JPH07142466A - 半導体装置用Siウェーハの低温表面酸化方法 - Google Patents
半導体装置用Siウェーハの低温表面酸化方法Info
- Publication number
- JPH07142466A JPH07142466A JP28473193A JP28473193A JPH07142466A JP H07142466 A JPH07142466 A JP H07142466A JP 28473193 A JP28473193 A JP 28473193A JP 28473193 A JP28473193 A JP 28473193A JP H07142466 A JPH07142466 A JP H07142466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- atmosphere
- temperature
- low temperature
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
を、低温にて形成する方法を提供する。 【構成】 Siウェーハの表面をトルエン、エタノール
またはアセトンの雰囲気で処理した後、熱酸化膜層を形
成する。
Description
ェーハの表面を低温で酸化する方法に関するものであ
る。
化層を形成する目的で、Siウェーハを酸素雰囲気また
は酸素と水素の雰囲気(例えば水の分解雰囲気)で90
0〜1000℃の温度で酸化処理することが行なわれて
いる。
法においては、高温酸化となるため、酸化進行が相対的
に速く、この結果、酸化層厚に局部的にバラツキが生じ
易く、所定の層厚の酸化層を歩留り良く形成することが
できないのが現状である。
上述のような観点から、半導体装置用Siウェーハの低
温による表面酸化層形成を行なうべく研究を行なった結
果、Siウェーハの表面を酸化処理に先だって、予めト
ルエン、エタノール、またはアセトンの雰囲気中で処理
すると、この処理後のSiウェーハ表面には、700〜
850℃の低温で均一な層厚の酸化層を形成することが
できるという研究結果を得たのである。
を700〜850℃に限定したのは、その温度が700
℃未満では酸化進行が遅く、実用的酸化をおこなうこと
ができず、一方、その温度が850℃を越えると酸化層
厚に局部的にバラツキが発生し易くなるという理由によ
るものである。
に説明する。まず、直径:125mmφ×厚さ:0.6mm
の寸法をもったSiウェーハを用意し、このSiウェー
ハの表面を通常の条件で洗浄した後、表1に示される条
件で前処理を行ない、ついでこれを酸化炉に挿入し、同
じく表1に示される条件で酸化処理を行なうことによ
り、本発明方法1〜12および従来方法1〜4をそれぞ
れ実施した。
された酸化膜厚を表面上任意13ヶ所について、市販の
膜厚測定装置を用いて測定し、この測定結果の最大値、
最小値、および平均値を表1に示した。
タノールまたはアセトン前処理を行なうことにより、従
来よりも低い温度で均一な酸化層を形成できることが明
かである。
Claims (1)
- 【請求項1】 Siウェーハの表面をトルエン、エタノ
ールまたはアセトンの雰囲気で処理した後、酸素雰囲気
または酸素と水素の雰囲気中、700〜850℃の温度
で酸化処理を施すことを特徴とする半導体装置用Siウ
ェーハの低温酸化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28473193A JP3307030B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 半導体装置用Siウェーハの低温表面酸化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28473193A JP3307030B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 半導体装置用Siウェーハの低温表面酸化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07142466A true JPH07142466A (ja) | 1995-06-02 |
JP3307030B2 JP3307030B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17682257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28473193A Expired - Lifetime JP3307030B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 半導体装置用Siウェーハの低温表面酸化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3307030B2 (ja) |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP28473193A patent/JP3307030B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3307030B2 (ja) | 2002-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3728021B2 (ja) | プラズマエッチング電極及びその製造方法 | |
US3692571A (en) | Method of reducing the mobile ion contamination in thermally grown silicon dioxide | |
JP3285723B2 (ja) | 半導体熱処理用治具及びその表面処理方法 | |
US3892891A (en) | Provision of reproducible thin layers of silicon dioxide | |
JPH07142466A (ja) | 半導体装置用Siウェーハの低温表面酸化方法 | |
TWI303087B (ja) | ||
Nagasima et al. | Local Crystallization of Thermal Oxide Film of Silicon | |
Hofmann et al. | Acceleration Factors for the Decomposition of Thermally Grown SiO2 Films | |
JP3042659B2 (ja) | 半導体ウエーハの酸化方法 | |
JPH10270434A (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法及び酸化膜の形成方法 | |
JPH0568099B2 (ja) | ||
US4954189A (en) | Silicon wafers for producing oxide layers of high breakdown strength and process for the production thereof | |
JPH07193072A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
KR100310461B1 (ko) | 실리콘산화막의형성방법 | |
JP3188810B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2601208B2 (ja) | 半導体基体の処理方法 | |
JPH11297704A (ja) | 酸素析出物密度の評価方法 | |
JPH0223023B2 (ja) | ||
JPH0673350B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2730156B2 (ja) | 多結晶シリコン膜の形成方法 | |
JPH0418729A (ja) | シリコンウエーハの酸化膜形成前処理方法及びシリコンウエーハの酸化液 | |
JPS63199434A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
JPH06196459A (ja) | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | |
JPH0351726A (ja) | 熱処理装置 | |
JPS57148344A (en) | Manufacturing equipment for semiconductor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020416 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090517 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090517 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100517 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100517 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110517 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120517 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130517 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |