JP3042533B2 - ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 - Google Patents
ハーメチック被覆光ファイバの製造方法Info
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- JP3042533B2 JP3042533B2 JP2034192A JP3419290A JP3042533B2 JP 3042533 B2 JP3042533 B2 JP 3042533B2 JP 2034192 A JP2034192 A JP 2034192A JP 3419290 A JP3419290 A JP 3419290A JP 3042533 B2 JP3042533 B2 JP 3042533B2
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- Japan
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- optical fiber
- hermetic
- reaction tube
- coated optical
- gas
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、長期信頼性の高い光ファイバとして知られ
ているハーメチック被覆光ファイバの製造方法に関する
ものである。
ているハーメチック被覆光ファイバの製造方法に関する
ものである。
［従来の技術］ 光ファイバは、石英ガラス等のガラスよりなり、これ
を長期間放置しておくと、水分が光ファイバ表面の微小
な傷に作用し、この傷を次第に増長させる。光ファイバ
は、布設の際にある程度の応力がかかった状態となり、
水分の存在する雰囲気では経時的に強度が劣化する。ま
た、高温高湿等の悪環境下では、さらに水分による作用
が増大し、著しく光ファイバの劣化が促進される。さら
に、拡散により光ファイバのコア付近に水素分子が達す
ると、1.24μｍ付近に吸光ピークが生じ、伝送特性に悪
影響を及ぼす。
を長期間放置しておくと、水分が光ファイバ表面の微小
な傷に作用し、この傷を次第に増長させる。光ファイバ
は、布設の際にある程度の応力がかかった状態となり、
水分の存在する雰囲気では経時的に強度が劣化する。ま
た、高温高湿等の悪環境下では、さらに水分による作用
が増大し、著しく光ファイバの劣化が促進される。さら
に、拡散により光ファイバのコア付近に水素分子が達す
ると、1.24μｍ付近に吸光ピークが生じ、伝送特性に悪
影響を及ぼす。
このような水分又は水分を誘発する水素の光ファイバ
への侵入を防ぐため、光ファイバの表面に高密度の無機
物質膜よりなる水封構造のハーメチック被覆を設けたハ
ーメチック被覆光ファイバが提案されている。
への侵入を防ぐため、光ファイバの表面に高密度の無機
物質膜よりなる水封構造のハーメチック被覆を設けたハ
ーメチック被覆光ファイバが提案されている。
このような光ファイバへのハーメチック被覆は、コー
ティング法，プラズマCVD法，熱CVD法等により成膜が行
われる。
ティング法，プラズマCVD法，熱CVD法等により成膜が行
われる。
第２図は、前述した各方法のうちハーメチック被覆を
長手方向に均一に設けるのに適した方法として知られて
いる熱CVD法によるハーメチック被覆光ファイバの製造
方法を実施する装置の一例を示したものである。この場
合には、光ファイバ母材１を線引き炉２で加熱し軟化さ
せて線引きし、光ファイバ3Aを得る。得られた光ファイ
バ3Aは、外径測定器４に通して、その外径を測定した
後、反応管５に通す。該反応管５内には、外部のマスフ
ローコントローラ６を通してC2H2等の原料ガス、及びH
e,N2,Ar等の希釈ガスを導入する。これらガスは、該反
応管５の外に設けられた反応管加熱炉７で加熱する。か
くすると、反応管５内で熱CVD反応が起こり、光ファイ
バ3Aの表面にＣ等の無機物質よりなるハーメチック被覆
が成膜され、ハーメチック被覆光ファイバ３が得られ
る。得られたハーメチック被覆光ファイバ３を被覆ダイ
ス８に通し、ハーメチック被覆の表面に樹脂を被覆した
後、巻取機９で巻取る。
長手方向に均一に設けるのに適した方法として知られて
いる熱CVD法によるハーメチック被覆光ファイバの製造
方法を実施する装置の一例を示したものである。この場
合には、光ファイバ母材１を線引き炉２で加熱し軟化さ
せて線引きし、光ファイバ3Aを得る。得られた光ファイ
バ3Aは、外径測定器４に通して、その外径を測定した
後、反応管５に通す。該反応管５内には、外部のマスフ
ローコントローラ６を通してC2H2等の原料ガス、及びH
e,N2,Ar等の希釈ガスを導入する。これらガスは、該反
応管５の外に設けられた反応管加熱炉７で加熱する。か
くすると、反応管５内で熱CVD反応が起こり、光ファイ
バ3Aの表面にＣ等の無機物質よりなるハーメチック被覆
が成膜され、ハーメチック被覆光ファイバ３が得られ
る。得られたハーメチック被覆光ファイバ３を被覆ダイ
ス８に通し、ハーメチック被覆の表面に樹脂を被覆した
後、巻取機９で巻取る。
また、第３図は第２図で示した反応系のハーメチック
被覆生成部の一例を示したものである。該ハーメチック
被覆生成部では、反応管５の上部の上部シールガス導入
部10と下部の下部シールガス導入部11とから反応管５の
上下にHe,Ar,N2等のシールガスを導入し、反応管５内の
反応室5Aを外気から遮断する。一方、光ファイバ3Aを反
応管５の軸心部に通し、原料ガス導入管12から原料ガス
及び希釈ガスを導入し、また反応管５の外部を反応管加
熱炉７で加熱する。かくすると、光ファイバ3Aの表面で
化学反応が起こり、該光ファイバ3A表面に無機物質膜が
折出し、ハーメチック被覆となる。排ガスは、排気管13
から排出する。
被覆生成部の一例を示したものである。該ハーメチック
被覆生成部では、反応管５の上部の上部シールガス導入
部10と下部の下部シールガス導入部11とから反応管５の
上下にHe,Ar,N2等のシールガスを導入し、反応管５内の
反応室5Aを外気から遮断する。一方、光ファイバ3Aを反
応管５の軸心部に通し、原料ガス導入管12から原料ガス
及び希釈ガスを導入し、また反応管５の外部を反応管加
熱炉７で加熱する。かくすると、光ファイバ3Aの表面で
化学反応が起こり、該光ファイバ3A表面に無機物質膜が
折出し、ハーメチック被覆となる。排ガスは、排気管13
から排出する。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来のハーメチック被覆光ファイバの
製造方法では、反応により発生したススが反応管底部に
堆積し、反応管内の上部で形成された高密度のハーメチ
ック被覆光ファイバのまだ柔らかい状態のハーメチック
被覆に該ススが付着したり、接触したりすることによっ
てハーメチック被覆に傷がつき、ハーメチック被覆光フ
ァイバの長手方向に低強度部が発生するという問題点が
あった。
製造方法では、反応により発生したススが反応管底部に
堆積し、反応管内の上部で形成された高密度のハーメチ
ック被覆光ファイバのまだ柔らかい状態のハーメチック
被覆に該ススが付着したり、接触したりすることによっ
てハーメチック被覆に傷がつき、ハーメチック被覆光フ
ァイバの長手方向に低強度部が発生するという問題点が
あった。
本発明の目的は、長手方向に低強度部の発生する確率
が少ないハーメチック被覆光ファイバの製造方法を提供
することにある。
が少ないハーメチック被覆光ファイバの製造方法を提供
することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本発明の手段を説明する
と、本発明は反応管内を通過する光ファイバの表面にハ
ーメチック被覆を成膜させてハーメチック被覆光ファイ
バを製造するハーメチック被覆光ファイバの製造方法に
おいて、前記反応管内の下部側で前記光ファイバにこれ
を囲むようにガスシャワーを噴出させて、前記光ファイ
バをススから隔離することを特徴とする。
と、本発明は反応管内を通過する光ファイバの表面にハ
ーメチック被覆を成膜させてハーメチック被覆光ファイ
バを製造するハーメチック被覆光ファイバの製造方法に
おいて、前記反応管内の下部側で前記光ファイバにこれ
を囲むようにガスシャワーを噴出させて、前記光ファイ
バをススから隔離することを特徴とする。
［作用］ このように、光ファイバにこれを囲むように噴出する
ガスシャワーによりハーメチック被覆光ファイバとスス
を隔離すると、従来光ファイバとススの接触確率の最も
大きかった反応管内下部でのススと該光ファイバとの接
触を大幅に低減できるので、ススと光ファイバの接触に
よるハーメチック被覆光ファイバの長手方向に低強度部
が発生する確率を著しく低減することができる。
ガスシャワーによりハーメチック被覆光ファイバとスス
を隔離すると、従来光ファイバとススの接触確率の最も
大きかった反応管内下部でのススと該光ファイバとの接
触を大幅に低減できるので、ススと光ファイバの接触に
よるハーメチック被覆光ファイバの長手方向に低強度部
が発生する確率を著しく低減することができる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。なお、前述した第３図と対応する部分には同一符号
を付けて示している。
る。なお、前述した第３図と対応する部分には同一符号
を付けて示している。
第１図は、本発明の実施例を示す。本実施例では、従
来、ススと光ファイバとの接触確率の最も大きい反応管
５内の下部に、ピンホールノズル15を多数持つガス噴出
管16を設け、該ガス噴出管16にガス導入管14からガスを
導入することにより、ガスシャワー17A,17Bを発生させ
る。このガスシャワー17Aは、光ファイバ3Aに向けて、
該光ファイバ3Aを囲むように噴出させる。また、ガスシ
ャワー17Bは、円滑にススの排気が行われるように、排
気管13に向けて噴出させる。
来、ススと光ファイバとの接触確率の最も大きい反応管
５内の下部に、ピンホールノズル15を多数持つガス噴出
管16を設け、該ガス噴出管16にガス導入管14からガスを
導入することにより、ガスシャワー17A,17Bを発生させ
る。このガスシャワー17Aは、光ファイバ3Aに向けて、
該光ファイバ3Aを囲むように噴出させる。また、ガスシ
ャワー17Bは、円滑にススの排気が行われるように、排
気管13に向けて噴出させる。
このようにすることにより、従来ススと光ファイバ3A
との接触確率の最も大きかった反応管５内下部でのスス
と光ファイバ3Aとの接触がほとんど起こらなくなり、ハ
ーメチック被覆光ファイバ３の長手方向に低強度部が発
生する確率を著しく低減できる。
との接触確率の最も大きかった反応管５内下部でのスス
と光ファイバ3Aとの接触がほとんど起こらなくなり、ハ
ーメチック被覆光ファイバ３の長手方向に低強度部が発
生する確率を著しく低減できる。
表１及び表２は、本実施例で示すガス噴出管16を有す
る反応管５と従来の反応管５を用いてハーメチック被覆
光ファイバ３を作製した実験条件及び評価結果である。
る反応管５と従来の反応管５を用いてハーメチック被覆
光ファイバ３を作製した実験条件及び評価結果である。
評価方法としては、条長10kmの長尺のハーメチック被
覆光ファイバ３を５本試作し、１％スクリーニング試験
を繰り返し５回行った。また、長尺引張試験により、各
サンプルの引張破段強度を評価した。
覆光ファイバ３を５本試作し、１％スクリーニング試験
を繰り返し５回行った。また、長尺引張試験により、各
サンプルの引張破段強度を評価した。
本実施例で示す反応管５を用いた場合にはスクリーニ
ング試験で、どのサンプルも全長破断なく通過し、ま
た、引張破断強度も4.8kg付近で低強度部の見られない
良好な強度分布を示した。一方、従来の反応管５を用い
た場合には、スクリーニング試験を行うと、１〜３回で
破断するものも見られ、引張破断強度も２〜3kg程度の
低強度部が見られた。
ング試験で、どのサンプルも全長破断なく通過し、ま
た、引張破断強度も4.8kg付近で低強度部の見られない
良好な強度分布を示した。一方、従来の反応管５を用い
た場合には、スクリーニング試験を行うと、１〜３回で
破断するものも見られ、引張破断強度も２〜3kg程度の
低強度部が見られた。
本実施例では、反応管５内の下部にガス噴出管16を設
けたが、上部が線引炉等から排出される粒子で汚染され
る場合などには、該ガス噴出管を反応管５の上部にも設
けることができる。
けたが、上部が線引炉等から排出される粒子で汚染され
る場合などには、該ガス噴出管を反応管５の上部にも設
けることができる。
また、上記実施例では、熱CVD法に本発明を適用した
場合について示したが、ハーメチック被覆をプラズマCV
D等の他の方法で成膜する場合にも本発明は同様に適用
できるものである。
場合について示したが、ハーメチック被覆をプラズマCV
D等の他の方法で成膜する場合にも本発明は同様に適用
できるものである。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明に係るハーメチック被覆
光ファイバの製造方法では、従来、最もススと光ファイ
バの接触確率の大きかった反応管内下部で光ファイバに
これを囲むようにガスシャワーを噴出させて、該光ファ
イバをススから隔離したので、光ファイバとススとの接
触確率を著しく低減させることができる。従って、本発
明によれば、全条長にわたって低強度部の少ない良好な
強度分布を持つ長尺のハーメチック被覆光ファイバの製
造を容易に行うことができる。
光ファイバの製造方法では、従来、最もススと光ファイ
バの接触確率の大きかった反応管内下部で光ファイバに
これを囲むようにガスシャワーを噴出させて、該光ファ
イバをススから隔離したので、光ファイバとススとの接
触確率を著しく低減させることができる。従って、本発
明によれば、全条長にわたって低強度部の少ない良好な
強度分布を持つ長尺のハーメチック被覆光ファイバの製
造を容易に行うことができる。
第１図は本発明の方法で用いるハーメチック被覆光ファ
イバ製造用反応管の一例を示す縦断面図、第２図は熱CV
D法を用いてハーメチック被覆光ファイバを製造する装
置の一例の概略構成を示す縦断面図、第３図は従来のハ
ーメチック被覆光ファイバ製造用反応管の一例を示す縦
断面図である。 １……光ファイバ母材、２……線引き炉、3A……光ファ
イバ、３……ハーメチック被覆光ファイバ、４……外径
測定器、５……反応管、5A……反応室、７……反応管加
熱炉、８……被覆ダイス、12……原料ガス導入管、13…
…排気管、14……ガス導入管、15……ピンホールノズ
ル、16……ガス噴出管、17A,17B……ガスシャワー。
イバ製造用反応管の一例を示す縦断面図、第２図は熱CV
D法を用いてハーメチック被覆光ファイバを製造する装
置の一例の概略構成を示す縦断面図、第３図は従来のハ
ーメチック被覆光ファイバ製造用反応管の一例を示す縦
断面図である。 １……光ファイバ母材、２……線引き炉、3A……光ファ
イバ、３……ハーメチック被覆光ファイバ、４……外径
測定器、５……反応管、5A……反応室、７……反応管加
熱炉、８……被覆ダイス、12……原料ガス導入管、13…
…排気管、14……ガス導入管、15……ピンホールノズ
ル、16……ガス噴出管、17A,17B……ガスシャワー。
Claims (1)
- 【請求項１】反応管内を通過する光ファイバの表面にハ
ーメチック被覆を成膜させてハーメチック被覆光ファイ
バを製造するハーメチック被覆光ファイバの製造方法に
おいて、 前記反応管内の下部側で前記光ファイバにこれを囲むよ
うにガスシャワーを噴出させて、前記光ファイバをスス
から隔離することを特徴とするハーメチック被覆光ファ
イバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034192A JP3042533B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034192A JP3042533B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237039A JPH03237039A (ja) | 1991-10-22 |
| JP3042533B2 true JP3042533B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=12407316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2034192A Expired - Lifetime JP3042533B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3042533B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2034192A patent/JP3042533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03237039A (ja) | 1991-10-22 |
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