JPH04295033A - 炭素被覆光ファイバの作成方法および装置 - Google Patents
炭素被覆光ファイバの作成方法および装置Info
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- JPH04295033A JPH04295033A JP4019354A JP1935492A JPH04295033A JP H04295033 A JPH04295033 A JP H04295033A JP 4019354 A JP4019354 A JP 4019354A JP 1935492 A JP1935492 A JP 1935492A JP H04295033 A JPH04295033 A JP H04295033A
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 138
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 84
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 51
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 105
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 25
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 12
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 claims description 6
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 claims description 4
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims description 3
- 229920006240 drawn fiber Polymers 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 21
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000003570 air Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 7
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000012681 fiber drawing Methods 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010067482 No adverse event Diseases 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000002371 helium Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/12—General methods of coating; Devices therefor
- C03C25/22—Deposition from the vapour phase
- C03C25/223—Deposition from the vapour phase by chemical vapour deposition or pyrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/104—Coating to obtain optical fibres
- C03C25/106—Single coatings
- C03C25/1061—Inorganic coatings
- C03C25/1062—Carbon
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバのための気密
被覆（ｈｅｒｍｅｔｉｃ ｃｏａｔｉｎｇ）に関する。
被覆（ｈｅｒｍｅｔｉｃ ｃｏａｔｉｎｇ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバにはシリコ−ンやポリウレタ
ン・アクリレ−ト等のような樹脂よりなる耐摩耗性の被
覆が設けられている。このような被覆は通常光ファイバ
が延伸されるときにオンラインで添着され、ファイバ引
張り工程時に表面摩耗を回避するようになされている。 現在のところ、種々の被覆があるが、それらはファイバ
を摩耗から保護するが腐食や水素拡散からは保護しない
。
ン・アクリレ−ト等のような樹脂よりなる耐摩耗性の被
覆が設けられている。このような被覆は通常光ファイバ
が延伸されるときにオンラインで添着され、ファイバ引
張り工程時に表面摩耗を回避するようになされている。 現在のところ、種々の被覆があるが、それらはファイバ
を摩耗から保護するが腐食や水素拡散からは保護しない
。
【０００３】水を含めて種々の化学成分がファイバと反
応してそれの光学的特性を破損しかつそれの機械的強度
および静的疲労耐性を弱めることになる。ファイバの表
面における微小亀裂が、特にファイバが応力状態にある
場合に、化学的侵食を受けやすい領域を生ずる。ファイ
バ応力は亀裂を開き、その亀裂の先端部における化学結
合に歪みを集中することになる。これらの歪みを受けた
結合は化学的侵食をさらに受けやすく、そのため腐食に
よって微小亀裂が拡大されることになる。このような微
小亀裂の成長がファイバの強度を弱め、静的疲労あるい
は突然の破断を生ずることになる。
応してそれの光学的特性を破損しかつそれの機械的強度
および静的疲労耐性を弱めることになる。ファイバの表
面における微小亀裂が、特にファイバが応力状態にある
場合に、化学的侵食を受けやすい領域を生ずる。ファイ
バ応力は亀裂を開き、その亀裂の先端部における化学結
合に歪みを集中することになる。これらの歪みを受けた
結合は化学的侵食をさらに受けやすく、そのため腐食に
よって微小亀裂が拡大されることになる。このような微
小亀裂の成長がファイバの強度を弱め、静的疲労あるい
は突然の破断を生ずることになる。
【０００４】静応力状態にある光ファイバが破断するま
での時間ｔｓに対する応力腐食の影響は亀裂速度指数ｎ
によって一部決定される。通常、大きい値のｎを有する
ファイバは、通常の値の印加応力では、ｔｓの値も大き
い。 つまり、ファイバが比較的短い試験期間の間に破断しな
ければ、通常の使用状態では長時間それが継続すること
は確実である。光ファイバの強度および疲労特性につい
ては、オプティカル・アンド・クオンタム・エレクトロ
ニクス（Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）、ｖｏｌ． ２２、ｐｐ．２２
７−２３７におけるケイ・イ−・ル−外による「気密被
覆された光ファイバの機械的および水素特性」を参照さ
れたい。
での時間ｔｓに対する応力腐食の影響は亀裂速度指数ｎ
によって一部決定される。通常、大きい値のｎを有する
ファイバは、通常の値の印加応力では、ｔｓの値も大き
い。 つまり、ファイバが比較的短い試験期間の間に破断しな
ければ、通常の使用状態では長時間それが継続すること
は確実である。光ファイバの強度および疲労特性につい
ては、オプティカル・アンド・クオンタム・エレクトロ
ニクス（Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）、ｖｏｌ． ２２、ｐｐ．２２
７−２３７におけるケイ・イ−・ル−外による「気密被
覆された光ファイバの機械的および水素特性」を参照さ
れたい。
【０００５】ファイバ内への水素の拡散はファイバの光
学的性能に対して悪影響を及ぼす。光ファイバが設置さ
れた後で減衰の増加が生じて、システムが一時的に動作
不能になる恐れがある。
学的性能に対して悪影響を及ぼす。光ファイバが設置さ
れた後で減衰の増加が生じて、システムが一時的に動作
不能になる恐れがある。
【０００６】下記のテストは、水素に対する炭素被覆の
透過性を決定するために用いられた。１ ｋｍの長さを
有するファイバが１１気圧の水素を含んだ８５℃のチャ
ンバ内に２０日間入れられた。減衰が１２４２ｎｍ水素
吸収帯域で測定されたが、その測定された減衰は炭素被
覆がが有効な水素障壁であるがどうかの表示である。例
えば、０．２ ｄＢ／ｋｍの水素障壁係数は、ファイバ
の減衰が２０日間のテストの間に１２４２ｎｍにおいて
０．２ｄＢ／ｋｍだけ増加したことを意味する。２０日
後における０．０２〜０．２ｄＢ／ｋｍの水素障壁係数
は良好と判断され、０．０２ｄＢ／ｋｍであれば優秀と
判断される。 水素障壁がない場合には、８５℃の水素１１気圧に露呈
された場合には、ファイバの水素吸収は、３日以内に５
０ ｄＢ／ｋｍに達するであろう。
透過性を決定するために用いられた。１ ｋｍの長さを
有するファイバが１１気圧の水素を含んだ８５℃のチャ
ンバ内に２０日間入れられた。減衰が１２４２ｎｍ水素
吸収帯域で測定されたが、その測定された減衰は炭素被
覆がが有効な水素障壁であるがどうかの表示である。例
えば、０．２ ｄＢ／ｋｍの水素障壁係数は、ファイバ
の減衰が２０日間のテストの間に１２４２ｎｍにおいて
０．２ｄＢ／ｋｍだけ増加したことを意味する。２０日
後における０．０２〜０．２ｄＢ／ｋｍの水素障壁係数
は良好と判断され、０．０２ｄＢ／ｋｍであれば優秀と
判断される。 水素障壁がない場合には、８５℃の水素１１気圧に露呈
された場合には、ファイバの水素吸収は、３日以内に５
０ ｄＢ／ｋｍに達するであろう。
【０００７】金属やセラミックの被覆を用いられており
、微小亀裂劣化の軽減に成功しているが、その程度はま
ちまちである。しかし、このような被覆は水素に対して
は十分に不浸透性ではない。
、微小亀裂劣化の軽減に成功しているが、その程度はま
ちまちである。しかし、このような被覆は水素に対して
は十分に不浸透性ではない。
【０００８】炭素被覆は耐水性を有しかつ高強度の光フ
ァイバを生ずることが知られている（米国特許第４１８
３６２１号参照）。種々の理由のために、光ファイバに
炭素を沈積させようとした初期の試みでは、水分および
／または水素に対して不浸透性の被覆を作成することは
できず、また被覆したファイバを長い長さで作成するこ
ともできなかった。例えば、米国特許第４５１２６２９
号は、スパッタリングで沈積された３００オングストロ
−ムの炭素被覆ではｎは３０．３にすぎず、また化学的
蒸気沈積によりオンラインで沈積された１００オングス
トロ−ムの炭素被覆の場合にはｎの値は僅かに８で逢っ
たと報告している。 従来の被覆装置の他の難点は、炭素被覆した光ファイバ
を１メ−トル／秒以上の延伸速度で作成することができ
ないことである。これらの難点について示すために従来
技術の種々の被覆装置について下記に説明する。
ァイバを生ずることが知られている（米国特許第４１８
３６２１号参照）。種々の理由のために、光ファイバに
炭素を沈積させようとした初期の試みでは、水分および
／または水素に対して不浸透性の被覆を作成することは
できず、また被覆したファイバを長い長さで作成するこ
ともできなかった。例えば、米国特許第４５１２６２９
号は、スパッタリングで沈積された３００オングストロ
−ムの炭素被覆ではｎは３０．３にすぎず、また化学的
蒸気沈積によりオンラインで沈積された１００オングス
トロ−ムの炭素被覆の場合にはｎの値は僅かに８で逢っ
たと報告している。 従来の被覆装置の他の難点は、炭素被覆した光ファイバ
を１メ−トル／秒以上の延伸速度で作成することができ
ないことである。これらの難点について示すために従来
技術の種々の被覆装置について下記に説明する。
【０００９】図１は光ファイバ１０上に熱分解炭素の被
覆を沈積させるための典型的な従来装置を示している。 トラクタ手段（図示せず）が、炉１２によって加熱され
るプリフォ−ムの下端部からファイバ１０を引く。延伸
タワ−には炭素被覆形成装置１３、ファイバ冷却用チュ
−ブ１４および耐摩耗性材料の被覆がファイバ上に形成
される被覆形成手段１５が配置されている。炉１２と装
置１３の間には直径測定装置が配設されうる。延伸時の
炭素被覆の固有抵抗を測定しかつそれによって被覆の連
続性および厚みの表示を与えるためにＱメ−タのような
装置が装置１３の下方に配設されうる。被覆の厚みを電
気的に測定するための非接触装置が米国特許第４５９３
２４４号および第３６７９９６８号に開示されている。 被覆したファイバの端部における被覆の固有抵抗はＱメ
−タを較正するための接触装置によってオフラインでそ
の後に測定され得る。
覆を沈積させるための典型的な従来装置を示している。 トラクタ手段（図示せず）が、炉１２によって加熱され
るプリフォ−ムの下端部からファイバ１０を引く。延伸
タワ−には炭素被覆形成装置１３、ファイバ冷却用チュ
−ブ１４および耐摩耗性材料の被覆がファイバ上に形成
される被覆形成手段１５が配置されている。炉１２と装
置１３の間には直径測定装置が配設されうる。延伸時の
炭素被覆の固有抵抗を測定しかつそれによって被覆の連
続性および厚みの表示を与えるためにＱメ−タのような
装置が装置１３の下方に配設されうる。被覆の厚みを電
気的に測定するための非接触装置が米国特許第４５９３
２４４号および第３６７９９６８号に開示されている。 被覆したファイバの端部における被覆の固有抵抗はＱメ
−タを較正するための接触装置によってオフラインでそ
の後に測定され得る。
【００１０】装置１３は第１の隔離室１９、反応室２０
および第２の隔離室２１を具備している。室１９および
２０は小径の開口２２ａによって連結されており、また
室２０および２１は小径の開口２２ｂによって連結され
ている。反応室２０を周囲雰囲気から隔離している隔離
室１９および２１はそれぞれ小径の開口２２ｃおよび２
２ｃを有している。取入れ口２３および２４を通じて室
１９および２１にそれぞれ不活性ガスが流れ、これらの
室に開口２２ｃおよび２２ｄ内への大気の流入を制限す
るのに十分な気圧を与える。矢印２５ａおよび２６ａで
示されているように、種々の従来装置は反応ガスが管２
５または２６に流入し、かつ反応生成物が対向した管か
ら流出するようになされている。一般に、反応ガスはフ
ァイバの一側に向って流される。光ファイバ１０は開口
２２ｃから装置１３内に導入され、隔離室１９、反応室
２０および第２の隔離室２１を通過し、そして開口２２
ｄを通って装置から外に出る。
および第２の隔離室２１を具備している。室１９および
２０は小径の開口２２ａによって連結されており、また
室２０および２１は小径の開口２２ｂによって連結され
ている。反応室２０を周囲雰囲気から隔離している隔離
室１９および２１はそれぞれ小径の開口２２ｃおよび２
２ｃを有している。取入れ口２３および２４を通じて室
１９および２１にそれぞれ不活性ガスが流れ、これらの
室に開口２２ｃおよび２２ｄ内への大気の流入を制限す
るのに十分な気圧を与える。矢印２５ａおよび２６ａで
示されているように、種々の従来装置は反応ガスが管２
５または２６に流入し、かつ反応生成物が対向した管か
ら流出するようになされている。一般に、反応ガスはフ
ァイバの一側に向って流される。光ファイバ１０は開口
２２ｃから装置１３内に導入され、隔離室１９、反応室
２０および第２の隔離室２１を通過し、そして開口２２
ｄを通って装置から外に出る。
【００１１】反応のための熱の少なくともある程度が延
伸されるファイバの熱によって供給される。補助加熱手
段が存在しない場合には、反応室内のファイバの温度は
ファイバの直径、延伸速度および１／Ｌに依存する。こ
のＬは炉内におけるプリフォ−ムのネックダウン部分か
らの距離である。例えば、延伸速度が低い場合には、フ
ァイバが反応室に入る前にまたはファイバが反応室内に
ある間にそのファイバを加熱することによって、あるい
は反応ガスが反応ゾ−ンに到達する前にその反応ガスを
加熱することによって反応速度または効率を増大するこ
とができる。加熱コイル２７は種々の形式の補助加熱手
段を示している。ガスを予熱する技法では、炭素が装置
上に過剰に沈積するファイバの表面から十分に離れた位
置で反応が生ずるようになし得る。このような炭素の沈
積は開口２２ａおよび２２ｂで生じ、ファイバを侵食ま
たは弱化することになり得る。このような反応の生成物
は排出管を通って流れてフィルタを詰らせるかあるいは
他の態様で流れを制限し、プロセスの流れ条件をアンバ
ランスにする。また、装置から粒子が剥がれて開口２２
ｄを通ってコ−タ１５に落下し、樹脂被覆に混入して被
覆ファイバを劣化させることになる。
伸されるファイバの熱によって供給される。補助加熱手
段が存在しない場合には、反応室内のファイバの温度は
ファイバの直径、延伸速度および１／Ｌに依存する。こ
のＬは炉内におけるプリフォ−ムのネックダウン部分か
らの距離である。例えば、延伸速度が低い場合には、フ
ァイバが反応室に入る前にまたはファイバが反応室内に
ある間にそのファイバを加熱することによって、あるい
は反応ガスが反応ゾ−ンに到達する前にその反応ガスを
加熱することによって反応速度または効率を増大するこ
とができる。加熱コイル２７は種々の形式の補助加熱手
段を示している。ガスを予熱する技法では、炭素が装置
上に過剰に沈積するファイバの表面から十分に離れた位
置で反応が生ずるようになし得る。このような炭素の沈
積は開口２２ａおよび２２ｂで生じ、ファイバを侵食ま
たは弱化することになり得る。このような反応の生成物
は排出管を通って流れてフィルタを詰らせるかあるいは
他の態様で流れを制限し、プロセスの流れ条件をアンバ
ランスにする。また、装置から粒子が剥がれて開口２２
ｄを通ってコ−タ１５に落下し、樹脂被覆に混入して被
覆ファイバを劣化させることになる。
【００１２】ヨ−ロッパ特許出願第ＥＰ ０ ３７４
９２６号公報は、反応をより効率的に進行させる条件の
下で反応室に原料を供給すべきことを教示している。そ
の公報は、（ａ）反応室の直径が小さすぎる場合には、
炭素ス−トが反応室の内壁の表面上に沈積され、ファイ
バの長い長さ部分に良質の炭素を被覆することができな
い、（ｂ）反応室の直径が大きすぎる場合にはガス状原
料が適切に流れないと述べている。その公報は従って反
応室の直径は少なくとも２．５ ｃｍであり、好ましく
は約４ ｃｍより大きくないようにすべきであると結論
づけている。
９２６号公報は、反応をより効率的に進行させる条件の
下で反応室に原料を供給すべきことを教示している。そ
の公報は、（ａ）反応室の直径が小さすぎる場合には、
炭素ス−トが反応室の内壁の表面上に沈積され、ファイ
バの長い長さ部分に良質の炭素を被覆することができな
い、（ｂ）反応室の直径が大きすぎる場合にはガス状原
料が適切に流れないと述べている。その公報は従って反
応室の直径は少なくとも２．５ ｃｍであり、好ましく
は約４ ｃｍより大きくないようにすべきであると結論
づけている。
【００１３】しかし、反応室が本発明に従って設計され
た場合には、内径（ＩＤ）が約１ ｃｍあるいはそれよ
り小さくても、内壁上には実質的に炭素ス−トは沈積し
ない。事実、約１ ｃｍより大きい反応室直径では、多
量のふわふわしたス−トが生じ、それが多くの表面に付
着して反応器を詰らせた。
た場合には、内径（ＩＤ）が約１ ｃｍあるいはそれよ
り小さくても、内壁上には実質的に炭素ス−トは沈積し
ない。事実、約１ ｃｍより大きい反応室直径では、多
量のふわふわしたス−トが生じ、それが多くの表面に付
着して反応器を詰らせた。
【００１４】図２は特公昭５２−８３３３９公報に開示
されている形式の従来技術の反応器を示している。被覆
形成装置３０は反応物供給チュ−ブ３１と、一対の隔離
室３２および３３を具備している。反応ガスＲＧは供給
室３４と供給穴３５を通ってチュ−ブ３１に供給される
。供給穴３５より上におけるチュ−ブ３１の長さの殆ど
が、熱の損失を防止する脱気された室３６によって包囲
されている。反応生成物は排出室３７と取り出し管３８
を通って流れる。
されている形式の従来技術の反応器を示している。被覆
形成装置３０は反応物供給チュ−ブ３１と、一対の隔離
室３２および３３を具備している。反応ガスＲＧは供給
室３４と供給穴３５を通ってチュ−ブ３１に供給される
。供給穴３５より上におけるチュ−ブ３１の長さの殆ど
が、熱の損失を防止する脱気された室３６によって包囲
されている。反応生成物は排出室３７と取り出し管３８
を通って流れる。
【００１５】ファイバ５０が装置３０を通じて延伸され
ると、それが開口４１および４２を通じてチュ−ブ３１
の先端部と開口４２との間に配置された領域４３内に空
気を引き入れる。開口４２１を通じての空気の吸入は、
液体を供給するための吸入開口４０を有する液体隔離室
３３によって妨害される。その液体は耐摩耗性被覆材料
であってもよく、その場合には、ヘリウムのような冷却
ガスが管４７内に流入され、ファイバをそれが被覆材料
中に入る前に冷却する。室３２は窒素のような不活性ガ
スの吸入開口３９を有するガス隔離室であり、そのガス
の一部分は開口４１から流れてファイバ５０が反応器に
入る場合にそのファイバから空気を掃き散らす作用をす
る。
ると、それが開口４１および４２を通じてチュ−ブ３１
の先端部と開口４２との間に配置された領域４３内に空
気を引き入れる。開口４２１を通じての空気の吸入は、
液体を供給するための吸入開口４０を有する液体隔離室
３３によって妨害される。その液体は耐摩耗性被覆材料
であってもよく、その場合には、ヘリウムのような冷却
ガスが管４７内に流入され、ファイバをそれが被覆材料
中に入る前に冷却する。室３２は窒素のような不活性ガ
スの吸入開口３９を有するガス隔離室であり、そのガス
の一部分は開口４１から流れてファイバ５０が反応器に
入る場合にそのファイバから空気を掃き散らす作用をす
る。
【００１６】図２の装置では、反応ガスは穴３５と先端
部４４との間の比較的長い距離にわたってファイバ５０
とは反対の方向に流れ、ガスの温度は流れに伴って上昇
する。この反応ガスの加熱は比較的細いチュ−ブ３１を
用いることによって高められ、それによって反応ガスが
ファイバの近くを通過させられる。距離ａが約１６ ｃ
ｍ、チュ−ブ３１の直径が９ ｍｍ、先端部４４の直径
が５ ｍｍである装置では、先端部４４の下方で生ずる
反応によって炭素の堆積が生じ、それが迅速にチュ−ブ
３１に充満した。装置３０で生じた反応では緩くてふわ
ふわした炭素を生じた。チュ−ブ３１内におけるこの堆
積の形成は、反応ガスとヘリウムとの結合した上方向の
流れを、反応を上方に領域４３まで移動させるのに十分
な流量に増大させることによって実質的に排除できる。 被覆形成装置へのおよびその装置からのすべての流れ、
すなわち管３８に印加される真空および取入れ口３９、
４７および４６への窒素、ヘリウムおよび反応ガスの流
れが処理を最適化しかつ反応を領域４３内で発生させる
ように注意深く調節されなければならない。反応ガスま
たはヘリウムの流れを増大させると反応をより高い点で
生じさせることになる。反応の点が高すぎると、表面４
８上に炭素が沈積し、低すぎると、先端部４４上に炭素
が沈積し、これらの沈積は比較的短い稼働の後で生じた
。これによって、ファイバが通る細い穴が詰った。沈積
物は最終的にはファイバに接触してそれを破断させた。 さらに、ファイバの気密特性がガス流量の小さい変化に
よって影響を受けた。
部４４との間の比較的長い距離にわたってファイバ５０
とは反対の方向に流れ、ガスの温度は流れに伴って上昇
する。この反応ガスの加熱は比較的細いチュ−ブ３１を
用いることによって高められ、それによって反応ガスが
ファイバの近くを通過させられる。距離ａが約１６ ｃ
ｍ、チュ−ブ３１の直径が９ ｍｍ、先端部４４の直径
が５ ｍｍである装置では、先端部４４の下方で生ずる
反応によって炭素の堆積が生じ、それが迅速にチュ−ブ
３１に充満した。装置３０で生じた反応では緩くてふわ
ふわした炭素を生じた。チュ−ブ３１内におけるこの堆
積の形成は、反応ガスとヘリウムとの結合した上方向の
流れを、反応を上方に領域４３まで移動させるのに十分
な流量に増大させることによって実質的に排除できる。 被覆形成装置へのおよびその装置からのすべての流れ、
すなわち管３８に印加される真空および取入れ口３９、
４７および４６への窒素、ヘリウムおよび反応ガスの流
れが処理を最適化しかつ反応を領域４３内で発生させる
ように注意深く調節されなければならない。反応ガスま
たはヘリウムの流れを増大させると反応をより高い点で
生じさせることになる。反応の点が高すぎると、表面４
８上に炭素が沈積し、低すぎると、先端部４４上に炭素
が沈積し、これらの沈積は比較的短い稼働の後で生じた
。これによって、ファイバが通る細い穴が詰った。沈積
物は最終的にはファイバに接触してそれを破断させた。 さらに、ファイバの気密特性がガス流量の小さい変化に
よって影響を受けた。
【００１７】図２の反応器は信頼性のある気密反応を生
じない点で比較的不安定である。その反応はファイバが
約１〜２ ｋｍ線引きされるまでは安定しなかった。こ
のため初期に作成されたファイバは疲労保護が十分でな
いために廃棄しなければならなかった。炭素被覆は稼働
全体にわたって均一ではなかった。稼働の開始時におけ
るファイバの被覆固有抵抗は１１ ｋΩ／ｃｍであり、
稼働の終りでは６ ｋΩ／ｃｍであった。
じない点で比較的不安定である。その反応はファイバが
約１〜２ ｋｍ線引きされるまでは安定しなかった。こ
のため初期に作成されたファイバは疲労保護が十分でな
いために廃棄しなければならなかった。炭素被覆は稼働
全体にわたって均一ではなかった。稼働の開始時におけ
るファイバの被覆固有抵抗は１１ ｋΩ／ｃｍであり、
稼働の終りでは６ ｋΩ／ｃｍであった。
【００１８】図２の装置から安定なファイバ（１００よ
り大きいｎ値を有する）を作成するためには、被覆固有
抵抗は６ ｋΩ／ｃｍと１１ ｋΩ／ｃｍの間でなけれ
ばならなかった。所要の固有抵抗を得るために十分な被
覆の厚さを与えるために最小限の反応ガスの流れが必要
とされた。一回の稼働での最大長さ（ス−トがコ−タを
汚す前に図２の装置で作成された全部のファイバ）や約
１０ ｋｍであった。一回の稼働での平均長さ（ス−ト
がコ−タを汚す前に作成された全部のファイバ）は８
ｋｍであり、作成されたうちで安定したファイバの最大
長さは６ ｋｍと８ ｋｍの間であった（ある程度のフ
ァイバが摩耗した）。
り大きいｎ値を有する）を作成するためには、被覆固有
抵抗は６ ｋΩ／ｃｍと１１ ｋΩ／ｃｍの間でなけれ
ばならなかった。所要の固有抵抗を得るために十分な被
覆の厚さを与えるために最小限の反応ガスの流れが必要
とされた。一回の稼働での最大長さ（ス−トがコ−タを
汚す前に図２の装置で作成された全部のファイバ）や約
１０ ｋｍであった。一回の稼働での平均長さ（ス−ト
がコ−タを汚す前に作成された全部のファイバ）は８
ｋｍであり、作成されたうちで安定したファイバの最大
長さは６ ｋｍと８ ｋｍの間であった（ある程度のフ
ァイバが摩耗した）。
【００１９】この形式の反応室は低い延伸速度ではファ
イバの温度が低いから良好に機能した。約１メ−トル／
秒以上の高い延伸速度では、ファイバは上方に移動する
反応ガスに過剰な熱を伝達するのに十分に熱いので、望
ましくない炭素堆積の問題を誘起する。速い延伸速度で
沈積した被覆は水素透過に対してある程度の耐性を生じ
た。本発明は延伸処理を終了させるような有害な炭素堆
積を伴うことなしに良好な水素障壁を有するファイバを
与える。
イバの温度が低いから良好に機能した。約１メ−トル／
秒以上の高い延伸速度では、ファイバは上方に移動する
反応ガスに過剰な熱を伝達するのに十分に熱いので、望
ましくない炭素堆積の問題を誘起する。速い延伸速度で
沈積した被覆は水素透過に対してある程度の耐性を生じ
た。本発明は延伸処理を終了させるような有害な炭素堆
積を伴うことなしに良好な水素障壁を有するファイバを
与える。
【００２０】
【本発明が解決しようとする課題】本発明の目的は装置
の詰りを生ずることなしに光ファイバの長い長さ部分に
対して連続した良好な品質の気密被覆を添着させるため
の方法および装置を提供することである。他の目的は、
比較的高い延伸速度で作成されている光ファイバに炭素
質の気密被覆を添着させるための方法および装置を提供
することである。
の詰りを生ずることなしに光ファイバの長い長さ部分に
対して連続した良好な品質の気密被覆を添着させるため
の方法および装置を提供することである。他の目的は、
比較的高い延伸速度で作成されている光ファイバに炭素
質の気密被覆を添着させるための方法および装置を提供
することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの局面は、
炭素被覆した光ファイバを作成する方法に関係している
。光ファイバが加熱されたガラス体から反応チュ−ブを
通じて延伸される。反応ガスがチュ−ブに流入されファ
イバ上を流れ、そのファイバの熱によってそこで反応し
て（ａ）ファイバ上の炭素被覆および（ｂ）反応生成物
を形成する。その反応ガスと反応生成物はファイバの移
動方向に流れ、チュ−ブの端部から流出し、そして制御
された雰囲気内に流入する。反応ガスはチュ−ブに流入
する場合およびチュ−ブから出た後でも反応し続ける。 チュ−ブの長さはその中に反応生成物が実質的に沈積し
ないようになされている。
炭素被覆した光ファイバを作成する方法に関係している
。光ファイバが加熱されたガラス体から反応チュ−ブを
通じて延伸される。反応ガスがチュ−ブに流入されファ
イバ上を流れ、そのファイバの熱によってそこで反応し
て（ａ）ファイバ上の炭素被覆および（ｂ）反応生成物
を形成する。その反応ガスと反応生成物はファイバの移
動方向に流れ、チュ−ブの端部から流出し、そして制御
された雰囲気内に流入する。反応ガスはチュ−ブに流入
する場合およびチュ−ブから出た後でも反応し続ける。 チュ−ブの長さはその中に反応生成物が実質的に沈積し
ないようになされている。
【００２２】反応ガスは供給室を通り、それからその反
応ガスの１つ以上の環状流れをファイバに向けて送るガ
ス供給手段を通って流れる。反応ガスはファイバの軸線
に体して直交関係または非直交関係の方向にファイバ上
に流れることができる。
応ガスの１つ以上の環状流れをファイバに向けて送るガ
ス供給手段を通って流れる。反応ガスはファイバの軸線
に体して直交関係または非直交関係の方向にファイバ上
に流れることができる。
【００２３】ガスが流入する制御された雰囲気は、ファ
イバが反応チュ−ブを出た後で入る受入れ室内に含めら
れ得る。受入れチュ−ブの直径は反応チュ−ブの直径よ
り大きく、それによって反応生成物の少なくともある程
度のものが、ファイバ延伸処理に対して実質的に悪影響
を及ぼさないその受入れチュ−ブの表面上に沈積する。
イバが反応チュ−ブを出た後で入る受入れ室内に含めら
れ得る。受入れチュ−ブの直径は反応チュ−ブの直径よ
り大きく、それによって反応生成物の少なくともある程
度のものが、ファイバ延伸処理に対して実質的に悪影響
を及ぼさないその受入れチュ−ブの表面上に沈積する。
【００２４】ファイバは受入れ室から移動する場合、そ
の受入れ室内への周囲の空気の流入を制限する隔離室を
通過することができる。反応チュ−ブと受入れ室との中
に好ましいガス流れ条件を確立するためにガスを受入れ
室から排出することができる。
の受入れ室内への周囲の空気の流入を制限する隔離室を
通過することができる。反応チュ−ブと受入れ室との中
に好ましいガス流れ条件を確立するためにガスを受入れ
室から排出することができる。
【００２５】本発明の他の局面は炭素被覆した光ファイ
バを作成するための装置に関係している。延伸した光フ
ァイバを作成するためのソ−ス手段と、反応チュ−ブと
、ファイバに耐摩耗性の被覆を添着させるための手段と
、それらの構成要素を通じてファイバを延伸するための
手段を具備したファイバ延伸装置が現在存在している。 本発明によれば、反応器はソ−ス手段の方を向いたファ
イバ取入れ端部とそれに対向したファイバ取り出し端部
を有する反応チュ−ブを具備している。反応チュ−ブの
取り出し端部は受入れ室に連通しており、反応チュ−ブ
はこの受入れ室内に突入していることが好ましい。 受入れ室の内径は反応チュ−ブの内径より大きい。
バを作成するための装置に関係している。延伸した光フ
ァイバを作成するためのソ−ス手段と、反応チュ−ブと
、ファイバに耐摩耗性の被覆を添着させるための手段と
、それらの構成要素を通じてファイバを延伸するための
手段を具備したファイバ延伸装置が現在存在している。 本発明によれば、反応器はソ−ス手段の方を向いたファ
イバ取入れ端部とそれに対向したファイバ取り出し端部
を有する反応チュ−ブを具備している。反応チュ−ブの
取り出し端部は受入れ室に連通しており、反応チュ−ブ
はこの受入れ室内に突入していることが好ましい。 受入れ室の内径は反応チュ−ブの内径より大きい。
【００２６】反応物である炭化水素ガスを反応チュ−ブ
に入流させるための手段が設けられる。この炭化水素ガ
スとしては、容易に分解してファイバ上に炭質被覆を生
ずるガスが選択される。反応チュ−ブはその中のファイ
バの温度が（ａ）ファイバ上の付着性炭素被覆と（ｂ）
反応生成物を形成する反応を生じさせるのに十分なだけ
高くなるようにソ−ス手段に対して十分に接近している
。反応ガスと反応生成物とを反応チュ−ブを通じて取り
出し端部から受入れ質内に流入させるための手段も設け
られている。
に入流させるための手段が設けられる。この炭化水素ガ
スとしては、容易に分解してファイバ上に炭質被覆を生
ずるガスが選択される。反応チュ−ブはその中のファイ
バの温度が（ａ）ファイバ上の付着性炭素被覆と（ｂ）
反応生成物を形成する反応を生じさせるのに十分なだけ
高くなるようにソ−ス手段に対して十分に接近している
。反応ガスと反応生成物とを反応チュ−ブを通じて取り
出し端部から受入れ質内に流入させるための手段も設け
られている。
【００２７】反応質内に反応ガスを流入させるための手
段はガス供給質と、このガス供給質から反応ガスを受取
りかつ反応ガスの１つ以上の環状流れをファイバに送る
ための手段を具備し得る。この少なくとも１つの環状流
れを送るための手段は反応チュ−ブの周囲に沿って離間
された複数の供給穴よりなり得る。受入れ質は反応チュ
−ブに対向していて受入れ室内への周囲の空気の流入を
制限する隔離室手段と、それからガスを排出させるため
の手段とを具備し得る。
段はガス供給質と、このガス供給質から反応ガスを受取
りかつ反応ガスの１つ以上の環状流れをファイバに送る
ための手段を具備し得る。この少なくとも１つの環状流
れを送るための手段は反応チュ−ブの周囲に沿って離間
された複数の供給穴よりなり得る。受入れ質は反応チュ
−ブに対向していて受入れ室内への周囲の空気の流入を
制限する隔離室手段と、それからガスを排出させるため
の手段とを具備し得る。
【００２８】反応チュ−ブの内径は０．３ ｃｍと１．
０ ｃｍとの間であることが好ましい。反応チュ−ブの
寸法は、チュ−ブの取り出し端部と上記反応質内に反応
ガスを流入させるための手段との間の距離が３ ｃｍと
１０ ｃｍの間であるようにするのが好ましい。受入れ
室の内径は２．５ ｃｍと１０ ｃｍとの間であること
が好ましく、かつこの受入れ室の長さは１０ ｃｍと５
０ ｃｍの間であることが好ましい。
０ ｃｍとの間であることが好ましい。反応チュ−ブの
寸法は、チュ−ブの取り出し端部と上記反応質内に反応
ガスを流入させるための手段との間の距離が３ ｃｍと
１０ ｃｍの間であるようにするのが好ましい。受入れ
室の内径は２．５ ｃｍと１０ ｃｍとの間であること
が好ましく、かつこの受入れ室の長さは１０ ｃｍと５
０ ｃｍの間であることが好ましい。
【００２９】
【実施例】図３を参照すると、本発明に従って設計され
た被覆形成装置５２が示されている。この装置５２は上
方隔離室５３、反応室５４、受入れ室５５、および下方
隔離室５３を含んでいる。反応室はトボムチップ５８を
有するチュ−ブ５７内に配置されている。受入れ室５５
は反応生成物がそれを通じて排出され得る取り出し管６
０を必要に応じて設けられた容器５９内に配置されてい
る。取入れ口６１および６２はそれぞれ室５３および５
６に不活性ガスを与える。反応ガスＲＧは取入れ口６３
、供給室６４および供給穴６５を介して室５４内に供給
あれる。
た被覆形成装置５２が示されている。この装置５２は上
方隔離室５３、反応室５４、受入れ室５５、および下方
隔離室５３を含んでいる。反応室はトボムチップ５８を
有するチュ−ブ５７内に配置されている。受入れ室５５
は反応生成物がそれを通じて排出され得る取り出し管６
０を必要に応じて設けられた容器５９内に配置されてい
る。取入れ口６１および６２はそれぞれ室５３および５
６に不活性ガスを与える。反応ガスＲＧは取入れ口６３
、供給室６４および供給穴６５を介して室５４内に供給
あれる。
【００３０】反応ガスは、環状流れとしてあるいは反応
室のまわりで離間された複数の噴流（ジェット）として
ファイバ６７に対して内方に送られる。反応物流れはフ
ァイバに沿った単一の軸線方向位置において（図３に概
略的に示されている）あるいは複数の軸線方向位置にお
いてファイバに衝突し得る。反応ガスはファイバに対し
て直交関係をもってあるいはその直交関係に対してある
角度をもって送られ得る。反応ガスがファイバに対して
小さすぎる角度をもって下方に向けられて室５４内に流
入されると、ガスがチュ−ブ５７に接近しすぎて十分な
被覆を形成することができなくなる。室５４は、反応ガ
スがこの室内に導入された後ではファイバに比較的接近
した領域に閉じ込められるように直径を比較的小さくな
されている。室５４の直径ｂは約０．３ ｃｍと１．０
ｃｍとの間であり、約０．５ ｃｍであるのが好まし
い。最小直径は、ファイバが装置に接触しないのに十分
なでけ大きくなければならない。直径が約１．０ ｃｍ
より大きい場合には、反応ガスがファイバに効率的に輸
送されず、反応が不安定となる。
室のまわりで離間された複数の噴流（ジェット）として
ファイバ６７に対して内方に送られる。反応物流れはフ
ァイバに沿った単一の軸線方向位置において（図３に概
略的に示されている）あるいは複数の軸線方向位置にお
いてファイバに衝突し得る。反応ガスはファイバに対し
て直交関係をもってあるいはその直交関係に対してある
角度をもって送られ得る。反応ガスがファイバに対して
小さすぎる角度をもって下方に向けられて室５４内に流
入されると、ガスがチュ−ブ５７に接近しすぎて十分な
被覆を形成することができなくなる。室５４は、反応ガ
スがこの室内に導入された後ではファイバに比較的接近
した領域に閉じ込められるように直径を比較的小さくな
されている。室５４の直径ｂは約０．３ ｃｍと１．０
ｃｍとの間であり、約０．５ ｃｍであるのが好まし
い。最小直径は、ファイバが装置に接触しないのに十分
なでけ大きくなければならない。直径が約１．０ ｃｍ
より大きい場合には、反応ガスがファイバに効率的に輸
送されず、反応が不安定となる。
【００３１】ガス導入領域が反応室の頂部を画成し、フ
ァイバはその領域で最も熱くなる。反応ガスがファイバ
に接触すると直ちに反応する。未反応のガスと消費され
たガスはチュ−ブ５７中をファイバと一緒に下方に流れ
、それらのガスがそのチュ−ブ中を下方に流れているあ
いだ反応が持続する。その反応の殆どがチュ−ブ５７内
で生じ、室５５内でもある程度の反応が生ずる。反応生
成物のうちのある程度の量が所望の被覆をファイバ上に
形成する。
ァイバはその領域で最も熱くなる。反応ガスがファイバ
に接触すると直ちに反応する。未反応のガスと消費され
たガスはチュ−ブ５７中をファイバと一緒に下方に流れ
、それらのガスがそのチュ−ブ中を下方に流れているあ
いだ反応が持続する。その反応の殆どがチュ−ブ５７内
で生じ、室５５内でもある程度の反応が生ずる。反応生
成物のうちのある程度の量が所望の被覆をファイバ上に
形成する。
【００３２】ファイバの表面近傍で生ずる反応生成物の
うちのある程度の量がチュ−ブ５７中を下方に流れるに
つれてファイバから離れるように半径方向に流れる。反
応室は所定の被覆厚みが形成されるのに十分な軸線方向
長さにわたって反応物をファイバの近傍に閉じ込めるの
に十分なだけ長くなければならない。しかし、反応ガス
注入の平均の点とボトムチップ５８との間の長さｃは、
その中に反応生成物が実質的に堆積しないように十分短
くなければならない。例えば一回の１００ ｋｍ延伸稼
働の後ではチュ−ブ５７の内側に反応生成物が若干堆積
して適度な脱色を生じることがありうる。しかし、この
ような若干の堆積は本発明の目的のためには取るに足り
ない。 図３Ａを参照すると、反応生成物６６は最初にファイバ
６７の近くで生じ、そしてチップ５８の方に流れるにつ
れてファイバから離れるように移動し続ける。もしチュ
−ブ５７が長すぎれば、すなわち長さｃより長ければ、
堆積６６ｃが生ずる。内径（ＩＤ）が１ ｃｍの反応チ
ュ−ブ５７では、長さｃは通常約５〜６．５ ｃｍであ
る。この長さは多分ファイバの温度、反応チュ−ブの直
径、反応ガスの流量等のようなプロセス・パラメ−タに
依存するであろう。
うちのある程度の量がチュ−ブ５７中を下方に流れるに
つれてファイバから離れるように半径方向に流れる。反
応室は所定の被覆厚みが形成されるのに十分な軸線方向
長さにわたって反応物をファイバの近傍に閉じ込めるの
に十分なだけ長くなければならない。しかし、反応ガス
注入の平均の点とボトムチップ５８との間の長さｃは、
その中に反応生成物が実質的に堆積しないように十分短
くなければならない。例えば一回の１００ ｋｍ延伸稼
働の後ではチュ−ブ５７の内側に反応生成物が若干堆積
して適度な脱色を生じることがありうる。しかし、この
ような若干の堆積は本発明の目的のためには取るに足り
ない。 図３Ａを参照すると、反応生成物６６は最初にファイバ
６７の近くで生じ、そしてチップ５８の方に流れるにつ
れてファイバから離れるように移動し続ける。もしチュ
−ブ５７が長すぎれば、すなわち長さｃより長ければ、
堆積６６ｃが生ずる。内径（ＩＤ）が１ ｃｍの反応チ
ュ−ブ５７では、長さｃは通常約５〜６．５ ｃｍであ
る。この長さは多分ファイバの温度、反応チュ−ブの直
径、反応ガスの流量等のようなプロセス・パラメ−タに
依存するであろう。
【００３３】反応生成物は、チュ−ブ５７から出た後、
受入れ室５５に入る時にファイバの表面からさらに離れ
る。反応生成物はその室の壁に沈積し、そこではその堆
積はファイバ延伸または被覆処理を妨害しない。容器５
９のＩＤが少なくとも約２．５ｃｍであれば、反応生成
物の堆積は問題とならない。容器５９が過度に大きくて
も利点はなく、約１０ ｃｍ程度の直径が実用上の上限
であると考えられる。反応生成物がファイバから離れら
れるようにするためには、受入れ室の長さは少なくとも
１０ ｃｍでなければならない。５０ ｃｍの長さが実
用上の最大長さであり、約２５ ｃｍの長さが好ましい
。容器５９の側面と底面上に油状膜が形成される。処理
が進行するにつれて、その膜は厚みを増し、炭化（ｃｈ
ａｒ）して固体の黒い被覆になる。この固体の被覆は悪
影響を生じない。しかし、室５５が１０ ｃｍより短い
と、反応生成物が容器５９の壁と底に集って室５６への
通路を詰らせることになる。
受入れ室５５に入る時にファイバの表面からさらに離れ
る。反応生成物はその室の壁に沈積し、そこではその堆
積はファイバ延伸または被覆処理を妨害しない。容器５
９のＩＤが少なくとも約２．５ｃｍであれば、反応生成
物の堆積は問題とならない。容器５９が過度に大きくて
も利点はなく、約１０ ｃｍ程度の直径が実用上の上限
であると考えられる。反応生成物がファイバから離れら
れるようにするためには、受入れ室の長さは少なくとも
１０ ｃｍでなければならない。５０ ｃｍの長さが実
用上の最大長さであり、約２５ ｃｍの長さが好ましい
。容器５９の側面と底面上に油状膜が形成される。処理
が進行するにつれて、その膜は厚みを増し、炭化（ｃｈ
ａｒ）して固体の黒い被覆になる。この固体の被覆は悪
影響を生じない。しかし、室５５が１０ ｃｍより短い
と、反応生成物が容器５９の壁と底に集って室５６への
通路を詰らせることになる。
【００３４】１００ｋｍ以上の各延伸稼働の後で、反応
器が延伸タワ−から取外されて解体される。容器５９が
各延伸稼働後に清掃される。チュ−ブ５７は１００ ｋ
ｍの延伸稼働を少なくとも２回行うまでは清掃する必要
はない。これらの装置は空気中で加熱して堆積物を酸化
させることによって清掃される。
器が延伸タワ−から取外されて解体される。容器５９が
各延伸稼働後に清掃される。チュ−ブ５７は１００ ｋ
ｍの延伸稼働を少なくとも２回行うまでは清掃する必要
はない。これらの装置は空気中で加熱して堆積物を酸化
させることによって清掃される。
【００３５】室５５は制御された雰囲気を閉じ込めるた
めの手段として機能する。この雰囲気の顕著な特徴はそ
れの最少限の酸素含有量である。例えば炭素被覆された
熱いファイバがチュ−ブ５７から空気中に出ると、その
結果生ずる酸化によって炭素被覆が破損されることにな
る。おそらく、ファイバがチュ−ブ５７から出るときに
そのファイバに不活性ガスの流れを送りつけることによ
っても制御された雰囲気が得られる。
めの手段として機能する。この雰囲気の顕著な特徴はそ
れの最少限の酸素含有量である。例えば炭素被覆された
熱いファイバがチュ−ブ５７から空気中に出ると、その
結果生ずる酸化によって炭素被覆が破損されることにな
る。おそらく、ファイバがチュ−ブ５７から出るときに
そのファイバに不活性ガスの流れを送りつけることによ
っても制御された雰囲気が得られる。
【００３６】好ましい実施例が図４および図５に示され
ており、この実施例では、側璧７４、底壁７５およびカ
バ−８４を有する容器が受入れ室７６を構成している。 隔離室７７はそれに不活性ガスを供給するための取入れ
口７８を有している。取り出し開口８０には短いチュ−
ブ７９が連結されている。チュ−ブ８１が容器の底７５
における開口８２から室７７の底壁に向って延長してお
り、このチュ−ブ８１の底に小さい間隙８３が形成され
る。室７６には壁７４の底の近くに排気取り出し口が必
要に応じて設けられる。
ており、この実施例では、側璧７４、底壁７５およびカ
バ−８４を有する容器が受入れ室７６を構成している。 隔離室７７はそれに不活性ガスを供給するための取入れ
口７８を有している。取り出し開口８０には短いチュ−
ブ７９が連結されている。チュ−ブ８１が容器の底７５
における開口８２から室７７の底壁に向って延長してお
り、このチュ−ブ８１の底に小さい間隙８３が形成され
る。室７６には壁７４の底の近くに排気取り出し口が必
要に応じて設けられる。
【００３７】図４を参照すると、カバ−８４上に配置さ
れたハウジング手段８５および８６がそれぞれ供給室８
７および隔離室８８を画成する。手段８５および８６の
上壁にはそれぞれ開口８９および９０がもうけられてお
り、これらの開口をファイバが通過する。チュ−ブ９１
はカバ−８４を貫通しており、そしてそれの上端部が開
口８９の拡大された部分内に嵌入している。チュ−ブ９
１の供給室８７内の部分は１つ以上の組の供給穴９２を
有しており、図面には５つの組の穴が示されている。反
応ガスは取入れ口９４を通じて室８７に供給され、そし
て不活性ガスは取入れ口９５を通じて室８８に供給され
る。この実施例では、距離ｃはチップ９３から中間の組
の供給穴までとして測られる。
れたハウジング手段８５および８６がそれぞれ供給室８
７および隔離室８８を画成する。手段８５および８６の
上壁にはそれぞれ開口８９および９０がもうけられてお
り、これらの開口をファイバが通過する。チュ−ブ９１
はカバ−８４を貫通しており、そしてそれの上端部が開
口８９の拡大された部分内に嵌入している。チュ−ブ９
１の供給室８７内の部分は１つ以上の組の供給穴９２を
有しており、図面には５つの組の穴が示されている。反
応ガスは取入れ口９４を通じて室８７に供給され、そし
て不活性ガスは取入れ口９５を通じて室８８に供給され
る。この実施例では、距離ｃはチップ９３から中間の組
の供給穴までとして測られる。
【００３８】他の好ましい実施例が図６にしめされてお
り、容器の側璧９８、トップカバ−９９およびボトムカ
バ−１０で受入れ室９７を形成している。排気ガスは取
り出し管１０１を通じて室９７から除去される。
り、容器の側璧９８、トップカバ−９９およびボトムカ
バ−１０で受入れ室９７を形成している。排気ガスは取
り出し管１０１を通じて室９７から除去される。
【００３９】軸穴１０９を有する下方隔離室ハウジング
１０３がトップカバ−１０１に取り付けられている。ハ
ウジング１０３の上方部分１１１は室９７内に上方に突
出している。底壁１００上に油状の反応生成物が沈積す
ると、その沈積物が炭化して固体物質となる前に穴１０
９内に入り込むのを部分１１１が阻止する。ハウジング
１０３の上方部分に配置された第１の下方隔離室１０２
はそれに不活性ガスを供給するための取入れ口１０４を
有している。ハウジング１０３の下方部分に配置された
第２の下方隔離室１０５はそれに不活性ガスを供給する
ための取入れ口１０６を有している。室１０２および１
０５はそれぞれ環状スロット１０７および１０８で穴１
０９に連通している。各室１０２および１０５の断面積
は半径の減少に伴って減少するので、これらの室は比較
的高速のガス流を生ずるノズルとして機能する。室１０
２は、窒素のような不活性ガスがスロット１０７から上
方向に流れるような角度で穴１０９と交差している。こ
の窒素流が室９７から穴１０９内への反応物と反応生成
物の流れを減少させる。室１０５は、ヘリウムのような
不活性ガスがスロット１０８から下方向に流れるような
角度で穴１０９と交差する。このヘリウムの流れが穴１
０９内への空気の流れを減少させかつファイバを冷やす
。
１０３がトップカバ−１０１に取り付けられている。ハ
ウジング１０３の上方部分１１１は室９７内に上方に突
出している。底壁１００上に油状の反応生成物が沈積す
ると、その沈積物が炭化して固体物質となる前に穴１０
９内に入り込むのを部分１１１が阻止する。ハウジング
１０３の上方部分に配置された第１の下方隔離室１０２
はそれに不活性ガスを供給するための取入れ口１０４を
有している。ハウジング１０３の下方部分に配置された
第２の下方隔離室１０５はそれに不活性ガスを供給する
ための取入れ口１０６を有している。室１０２および１
０５はそれぞれ環状スロット１０７および１０８で穴１
０９に連通している。各室１０２および１０５の断面積
は半径の減少に伴って減少するので、これらの室は比較
的高速のガス流を生ずるノズルとして機能する。室１０
２は、窒素のような不活性ガスがスロット１０７から上
方向に流れるような角度で穴１０９と交差している。こ
の窒素流が室９７から穴１０９内への反応物と反応生成
物の流れを減少させる。室１０５は、ヘリウムのような
不活性ガスがスロット１０８から下方向に流れるような
角度で穴１０９と交差する。このヘリウムの流れが穴１
０９内への空気の流れを減少させかつファイバを冷やす
。
【００４０】軸穴１２０を有する上方室ハウジング１１
９はトップカバ−９９に取り付けられている。ハウジン
グ１１９の上方部分に配置された上方隔離室１２１はそ
れに不活性ガスを供給するための取入れ口１２２を有し
ている。ハウジング１１９の下方部分に配置された供給
室１２４はそれに反応ガスを供給するための取入れ口１
２５を有している。室１２１および１２４はそれぞれ環
状スロット１２３および１２６で穴１２０と連通してい
る。各室１２１および１２４の断面積が半径の減少に伴
って減少するので、これらの室はそれからガスが上方向
に流れるような角度で穴１２０と交差している。室１２
４は上方に傾斜して図示されているが、下方に傾斜して
いてもよく、あるいはファイバ１１８に対して直交関係
をもって配置されてもよい。
９はトップカバ−９９に取り付けられている。ハウジン
グ１１９の上方部分に配置された上方隔離室１２１はそ
れに不活性ガスを供給するための取入れ口１２２を有し
ている。ハウジング１１９の下方部分に配置された供給
室１２４はそれに反応ガスを供給するための取入れ口１
２５を有している。室１２１および１２４はそれぞれ環
状スロット１２３および１２６で穴１２０と連通してい
る。各室１２１および１２４の断面積が半径の減少に伴
って減少するので、これらの室はそれからガスが上方向
に流れるような角度で穴１２０と交差している。室１２
４は上方に傾斜して図示されているが、下方に傾斜して
いてもよく、あるいはファイバ１１８に対して直交関係
をもって配置されてもよい。
【００４１】下記んも実施例は本発明の装置で作成され
た炭素被覆の品質と、その装置の動作における改良点を
示している。これらの各実施例では、延伸炉の中心と反
応器の頂部との間の距離は３３ ｃｍであった。上記の
装置は５メ−トル／秒と１１メ−トル／秒との間の延伸
速度で動作することができる。下記の特定の実施例では
、延伸速度は９メ−トル／秒である。異なる延伸速度が
用いられる場合には、それに応じて流量を調節しなけれ
ばならない。下記の実施例はすべて、直径１２５μのフ
ァイバの被覆を含んでいる。それより直径の大きいファ
イバが用いられる場合には、ファイバの温度が高くなり
、かつ反応器の詰りを生ずることなしに延伸できるファ
イバの長さは小さくなる。
た炭素被覆の品質と、その装置の動作における改良点を
示している。これらの各実施例では、延伸炉の中心と反
応器の頂部との間の距離は３３ ｃｍであった。上記の
装置は５メ−トル／秒と１１メ−トル／秒との間の延伸
速度で動作することができる。下記の特定の実施例では
、延伸速度は９メ−トル／秒である。異なる延伸速度が
用いられる場合には、それに応じて流量を調節しなけれ
ばならない。下記の実施例はすべて、直径１２５μのフ
ァイバの被覆を含んでいる。それより直径の大きいファ
イバが用いられる場合には、ファイバの温度が高くなり
、かつ反応器の詰りを生ずることなしに延伸できるファ
イバの長さは小さくなる。
【００４２】反応器Ａ
図４および図５について説明した実施例に従って反応室
が構成された。室８８は直径が２．９ ｃｍ、そして軸
線方向の長さが１．５ ｃｍであった。室８７は直径が
２．９ｃｍ、そして軸線方向の長さが２．４ ｃｍであ
った。開口９０の直径は４ ｍｍであった。室７７は直
径が６．４ ｃｍであり、軸線方向の長さは５ ｃｍで
あった。チュ−ブ７９および８１の長さは１．９ ｃｍ
および４．９ ｃｍであり、それらの内径は０．７ ｃ
ｍであった。間隙８３は約１ ｍｍであった。チュ−ブ
９１は内径が５ ｍｍ、外径が８．９ ｍｍであった。 穴９２の組間の軸線方向間隔は５ ｍｍであった。５つ
の組の穴の各組は直径０．１０９ ｃｍの穴を８つ含ん
でおり、４０箇の穴の全断面積は０．３７５ ｃｍ２で
あった。チュ−ブ９１はカバ−８４から４．５ ｃｍだ
け延長して室７６内に入っており、距離ｃは６．５ ｃ
ｍであった。排気口は室７６の底から５ ｃｍのところ
に配置された。
が構成された。室８８は直径が２．９ ｃｍ、そして軸
線方向の長さが１．５ ｃｍであった。室８７は直径が
２．９ｃｍ、そして軸線方向の長さが２．４ ｃｍであ
った。開口９０の直径は４ ｍｍであった。室７７は直
径が６．４ ｃｍであり、軸線方向の長さは５ ｃｍで
あった。チュ−ブ７９および８１の長さは１．９ ｃｍ
および４．９ ｃｍであり、それらの内径は０．７ ｃ
ｍであった。間隙８３は約１ ｍｍであった。チュ−ブ
９１は内径が５ ｍｍ、外径が８．９ ｍｍであった。 穴９２の組間の軸線方向間隔は５ ｍｍであった。５つ
の組の穴の各組は直径０．１０９ ｃｍの穴を８つ含ん
でおり、４０箇の穴の全断面積は０．３７５ ｃｍ２で
あった。チュ−ブ９１はカバ−８４から４．５ ｃｍだ
け延長して室７６内に入っており、距離ｃは６．５ ｃ
ｍであった。排気口は室７６の底から５ ｃｍのところ
に配置された。
【００４３】室８７内へのメチルアセチレンの流量は０
．１ ｓｌｐｍと０．４ ｓｌｐｍの間であった。０．
１ ｓｌｐｍではある程度の不安定性があったので、疲
労は良くなかった。許容し得る疲労のための反応ガスの
最少流量は０．１５ ｓｌｐｍであり、良好な疲労およ
び良好な水素障壁のための好ましい流量は０．２ ｓｌ
ｐｍであった。０．４ ｓｌｐｍより大きい流量では強
度が低下しかつ延伸稼働も短くなった。室７７および８
８に２．０ ｓｌｐｍで窒素が流入された。排気流は１
．５ ｓｌｐｍであった。
．１ ｓｌｐｍと０．４ ｓｌｐｍの間であった。０．
１ ｓｌｐｍではある程度の不安定性があったので、疲
労は良くなかった。許容し得る疲労のための反応ガスの
最少流量は０．１５ ｓｌｐｍであり、良好な疲労およ
び良好な水素障壁のための好ましい流量は０．２ ｓｌ
ｐｍであった。０．４ ｓｌｐｍより大きい流量では強
度が低下しかつ延伸稼働も短くなった。室７７および８
８に２．０ ｓｌｐｍで窒素が流入された。排気流は１
．５ ｓｌｐｍであった。
【００４４】チュ−ブ９１の外表面と容器７６を形成し
ている表面上にガラス質の炭素が生成した。光ファイバ
には、そのファイバの延伸工程または気密および強度特
性を阻害するのに十分な堆積を生ずることなしに１１０
ｋｍの長さにわたって炭素が被覆された。この１１０
ｋｍの長さはプリフォ−ムから延伸され得るファイバ
の量によって制限される。
ている表面上にガラス質の炭素が生成した。光ファイバ
には、そのファイバの延伸工程または気密および強度特
性を阻害するのに十分な堆積を生ずることなしに１１０
ｋｍの長さにわたって炭素が被覆された。この１１０
ｋｍの長さはプリフォ−ムから延伸され得るファイバ
の量によって制限される。
【００４５】反応炉Ａの初期の設計では、室７６内への
チュ−ブ９１の延長部分は距離ｃが１０ ｃｍとなるよ
うに最初大きくなされた。室７６内に延長したチュ−ブ
９１の端部内で堆積物が生じた。距離ｃが６．２ ｃｍ
まで短縮されると、顕著な堆積は生じなかった。
チュ−ブ９１の延長部分は距離ｃが１０ ｃｍとなるよ
うに最初大きくなされた。室７６内に延長したチュ−ブ
９１の端部内で堆積物が生じた。距離ｃが６．２ ｃｍ
まで短縮されると、顕著な堆積は生じなかった。
【００４６】チュ−ブ９１が除去されて反応ガスが取入
れ口９４からファイバに流れると、反応が安定化されず
、室８７内に炭素の堆積が生じた。
れ口９４からファイバに流れると、反応が安定化されず
、室８７内に炭素の堆積が生じた。
【００４７】反応器Ｂ
他の反応室が図４および図５について上述した実施例に
従って構成された。室８８は直径が２．７ ｃｍ、軸方
向の長さが１．３ ｃｍであった。室８７は直径が２．
７ ｃｍ、軸方向の長さが４．９ ｃｍであった。開口
９０の直径とチュ−ブ９１のＩＤは反応室Ａの場合と同
一であった。チュ−ブ９１の壁厚は１ ｍｍであった。 室７６は直径が５．１ ｃｍ、軸方向の長さが４５ ｃ
ｍであった。チュ−ブ７９および８１の長さは４．９
ｃｍおよび５．１ ｃｍであり、それらの直径は０．９
ｃｍであった。間隙８３は２ ｍｍであった。穴９２
の組の間の軸方向間隔は５ ｍｍであり、穴８８の全断
面積は０．８２１ ｃｍ２であった。チュ−ブ９１はカ
バ−８４から２．５ ｃｍだけ延長して室７６に入り込
んでおり、距離ｃは５．７ ｃｍであった。室７６には
排気口はなかった。
従って構成された。室８８は直径が２．７ ｃｍ、軸方
向の長さが１．３ ｃｍであった。室８７は直径が２．
７ ｃｍ、軸方向の長さが４．９ ｃｍであった。開口
９０の直径とチュ−ブ９１のＩＤは反応室Ａの場合と同
一であった。チュ−ブ９１の壁厚は１ ｍｍであった。 室７６は直径が５．１ ｃｍ、軸方向の長さが４５ ｃ
ｍであった。チュ−ブ７９および８１の長さは４．９
ｃｍおよび５．１ ｃｍであり、それらの直径は０．９
ｃｍであった。間隙８３は２ ｍｍであった。穴９２
の組の間の軸方向間隔は５ ｍｍであり、穴８８の全断
面積は０．８２１ ｃｍ２であった。チュ−ブ９１はカ
バ−８４から２．５ ｃｍだけ延長して室７６に入り込
んでおり、距離ｃは５．７ ｃｍであった。室７６には
排気口はなかった。
【００４８】室８７に流入するメチルアセチレンの流量
は０．１ ｓｌｐｍと０．２ ｓｌｐｍとの間の範囲で
あった。良好な疲労のための最低流量は０．１ ｓｌｐ
ｍであり、良好な疲労のための好ましい流量は０．１５
ｓｌｐｍであった。０．１ ｓｌｐｍより大きい反応
ガス流量では強度が低下した。室７７および８８に２．
０ ｓｌｐｍで窒素が流入された。
は０．１ ｓｌｐｍと０．２ ｓｌｐｍとの間の範囲で
あった。良好な疲労のための最低流量は０．１ ｓｌｐ
ｍであり、良好な疲労のための好ましい流量は０．１５
ｓｌｐｍであった。０．１ ｓｌｐｍより大きい反応
ガス流量では強度が低下した。室７７および８８に２．
０ ｓｌｐｍで窒素が流入された。
【００４９】チュ−ブ９１の外表面と容器７６を形成し
ている表面の上にある程度のガラス質炭素が生成した。 この反応器は開発の初期の段階のものであるから、長い
延伸長を作成するためには用いられなかった。しかし、
堆積物が観察されなかったから、１００ ｋｍ以上のフ
ァイバを作成することが期待される。
ている表面の上にある程度のガラス質炭素が生成した。 この反応器は開発の初期の段階のものであるから、長い
延伸長を作成するためには用いられなかった。しかし、
堆積物が観察されなかったから、１００ ｋｍ以上のフ
ァイバを作成することが期待される。
【００５０】反応室Ｃ
図６について上述した実施例に従って反応室が構成され
た。室９７は直径が６．４ ｃｍ、軸方向の長さが２５
ｃｍであった。ハウジング１０３のボトムチップから
カバ−１００までの距離は７ ｃｍであった。ハジウン
グ１１９のチップからカバ−９９までの距離は５．５
ｃｍであった。ハウジング１２７のボトムチップからカ
バ−９９までの距離は２．９ ｃｍであった。穴１０９
および１２０の直径は５ ｍｍであった。排気口１０１
は底壁１００の上方１ ｃｍのところにあった。各室１
０４、１０５、１２１および１２４は最大半径が１．２
７ ｃｍであり、そこでの高さは５ ｍｍであった。各
室１０４、１０５、１２１および１２４の中心を通るコ
−ンはファイバ１１８の軸線に対して約５℃の角度をな
していた。各スロット１０７、１０８、１２３および１
２６の軸線方向の長さは０．６８ ｍｍであり、周囲は
１．５８８ ｃｍであり、従って、各スロットの全面積
は０．１０８ ｃｍであった。距離ｃ（スロット１２６
とチップ１２９との間の距離）は５．６ ｃｍであった
。スロット１２３とハウジング１１９の上方チップとの
間の距離は１．７ ｃｍであった。
た。室９７は直径が６．４ ｃｍ、軸方向の長さが２５
ｃｍであった。ハウジング１０３のボトムチップから
カバ−１００までの距離は７ ｃｍであった。ハジウン
グ１１９のチップからカバ−９９までの距離は５．５
ｃｍであった。ハウジング１２７のボトムチップからカ
バ−９９までの距離は２．９ ｃｍであった。穴１０９
および１２０の直径は５ ｍｍであった。排気口１０１
は底壁１００の上方１ ｃｍのところにあった。各室１
０４、１０５、１２１および１２４は最大半径が１．２
７ ｃｍであり、そこでの高さは５ ｍｍであった。各
室１０４、１０５、１２１および１２４の中心を通るコ
−ンはファイバ１１８の軸線に対して約５℃の角度をな
していた。各スロット１０７、１０８、１２３および１
２６の軸線方向の長さは０．６８ ｍｍであり、周囲は
１．５８８ ｃｍであり、従って、各スロットの全面積
は０．１０８ ｃｍであった。距離ｃ（スロット１２６
とチップ１２９との間の距離）は５．６ ｃｍであった
。スロット１２３とハウジング１１９の上方チップとの
間の距離は１．７ ｃｍであった。
【００５１】室１２４に流入するメチルアセチレンの流
量は良好な疲労および水素障壁を得るためには約０．３
ｓｌｐｍと１．０ ｓｌｐｍとの間の範囲であり、良
好な疲労および水素障壁のための好ましい流量は０．４
ｓｌｐｍであった。１．０ ｓｌｐｍより大きい反応
ガスの流量では強度が低下しかつ延伸長が短くなった。 室１０２および１２１には０．２ ｓｌｐｍおよび２
ｓｌｐｍで窒素が流入された。室１０５にはヘリウムが
２ ｓｌｐｍで流入した。取り出し口１０１からの排気
流は１．５ ｓｌｐｍであった。
量は良好な疲労および水素障壁を得るためには約０．３
ｓｌｐｍと１．０ ｓｌｐｍとの間の範囲であり、良
好な疲労および水素障壁のための好ましい流量は０．４
ｓｌｐｍであった。１．０ ｓｌｐｍより大きい反応
ガスの流量では強度が低下しかつ延伸長が短くなった。 室１０２および１２１には０．２ ｓｌｐｍおよび２
ｓｌｐｍで窒素が流入された。室１０５にはヘリウムが
２ ｓｌｐｍで流入した。取り出し口１０１からの排気
流は１．５ ｓｌｐｍであった。
【００５２】ハウジング１２７の外表面（外側穴１２８
）、室９７の壁９８、および頂部壁および底部壁９９お
よび１００上に油状の膜が最初に生じた。この膜が炭化
して固体の被覆となり、この被覆はファイバの延伸工程
の妨害とはならなかった。穴１２８の表面上には反応生
成物の実質的な堆積は生じなかったが、そこには適度な
脱色が見られた。ファイバの延伸処理または気密および
強度特性を阻害するのに十分な堆積を生ずることなしに
８０ ｋｍの長さにわたってファイバに炭素が被覆され
た。この８０ ｋｍの長さは反応器によって制限される
ことはなく、それはプリフォ−ムから延伸できるファイ
バの量によって制限された。
）、室９７の壁９８、および頂部壁および底部壁９９お
よび１００上に油状の膜が最初に生じた。この膜が炭化
して固体の被覆となり、この被覆はファイバの延伸工程
の妨害とはならなかった。穴１２８の表面上には反応生
成物の実質的な堆積は生じなかったが、そこには適度な
脱色が見られた。ファイバの延伸処理または気密および
強度特性を阻害するのに十分な堆積を生ずることなしに
８０ ｋｍの長さにわたってファイバに炭素が被覆され
た。この８０ ｋｍの長さは反応器によって制限される
ことはなく、それはプリフォ−ムから延伸できるファイ
バの量によって制限された。
【００５３】被覆の厚みとそれの構造の両方がマ−メチ
ック性に影響する。同一の延伸および被覆形成コ−タに
よって作成された２本のファイバの被覆厚が異なる場合
には、薄い被覆を有するファイバの方が強い。しかし、
気密性のためには、ある最小厚みが必要とされる。反応
器ＡおよびＣで作成された水素障壁係数は、１１気圧の
水素中で８５℃の２０日間のテストの後ではｄｂ／ｋｍ
で０．００〜０．０５であった。これらの反応器で作成
されたファイバはすべて１００より大きいｎ−値を有し
ており、ｎは通常２００より大きい。
ック性に影響する。同一の延伸および被覆形成コ−タに
よって作成された２本のファイバの被覆厚が異なる場合
には、薄い被覆を有するファイバの方が強い。しかし、
気密性のためには、ある最小厚みが必要とされる。反応
器ＡおよびＣで作成された水素障壁係数は、１１気圧の
水素中で８５℃の２０日間のテストの後ではｄｂ／ｋｍ
で０．００〜０．０５であった。これらの反応器で作成
されたファイバはすべて１００より大きいｎ−値を有し
ており、ｎは通常２００より大きい。
【図１】光ファイバに気密被覆を添着させるための従来
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図２】光ファイバに気密被覆を添着させるための従来
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図３】本発明に従って構成された被覆形成装置の概略
図である。
図である。
【図４】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図５】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図６】他の実施例の断面図である。
５２ 被覆形成装置
５３ 上方隔離室
５４ 反応室
５５ 受入れ室
５７ チュ−ブ
６０ 取り出し管
５９ 容器
６１ 取入れ口
６２ 取入れ口
６３ 取入れ口
６４ 供給室６４
６５ 供給穴
６７ ファイバ
７６ 受入れ室
７８ 取入れ口
８０ 取り出し開口８０
７９ 短いチュ−ブ
８３ 間隙
８５ ハウジング手段
８６ ハウジング手段
８７ 供給室
８８ 隔離室
８９ 開口
９０ 開口
９１ チュ−ブ
９２ 供給穴
９４ 取入れ口
９５ 取入れ口
９７ 受入れ室
１０３ ハウジング
１０２ 第１の下方隔離室
１０４ 取入れ口
１０５ 第２の下方隔離室
１０７ 環状スロット
１０８ 環状スロット
１０９ 穴
１２１ 上方隔離室
１２２ 取入れ口
１２４ 供給室
１２５ 取入れ口
１１８ ファイバ
Claims (26)
- 【請求項１】炭素被覆光ファイバを作成する方法におい
て、加熱されたガラス体から反応チュ−ブを通じて光フ
ァイバを延伸し、前記チュ−ブ内に反応ガスを流入させ
てファイバの上に流し、そこでその反応ガスが反応して
前記ファイバ上に炭素被覆を形成するとともに反応生成
物を生成し、前記反応ガスおよび反応生成物を前記ファ
イバの移動方向に流して前記チュ−ブの端部から出し、
そして制御された雰囲気内に流入させることよりなり、
この場合、前記チュ−ブの長さをそのチュ−ブ内に反応
生成物が実質的に堆積しないような長さにしてある炭素
被覆光ファイバの作成方法。 - 【請求項２】前記チュ−ブ内に反応ガスを流入させる工
程が、前記反応ガスを供給室を通じて流しかつその後で
反応ガスの少なくとも１つの環状流を前記ファイバ上に
送るガス供給手段を通じて流すことよりなる請求項１の
方法。 - 【請求項３】前記ガス供給手段を通じて前記反応ガスを
流す工程が、前記反応ガスを前記ファイバの軸線に対し
て直交関係をもって前記ファイバ上に流すことよりなる
請求項２の方法。 - 【請求項４】前記ガス供給手段を通じて前記反応ガスを
流す工程が、前記反応ガスを前記ファイバの軸線に対し
て非直交関係の方向をもって前記ファイバ上に流すこと
よりなる請求項２の方法。 - 【請求項５】前記チュ−ブ内に反応ガスを流入させる工
程は、供給室内に反応ガスを流入させ、その後で、反応
ガスの複数の軸方向に離間した環状の流れを前記ファイ
バ上に送るガス供給手段を通じて流すことよりなる請求
項１の方法。 - 【請求項６】前記反応ガスと反応生成物を前記ファイバ
の移動方向に流す工程は、前記反応チュ−ブからそれよ
りも大きい直径を有する受入れ室に前記ファイバを移動
させることよりなり、前記反応生成物のうちの少なくと
もある程度の量が前記受入れ室の表面上に沈積する請求
項１の方法。 - 【請求項７】前記延伸工程が０．３ ｃｍと１．０ ｃ
ｍの間の内径を有する反応チュ−ブを通じて前記光ファ
イバを延伸することよりなる請求項１の方法。 - 【請求項８】前記延伸工程が反応チュ−ブを通じて前記
光ファイバを延伸することよりなり、この場合、前記反
応チュ−ブの寸法は前記ガスが出るこのチュ−ブの端部
と前記チュ−ブ内への反応ガスの注入の平均点との間の
距離が３ ｃｍと１０ ｃｍの間である請求項７の方法
。 - 【請求項９】前記反応ガスおよび反応生成物を前記ファ
イバの移動方向に流して前記チュ−ブの端部から出し、
そして制御された雰囲気内に流入させる工程は、前記反
応ガスが前記チュ−ブを通って流れるときおよび前記チ
ュ−ブから出た後に反応し続けるようになされている請
求項１の方法。 - 【請求項１０】炭素被覆光ファイバを作成する方法にお
いて、加熱されたガラス体から光ファイバを延伸し、チ
ュ−ブを通じて前記延伸したファイバを移動させ、炭質
組成を前記チュ−ブ内に流入させ、この場合、前記ファ
イバは（ａ）前記ファイバ上の付着性炭素被覆および（
ｂ）反応生成物を生成する反応を生じさせるのに十分な
高い温度を有しており、前記反応ガスと反応生成物を前
記チュ−ブを通じて前記ファイバの移動方向に流し、そ
して前記チュ−ブの端部からこのチュ−ブより大きい内
径を有する受入れ室に流入させ、この場合、前記反応生
成物のうちの少なくともある程度の量を前記受入れ室の
表面上に沈積させるようにすることよりなる炭素被覆光
ファイバの作成方法。 - 【請求項１１】前記反応ガスを前記チュ−ブ内に流入さ
せる工程が前記反応ガスを供給室を通じて流し、そして
その後で反応ガスの少なくとも１つの環状流を前記ファ
イバに送るガス供給手段を通じて流すことよりなる請求
項１０の方法。 - 【請求項１２】前記反応ガスを前記チュ−ブ内に流入さ
せる工程が前記反応ガスを供給室を通じて流し、そして
その後で反応ガスの複数の軸方向に離間した環状流を前
記ファイバに送るガス供給手段を通じて流すことよりな
る請求項１０の方法。 - 【請求項１３】前記受入れ室内への周囲の空気の流入を
制限する隔離室を通じて前記受入れ室から前記ファイバ
を移動させる工程をさらに含む請求項１０の方法。 - 【請求項１４】前記受入れ室からガスを排出させる工程
をさらに含む請求項１３の方法。 - 【請求項１５】前記接触工程が前記反応ガスを供給室を
通じて流しそしてその後で反応ガスの少なくとも１つの
環状流を前記ファイバに送るガス供給手段を通じて流す
ことよりなる請求項１４の方法。 - 【請求項１６】炭素被覆光ファイバを作成するための装
置において、延伸された光ファイバを作成するためのソ
−ス手段と、前記ソ−ス手段の方を向いたファイバ取入
れ端部とそれに対向したファイバ取り出し端部を有する
反応チュ−ブと、前記反応チュ−ブより大きい内径を有
しかつこの反応チュ−ブの取り出し端部に連通した受入
れ室と、前記反応チュ−ブ内の前記ファイバの温度が（
ａ）前記ファイバ上の付着性炭素被覆と（ｂ）反応生成
物を生成する反応を生じさせるのに十分なだけ高くなる
ように前記ソ−ス手段に十分接近している前記反応チュ
−ブ内に炭質組成を有する反応ガスを流入させるための
手段と、前記反応ガスと反応生成物を前記反応チュ−ブ
を通じて流し、そして前記取り出し端部から前記受入れ
室内に流入させるための手段との直線配置よりなる炭素
被覆光ファイバの作成装置。 - 【請求項１７】前記チュ−ブ内に反応ガスを流入させる
手段は、ガス供給室と、このガス供給室から反応ガスを
受取りかつ前記ファイバに対して反応ガスの少なくとも
１つの環状流を送る手段よりなる請求項１６の装置。 - 【請求項１８】前記ガス供給室から反応ガスを受取りか
つ前記ファイバに対して反応ガスの少なくとも１つの環
状流を送る手段が前記反応ガスを前記ファイバに対して
前記ファイバの軸線と直交関係をもって流すための手段
よりなる請求項１７の装置。 - 【請求項１９】前記ガス供給室から反応ガスを受取りか
つ前記ファイバに対して反応ガスの少なくとも１つの環
状流を送る手段が前記反応ガスを前記ファイバに対して
前記ファイバの軸線と非直交関係の方向に流すための手
段よりなる請求項１７の装置。 - 【請求項２０】前記少なくとも１つの環状流を送る手段
が前記反応チュ−ブの周囲に沿って離間された複数の供
給穴よりなる請求項１７の装置。 - 【請求項２１】前記チュ−ブ内に反応ガスを流入させる
手段は、ガス供給室と、このガス供給室から反応ガスを
受取りかつ前記ファイバに対して反応ガスの複数の軸方
向に離間した環状流を送る手段よりなる請求項１６の装
置。 - 【請求項２２】前記反応チュ−ブの内径が０．３ ｃｍ
と１．０ ｃｍの間である請求項１６の装置。 - 【請求項２３】前記反応チュ−ブの寸法は、前記チュ−
ブの前記取り出し口端部と前記反応ガスを流す手段との
間の距離が３ ｃｍと１０ ｃｍの間であるようになさ
れている請求項１６の装置。 - 【請求項２４】前記反応チュ−ブが前記受取り室内に突
入している請求項１６の装置。 - 【請求項２５】前記受入れ室内に流入する周囲空気の流
れを制限するために前記反応チュ−ブに対向して前記受
入れ室内に設けられた隔離室をさらに具備している請求
項１６の装置。 - 【請求項２６】前記受入れ室からガスを排出させる手段
をさらに具備している請求項２５の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/641,480 US5152817A (en) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | Reactor for coating optical fibers |
| US641480 | 1991-01-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04295033A true JPH04295033A (ja) | 1992-10-20 |
| JP3362169B2 JP3362169B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=24572580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01935492A Expired - Fee Related JP3362169B2 (ja) | 1991-01-15 | 1992-01-09 | 炭素被覆光ファイバの作成方法および装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5152817A (ja) |
| EP (1) | EP0498939B1 (ja) |
| JP (1) | JP3362169B2 (ja) |
| KR (1) | KR920014723A (ja) |
| AU (1) | AU647867B2 (ja) |
| CA (1) | CA2054874A1 (ja) |
| DE (1) | DE69112198T2 (ja) |
| TW (1) | TW206201B (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2061068A1 (en) * | 1991-02-14 | 1992-08-15 | Haruhiko Aikawa | Apparatus and method for manufacturing a hermetically coated optical fiber |
| US5354348A (en) * | 1991-05-12 | 1994-10-11 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Method for producing silica glass optical fiber with carbon coating |
| JP2570288Y2 (ja) * | 1991-11-25 | 1998-05-06 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバ用被覆装置 |
| CA2098268A1 (en) * | 1992-06-24 | 1993-12-25 | Yasuhiro Naka | Optical fiber production method and production apparatus thereof |
| US5283852A (en) * | 1992-08-07 | 1994-02-01 | The Texas A & M University System | Apparatus and method for embedding optical fibers in metal |
| US5346520A (en) * | 1992-09-23 | 1994-09-13 | Corning Incorporated | Apparatus for applying a carbon coating to optical fibers |
| US5702498A (en) * | 1995-08-09 | 1997-12-30 | Owens-Corning Fiberglas Technology, Inc. | Process for carbon-coating silicate glass fibers |
| FR2761979B1 (fr) * | 1997-04-14 | 1999-05-28 | Alsthom Cge Alcatel | Procede et appareil de fabrication d'une fibre optique munie d'un revetement hermetique |
| US6026207A (en) * | 1997-05-21 | 2000-02-15 | Alcatel | Black appearing color coating for optical fiber and method using same |
| DE19801700A1 (de) * | 1998-01-17 | 1999-07-22 | Cit Alcatel | Vorrichtung zum Beschichten einer Faser |
| EP1067418A4 (en) * | 1998-03-12 | 2005-11-16 | Tomoegawa Paper Co Ltd | OPTICAL CONNECTION COMPONENT AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD |
| KR101066281B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2011-09-20 | 코닝 인코포레이티드 | 알칼리 금속 산화물을 함유하는 광섬유, 및 그 제조 방법및 장치 |
| JP2009517702A (ja) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | コーニング インコーポレイテッド | 低減衰／非ゼロ分散シフト光ファイバ |
| EP2348001A2 (en) | 2008-07-11 | 2011-07-27 | NKT Photonics A/S | Lifetime extending and performance improvements of optical fibers via loading |
| CN104203850B (zh) * | 2012-03-21 | 2016-12-28 | 住友电气工业株式会社 | 光纤的制造方法 |
| WO2016095923A1 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Nkt Photonics A/S | A photonic crystal fiber, a method of production thereof and a supercontinuum light source |
| CN106399977B (zh) * | 2016-02-22 | 2022-03-25 | 河北陆元新材料科技有限公司 | 涂层碳化硅复合纤维的生产系统 |
| TWI788312B (zh) | 2016-11-23 | 2023-01-01 | 美商阿尼拉製藥公司 | 絲胺酸蛋白酶抑制因子Ａ１ ｉＲＮＡ組成物及其使用方法 |
| CN113402163B (zh) * | 2021-07-26 | 2023-08-08 | 郭俊滔 | 一种光纤拉丝用加热炉气流稳定结构 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4183621A (en) * | 1977-12-29 | 1980-01-15 | International Telephone And Telegraph Corporation | Water resistant high strength fibers |
| FR2493302A1 (fr) * | 1980-10-31 | 1982-05-07 | Lignes Telegraph Telephon | Procede de fabrication d'une fibre de verre et fibre recouverte d'une couche de protection de pyrographite |
| US4402993A (en) * | 1981-03-20 | 1983-09-06 | Gulf & Western Manufacturing Company | Process for coating optical fibers |
| GB2105371B (en) * | 1981-08-18 | 1985-10-02 | Secr Defence | Carbon deposited on fibre by glow discharge method |
| US4512629A (en) * | 1982-03-30 | 1985-04-23 | Hewlett-Packard Company | Optical fiber with hermetic seal and method for making same |
| US4518628A (en) * | 1982-05-28 | 1985-05-21 | International Telephone And Telegraph Corporation | Hermetic coating by heterogeneous nucleation thermochemical deposition |
| US4592932A (en) * | 1984-06-26 | 1986-06-03 | Itt Corporation | Hermetic coating for an optical fiber |
| JPS61197448A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-09-01 | Toray Silicone Co Ltd | 光通信ガラスフアイバ用被覆剤 |
| IT1184909B (it) * | 1985-03-18 | 1987-10-28 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento ed apparecchiatura per la riduzione dei difetti di volume e di superficie nelle fibre ottiche in silice |
| JPS6283339A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 光フアイバ被膜形成方法 |
| DE3568571D1 (en) * | 1985-11-18 | 1989-04-13 | Battelle Memorial Institute | Method and apparatus for the on-line coating of silica based fibers with boron-nitride |
| US4874222A (en) * | 1986-03-31 | 1989-10-17 | Spectran Corporation | Hermetic coatings for non-silica based optical fibers |
| US4735856A (en) * | 1986-03-31 | 1988-04-05 | Spectran Corporation | Hermetic coatings for optical fiber and product |
| US4863576A (en) * | 1986-09-04 | 1989-09-05 | Collins George J | Method and apparatus for hermetic coating of optical fibers |
| DE3885827T2 (de) * | 1987-09-18 | 1994-03-17 | American Telephone & Telegraph | Hermetisch verschlossene, optische Fasern. |
| US4863760A (en) * | 1987-12-04 | 1989-09-05 | Hewlett-Packard Company | High speed chemical vapor deposition process utilizing a reactor having a fiber coating liquid seal and a gas sea; |
| US4964694A (en) * | 1988-07-26 | 1990-10-23 | Fujikura Ltd. | Optical fiber and apparatus for producing same |
| AU624203B2 (en) * | 1988-12-21 | 1992-06-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and apparatus for producing coated optical fiber |
| NL8900977A (nl) * | 1989-04-19 | 1990-11-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een optische vezel met een hermetische bedekking. |
-
1991
- 1991-01-15 US US07/641,480 patent/US5152817A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-04 CA CA002054874A patent/CA2054874A1/en not_active Abandoned
- 1991-11-18 EP EP91119615A patent/EP0498939B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-18 DE DE69112198T patent/DE69112198T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-01-04 TW TW081100040A patent/TW206201B/zh active
- 1992-01-06 AU AU10056/92A patent/AU647867B2/en not_active Ceased
- 1992-01-09 JP JP01935492A patent/JP3362169B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-14 KR KR1019920000399A patent/KR920014723A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920014723A (ko) | 1992-08-25 |
| EP0498939B1 (en) | 1995-08-16 |
| US5152817A (en) | 1992-10-06 |
| AU647867B2 (en) | 1994-03-31 |
| JP3362169B2 (ja) | 2003-01-07 |
| AU1005692A (en) | 1992-07-23 |
| DE69112198T2 (de) | 1996-01-04 |
| EP0498939A1 (en) | 1992-08-19 |
| CA2054874A1 (en) | 1992-07-16 |
| DE69112198D1 (de) | 1995-09-21 |
| TW206201B (ja) | 1993-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |