JP3362440B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JP3362440B2 JP3362440B2 JP10648393A JP10648393A JP3362440B2 JP 3362440 B2 JP3362440 B2 JP 3362440B2 JP 10648393 A JP10648393 A JP 10648393A JP 10648393 A JP10648393 A JP 10648393A JP 3362440 B2 JP3362440 B2 JP 3362440B2
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス素子（以下有機ＥＬ素子）に関するものである。
詳しくは、溶媒可溶な共役系高分子を発光材料として用
い、それと共に電子輸送材料を用いた有機ＥＬ素子に関
する。
センス素子（以下有機ＥＬ素子）に関するものである。
詳しくは、溶媒可溶な共役系高分子を発光材料として用
い、それと共に電子輸送材料を用いた有機ＥＬ素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来から用いられている無機エレクトロ
ルミネッセンス素子（以下無機ＥＬ素子）は発光させる
のに高電圧が必要であった。最近、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇら
は有機蛍光色素を発光層とし、それに電子写真の感光体
等に用いられていた有機電荷輸送化合物を積層した二層
構造を有する有機ＥＬ素子を作製し、発光層のみを有す
るものに比較して低電圧駆動、高効率、高輝度の有機Ｅ
Ｌ素子を実現させた（特開昭５９−１９４３９３号公
報）。有機ＥＬ素子は無機ＥＬ素子に比べ、低電圧駆
動、高輝度に加えて多数の色の発光が容易に得られると
いう特長があることから、 素子構造や有機蛍光色素、有
機電荷輸送化合物について多くの試みが報告されている
〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）２７
巻、Ｌ２６９（１９８８年）〕、〔ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．）６５巻、３６１０頁（１９８９年) 〕。これまで
に、発光材料としては低分子量の有機蛍光色素が一般に
用いられており、高分子の発光材料としては、ＷＯ９０
１３１４８号公開明細書、特開平３−１２６７８７号公
報、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．) ５８巻、１９８２頁（１９９１
年）、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・
フィジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）３
０巻、Ｌ１９３８（１９９１年）、同３０巻、Ｌ１９４
１（１９９１年）などで提案されているにすぎなかっ
た。
ルミネッセンス素子（以下無機ＥＬ素子）は発光させる
のに高電圧が必要であった。最近、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇら
は有機蛍光色素を発光層とし、それに電子写真の感光体
等に用いられていた有機電荷輸送化合物を積層した二層
構造を有する有機ＥＬ素子を作製し、発光層のみを有す
るものに比較して低電圧駆動、高効率、高輝度の有機Ｅ
Ｌ素子を実現させた（特開昭５９−１９４３９３号公
報）。有機ＥＬ素子は無機ＥＬ素子に比べ、低電圧駆
動、高輝度に加えて多数の色の発光が容易に得られると
いう特長があることから、 素子構造や有機蛍光色素、有
機電荷輸送化合物について多くの試みが報告されている
〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）２７
巻、Ｌ２６９（１９８８年）〕、〔ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．）６５巻、３６１０頁（１９８９年) 〕。これまで
に、発光材料としては低分子量の有機蛍光色素が一般に
用いられており、高分子の発光材料としては、ＷＯ９０
１３１４８号公開明細書、特開平３−１２６７８７号公
報、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．) ５８巻、１９８２頁（１９９１
年）、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・
フィジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）３
０巻、Ｌ１９３８（１９９１年）、同３０巻、Ｌ１９４
１（１９９１年）などで提案されているにすぎなかっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
で報告されてきた高分子発光材料を用いた有機ＥＬ素子
は駆動電圧が高く、輝度も必ずしも十分とは言い難いも
のであった。高分子発光材料は熱的に安定であり、また
塗布法により容易に均一性に優れた発光層を形成できる
ことから、それらの長所を生かしながら、より駆動電圧
が低く、高輝度である有機ＥＬ素子が要望されている。
で報告されてきた高分子発光材料を用いた有機ＥＬ素子
は駆動電圧が高く、輝度も必ずしも十分とは言い難いも
のであった。高分子発光材料は熱的に安定であり、また
塗布法により容易に均一性に優れた発光層を形成できる
ことから、それらの長所を生かしながら、より駆動電圧
が低く、高輝度である有機ＥＬ素子が要望されている。
【０００４】本発明の目的は塗布法により容易に均一性
に優れた発光層を形成できる高分子発光材料を用いた低
電圧駆動、高輝度の有機ＥＬ素子を提供することにあ
る。
に優れた発光層を形成できる高分子発光材料を用いた低
電圧駆動、高輝度の有機ＥＬ素子を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、高分子発
光材料を発光層として用いた有機ＥＬ素子の低電圧駆
動、高輝度化を鋭意検討してきた。その結果、高分子発
光材料として、溶媒に可溶な共役系高分子を用い、これ
に電子輸送性化合物を添加したものを発光層として用い
るか、または、高分子発光層と陰極との間に高分子発光
層に隣接して電子輸送性化合物の層を形成することによ
り、高分子発光材料を単独で用いた場合に比べて低電圧
駆動化、高輝度化が実現されることを見い出し本発明に
至った。
光材料を発光層として用いた有機ＥＬ素子の低電圧駆
動、高輝度化を鋭意検討してきた。その結果、高分子発
光材料として、溶媒に可溶な共役系高分子を用い、これ
に電子輸送性化合物を添加したものを発光層として用い
るか、または、高分子発光層と陰極との間に高分子発光
層に隣接して電子輸送性化合物の層を形成することによ
り、高分子発光材料を単独で用いた場合に比べて低電圧
駆動化、高輝度化が実現されることを見い出し本発明に
至った。
【０００６】すなわち、本発明は、少なくとも一方が透
明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電
極間に少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、（１）該発光層が下記化３で表
される構造を有し、溶媒可溶な共役系高分子および電子
輸送性化合物を含むこと、あるいは（２）該発光層が下
記化３で表される構造を有し、溶媒可溶な共役系高分子
よりなり、且つ該発光層と陰極の間に該発光層に隣接し
て電子輸送性化合物の層を有することを特徴とする有機
ＥＬ素子を提供することにある。
明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電
極間に少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、（１）該発光層が下記化３で表
される構造を有し、溶媒可溶な共役系高分子および電子
輸送性化合物を含むこと、あるいは（２）該発光層が下
記化３で表される構造を有し、溶媒可溶な共役系高分子
よりなり、且つ該発光層と陰極の間に該発光層に隣接し
て電子輸送性化合物の層を有することを特徴とする有機
ＥＬ素子を提供することにある。
【０００７】
【化３】
（ここでＡｒは、繰り返し単位を示し、芳香族環または
芳香族性複素環に少なくとも１つの炭素数１〜２２のア
ルキル、アルコキシおよびアルキルチオ基ならびに炭素
数６〜２２の芳香族炭化水素基から選ばれた置換基を有
するアリーレン基または芳香族性複素環化合物基であ
り、且つ該芳香族環または芳香族性複素環が隣接する繰
り返し単位の該芳香族環または芳香族性複素環と連続し
たπ電子共役系を形成するものであり、ｎは５以上の整
数である。）
芳香族性複素環に少なくとも１つの炭素数１〜２２のア
ルキル、アルコキシおよびアルキルチオ基ならびに炭素
数６〜２２の芳香族炭化水素基から選ばれた置換基を有
するアリーレン基または芳香族性複素環化合物基であ
り、且つ該芳香族環または芳香族性複素環が隣接する繰
り返し単位の該芳香族環または芳香族性複素環と連続し
たπ電子共役系を形成するものであり、ｎは５以上の整
数である。）
【０００８】以下、本発明の有機ＥＬ素子について詳細
に説明する。本発明に用いられる共役系高分子は有機Ｅ
Ｌ素子の発光材料として用いられ、その構造は上記化３
で表されるように、少なくとも１つの炭素数１〜２２の
アルキル、アルコキシおよびアルキルチオ基ならびに炭
素数６〜２２の芳香族炭化水素基から選ばれた置換基を
有する芳香族環または芳香族性複素環を繰り返し単位と
し、それらが、隣合う繰り返し単位の芳香族環または芳
香族性複素環の間でπ電子共役系を形成する結合をとお
して５個以上結合しているもので、有機溶媒に可溶であ
れば特に制限はない。
に説明する。本発明に用いられる共役系高分子は有機Ｅ
Ｌ素子の発光材料として用いられ、その構造は上記化３
で表されるように、少なくとも１つの炭素数１〜２２の
アルキル、アルコキシおよびアルキルチオ基ならびに炭
素数６〜２２の芳香族炭化水素基から選ばれた置換基を
有する芳香族環または芳香族性複素環を繰り返し単位と
し、それらが、隣合う繰り返し単位の芳香族環または芳
香族性複素環の間でπ電子共役系を形成する結合をとお
して５個以上結合しているもので、有機溶媒に可溶であ
れば特に制限はない。
【０００９】Ａｒ基としては炭素数１〜２２のアルキ
ル、アルコキシおよびアルキルチオ基ならびに炭素数６
〜２２の芳香族炭化水素基から選ばれた置換基を有する
ｐ−フェニレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナ
フタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジ
イル基，アントラセン−９，１０−ジイル基、２，５−
チエニレン基、アズレン−１，３−ジイル基、カルバゾ
−ル−２，７−ジイル基、カルバゾ−ル−３，６−ジイ
ル基等が例示される。強いエレクトロルミネッセンスを
示す基としてはｐ−フェニレン基、２，５−チエニレン
基、カルバソール−２，７−ジイル基の核置換体が好ま
しく、より好ましくはｐ−フェニレン、２，５−チエニ
レンの核置換体が好ましい。
ル、アルコキシおよびアルキルチオ基ならびに炭素数６
〜２２の芳香族炭化水素基から選ばれた置換基を有する
ｐ−フェニレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナ
フタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジ
イル基，アントラセン−９，１０−ジイル基、２，５−
チエニレン基、アズレン−１，３−ジイル基、カルバゾ
−ル−２，７−ジイル基、カルバゾ−ル−３，６−ジイ
ル基等が例示される。強いエレクトロルミネッセンスを
示す基としてはｐ−フェニレン基、２，５−チエニレン
基、カルバソール−２，７−ジイル基の核置換体が好ま
しく、より好ましくはｐ−フェニレン、２，５−チエニ
レンの核置換体が好ましい。
【００１０】さらに、化３で示される共役系高分子は溶
媒に可溶であることが必須であることから、炭素数１〜
２２のアルキル基、アルコキシ基およびアルキルチオ基
ならびに炭素数６〜２２の芳香族炭化水素基から選ばれ
た基が１個以上核置換していることが必要である。良好
な可溶性を与えるには、置換基の内、少なくともそれら
の一つが炭素数４〜２２のアルキル基、アルコキシ基ま
たはアルキルチオ基であることが好ましい。これらのな
かで成膜性が良好な炭素数４〜２２のアルキル基、アル
コキシ基が特に好ましい。
媒に可溶であることが必須であることから、炭素数１〜
２２のアルキル基、アルコキシ基およびアルキルチオ基
ならびに炭素数６〜２２の芳香族炭化水素基から選ばれ
た基が１個以上核置換していることが必要である。良好
な可溶性を与えるには、置換基の内、少なくともそれら
の一つが炭素数４〜２２のアルキル基、アルコキシ基ま
たはアルキルチオ基であることが好ましい。これらのな
かで成膜性が良好な炭素数４〜２２のアルキル基、アル
コキシ基が特に好ましい。
【００１１】上記炭素数１〜２２のアルキル基として
は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、ラウリル基、ドデシル基、オクタデシル
基などであり、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基が
好ましい。または炭素数１〜２２のアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ペンチルオ
キシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチ
ルオキシ基、ラウリルオキシ基、ドデシルオキシ基、オ
クタデシルオキシ基などであり、ペンチルオキシ基、ヘ
キシルオキシ基、ヘプチルオキシ基が好ましい。アルキ
ルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロ
ピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシル
チオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ラウリルチ
オ基、ドデシルチオ基、オクタデシルチオ基などであ
り、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基
が好ましい。芳香族炭化水素基としてはフェニル基、４
- アルコキシフェニル基（アルコキシ基としては例えば
メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ
基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基）、４- アル
キルフェニル基（アルキル基としては例えばメトキシ
基、エトキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキ
シルオキシ基、ヘプチルオキシ基）、１−ナフチル基、
２−ナフチル基が例示される。
は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、ラウリル基、ドデシル基、オクタデシル
基などであり、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基が
好ましい。または炭素数１〜２２のアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ペンチルオ
キシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチ
ルオキシ基、ラウリルオキシ基、ドデシルオキシ基、オ
クタデシルオキシ基などであり、ペンチルオキシ基、ヘ
キシルオキシ基、ヘプチルオキシ基が好ましい。アルキ
ルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロ
ピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシル
チオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ラウリルチ
オ基、ドデシルチオ基、オクタデシルチオ基などであ
り、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基
が好ましい。芳香族炭化水素基としてはフェニル基、４
- アルコキシフェニル基（アルコキシ基としては例えば
メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ
基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基）、４- アル
キルフェニル基（アルキル基としては例えばメトキシ
基、エトキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキ
シルオキシ基、ヘプチルオキシ基）、１−ナフチル基、
２−ナフチル基が例示される。
【００１２】具体的には、下記表１〜６に示す繰り返し
単位をもつ高分子が例示される。（表中の数字は繰り返
し単位中のアルキル基が左記のアルキル基に該当するも
のの繰り返し単位の番号である。）
単位をもつ高分子が例示される。（表中の数字は繰り返
し単位中のアルキル基が左記のアルキル基に該当するも
のの繰り返し単位の番号である。）
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】
【表５】
【００１８】
【表６】
【００１９】これらの共役系高分子化合物の中で高輝度
や製膜性の観点から、上記繰り返し単位の番号で１〜１
０、１１〜２０、９１〜１０５、１７１〜１８０、１８
１〜１９０、２６１〜２７５が好ましく、より好ましく
は、２〜５、１７〜２０、１８６〜１９０である。これ
らの共役系高分子は単独で用いてもよいし、２種類以上
を混合して用いてもよい。また、これらの重合体に対応
するモノマーの２種類以上を混合して重合した共重合体
でもよい。
や製膜性の観点から、上記繰り返し単位の番号で１〜１
０、１１〜２０、９１〜１０５、１７１〜１８０、１８
１〜１９０、２６１〜２７５が好ましく、より好ましく
は、２〜５、１７〜２０、１８６〜１９０である。これ
らの共役系高分子は単独で用いてもよいし、２種類以上
を混合して用いてもよい。また、これらの重合体に対応
するモノマーの２種類以上を混合して重合した共重合体
でもよい。
【００２０】化３において、ｎは繰り返し単位の数を表
し、５以上であれば特に限定されないが、余りにも小さ
すぎると均一な膜が得られにくい場合があり、また、余
りに大きすぎても溶解性が低下し、均一に製膜すること
が困難になる場合があるのでｎの範囲は１０以上が好ま
しく、１０〜１００００がより好ましい。
し、５以上であれば特に限定されないが、余りにも小さ
すぎると均一な膜が得られにくい場合があり、また、余
りに大きすぎても溶解性が低下し、均一に製膜すること
が困難になる場合があるのでｎの範囲は１０以上が好ま
しく、１０〜１００００がより好ましい。
【００２１】これらの有機溶媒可溶性の共役系高分子を
用いて溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥に
より溶媒を除去するだけでよく、また、電子輸送性化合
物を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製
造上非常に有利である。
用いて溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥に
より溶媒を除去するだけでよく、また、電子輸送性化合
物を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製
造上非常に有利である。
【００２２】上記化３で示される共役系高分子の合成法
としては特に限定されないが、相当するモノマ−を電解
重合する方法、３価の鉄などの酸化剤で酸化重合する方
法、相当する繰り返し単位のジハロゲン化合物をグリニ
ャ−ル化して重合する反応、同様に０価ニッケル錯体に
より重合させる方法などが例示される。また、これらの
共役系高分子を有機ＥＬ素子の発光層として用いる場
合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成後、
再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理
をすることが望ましい。
としては特に限定されないが、相当するモノマ−を電解
重合する方法、３価の鉄などの酸化剤で酸化重合する方
法、相当する繰り返し単位のジハロゲン化合物をグリニ
ャ−ル化して重合する反応、同様に０価ニッケル錯体に
より重合させる方法などが例示される。また、これらの
共役系高分子を有機ＥＬ素子の発光層として用いる場
合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成後、
再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理
をすることが望ましい。
【００２３】本発明に用いられる電子輸送性化合物とし
ては、発光材料として使用する共役系高分子に対して電
子輸送性が高ければ特に限定されないが、例えば、オキ
サジアゾール系化合物、ベンゾキノン系化合物、ナフト
キノン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラシア
ノアントラキノジメタン系化合物、ジフェニルジシアノ
エチレン系化合物、ジフェノキノン系化合物等が例示さ
れる。具体的には、特開昭６３−７０２５７、同６３−
１７５８６０号公報、特開平２−１３５３６１、同２−
１３５３５９、同３−１５２１８４号公報に記載されて
いるもの等、公知のものが使用可能であるが、オキサジ
アゾール系化合物、ベンゾキノン系化合物、アントラキ
ノン系化合物が好ましく、特に、２−（４−ビフェニリ
ル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノンが好
ましい。これらの電子輸送性化合物は単独で用いてもよ
いし、２種類以上を混合して用いてもよい。
ては、発光材料として使用する共役系高分子に対して電
子輸送性が高ければ特に限定されないが、例えば、オキ
サジアゾール系化合物、ベンゾキノン系化合物、ナフト
キノン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラシア
ノアントラキノジメタン系化合物、ジフェニルジシアノ
エチレン系化合物、ジフェノキノン系化合物等が例示さ
れる。具体的には、特開昭６３−７０２５７、同６３−
１７５８６０号公報、特開平２−１３５３６１、同２−
１３５３５９、同３−１５２１８４号公報に記載されて
いるもの等、公知のものが使用可能であるが、オキサジ
アゾール系化合物、ベンゾキノン系化合物、アントラキ
ノン系化合物が好ましく、特に、２−（４−ビフェニリ
ル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノンが好
ましい。これらの電子輸送性化合物は単独で用いてもよ
いし、２種類以上を混合して用いてもよい。
【００２４】本発明の有機ＥＬ素子の発光層として、発
光材料として用いられる化３で示される共役系高分子に
電子輸送性化合物を混合して使用する場合、その量は少
なすぎると効果が小さく、多すぎると発光に寄与しない
電流が増加するため、有機ＥＬ素子にした場合、輝度等
の特性が悪くなる。使用する電子輸送性化合物の分子量
によっても異なるが、混合する割合は化３で示される共
役系高分子に対して０. ０１〜４０ｗｔ％が好ましく、
より好ましくは０. １〜３０ｗｔ％、さらに好ましくは
０．１〜１０ｗｔ％である。混合方法としては電子輸送
性化合物と該共役系高分子を同一溶媒に溶解させ、混合
溶液とし、これを塗布する方法が一般的に例示される。
光材料として用いられる化３で示される共役系高分子に
電子輸送性化合物を混合して使用する場合、その量は少
なすぎると効果が小さく、多すぎると発光に寄与しない
電流が増加するため、有機ＥＬ素子にした場合、輝度等
の特性が悪くなる。使用する電子輸送性化合物の分子量
によっても異なるが、混合する割合は化３で示される共
役系高分子に対して０. ０１〜４０ｗｔ％が好ましく、
より好ましくは０. １〜３０ｗｔ％、さらに好ましくは
０．１〜１０ｗｔ％である。混合方法としては電子輸送
性化合物と該共役系高分子を同一溶媒に溶解させ、混合
溶液とし、これを塗布する方法が一般的に例示される。
【００２５】化３で示される共役系高分子を溶解させる
溶媒は製膜できる程度に溶解性があれば、特に制限はな
く、該共役系高分子の種類により最適溶媒は異なるので
適宜選択する。共役系高分子の繰り返し単位中に炭素数
４以上のアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ
基等の長鎖基が含まれている場合にはクロロホルム、塩
化メチレン、塩化エチレン、４塩化炭素、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラヒドフラン、Ｎ−メチルピロリドン、トルエ
ン、キシレン、プロピレンカ−ボネ−ト等が例示され
る。これらの内で製膜性が良好で、しかも、上記の電子
輸送材料も溶解させる溶媒としてはクロロホルム、トル
エン、テトラヒドロフランが好ましい。
溶媒は製膜できる程度に溶解性があれば、特に制限はな
く、該共役系高分子の種類により最適溶媒は異なるので
適宜選択する。共役系高分子の繰り返し単位中に炭素数
４以上のアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ
基等の長鎖基が含まれている場合にはクロロホルム、塩
化メチレン、塩化エチレン、４塩化炭素、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラヒドフラン、Ｎ−メチルピロリドン、トルエ
ン、キシレン、プロピレンカ−ボネ−ト等が例示され
る。これらの内で製膜性が良好で、しかも、上記の電子
輸送材料も溶解させる溶媒としてはクロロホルム、トル
エン、テトラヒドロフランが好ましい。
【００２６】本発明においては、化３で示される共役系
高分子に、既知の発光材料を分散させたものを発光層と
して用いることも含まれる。発光材料としては特に限定
されないが、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アン
トラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポ
リメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系な
どの色素類、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体
の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペン
タジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及
びその誘導体などを用いることができる。具体的には、
例えば特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３
号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能
である。
高分子に、既知の発光材料を分散させたものを発光層と
して用いることも含まれる。発光材料としては特に限定
されないが、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アン
トラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポ
リメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系な
どの色素類、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体
の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペン
タジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及
びその誘導体などを用いることができる。具体的には、
例えば特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３
号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能
である。
【００２７】本発明の有機ＥＬ素子の製造について以下
に述べる。陽極および陰極からなる一対の電極で、透明
または半透明な電極としては、ガラス、透明プラスチッ
ク等の透明基板の上に透明または半透明の電極を形成し
たものが用いられる。陽極の材料としては、導電性の金
属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的
にはインジウム・スズ・オキサイド (ＩＴＯ) 、酸化ス
ズ (ＮＥＳＡ）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等が用いられ
る。作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、
メッキ法などが用いられる。
に述べる。陽極および陰極からなる一対の電極で、透明
または半透明な電極としては、ガラス、透明プラスチッ
ク等の透明基板の上に透明または半透明の電極を形成し
たものが用いられる。陽極の材料としては、導電性の金
属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的
にはインジウム・スズ・オキサイド (ＩＴＯ) 、酸化ス
ズ (ＮＥＳＡ）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等が用いられ
る。作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、
メッキ法などが用いられる。
【００２８】次いで、この陽極上に共役系高分子の発光
層を形成する。成膜方法としては共役系高分子を有機溶
媒に溶解した溶液を使用したスピンコーティング法、キ
ャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ロー
ルコート法、スプレー法等の塗布法が例示される。
層を形成する。成膜方法としては共役系高分子を有機溶
媒に溶解した溶液を使用したスピンコーティング法、キ
ャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ロー
ルコート法、スプレー法等の塗布法が例示される。
【００２９】発光層の膜厚としては０．５ｎｍ〜１０μ
ｍ、好ましくは１ｎｍ〜１μｍである。電流密度を上げ
て発光効率を上げるためには１０〜５００ｎｍの範囲が
好ましい。なお、塗布法により薄膜化した場合には、溶
媒を除去するため、減圧下あるいは不活性雰囲気下、３
０〜２００℃、好ましくは６０〜１００℃の温度で熱処
理することが望ましい。
ｍ、好ましくは１ｎｍ〜１μｍである。電流密度を上げ
て発光効率を上げるためには１０〜５００ｎｍの範囲が
好ましい。なお、塗布法により薄膜化した場合には、溶
媒を除去するため、減圧下あるいは不活性雰囲気下、３
０〜２００℃、好ましくは６０〜１００℃の温度で熱処
理することが望ましい。
【００３０】次いでこの発光層の上に電子輸送層を形成
する。電子輸送性化合物の成膜方法としては、特に限定
されないが、真空蒸着法、あるいは該化合物を有機溶媒
に溶かした後、スピンコーティング法、キャスティング
法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート法、
スプレー法等の塗布法を用いたり、さらに既知の高分子
化合物と電子輸送性化合物とを溶液状態または溶融状態
で混合した後、スピンコーティング法、キャスティング
法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート法、
スプレー法等の塗布法を用いて成膜することができる。
混合する既知の高分子化合物としては、特に限定されな
いが、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、ま
た、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いら
れる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリ
アニリン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレ
ン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリ
レート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンおよ
びポリ塩化ビニル等のビニル系ポリマー、ポリシロキサ
ンなどが例示される。製膜が容易に行なえるという点で
は、塗布法を用いることが好ましい。
する。電子輸送性化合物の成膜方法としては、特に限定
されないが、真空蒸着法、あるいは該化合物を有機溶媒
に溶かした後、スピンコーティング法、キャスティング
法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート法、
スプレー法等の塗布法を用いたり、さらに既知の高分子
化合物と電子輸送性化合物とを溶液状態または溶融状態
で混合した後、スピンコーティング法、キャスティング
法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート法、
スプレー法等の塗布法を用いて成膜することができる。
混合する既知の高分子化合物としては、特に限定されな
いが、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、ま
た、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いら
れる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリ
アニリン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレ
ン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリ
レート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンおよ
びポリ塩化ビニル等のビニル系ポリマー、ポリシロキサ
ンなどが例示される。製膜が容易に行なえるという点で
は、塗布法を用いることが好ましい。
【００３１】電子輸送層の膜厚は、少なくともピンホー
ルが発生しないような厚みが必要であるが、あまり厚い
と素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ま
しくない。したがって、電子輸送層の膜厚は０．５ｎｍ
〜１０μｍ、好ましくは１ｎｍ〜１μｍ、さらに好まし
くは５〜２００ｎｍである。
ルが発生しないような厚みが必要であるが、あまり厚い
と素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ま
しくない。したがって、電子輸送層の膜厚は０．５ｎｍ
〜１０μｍ、好ましくは１ｎｍ〜１μｍ、さらに好まし
くは５〜２００ｎｍである。
【００３２】上記は共役系高分子からなる発光層と電子
輸送層を積層して設ける場合について述べたが、共役系
高分子と電子輸送性化合物を含む発光層を形成する場合
は共役系高分子と電子輸送化合物を有機溶媒に溶解した
混合溶液を用いてスピンコーティング法、キャスティン
グ法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート
法、スプレー法等の塗布法により成膜する方法が採用さ
れる。膜厚は前記発光層の厚みと同様な範囲である。ま
た、本発明においては、共役系高分子からなる発光層と
共役系高分子と電子輸送性化合物を含む発光層を積層す
ることも可能である。
輸送層を積層して設ける場合について述べたが、共役系
高分子と電子輸送性化合物を含む発光層を形成する場合
は共役系高分子と電子輸送化合物を有機溶媒に溶解した
混合溶液を用いてスピンコーティング法、キャスティン
グ法、ディッピング法、バーコート法、ロールコート
法、スプレー法等の塗布法により成膜する方法が採用さ
れる。膜厚は前記発光層の厚みと同様な範囲である。ま
た、本発明においては、共役系高分子からなる発光層と
共役系高分子と電子輸送性化合物を含む発光層を積層す
ることも可能である。
【００３３】次いで、発光層が共役系高分子と電子輸送
性化合物との混合層の場合はこの層の上に、また発光層
と電子輸送層が積層されている場合は電子輸送層の上に
電極を設ける。この電極は電子注入陰極となる。その材
料としては、特に限定されないが、イオン化エネルギー
の小さい材料が好ましい。例えば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、
Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｉｎ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金、Ｃ
ａおよびそれらの合金、Ｌｉおよびそれらの合金、グラ
ファイト薄膜等が用いられる。これら陰極材料のうち空
気中で不安定な材料の場合、保護膜として、例えばＡ
ｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔなどの空気中で安定な材料を更に
陰極材料の上に作成してもよい。陰極の作製方法として
は真空蒸着法、スパッタリング法等公知の方法が用いら
れる。
性化合物との混合層の場合はこの層の上に、また発光層
と電子輸送層が積層されている場合は電子輸送層の上に
電極を設ける。この電極は電子注入陰極となる。その材
料としては、特に限定されないが、イオン化エネルギー
の小さい材料が好ましい。例えば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、
Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｉｎ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金、Ｃ
ａおよびそれらの合金、Ｌｉおよびそれらの合金、グラ
ファイト薄膜等が用いられる。これら陰極材料のうち空
気中で不安定な材料の場合、保護膜として、例えばＡ
ｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔなどの空気中で安定な材料を更に
陰極材料の上に作成してもよい。陰極の作製方法として
は真空蒸着法、スパッタリング法等公知の方法が用いら
れる。
【００３４】なお、本発明のＥＬ素子の構造としては、
これまで述べた陽極／発光層（発光材料と電子輸送性化
合物の混合物）／陰極（／は層を積層したことを示
す）、あるいは陽極／発光層／電子輸送層／陰極の構造
以外に、さらに公知の正孔輸送層を積層する場合は陽極
／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔
輸送層／発光層（発光材料と電子輸送性化合物の混合
物）／陰極の構造が挙げられる。さらに陽極と発光層も
しくは正孔輸送層の間、または陰極と電子輸送層との間
に既知のバッファー層を有する積層構造等をとることも
できる。
これまで述べた陽極／発光層（発光材料と電子輸送性化
合物の混合物）／陰極（／は層を積層したことを示
す）、あるいは陽極／発光層／電子輸送層／陰極の構造
以外に、さらに公知の正孔輸送層を積層する場合は陽極
／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔
輸送層／発光層（発光材料と電子輸送性化合物の混合
物）／陰極の構造が挙げられる。さらに陽極と発光層も
しくは正孔輸送層の間、または陰極と電子輸送層との間
に既知のバッファー層を有する積層構造等をとることも
できる。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
【００３６】参考例
〔ポリ（３−ヘキシル−２，５−チエニレン）の合成〕
３−ヘキシルチオフェン１．７ｇをクロロホルムに１０
０ｍｌに溶解させ、これに塩化第２鉄を３−ヘキシルチ
オフェンの４倍当量加え、室温で５時間反応した。反応
後、メタノ−ルを５００ｍｌ加えたところ、緑色の沈澱
が生じた。これを濾過、洗浄後乾燥した。沈澱物は１．
６ｇ得られた。赤外吸収スペクトル、紫外可視吸収スペ
クトルからポリ（３−ヘキシル−２，５−チエニレン）
の構造を確認した。また、ＧＰＣによるポリスチレン換
算の数平均分子量は４３，０００であった。
３−ヘキシルチオフェン１．７ｇをクロロホルムに１０
０ｍｌに溶解させ、これに塩化第２鉄を３−ヘキシルチ
オフェンの４倍当量加え、室温で５時間反応した。反応
後、メタノ−ルを５００ｍｌ加えたところ、緑色の沈澱
が生じた。これを濾過、洗浄後乾燥した。沈澱物は１．
６ｇ得られた。赤外吸収スペクトル、紫外可視吸収スペ
クトルからポリ（３−ヘキシル−２，５−チエニレン）
の構造を確認した。また、ＧＰＣによるポリスチレン換
算の数平均分子量は４３，０００であった。
【００３７】実施例１
スパッタリングによって、４０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を
付けたガラス基板に、参考例１で得たポリ（３−ヘキシ
ル−２，５−チエニレン）と電子輸送性化合物として２
−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下ＰＢＤ）
〔ここでＰＢＤのポリ（３−ヘキシル−２．５−チエニ
レン）に対する混合割合は１. ４ｗｔ％である〕の０．
４ｗｔ％クロロホルム溶液を用い、スピンコートにより
３０ｎｍの厚みで成膜した。次いで、これを減圧下６０
℃で１時間乾燥した後、その上に陰極としてＭｇ―Ａｇ
合金（Ｍｇ：Ａｇは重量比で１０：１）を１５０ｎｍ蒸
着して有機ＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は
３×１０-6Ｔｏｒｒ以下であった。この素子に暗室内で
電圧１９Ｖを印加したところ、電流密度６０２ｍＡ／ｃ
ｍ 2 の電流が流れ、輝度４. ５８ｃｄ／ｍ2 の赤色のＥ
Ｌ発光が観察された。輝度は輝度計ＬＳ―１００（ミノ
ルタ（株）製）で測定した。このとき暗室内の明るさは
０. ０１ｃｄ／ｍ2 以下であった。
付けたガラス基板に、参考例１で得たポリ（３−ヘキシ
ル−２，５−チエニレン）と電子輸送性化合物として２
−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下ＰＢＤ）
〔ここでＰＢＤのポリ（３−ヘキシル−２．５−チエニ
レン）に対する混合割合は１. ４ｗｔ％である〕の０．
４ｗｔ％クロロホルム溶液を用い、スピンコートにより
３０ｎｍの厚みで成膜した。次いで、これを減圧下６０
℃で１時間乾燥した後、その上に陰極としてＭｇ―Ａｇ
合金（Ｍｇ：Ａｇは重量比で１０：１）を１５０ｎｍ蒸
着して有機ＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は
３×１０-6Ｔｏｒｒ以下であった。この素子に暗室内で
電圧１９Ｖを印加したところ、電流密度６０２ｍＡ／ｃ
ｍ 2 の電流が流れ、輝度４. ５８ｃｄ／ｍ2 の赤色のＥ
Ｌ発光が観察された。輝度は輝度計ＬＳ―１００（ミノ
ルタ（株）製）で測定した。このとき暗室内の明るさは
０. ０１ｃｄ／ｍ2 以下であった。
【００３８】実施例２
電子輸送性化合物としてＰＢＤの代わりにアントラキノ
ンを使用した〔ここでアントラキノンのポリ（３−ヘキ
シル−２，５−チエニレン）に対する混合割合は１. ５
ｗｔ％であった〕以外は実施例１と同じ方法で３０ｎｍ
の厚みの発光層をもつ、有機ＥＬ素子を作成した。この
素子を実施例１と同じ方法で輝度を測定したところ、輝
度３. ２２ｃｄ／ｍ2 の赤色のＥＬ発光が観察された。
このとき印加した電圧は１３Ｖであり、６０２ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れた。
ンを使用した〔ここでアントラキノンのポリ（３−ヘキ
シル−２，５−チエニレン）に対する混合割合は１. ５
ｗｔ％であった〕以外は実施例１と同じ方法で３０ｎｍ
の厚みの発光層をもつ、有機ＥＬ素子を作成した。この
素子を実施例１と同じ方法で輝度を測定したところ、輝
度３. ２２ｃｄ／ｍ2 の赤色のＥＬ発光が観察された。
このとき印加した電圧は１３Ｖであり、６０２ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れた。
【００３９】比較例
ポリ（３−ヘキシル−２，５−チエニレン）に電子輸送
性化合物を混合しない以外は実施例１と同じ方法で３０
ｎｍの厚みの発光層を有する有機ＥＬ素子を作製した。
この素子を実施例１と同じ方法で輝度を測定したとこ
ろ、輝度０. ８３ｃｄ／ｍ2 のＥＬ発光が観察された
が、色は確認できなかった。このとき印加した電圧は１
５Ｖであり、６０２ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れた。
性化合物を混合しない以外は実施例１と同じ方法で３０
ｎｍの厚みの発光層を有する有機ＥＬ素子を作製した。
この素子を実施例１と同じ方法で輝度を測定したとこ
ろ、輝度０. ８３ｃｄ／ｍ2 のＥＬ発光が観察された
が、色は確認できなかった。このとき印加した電圧は１
５Ｖであり、６０２ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れた。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機ＥＬ
素子は、従来のものと比較して、低電圧駆動で、しかも
輝度が向上しており、バックライトとしての面状光源、
フラットパネルディスプレイ等の装置としての使用が可
能である。
素子は、従来のものと比較して、低電圧駆動で、しかも
輝度が向上しており、バックライトとしての面状光源、
フラットパネルディスプレイ等の装置としての使用が可
能である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−195681（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−790（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−59356（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05B 33/14
C09K 11/06
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも一方が透明または半透明である
一対の陽極および陰極からなる電極間に少なくとも発光
層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、該発光層が、下式 【化1】 （ここでＡｒは、繰り返し単位を示し、芳香族環または
芳香族性複素環に少なくとも１つの炭素数１〜２２のア
ルキル、アルコキシおよびアルキルチオ基ならびに炭素
数６〜２２の芳香族炭化水素基から選ばれた置換基を有
するアリーレン基または芳香族性複素環化合物基であ
り、且つ該芳香族環または芳香族性複素環が隣接する繰
り返し単位の該芳香族環または芳香族性複素環と連続し
たπ電子共役系を形成するものであり、ｎは５以上の整
数である。）で表される構造を有し、有機溶媒に可溶な
共役系高分子よりなり、且つ陰極と該発光層との間に、
該発光層に隣接して電子輸送性化合物からなる層を設け
たことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項２】電子輸送性化合物からなる層が、厚さ５〜
２００ｎｍの層であることを特徴とする請求項１記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10648393A JP3362440B2 (ja) | 1992-06-24 | 1993-05-07 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-165961 | 1992-06-24 | ||
| JP16596192 | 1992-06-24 | ||
| JP10648393A JP3362440B2 (ja) | 1992-06-24 | 1993-05-07 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002178161A Division JP3656618B2 (ja) | 1992-06-24 | 2002-06-19 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0673374A JPH0673374A (ja) | 1994-03-15 |
| JP3362440B2 true JP3362440B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=26446600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10648393A Expired - Lifetime JP3362440B2 (ja) | 1992-06-24 | 1993-05-07 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP4024009B2 (ja) | 2000-04-21 | 2007-12-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| AU2001269790A1 (en) * | 2000-06-12 | 2001-12-24 | Maxdem Incorporated | Polymer matrix electroluminescent materials and devices |
| SG100772A1 (en) | 2000-12-06 | 2003-12-26 | Sumitomo Chemical Co | Polymeric fluorescent substance and polymer light-emiting device using the same |
| KR100478524B1 (ko) | 2002-06-28 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자 및 저분자 발광 재료의 혼합물을 발광 재료로사용하는 유기 전계 발광 소자 |
| CN1298768C (zh) | 2002-07-18 | 2007-02-07 | 夏普株式会社 | 树枝状分子及使用该树枝状分子的电子装置组件 |
| CN100587857C (zh) | 2003-09-08 | 2010-02-03 | 住友金属矿山株式会社 | 透明导电层叠体与采用了该层叠体的有机el元件及它们的制造方法 |
| US8277955B2 (en) | 2006-10-17 | 2012-10-02 | Seiko Epson Corporation | Compound for organic EL device and organic EL device |
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| CN106025099B (zh) | 2011-04-12 | 2018-09-07 | 精工爱普生株式会社 | 发光元件、发光装置、认证装置以及电子设备 |
| JP5765034B2 (ja) | 2011-04-18 | 2015-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | チアジアゾール系化合物、発光素子用化合物、発光素子、発光装置、認証装置および電子機器 |
| JP5790279B2 (ja) | 2011-08-09 | 2015-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置および電子機器 |
| KR20130018547A (ko) | 2011-08-09 | 2013-02-25 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 티아디아졸계 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 인증 장치, 전자 기기 |
| JP5970811B2 (ja) | 2011-12-28 | 2016-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置および電子機器 |
| US9324952B2 (en) | 2012-02-28 | 2016-04-26 | Seiko Epson Corporation | Thiadiazole, compound for light-emitting elements, light-emitting element, light-emitting apparatus, authentication apparatus, and electronic device |
| CN103772416B (zh) | 2012-10-18 | 2018-01-19 | 精工爱普生株式会社 | 噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置以及电子设备 |
| JP6613595B2 (ja) | 2014-04-09 | 2019-12-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、認証装置および電子機器 |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP10648393A patent/JP3362440B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0673374A (ja) | 1994-03-15 |
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