JP3311771B2 - 光電スイッチ及び光電スイッチ制御装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、物体に光を照射し、そ
の反射光を受光することによって物体までの距離を測定
し、物体までの距離に応じてオン信号とオフ信号とを択
一的に出力する光電スイッチ及び光電スイッチ制御装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、図５に示すように、物体４の
表面に点状の光パターンである投光スポットを形成する
投光素子１と、物体４の表面での反射光を収束させる収
束レンズよりなる受光光学系３と、受光光学系３により
収束されて受光面に結像する受光スポットの位置に対応
して出力レベルの比率が決まる一対の位置信号を出力す
るＰＳＤよりなる位置検出素子２とを備えた測距式の光
電スイッチが提案されている。すなわち、位置検出素子
２の出力に基づいて三角測量法によって物体４までの距
離を演算し、物体４が所定の距離範囲内に存在するかど
うかに応じてオン信号とオフ信号とを択一的に出力する
のである。

【０００３】さらに具体的に説明する。投光素子１は、
図１０に示すように、光ビームの投光タイミングを設定
するためのクロックパルスを発生する発振回路１１と、
投光素子１を駆動する駆動回路１２とからなる発光駆動
部の出力を受けて間欠的に発光する。投光素子１からの
光は収束レンズよりなる投光光学系１３を通して監視空
間に照射される。

【０００４】一方、位置検出素子２として用いるＰＳＤ
は、図６に示すように、ｐｉｎ構造を有して長手方向の
両端に出力電極Ｅａ，Ｅｂを有する受光素子であり、受
光面に集光スポットＰが照射されると高抵抗層であるｐ
層が、集光スポットＰの照射位置と各出力電極Ｅａ，Ｅ
ｂとの距離に逆比例して分割され、各出力電極Ｅａ，Ｅ
ｂからは全電流Ｉを分割した出力電流である位置信号Ｉ
ａ，Ｉｂが取り出されるようになっている。すなわち、
各出力電極Ｅａ，Ｅｂから出力される位置信号Ｉａ，Ｉ
ｂは、出力電極Ｅａ，Ｅｂの間の抵抗をＺｓとし、ｐ層
の分割比をＺａ：Ｚｂとすれば、 Ｉａ＝（Ｚｂ／Ｚｓ）・Ｉ … Ｉｂ＝（Ｚａ／Ｚｓ）・Ｉ … になる。電極Ｅａから集光スポットＰまでの距離がｘ、
両出力電極Ｅａ，Ｅｂの間の距離がＬであるとすれば、 ｘ＝（Ｚａ／Ｚｓ）・Ｌ … であるから、式及び式を用いて、式のＺａ，Ｚｓ
を消去し、距離ｘを位置信号Ｉａ，Ｉｂと、電極Ｅａ，
Ｅｂの間の距離Ｌとを用いて表せば、 （１／ｘ）＝｛１＋（Ｉａ／Ｉｂ）｝／Ｌ … となる。一方、図７に示すように、投光素子１の光軸と
出力電極Ｅａとの距離をＢＬ、位置検出素子２と受光光
学系３との距離をＦとすれば、受光光学系３から物体４
までの距離Ｒは、 Ｒ＝ＢＬ・Ｆ／ｘ … であるから、式に式を代入すれば、 Ｒ＝｛１＋（Ｉａ／Ｉｂ）｝・ＢＬ・Ｆ／Ｌ … になる。調整済の装置では、ＢＬ、Ｆ、Ｌは定数になる
から、位置信号Ｉａ，Ｉｂによって物体４までの距離Ｒ
を求めることができる。ここに、位置信号Ｉａ，Ｉｂは
距離Ｒが大きいほどレベルが小さくなるから図８のよう
になる。

【０００５】位置検出素子２から出力された位置信号Ｉ
ａ，Ｉｂは、それぞれ受光回路２１ａ，２１ｂにより増
幅されるとともに電圧信号Ｖａ，Ｖｂに変換される。ま
た、各電圧信号Ｖａ，Ｖｂはそれぞれ対数増幅回路２２
ａ，２２ｂにより対数増幅され、電圧信号Ｖａ，Ｖｂの
レベルの対数に比例したレベルを有する対数信号Ｌａ，
Ｌｂが出力される。各対数信号Ｌａ，Ｌｂは減算回路２
３に入力され、対数信号Ｌａ，Ｌｂのレベル差が求めら
れる。すなわち、減算回路２３の出力は、 Ｌａ−Ｌｂ＝ｌｎ（Ｖａ）−ｌｎ（Ｖｂ） ＝ｌｎ（Ｖａ／Ｖｂ） ＝ｌｎ（Ｉａ／Ｉｂ） となるから、図９に示すように、距離Ｒは減算回路２３
の出力値に対して単調増加する。すなわち、減算回路２
３は距離検出部として機能する。したがって、減算回路
２３の出力値と、距離範囲設定部２４によってあらかじ
め設定してある距離範囲とを、距離判定部である比較回
路２５によって比較すれば、所定の距離範囲内での物体
４の存否に対応する判定信号を比較回路２５の出力とし
て得ることができる。比較回路２５での判定結果は、発
振回路１１からのクロックパルスに同期してラッチ回路
２６に保持される。すなわち、投光素子１の発光期間の
終了時に比較回路２５の判定結果をラッチ回路２６に取
込み、次の判定結果が得られるまで判定結果を保持す
る。

【０００６】ところで、位置検出素子２での受光量が少
ないと、位置信号Ｉａ，Ｉｂが小さくなるから、対数増
幅回路２２ａ，２２ｂに入力される電圧信号Ｖａ，Ｖｂ
と雑音とのレベル差が小さくなって、誤動作を生じるこ
とになる。そこで、距離を求めることができる最低限の
受光量を規定するために、一方の対数増幅回路２２ｂの
出力値と、受光量設定部３１によってあらかじめ設定し
てある最小受光量とを比較回路３２によって比較し、対
数増幅回路２２ｂの出力値が最小受光量以上であるかど
うかを判定するようになっている。比較回路３２での比
較結果は、発振回路１１からのクロックパルスに同期し
てラッチ回路３３に保持される。すなわち、ラッチ回路
３３は、ラッチ回路２６と同様に、投光素子１の発光期
間の終了時に比較回路３２の判定結果を取込み、次の判
定結果が得られるまで判定結果を保持する。ラッチ回路
３３に保持された値は、監視空間での物体４の存否に対
応することになる。

【０００７】判定回路２７では、ラッチ回路３３に保持
されている値に基づいて監視空間での物体４の存否を判
定し、物体４が存在すると判定されたときには、ラッチ
回路２６に保持された判定結果に基づいて出力回路２８
を制御する。たとえば、減算回路２３で求めた距離が設
定した距離範囲内であるときにラッチ回路２６の保持値
がＨレベルになり、監視空間に物体４が存在するときに
ラッチ回路３３の保持がＨレベルになるとすれば、判定
回路２７は、両ラッチ回路２６，３３の保持値の論理積
を出力するように構成される。出力回路２８は判定回路
２７の出力に対応してオン信号とオフ信号とを択一的に
出力する。

【０００８】ところで、上記構成において対数増幅回路
２２ａ，２２ｂを用いているのは、物体４までの距離を
求める際に、式のように位置信号Ｉａ，Ｉｂの除算を
行うよりも対数信号Ｌａ，Ｌｂの減算を行うほうが回路
構成が簡単になり、かつ、電圧信号Ｖａ，Ｖｂを対数圧
縮することによって入力のダイナミックレンジに比べて
回路のダイナミックレンジを小さくすることができると
いう利点を有するからである。すなわち、物体４の表面
の反射率は物体４によって大きく異なり、たとえば、白
色の紙と黒色の紙とでは位置検出素子２に入射する光量
が距離変化に伴い１０００倍程度も異なるものである
が、対数増幅回路２２ａ，２２ｂを用いていることによ
って、対数増幅回路２２ａ，２２ｂから後段側の回路部
分のダイナミックレンジを数１０倍程度に低減できるの
である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記構成では、対数増
幅回路２２ａ，２２ｂを用いたことによって、回路構成
が簡単になり、かつ、回路のダイナミックレンジを低減
できるという効果を有する反面、入力電圧が低いときに
は対数増幅回路２２ａ，２２ｂの出力の立ち上がりが遅
れるという欠点がある。いま、発振回路１１からのクロ
ックパルスが図１１（ａ）のように設定されているとす
る。物体４の反射率が異なっていると距離が同じであっ
ても位置検出素子２での受光量が異なるものであり、反
射率の小さい黒色の物体４では対数増幅回路２２ａ，２
２ｂに入力される電圧信号Ｖａ，Ｖｂのレベルが白色の
物体よりも小さくなる。上述のように位置検出素子２で
光の受光を開始してから対数増幅回路２２ａ，２２ｂの
出力レベルが位置信号Ｉａ，Ｉｂに対応するレベルまで
立ち上がるには時間遅れがあり、この遅れ時間は、電圧
信号Ｖａ，Ｖｂが小さいほど大きくなる。すなわち、投
光素子１の発光期間の長さにもよるが、物体４の反射率
が小さいときには、図１１（ｂ）（ｃ）のように、投光
素子１の発光期間内に各対数増幅回路２２ａ，２２ｂか
ら出力される対数信号Ｌａ，Ｌｂのレベルが位置信号Ｉ
ａ，Ｉｂに対応するレベルＴａ，Ｔｂに達しない場合が
生じ、この場合には、物体４までの距離を正確に計測で
きないことになる。ここに、対数増幅回路２２ａ，２２
ｂに常時印加されているバイアスによって出力は所定レ
ベルＢａ，Ｂｂに保たれるが、レベルＴａ，Ｔｂとの電
圧差が大きいから、小レベルの電圧信号Ｖａ，Ｖｂに対
しては、出力レベルが十分に立ち上がらないのである。
その結果、物体４の反射率に応じて検知距離に差が生
じ、反射率が小さい物体では誤検知が生じるという問題
があった。

【００１０】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、物体の反射率が小さい場合でも誤検知が生じ
ない光電スイッチ及び光電スイッチ制御装置を提供しよ
うとするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、物体の表面に点状の光パターンである
投光スポットを形成する投光素子と、投光素子を間欠的
に発光させる発光駆動部と、投光素子から照射された光
の物体表面での反射光を収束させる受光光学系と、受光
光学系によって収束され受光面上に集光された受光スポ
ットの位置に対応して出力レベルの比率が決まる一対の
位置信号を出力する位置検出素子と、出力レベルが各位
置信号の信号レベルの対数にそれぞれ比例する一対の対
数増幅回路と、投光素子の発光期間における各対数増幅
回路の出力レベルの差に基づいて物体までの距離を演算
する距離検出部と、距離検出部により求めた距離があら
かじめ設定した距離範囲内であるか否かを判定する距離
判定部と、距離判定部での判定結果に基づいてオン信号
とオフ信号とを択一的に出力する出力部と、投光素子の
発光期間における各対数増幅回路の応答時間を短縮する
所定レベルのバイアス信号を投光素子の非発光期間に各
対数増幅回路に対してそれぞれ入力し投光素子の発光開
始時に各バイアス信号を解除するバイアス信号発生部と
を備えているのである。

【００１２】

【作用】上記構成によれば、投光素子の非発光期間に所
定レベルのバイアス信号を各対数増幅回路に対してそれ
ぞれ入力し、投光素子の発光開始時に各バイアス信号を
解除するから、投光素子の非発光期間に各対数増幅回路
にバイアス信号を入力しておくことによって、投光素子
の発光期間に位置検出素子からの位置信号に対応した信
号が入力されると、対数増幅回路の出力が短時間で立ち
上がって位置信号のレベルに対応する出力レベルに達す
ることになる。ここで、投光素子の発光開始時にバイア
ス信号を解除するから、位置検出素子からの位置信号が
対数増幅回路に入力されている状態では対数増幅回路の
最終出力値にバイアス信号が影響することはないのであ
る。要するに、物体が黒色である場合のように反射率が
小さい場合であっても、対数増幅回路の出力レベルを位
置信号に対応するレベルまで遅滞なく上昇させることが
でき、物体の反射率にかかわらず距離を正確に検出でき
るのである。

【００１３】

【実施例】（実施例１）基本的な構成は、従来の技術の
項で説明したものと同様であるから、主として相違点に
ついて説明する。すなわち、本実施例では図１に示すよ
うに、各対数増幅回路２２ａ，２２ｂにバイアス信号発
生回路５ａ，５ｂによってバイアス信号を入力できるよ
うにしている点が相違する。バイアス信号発生回路５
ａ，５ｂは、発振回路１１から出力されるクロックパル
スに同期して制御され、投光素子１の発光期間にはバイ
アス信号の発生を禁止し、投光素子１の非発光期間に設
定された一定レベルのバイアス信号を対数増幅回路２２
ａ，２２ｂに入力する。すなわち、バイアス信号は、図
２（ａ）のようなタイミングパルスによって投光素子１
を間欠的に発光させている場合に、図２（ｂ）のように
投光素子１の非発光期間の後半部にバイアス印加パルス
を発生させて対数増幅回路２２ａ，２２ｂに入力され
る。

【００１４】一方、バイアス信号のレベルは、たとえ
ば、位置信号Ｉａ，Ｉｂの比が３以下である比較的遠方
からの距離範囲内に存在する物体４を検出できるように
設定するとすれば、位置信号Ｉａ，Ｉｂの比が３である
距離範囲に存在する黒色の物体４を検知する際の位置信
号Ｉａ，Ｉｂのレベルに対応すべき対数増幅回路２２
ａ、２２ｂの出力のレベルＴａ，Ｔｂよりもバイアス信
号による対数増幅回路２２ａ，２２ｂの出力レベルがや
や低くなる程度に設定する。すなわち、図２（ｃ）
（ｄ）のように、対数増幅回路２２ａ，２２ｂにはレベ
ルＴａ，Ｔｂよりもやや低い（図２では、それぞれΔＬ
ａ，ΔＬｂだけ低い）出力が得られるようなバイアス信
号を入力する。バイアス信号は、投光素子１の発光開始
時に解除されるから対数増幅回路２２ａ，２２ｂの出力
は低下しようとするが、バイアス信号が解除された時点
で所定レベル以上の電圧信号Ｖａ，Ｖｂが得られていれ
ば、対数増幅回路２２ａ，２２ｂの出力はすぐに立ち上
がるから、投光素子１の発光期間内に位置信号Ｉａ，Ｉ
ｂに対応するレベルまで上昇することができる。すなわ
ち、投光素子１の発光開始前に対数増幅回路２２ａ，２
２ｂにバイアス信号を入力することによって、位置信号
Ｉａ，Ｉｂに対応すべき対数増幅回路２２ａ，２２ｂの
出力レベルとの差を小さくすることができ、対数増幅回
路２２ａ，２２ｂの出力が位置信号Ｉａ，Ｉｂに対応す
べき対数増幅回路２２ａ，２２ｂの出力レベルに到達す
るまでの時間を短縮することができるのである。対数増
幅回路２２ａ，２２ｂには、出力が図２（ｃ）（ｄ）の
ようなレベルＢａ，Ｂｂになるようにバイアス信号とは
別にバイアスが常時印加される。

【００１５】バイアス信号発生回路５ａ，５ｂは、具体
的には、図３のように構成することができる。バイアス
印加パルスは、ＦＥＴよりなるスイッチ素子Ｓ₁ をオン
・オフさせる。スイッチ素子Ｓ₁ は、エミッタ−コレク
タに抵抗Ｒ₁ ，Ｒ₂ を直列接続したトランジスタＱ₁ の
ベースに接続される。トランジスタＱ₁ と抵抗Ｒ₁ ，Ｒ
₂ との直列回路は電源の両極間に接続してあり、さら
に、両抵抗Ｒ₁ ，Ｒ₂ の接続点は、トランジスタＱ₂ ，
Ｑ₃ のベースに接続される。トランジスタＱ₂ のコレク
タはトランジスタＱ₁ のベースとスイッチ素子Ｓ₁ との
接続点に接続され、トランジスタＱ₂ のエミッタには抵
抗Ｒ₃ が接続される。トランジスタＱ₂ のベース−エミ
ッタと抵抗Ｒ₃ との直列回路は、抵抗Ｒ₂ に並列接続さ
れる。トランジスタＱ₃ のエミッタには抵抗Ｒ₄ が接続
され、トランジスタＱ₃ のベース−エミッタと抵抗Ｒ₄
との直列回路は抵抗Ｒ₂ に並列接続される。さらに、ト
ランジスタＱ₃ のコレクタは、対数増幅回路２２ａの入
力端に接続される。スイッチ素子Ｓ₁ とトランジスタＱ
₂ のエミッタ−コレクタと抵抗Ｒ₃ との直列回路は、４
個のダイオードＤ₁ 〜Ｄ₄ （それぞれトランジスタのベ
ース−コレクタを接続して構成している）の直列回路に
並列接続される。また、４個のダイオードＤ₁〜Ｄ₄ の
直列回路には電流源ＣＳによって電流が供給される。抵
抗Ｒ₁ ，Ｒ₃ ，Ｒ₄ は抵抗値が等しく設定される。図３
では一方のバイアス信号発生回路５ａ，５ｂのみを示し
ているが、他方の対数増幅回路２２ａ，２２ｂについて
も同じ回路構成のバイアス信号発生回路５ａ，５ｂによ
ってバイアス信号が入力される。ただし、両バイアス信
号発生回路５ａ，５ｂでは抵抗Ｒ₁ 〜Ｒ₄ の設定値が異
なる。すなわち、図２で示した例のように、位置信号Ｉ
ａ，Ｉｂの比が３以下である距離範囲内に存在する物体
４を検出できるように設定する場合には、バイアス信号
発生回路５ａとバイアス信号発生回路５ｂとの抵抗
Ｒ₁ ，Ｒ₃ ，Ｒ₄ の比を１：３になるように設定する。

【００１６】このように構成されたバイアス信号発生回
路５ａ，５ｂに対してバイアス印加パルスが入力される
と、スイッチ素子Ｓ₁ がオンになり、トランジスタＱ₁
がオンになる。トランジスタＱ₁ がオンになれば、トラ
ンジスタＱ₂ ，Ｑ₃ もオンになり、対数増幅回路２２
ａ，２２ｂの入力から電流が引き込まれる。すなわち、
対数増幅回路２２ａ，２２ｂは、演算増幅器ＯＰの出力
端と反転入力端との間にダイオードＤを接続して構成さ
れ、入力からの電流の引込みによってダイオードＤにバ
イアスがかかる。この電流（すなわち、トランジスタＱ
₃ のコレクタ電流）は、対数増幅回路２２ａ，２２ｂの
入力端にレベルＴａ，Ｔｂの電圧を印加することに相当
する。投光素子１の発光期間にはバイアス印加パルスは
停止して、トランジスタＱ₃ はオフになるが、投光素子
１の発光期間の開始直前まで対数増幅回路２２ａ，２２
ｂにバイアス電圧が入力されていることによって、対数
増幅回路２２ａ，２２ｂの出力は遅滞なく立ち上がるの
である。

【００１７】（実施例２）本実施例は、バイアス信号発
生回路５ａ，５ｂを図４に示す構成とした点が実施例１
とは異なっている。トランジスタＱ₅ ，Ｑ₆ 及び抵抗Ｒ
₅ ，Ｒ₆ はカレントミラー回路を構成する。したがっ
て、抵抗Ｒ₅ ，Ｒ₆ の抵抗値は等しく設定される。ま
た、トランジスタＱ₅ のエミッタ−コレクタと抵抗Ｒ₅
との直列回路には、バイアス印加パルスによりオン・オ
フするデプレッション型のＦＥＴよりなるスイッチ素子
Ｓ₂ が並列される。各対数増幅回路２２ａ，２２ｂに対
応するバイアス信号発生回路５ａ，５ｂの抵抗Ｒ₅ ，Ｒ
₆ の抵抗値は、位置信号Ｉａ，Ｉｂの比が３以下になる
距離範囲内の物体４を検出する場合には、実施例１と同
様に、１：３に設定される。

【００１８】図４の構成によれば、バイアス印加パルス
がＨレベルである期間には、スイッチ素子Ｓ₂ はオフで
あるから、カレントミラー回路が動作して電流源ＣＳか
ら抵抗Ｒ₅ に流れる電流に等しい電流が抵抗Ｒ₆ に流れ
ることになり、対数増幅回路２２ａ，２２ｂの入力から
電流が引き込まれる。また、投光素子１の発光期間が開
始されると、バイアス印加パルスの停止によってスイッ
チ素子Ｓ₂ がオンになり、カレントミラー回路の動作が
停止して対数増幅回路２２ａ，２２ｂの入力からの電流
の引込みも停止する。このように、バイアス印加パルス
に応じて対数増幅回路２２ａ，２２ｂの入力からの電流
の引込みをオン・オフさせることによって、実施例１と
同様に、対数増幅回路２２ａ，２２ｂの応答特性を改善
することができるのである。他の構成及び動作は実施例
１と同様である。

【００１９】

【発明の効果】本発明は上述のように、投光素子の非発
光期間に所定レベルのバイアス信号を各対数増幅回路に
対してそれぞれ入力し、投光素子の発光開始時に各バイ
アス信号を解除するから、投光素子の非発光期間に各対
数増幅回路にバイアス信号を入力しておくことによっ
て、投光素子の発光期間に位置検出素子からの位置信号
に対応した信号が入力されると、対数増幅回路の出力が
短時間で立ち上がって位置信号のレベルに対応する出力
レベルに短時間で到達することができるのである。ここ
で、投光素子の発光開始時にバイアス信号を解除するか
ら、位置検出素子からの位置信号が対数増幅回路に入力
されている状態では対数増幅回路の最終出力値にバイア
ス信号が影響することはない。要するに、物体が黒色で
ある場合のように反射率が小さい場合であっても、対数
増幅回路の出力レベルを位置信号に対応するレベルまで
遅滞なく上昇させることができ、物体の反射率にかかわ
らず距離を正確に検出できるという効果を奏するのであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示すブロック回路図である。

【図２】本発明の実施例の動作説明図である。

【図３】実施例１に用いるバイアス信号発生回路の具体
回路図である。

【図４】実施例２に用いるバイアス信号発生回路の具体
回路図である。

【図５】本発明に係る光電スイッチの光学系を示す概略
構成図である。

【図６】本発明に係る光電スイッチに用いる位置検出素
子を示す構成図である。

【図７】本発明に係る光電スイッチの原理説明図であ
る。

【図８】本発明に係る光電スイッチにおける位置検出素
子の出力特性を示す説明図である。

【図９】本発明に係る光電スイッチにおける減算回路の
出力例を示す説明図である。

【図１０】従来例を示すブロック回路図である。

【図１１】従来例を示す動作説明図である。

【符号の説明】

１ 投光素子 ２ 位置検出素子 ３ 受光光学系 ４ 物体 ５ａ バイアス信号発生回路 ５ｂ バイアス信号発生回路 ２２ａ 対数増幅回路 ２２ｂ 対数増幅回路 ２３ 減算回路 ２４ 距離範囲設定部 ２５ 比較回路 ２６ ラッチ回路 ２７ 判定回路 ２８ 出力回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺前 勝広 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 西川 正和 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 松井 真治 東京都立川市曙町３丁目５番３号 サン クス株式会社内 (72)発明者 鈴木 正則 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会 社内 (72)発明者 宮崎 正治 東京都立川市曙町３丁目５番３号 サン クス株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−114707（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−129712（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03K 17/78 G01B 11/00 G01C 3/06 H01H 35/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 物体の表面に点状の光パターンである投
   光スポットを形成する投光素子と、投光素子を間欠的に
   発光させる発光駆動部と、投光素子から照射された光の
   物体表面での反射光を収束させる受光光学系と、受光光
   学系によって収束され受光面上に集光された受光スポッ
   トの位置に対応して出力レベルの比率が決まる一対の位
   置信号を出力する位置検出素子と、出力レベルが各位置
   信号の信号レベルの対数にそれぞれ比例する一対の対数
   増幅回路と、投光素子の発光期間における各対数増幅回
   路の出力レベルの差に基づいて物体までの距離を演算す
   る距離検出部と、距離検出部により求めた距離があらか
   じめ設定した距離範囲内であるか否かを判定する距離判
   定部と、距離判定部での判定結果に基づいてオン信号と
   オフ信号とを択一的に出力する出力部と、投光素子の発
   光期間における各対数増幅回路の応答時間を短縮する所
   定レベルのバイアス信号を投光素子の非発光期間に各対
   数増幅回路に対してそれぞれ入力し投光素子の発光開始
   時に各バイアス信号を解除するバイアス信号発生部とを
   備えたことを特徴とする光電スイッチ。
2. 【請求項２】 物体の表面に投光し、投光スポットを形
   成する投光素子を発光させる駆動信号を間欠的に出力す
   る発光駆動手段と、投光素子から照射された光の物体表
   面での反射光により形成される受光スポットの位置に対
   応して出力レベルの比率が決まる一対の位置信号を増幅
   し出力する一対の対数増幅手段と、上記駆動信号の出力
   期間における上記一対の対数増幅手段の出力の差に基づ
   いて物体までの距離を出力する距離検出手段と、上記距
   離があらかじめ設定した範囲内であるか否かを判定し、
   判定結果を出力する距離判定手段と、上記判定結果に基
   づいてオン信号とオフ信号とを択一的に出力する出力部
   と、投光素子の発光期間における各対数増幅手段の応答
   時間を短縮する所定レベルのバイアス信号を投光素子の
   非発光期間に各対数増幅手段に対してそれぞれ入力し投
   光素子の発光開始時に各バイアス信号を解除するバイア
   ス信号発生部とを備えたことを特徴とする光電スイッチ
   制御装置。