JP2583392B2 - ハーメチックコート光ファイバの製造方法 - Google Patents
ハーメチックコート光ファイバの製造方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/12—General methods of coating; Devices therefor
- C03C25/22—Deposition from the vapour phase
- C03C25/223—Deposition from the vapour phase by chemical vapour deposition or pyrolysis
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- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハーメチックコート光
ファイバの製造方法に関するものである。
ファイバの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハーメチックコート光ファイバは、石英
ガラス等からなる光ファイバの表面に炭素や炭化物など
の無機物からなるハーメチック被膜を形成したものであ
る。ハーメチック被膜を形成すると、水中等の多湿環境
下において光ファイバを水分から遮断することができる
ので、水分吸収による光伝送損失の増大を防止でき、ま
た水分による光ファイバ表面のクラックの拡大が抑制さ
れるので、光ファイバの機械的強度の低下を防止でき
る。このようなことからハーメチックコート光ファイバ
は、海底ケーブル用など高度の耐環境性が要求される光
ファイバとして近年注目され、一部で実用化されつつあ
る。
ガラス等からなる光ファイバの表面に炭素や炭化物など
の無機物からなるハーメチック被膜を形成したものであ
る。ハーメチック被膜を形成すると、水中等の多湿環境
下において光ファイバを水分から遮断することができる
ので、水分吸収による光伝送損失の増大を防止でき、ま
た水分による光ファイバ表面のクラックの拡大が抑制さ
れるので、光ファイバの機械的強度の低下を防止でき
る。このようなことからハーメチックコート光ファイバ
は、海底ケーブル用など高度の耐環境性が要求される光
ファイバとして近年注目され、一部で実用化されつつあ
る。
【０００３】このようなハーメチックコート光ファイバ
を製造する方法としては、線引直後の高温の光ファイバ
を、炭化水素（主としてアセチレンガス）を含むガス中
に導入し、そのガスの熱分解反応により光ファイバ表面
にカーボンのハーメチック被膜を形成するというのが一
般的である。
を製造する方法としては、線引直後の高温の光ファイバ
を、炭化水素（主としてアセチレンガス）を含むガス中
に導入し、そのガスの熱分解反応により光ファイバ表面
にカーボンのハーメチック被膜を形成するというのが一
般的である。
【０００４】図１にその方法の一例を示す。線引炉２で
加熱された光ファイバ母材１は線引されて裸の光ファイ
バ３Ａとなる。得られた光ファイバ３Ａは、外径測定器
４を通過した後、熱ＣＶＤ反応炉５に入る。反応炉５内
には、外部のマスフローコントローラ６を通してＣ2 Ｈ
2 等の原料ガスと、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2 等の希釈ガスが供
給されている。反応炉５内は必要に応じ加熱する場合も
ある。
加熱された光ファイバ母材１は線引されて裸の光ファイ
バ３Ａとなる。得られた光ファイバ３Ａは、外径測定器
４を通過した後、熱ＣＶＤ反応炉５に入る。反応炉５内
には、外部のマスフローコントローラ６を通してＣ2 Ｈ
2 等の原料ガスと、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2 等の希釈ガスが供
給されている。反応炉５内は必要に応じ加熱する場合も
ある。
【０００５】反応炉５に導入された光ファイバ３Ａはま
だ高温の状態にあるので、その熱で反応炉５内では熱Ｃ
ＶＤ反応が起こり、光ファイバ３Ａの表面にカーボンの
ハーメチック被膜（厚さ５００Å前後）が形成される。
このようにして得られたハーメチックコート光ファイバ
３は、被覆ダイス８で樹脂を被覆された後、巻取り機９
に巻き取られる。
だ高温の状態にあるので、その熱で反応炉５内では熱Ｃ
ＶＤ反応が起こり、光ファイバ３Ａの表面にカーボンの
ハーメチック被膜（厚さ５００Å前後）が形成される。
このようにして得られたハーメチックコート光ファイバ
３は、被覆ダイス８で樹脂を被覆された後、巻取り機９
に巻き取られる。
【０００６】図２は熱ＣＶＤ反応炉５の詳細を示す。反
応炉５は炉内に原料ガスおよび希釈ガスを供給する原料
ガス導入口１２と、熱ＣＶＤ反応後のガスを炉外に排出
する排気口１３を有している。また反応炉５には光ファ
イバ３Ａの入口と、ハーメチックコート光ファイバ３の
出口があるので、この入口および出口から原料ガスおよ
び希釈ガスが外部に漏れたり、あるいは炉内に空気が侵
入したりするのを防止する必要がある。このため反応炉
５には、入口側のシールガス導入口１０と、出口側のシ
ールガス導入口１１が設けられ、その各々からＨｅ、Ａ
ｒ、Ｎ2 等のシールガス（混合ガスではなく単体）を供
給して、反応炉５内を外気から遮断している。
応炉５は炉内に原料ガスおよび希釈ガスを供給する原料
ガス導入口１２と、熱ＣＶＤ反応後のガスを炉外に排出
する排気口１３を有している。また反応炉５には光ファ
イバ３Ａの入口と、ハーメチックコート光ファイバ３の
出口があるので、この入口および出口から原料ガスおよ
び希釈ガスが外部に漏れたり、あるいは炉内に空気が侵
入したりするのを防止する必要がある。このため反応炉
５には、入口側のシールガス導入口１０と、出口側のシ
ールガス導入口１１が設けられ、その各々からＨｅ、Ａ
ｒ、Ｎ2 等のシールガス（混合ガスではなく単体）を供
給して、反応炉５内を外気から遮断している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ハーメチックコート光
ファイバの製造を長時間続けると、反応炉５の内壁には
排出されなかったカーボン等の反応生成物７が堆積す
る。この反応生成物７の堆積が多くなると、反応炉５内
のガスの流れが変化したり、反応炉７内に浮遊する反応
生成物が増加したりして、反応条件が変化する。光ファ
イバの表面に生成されるハーメチック被膜は炉内の反応
条件により著しくその特性が変化するため、反応炉内壁
への反応生成物の堆積が進むと、製造されるハーメチッ
クコート光ファイバの長手方向の特性が変化するという
問題が生じる。
ファイバの製造を長時間続けると、反応炉５の内壁には
排出されなかったカーボン等の反応生成物７が堆積す
る。この反応生成物７の堆積が多くなると、反応炉５内
のガスの流れが変化したり、反応炉７内に浮遊する反応
生成物が増加したりして、反応条件が変化する。光ファ
イバの表面に生成されるハーメチック被膜は炉内の反応
条件により著しくその特性が変化するため、反応炉内壁
への反応生成物の堆積が進むと、製造されるハーメチッ
クコート光ファイバの長手方向の特性が変化するという
問題が生じる。
【０００８】特にハーメチックコート光ファイバは、光
海底ケーブルのような１条長が極めて長いケーブルに使
用される可能性が高いため、長手方向の特性の変動を小
さく抑えることは重要な課題である。
海底ケーブルのような１条長が極めて長いケーブルに使
用される可能性が高いため、長手方向の特性の変動を小
さく抑えることは重要な課題である。
【０００９】
【課題を解決するための手段とその作用】反応炉内壁へ
の反応生成物の堆積などによる反応条件の変化に対し
て、ハーメチック被膜の膜厚や膜質（粒子の細かさ等）
をほぼ均一に保つためには、熱ＣＶＤ反応の反応温度を
制御することが有効である。前述のように反応炉内では
主として光ファイバ自身の熱で原料ガスを熱分解してい
るので、光ファイバの温度を制御すれば反応温度を制御
することが可能である。
の反応生成物の堆積などによる反応条件の変化に対し
て、ハーメチック被膜の膜厚や膜質（粒子の細かさ等）
をほぼ均一に保つためには、熱ＣＶＤ反応の反応温度を
制御することが有効である。前述のように反応炉内では
主として光ファイバ自身の熱で原料ガスを熱分解してい
るので、光ファイバの温度を制御すれば反応温度を制御
することが可能である。
【００１０】光ファイバの温度を制御する手段として
は、線引炉内温度または線引速度を変化させることが一
般に考えられるが、この方法は、線引炉内温度または線
引速度を変化させると、光ファイバの温度だけでなく外
径や伝送特性も変動してしまうので、実用化が困難であ
る。
は、線引炉内温度または線引速度を変化させることが一
般に考えられるが、この方法は、線引炉内温度または線
引速度を変化させると、光ファイバの温度だけでなく外
径や伝送特性も変動してしまうので、実用化が困難であ
る。
【００１１】そこで本発明者は、反応炉の光ファイバの
入口側に供給されているシールガスに着目した。このシ
ールガスは光ファイバを冷却する効果がある。線引炉を
出て熱ＣＶＤ反応炉に入る光ファイバの温度は１０００
℃以上の高温になっている。この光ファイバにシールガ
スを吹きつけると、光ファイバの温度が低下する。この
シールガスによる光ファイバの冷却効果を変化させれ
ば、光ファイバの温度ひいては熱ＣＶＤ反応の反応温度
を制御することが可能となる。
入口側に供給されているシールガスに着目した。このシ
ールガスは光ファイバを冷却する効果がある。線引炉を
出て熱ＣＶＤ反応炉に入る光ファイバの温度は１０００
℃以上の高温になっている。この光ファイバにシールガ
スを吹きつけると、光ファイバの温度が低下する。この
シールガスによる光ファイバの冷却効果を変化させれ
ば、光ファイバの温度ひいては熱ＣＶＤ反応の反応温度
を制御することが可能となる。
【００１２】本発明の基本的な構成は、線引直後の光フ
ァイバを熱ＣＶＤ反応炉に通して光ファイバ表面にハー
メチック被膜を形成するハーメチックコート光ファイバ
の製造方法において、熱ＣＶＤ反応炉の入口側のシール
ガスによる光ファイバの冷却効果を、時間の経過に応じ
て低下させることを特徴とする。
ァイバを熱ＣＶＤ反応炉に通して光ファイバ表面にハー
メチック被膜を形成するハーメチックコート光ファイバ
の製造方法において、熱ＣＶＤ反応炉の入口側のシール
ガスによる光ファイバの冷却効果を、時間の経過に応じ
て低下させることを特徴とする。
【００１３】シールガスによる冷却効果を一定にしてハ
ーメチックコート光ファイバを連続的に製造する場合、
時間の経過と共にハーメチック被膜が徐々に薄くなる傾
向がある。シールガスによる冷却効果を、時間の経過に
応じて低下させると、反応炉を通過する光ファイバの温
度が上昇し、熱ＣＶＤ反応が促進されるので、ハーメチ
ック被膜が厚くつくようになり、ハーメチック被膜が時
間の経過と共に薄くなるのを防止できる。
ーメチックコート光ファイバを連続的に製造する場合、
時間の経過と共にハーメチック被膜が徐々に薄くなる傾
向がある。シールガスによる冷却効果を、時間の経過に
応じて低下させると、反応炉を通過する光ファイバの温
度が上昇し、熱ＣＶＤ反応が促進されるので、ハーメチ
ック被膜が厚くつくようになり、ハーメチック被膜が時
間の経過と共に薄くなるのを防止できる。
【００１４】本発明のさらに具体的な構成は、熱ＣＶＤ
法によるハーメチックコート光ファイバの製造方法にお
いて、熱ＣＶＤ反応炉を出たハーメチックコート光ファ
イバのハーメチック被膜の膜厚を測定し、膜厚が所定の
厚さより薄いときは熱ＣＶＤ反応炉の入口側のシールガ
スによる光ファイバの冷却効果を低下させ、厚いときは
同シールガスによる光ファイバの冷却効果を向上させる
制御を行うことを特徴とする。
法によるハーメチックコート光ファイバの製造方法にお
いて、熱ＣＶＤ反応炉を出たハーメチックコート光ファ
イバのハーメチック被膜の膜厚を測定し、膜厚が所定の
厚さより薄いときは熱ＣＶＤ反応炉の入口側のシールガ
スによる光ファイバの冷却効果を低下させ、厚いときは
同シールガスによる光ファイバの冷却効果を向上させる
制御を行うことを特徴とする。
【００１５】この方法では、形成されたハーメチック被
膜の厚さを確認しながら、シールガスによる冷却効果を
変化させるので、ハーメチック被膜の厚さをより高い精
度で一様に保つことが可能となる。この方法でも、全体
としてはシールガスによる光ファイバの冷却効果が時間
の経過に応じて低下する傾向がある。
膜の厚さを確認しながら、シールガスによる冷却効果を
変化させるので、ハーメチック被膜の厚さをより高い精
度で一様に保つことが可能となる。この方法でも、全体
としてはシールガスによる光ファイバの冷却効果が時間
の経過に応じて低下する傾向がある。
【００１６】シールガスによる光ファイバの冷却効果を
変化させる手段としては、シールガスの流量を変えるこ
とが一つの方法である。シールガスの流量を製造開始時
に多くしておき、徐々に低下させていけば、シールガス
による光ファイバの冷却効果が徐々に低下する。シール
ガスとしては熱伝達率が高く冷却効果のよいヘリウムを
使用することが望ましい。
変化させる手段としては、シールガスの流量を変えるこ
とが一つの方法である。シールガスの流量を製造開始時
に多くしておき、徐々に低下させていけば、シールガス
による光ファイバの冷却効果が徐々に低下する。シール
ガスとしては熱伝達率が高く冷却効果のよいヘリウムを
使用することが望ましい。
【００１７】シールガスの流量を変化させる方法では、
シールガスの流量が低下し過ぎると、シールガスの本来
の目的であるシール効果が損なわれるおそれがある。こ
れを改善するには、シールガスとして、冷却効果の高い
シールガスと冷却効果の低いシールガスの混合ガスを使
用し、冷却効果の高いシールガスと冷却効果の低いシー
ルガスの混合割合を変えることが有効である。例えばヘ
リウムガスとアルゴンガスでは前者の方が冷却効果が高
いので、シールガスとしてこれらの混合ガスを用い、最
初のうちはヘリウムガスの混合割合を高くしておき、徐
々にヘリウムガスの混合割合を低下させていけば、シー
ルガスによる光ファイバの冷却効果が徐々に低下する。
シールガスの流量が低下し過ぎると、シールガスの本来
の目的であるシール効果が損なわれるおそれがある。こ
れを改善するには、シールガスとして、冷却効果の高い
シールガスと冷却効果の低いシールガスの混合ガスを使
用し、冷却効果の高いシールガスと冷却効果の低いシー
ルガスの混合割合を変えることが有効である。例えばヘ
リウムガスとアルゴンガスでは前者の方が冷却効果が高
いので、シールガスとしてこれらの混合ガスを用い、最
初のうちはヘリウムガスの混合割合を高くしておき、徐
々にヘリウムガスの混合割合を低下させていけば、シー
ルガスによる光ファイバの冷却効果が徐々に低下する。
【００１８】またシールガスによる光ファイバの冷却効
果を変化させる手段としては、シールガスの温度を変え
ることも一つの方法である。最初のうちはシールガスの
温度を低くしておき、徐々にシールガスの温度を高くし
ていけば、シールガスによる光ファイバの冷却効果が徐
々に低下する。またシールガスによる光ファイバの冷却
効果を変化させる手段としては、シールガスとして、
冷却効果の高いシールガスと冷却効果の低いシールガス
の混合ガスを使用し、冷却効果の高いシールガスと冷却
効果の低いシールガスの混合割合を変えること、シー
ルガスの流量を変えること、シールガスの温度を変え
ること、のいずれか二つ以上の組み合わせを採用するこ
ともできる。
果を変化させる手段としては、シールガスの温度を変え
ることも一つの方法である。最初のうちはシールガスの
温度を低くしておき、徐々にシールガスの温度を高くし
ていけば、シールガスによる光ファイバの冷却効果が徐
々に低下する。またシールガスによる光ファイバの冷却
効果を変化させる手段としては、シールガスとして、
冷却効果の高いシールガスと冷却効果の低いシールガス
の混合ガスを使用し、冷却効果の高いシールガスと冷却
効果の低いシールガスの混合割合を変えること、シー
ルガスの流量を変えること、シールガスの温度を変え
ること、のいずれか二つ以上の組み合わせを採用するこ
ともできる。
【００１９】
【実施例】図１および図２に示す装置を用いてハーメチ
ックコート光ファイバの製造を行った。主な製造条件は
次のとおりである。 線引速度 ：５００ｍ／分 線引炉内温度 ：約２０５０℃ 原料ガス ：Ｃ2 Ｈ2 ＋Ａｒ 計２リットル／分 シールガス ：入口側 Ｈｅ＋Ａｒ 計３リットル／分 ：出口側 Ａｒ ２リットル／分 線引炉下端と反応炉上端の距離：１００mm 排気圧 ：−６mmＨｇ
ックコート光ファイバの製造を行った。主な製造条件は
次のとおりである。 線引速度 ：５００ｍ／分 線引炉内温度 ：約２０５０℃ 原料ガス ：Ｃ2 Ｈ2 ＋Ａｒ 計２リットル／分 シールガス ：入口側 Ｈｅ＋Ａｒ 計３リットル／分 ：出口側 Ａｒ ２リットル／分 線引炉下端と反応炉上端の距離：１００mm 排気圧 ：−６mmＨｇ
【００２０】（Ａ） まず製造条件を変更せずに連続し
て長さ１５０kmのハーメチックコート光ファイバを製造
した。反応炉の入口側のシールガスはヘリウムで流量３
リットル／分一定とし、出口側のシールガスはアルゴン
で流量２リットル／分一定とした。製造後、長さ２０km
毎にハーメチック被膜の厚さを電子顕微鏡にて測定し
た。その結果を図３（ａ）に示す。（ａ）によると製造
開始端からの長さが長くなるに従い（製造時間が長くな
るに従い）、ハーメチック被膜の厚さが徐々に薄くなっ
ていくことが分かる。
て長さ１５０kmのハーメチックコート光ファイバを製造
した。反応炉の入口側のシールガスはヘリウムで流量３
リットル／分一定とし、出口側のシールガスはアルゴン
で流量２リットル／分一定とした。製造後、長さ２０km
毎にハーメチック被膜の厚さを電子顕微鏡にて測定し
た。その結果を図３（ａ）に示す。（ａ）によると製造
開始端からの長さが長くなるに従い（製造時間が長くな
るに従い）、ハーメチック被膜の厚さが徐々に薄くなっ
ていくことが分かる。
【００２１】（Ｂ） 次に反応炉の入口側のシールガス
を変化させて、連続して長さ１５０kmのハーメチックコ
ート光ファイバを製造した。製造開始時は、上記と同じ
く、反応炉の入口側のシールガスはヘリウム、流量３リ
ットル／分一定、出口側のシールガスはアルゴン、流量
２リットル／分一定とし、長さ１０km製造する毎に入口
側のヘリウムの流量を０．２リットル／分ずつ減らし、
アルゴンの流量を同量ずつ増やしていった（流量の合計
は一定）。
を変化させて、連続して長さ１５０kmのハーメチックコ
ート光ファイバを製造した。製造開始時は、上記と同じ
く、反応炉の入口側のシールガスはヘリウム、流量３リ
ットル／分一定、出口側のシールガスはアルゴン、流量
２リットル／分一定とし、長さ１０km製造する毎に入口
側のヘリウムの流量を０．２リットル／分ずつ減らし、
アルゴンの流量を同量ずつ増やしていった（流量の合計
は一定）。
【００２２】製造後、長さ２０km毎にハーメチック被膜
の厚さを電子顕微鏡にて測定した。その結果を図３
（ｂ）に示す。（ｂ）によると、長手方向におけるハー
メチック被覆の厚さの変化は（ａ）より小さくなってお
り、反応炉入口側のシールガスによる光ファイバの冷却
効果を変化させることが、ハーメチック被膜を均一化さ
せるのに効果があることが分かる。ただしこの場合は、
入口側のシールガスを一定量ずつ変化させただけなの
で、製造後半ではシールガスの変化とハーメチック被膜
の厚さの変動とのマッチングが十分にとれていない。
の厚さを電子顕微鏡にて測定した。その結果を図３
（ｂ）に示す。（ｂ）によると、長手方向におけるハー
メチック被覆の厚さの変化は（ａ）より小さくなってお
り、反応炉入口側のシールガスによる光ファイバの冷却
効果を変化させることが、ハーメチック被膜を均一化さ
せるのに効果があることが分かる。ただしこの場合は、
入口側のシールガスを一定量ずつ変化させただけなの
で、製造後半ではシールガスの変化とハーメチック被膜
の厚さの変動とのマッチングが十分にとれていない。
【００２３】（Ｃ） 次に、反応炉５の出口と被覆ダイ
ス８との間に膜厚測定器１４を設置し、ハーメチック被
膜の厚さをインラインで測定して、測定した膜厚に応じ
て反応炉入口側のシールガス（ヘリウム）の流量を変化
させる制御を行った。制御条件は、ある測定時点で、そ
のときの膜厚測定値が６００Åより厚いときは、その差
に関係なくシールガスの流量を０．０５リットル／分だ
け増加させ、薄いときは０．０５リットル／分だけ減少
させる制御を１分毎に行うこととした。
ス８との間に膜厚測定器１４を設置し、ハーメチック被
膜の厚さをインラインで測定して、測定した膜厚に応じ
て反応炉入口側のシールガス（ヘリウム）の流量を変化
させる制御を行った。制御条件は、ある測定時点で、そ
のときの膜厚測定値が６００Åより厚いときは、その差
に関係なくシールガスの流量を０．０５リットル／分だ
け増加させ、薄いときは０．０５リットル／分だけ減少
させる制御を１分毎に行うこととした。
【００２４】この方法で連続して長さ１５０kmのハーメ
チックコート光ファイバを製造した後、長さ２０km毎に
ハーメチック被膜の厚さを電子顕微鏡にて測定した。そ
の結果を図３（ｃ）に示す。（ｃ）によると、ハーメチ
ック被膜の厚さが光ファイバの長手方向に高い精度で安
定することが分かる。
チックコート光ファイバを製造した後、長さ２０km毎に
ハーメチック被膜の厚さを電子顕微鏡にて測定した。そ
の結果を図３（ｃ）に示す。（ｃ）によると、ハーメチ
ック被膜の厚さが光ファイバの長手方向に高い精度で安
定することが分かる。
【００２５】また、（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）で製造した各ハ
ーメチックコート光ファイバについて、光ファイバの外
径および伝送特性の長手方向変動量を調べた結果では、
ハーメチック被膜を施していない通常の光ファイバと同
レベルであった。これは反応炉入口側のシールガスを変
化させたことによる影響はないことを示している。
ーメチックコート光ファイバについて、光ファイバの外
径および伝送特性の長手方向変動量を調べた結果では、
ハーメチック被膜を施していない通常の光ファイバと同
レベルであった。これは反応炉入口側のシールガスを変
化させたことによる影響はないことを示している。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、熱
ＣＶＤ反応炉の入口側でシールガスによる光ファイバの
冷却効果を変化させることにより、長手方向にハーメチ
ック被膜の特性が安定したハーメチックコート光ファイ
バを製造することができる。
ＣＶＤ反応炉の入口側でシールガスによる光ファイバの
冷却効果を変化させることにより、長手方向にハーメチ
ック被膜の特性が安定したハーメチックコート光ファイ
バを製造することができる。
【図１】 ハーメチックコート光ファイバ製造装置の一
例を示す説明図。
例を示す説明図。
【図２】 図１の装置における熱ＣＶＤ反応炉の詳細を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】 従来方法と本発明方法により製造されたハー
メチックコート光ファイバの製造開始端からの長さと、
ハーメチック被膜の厚さとの関係を示すグラフ。
メチックコート光ファイバの製造開始端からの長さと、
ハーメチック被膜の厚さとの関係を示すグラフ。
１：光ファイバ母材 ２：線引炉 ３Ａ：線引直後の裸の光ファイバ ３：ハーメチ
ックコート光ファイバ ４：外径測定器 ５：熱ＣＶＤ
反応炉 ８：被覆ダイス ９：巻取り機 １０：入口側のシールガス導入口 １１：出口側の
シールガス導入口 １２：原料ガス導入口 １３：排気口 （ａ）：従来方法によるハーメチックコート光ファイバ （ｂ）：本発明の一実施例によるハーメチックコート光
ファイバ （ｃ）：本発明の他の実施例によるハーメチックコート
光ファイバ
ックコート光ファイバ ４：外径測定器 ５：熱ＣＶＤ
反応炉 ８：被覆ダイス ９：巻取り機 １０：入口側のシールガス導入口 １１：出口側の
シールガス導入口 １２：原料ガス導入口 １３：排気口 （ａ）：従来方法によるハーメチックコート光ファイバ （ｂ）：本発明の一実施例によるハーメチックコート光
ファイバ （ｃ）：本発明の他の実施例によるハーメチックコート
光ファイバ
Claims (6)
- 【請求項１】線引直後の光ファイバを熱ＣＶＤ反応炉に
通して光ファイバ表面にハーメチック被膜を形成するハ
ーメチックコート光ファイバの製造方法において、熱Ｃ
ＶＤ反応炉の入口側のシールガスによる光ファイバの冷
却効果を、時間の経過に応じて低下させることを特徴と
するハーメチックコート光ファイバの製造方法。 - 【請求項２】線引直後の光ファイバを熱ＣＶＤ反応炉に
通して光ファイバ表面にハーメチック被膜を形成するハ
ーメチックコート光ファイバの製造方法において、熱Ｃ
ＶＤ反応炉を出たハーメチックコート光ファイバのハー
メチック被膜の膜厚を測定し、膜厚が所定の厚さより薄
いときは熱ＣＶＤ反応炉の入口側のシールガスによる光
ファイバの冷却効果を低下させ、厚いときは同シールガ
スによる光ファイバの冷却効果を向上させる制御を行う
ことを特徴とするハーメチックコート光ファイバの製造
方法。 - 【請求項３】請求項１または２記載の製造方法であっ
て、シールガスとして、冷却効果の高いシールガスと冷
却効果の低いシールガスの混合ガスを使用し、冷却効果
の高いシールガスと冷却効果の低いシールガスの混合割
合を変えることにより光ファイバの冷却効果を変化させ
ることを特徴とするもの。 - 【請求項４】請求項１または２記載の製造方法であっ
て、シールガスの流量を変えることにより光ファイバの
冷却効果を変化させることを特徴とするもの。 - 【請求項５】請求項１または２記載の製造方法であっ
て、シールガスの温度を変えることにより光ファイバの
冷却効果を変化させることを特徴とするもの。 - 【請求項６】請求項１または２記載の製造方法であっ
て、シールガスとして、冷却効果の高いシールガスと
冷却効果の低いシールガスの混合ガスを使用し、冷却効
果の高いシールガスと冷却効果の低いシールガスの混合
割合を変えること、シールガスの流量を変えること、
シールガスの温度を変えること、のいずれか二つ以上
の組み合わせにより光ファイバの冷却効果を変化させる
ことを特徴とするもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5292412A JP2583392B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | ハーメチックコート光ファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5292412A JP2583392B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | ハーメチックコート光ファイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07133143A JPH07133143A (ja) | 1995-05-23 |
| JP2583392B2 true JP2583392B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=17781457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5292412A Expired - Fee Related JP2583392B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | ハーメチックコート光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
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-
1993
- 1993-10-29 JP JP5292412A patent/JP2583392B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07133143A (ja) | 1995-05-23 |
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