部分それぞれに、少なくとも１つ具
えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持つ半導体チップ用
基板と、前記第１の面に実装された半導体チップと、こ
れら半導体チップ用基板および半導体チップ間の隙間に
注入された樹脂とを具えた樹脂封止型の半導体装置にお
いて、 半導体チップ用基板の、前記配線パターンおよび外部接
続部を設けた領域以外の領域であってかつ該基板の端部
に当たる領域の任意の部分に、前記樹脂を前記隙間に注
入するための切り欠き部を具え、 前記切り欠き部を、前記半導体チップ用基板の、１つの
辺に沿う部分に、少なくとも１つ具えたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１〜２のいずれか１項に記載の半
導体装置において、 前記外部接続部が、最大でも０．８ｍｍのピッチとなる
接続部であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持ち、然も、前記第
１の面に半導体チップが実装されると、これら半導体チ
ップ用基板および半導体チップ間の隙間に樹脂が注入さ
れて使用される、半導体チップ用基板において、 半導体チップ用基板の、前記配線パターンおよび外部接
続部を設けた領域以外の領域であってかつ該基板の端部
に当たる領域の任意の部分に、前記樹脂を前記隙間に注
入するための切り欠き部を具え、 前記切り欠き部を、前記半導体チップ用基板の、少なく
とも２つの辺に沿う部分それぞれに、少なくとも１つ具
えたことを特徴とする半導体チップ用基板。 - 【請求項５】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持ち、然も、前記第
１の面に半導体チップが実装されると、これら半導体チ
ップ用基板および半導体チップ間の隙間に樹脂が注入さ
れて使用される、半導体チップ用基板を、ブリッジによ
って支持部材に多数連結してある多連型の半導体チップ
用基板において、 個別半導体チップ用基板の、前記配線パターンおよび外
部接続部を設けた領域以外の領域であって該基板の端部
に当たる領域の任意の部分に、前記樹脂を前記隙間に注
入するための切り欠き部を具え、 前記切り欠き部を、前記半導体チップ用基板の、少なく
とも２つの辺に沿う部分それぞれに、少なくとも１つ具
えたことを特徴とする半導体チップ用基板。 - 【請求項６】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持ち、然も、前記第
１の面に半導体チップが実装されると、これら半導体チ
ップ用基板および半導体チップ間の隙間に樹脂が注入さ
れて使用される、半導体チップ用基板において、 半導体チップ用基板の、前記配線パターンおよび外部接
続部を設けた領域以外の領域であってかつ該基板の端部
に当たる領域の任意の部分に、前記樹脂を前記隙間に注
入するための切り欠き部を具え、 前記切り欠き部を、前記半導体チップ用基板の、１つの
辺に沿う部分に、少なくとも１つ具えたことを特徴とす
る半導体チップ用基板。 - 【請求項７】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持ち、然も、前記第
１の面に半導体チップが実装されると、これら半導体チ
ップ用基板および半導体チップ間の隙間に樹脂が注入さ
れて使用される、半導体チップ用基板を、ブリッジによ
って支持部材に多数連結してある多連型の半導体チップ
用基板において、 個別半導体チップ用基板の、前記配線パターンおよび外
部接続部を設けた領域以外の領域であって該基板の端部
に当たる領域の任意の部分に、前記樹脂を前記隙間に注
入するための切り欠き部を具え、 前記切り欠き部を、前記半導体チップ用基板の、１つの
辺に沿う部分に、少なくとも１つ具えたことを特徴とす
る半導体チップ用基板。 - 【請求項８】 請求項４〜７のいずれか１項に記載の半
導体チップ用基板において、 前記外部接続部が、最大でも０．８ｍｍのピッチとなる
接続部であることを特徴とする半導体チップ用基板。 - 【請求項９】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持つ半導体チップ用
基板の、前記第１の面に、半導体チップを実装する工程
と、該実装された半導体チップと前記半導体チップ用基
板との間の隙間に樹脂を注入する工程と、を含む樹脂封
止型の半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップ用基板として、該基板の、前記配線パ
ターンおよび外部接続部を設けた領域以外の領域であっ
て該基板の端部にあたる領域の任意の部分に、前記樹脂
を前記隙間に注入するための切り欠き部を具え、前記切
り欠き部を、前記半導体チップ用基板の、少なくとも２
つの辺に沿う部分それぞれに、少なくとも１つ具えた基
板を用い、 前記樹脂を注入する際は、該切り欠き部から注入するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持つ半導体チップ用
基板を、ブリッジによって支持部材に多数連結してある
多連型の半導体チップ用基板の、前記第１の面に、半導
体チップを実装する工程と、該実装された半導体チップ
と前記基板との間の隙間に樹脂を注入する工程と、を含
む樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、 前記多連型の半導体チップ用基板として、個別半導体チ
ップ用基板の、前記配線パターンおよび外部接続部を設
けた領域以外の領域であって該個別基板の端部にあたる
領域の任意の部分に、前記樹脂を前記隙間に注入するた
めの切り欠き部を具え、前記切り欠き部を、前記半導体
チップ用基板の、少なくとも２つの辺に沿う部分それぞ
れに、少なくとも１つ具えた基板を用い、 前記樹脂を注入する際は、該切り欠き部から注入するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持つ半導体チップ用
基板の、前記第１の面に、半導体チップを実装する工程
と、該実装された半導体チップと前記半導体チップ用基
板との間の隙間に樹脂を注入する工程と、を含む樹脂封
止型の半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップ用基板として、該基板の、前記配線パ
ターンおよび外部接続部を設けた領域以外の領域であっ
て該基板の端部にあたる領域の任意の部分に、前記樹脂
を前記隙間に注入するための切り欠き部を具え、前記切
り欠き部を、前記半導体チップ用基板の、１つの辺に沿
う部分に、少なくとも１つ具えた基板を用い、 前記樹脂を注入する際は、該切り欠き部から注入するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 大きさが半導体チップと略同じか小さ
く、かつ、第１の面に配線パターンを持ち、第２の面に
外部との接続に用いる外部接続部を持つ半導体チップ用
基板を、ブリッジによって支持部材に多数連結してある
多連型の半導体チップ用基板の、前記第１の面に、半導
体チップを実装する工程と、該実装された半導体チップ
と前記基板との間の隙間に樹脂を注入する工程と、を含
む樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、 前記多連型の半導体チップ用基板として、個別半導体チ
ップ用基板の、前記配線パターンおよび外部接続部を設
けた領域以外の領域であって該個別基板の端部にあたる
領域の任意の部分に、前記樹脂を前記隙間に注入するた
めの切り欠き部を具え、前記切り欠き部を、前記半導体
チップ用基板の、１つの辺に沿う部分に、少なくとも１
つ具えた基板を用い、 前記樹脂を注入する際は、該切り欠き部から注入するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項９〜１２のいずれか１項に記載
の半導体装置の製造方法において、 前記外部接続部が、最大でも０．８ｍｍのピッチとなる
接続部であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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| JP32200398A JP3373445B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 半導体装置、半導体チップ用基板、半導体装置の製造方法 |
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| JP32200398A JP3373445B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 半導体装置、半導体チップ用基板、半導体装置の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1998
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