JP3340586B2 - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はエッチング方法に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図５に、シリコン基板２の上に形成した
イリジウム層４を、従来の方法を用いてドライエッチン
グを行なう工程を示す。まず、イリジウム層４の上にフ
ォトレジスト６を形成し、イリジウム層４を残したい部
分を除いて、フォトレジストを除去する（図５Ａ）。次
に、Cl2をエッチャントとしてドライエッチングを行な
う。これにより、不要な部分のイリジウム層４が除去さ
れる（図５Ｂ）。さらに、その後、フォトレジスト６を
除去するため、Ｏ2ガスを用いてアッシングを行なう。
これにより、フォトレジスト６が除去され、所望のイリ
ジウム層４が得られる（図５Ｃ）。
イリジウム層４を、従来の方法を用いてドライエッチン
グを行なう工程を示す。まず、イリジウム層４の上にフ
ォトレジスト６を形成し、イリジウム層４を残したい部
分を除いて、フォトレジストを除去する（図５Ａ）。次
に、Cl2をエッチャントとしてドライエッチングを行な
う。これにより、不要な部分のイリジウム層４が除去さ
れる（図５Ｂ）。さらに、その後、フォトレジスト６を
除去するため、Ｏ2ガスを用いてアッシングを行なう。
これにより、フォトレジスト６が除去され、所望のイリ
ジウム層４が得られる（図５Ｃ）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のエッチング方法では、次のような問題点が
あった。
ような従来のエッチング方法では、次のような問題点が
あった。
【０００４】図５Ｂに示すように、ドライエッチングの
際に、エッチャントとイリジウムが反応し塩化イリジウ
ム(IrCl4)８が側壁に付着する現象が生じていた。これ
を、Ｏ2ガスでアッシングすると、塩化イリジウム(IrCl
4)８が酸化イリジウム(IrO2)１０に変化する（図５
Ｃ）。このような予期しない酸化イリジウム１０が残存
することは好ましいことではない。特に、イリジウム層
４の上に絶縁層（誘電体層）を形成する場合には、残存
する酸化イリジウム１０によってリークが生じ、決定的
な不都合を生じることとなる。
際に、エッチャントとイリジウムが反応し塩化イリジウ
ム(IrCl4)８が側壁に付着する現象が生じていた。これ
を、Ｏ2ガスでアッシングすると、塩化イリジウム(IrCl
4)８が酸化イリジウム(IrO2)１０に変化する（図５
Ｃ）。このような予期しない酸化イリジウム１０が残存
することは好ましいことではない。特に、イリジウム層
４の上に絶縁層（誘電体層）を形成する場合には、残存
する酸化イリジウム１０によってリークが生じ、決定的
な不都合を生じることとなる。
【０００５】この酸化イリジウム１０は極めて安定して
おり、薬剤等で除去するのが困難であった。
おり、薬剤等で除去するのが困難であった。
【０００６】また、エッチャントとしてアルゴン系のガ
スを用いた場合には、ガスとイリジウムとが反応するこ
とはないが、レジスト６中のC,H,Oとイリジウムとが反
応し、イリジウムのC,H,O化合物が同じように形成され
てしまう。これをアッシングすると、やはり酸化イリジ
ウム(IrO2)に変化し、上記と同じ問題を生じる。
スを用いた場合には、ガスとイリジウムとが反応するこ
とはないが、レジスト６中のC,H,Oとイリジウムとが反
応し、イリジウムのC,H,O化合物が同じように形成され
てしまう。これをアッシングすると、やはり酸化イリジ
ウム(IrO2)に変化し、上記と同じ問題を生じる。
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解決し
て、不要な残存物が残らないエッチング方法を提供する
ことを目的とする。
て、不要な残存物が残らないエッチング方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】（１）この発明のエッチ
ング方法は、エッチングステップとアッシングステップ
との間に、エッチング対象膜とエチングに用いたガスと
の化合物またはエッチング対象膜とレジストとの化合物
を溶解する液体または気体によって、これら化合物を除
去する除去ステップを備えたことを特徴としている。
ング方法は、エッチングステップとアッシングステップ
との間に、エッチング対象膜とエチングに用いたガスと
の化合物またはエッチング対象膜とレジストとの化合物
を溶解する液体または気体によって、これら化合物を除
去する除去ステップを備えたことを特徴としている。
【０００９】（２）この発明のエッチング方法は、エッ
チング対象膜が、イリジウム、白金、パラジウム、レニ
ウム、オスミウム、ルテニウムの何れかまたはこれらの
シリコンとの化合物もしくは酸化物であることを特徴と
している。
チング対象膜が、イリジウム、白金、パラジウム、レニ
ウム、オスミウム、ルテニウムの何れかまたはこれらの
シリコンとの化合物もしくは酸化物であることを特徴と
している。
【００１０】（３）この発明のエッチング方法は、エッ
チング対象膜が、タングステン、チタン、タンタル、銅
の何れかまたはこれらのシリコンとの化合物もしくは酸
化物または窒化物であることを特徴としている。
チング対象膜が、タングステン、チタン、タンタル、銅
の何れかまたはこれらのシリコンとの化合物もしくは酸
化物または窒化物であることを特徴としている。
【００１１】（４）この発明のエッチング方法は、エッ
チングステップにおいて用いるエッチャントが、ハロゲ
ン系の物質を含むものであることを特徴としている。
チングステップにおいて用いるエッチャントが、ハロゲ
ン系の物質を含むものであることを特徴としている。
【００１２】（５）この発明のエッチング方法は、エッ
チングステップにおいて用いるエッチャントが、不活性
ガスを含むものであることを特徴としている。
チングステップにおいて用いるエッチャントが、不活性
ガスを含むものであることを特徴としている。
【００１３】（６）この発明のエッチング方法は、アッ
シングステップを、Ｏ2ガスまたはＯ3ガスまたはフッ化
物またはこれらの混合ガスを用いて行なうことを特徴と
している。
シングステップを、Ｏ2ガスまたはＯ3ガスまたはフッ化
物またはこれらの混合ガスを用いて行なうことを特徴と
している。
【００１４】
【作用および発明の効果】この発明によるエッチング方
法は、エッチング対象膜とエチングに用いたガスとの化
合物またはエッチング対象膜とレジストとの化合物を溶
解する液体または気体によって、これら化合物を除去す
る除去ステップを、エッチングステップとアッシングス
テップとの間に備えている。したがって、アッシングに
よって化合物が変化する前に、化合物を除去することが
できる。すなわち、不要な残存物が残らないエッチング
方法を提供することができる。
法は、エッチング対象膜とエチングに用いたガスとの化
合物またはエッチング対象膜とレジストとの化合物を溶
解する液体または気体によって、これら化合物を除去す
る除去ステップを、エッチングステップとアッシングス
テップとの間に備えている。したがって、アッシングに
よって化合物が変化する前に、化合物を除去することが
できる。すなわち、不要な残存物が残らないエッチング
方法を提供することができる。
【００１５】また、アッシングをＯ2ガスまたはＯ3ガス
またはフッ化物またはこれらの混合ガスを用いて行なう
場合には、エッチングステップで形成された化合物が酸
化化合物に変化して安定化し、除去困難となる。したが
って、本発明によりアッシングステップの前に化合物を
除去することの意義が大きい。
またはフッ化物またはこれらの混合ガスを用いて行なう
場合には、エッチングステップで形成された化合物が酸
化化合物に変化して安定化し、除去困難となる。したが
って、本発明によりアッシングステップの前に化合物を
除去することの意義が大きい。
【００１６】
【実施例】図１および図２に、この発明の一実施例によ
るエッチング方法を示す。ここでは、エッチング対象膜
がイリジウムである場合について説明する。シリコン基
板２の上に、エッチング対象膜であるイリジウム層４が
形成されている。まず、イリジウム層４の上にフォトレ
ジスト６を形成し、イリジウム層４を残したい部分を除
いて、フォトレジストを除去する（図１Ａ）。
るエッチング方法を示す。ここでは、エッチング対象膜
がイリジウムである場合について説明する。シリコン基
板２の上に、エッチング対象膜であるイリジウム層４が
形成されている。まず、イリジウム層４の上にフォトレ
ジスト６を形成し、イリジウム層４を残したい部分を除
いて、フォトレジストを除去する（図１Ａ）。
【００１７】次に、Cl2をエッチャントとしてドライエ
ッチングを行なう。これにより、不要な部分のイリジウ
ム層４が除去される。この際、イリジウム層４およびフ
ォトレジスト６の側壁に、エッチャントのCl2とイリジ
ウムが反応し塩化イリジウム(IrCl4)８が側壁に付着す
る（図２Ｂ）。
ッチングを行なう。これにより、不要な部分のイリジウ
ム層４が除去される。この際、イリジウム層４およびフ
ォトレジスト６の側壁に、エッチャントのCl2とイリジ
ウムが反応し塩化イリジウム(IrCl4)８が側壁に付着す
る（図２Ｂ）。
【００１８】次に、この塩化イリジウム(IrCl4)８を除
去するため、水(cold water)またはアルコールあるいは
これらの混合液（またはその蒸気）によって薬液処理す
る。これにより、図１Ｃに示すように、側壁の塩化イリ
ジウム(IrCl4)８が除去される。
去するため、水(cold water)またはアルコールあるいは
これらの混合液（またはその蒸気）によって薬液処理す
る。これにより、図１Ｃに示すように、側壁の塩化イリ
ジウム(IrCl4)８が除去される。
【００１９】さらに、その後、フォトレジスト６を除去
するため、Ｏ2ガス（またはＯ3ガスまたはフッ化物(C
F4,SF6等)またはこれらの混合ガス）を用いてアッシン
グを行なう。これにより、フォトレジスト６が除去さ
れ、所望のイリジウム層４が得られる（図２）。
するため、Ｏ2ガス（またはＯ3ガスまたはフッ化物(C
F4,SF6等)またはこれらの混合ガス）を用いてアッシン
グを行なう。これにより、フォトレジスト６が除去さ
れ、所望のイリジウム層４が得られる（図２）。
【００２０】上記のようにして、不要な残存物を残さず
にエッチングを行なうことができる。 上記実施例で
は、イリジウムをエッチング対象膜とし、Cl2をエッチ
ャントとして用いた場合について説明したが、その他Cl
系のエッチャントを用いる場合であっても、水(cold wa
ter)またはアルコールあるいはこれらの混合液（または
その蒸気）によって薬液処理すればよい。また、HBr等
のBr系のエッチャントを用いた場合にも、生成される化
合物は、水(cold water)またはアルコールあるいはこれ
らの混合液に溶解するので、これらのいずれかで薬液処
理すればよい。さらに、HI等のI系のエッチャントを用
いた場合には、生成される化合物は、水(hot water)ま
たはアルコールあるいはこれらの混合液に溶解するの
で、これらのいずれかで薬液処理すればよい。なお、上
記の薬液処理は、イリジウムをエッチング対象膜とした
場合だけでなく、イリジウムの化合物に対しても適用で
きる。
にエッチングを行なうことができる。 上記実施例で
は、イリジウムをエッチング対象膜とし、Cl2をエッチ
ャントとして用いた場合について説明したが、その他Cl
系のエッチャントを用いる場合であっても、水(cold wa
ter)またはアルコールあるいはこれらの混合液（または
その蒸気）によって薬液処理すればよい。また、HBr等
のBr系のエッチャントを用いた場合にも、生成される化
合物は、水(cold water)またはアルコールあるいはこれ
らの混合液に溶解するので、これらのいずれかで薬液処
理すればよい。さらに、HI等のI系のエッチャントを用
いた場合には、生成される化合物は、水(hot water)ま
たはアルコールあるいはこれらの混合液に溶解するの
で、これらのいずれかで薬液処理すればよい。なお、上
記の薬液処理は、イリジウムをエッチング対象膜とした
場合だけでなく、イリジウムの化合物に対しても適用で
きる。
【００２１】白金またはその化合物をエッチング対象膜
とする場合には、エッチャントの種類に応じて、以下の
ように薬液処理をすればよい。CF4等のF系のエッチャン
トを用いる場合には、生成される化合物は、水またはア
ルコールあるいはこれらの混合液に溶解するので、これ
らのいずれかで薬液処理すればよい。Cl2等のCl系のエ
ッチャントを用いる場合には、生成される化合物は、
水、アルコール、アンモニアまたはHClあるいはこれら
の混合液に溶解するので、これらのいずれかで薬液処理
すればよい。HBr等のBr系のエッチャントを用いた場合
には、生成される化合物は、水またはアルコールあるい
はこれらの混合液に溶解するので、これらのいずれかで
薬液処理すればよい。HI等のI系のエッチャントを用い
た場合には、生成される化合物は、水、アルコール、ア
セトン、アンモニアまたはNa2SO3あるいはこれらの混合
液に溶解するので、これらのいずれかで薬液処理すれば
よい。 上記の、イリジウムや白金以外のエッチング対
象膜（たとえば、Pd,Re,Os,Ru等の貴金属や、W,Ti,Ta,C
u等の高融点金属や、アルミニウム、等さらには、これ
らのSiやOやN等との化合物IrO2,RuO2,WSi等）に対して
も、本願発明を適用することができる。また、種々のエ
ッチャント（F,Cl,Br,I,At等を含むもの）に対しても適
用できる。エッチング対象膜とエッチャントの組合わせ
に対し、有効な薬液を図３に表として示す。
とする場合には、エッチャントの種類に応じて、以下の
ように薬液処理をすればよい。CF4等のF系のエッチャン
トを用いる場合には、生成される化合物は、水またはア
ルコールあるいはこれらの混合液に溶解するので、これ
らのいずれかで薬液処理すればよい。Cl2等のCl系のエ
ッチャントを用いる場合には、生成される化合物は、
水、アルコール、アンモニアまたはHClあるいはこれら
の混合液に溶解するので、これらのいずれかで薬液処理
すればよい。HBr等のBr系のエッチャントを用いた場合
には、生成される化合物は、水またはアルコールあるい
はこれらの混合液に溶解するので、これらのいずれかで
薬液処理すればよい。HI等のI系のエッチャントを用い
た場合には、生成される化合物は、水、アルコール、ア
セトン、アンモニアまたはNa2SO3あるいはこれらの混合
液に溶解するので、これらのいずれかで薬液処理すれば
よい。 上記の、イリジウムや白金以外のエッチング対
象膜（たとえば、Pd,Re,Os,Ru等の貴金属や、W,Ti,Ta,C
u等の高融点金属や、アルミニウム、等さらには、これ
らのSiやOやN等との化合物IrO2,RuO2,WSi等）に対して
も、本願発明を適用することができる。また、種々のエ
ッチャント（F,Cl,Br,I,At等を含むもの）に対しても適
用できる。エッチング対象膜とエッチャントの組合わせ
に対し、有効な薬液を図３に表として示す。
【００２２】ところで、Ar系等の不活性ガスのエッチャ
ントを用いた場合には、エッチング対象膜とエッチャン
トが反応しない。しかしながら、エッチングの際に、レ
ジスト６中のＣ、Ｈ、Ｏ等とエッチング対象膜とが反応
し、その化合物が側壁に形成される。これらに対して
も、上記と同じように、アッシングの前に薬液処理する
ことにより除去することができる。これらに関し、エッ
チング対象膜とエッチャントの組合わせに対し、有効な
薬液を図４に表として示す。
ントを用いた場合には、エッチング対象膜とエッチャン
トが反応しない。しかしながら、エッチングの際に、レ
ジスト６中のＣ、Ｈ、Ｏ等とエッチング対象膜とが反応
し、その化合物が側壁に形成される。これらに対して
も、上記と同じように、アッシングの前に薬液処理する
ことにより除去することができる。これらに関し、エッ
チング対象膜とエッチャントの組合わせに対し、有効な
薬液を図４に表として示す。
【図１】この発明の一実施例によるエッチング工程を示
す図である。
す図である。
【図２】この発明の一実施例によるエッチング工程を示
す図である。
す図である。
【図３】エッチング対象膜とエッチャントの組合わせに
対して、有効な薬液を示す表である。
対して、有効な薬液を示す表である。
【図４】エッチング対象膜とエッチャントの組合わせに
対して、有効な薬液を示す表である。
対して、有効な薬液を示す表である。
【図５】従来のエッチング工程を示す図である。
２・・・シリコン基板 ４・・・イリジウム層 ６・・・フォトレジスト ８・・・塩化イリジウム
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−195377（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−51520（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−168921（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151383（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−321117（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00 H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】エッチング対象膜の上に、選択的にレジス
トを形成するレジスト形成ステップ、 前記レジストを用いて、ドライエッチングによってエッ
チング対象膜をエッチングするエッチングステップ、 前記レジストをアッシングによって除去するアッシング
ステップ、 を備えたエッチング方法において、 前記エッチング対象膜は、白金、レニウム、ルテニウム
の何れかまたはこれらのシリコン化合物もしくは酸化物
であり、 前記エッチングステップとアッシングステップとの間
に、前記エッチング対象膜とエッチングに用いたガスと
の化合物またはエッチング対象膜とレジストとの化合物
を溶解する水またはアルカリ溶液によって、これら化合
物を除去する除去ステップを備えたことを特徴とするエ
ッチング方法。 - 【請求項２】請求項１のエッチング方法において、前記エッチング対象膜は、白金またはそのシリコン化合
物若しくは酸化物であり、 前記エッチングステップにおいて用いるエッチャント
は、ハロゲン系の物質を含むものであることを特徴とす
るもの。 - 【請求項３】請求項１のエッチング方法において、前記エッチング対象膜は、レニウム、ルテニウムの何れ
かまたはこれらのシリコン化合物若しくは酸化物であ
り、 前記エッチングステップにおいて用いるエッチャント
は、不活性ガスを含むものであることを特徴とするも
の。 - 【請求項４】請求項１、２または３のエッチング方法に
おいて、 前記アッシングステップは、Ｏ2ガスまたはＯ3ガスまた
はフッ化物またはこれらの混合ガスを用いて行なうこと
を特徴とするもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10631995A JP3340586B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10631995A JP3340586B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | エッチング方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002110329A Division JP3805712B2 (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08296067A JPH08296067A (ja) | 1996-11-12 |
| JP3340586B2 true JP3340586B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=14430637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10631995A Expired - Fee Related JP3340586B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3340586B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6232131B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-05-15 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing semiconductor device with ferroelectric capacitors including multiple annealing steps |
| US6046490A (en) * | 1998-08-10 | 2000-04-04 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device having a capacitor dielectric element and wiring layers |
| JP2000138202A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| JP2001351898A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100480636B1 (ko) | 2002-11-22 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 |
| WO2013183254A1 (ja) | 2012-06-08 | 2013-12-12 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP6226517B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2017-11-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3115715B2 (ja) * | 1992-11-12 | 2000-12-11 | 三菱電機株式会社 | 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法および薄膜キャパシタ素子の製造方法 |
| JP3371149B2 (ja) * | 1992-11-30 | 2003-01-27 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07321117A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Toshiba Corp | 半導体基板の処理方法 |
| JP3200528B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2001-08-20 | 三菱電機株式会社 | ドライエッチングの後処理方法 |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP10631995A patent/JP3340586B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08296067A (ja) | 1996-11-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |