JP3316939B2 - 半導体ウエハの研削方法及び装置 - Google Patents
半導体ウエハの研削方法及び装置Info
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- Japan
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- grinding
- semiconductor wafer
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ，ＧａＡｓ，Ｉｎ
Ｐ等の半導体ウエハを効率的に研削する方法及びその装
置に関する。
Ｐ等の半導体ウエハを効率的に研削する方法及びその装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハの表面を研削する一
つの方法としては図３に示すように、矢印１２の方向に
回転するチャック２に吸着されたウエハ３は矢印１１の
方向に回転しながら水平方向２１に移動する円盤状の砥
石１でウエハ３の表面を所定の厚さに研削するウエハ自
転スルーフイード方式がある。また、図４に示すよう
に、矢印１２の方向に回転するチャック２に吸着された
４枚のウエハ３・・・３は矢印１１の方向に回転しなが
ら垂直方向２２に移動する円盤状の砥石１がウエハ３・
・・３の表面を所定の厚さに研削するウエハ公転ダウン
フイード方式がある。さらに、図５に示すように、矢印
１２の方向に回転するチャック２に吸着されたウエハ３
は矢印１１の方向に回転しながら垂直方向２２に移動す
る円盤状の砥石１がウエハ３の表面を所定の厚さに研削
するウエハ自転ダウンフイード方式がある。
つの方法としては図３に示すように、矢印１２の方向に
回転するチャック２に吸着されたウエハ３は矢印１１の
方向に回転しながら水平方向２１に移動する円盤状の砥
石１でウエハ３の表面を所定の厚さに研削するウエハ自
転スルーフイード方式がある。また、図４に示すよう
に、矢印１２の方向に回転するチャック２に吸着された
４枚のウエハ３・・・３は矢印１１の方向に回転しなが
ら垂直方向２２に移動する円盤状の砥石１がウエハ３・
・・３の表面を所定の厚さに研削するウエハ公転ダウン
フイード方式がある。さらに、図５に示すように、矢印
１２の方向に回転するチャック２に吸着されたウエハ３
は矢印１１の方向に回転しながら垂直方向２２に移動す
る円盤状の砥石１がウエハ３の表面を所定の厚さに研削
するウエハ自転ダウンフイード方式がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記第１及び第２の方
式（ウエハ自転スルーフイード方式、ウエハ公転ダウン
フイード方式）は砥石とウエハとの接触面積は時間とと
もに変動するために研削抵抗も変動し、砥石がウエハエ
ッジ部と接触した際、この部分が割れたり、あるいは欠
けたりする。また、加工変質層の厚さがウエハ面内で不
均一となり、局所的に反り、あるいはうねりが発生しや
すくなる。そのために、最近は主に第３のウエハ自転ダ
ウンフイード方式が採用されている。しかし、この方式
は良好製品が得られるものの、一度に一枚のウエハしか
研削できないので大量生産に適しないという問題があっ
た。そこで本発明は、かかる問題点を解決した半導体ウ
エハの研削方法及び装置を提供することを目的とする。
式（ウエハ自転スルーフイード方式、ウエハ公転ダウン
フイード方式）は砥石とウエハとの接触面積は時間とと
もに変動するために研削抵抗も変動し、砥石がウエハエ
ッジ部と接触した際、この部分が割れたり、あるいは欠
けたりする。また、加工変質層の厚さがウエハ面内で不
均一となり、局所的に反り、あるいはうねりが発生しや
すくなる。そのために、最近は主に第３のウエハ自転ダ
ウンフイード方式が採用されている。しかし、この方式
は良好製品が得られるものの、一度に一枚のウエハしか
研削できないので大量生産に適しないという問題があっ
た。そこで本発明は、かかる問題点を解決した半導体ウ
エハの研削方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハの
研削方法は、円周上に回転自在に配設された複数の円盤
状のチャックの表面に半導体ウエハを吸着し、少なくと
も前記円周の大きさを有する円盤状の砥石を前記チャッ
クの回転方向と反対方向に回転し、前記砥石の中心部に
設けられたノズルから水、続いて乾燥用気体を噴出して
半導体ウエハを研削する方法であって、チャックと砥石
を回転軸方向に相対的に接近させてウエハと砥石が接触
している面積を一定に保ちながら複数のウエハを一括し
て所定の厚さまで研削することを特徴とする。
研削方法は、円周上に回転自在に配設された複数の円盤
状のチャックの表面に半導体ウエハを吸着し、少なくと
も前記円周の大きさを有する円盤状の砥石を前記チャッ
クの回転方向と反対方向に回転し、前記砥石の中心部に
設けられたノズルから水、続いて乾燥用気体を噴出して
半導体ウエハを研削する方法であって、チャックと砥石
を回転軸方向に相対的に接近させてウエハと砥石が接触
している面積を一定に保ちながら複数のウエハを一括し
て所定の厚さまで研削することを特徴とする。
【０００５】また本発明の半導体ウエハの研削装置は、
表面に半導体ウエハを吸着して保持し円周上に回転自在
に配設された複数の円盤状のチャックと、少なくとも前
記円周の大きさを有し、前記チャックの回転方向と反対
方向に回転自在に、かつチャックと対向して配設された
円盤状の砥石と、前記砥石の中心部に設けられたノズル
とを備えた半導体ウエハの研削装置であって、チャック
と砥石を回転軸方向に相対的に接近させて接触せしめ、
ノズルから水、続いて乾燥用気体が噴出され、砥石が複
数ウエハの面上を一括して所定の厚さまで研削すること
を特徴とする。
表面に半導体ウエハを吸着して保持し円周上に回転自在
に配設された複数の円盤状のチャックと、少なくとも前
記円周の大きさを有し、前記チャックの回転方向と反対
方向に回転自在に、かつチャックと対向して配設された
円盤状の砥石と、前記砥石の中心部に設けられたノズル
とを備えた半導体ウエハの研削装置であって、チャック
と砥石を回転軸方向に相対的に接近させて接触せしめ、
ノズルから水、続いて乾燥用気体が噴出され、砥石が複
数ウエハの面上を一括して所定の厚さまで研削すること
を特徴とする。
【０００６】前記の装置は、チャックの中心が円周上に
配設されていること、ノズルから水、続いて乾燥用気体
が噴出されること、円周の中心と砥石の中心が一致して
いることを特徴とする。
配設されていること、ノズルから水、続いて乾燥用気体
が噴出されること、円周の中心と砥石の中心が一致して
いることを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記のような構成にすることによって、回転し
ている砥石と接触している複数のウエハは夫々独立に自
転運動をしているので相互に接触する位置関係は変化し
ているものの接触面積は常に一定に保たれる。従って、
各ウエハと砥石との研削抵抗は一定になるのでウエハが
局所的に反りやうねりを発生することはない。また、同
時に複数枚のウエハを研削できるので大量生産に適して
いる。更に、ノズルから水、続いて乾燥用気体が噴出さ
れるので砥石とウエハとの接触面の発熱と研削屑粉が除
去される。
ている砥石と接触している複数のウエハは夫々独立に自
転運動をしているので相互に接触する位置関係は変化し
ているものの接触面積は常に一定に保たれる。従って、
各ウエハと砥石との研削抵抗は一定になるのでウエハが
局所的に反りやうねりを発生することはない。また、同
時に複数枚のウエハを研削できるので大量生産に適して
いる。更に、ノズルから水、続いて乾燥用気体が噴出さ
れるので砥石とウエハとの接触面の発熱と研削屑粉が除
去される。
【０００８】
【実施例】以下、図１、図２を参照して本発明に係わる
実施例を説明する。なお、図面の説明において同一要素
には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１は
本実施例の構成を示す平面図（ａ）と同図のＸーＸ断面
図（ｂ）であり、図２は複数のチャックの位置関係を示
す図である。表面に半導体ウエハ３・・・３を吸着して
保持する８個の円盤状のチャック２・・・２はその中心
が円周５の上にあるようにし、矢印１２の方向に夫々独
立して回転自在に平面上に配設される。チャック２・・
・２には細孔があいており、裏側から真空引きをするこ
とによりウエハ３・・・３をチャックの表面に吸着す
る。
実施例を説明する。なお、図面の説明において同一要素
には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１は
本実施例の構成を示す平面図（ａ）と同図のＸーＸ断面
図（ｂ）であり、図２は複数のチャックの位置関係を示
す図である。表面に半導体ウエハ３・・・３を吸着して
保持する８個の円盤状のチャック２・・・２はその中心
が円周５の上にあるようにし、矢印１２の方向に夫々独
立して回転自在に平面上に配設される。チャック２・・
・２には細孔があいており、裏側から真空引きをするこ
とによりウエハ３・・・３をチャックの表面に吸着す
る。
【０００９】一方、前記円周５の中心軸上に少なくとも
この円周の大きさの円盤状の砥石１の中心が矢印１１に
示すようにチャックと反対方向に回転自在に設けられ
る。この砥石１とチャック２・・・２の上に吸着された
ウエハ３・・・３は矢印２２に示すように回転軸方向に
接近して接触し、ウエハ３・・・３の表面は同時に研削
される。このとき接触面は発熱し、研削屑粉が発生する
のでこれを除去するために冷却水を砥石１の中心部に設
けたノズル４から放射状に吹き付ける。研削が完了する
と水分を除去するためにＮ2ガス等の乾燥用気体をノズ
ル４から吹き付ける。砥石１は砥石基台の表面にダイヤ
モンドが間隙を設けて埋め込まれ、吹き付けられた水は
この間隙を通って砥石を冷却すると同時に屑粉を除去す
る。
この円周の大きさの円盤状の砥石１の中心が矢印１１に
示すようにチャックと反対方向に回転自在に設けられ
る。この砥石１とチャック２・・・２の上に吸着された
ウエハ３・・・３は矢印２２に示すように回転軸方向に
接近して接触し、ウエハ３・・・３の表面は同時に研削
される。このとき接触面は発熱し、研削屑粉が発生する
のでこれを除去するために冷却水を砥石１の中心部に設
けたノズル４から放射状に吹き付ける。研削が完了する
と水分を除去するためにＮ2ガス等の乾燥用気体をノズ
ル４から吹き付ける。砥石１は砥石基台の表面にダイヤ
モンドが間隙を設けて埋め込まれ、吹き付けられた水は
この間隙を通って砥石を冷却すると同時に屑粉を除去す
る。
【００１０】本発明の構成によれば各ウエハ３・・・３
が自転し、これと反対方向に砥石が回転しながら研削す
るが、砥石と８個のウエハが接触している面積は研削さ
れている間中、一定なので研削抵抗は一定でありウエハ
が局部的に反り、あるいはうねりを生ずることがない。
図１の装置を用いて直径３インチのＧｓＡｓウエハを
研削したところ、従来良好品を４００枚／日処理してい
たが２０００枚／日まで処理できるようになった。
が自転し、これと反対方向に砥石が回転しながら研削す
るが、砥石と８個のウエハが接触している面積は研削さ
れている間中、一定なので研削抵抗は一定でありウエハ
が局部的に反り、あるいはうねりを生ずることがない。
図１の装置を用いて直径３インチのＧｓＡｓウエハを
研削したところ、従来良好品を４００枚／日処理してい
たが２０００枚／日まで処理できるようになった。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は自転して
いる複数枚のウエハと反対方向に回転している複数枚の
ウエハと反対方向に回転している砥石とが接触して研削
している間は、その接触面積は一定なので研削抵抗が一
定となり、ウエハは局所的に反り、あるいはうねりを生
ずることがない。また、同時に複数枚のウエハを研削出
来るので大量生産に適している。更に、ノズルから水、
続いて乾燥用気体が噴出されるので砥石とウエハとの接
触面の発熱と研削屑粉が除去される。
いる複数枚のウエハと反対方向に回転している複数枚の
ウエハと反対方向に回転している砥石とが接触して研削
している間は、その接触面積は一定なので研削抵抗が一
定となり、ウエハは局所的に反り、あるいはうねりを生
ずることがない。また、同時に複数枚のウエハを研削出
来るので大量生産に適している。更に、ノズルから水、
続いて乾燥用気体が噴出されるので砥石とウエハとの接
触面の発熱と研削屑粉が除去される。
【００１２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の構成を示す平面図（ａ）と、同図の
ＸーＸ断面図である。
ＸーＸ断面図である。
【図２】複数のチャックの位置関係を示す図である。
【図３】従来のウエハの研削方式を示す平面図（ａ）
と、側面図（ｂ）である。
と、側面図（ｂ）である。
【図４】従来のウエハの研削方式を示す平面図（ａ）
と、側面図（ｂ）である。
と、側面図（ｂ）である。
【図５】従来のウエハの研削方式を示す平面図（ａ）
と、側面図（ｂ）である。
と、側面図（ｂ）である。
１：砥石 ２：チャック ３：ウエハ ４：ノズル ５：円周 １１、１２、２２：矢印
Claims (4)
- 【請求項１】 円周上に回転自在に配設された複数の円
盤状のチャックの表面に半導体ウエハを吸着し、少なく
とも前記円周の大きさを有する円盤状の砥石を前記チャ
ックの回転方向と反対方向に回転し、前記砥石の中心部
に設けられたノズルから水、続いて乾燥用気体を噴出し
て半導体ウエハを研削する方法であって、チャックと砥
石を回転軸方向に相対的に接近させてウエハと砥石が接
触している面積を一定に保ちながら複数のウエハを一括
して所定の厚さまで研削することを特徴とする半導体ウ
エハの研削方法。 - 【請求項２】 表面に半導体ウエハを吸着して保持し円
周上に回転自在に配設された複数の円盤状のチャック
と、少なくとも前記円周の大きさを有し、前記チャック
の回転方向と反対方向に回転自在に、かつチャックと対
向して配設された円盤状の砥石と、前記砥石の中心部に
設けられたノズルとを備えた半導体ウエハの研削装置で
あって、チャックと砥石を回転軸方向に相対的に接近さ
せて接触せしめ、ノズルから水、続いて乾燥用気体が噴
出され、砥石が複数ウエハの面上を一括して所定の厚さ
まで研削することを特徴とする半導体ウエハの研削装
置。 - 【請求項３】チャックの中心が円周上に配設されている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体ウエハの研削装
置。 - 【請求項４】円周の中心と砥石の中心が一致しているこ
とを特徴とする請求項２記載の半導体ウエハの研削装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15641393A JP3316939B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体ウエハの研削方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15641393A JP3316939B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体ウエハの研削方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714808A JPH0714808A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3316939B2 true JP3316939B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=15627210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15641393A Expired - Fee Related JP3316939B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体ウエハの研削方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3316939B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108296920B (zh) * | 2018-01-31 | 2020-09-18 | 江西联创电子有限公司 | 3d玻璃抛光盘及抛光方法 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP15641393A patent/JP3316939B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714808A (ja) | 1995-01-17 |
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Legal Events
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