JP3234999B2 - カメラ用測距装置 - Google Patents

カメラ用測距装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被写体に測距光を投光
して被写体からの反射光を受光して測距を行うカメラ用
測距装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の公知のアクティブタイプの測距装
置は、被写体に向けて近赤外光を投光し、被写体からの
反射光を受光素子で受光する。受光素子上での前記反射
光の入射位置は被写体距離に応じて変化するから、反射
光の入射位置を電気的に調べることにより被写体距離を
測定することができる。
【0003】前記受光素子として、半導体位置検出素子
(以下PSD)が多く用いられている。PSDは2つの
出力端子を備え、入射光の強度と位置とに応じた電流を
各出力端子から発生させる。この2つのチャンネルの電
流、またはこれらに対応した2つの電圧の比を求めるこ
とによって、光の入射位置にのみ依存した信号を得るこ
とができる。
【0004】このような測距装置では、近赤外光の投光
素子(以下IRED)をパルス駆動し、PSDからの信
号を交流結合で信号成分だけ取り出し適度に増幅する。
増幅された信号を発光時間内で積分し、積分電圧が所定
電圧になるまで積分を繰り返してそれまでの回数をPS
Dからの信号の大きさとする。
【0005】PSDからの2つの出力について所定電圧
までの積分回数をN1、N2とすると、式1の値Xを求
めることにより被写体の反射率にかかわらず安定した測
距精度を維持することが可能となる。 X=N1/(N1+N2) (1)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のように積分回数
N1、N2から値Xを求める方法では、測距精度をあげ
るためにN1、N2を大きくとると所定電圧付近のカウ
ント誤差が小さくなり測距精度は向上するものの測距時
間が長くなる。逆にN1、N2を小さくすると所定電圧
付近のカウント誤差が大きくなり測距時間は短くなるが
分解能が低下して測距精度が低下する。
【0007】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本発明のカメラ用測距装置では、被写体にパルス
光を投光する投光部と、前記被写体からの反射光を受光
し、前記反射光に応じた信号を出力する受光部と、前記
受光部の出力信号を積分する積分回路と、第1の電圧を
発生する第1の基準電圧源と、前記第1の電圧よりも低
く、前記積分回路の積分開始時における電圧より高い第
2の電圧を発生する第2の基準電圧源と、前記積分回路
から出力される積分電圧を前記第1の電圧または前記第
2の電圧と比較する比較部と、前記積分電圧が前記第1
の電圧に達するまでの前記積分コンデンサの積分回数を
距離データとし、前記距離データから前記被写体までの
距離を演算する演算部とを有し、前記積分電圧が前記第
2の電圧に達した後前記積分回路への積分入力のレベ
ルを前記積分電圧が前記第2の電圧に達する以前の積分
入力のレベルよりも下げる
【0008】記積分回路の入力抵抗値を切り換えるこ
とにより、前記積分入力のレベルを下げる
【0009】記積分回路の積分時間を切り換えること
により、前記積分入力のレベルを下げる
【0010】前記受光部の出力信号を増幅し、その増幅
信号を積分回路へ出力する増幅回路をさらに有し、
増幅回路のゲインを切り換えることにより、前記積分入
力のレベルを下げる
【0011】前記積分回路は、積分コンデンサであるこ
とが好ましい。
【0012】
【作用】積分電圧が第1の電圧より低い第2の電圧に達
するまでは受光素子の出力信号を通常の精度で積分し、
第2の電圧から第1の電圧までは積分回路への入力レベ
ルを積分電圧が第2の電圧に達する以前の入力レベルよ
りも下げ、より高い精度で積分する。
【0013】
【実施例】本発明の構成を図1に基づいて説明する。投
光回路10は被写体に測距のための投射光を投光する投
光回路である。投光回路10はIRED14を駆動する
ための駆動回路であり、ベース抵抗11、トランジスタ
12、電流制限抵抗13およびIRED14からなる。
PSD3は被写体からの反射光を受光し、電流電圧変換
回路20および30にその受光位置に応じた信号を出力
する。
【0014】電流電圧変換回路20および電流電圧変換
回路30はPSD3と一体となって受光回路(受光部)
を構成する。PSD3に光信号が入射すると、PSD3
はその強度と入射位置に応じた電流を電流電圧変換回路
20と電流電圧変換回路30に出力する。電流電圧変換
回路20はアンプ21と帰還抵抗22で構成され入力電
流に比例した電圧を出力する回路であり、電流電圧変換
回路30はアンプ31と帰還抵抗32とを持ち、電流電
圧変換回路20とまったく同じ構成で、入力電流に応じ
た電圧を出力する。
【0015】スイッチ4は電流電圧変換回路20と電流
電圧変換回路30のいずれかの出力を後段の回路に伝え
る役割を持ち、その状態はCPU70によって制御され
る。PSD3の遠距離側信号を用いて測距する時は電流
電圧変換回路20の側に、近距離側信号を用いての測距
する時は電流電圧変換回路30の側にオンする。
【0016】続く増幅回路40はスイッチ4によって選
択された信号を増幅する。反転増幅のため出力信号の極
性は電源電圧と逆になる。
【0017】スイッチ6は増幅回路40と積分回路50
の間にあり、積分回路50中のアンプ51の入力抵抗を
入力抵抗52または入力抵抗53のいずれかに決定す
る。入力抵抗52は入力抵抗53の10分の1の抵抗値
を持ち、従って入力抵抗53を選択した時のアンプ51
のゲインは入力抵抗52を選択した時の10分の1とな
る。また、いずれの回路をも選択しないことができ、こ
の場合は増幅回路40の出力は積分回路50に伝えられ
ない。
【0018】積分回路50はアンプ51、入力抵抗5
2、入力抵抗53、積分コンデンサ54、スイッチ5
5、電圧ホロワ56で構成された、入力電圧を時間積分
するための回路である。積分動作に先だって積分コンデ
ンサ54に残っている電荷を放電するためスイッチ55
がオンする。十分に放電するとスイッチ55はオフす
る。積分動作がスイッチ6のオンによって開始すると、
積分コンデンサ54は入力信号の時間積分値を電荷の形
で貯える。このときの積分コンデンサ54の端子間電圧
の値はコンパレータ61に出力されている。積分動作が
終了するとスイッチ6はオフする。
【0019】レベル判定回路60はコンパレータ61と
基準電圧源63、基準電圧源64とで構成された入力電
圧のレベルを判定するための回路である。コンパレータ
61は積分電圧Viをスイッチ62によって選択された
基準電圧源63の電圧V1または基準電圧源64の電圧
V2と比較し、その結果をデジタル信号出力電圧Voに
変換してCPU70に出力する。レベル判定回路60は
積分回路50の出力すなわち積分電圧Viをスイッチ6
2によって選択された基準V1またはV2と比較し、そ
の比較結果すなわち出力電圧VoをCPU70に出力す
る。CPU70はRAM71、ROM72、カウンタ7
3、カウンタ74とデータの授受を行うと共に、投光回
路10およびモータ75に駆動信号を出力する。モータ
75は鏡筒76を駆動する。
【0020】次に本発明の実施例の回路の動作について
説明する。不図示の公知のレリーズスイッチが押される
と、CPU70は測距ルーチンに入り、まず図1内のす
べての回路の電源をオンする。次にCPU70はRAM
71の内容をクリアし、投光回路10にパルス状の投光
信号を出力する。ベース抵抗11はその信号がハイ(”
H”)レベルになる条件でIRED14を駆動し、IR
ED14は発光する。発光した光は投光レンズ1によっ
て集光され、不図示の被写体によってその一部を反射さ
れ、反射した光の一部は受光レンズ2によって再び集光
されPSD3に入射する。
【0021】まず、電流電圧変換回路20による測距を
図2、図3に基づいて説明する。最初にスイッチ4を電
流電圧変換回路20側に、スイッチ62を基準電圧源6
4側にそれぞれオンする。次にスイッチ55をオンし積
分コンデンサ54にたまっている電荷を放電させる。十
分に電荷を放電した後、スイッチ55はオフする。そし
てカウンタ73中の値N1を0にクリアする。続いて電
流電圧変換回路20での測距動作に入るが、測距の方法
は図2に示した通りである。投光を繰り返しながら値N
1に10を加算していき、積分電圧Viが基準電圧源6
4のV2に達した時点でスイッチ62を基準電圧源63
の方にオンし、積分回路50への入力信号を10分の1
に減衰させる。再び同様な動作を繰り返しながら値N1
に1を加算していき、積分電圧ViがV1に達した時点
で終了する。もしも被写体までの距離が遠くてあらかじ
め定められた回数Ncだけ投光してもV2に達しない場
合は無限遠と判断し、RAM71中の無限遠フラグをセ
ットして終了する。それ以外の場合は測距終了時にカウ
ンタ73に残っている値N1をRAM71の適切なアド
レスに格納する。
【0022】続いてCPU70は電流電圧変換回路30
による測距を行う。最初にスイッチ4を電流電圧変換回
路30側に、スイッチ62を基準電圧源64側にそれぞ
れオンする。次にスイッチ55をオンし積分コンデンサ
54にたまっている電荷を放電させる。十分に電荷を放
電した後、スイッチ55はオフする。そしてカウンタ7
4中の値N2を0にクリアする。続いて電流電圧変換回
路30での測距動作に入るが、測距の方法は図2、図3
に示した通りである。投光を繰り返しながら値N2に1
0を加算していき、積分電圧Viが基準電圧源64のV
2に達した時点で、スイッチ62を基準電圧源63の方
にオンし、積分回路50への入力信号を10分の1に減
衰させる。このため、それまでより高い分解能が得られ
る。再び同様な動作を繰り返しながら値N1に1を加算
していき、積分電圧ViがV1に達した時点で終了す
る。測距終了時にカウンタ74に残っている値N2をR
AM71の適切なアドレスに格納する。
【0023】以上の測距動作が終了すると、CPU70
は、無限遠フラグがセットされていれば無限遠、セット
されていなければRAM71に保存されている値N1と
N2を用いて式(1)より値Xを算出する。値Xが定ま
ると、図4に示すように値Xによって一義的に定まるR
OM72のアドレスを参照し被写体までの距離を求め、
その結果にしたがってモータ75を制御し鏡筒76を駆
動する。最後にCPU70は図1内のすべての回路の電
源をオフして、このルーチンを抜ける。図3にこの測距
動作中の図1の各部の変化を示した。なお、図3ではス
イッチ6がスイッチ62と同じタイミングで切り換えら
れるようにしているが、図2に示すように、IRED1
4の非発光時はスイッチ6が入力抵抗52、53とも接
続しないようにし、IRED14が発光を開始してから
所定時間経過してから上述のように入力抵抗を選択する
ようにしても良い。この場合、入力抵抗選択用スイッチ
6をIRED14の非発光時の積分回路への入力禁止ス
イッチに兼用できるので、構成の簡略化が図れる。
【0024】以上が本実施例における回路の動作であ
る。以上の動作をフローチャートで表わすと図5〜図7
のようになる。まず、メインルーチンを図5に基づいて
説明する。この測距ルーチンに入ると、CPU70は測
距回路全体の電源をオンし(S001)、CPU70は
RAM71の内容をクリアする(S002)。そして電
流電圧変換回路20での測距を行い、値N1をRAM7
1に保存し(S003)、同時に無限遠フラグの状態を
確認し、セットされていればS007にジャンプする
(S004)。同様に電流電圧変換回路30での測距を
行い、値N2をRAM71に保存し(S005)、サブ
ルーチンS003とS005の操作でRAM71に保存
されている値N1と値N2を読み出して値Xを算出する
(S006)。その結果無限遠フラグがセットされてい
れば無限遠、それ以外では図4に示されるようにXの値
をオフセット値とするあらかじめ決められたROM72
のアドレスを参照して、被写体までの距離を求める(S
007)。最後に測距回路の電源をオフし(S00
8)、このルーチンを抜ける。
【0025】次に、各サブルーチン内での動作を説明す
る。まず電流電圧変換回路20による測距のサブルーチ
ンを図6、図2に基づいて説明する。電流電圧変換回路
20による測距のサブルーチンに入ると、CPU70は
スイッチ4を電流電圧変換回路20側にオンし(S10
1)、スイッチ55を一瞬オンし積分コンデンサ54に
たまっている電荷を放電した後(S102)、カウンタ
73中の値N1に0、値nに10をそれぞれ代入し、ス
イッチ62をV2側にオンし、スイッチ6で入力抵抗5
2を選択する(S103)。続いて値N1が回数Nc以
上かどうかを判定し、回数Nc以上ならばRAM71中
の無限遠フラグをセットしメインルーチンに戻る(S1
05)。回数Nc未満ならばS106にジャンプする
(S104)。
【0026】続いてCPU70によって投光を開始し
(S106)、時間T1だけ待機すると(S107)、
スイッチ6をオンし(S108)、時間T2だけ積分動
作を行う(S109)。この間積分コンデンサ54には
電荷が貯えられる。それから投光回路10の動作を止め
て投光動作を終了し、スイッチ6をオフし積分動作を終
えて(S110)、時間T3だけ待機し(S111)、
カウンタ73に値nを加算する(S112)。CPU7
0は出力電圧Voのレベルを判断し(S113)、Lレ
ベルであればS104にジャンプする。Hレベルであれ
ば次にスイッチ62がV1を選択しているかどうかを判
断し、V1を選択していればカウンタ73中の値N1を
RAM71に記憶して(S114)メインルーチンに戻
る。V1を選択していなければ値nに1を代入し、基準
電圧をV1に設定し、入力抵抗53を選択して、S10
4にジャンプする。
【0027】次に、電流電圧変換回路30による測距の
サブルーチンを図7、図2に基づいて説明する。電流電
圧変換回路30による測距のサブルーチンに入ると、C
PU70はスイッチ4を電流電圧変換回路30側にオン
し(S201)、スイッチ55を一瞬オンし積分コンデ
ンサ54にたまっている電荷を放電した後(S20
2)、カウンタ73中の値N2に0、値nに10をそれ
ぞれ代入し、スイッチ62をV2側にオンし、スイッチ
6で入力抵抗52を選択する(S203)。
【0028】続いてCPU70によって投光を開始し
(S204)、時間T1だけ待機すると(S205)、
スイッチ6をオンし(S206)、時間T2だけ積分動
作を行う(S207)。この間積分コンデンサ54には
電荷が貯えられる。それから投光回路10の動作を止め
て投光動作を終了し、スイッチ6をオフし、積分動作を
終えて(S208)、時間T3だけ待機し(S20
9)、カウンタ74に値nを加算する(S210)。C
PU70は出力電圧Voのレベルを判断し(S21
1)、LレベルであればS204にジャンプする。Hレ
ベルであれば次にスイッチ62がV1を選択しているか
どうかを判断し、V1を選択していればカウンタ74中
の値N2をRAM71に記憶して(S212)メインル
ーチンに戻る。V1を選択していなければ値nに1を代
入し、基準電圧をV1に設定し、入力抵抗53を選択し
てS204にジャンプする。以上の動作により、被写体
までの距離が測定される。
【0029】このように本例では、レベル判定回路60
の出力電圧Voに応じて積分回路50の抵抗52、53
の選択を行っている。すなわち、積分回路50の積分電
圧が低い場合(V2以下)には、抵抗値の小さな抵抗5
2を選択することにより、積分回路50への入力信号を
大きくし、それ程高くない精度で時間をかけずに積分を
行う。一方、積分回路50の積分電圧が高い場合(V2
以上、V1以下)には、抵抗値の大きな抵抗53を選択
することにより、積分回路50への入力信号を小さく
し、高い精度で積分を行う。
【0030】したがって、積分電圧が低い時には積分精
度を低く、積分電圧が高い時には積分精度を高くするこ
とにより、全体の積分時間を増加させることなく、全体
の積分精度を向上させ、測距精度を向上させることを可
能としている。
【0031】本発明の他の実施例として、積分時間を2
種類持ち、積分電圧が第1の電圧より低い第2の電圧ま
では、積分時間の長い方で積分を繰り返し、第2の電圧
から第1の電圧までは積分時間の短い方で積分を繰り返
し、N1、N2はそれぞれ積分時間の比率に応じた値を
加算してゆけば、本発明の第1実施例と同様の効果が得
られる。
【0032】本発明のまた他の実施例として、増幅回路
のゲインを複数持ち、積分電圧が第1の電圧より低い第
2の電圧までは、ゲインの高い方で積分を繰り返し、第
2の電圧から第1の電圧までは、ゲインの低い方で積分
を繰り返し、N1、N2はそれぞれゲインの比率に応じ
た値を加算していけば、本発明の第1実施例と同様の効
果が得られる。
【0033】
【発明の効果】本発明の構成によれば、受光素子の出力
信号を積分し、積分電圧が第2の電圧に達した後、積分
回路への積分入力のレベルを積分電圧が第2の電圧に達
する以前の積分入力のレベルよりも下げることにより、
測距精度を下げることなく、測距時間を短くすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す構成図
【図2】本発明の実施例の積分動作を説明する動作図
【図3】本発明の実施例の測距時の一連の動作を説明す
る動作図
【図4】本発明の実施例の値Xから距離を求めるROM
72上のテーブル
【図5】本発明の実施例の動作を示すフローチャート
【図6】図5のフローチャートの電流電圧変換回路20
による測距の部分のサブルーチンを示すフローチャート
【図7】図5のフローチャートの電流電圧変換回路30
による測距の部分のサブルーチンを示すフローチャート
【符号の説明】
10 投光回路(投光部) 3 半導体位置検出素子(PSD) 20、30 電流電圧変換回路 3、20、30 受光部 40 増幅回路 50 積分回路 54 積分コンデンサ 63、64 基準電圧源 60 レベル判定回路(比較部) 70 CPU(演算部)
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 7/28 - 7/40 G03D 9/00 - 9/02 G03D 13/00 - 13/14

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被写体にパルス光を投光する投光部と、
    前記被写体からの反射光を受光し、前記反射光に応じた
    信号を出力する受光部と、前記受光部の出力信号を積分
    する積分回路と、第1の電圧を発生する第1の基準電圧
    源と、前記第1の電圧よりも低く、前記積分回路の積分
    開始時における電圧より高い第2の電圧を発生する第2
    の基準電圧源と、前記積分回路から出力される積分電圧
    を前記第1の電圧または前記第2の電圧と比較する比較
    部と、前記積分電圧が前記第1の電圧に達するまでの前
    記積分コンデンサの積分回数を距離データとし、前記距
    離データから前記被写体までの距離を演算する演算部と
    を有し、 前記積分電圧が前記第2の電圧に達した後前記積分回
    路への積分入力のレベルを前記積分電圧が前記第2の電
    圧に達する以前の積分入力のレベルよりも下げることを
    特徴とするカメラ用測距装置。
  2. 【請求項2】 記積分回路の入力抵抗値を切り換える
    ことにより、前記積分入力のレベルを下げることを特徴
    とする請求項1に記載のカメラ用測距装置。
  3. 【請求項3】 記積分回路の積分時間を切り換えるこ
    とにより、前記積分入力のレベルを下げることを特徴と
    する請求項1に記載のカメラ用測距装置。
  4. 【請求項4】 前記受光部の出力信号を増幅し、その増
    幅信号を積分回路へ出力する増幅回路をさらに有し、 記増幅回路のゲインを切り換えることにより、前記積
    分入力のレベルを下げることを特徴とする請求項1に記
    載のカメラ用測距装置。
  5. 【請求項5】 前記積分回路は、積分コンデンサである
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のカ
    メラ用測距装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7190174B2 (ja) 2019-05-09 2022-12-15 株式会社水道技術開発機構 流体管のフルカット切断方法及びフルカット切断装置

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JP7190174B2 (ja) 2019-05-09 2022-12-15 株式会社水道技術開発機構 流体管のフルカット切断方法及びフルカット切断装置

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