JP3316290B2 - ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 - Google Patents

ハーメチック被覆光ファイバの製造方法

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JP3316290B2
JP3316290B2 JP00370394A JP370394A JP3316290B2 JP 3316290 B2 JP3316290 B2 JP 3316290B2 JP 00370394 A JP00370394 A JP 00370394A JP 370394 A JP370394 A JP 370394A JP 3316290 B2 JP3316290 B2 JP 3316290B2
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gas
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応炉内に供給する原
料ガスを化学反応させて該反応炉内を通る光ファイバの
表面にハーメチック膜を被覆してハーメチック被覆光フ
ァイバを製造するハーメチック被覆光ファイバの製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のハーメチック被覆光ファ
イバの製造方法としては、線引き直後の光ファイバの表
面に熱ＣＶＤ法により 200〜1000オングストロームの無
機材料層からなるハーメチック膜を被覆してハーメチッ
ク被覆光ファイバを製造することが知られている。
【０００３】このような製造方法により得られるハーメ
チック膜としては、炭素或いは炭素化合物からなるカー
ボン膜が良く知られている。カーボン膜は、原料ガスを
熱分解させることにより光ファイバの表面に形成する。
このようなカーボン膜は、Ｈ２ の侵入をほぼ完全に防
ぐため、石英ガラスに見られるＨ２ Ｏに起因する応力
腐食が起こらず、当然疲労特性も著しく改善される。更
に、カーボン被覆光ファイバの初期強度も通常の光ファ
イバと同等或いはそれ以上の強度のものが製造可能とな
っており、現在は通信線路や光学部品等の分野で使われ
始めている。
【０００４】図１０及び図１１は、従来のこの種のハー
メチック被覆光ファイバの製造方法を実施する装置の概
略構成を示したものである。
【０００５】即ち、従来は、カーボンヒータの如きヒー
タ１を有する線引き炉２内に、例えばコア部にＧｅＯ
２ をドーパントとして添加した光ファイバ母材３の先
端側の部分を配置し、該ヒータ１で加熱溶融された光フ
ァイバ母材３の先端部から例えば外径125 μｍの光ファ
イバ４ａを線引きし、得られた光ファイバ４ａを反応炉
５に通す。
【０００６】反応炉５内には、その上下に仕切り体６
ａ，６ｂを設けてシール室７ａ，７ｂを構成し、これら
シール室７ａ，７ｂには上部シールガス供給口８ａ，下
部シールガス供給口８ｂからＡｒガスの如きシールガス
を供給し、上下の光ファイバ通過孔９ａ，１０ａ、９
ｂ，１０ｂからの外気の侵入を防止する。仕切り体６ａ
の直下に設けた原料ガス供給口１１からは反応炉５内に
アセチレン等の炭化水素ガスからなる原料ガスを供給
し、該反応炉５内の中心を通る光ファイバ４ａに沿って
層流として該原料ガスを流す。このとき光ファイバ４ａ
は線引き直後で加熱状態にあり、この熱で原料ガスが化
学反応を起こして（ハーメチック膜がカーボン膜の場合
には原料ガスが熱分解されて）該反応炉５内を通る光フ
ァイバ４ａの表面にハーメチック膜が被覆されてハーメ
チック被覆光ファイバ４ｂとなる。反応炉５内を下降し
たガスは、仕切り体６ｂの直上に設けた排気口１２から
外部に排気する。
【０００７】反応炉５で得られたハーメチック被覆光フ
ァイバ４ｂは、外径測定器１３で外径を測定した後、樹
脂被覆器１４に通してその表面に樹脂を被覆し、例えば
外径が250 μｍの光ファイバ心線４ｃとなる。
【０００８】得られた光ファイバ心線４ｃは、樹脂硬化
炉１５に通して被覆樹脂を硬化させた後、外径測定器１
６で外径を測定し、しかる後、引取りキャプスタン１７
で引取りつつ図示しない巻取り機で巻き取る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のハー
メチック被覆光ファイバの製造方法では、原料ガスは反
応炉５内で光ファイバ４ａの表面に沿って層流として流
れ、その過程で化学反応が起こり光ファイバ４ａの表面
にハーメチック膜が形成されるので、下流側になるにつ
れて原料ガスの濃度が低下してしまうことになる。原料
ガスの濃度が低下している光ファイバ４ａの箇所では、
反応速度が低下し、反応炉５内の下流側ではハーメチッ
ク膜の成膜速度が著しく低下する問題点があった。ま
た、従来の方法では、反応炉５内に供給される原料ガス
のうちハーメチック膜の成膜に利用されるのは、光ファ
イバ４ａの近傍に流れるガスのみであり、他の大部分の
原料ガスは排気ガスとして反応炉５の外に排出されてし
まい、原料ガスの利用効率が悪い問題点があった。更
に、従来の方法では、上記のような理由でハーメチック
被覆光ファイバ４ｂの表面のハーメチック膜の膜厚が所
定の厚みにできない場合には、多量の原料ガスを反応炉
５内に供給するか、或いは該反応炉５の長さを長くして
いたが、前者では原料ガスの利用効率がますます悪化す
る問題点があり、後者では装置が大型化する問題点があ
った。
【００１０】本発明の目的は、反応炉内の光ファイバの
表面での原料ガス濃度の低下を防止できるハーメチック
被覆光ファイバの製造方法を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、例えば不活性ガスの
如き消費する手段を用いずに反応炉内の光ファイバの表
面での原料ガス濃度の低下を防止できるハーメチック被
覆光ファイバの製造方法を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、ガスを用いて反応炉
内の光ファイバの表面での原料ガス濃度の低下を防止で
きるハーメチック被覆光ファイバの製造方法を提供する
ことにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の手段を説明すると、次の通りである。
【００１４】本発明は、光ファイバを反応炉に通しつ
つ、該反応炉内に供給する原料ガスを化学反応させて前
記光ファイバの表面にハーメチック膜を被覆してハーメ
チック被覆光ファイバを製造するハーメチック被覆光フ
ァイバの製造方法を対象としている。
【００１５】本発明は、このようなハーメチック被覆光
ファイバの製造方法において、反応炉内で少なくとも光
ファイバの表面近傍の原料ガスの流れを乱すことを特徴
とする。
【００１６】また本発明は、このようなハーメチック被
覆光ファイバの製造方法において、反応炉内に例えば原
料ガスの流れ方向に対し交差する向きに突出する原料ガ
ス流れ乱し具を設け、該原料ガス流れ乱し具により少な
くとも光ファイバの表面近傍の原料ガスの流れを乱すこ
とを特徴とする。
【００１７】この場合、原料ガス流れ乱し具としては、
リング状円盤よりなり、その中心にファイバ貫通孔が設
けられ、該ファイバ貫通孔の周囲の該原料ガス流れ乱し
具に複数のガス通過孔が設けられた構造のもの、反応炉
内に突出する突起物や凹凸からなるもの、反応炉の内径
を長手方向にテーパ状に小さく変化させて形勢したり、
ファン等の撹拌具等で構成することができる。
【００１８】また本発明は、反応炉の長手方向の途中に
設けたガス吹き込み部から該反応炉内にガスを吹き込む
ことにより、少なくとも光ファイバの表面近傍の原料ガ
スの流れを乱すことを特徴とする。
【００１９】この場合、ガスとしては、例えばＡｒガス
や窒素ガスの如き不活性ガス、或いは原料ガスを用い
る。
【００２０】
【作用】本発明のように、反応炉内で少なくとも光ファ
イバの表面近傍の原料ガスの流れを乱すと、光ファイバ
の表面近傍での原料ガス濃度の低下を防止できる。従っ
て、反応速度が速くなり、成膜速度の低下を防止でき、
短時間で効率よくハーメチック被覆光ファイバを製造で
きる。また、本発明によれば、原料ガスの利用効率を高
めることができる。更に、本発明によれば、反応炉の大
型化を最小限に止めることができる。
【００２１】また、反応炉内に例えば原料ガスの流れ方
向に対し交差する向きに突出する原料ガス流れ乱し具を
設けて、該原料ガス流れ乱し具により少なくとも光ファ
イバの表面近傍の原料ガスの流れを乱すと、ガス等の消
費する手段を用いずに反応炉内の光ファイバの表面での
原料ガス濃度の低下を防止できる。ガス等の消費する手
段を用いないで、低コストでハーメチック被覆光ファイ
バの製造を行うことができる。
【００２２】原料ガス流れ乱し具として、リング状円盤
よりなり、その中心にファイバ貫通孔が設けられ、該フ
ァイバ貫通孔の周囲の該原料ガス流れ乱し具に複数のガ
ス通過孔が設けられた構造のものを用いると、原料ガス
流れを可及的に阻害しないようにして少なくとも光ファ
イバの表面近傍の原料ガスの流れを乱すことができる。
【００２３】原料ガス流れ乱し具として、反応炉内に突
出する突起物や凹凸からなるものを用いると、簡単に原
料ガス流れ乱し具を構成できる。
【００２４】原料ガス流れ乱し具として、反応炉の内径
を長手方向にテーパ状に小さく変化させて形勢したもの
を用いると、反応炉の構造を複雑化しないで実施でき
る。
【００２５】原料ガス流れ乱し具として、ファン等の撹
拌具を用いると、撹拌具の動きを可変することにより原
料ガスの流れの乱だし加減を適宜選択できる。
【００２６】また、反応炉の長手方向の途中に設けたガ
ス吹き込み部から該反応炉内にガスを吹き込むことによ
り少なくとも光ファイバの表面近傍の原料ガスの流れを
乱すと、ガスを用いて光ファイバの表面近傍の原料ガス
の流れを乱すことができる。この場合には、反応炉内に
突出する原料ガス流れ乱し具等を用いないので、該原料
ガス流れ乱し具等に反応生成物が付着することによる清
掃の問題点を回避してハーメチック被覆光ファイバの製
造を行うことができる。
【００２７】この場合、ガス吹き込み部から該反応炉内
に吹き込むガスとして不活性ガスを用いると、原料ガス
と交じり合っても反応が起こらず、ハーメチック膜の形
成に悪影響を及ぼさずに光ファイバの表面近傍での原料
ガス濃度の低下を防止できる。
【００２８】また、ガス吹き込み部から該反応炉内に吹
き込むガスとして原料ガスを用いると、光ファイバの表
面近傍に新たに濃度の高い原料ガスを補給でき、不活性
ガスを用いる場合よりも原料ガス濃度の低下を防止しつ
つ、ハーメチック膜の形成を一層効率よく行える。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を参照して詳細に
説明する。なお、前述した図１１と対応する部分には、
同一符号を付けて示している。各実施例においては、発
明の要部をなすハーメチック膜の成膜を行う反応炉５の
構成に付いて示している。その他の構成は、前述した図
１０と同様になっている。
【００３０】図１及び図２は、本発明に係るハーメチッ
ク被覆光ファイバの製造方法を実施する装置の第１実施
例を示したものである。本実施例のハーメチック被覆光
ファイバの製造装置で用いている反応炉５は、上部の光
ファイバ通過孔１０ａから排気口１２までの長さが250
mmあり、該反応炉５内には上部の光ファイバ通過孔１０
ａから150 mmの位置に原料ガスの流れ方向に対し交差す
る向きに突出するリング状円盤よりなる原料ガス流れ乱
し具１８が設けられている。該リング状円盤よりなる原
料ガス流れ乱し具１８は、直径が30mmで、その中心に直
径が10mmのファイバ貫通孔１８ａが設けられ、該ファイ
バ貫通孔１８ａの周囲の原料ガス流れ乱し具１８には直
径が8 mmのガス通過孔１８ｂが８個設けられた構造にな
っている。
【００３１】このような反応炉５を用いたハーメチック
被覆光ファイバの製造装置でハーメチック被覆光ファイ
バの製造を行うに際し、該反応炉５内の軸心を貫通する
光ファイバ４ａに沿って上部から下部に層流として原料
ガスを流す。該原料ガスは流下する過程で該原料ガス流
れ乱し具１８に当たって少なくとも光ファイバ４ａの表
面近傍の該原料ガスの流れを乱す。
【００３２】これにより、即ち原料ガスを撹拌すること
により、光ファイバ４ａの表面近傍での原料ガス濃度の
低下を防止できる。従って、反応速度が速くなり、成膜
速度の低下を防止でき、短時間で効率よくハーメチック
被覆光ファイバ４ｂを製造できる。特に、本実施例のよ
うな原料ガス流れ乱し具１８を用いた場合には、後述す
るガス等の消費する手段を用いずに反応炉５内の光ファ
イバ４ａの表面での原料ガス濃度の低下を防止できる。
このため、低コストでハーメチック被覆光ファイバの製
造を行うことができる。
【００３３】この第１実施例の製造条件と特性試験結果
を表１に示す。
【００３４】図３及び図４は、本発明に係るハーメチッ
ク被覆光ファイバの製造方法を実施する装置の第２実施
例を示したものである。本実施例のハーメチック被覆光
ファイバの製造装置で用いている反応炉５も、上部の光
ファイバ通過孔１０ａから排気口１２までの長さが250
mmあり、該反応炉５内には上部の光ファイバ通過孔１０
ａから150 mmの位置に、周方向の90°間隔で４個のガス
吹き込み部１９が設けられている。これらガス吹き込み
部１９は、反応炉５の内周に接線方向に、しかも斜め下
向きにガスを吹き込むように設けられている。
【００３５】このような反応炉５を用いたハーメチック
被覆光ファイバの製造装置でハーメチック被覆光ファイ
バの製造を行うに際し、該反応炉５内の軸心を貫通する
光ファイバ４ａに沿って上部から下部に層流として原料
ガスを流す。該原料ガスが流下する過程で、各ガス吹き
込み部１９から該反応炉５の内周に接線方向に、しかも
斜め下向きに不活性ガスの一種であるＡｒガスを例えば
0.5 l/min の割合で吹き込み、該Ａｒガスにより少なく
とも光ファイバ４ａの表面近傍の原料ガスの流れを乱
す。
【００３６】これにより原料ガスが撹拌されて、光ファ
イバ４ａの表面近傍での原料ガス濃度の低下を防止でき
る。従って、反応速度が速くなり、成膜速度の低下を防
止でき、短時間で効率よくハーメチック被覆光ファイバ
４ｂを製造できる。特に、本実施例のようなガス吹き込
み部１９を用いた場合には、反応炉５内に突出する原料
ガス流れ乱し具１８等を用いないので、該原料ガス流れ
乱し具１８等に反応生成物が付着することによる清掃の
問題点を回避してハーメチック被覆光ファイバ４ｂの製
造を行うことができる。
【００３７】この第２実施例の製造条件と特性試験結果
を表１に示す。
【００３８】図５〜図７は、本発明に係るハーメチック
被覆光ファイバの製造方法を実施する装置の第３実施例
を示したものである。本実施例のハーメチック被覆光フ
ァイバの製造装置で用いている反応炉５は、図１及び図
２に示す第１実施例と、図３及び図４に示す第２実施例
とを組み合わせた例を示したものである。この場合、ガ
ス吹き込み部１９が原料ガス流れ乱し具１８より上流側
（上側）に設けられている。
【００３９】このように図１及び図２に示す第１実施例
と、図３及び図４に示す第２実施例とを組み合わせる
と、光ファイバ４ａの表面近傍での原料ガス濃度の低下
をより一層防止できる。
【００４０】特にこのようにガス吹き込み部１９を原料
ガス流れ乱し具１８より上流側に設け、該ガス吹き込み
部１９から反応炉５の内周に接線方向に、しかも斜め下
向きに不活性ガスを吹き込むと、反応炉５の内周に沿っ
て渦をまいて下降する不活性ガスの一部が原料ガス流れ
乱し具１８の上面及び各孔１８ａ，１８ｂの表面を洗う
ので、該原料ガス流れ乱し具１８に反応生成物が付着す
るのを防止でき、該原料ガス流れ乱し具１８の清掃回数
を減らすことができる。
【００４１】図８は、本発明に係るハーメチック被覆光
ファイバの製造方法を実施する装置の第４実施例を示し
たものである。本実施例のハーメチック被覆光ファイバ
の製造装置において用いている反応炉５も、上部の光フ
ァイバ通過孔１０ａから排気口１２までの長さが250 mm
あり、該反応炉５内には上部の光ファイバ通過孔１０ａ
から150 mmの位置に、１個のガス吹き込み部２０が設け
られている。該ガス吹き込み部２０は、反応炉５を通過
する光ファイバ４ａにガスを吹き付けるように設けられ
ている。
【００４２】このような反応炉５を用いたハーメチック
被覆光ファイバの製造装置でハーメチック被覆光ファイ
バの製造を行うに際し、該反応炉５を通過する光ファイ
バ４ａに反応炉５内の軸心を貫通する光ファイバ４ａに
沿って上部から下部に層流として原料ガスを流す。該原
料ガスが流下する過程で、ガス吹き込み部２０から反応
炉５内に光ファイバ４ａに向けて原料ガスを吹き込み、
該原料ガスにより少なくとも光ファイバ４ａの表面近傍
の原料ガスの流れを乱す。
【００４３】これにより光ファイバ４ａの表面近傍に濃
度の高い原料ガスが供給され、該光ファイバ４ａの表面
近傍での原料ガス濃度の低下を防止できる。特に、この
場合には新たにガス吹き込み部２０から濃度の高い原料
ガスが吹き込まれるので、光ファイバ４ａの表面近傍で
の原料ガス濃度が上がる。従って、不活性ガスであるＡ
ｒガスを吹き込む第２実施例より反応速度が速くなり、
第２実施例より短い時間で効率よくハーメチック被覆光
ファイバ４ｂを製造できる。また、本実施例の場合も、
反応炉５内に突出する原料ガス流れ乱し具１８等を用い
ないので該原料ガス流れ乱し具１８等に反応生成物が付
着することによる清掃の問題点を回避してハーメチック
被覆光ファイバ４ｂの製造を行うことができる。
【００４４】この第４実施例の製造条件と特性試験結果
を表１に示す。
【００４５】この場合も、第３実施例と同様に、第１実
施例と組み合わせて実施することができる。このように
すると、上流のガス吹き込み部１９から原料ガスが吹き
込まれるので、第３実施例より効率よくハーメチック被
覆光ファイバ４ｂの製造を行うことができる。
【００４６】図９は、本発明に係るハーメチック被覆光
ファイバの製造方法を実施する装置の第５実施例を示し
たものである。本実施例のハーメチック被覆光ファイバ
の製造装置の反応炉５は、その長手方向の途中の外壁に
振動体として超音波振動子２２が取り付けられている。
【００４７】このような反応炉５を用いたハーメチック
被覆光ファイバの製造装置でハーメチック被覆光ファイ
バの製造を行うに際し、該反応炉５を通過する光ファイ
バ４ａに反応炉５内の軸心を貫通する光ファイバ４ａに
沿って上部から下部に層流として原料ガスを流す。この
際、超音波振動子２２の作動により、反応炉５を超音波
振動させ該反応炉５内の原料ガスを撹拌することによ
り、光ファイバ４ａの表面近傍で層流となって流れてい
る原料ガスの濃度の低い気相部分に、その外側の濃度の
高い気相部分から原料ガスを供給する。
【００４８】これにより原料ガスを撹拌し、光ファイバ
４ａの表面近傍での原料ガス濃度の低下を防止できる。
特に、この場合には超音波振動子２２の振動数を適宜に
選定することにより、効率よく反応炉５内の原料ガスを
撹拌することができる。
【００４９】このような振動体２２の振動によるハーメ
チック被覆光ファイバの製造方法は、第１，第２，第
３，第４実施例の各方法と併用すると、これら各実施例
の方法をより効率よく実施できる。
【００５０】比較例１，２として、原料ガス流れ乱し具
１８が設けられていない点以外は図１と同じ形状の図１
１に示す反応炉５を用いて形成したハーメチック被覆光
ファイバの製造条件と特性試験結果を表１に示す。
【００５１】また比較例３として、図１２に示すように
図１１より長い反応炉５、具体的には上部の光ファイバ
通過孔１０ａから排気口１２までの長さが 700mmの反応
炉５を用いて形成したハーメチック被覆光ファイバの製
造条件と特性試験結果を表１に示す。
【００５２】表１に製造条件と特性試験結果を記載した
実施例，比較例とも、線引き炉２の温度は2000℃、紡糸
速度は６ｍ／sec で、同一条件であり、反応炉５の上端
部と線引き炉２の下端部との間の距離を同じにし、且つ
上部シール室７ａへのシールガス供給量も同じにし、熱
分解反応開始部での光ファイバ４ａの表面温度を同じに
した。また、原料ガスの組成は、いずれの実施例，比較
例でも同じアセチレンガスにした。
【００５３】
【表１】 各実施例と各比較例から明らかなように、本発明の方法
を用いることによって、原料ガスの使用量を大幅に削減
しながら、十分な膜厚をもち、十分な機械的強度を有す
るハーメチック被覆光ファイバを製造することが可能と
なる。また、比較例１，３と実施例から明らかなように
本発明の方法をとることにより、反応炉５を小型化しな
がら、十分な膜厚をもち、十分な初期強度、十分な疲労
特性と耐水素特性を有したハーメチック被覆光ファイバ
を製造することが可能となる。
【００５４】原料ガス流れ乱し具１８としては、図１及
び図２に示したリング状円盤以外に、反応炉５内に突出
する突起物や凹凸を設けたり、或いは反応炉５の内径を
長手方向にテーパ状に変化させたり、ファン等の撹拌具
を用いることもできる。
【００５５】ガス吹き込み部１９，２０は、上記各実施
例では１段であったが、長手方向に複数段設けることも
できる。
【００５６】特許請求の範囲に記載された発明以外の本
明細書に記載された発明の態様と効果を示すと、次の通
りである。
【００５７】反応炉の上流側にガス吹き込み部を設けて
該反応炉内の内周の接線方向に斜め下向きにガスを吹き
込み、このガス吹き込み部より下流側の反応炉内に原料
ガス流れ乱し具を設け、これらにより少なくとも光ファ
イバの表面近傍の原料ガスの流れを乱す。
【００５８】このようにすると、ガス吹き込み部から該
反応炉内に吹き込まれるガスが該反応炉の内周に沿って
渦をまいて下降する過程で原料ガス流れ乱し具の表面を
洗うので、該原料ガス流れ乱し具に反応生成物が付着す
るのを防止でき、該原料ガス流れ乱し具の清掃回数を減
らすことができる。
【００５９】この場合、ガス吹き込み部からは不活性ガ
ス又は原料ガスを吹き込む。原料ガスを吹き込むと、反
応速度がより一層速くなり、成膜速度が速くなり、より
短時間に効率よくハーメチック被覆光ファイバの製造が
行え、高速の光ファイバの紡糸に対応してハーメチック
被覆光ファイバの製造を行うことができる。
【００６０】また、前記各実施例ではカーボン被覆の例
のみ説明したが、ハーメチック被覆としてはＳｉ３ Ｎ
４ 被覆があり、この場合に使用する原料ガスとしては
（ＳｉＣｌ４ ＋ＮＨ３ ）がある。本発明は、これら
のハーメチック被覆光ファイバにも使用できることは言
うまでもない。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
記のような優れた効果を得ることができる。
【００６２】本発明では、反応炉内で少なくとも光ファ
イバの表面近傍の原料ガスの流れを乱すので、光ファイ
バの表面近傍での原料ガス濃度の低下を防止できる。従
って、反応速度が速くなり、成膜速度の低下を防止で
き、短時間で効率よくハーメチック被覆光ファイバを製
造できる。特に本発明によれば、限られた時間内で十分
な原料ガスの反応が起こるので、より高速の線引きに対
応させてハーメチック被覆光ファイバの製造を行うこと
ができる。また、本発明によれば、原料ガスの利用効率
を高めることができる。更に、本発明によれば、反応炉
の大型化を最小限に止めることができる。
【００６３】また、反応炉内に例えば原料ガスの流れ方
向に対し交差する向きに突出する原料ガス流れ乱し具を
設けて、該原料ガス流れ乱し具により少なくとも光ファ
イバの表面近傍の原料ガスの流れを乱しているので、ガ
ス等の消費する手段を用いずに反応炉内の光ファイバの
表面での原料ガス濃度の低下を防止できる。ガス等の消
費する手段を用いないで、低コストでハーメチック被覆
光ファイバの製造を行うことができる。
【００６４】また、反応炉の長手方向の途中に設けたガ
ス吹き込み部から該反応炉内にガスを吹き込むことによ
り少なくとも光ファイバの表面近傍の原料ガスの流れを
乱してるので、ガスを用いて光ファイバの表面近傍の原
料ガスの流れを乱すことができる。この場合には、反応
炉内に突出する原料ガス流れ乱し具等を用いないので、
該原料ガス流れ乱し具等に反応生成物が付着することに
よる清掃の問題点を回避してハーメチック被覆光ファイ
バの製造を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るハーメチック被覆光ファイバの製
造方法を実施する装置の第１実施例における反応炉の縦
断端面図である。
【図２】第１実施例で用いている原料ガス流れ乱し具の
平面図である。
【図３】本発明に係るハーメチック被覆光ファイバの製
造方法を実施する装置の第２実施例における反応炉の縦
断端面図である。
【図４】第２実施例で用いているガス吹き込み部部分の
横断端面図である。
【図５】本発明に係るハーメチック被覆光ファイバの製
造方法を実施する装置における反応炉の第３実施例の縦
断端面図である。
【図６】第３実施例で用いているガス吹き込み部部分の
横断端面図である。
【図７】第３実施例で用いている原料ガス流れ乱し具の
平面図である。
【図８】本発明に係るハーメチック被覆光ファイバの製
造方法を実施する装置における反応炉の第４実施例の縦
断端面図である。
【図９】本発明に係るハーメチック被覆光ファイバの製
造方法を実施する装置の第５実施例における反応炉の縦
断端面図である。
【図１０】従来のハーメチック被覆光ファイバの製造装
置の概略構成を示す縦断端面図である。
【図１１】従来のハーメチック被覆光ファイバの製造装
置における反応炉の一つの例を示す縦断端面図である。
【図１２】従来のハーメチック被覆光ファイバの製造装
置における反応炉の他の例を示す縦断端面図である。
【符号の説明】
１ ヒータ ２ 線引き炉 ３ 光ファイバ母材 ４ａ 光ファイバ ４ｂ ハーメチック被覆光ファイバ ４ｃ 光ファイバ心線 ５ 反応炉 ６ａ，６ｂ 仕切り体 ７ａ，７ｂ シール室 ８ａ 上部シールガス供給口 ８ｂ 下部シールガス供給口 ９ａ，９ｂ 光ファイバ通過孔 １０ａ，１０ｂ 光ファイバ通過孔 １１ 原料ガス供給口 １２ 排気口 １３ 外径測定器 １４ 樹脂被覆器 １５ 樹脂硬化炉 １６ 外径測定器 １７ 引取りキャプスタン １８ 原料ガス流れ乱し具 １８ａ ファイバ貫通孔 １８ｂ ガス通過孔 １９ ガス吹き込み部 ２０ ガス吹き込み部 ２２ 超音波振動子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03C 25/42 G02B 6/44 301

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光ファイバを反応炉に通しつつ、該反応
    炉内に供給する原料ガスを化学反応させて前記光ファイ
    バの表面にハーメチック膜を被覆してハーメチック被覆
    光ファイバを製造するハーメチック被覆光ファイバの製
    造方法において、 前記反応炉内で少なくとも前記光ファイバの表面近傍の
    前記原料ガスの流れを乱すことを特徴とするハーメチッ
    ク被覆光ファイバの製造方法。
  2. 【請求項２】 光ファイバを反応炉に通しつつ、該反応
    炉内に供給する原料ガスを化学反応させて前記光ファイ
    バの表面にハーメチック膜を被覆してハーメチック被覆
    光ファイバを製造するハーメチック被覆光ファイバの製
    造方法において、 前記反応炉内に原料ガス流れ乱し具を設け、該原料ガス
    流れ乱し具により少なくとも前記光ファイバの表面近傍
    の前記原料ガスの流れを乱すことを特徴とするハーメチ
    ック被覆光ファイバの製造方法。
  3. 【請求項３】 光ファイバを反応炉に通しつつ、該反応
    炉内に供給する原料ガスを化学反応させて前記光ファイ
    バの表面にハーメチック膜を被覆してハーメチック被覆
    光ファイバを製造するハーメチック被覆光ファイバの製
    造方法において、 前記反応炉の長手方向の途中に設けたガス吹き込み部か
    ら該反応炉内にガスを吹き込むことにより少なくとも前
    記光ファイバの表面近傍の前記原料ガスの流れを乱すこ
    とを特徴とするハーメチック被覆光ファイバの製造方
    法。
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