JP3307030B2 - 半導体装置用Ｓｉウェーハの低温表面酸化方法 - Google Patents

半導体装置用Ｓｉウェーハの低温表面酸化方法

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JP3307030B2
JP3307030B2 JP28473193A JP28473193A JP3307030B2 JP 3307030 B2 JP3307030 B2 JP 3307030B2 JP 28473193 A JP28473193 A JP 28473193A JP 28473193 A JP28473193 A JP 28473193A JP 3307030 B2 JP3307030 B2 JP 3307030B2
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wafer
semiconductor device
low temperature
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surface oxidation
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彰二 野上
隆之 新行内
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Mitsubishi Materials Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置用Ｓｉウ
ェーハの表面を低温で酸化する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に、Ｓｉウェーハの表面に酸
化層を形成する目的で、Ｓｉウェーハを酸素雰囲気また
は酸素と水素の雰囲気（例えば水の分解雰囲気）で９０
０〜１０００℃の温度で酸化処理することが行なわれて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来方
法においては、高温酸化となるため、酸化進行が相対的
に速く、この結果、酸化層厚に局部的にバラツキが生じ
易く、所定の層厚の酸化層を歩留り良く形成することが
できないのが現状である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上述のような観点から、半導体装置用Ｓｉウェーハの低
温による表面酸化層形成を行なうべく研究を行なった結
果、Ｓｉウェーハの表面を酸化処理に先だって、予めト
ルエン、エタノール、またはアセトンの雰囲気中で処理
すると、この処理後のＳｉウェーハ表面には、７００〜
８５０℃の低温で均一な層厚の酸化層を形成することが
できるという研究結果を得たのである。
【０００５】なお、この発明の方法において、酸化温度
を７００〜８５０℃に限定したのは、その温度が７００
℃未満では酸化進行が遅く、実用的酸化をおこなうこと
ができず、一方、その温度が８５０℃を越えると酸化層
厚に局部的にバラツキが発生し易くなるという理由によ
るものである。
【０００６】
【実施例】つぎにこの発明の方法を実施例により具体的
に説明する。まず、直径：１２５mmφ×厚さ：０．６mm
の寸法をもったＳｉウェーハを用意し、このＳｉウェー
ハの表面を通常の条件で洗浄した後、表１に示される条
件で前処理を行ない、ついでこれを酸化炉に挿入し、同
じく表１に示される条件で酸化処理を行なうことによ
り、本発明方法１〜１２および従来方法１〜４をそれぞ
れ実施した。
【０００７】ついで、この結果Ｓｉウェーハ表面に形成
された酸化膜厚を表面上任意１３ヶ所について、市販の
膜厚測定装置を用いて測定し、この測定結果の最大値、
最小値、および平均値を表１に示した。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【発明の効果】この発明の方法によれば、トルエン、エ
タノールまたはアセトン前処理を行なうことにより、従
来よりも低い温度で均一な酸化層を形成できることが明
かである。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｓｉウェーハの表面をトルエン、エタノ
    ールまたはアセトンの雰囲気で処理した後、酸素雰囲気
    または酸素と水素の雰囲気中、７００〜８５０℃の温度
    で酸化処理を施すことを特徴とする半導体装置用Ｓｉウ
    ェーハの低温酸化方法。
JP28473193A 1993-11-15 1993-11-15 半導体装置用Ｓｉウェーハの低温表面酸化方法 Expired - Lifetime JP3307030B2 (ja)

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