JP3372874B2 - パターン形成材料及びパターン形成方法 - Google Patents
パターン形成材料及びパターン形成方法Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の製造工程において、半導体基板上にレジストパター
ンを形成するパターン形成材料及びパターン形成方法に
関し、特に、化学増幅型レジストからなるレジスト膜
に、ＶＵＶ（真空紫外線）等の１６０ｎｍ以下の波長を
有する露光光を照射して微細なレジストパターンを形成
するパターン形成材料及びパターン形成方法に関する。
置の製造工程において、半導体基板上にレジストパター
ンを形成するパターン形成材料及びパターン形成方法に
関し、特に、化学増幅型レジストからなるレジスト膜
に、ＶＵＶ（真空紫外線）等の１６０ｎｍ以下の波長を
有する露光光を照射して微細なレジストパターンを形成
するパターン形成材料及びパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に堆積された化学増幅型レ
ジストからなるレジスト膜に短い波長の露光光を照射し
て微細なレジストパターンを形成するパターン形成方法
としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）
又はＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）等の露
光光を用いるパターン形成方法が知られており、ＫｒＦ
エキシマレーザを用いる場合のレジスト材料としてはフ
ェノール系の樹脂を用いるものが知られ、ＡｒＦエキシ
マレーザを用いる場合のレジスト材料としてはアクリル
酸系の樹脂を用いるものが検討されている。
ジストからなるレジスト膜に短い波長の露光光を照射し
て微細なレジストパターンを形成するパターン形成方法
としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）
又はＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）等の露
光光を用いるパターン形成方法が知られており、ＫｒＦ
エキシマレーザを用いる場合のレジスト材料としてはフ
ェノール系の樹脂を用いるものが知られ、ＡｒＦエキシ
マレーザを用いる場合のレジスト材料としてはアクリル
酸系の樹脂を用いるものが検討されている。
【０００３】ところが、０．１μｍ以下のパターン幅を
有する微細なレジストパターンを形成するためには、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ及びＡｒＦエキシマレーザよりもさ
らに短い波長を有する露光光、例えばＦ2 エキシマレー
ザ（波長：１５７ｎｍ）及びＫｒ2 エキシマレーザ（波
長：１４７ｎｍ）等のように１６０ｎｍ以下の波長を有
する真空紫外線等の露光光を用いることが好ましい。
有する微細なレジストパターンを形成するためには、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ及びＡｒＦエキシマレーザよりもさ
らに短い波長を有する露光光、例えばＦ2 エキシマレー
ザ（波長：１５７ｎｍ）及びＫｒ2 エキシマレーザ（波
長：１４７ｎｍ）等のように１６０ｎｍ以下の波長を有
する真空紫外線等の露光光を用いることが好ましい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フェノ
ール系の樹脂又はアクリル酸系の樹脂を含む化学増幅型
レジストは、１６０ｎｍ以下の波長を有する露光光に対
する吸収性が高いので、１６０ｎｍ以下の波長を有する
露光光をパターン露光に用いるパターン形成方法には使
用することが困難である。
ール系の樹脂又はアクリル酸系の樹脂を含む化学増幅型
レジストは、１６０ｎｍ以下の波長を有する露光光に対
する吸収性が高いので、１６０ｎｍ以下の波長を有する
露光光をパターン露光に用いるパターン形成方法には使
用することが困難である。
【０００５】前記に鑑み、本発明は、１６０ｎｍ以下の
波長を有する露光光を照射してパターン露光を行なうこ
とができるパターン形成材料及びパターン形成方法を提
供することを目的とする。
波長を有する露光光を照射してパターン露光を行なうこ
とができるパターン形成材料及びパターン形成方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本件発明者は、フェノール系の樹脂又はアクリル酸
系の樹脂を含む化学増幅型レジストが１６０ｎｍ以下の
波長を有する露光光の吸収性が高い理由について検討を
加えた結果、フェノール系の樹脂又はアクリル酸系の樹
脂はＣ＝Ｃ又はＣ＝Ｏのような原子の二重結合を有して
いるためであることを見出した。
め、本件発明者は、フェノール系の樹脂又はアクリル酸
系の樹脂を含む化学増幅型レジストが１６０ｎｍ以下の
波長を有する露光光の吸収性が高い理由について検討を
加えた結果、フェノール系の樹脂又はアクリル酸系の樹
脂はＣ＝Ｃ又はＣ＝Ｏのような原子の二重結合を有して
いるためであることを見出した。
【０００７】本発明は、前記の知見に基づいてなされた
ものであって、Ｃ＝Ｃ又はＣ＝Ｏのような原子の二重結
合を全く又は殆ど含まない樹脂をベース樹脂とする化学
増幅型レジストをパターン形成材料として用いるもので
ある。
ものであって、Ｃ＝Ｃ又はＣ＝Ｏのような原子の二重結
合を全く又は殆ど含まない樹脂をベース樹脂とする化学
増幅型レジストをパターン形成材料として用いるもので
ある。
【０００８】原子の二重結合を含まない第１の樹脂とし
ては、［化７］の一般式に示すものの誘導体が挙げられ
る。
ては、［化７］の一般式に示すものの誘導体が挙げられ
る。
【０００９】
【化７】
【００１０】［化７］に示す一般式において、一点鎖線
Ａで囲む部分及び一点鎖線Ｂで囲む部分は、少なくとも
１つ存在すればよい。つまり、一点鎖線Ａで囲む部分の
みを有する場合、一点鎖線Ｂで囲む部分のみを有する場
合、及び一点鎖線Ａで囲む部分及び一点鎖線Ｂで囲む部
分の両方を有する場合のいずれであってもよい。
Ａで囲む部分及び一点鎖線Ｂで囲む部分は、少なくとも
１つ存在すればよい。つまり、一点鎖線Ａで囲む部分の
みを有する場合、一点鎖線Ｂで囲む部分のみを有する場
合、及び一点鎖線Ａで囲む部分及び一点鎖線Ｂで囲む部
分の両方を有する場合のいずれであってもよい。
【００１１】また、［化７］に示す一般式において、Ｘ
は含まれていてもよいし、含まれていなくてもよい。Ｘ
が含まれる場合には、ＸはＮ又はＣのいずれかである。
Ｙ1及びＹ2 は、同種又は異種であって、少なくとも１
つは親水性基（−ＯＨ又は−ＮＨ2 ）であり、親水性基
でないときはＨである。Ｚ1 及びＺ2 は、同種又は異種
であって、−ＯＨ基、−ＣＨ3 基又はＨである。ｎは１
以上の整数であり、ｐ及びｑは０、１、２又は３であ
る。
は含まれていてもよいし、含まれていなくてもよい。Ｘ
が含まれる場合には、ＸはＮ又はＣのいずれかである。
Ｙ1及びＹ2 は、同種又は異種であって、少なくとも１
つは親水性基（−ＯＨ又は−ＮＨ2 ）であり、親水性基
でないときはＨである。Ｚ1 及びＺ2 は、同種又は異種
であって、−ＯＨ基、−ＣＨ3 基又はＨである。ｎは１
以上の整数であり、ｐ及びｑは０、１、２又は３であ
る。
【００１２】［化７］の一般式で挙げられる第１の樹脂
としては、ポリビニルアルコール、ビニルアミンポリマ
ー又はポリ（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジン）が挙げ
られる。ポリビニルアルコールは、［化７］の一般式に
おいて、Ｘが含まれていない場合であって、ｐが０であ
り且つＹ1 が−ＯＨであり、従ってＡが−ＯＨの場合で
ある。ビニルアミンポリマーは、Ｘが含まれていない場
合であって、ｐが０であり且つＹ1 が−ＮＨ2 であり、
従って、Ａが−ＮＨ2 の場合である。ポリ（Ｎ−ヒドロ
キシエチルアジリジン）は、ＸがＮの場合であって、ｐ
が０であり且つＹ1 が−Ｈであり、従ってＡが−Ｈの場
合であり、ｑが２であり且つＹ2 が−ＯＨの場合であ
る。
としては、ポリビニルアルコール、ビニルアミンポリマ
ー又はポリ（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジン）が挙げ
られる。ポリビニルアルコールは、［化７］の一般式に
おいて、Ｘが含まれていない場合であって、ｐが０であ
り且つＹ1 が−ＯＨであり、従ってＡが−ＯＨの場合で
ある。ビニルアミンポリマーは、Ｘが含まれていない場
合であって、ｐが０であり且つＹ1 が−ＮＨ2 であり、
従って、Ａが−ＮＨ2 の場合である。ポリ（Ｎ−ヒドロ
キシエチルアジリジン）は、ＸがＮの場合であって、ｐ
が０であり且つＹ1 が−Ｈであり、従ってＡが−Ｈの場
合であり、ｑが２であり且つＹ2 が−ＯＨの場合であ
る。
【００１３】原子の二重結合を含まない第２の樹脂とし
ては、［化８］の一般式に示すものの誘導体が挙げられ
る。
ては、［化８］の一般式に示すものの誘導体が挙げられ
る。
【００１４】
【化８】
【００１５】［化８］に示す一般式において、Ｙ1 及び
Ｙ2 のうちの少なくとも１つは−ＯＨ又は−ＮＨ2 であ
り、Ｙ1 及びＹ2 は−ＯＨ又は−ＮＨ2 でないときには
Ｈ又はアルキル基であり、ｎ及びｍはそれぞれ１以上の
整数である。［化８］の一般式で挙げられる第２の樹脂
としては、ポリヒドロキシシクロヘキセンが挙げられ
る。
Ｙ2 のうちの少なくとも１つは−ＯＨ又は−ＮＨ2 であ
り、Ｙ1 及びＹ2 は−ＯＨ又は−ＮＨ2 でないときには
Ｈ又はアルキル基であり、ｎ及びｍはそれぞれ１以上の
整数である。［化８］の一般式で挙げられる第２の樹脂
としては、ポリヒドロキシシクロヘキセンが挙げられ
る。
【００１６】［化８］に示す一般式において、ｍが４の
場合の一般式は［化９］に示すとおりである。
場合の一般式は［化９］に示すとおりである。
【００１７】
【化９】
【００１８】［化９］に示す一般式において、Ｙ1 、Ｙ
2 、Ｙ3 及びＹ4 のうち１つ又は２つは−ＯＨ又は−Ｎ
Ｈ2 である。
2 、Ｙ3 及びＹ4 のうち１つ又は２つは−ＯＨ又は−Ｎ
Ｈ2 である。
【００１９】尚、［化７］、［化８］又は［化９］に示
す樹脂の誘導体としては、ＯＨ又はＮＨ2 の一部又は全
部を、鎖状若しくは環状のアルキル基又は鎖状若しくは
環状のアルコキシアルキル基で置換したものが挙げられ
る。
す樹脂の誘導体としては、ＯＨ又はＮＨ2 の一部又は全
部を、鎖状若しくは環状のアルキル基又は鎖状若しくは
環状のアルコキシアルキル基で置換したものが挙げられ
る。
【００２０】具体的には、本発明に係るパターン形成材
料は、ポリビニルアルコールの誘導体、ビニルアミンポ
リマーの誘導体、ポリ（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジ
ン）の誘導体、ポリヒドロキシシクロヘキセンの誘導
体、又はこれらの誘導体の共重合体を含む樹脂と、露光
光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを含む化学増
幅型レジストからなる。
料は、ポリビニルアルコールの誘導体、ビニルアミンポ
リマーの誘導体、ポリ（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジ
ン）の誘導体、ポリヒドロキシシクロヘキセンの誘導
体、又はこれらの誘導体の共重合体を含む樹脂と、露光
光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを含む化学増
幅型レジストからなる。
【００２１】本発明に係るパターン形成方法は、基板上
に、ポリビニルアルコールの誘導体、ビニルアミンポリ
マーの誘導体、ポリ（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジ
ン）の誘導体、ポリヒドロキシシクロヘキセンの誘導
体、又はこれらの誘導体の共重合体を含む樹脂と、露光
光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを含む化学増
幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜に対して１６０ｎｍ以下の波長を有する露光
光を照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露
光されたレジスト膜を現像して、０．１μｍ以下のパタ
ーン幅を有するレジストパターンを形成する工程とを備
えている。
に、ポリビニルアルコールの誘導体、ビニルアミンポリ
マーの誘導体、ポリ（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジ
ン）の誘導体、ポリヒドロキシシクロヘキセンの誘導
体、又はこれらの誘導体の共重合体を含む樹脂と、露光
光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを含む化学増
幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜に対して１６０ｎｍ以下の波長を有する露光
光を照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露
光されたレジスト膜を現像して、０．１μｍ以下のパタ
ーン幅を有するレジストパターンを形成する工程とを備
えている。
【００２２】本発明に係るパターン形成材料及びパター
ン形成方法において、ポリビニルアルコールの誘導体、
ビニルアミンポリマーの誘導体、ポリ（Ｎ−ヒドロキシ
エチルアジリジン）の誘導体、ポリヒドロキシシクロヘ
キセンの誘導体、又はこれらの誘導体の共重合体を含む
樹脂としては、前記の誘導体のいずれか、前記の誘導体
の共重合体若しくは混合物、又は、前記の誘導体と、ポ
リビニルフェノール、ポリメタクリル酸、ポリアクリル
酸若しくはこれらの誘導体との共重合体を含む。
ン形成方法において、ポリビニルアルコールの誘導体、
ビニルアミンポリマーの誘導体、ポリ（Ｎ−ヒドロキシ
エチルアジリジン）の誘導体、ポリヒドロキシシクロヘ
キセンの誘導体、又はこれらの誘導体の共重合体を含む
樹脂としては、前記の誘導体のいずれか、前記の誘導体
の共重合体若しくは混合物、又は、前記の誘導体と、ポ
リビニルフェノール、ポリメタクリル酸、ポリアクリル
酸若しくはこれらの誘導体との共重合体を含む。
【００２３】また、酸発生剤としては、スルホニウム
塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩類、スルホン酸エス
テル類又はジアゾジスルホニルメタン類等が挙げられ
る。
塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩類、スルホン酸エス
テル類又はジアゾジスルホニルメタン類等が挙げられ
る。
【００２４】また、パターン形成材料としては、前記の
樹脂を溶解することができる溶媒、又は、必要に応じて
アミン類等の塩基性化合物若しくは界面活性剤等の添加
剤を含んでいてもよい。
樹脂を溶解することができる溶媒、又は、必要に応じて
アミン類等の塩基性化合物若しくは界面活性剤等の添加
剤を含んでいてもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】（第１の参考例）
以下、本発明の第１の参考例に係るパターン形成方法に
ついて、図１（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
ついて、図１（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【００２６】第１の参考例に係るパターン形成方法は、
ベース樹脂としてポリビニルアルコールの誘導体を含む
以下の組成を有するパターン形成材料を用いる。
ベース樹脂としてポリビニルアルコールの誘導体を含む
以下の組成を有するパターン形成材料を用いる。
【００２７】
樹脂…………ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシブタン−ヒドロキシビニ
ルオキシノルボルネン） １ｇ
酸発生剤……トリフェニルスルホニウムトリフラート ０．０１ｇ
溶媒…………プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート ４ｇ
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１の上に前
記の組成を有する化学増幅型レジストを塗布して、例え
ば０．３μｍの膜厚を有するレジスト膜１１を形成した
後、図１（ｂ）に示すように、レジスト膜１１に対して
マスク２を介して、Ｆ2 エキシマレーザ（波長：１５７
ｎｍ）３を照射してパターン露光を行なう。
記の組成を有する化学増幅型レジストを塗布して、例え
ば０．３μｍの膜厚を有するレジスト膜１１を形成した
後、図１（ｂ）に示すように、レジスト膜１１に対して
マスク２を介して、Ｆ2 エキシマレーザ（波長：１５７
ｎｍ）３を照射してパターン露光を行なう。
【００２８】次に、図１（ｃ）に示すように、半導体基
板１に対して、ホットプレートにより加熱４を行なう
と、レジスト膜１１の露光部１１ａにおいては、酸発生
剤から発生した酸が存在するため、［化１０］に示す反
応が起きてアルカリ不溶性からアルカリ可溶性に変化す
るが、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいては、酸
発生剤から酸が発生していないため、［化１０］に示す
反応が起こらないのでアルカリ不溶性のままである。
板１に対して、ホットプレートにより加熱４を行なう
と、レジスト膜１１の露光部１１ａにおいては、酸発生
剤から発生した酸が存在するため、［化１０］に示す反
応が起きてアルカリ不溶性からアルカリ可溶性に変化す
るが、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいては、酸
発生剤から酸が発生していないため、［化１０］に示す
反応が起こらないのでアルカリ不溶性のままである。
【００２９】
【化１０】
【００３０】次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性
の現像液を用いて現像すると、レジスト膜１１の露光部
１１ａが現像液に溶解するので、図１（ｄ）に示すよう
に、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなり、０．１
μｍの微細なパターン幅を有するレジストパターン１１
Ａが得られる。
の現像液を用いて現像すると、レジスト膜１１の露光部
１１ａが現像液に溶解するので、図１（ｄ）に示すよう
に、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなり、０．１
μｍの微細なパターン幅を有するレジストパターン１１
Ａが得られる。
【００３１】ところで、第１の参考例に係るパターン形
成方法は、ベース樹脂としてポリビニルアルコール誘導
体を含むパターン形成材料を用いており、ベース樹脂
が、１６０ｎｍ以下の波長の光を吸収しやすいＣ＝Ｏ及
びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していないので、
１６０ｎｍ以下の波長の露光光に対する透過性に優れて
いる。
成方法は、ベース樹脂としてポリビニルアルコール誘導
体を含むパターン形成材料を用いており、ベース樹脂
が、１６０ｎｍ以下の波長の光を吸収しやすいＣ＝Ｏ及
びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していないので、
１６０ｎｍ以下の波長の露光光に対する透過性に優れて
いる。
【００３２】従って、露光光として１６０ｎｍ以下の波
長の真空紫外線を用いても、露光光がレジスト膜１１の
露光部１１ａの底部にまで到達するため、レジスト膜１
１の露光部１１ａにおいて表面部から底部に架けて確実
に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパターン形状
を有するレジストパターンを形成することができる。
長の真空紫外線を用いても、露光光がレジスト膜１１の
露光部１１ａの底部にまで到達するため、レジスト膜１
１の露光部１１ａにおいて表面部から底部に架けて確実
に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパターン形状
を有するレジストパターンを形成することができる。
【００３３】また、第１の参考例においては、ベース樹
脂が多環式アルキル基を含んでいるので、ドライエッチ
ングに対する耐性が優れている。
脂が多環式アルキル基を含んでいるので、ドライエッチ
ングに対する耐性が優れている。
【００３４】尚、第１の参考例においては、露光光とし
て、Ｆ2 エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）を用いた
が、これに代えて、Ｋｒ2 エキシマレーザ（波長：１４
７ｎｍ）を用いても同様の効果が得られる。
て、Ｆ2 エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）を用いた
が、これに代えて、Ｋｒ2 エキシマレーザ（波長：１４
７ｎｍ）を用いても同様の効果が得られる。
【００３５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
【００３６】第２の実施形態は、ベース樹脂として、ポ
リ（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジン）の誘導体、例え
ば、ポリ（ヒドロキシエチルアジリジン−ｔ−ブトキシ
エチルアジリジン）を用いるものであって、第１の参考
例と比べてベース樹脂が異なるのみである。［化１１］
は、ポリ（ヒドロキシエチルアジリジン−ｔ−ブトキシ
エチルアジリジン）が酸発生剤から発生する酸によって
アルカリ可溶性に変化する反応を示している。
リ（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジン）の誘導体、例え
ば、ポリ（ヒドロキシエチルアジリジン−ｔ−ブトキシ
エチルアジリジン）を用いるものであって、第１の参考
例と比べてベース樹脂が異なるのみである。［化１１］
は、ポリ（ヒドロキシエチルアジリジン−ｔ−ブトキシ
エチルアジリジン）が酸発生剤から発生する酸によって
アルカリ可溶性に変化する反応を示している。
【００３７】
【化１１】
【００３８】第２の実施形態によると、ベース樹脂がＣ
＝Ｏ及びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していない
ため、露光光として１６０ｎｍ以下の波長の真空紫外線
を用いても、露光光がレジスト膜の露光部の底部にまで
到達し、レジスト膜の露光部において表面部から底部に
架けて確実に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパ
ターン形状を有するレジストパターンを形成することが
できる。
＝Ｏ及びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していない
ため、露光光として１６０ｎｍ以下の波長の真空紫外線
を用いても、露光光がレジスト膜の露光部の底部にまで
到達し、レジスト膜の露光部において表面部から底部に
架けて確実に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパ
ターン形状を有するレジストパターンを形成することが
できる。
【００３９】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
【００４０】第３の実施形態は、ベース樹脂として、ポ
リヒドロキシシクロヘキセンの誘導体、例えば、ポリ
（ジヒドロキシシクロヘキセン−エトキシエトキシシク
ロヘキセン）を用いるものであって、第１の参考例と比
べてベース樹脂が異なるのみである。［化１２］は、ポ
リ（ジヒドロキシシクロヘキセン−エトキシエトキシシ
クロヘキセン）が酸発生剤から発生する酸によってアル
カリ可溶性に変化する反応を示している。
リヒドロキシシクロヘキセンの誘導体、例えば、ポリ
（ジヒドロキシシクロヘキセン−エトキシエトキシシク
ロヘキセン）を用いるものであって、第１の参考例と比
べてベース樹脂が異なるのみである。［化１２］は、ポ
リ（ジヒドロキシシクロヘキセン−エトキシエトキシシ
クロヘキセン）が酸発生剤から発生する酸によってアル
カリ可溶性に変化する反応を示している。
【００４１】
【化１２】
【００４２】第３の実施形態によると、ベース樹脂がＣ
＝Ｏ及びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していない
ため、露光光として１６０ｎｍ以下の波長の真空紫外線
を用いても、露光光がレジスト膜の露光部の底部にまで
到達し、レジスト膜の露光部において表面部から底部に
架けて確実に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパ
ターン形状を有するレジストパターンを形成することが
できる。
＝Ｏ及びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していない
ため、露光光として１６０ｎｍ以下の波長の真空紫外線
を用いても、露光光がレジスト膜の露光部の底部にまで
到達し、レジスト膜の露光部において表面部から底部に
架けて確実に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパ
ターン形状を有するレジストパターンを形成することが
できる。
【００４３】また、ベース樹脂が主鎖に環状アルキル基
を有しているので、ドライエッチングに対する耐性が優
れている。
を有しているので、ドライエッチングに対する耐性が優
れている。
【００４４】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
【００４５】第４の実施形態は、ベース樹脂として、ポ
リビニルアルコール誘導体とポリヒドロキシシクロヘキ
セン誘導体との共重合体、例えば、ポリ（ヒドロキシシ
クロヘキセン−ビニルオキシエトキシエタン）を用いる
ものであって、第１の参考例と比べてベース樹脂が異な
るのみである。［化１３］は、ポリ（ヒドロキシシクロ
ヘキセン−ビニルオキシエトキシエタン）が酸発生剤か
ら発生する酸によってアルカリ可溶性に変化する反応を
示している。
リビニルアルコール誘導体とポリヒドロキシシクロヘキ
セン誘導体との共重合体、例えば、ポリ（ヒドロキシシ
クロヘキセン−ビニルオキシエトキシエタン）を用いる
ものであって、第１の参考例と比べてベース樹脂が異な
るのみである。［化１３］は、ポリ（ヒドロキシシクロ
ヘキセン−ビニルオキシエトキシエタン）が酸発生剤か
ら発生する酸によってアルカリ可溶性に変化する反応を
示している。
【００４６】
【化１３】
【００４７】第４の実施形態によると、ベース樹脂がＣ
＝Ｏ及びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していない
ため、露光光として１６０ｎｍ以下の波長の真空紫外線
を用いても、露光光がレジスト膜の露光部の底部にまで
到達し、レジスト膜の露光部において表面部から底部に
架けて確実に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパ
ターン形状を有するレジストパターンを形成することが
できる。
＝Ｏ及びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していない
ため、露光光として１６０ｎｍ以下の波長の真空紫外線
を用いても、露光光がレジスト膜の露光部の底部にまで
到達し、レジスト膜の露光部において表面部から底部に
架けて確実に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパ
ターン形状を有するレジストパターンを形成することが
できる。
【００４８】また、ベース樹脂が主鎖に環状アルキル基
を有しているので、ドライエッチングに対する耐性が優
れている。
を有しているので、ドライエッチングに対する耐性が優
れている。
【００４９】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
【００５０】第５の実施形態は、ベース樹脂として、ポ
リビニルアルコール誘導体とビニルアミンポリマー誘導
体との共重合体、例えば、ポリ（ビニルアミン−ビニル
オキシブタン−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン）
を用いるものであって、第１の参考例と比べてベース樹
脂が異なるのみである。［化１４］は、ポリ（ビニルア
ミン−ビニルオキシブタン−ヒドロキシビニルオキシノ
ルボルネン）が酸発生剤から発生する酸によってアルカ
リ可溶性に変化する反応を示している。
リビニルアルコール誘導体とビニルアミンポリマー誘導
体との共重合体、例えば、ポリ（ビニルアミン−ビニル
オキシブタン−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン）
を用いるものであって、第１の参考例と比べてベース樹
脂が異なるのみである。［化１４］は、ポリ（ビニルア
ミン−ビニルオキシブタン−ヒドロキシビニルオキシノ
ルボルネン）が酸発生剤から発生する酸によってアルカ
リ可溶性に変化する反応を示している。
【００５１】
【化１４】
【００５２】第５の実施形態によると、ベース樹脂がＣ
＝Ｏ及びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していない
ため、露光光として１６０ｎｍ以下の波長の真空紫外線
を用いても、露光光がレジスト膜の露光部の底部にまで
到達し、レジスト膜の露光部において表面部から底部に
架けて確実に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパ
ターン形状を有するレジストパターンを形成することが
できる。
＝Ｏ及びＣ＝Ｃのような原子の二重結合を有していない
ため、露光光として１６０ｎｍ以下の波長の真空紫外線
を用いても、露光光がレジスト膜の露光部の底部にまで
到達し、レジスト膜の露光部において表面部から底部に
架けて確実に酸発生剤から酸が発生するので、良好なパ
ターン形状を有するレジストパターンを形成することが
できる。
【００５３】また、ベース樹脂が多環式アルキル基を有
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
【００５４】（第６の参考例）
以下、本発明の第６の参考例に係るパターン形成方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００５５】第６の参考例は、ベース樹脂として、ポリ
ビニルアルコール誘導体とポリメタクリル酸誘導体との
共重合体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオ
キシブタン−ヒドロキシビニルオキシビシクロオクタン
−メタクリル酸ブチル）を用いるものであって、第１の
参考例と比べてベース樹脂が異なるのみである。［化１
５］は、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシブタン
−ヒドロキシビニルオキシビシクロオクタン−メタクリ
ル酸ブチル）が酸発生剤から発生する酸によってアルカ
リ可溶性に変化する反応を示している。
ビニルアルコール誘導体とポリメタクリル酸誘導体との
共重合体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオ
キシブタン−ヒドロキシビニルオキシビシクロオクタン
−メタクリル酸ブチル）を用いるものであって、第１の
参考例と比べてベース樹脂が異なるのみである。［化１
５］は、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシブタン
−ヒドロキシビニルオキシビシクロオクタン−メタクリ
ル酸ブチル）が酸発生剤から発生する酸によってアルカ
リ可溶性に変化する反応を示している。
【００５６】
【化１５】
【００５７】第６の参考例においては、ベース樹脂がカ
ルボニル基を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の露光
光に対して若干の吸収性を有しているが、カルボニル基
を含むモノマーユニットの比率がポリマー全体の１０％
程度であって低いので、レジスト膜の透明性に及ぼす影
響は小さい。第６の参考例においては、レジスト膜の膜
厚が０．３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に対する
透過率は４０％以上であるから、パターン形成が十分に
可能な透過率である。
ルボニル基を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の露光
光に対して若干の吸収性を有しているが、カルボニル基
を含むモノマーユニットの比率がポリマー全体の１０％
程度であって低いので、レジスト膜の透明性に及ぼす影
響は小さい。第６の参考例においては、レジスト膜の膜
厚が０．３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に対する
透過率は４０％以上であるから、パターン形成が十分に
可能な透過率である。
【００５８】また、ベース樹脂が多環式アルキル基を有
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
【００５９】さらに、レジスト膜の露光部においては、
ベース樹脂が酸によって分解してカルボキシル基を発生
し、カルボキシル基はアルカリ性現像液に対する溶解性
に優れているため、レジスト膜の露光部と未露光部との
間の現像液に対する溶解速度コントラストが大きくなる
ので、より微細なレジストパターンを形成することがで
きる。
ベース樹脂が酸によって分解してカルボキシル基を発生
し、カルボキシル基はアルカリ性現像液に対する溶解性
に優れているため、レジスト膜の露光部と未露光部との
間の現像液に対する溶解速度コントラストが大きくなる
ので、より微細なレジストパターンを形成することがで
きる。
【００６０】（第７の参考例）
以下、本発明の第７の参考例に係るパターン形成方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００６１】第７の参考例は、ベース樹脂として、ポリ
ビニルアルコール誘導体とポリアクリル誘導体との共重
合体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシ
ブタン−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン−アクリ
ル酸ブチル）を用いるものであって、第１の参考例と比
べてベース樹脂が異なるのみである。［化１６］は、ポ
リ（ビニルアルコール−ビニルオキシブタン−ヒドロキ
シビニルオキシノルボルネン−アクリル酸ブチル）が酸
発生剤から発生する酸によってアルカリ可溶性に変化す
る反応を示している。
ビニルアルコール誘導体とポリアクリル誘導体との共重
合体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシ
ブタン−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン−アクリ
ル酸ブチル）を用いるものであって、第１の参考例と比
べてベース樹脂が異なるのみである。［化１６］は、ポ
リ（ビニルアルコール−ビニルオキシブタン−ヒドロキ
シビニルオキシノルボルネン−アクリル酸ブチル）が酸
発生剤から発生する酸によってアルカリ可溶性に変化す
る反応を示している。
【００６２】
【化１６】
【００６３】第７の参考例においては、ベース樹脂がカ
ルボニル基を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の露光
光に対して若干の吸収性を有しているが、カルボニル基
を含むモノマーユニットの比率がポリマー全体の１０％
程度であって低いので、レジスト膜の透明性に及ぼす影
響は小さい。第７の参考例においては、レジスト膜の膜
厚が０．３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に対する
透過率は４０％以上であるから、パターン形成が十分に
可能な透過率である。
ルボニル基を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の露光
光に対して若干の吸収性を有しているが、カルボニル基
を含むモノマーユニットの比率がポリマー全体の１０％
程度であって低いので、レジスト膜の透明性に及ぼす影
響は小さい。第７の参考例においては、レジスト膜の膜
厚が０．３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に対する
透過率は４０％以上であるから、パターン形成が十分に
可能な透過率である。
【００６４】また、ベース樹脂が多環式アルキル基を有
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
【００６５】さらに、レジスト膜の露光部において、ベ
ース樹脂が酸によって分解してカルボキシル基を発生す
るため、レジスト膜の露光部と未露光部との間の現像液
に対する溶解速度コントラストが大きくなるので、より
微細なレジストパターンを形成することができる。
ース樹脂が酸によって分解してカルボキシル基を発生す
るため、レジスト膜の露光部と未露光部との間の現像液
に対する溶解速度コントラストが大きくなるので、より
微細なレジストパターンを形成することができる。
【００６６】（第８の参考例）
以下、本発明の第８の参考例に係るパターン形成方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００６７】第８の参考例は、ベース樹脂として、ポリ
ビニルアルコール誘導体とポリビニルフェノール誘導体
との共重合体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニ
ルオキシブタン−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン
−ブトキシスチレン）を用いるものであって、第１の参
考例と比べてベース樹脂が異なるのみである。［化１
７］は、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシブタン
−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン−ブトキシスチ
レン）が酸発生剤から発生する酸によってアルカリ可溶
性に変化する反応を示している。
ビニルアルコール誘導体とポリビニルフェノール誘導体
との共重合体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニ
ルオキシブタン−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン
−ブトキシスチレン）を用いるものであって、第１の参
考例と比べてベース樹脂が異なるのみである。［化１
７］は、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシブタン
−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン−ブトキシスチ
レン）が酸発生剤から発生する酸によってアルカリ可溶
性に変化する反応を示している。
【００６８】
【化１７】
【００６９】第８の参考例においては、ベース樹脂が芳
香族環を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の露光光に
対して若干の吸収性を有しているが、芳香族環を含むモ
ノマーユニットの比率がポリマー全体の１５％程度であ
って低いので、レジスト膜の透明性に及ぼす影響は小さ
い。第８の参考例においては、レジスト膜の膜厚が０．
３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に対する透過率は
４０％以上であるから、パターン形成が十分に可能な透
過率である。
香族環を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の露光光に
対して若干の吸収性を有しているが、芳香族環を含むモ
ノマーユニットの比率がポリマー全体の１５％程度であ
って低いので、レジスト膜の透明性に及ぼす影響は小さ
い。第８の参考例においては、レジスト膜の膜厚が０．
３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に対する透過率は
４０％以上であるから、パターン形成が十分に可能な透
過率である。
【００７０】また、ベース樹脂が多環式アルキル基を有
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
【００７１】さらに、レジスト膜の露光部においては、
ベース樹脂が酸によって分解してフェノールを発生し、
発生したフェノールはアルカリ性現像液に対する溶解性
に優れているため、レジスト膜の露光部と未露光部との
間の現像液に対する溶解速度コントラストが大きくなる
ので、より微細なレジストパターンを形成することがで
きると共に、芳香族環がドライエッチング耐性を高める
ので、より高いドライエッチング耐性を得ることができ
る。
ベース樹脂が酸によって分解してフェノールを発生し、
発生したフェノールはアルカリ性現像液に対する溶解性
に優れているため、レジスト膜の露光部と未露光部との
間の現像液に対する溶解速度コントラストが大きくなる
ので、より微細なレジストパターンを形成することがで
きると共に、芳香族環がドライエッチング耐性を高める
ので、より高いドライエッチング耐性を得ることができ
る。
【００７２】（第９の参考例）
以下、本発明の第９の参考例に係るパターン形成方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００７３】第９の参考例は、ベース樹脂として、ポリ
ビニルアルコール誘導体とポリメタクリルとの共重合
体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシブ
タン−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン−メタクリ
ル酸）を用いるものであって、第１の参考例と比べてベ
ース樹脂が異なるのみである。［化１８］は、ポリ（ビ
ニルアルコール−ビニルオキシブタン−ヒドロキシビニ
ルオキシノルボルネン−メタクリル酸）が酸発生剤から
発生する酸によってアルカリ可溶性に変化する反応を示
している。
ビニルアルコール誘導体とポリメタクリルとの共重合
体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシブ
タン−ヒドロキシビニルオキシノルボルネン−メタクリ
ル酸）を用いるものであって、第１の参考例と比べてベ
ース樹脂が異なるのみである。［化１８］は、ポリ（ビ
ニルアルコール−ビニルオキシブタン−ヒドロキシビニ
ルオキシノルボルネン−メタクリル酸）が酸発生剤から
発生する酸によってアルカリ可溶性に変化する反応を示
している。
【００７４】
【化１８】
【００７５】第９の参考例においては、ベース樹脂がカ
ルボキシル基を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の露
光光に対して若干の吸収性を有しているが、カルボキシ
ル基を含むモノマーユニットの比率がポリマー全体の５
％程度であって低いので、レジスト膜の透明性に及ぼす
影響は小さい。第９の参考例においては、レジスト膜の
膜厚が０．３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に対す
る透過率は４０％以上であるから、パターン形成が十分
に可能な透過率である。
ルボキシル基を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の露
光光に対して若干の吸収性を有しているが、カルボキシ
ル基を含むモノマーユニットの比率がポリマー全体の５
％程度であって低いので、レジスト膜の透明性に及ぼす
影響は小さい。第９の参考例においては、レジスト膜の
膜厚が０．３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に対す
る透過率は４０％以上であるから、パターン形成が十分
に可能な透過率である。
【００７６】また、ベース樹脂が多環式アルキル基を有
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
【００７７】さらに、ベース樹脂がカルボキシル基を含
むため、現像液に溶解しやすく、表面難溶化層のない良
好なレジストパターンを形成することができる。
むため、現像液に溶解しやすく、表面難溶化層のない良
好なレジストパターンを形成することができる。
【００７８】（第１０の参考例）
以下、本発明の第１０の参考例に係るパターン形成方法
について説明する。
について説明する。
【００７９】第１０の参考例は、ベース樹脂として、ポ
リビニルアルコール誘導体とポリアクリル酸との共重合
体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシテ
トラヒドロピラン−ビニルオキシビシクロオクタン−ア
クリル酸）を用いるものであって、第１の参考例と比べ
てベース樹脂が異なるのみである。［化１９］は、ポリ
（ビニルアルコール−ビニルオキシテトラヒドロピラン
−ビニルオキシビシクロオクタン−アクリル酸）が酸発
生剤から発生する酸によってアルカリ可溶性に変化する
反応を示している。
リビニルアルコール誘導体とポリアクリル酸との共重合
体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオキシテ
トラヒドロピラン−ビニルオキシビシクロオクタン−ア
クリル酸）を用いるものであって、第１の参考例と比べ
てベース樹脂が異なるのみである。［化１９］は、ポリ
（ビニルアルコール−ビニルオキシテトラヒドロピラン
−ビニルオキシビシクロオクタン−アクリル酸）が酸発
生剤から発生する酸によってアルカリ可溶性に変化する
反応を示している。
【００８０】
【化１９】
【００８１】第１０の参考例においては、ベース樹脂が
カルボキシル基を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の
露光光に対して若干の吸収性を有しているが、カルボキ
シル基を含むモノマーユニットの比率がポリマー全体の
５％程度であって低いので、レジスト膜の透明性に及ぼ
す影響は小さい。第１０の参考例においては、レジスト
膜の膜厚が０．３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に
対する透過率は４０％以上であるから、パターン形成が
十分に可能な透過率である。
カルボキシル基を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の
露光光に対して若干の吸収性を有しているが、カルボキ
シル基を含むモノマーユニットの比率がポリマー全体の
５％程度であって低いので、レジスト膜の透明性に及ぼ
す影響は小さい。第１０の参考例においては、レジスト
膜の膜厚が０．３μｍのときに、波長１５７ｎｍの光に
対する透過率は４０％以上であるから、パターン形成が
十分に可能な透過率である。
【００８２】また、ベース樹脂が多環式アルキル基を有
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
【００８３】さらに、ベース樹脂がカルボキシル基を含
むため、現像液に溶解しやすく、表面難溶化層のない良
好なレジストパターンを形成することができる。
むため、現像液に溶解しやすく、表面難溶化層のない良
好なレジストパターンを形成することができる。
【００８４】（第１１の参考例）
以下、本発明の第１１の参考例に係るパターン形成方法
について説明する。
について説明する。
【００８５】第１１の参考例は、ベース樹脂として、ポ
リビニルアルコール誘導体とポリビニルフェノールとの
共重合体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオ
キシエトキシエタン−ヒドロキシビニルオキシビシクロ
オクタン−ヒドロキシスチレン）を用いるものであっ
て、第１の参考例と比べてベース樹脂が異なるのみであ
る。［化２０］は、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオ
キシエトキシエタン−ヒドロキシビニルオキシビシクロ
オクタン−ヒドロキシスチレン）が酸発生剤から発生す
る酸によってアルカリ可溶性に変化する反応を示してい
る。
リビニルアルコール誘導体とポリビニルフェノールとの
共重合体、例えば、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオ
キシエトキシエタン−ヒドロキシビニルオキシビシクロ
オクタン−ヒドロキシスチレン）を用いるものであっ
て、第１の参考例と比べてベース樹脂が異なるのみであ
る。［化２０］は、ポリ（ビニルアルコール−ビニルオ
キシエトキシエタン−ヒドロキシビニルオキシビシクロ
オクタン−ヒドロキシスチレン）が酸発生剤から発生す
る酸によってアルカリ可溶性に変化する反応を示してい
る。
【００８６】
【化２０】
【００８７】第１１の参考例によると、ベース樹脂が芳
香族環を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の光に対し
て若干の吸収性を有しているが、芳香族環を含むモノマ
ーユニットの比率がポリマー全体の５％以下であって低
いので、レジスト膜の透明性に及ぼす影響は小さい。
香族環を有するため、１６０ｎｍ以下の波長の光に対し
て若干の吸収性を有しているが、芳香族環を含むモノマ
ーユニットの比率がポリマー全体の５％以下であって低
いので、レジスト膜の透明性に及ぼす影響は小さい。
【００８８】また、ベース樹脂が多環式アルキル基を有
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
しているので、ドライエッチングに対する耐性が優れて
いる。
【００８９】さらに、ベース樹脂がフェノール基を含む
ため、現像液に溶解しやすく、表面難溶化層のない良好
なレジストパターンを形成することができる。
ため、現像液に溶解しやすく、表面難溶化層のない良好
なレジストパターンを形成することができる。
【００９０】
【発明の効果】本発明のパターン形成材料又はパターン
形成方法によると、化学増幅型レジストのベース樹脂
は、Ｃ＝Ｃ又はＣ＝Ｏのような原子の二重結合を主とし
て含まないでモノマーユニットによって構成されている
ため、１６０ｎｍ以下の波長の露光光に対する透過性に
優れているので、レジスト膜の露光部においては、露光
光が底部にまで到達する。このため、レジスト膜の露光
部において表面部から底部に架けて酸発生剤から酸が確
実に発生するので、良好なパターン形状を有するレジス
トパターンを形成することができる。
形成方法によると、化学増幅型レジストのベース樹脂
は、Ｃ＝Ｃ又はＣ＝Ｏのような原子の二重結合を主とし
て含まないでモノマーユニットによって構成されている
ため、１６０ｎｍ以下の波長の露光光に対する透過性に
優れているので、レジスト膜の露光部においては、露光
光が底部にまで到達する。このため、レジスト膜の露光
部において表面部から底部に架けて酸発生剤から酸が確
実に発生するので、良好なパターン形状を有するレジス
トパターンを形成することができる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の各実施形態及び各参
考例に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
考例に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図であ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−50126（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−182744（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−188716（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−209867（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−333850（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−49568（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−159997（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−204157（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−278265（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−266116（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (4)
- 【請求項１】 ビニルアミンポリマーの誘導体、ポリ
（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジン）の誘導体、ポリヒ
ドロキシシクロヘキセンの誘導体、又はこれらの誘導体
の共重合体を含む樹脂と、１６０ｎｍ以下の波長を有す
る露光光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを含む
化学増幅型レジストからなるパターン形成材料。 - 【請求項２】 前記樹脂は、［化１］又は［化２］で示
される成分と［化３］で示される成分との共重合体であ
ることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成材
料。 【化２】 （但し、［化１］において、Ｘは含まれていてもよいし
含まれていなくてもよく、Ｘが含まれている場合にはＸ
はＮ又はＣであり、Ｙ1 及びＹ2 は同種又は異種であっ
て−ＯＨ、−ＮＨ2 又はＨであり、Ｚ1 及びＺ2 は同種
又は異種であって−ＯＨ、−ＣＨ3 又はＨであり、ｎは
１以上の整数であり、ｐ及びｑは０、１、２又は３であ
る。） 【化２】 （但し、［化２］において、Ｙ1 及びＹ2 のうちの少な
くとも１つは−ＯＨ又は−ＮＨ2 であり、Ｙ1 及びＹ2
は−ＯＨ又は−ＮＨ2 でないときにはＨ又はアルキル基
であり、ｎ及びｍはそれぞれ１以上の整数である。） 【化３】 （但し、［化３］において、Ｒ1 は、鎖状若しくは環状
のアルキル基、鎖状若しくは環状のアルコキシアルキル
基又は水素であり、Ｒ2 はメチル基又は水素である。） - 【請求項３】 基板上に、ビニルアミンポリマーの誘導
体、ポリ（Ｎ−ヒドロキシエチルアジリジン）の誘導
体、ポリヒドロキシシクロヘキセンの誘導体、又はこれ
らの誘導体の共重合体を含む樹脂と、露光光が照射され
ると酸を発生する酸発生剤とを含む化学増幅型レジスト
を塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト
膜に対して、１６０ｎｍ以下の波長を有する露光光を照
射してパターン露光を行なう工程と、 パターン露光された前記レジスト膜を現像して、０．１
μｍ以下のパターン幅を有するレジストパターンを形成
する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成
方法。 - 【請求項４】 前記樹脂は、［化４］又は［化５］で示
される成分と［化６］で示される成分との共重合体であ
ることを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方
法。 【化４】 （但し、［化４］において、Ｘは含まれていてもよいし
含まれていなくてもよく、Ｘが含まれている場合にはＸ
はＮ又はＣであり、Ｙ1 及びＹ2 は同種又は異種であっ
て−ＯＨ、−ＮＨ2 又はＨであり、Ｚ1 及びＺ2 は同種
又は異種であって−ＯＨ、−ＣＨ3 又はＨであり、ｎは
１以上の整数であり、ｐ及びｑは０、１、２又は３であ
る。） 【化５】 （但し、［化５］において、Ｙ1 及びＹ2 のうちの少な
くとも１つは−ＯＨ又は−ＮＨ2 であり、Ｙ1 及びＹ2
は−ＯＨ又は−ＮＨ2 でないときにはＨ又はアルキル基
であり、ｎ及びｍはそれぞれ１以上の整数である。） 【化６】 （但し、［化６］において、Ｒ1 は、鎖状若しくは環状
のアルキル基、鎖状若しくは環状のアルコキシアルキル
基又は水素であり、Ｒ2 はメチル基又は水素である。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25659098A JP3372874B2 (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
| US09/392,583 US6168909B1 (en) | 1998-09-10 | 1999-09-09 | Material and method for forming pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25659098A JP3372874B2 (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000089465A JP2000089465A (ja) | 2000-03-31 |
| JP3372874B2 true JP3372874B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=17294752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25659098A Expired - Fee Related JP3372874B2 (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6168909B1 (ja) |
| JP (1) | JP3372874B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6673523B2 (en) * | 1999-03-09 | 2004-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
| JP2001183833A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | レジスト組成物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5506088A (en) * | 1991-09-17 | 1996-04-09 | Fujitsu Limited | Chemically amplified resist composition and process for forming resist pattern using same |
| JP3011110B2 (ja) | 1996-10-11 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | レジスト材料 |
-
1998
- 1998-09-10 JP JP25659098A patent/JP3372874B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-09 US US09/392,583 patent/US6168909B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000089465A (ja) | 2000-03-31 |
| US6168909B1 (en) | 2001-01-02 |
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|---|---|---|---|
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