JP3301163B2 - 低比誘電率フィルム - Google Patents
低比誘電率フィルムInfo
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- Adhesive Tapes (AREA)
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低比誘電率フィルムに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電気・電子機器やコンピュー
タで用いられるプリント配線板として、エポキシ樹脂や
フェノール樹脂を用いたガラスエポキシ積層板、紙フェ
ノール樹脂積層板等が汎用されてきたが、耐熱性に問題
を生じていた。一方、情報処理機器の演算速度の高速化
への要求が強くなるにつれて次式からも明らかなよう
に、信号伝送距離を短縮したり基材の比誘電率を低くす
る必要が生じてきた。 Ｔｄ＝（１×√εr）÷ｃ 〔但し、Ｔｄは信号伝送遅延時間（ｓ）、ｌは信号伝送
距離（ｍ）、εr は基材の比誘電率（無次元）、ｃは光
速度（ｍ／ｓ）である。〕これまで信号伝送距離の短縮
は高密度実装により行われてきたが、この方法にも限界
が見え始めていることから、更にＴｄを低減するために
基材の低比誘電率化が強く望まれている。こうした状況
下で耐熱性に優れたポリイミド樹脂や電気特性に優れた
フッ素樹脂が注目されており、ガラス繊維との複合材等
も提案されている。
タで用いられるプリント配線板として、エポキシ樹脂や
フェノール樹脂を用いたガラスエポキシ積層板、紙フェ
ノール樹脂積層板等が汎用されてきたが、耐熱性に問題
を生じていた。一方、情報処理機器の演算速度の高速化
への要求が強くなるにつれて次式からも明らかなよう
に、信号伝送距離を短縮したり基材の比誘電率を低くす
る必要が生じてきた。 Ｔｄ＝（１×√εr）÷ｃ 〔但し、Ｔｄは信号伝送遅延時間（ｓ）、ｌは信号伝送
距離（ｍ）、εr は基材の比誘電率（無次元）、ｃは光
速度（ｍ／ｓ）である。〕これまで信号伝送距離の短縮
は高密度実装により行われてきたが、この方法にも限界
が見え始めていることから、更にＴｄを低減するために
基材の低比誘電率化が強く望まれている。こうした状況
下で耐熱性に優れたポリイミド樹脂や電気特性に優れた
フッ素樹脂が注目されており、ガラス繊維との複合材等
も提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般にポリイ
ミドの比誘電率は３．５程度であり、ガラス繊維との複
合材では４以上にもなる。一方、フッ素系樹脂は比誘電
率が低く、電気特性としては満足できるものの融点が高
く、成形性に劣る。本発明は比誘電率が低く、且つ耐熱
性、成形性に優れる低比誘電率フィルムを提供するもの
である。
ミドの比誘電率は３．５程度であり、ガラス繊維との複
合材では４以上にもなる。一方、フッ素系樹脂は比誘電
率が低く、電気特性としては満足できるものの融点が高
く、成形性に劣る。本発明は比誘電率が低く、且つ耐熱
性、成形性に優れる低比誘電率フィルムを提供するもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、化５の一般式
（Ｉ）で表される酸無水物と化６の一般式（II）で表さ
れる化合物と一般式（Ｖ）で表される化合物のモル比が
一般式（II）／一般式（Ｖ）＝４０／６０〜８０／２０
を反応させて得られるポリイミド(Ａ)と、化８の一般式
（III）で表されるポリマレイミド（Ｂ）とを含有する
低比誘電率フィルムである。
（Ｉ）で表される酸無水物と化６の一般式（II）で表さ
れる化合物と一般式（Ｖ）で表される化合物のモル比が
一般式（II）／一般式（Ｖ）＝４０／６０〜８０／２０
を反応させて得られるポリイミド(Ａ)と、化８の一般式
（III）で表されるポリマレイミド（Ｂ）とを含有する
低比誘電率フィルムである。
【化５】 （Ｘは−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を示し、Ａｒは脂
肪族又は芳香族の２価の有機基を示す。）
肪族又は芳香族の２価の有機基を示す。）
【化６】 （Ｙはアミノ基又はイソシアネート基を示し、Ｒ1 、Ｒ
2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアル
キル基又はアルコキシ基を示す。また、Ｚ2 は化３で示
される基、又は結合を示し、ｒは１〜４の整数を示し、
複数個のＺ2 はそれぞれ同一でも異なっていても良く、
各ベンゼン環の水素はアルキル基、アルコキシ基で置換
されていて良い。Ｒ7はアルキル基、アルコキシ基、水
酸基の置換基を示す。）
2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアル
キル基又はアルコキシ基を示す。また、Ｚ2 は化３で示
される基、又は結合を示し、ｒは１〜４の整数を示し、
複数個のＺ2 はそれぞれ同一でも異なっていても良く、
各ベンゼン環の水素はアルキル基、アルコキシ基で置換
されていて良い。Ｒ7はアルキル基、アルコキシ基、水
酸基の置換基を示す。）
【化７】
【化８】 （但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４としては、メチル基、
エチル基、イソプロピル基等の炭素数１〜５のアルキル
基、エトキシ基等のアルコキシ基であり、Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ同一でも異なっていても良い。）
エチル基、イソプロピル基等の炭素数１〜５のアルキル
基、エトキシ基等のアルコキシ基であり、Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ同一でも異なっていても良い。）
【０００５】まず、ポリイミド（Ａ）について説明す
る。一般式（Ｉ）中、Ａｒとしては、例えば、化９、化
１０で示される二価の基がある。
る。一般式（Ｉ）中、Ａｒとしては、例えば、化９、化
１０で示される二価の基がある。
【０００６】
【化９】 （ベンゼン環の水素はメチル基、エチル基、プロピル基
等の炭素数１〜５の低級アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基で置換されていても良く、この
ような置換基が２以上あるときこれらは同一でも異なっ
ていても良い。）
等の炭素数１〜５の低級アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基で置換されていても良く、この
ような置換基が２以上あるときこれらは同一でも異なっ
ていても良い。）
【０００７】
【化１０】 （Ｚ1 は化９で示される２価の基であり、
【０００８】
【化１１】
【０００９】ベンゼン環の水素はメチル基、エチル基、
イソプロピル基等の低級アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基等で置換されていても良く、こ
れらの置換基が複数個ある場合これらは同一でも異なっ
ていても良く、ｎ，ｍは１以上の整数である。）
イソプロピル基等の低級アルキル基、メトキシ基、エト
キシ基等のアルコキシ基等で置換されていても良く、こ
れらの置換基が複数個ある場合これらは同一でも異なっ
ていても良く、ｎ，ｍは１以上の整数である。）
【００１０】一般式（Ｉ）で表わされる酸二無水物の具
体例としては、カテコールビストリメリテート二無水
物、レゾルシノールビストリメリテート二無水物、ｐ−
ジヒドロキシベンゼンビストリメリテート二無水物、ビ
スフェノールＡビストリメリテート二無水物、ビフェニ
ルビストリメリテート二無水物、下記一般式（IV）で表
わされるビストリメリテート二無水物等が挙げられる。
体例としては、カテコールビストリメリテート二無水
物、レゾルシノールビストリメリテート二無水物、ｐ−
ジヒドロキシベンゼンビストリメリテート二無水物、ビ
スフェノールＡビストリメリテート二無水物、ビフェニ
ルビストリメリテート二無水物、下記一般式（IV）で表
わされるビストリメリテート二無水物等が挙げられる。
【００１１】
【化１２】 （Ｘ1は−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を示しＲ6はアル
キル基を示し、複数のＲ6は同一でも異なっていても良
く、ｑは０又は１である。）
キル基を示し、複数のＲ6は同一でも異なっていても良
く、ｑは０又は１である。）
【００１２】一般式（IV）で表わされるビストリメリテ
ート二無水物の例としては、化１３で示されるものがあ
る。
ート二無水物の例としては、化１３で示されるものがあ
る。
【００１３】
【化１３】
【００１４】一般式（Ｉ）で表わされる酸二無水物以外
に特性を損ねない範囲で併用しても良い酸二無水物とし
ては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，
４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
３’，３’，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水
物、１，２，５，６−ナフタリンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−ナフタリンテトラカルボン酸二
無水物、２，３，５，６−ビリジンテトラカルボン酸二
無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物、３，３’−スルホニルジフタル酸二無水物、
４，４’−スルホニルジフタル酸二無水物、３，４’−
スルホニルジフタル酸二無水物、３，３’−オキシジフ
タル酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水
物、３，４’−オキシジフタル酸二無水物等があり、こ
れらは二種以上併用しても良い。
に特性を損ねない範囲で併用しても良い酸二無水物とし
ては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，
４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
３’，３’，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水
物、１，２，５，６−ナフタリンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，６，７−ナフタリンテトラカルボン酸二
無水物、２，３，５，６−ビリジンテトラカルボン酸二
無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物、３，３’−スルホニルジフタル酸二無水物、
４，４’−スルホニルジフタル酸二無水物、３，４’−
スルホニルジフタル酸二無水物、３，３’−オキシジフ
タル酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水
物、３，４’−オキシジフタル酸二無水物等があり、こ
れらは二種以上併用しても良い。
【００１５】前記した一般式（II）で表わされる化合物
のうち、Ｙがアミノ基であるものとしては、４，４’−
ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−
テトラエチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’，５，５’−テトラｎ−プロピルジフェニルメ
タン、４，４’−ジアミノ−３，３’５，５’−テトラ
イソプロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’５，５’−テトラブチルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−５，５’−
ジエチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，
３’−ジメチル−５，５’−ジイソプロピルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチル−
５，５’−ジイソプロピルジフェニルメタン、４，４’
−ジアミノ−３，５−ジメチル−３’，５’−ジエチル
ジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，５−ジメ
チル−３’，５’−ジイソプロピルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，５−ジエチル−３’，５’−
ジイソプロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，５−ジエチル−３’，５’−ジブチルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，５−ジイソプロピル
−３’，５’−ジブチルジフェニルメタン、４，４’−
ジアミノ−３，３’−ジイソプロピル−５，５’−ジブ
チルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’
−ジメチル−５，５’−ジブチルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチル−５，５’−
ジブチルジフェニルメタン等がある。
のうち、Ｙがアミノ基であるものとしては、４，４’−
ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−
テトラエチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’，５，５’−テトラｎ−プロピルジフェニルメ
タン、４，４’−ジアミノ−３，３’５，５’−テトラ
イソプロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’５，５’−テトラブチルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−５，５’−
ジエチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，
３’−ジメチル−５，５’−ジイソプロピルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチル−
５，５’−ジイソプロピルジフェニルメタン、４，４’
−ジアミノ−３，５−ジメチル−３’，５’−ジエチル
ジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，５−ジメ
チル−３’，５’−ジイソプロピルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，５−ジエチル−３’，５’−
ジイソプロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，５−ジエチル−３’，５’−ジブチルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，５−ジイソプロピル
−３’，５’−ジブチルジフェニルメタン、４，４’−
ジアミノ−３，３’−ジイソプロピル−５，５’−ジブ
チルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’
−ジメチル−５，５’−ジブチルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチル−５，５’−
ジブチルジフェニルメタン等がある。
【００１６】前記した一般式（II）で表わされる化合物
のうち、Ｙがイソシアネート基であるものとしては、上
記に例示したジアミンにおいて、「アミノ」を「イソシ
アネート」と読み換えたものを例示することができる。
本発明において一般式（I）で表される、酸二無水物の
反応の相手としては、一般式（II）で表わされる化合物
と化１４の一般式（Ｖ）で表される化合物がある。
のうち、Ｙがイソシアネート基であるものとしては、上
記に例示したジアミンにおいて、「アミノ」を「イソシ
アネート」と読み換えたものを例示することができる。
本発明において一般式（I）で表される、酸二無水物の
反応の相手としては、一般式（II）で表わされる化合物
と化１４の一般式（Ｖ）で表される化合物がある。
【００１７】
【化１４】 （Ｚ2 は化１５で示される基
【００１８】
【化１５】 又は結合を示し、Ｙはアミノ基又はイソシアナート基を
示し、ｒは１〜４の整数を示し、複数個のＺ2 はそれぞ
れ同一でも異なっていても良く、各ベンゼン環の水素は
アルキル基、アルコキシ基で置換されていて良い。Ｒ7
はアルキル基、アルコキシ基、水酸基等の置換基を示
す。）
示し、ｒは１〜４の整数を示し、複数個のＺ2 はそれぞ
れ同一でも異なっていても良く、各ベンゼン環の水素は
アルキル基、アルコキシ基で置換されていて良い。Ｒ7
はアルキル基、アルコキシ基、水酸基等の置換基を示
す。）
【００１９】一般式（Ｖ）で表わされる化合物として
は、一般式（Ｖ）中、一つのＺと一つのＹの組み合わせ
及び二つのＺの組み合わせにおいて、それぞれは、同一
のベンゼン環に互いにパラ位又は、メタ位に結合してい
るものが好ましい。
は、一般式（Ｖ）中、一つのＺと一つのＹの組み合わせ
及び二つのＺの組み合わせにおいて、それぞれは、同一
のベンゼン環に互いにパラ位又は、メタ位に結合してい
るものが好ましい。
【００２０】一般式（Ｖ）で表わされる化合物のうち、
基Ｙがアミノ基であるジアミンとしては、ビス（アニリ
ノイソプロピリデン）ベンゼン、ビス（アミノフェノキ
シ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシフェニル）プロ
パン、ビス（アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビ
ス（アミノフェノキシフェニル）ケトン、４，４’−ビ
ス〔３−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）
フェノキシ〕ジフェニルスルホン、４，４’−ビス〔３
−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）フェノ
キシ〕ベンゾフェノン、４，４’−ビス〔４−（４−ア
ミノ−α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ジフ
ェニルスルホン、４，４’−ビス〔４−（４−アミノ−
α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ベンゾフェ
ノン、４−〔３−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベ
ンジル）フェノキシ〕−４’−〔４−（４−アミノ−
α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ジフェニル
スルホン、４−〔３−（４−アミノ−α，α’−ジメチ
ルベンジル）フェノキシ〕−４’−（４−アミノ−α，
α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ベンゾフェノ
ン、４，４’−ビス〔３−（３−アミノ−α，α’−ジ
メチルベンジル）フェノキシ〕ジフェニルスルホン、
４，４’−ビス〔３−（３−アミノ−α，α’−ジメチ
ルベンジル）フェノキシ〕ベンゾフェノン、４，４’−
ビス〔２−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベンジ
ル）フェノキシ〕ジフェニルスルホン、４，４’−ビス
〔２−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）フ
ェノキシ〕ベンゾフェノン、３，３’−ビス〔３−（４
−アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕
ジフェニルスルホン、３，３’−ビス〔３−（４−アミ
ノ−α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ベンゾ
フェノン、等が挙げられこれらを混合して用いても良
い。
基Ｙがアミノ基であるジアミンとしては、ビス（アニリ
ノイソプロピリデン）ベンゼン、ビス（アミノフェノキ
シ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシフェニル）プロ
パン、ビス（アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビ
ス（アミノフェノキシフェニル）ケトン、４，４’−ビ
ス〔３−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）
フェノキシ〕ジフェニルスルホン、４，４’−ビス〔３
−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）フェノ
キシ〕ベンゾフェノン、４，４’−ビス〔４−（４−ア
ミノ−α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ジフ
ェニルスルホン、４，４’−ビス〔４−（４−アミノ−
α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ベンゾフェ
ノン、４−〔３−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベ
ンジル）フェノキシ〕−４’−〔４−（４−アミノ−
α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ジフェニル
スルホン、４−〔３−（４−アミノ−α，α’−ジメチ
ルベンジル）フェノキシ〕−４’−（４−アミノ−α，
α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ベンゾフェノ
ン、４，４’−ビス〔３−（３−アミノ−α，α’−ジ
メチルベンジル）フェノキシ〕ジフェニルスルホン、
４，４’−ビス〔３−（３−アミノ−α，α’−ジメチ
ルベンジル）フェノキシ〕ベンゾフェノン、４，４’−
ビス〔２−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベンジ
ル）フェノキシ〕ジフェニルスルホン、４，４’−ビス
〔２−（４−アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）フ
ェノキシ〕ベンゾフェノン、３，３’−ビス〔３−（４
−アミノ−α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕
ジフェニルスルホン、３，３’−ビス〔３−（４−アミ
ノ−α，α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ベンゾ
フェノン、等が挙げられこれらを混合して用いても良
い。
【００２１】一般式（Ｖ）で表わされる化合物のうち、
基Ｙがイソシアナート基であるジイソシアナートとして
は、４，４’−ビス〔３−（４−イソシアナート−α，
α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ジフェニルケト
ン、４，４’−ビス〔３−（４−イソシアナート−α，
α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ジフェニルスル
ホン等があり、その他、一般式（Ｖ）で表わされる化合
物のうち、基Ｙがアミノ基であるジアミンにおいては、
アミノ基をイソシアナート基に換えたものがある。
基Ｙがイソシアナート基であるジイソシアナートとして
は、４，４’−ビス〔３−（４−イソシアナート−α，
α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ジフェニルケト
ン、４，４’−ビス〔３−（４−イソシアナート−α，
α’−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ジフェニルスル
ホン等があり、その他、一般式（Ｖ）で表わされる化合
物のうち、基Ｙがアミノ基であるジアミンにおいては、
アミノ基をイソシアナート基に換えたものがある。
【００２２】一般式（II）で表わされる化合物と一般式
（Ｖ）で表わされ化合物は、前者／後者がモル比で１０
／９０〜９０／１０になるように使用するのが好まし
い。この比が小さすぎると比誘電率が高くなる他に極性
の小さな溶剤に対する溶解性が低下する傾向にあり、大
きすぎると一般式（Ｖ）で表わされる化合物を使用する
ことによってポリイミドの軟化点を低下させる効果が小
さくなる。上記の比は、４０／６０〜８０／２０である
のが特に好ましい。この場合には比誘電率が低くなるう
え、特に溶剤溶解性が良くなり、ジオキサンに可溶にで
きる。
（Ｖ）で表わされ化合物は、前者／後者がモル比で１０
／９０〜９０／１０になるように使用するのが好まし
い。この比が小さすぎると比誘電率が高くなる他に極性
の小さな溶剤に対する溶解性が低下する傾向にあり、大
きすぎると一般式（Ｖ）で表わされる化合物を使用する
ことによってポリイミドの軟化点を低下させる効果が小
さくなる。上記の比は、４０／６０〜８０／２０である
のが特に好ましい。この場合には比誘電率が低くなるう
え、特に溶剤溶解性が良くなり、ジオキサンに可溶にで
きる。
【００２３】酸二無水物の反応の相手としてジアミンを
使用する場合、前記したジアミンと併用しても良い他の
ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテ
ル、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニル
ケトン、ジアミノジフェニルプロパン、フェニレンジア
ミン、トルエンジアミン、ジアミノジフェニルスルフイ
ド、ｏ−ジアニシジン、ジアミノジアルキルジフェニル
メタン等があり、これらは二種以上併用しても良い。ま
た酸二無水物の反応の相手として、ジイソシアナートを
使用する場合、前記したようなジイソシアナートと併用
しても良い。ジイソシアナートとしては、ジフェニルメ
タンジイソシアナート、トルイレンジイソシアナート等
の前記した他のジアミンのアミノ基をイソシアナート基
に換えたものがある。前記した何れのジイソシアナート
も、上記したジアミンを常法に従いホスゲンと反応させ
ることによって製造することができる。
使用する場合、前記したジアミンと併用しても良い他の
ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテ
ル、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニル
ケトン、ジアミノジフェニルプロパン、フェニレンジア
ミン、トルエンジアミン、ジアミノジフェニルスルフイ
ド、ｏ−ジアニシジン、ジアミノジアルキルジフェニル
メタン等があり、これらは二種以上併用しても良い。ま
た酸二無水物の反応の相手として、ジイソシアナートを
使用する場合、前記したようなジイソシアナートと併用
しても良い。ジイソシアナートとしては、ジフェニルメ
タンジイソシアナート、トルイレンジイソシアナート等
の前記した他のジアミンのアミノ基をイソシアナート基
に換えたものがある。前記した何れのジイソシアナート
も、上記したジアミンを常法に従いホスゲンと反応させ
ることによって製造することができる。
【００２４】本発明において、ポリイミドは、次のよう
にして製造することができる。酸二無水物の反応の相手
としてジアミンを使用する場合、これらを有機触媒中、
必要に応じてトリブチルアミン、トリエチルアミン、亜
リン酸トリフェニル等の触媒の存在下、１００℃以上、
好ましくは１８０℃以上に加熱して、イミド化までを行
わせて、直接ポリイミドを得る方法（触媒は、反応成分
の総量に対して０〜１５重量％使用するのが好ましく、
特に０．０１〜１５重量％使用するのが好ましい）、酸
二無水物及びジアミンを有機触媒中１００℃未満で反応
させてポリイミドの前駆体であるポリアミド酸のワニス
を一旦製造し、この後、このワニスを加熱してイミド化
するか、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等
の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカル
ボジイミド化合物等の閉環剤、必要に応じてピリジン、
イソキノリン、トリメチルアミン、アミノピリジン、イ
ミダゾール等の閉環触媒を添加して化学閉環（イミド
化）させる方法（閉環剤及び閉環触媒は、それぞれ、酸
無水物１モルに対して１〜８モルの範囲内で使用するの
が好ましい）等がある。
にして製造することができる。酸二無水物の反応の相手
としてジアミンを使用する場合、これらを有機触媒中、
必要に応じてトリブチルアミン、トリエチルアミン、亜
リン酸トリフェニル等の触媒の存在下、１００℃以上、
好ましくは１８０℃以上に加熱して、イミド化までを行
わせて、直接ポリイミドを得る方法（触媒は、反応成分
の総量に対して０〜１５重量％使用するのが好ましく、
特に０．０１〜１５重量％使用するのが好ましい）、酸
二無水物及びジアミンを有機触媒中１００℃未満で反応
させてポリイミドの前駆体であるポリアミド酸のワニス
を一旦製造し、この後、このワニスを加熱してイミド化
するか、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等
の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカル
ボジイミド化合物等の閉環剤、必要に応じてピリジン、
イソキノリン、トリメチルアミン、アミノピリジン、イ
ミダゾール等の閉環触媒を添加して化学閉環（イミド
化）させる方法（閉環剤及び閉環触媒は、それぞれ、酸
無水物１モルに対して１〜８モルの範囲内で使用するの
が好ましい）等がある。
【００２５】前記有機溶剤としては、Ｎ−メチル−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラ
ン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，３−ジメチル
−２−イミダゾリドン等の非プロトン性極性溶媒、フェ
ノール、クレゾール、キシレノール、ｐ−クロルフェノ
ール等のフェノール系の溶媒等が挙げられる。また、溶
媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチ
ルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、モノグライム、ジグライム、メチルセロソルブ、セ
ロソルブアセテート、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、塩化メチレン、クロロホルム、トリクレ
ン、テトラクロロエタン等のうち、原料モノマー及びポ
リイミド又はポリアミド酸を溶解するものを使用しても
良く、これらを溶解しないものは、溶解性を損なわない
範囲で他の溶剤と混合して用いることができる。
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラ
ン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，３−ジメチル
−２−イミダゾリドン等の非プロトン性極性溶媒、フェ
ノール、クレゾール、キシレノール、ｐ−クロルフェノ
ール等のフェノール系の溶媒等が挙げられる。また、溶
媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチ
ルケトン、アセトン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、モノグライム、ジグライム、メチルセロソルブ、セ
ロソルブアセテート、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、塩化メチレン、クロロホルム、トリクレ
ン、テトラクロロエタン等のうち、原料モノマー及びポ
リイミド又はポリアミド酸を溶解するものを使用しても
良く、これらを溶解しないものは、溶解性を損なわない
範囲で他の溶剤と混合して用いることができる。
【００２６】前記したポリイミド及びその前駆体である
ポリアミド酸の製造に際し、場合により、固相反応、３
００℃以下での溶融反応等を利用することができる。ま
た、酸二無水物の反応の相手としたジイソシアナートを
使用する場合は、前記した直接ポリイミドを得る方法に
準じて行うことができる。但し、反応温度は室温以上、
特に６０℃以上であれば充分である。本発明において、
酸二無水物とその反応の相手は、ほぼ等モルで用いるの
が好ましいが、何れか一方の過剰量が１０モル％、特に
好ましくは５モル％までは許容される。
ポリアミド酸の製造に際し、場合により、固相反応、３
００℃以下での溶融反応等を利用することができる。ま
た、酸二無水物の反応の相手としたジイソシアナートを
使用する場合は、前記した直接ポリイミドを得る方法に
準じて行うことができる。但し、反応温度は室温以上、
特に６０℃以上であれば充分である。本発明において、
酸二無水物とその反応の相手は、ほぼ等モルで用いるの
が好ましいが、何れか一方の過剰量が１０モル％、特に
好ましくは５モル％までは許容される。
【００２７】本発明に用いることのできるポリマレイミ
ド（Ｂ）は、一般式(III)で示されるものであり、Ｎ，
Ｎ’−（４，４’−ジフェニルメタン）ビスマレイミ
ド、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニルオキシ）ビスマ
レイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−
２，４−トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，６−
トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビスマレ
イミド、Ｎ，Ｎ’−〔４，４’−〔２，２’−ビス
（４，４’−フェノキシフェニル）イソプロピリデ
ン〕〕ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス
マレイミド、
ド（Ｂ）は、一般式(III)で示されるものであり、Ｎ，
Ｎ’−（４，４’−ジフェニルメタン）ビスマレイミ
ド、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニルオキシ）ビスマ
レイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−
２，４−トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，６−
トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビスマレ
イミド、Ｎ，Ｎ’−〔４，４’−〔２，２’−ビス
（４，４’−フェノキシフェニル）イソプロピリデ
ン〕〕ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス
マレイミド、
【００２８】
【化１６】 （但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４としてはメチル基、エ
チル基、イソプロピル基等の炭素数１〜５の低級アルキ
ル基、エトキシ基等のアルコキシ基があり、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ同一でも異なっていても良
い。以下、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４がすべてイソプロピ
ル基の場合をＢＭＩ−ＩＰと略称する。）
チル基、イソプロピル基等の炭素数１〜５の低級アルキ
ル基、エトキシ基等のアルコキシ基があり、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ同一でも異なっていても良
い。以下、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４がすべてイソプロピ
ル基の場合をＢＭＩ−ＩＰと略称する。）
【００２９】
【化１７】 等を混合して用いることができる。
【００３０】ポリイミド（Ａ）とポリマレイミド（Ｂ）
の混合割合は、目的に応じて適宜決定されるがポリマレ
イミド（Ｂ）をポリイミド（Ａ）１００重量部に対して
５〜１８０重量部で用いるのが好ましい。ポリマレイミ
ド（Ｂ）が少なすぎると硬化が十分でなく、多すぎると
比誘電率が高くなるうえに接着フィルムがもろく成形性
が無くなる。可撓性を十分保有させる点で、ポリマレイ
ミド（Ｂ）はポリイミド（Ａ）１００重量部に対して１
００重量部以下の割合で用いるのが好ましい。本発明に
於ける接着フィルムは、２７５℃より低い温度で硬化さ
せることができ、特にｔ−ブチルパーベンゾエート、ｔ
−ブチルハイドロパーオキシド、ベンゾイルパーオキシ
ド等の有機過酸化物等のラジカル重合開始剤を配合する
ことによりその硬化反応をより低温（例えば２００℃前
後）で起こさせることができる。ラジカル重合開始剤
は、ポリイミド（Ａ）及びポリマレイミド（Ｂ）の総量
に対して０．１〜１０重量％用いるのが好ましい。
の混合割合は、目的に応じて適宜決定されるがポリマレ
イミド（Ｂ）をポリイミド（Ａ）１００重量部に対して
５〜１８０重量部で用いるのが好ましい。ポリマレイミ
ド（Ｂ）が少なすぎると硬化が十分でなく、多すぎると
比誘電率が高くなるうえに接着フィルムがもろく成形性
が無くなる。可撓性を十分保有させる点で、ポリマレイ
ミド（Ｂ）はポリイミド（Ａ）１００重量部に対して１
００重量部以下の割合で用いるのが好ましい。本発明に
於ける接着フィルムは、２７５℃より低い温度で硬化さ
せることができ、特にｔ−ブチルパーベンゾエート、ｔ
−ブチルハイドロパーオキシド、ベンゾイルパーオキシ
ド等の有機過酸化物等のラジカル重合開始剤を配合する
ことによりその硬化反応をより低温（例えば２００℃前
後）で起こさせることができる。ラジカル重合開始剤
は、ポリイミド（Ａ）及びポリマレイミド（Ｂ）の総量
に対して０．１〜１０重量％用いるのが好ましい。
【００３１】本発明に於ける低比誘電率接着フィルムは
ポリイミド（Ａ）とポリマレイミド（Ｂ）を有機溶剤に
溶解したワニスを公知の方法にてフィルム化することで
得られる。本発明のフィルムは接着性をもつもので、こ
のフィルムを接着剤として用いることにより積層板、多
層配線基板を得ることができる。すなわち配線板用の絶
縁基板の片面もしくは両面に貼合わせて使用することが
できる。又、複数の配線板をこの接着剤として接着一本
化し、多層配線板とする事もできる。本発明に於ける低
比誘電率接着フィルムの厚さは５〜５００μｍ、好まし
くは１０〜１００μｍであることが望ましい。上記厚み
範囲より小さいと耐電圧の点で好ましくなく、厚さが大
きすぎると多層化する上で実用的でない。
ポリイミド（Ａ）とポリマレイミド（Ｂ）を有機溶剤に
溶解したワニスを公知の方法にてフィルム化することで
得られる。本発明のフィルムは接着性をもつもので、こ
のフィルムを接着剤として用いることにより積層板、多
層配線基板を得ることができる。すなわち配線板用の絶
縁基板の片面もしくは両面に貼合わせて使用することが
できる。又、複数の配線板をこの接着剤として接着一本
化し、多層配線板とする事もできる。本発明に於ける低
比誘電率接着フィルムの厚さは５〜５００μｍ、好まし
くは１０〜１００μｍであることが望ましい。上記厚み
範囲より小さいと耐電圧の点で好ましくなく、厚さが大
きすぎると多層化する上で実用的でない。
【００３２】
【実施例】実施例１ 撹拌機、温度計、窒素ガス導入管を供えた４つのフラス
コに４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
イソプロピルジフェニルメタン（ＩＰＤＤＭ）２．７５
ｇと２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕フロパン（ＢＡＰＰ）１．０３ｇ及びＮ，Ｎ’−
ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３０ｇを入れ溶解し
た。次に、５℃を越えないように冷却しながらビスフェ
ノールＡビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）５．
７６ｇを少しづつ加えた後、５℃を越えないように冷却
しながら１時間、次いで室温で３時間反応させてポリア
ミド酸を合成した。得られたポリアミド酸のワニスを無
水酢酸２．６ｇ、及びピリジン２．０ｇを加え、室温で
一晩反応させてポリイミドを合成した。得られたポリイ
ミドのワニスを水に注いで得られる沈澱を分離、粉砕、
乾燥してポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末を
ＤＭＦに０．１ｇ／ｄｌの濃度で溶解し、３０℃で測定
した時の還元粘度は１．０７ｄｌ／ｇであった。このポ
リイミド粉末２．０ｇとＢＭＩ−ＩＰ１．０ｇをＤＭＦ
８．０ｇに溶解し、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ
−ブチルパーオキシ）ヘキサン−３（ＰＨ２５Ｂ）０．
０６ｇを添加して樹脂組成物（ワニス）を得た。この樹
脂組成物をガラス板に流延し、８０℃で１０分乾燥した
後、引き剥がして鉄枠に止め、更に１５０℃で１時間加
熱して良く乾燥した未硬化のフィルム状接着剤を得た。
このフィルムの軟化点は１７８℃であり、１８０度に折
り曲げても割れず優れた可撓性を示した。このフィルム
状接着剤を２３０℃で１時間加熱して完全に硬化させた
ところ、得られたフィルムのガラス転移点は２１７℃、
比誘電率は２．８５であった。この硬化フィルムはアセ
トン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に侵されなかっ
た。上記フィルム状接着剤を３５μｍの片面粗化銅箔２
枚の間に挟み、３ＭＰａ、２３０℃、１時間の条件でプ
レスしてフレキシブル印刷配線板用基板を得た。この基
板の９０度銅箔引き剥がし強さは室温雰囲気で１．５ｋ
Ｎ／ｍ（引っ張り速度５０ｍｍ／分）であった。また、
この基板を２６０℃のはんだ浴に３分間浸漬しても膨
れ、剥離は生じなかった。
コに４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
イソプロピルジフェニルメタン（ＩＰＤＤＭ）２．７５
ｇと２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕フロパン（ＢＡＰＰ）１．０３ｇ及びＮ，Ｎ’−
ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３０ｇを入れ溶解し
た。次に、５℃を越えないように冷却しながらビスフェ
ノールＡビストリメリテート二無水物（ＢＡＢＴ）５．
７６ｇを少しづつ加えた後、５℃を越えないように冷却
しながら１時間、次いで室温で３時間反応させてポリア
ミド酸を合成した。得られたポリアミド酸のワニスを無
水酢酸２．６ｇ、及びピリジン２．０ｇを加え、室温で
一晩反応させてポリイミドを合成した。得られたポリイ
ミドのワニスを水に注いで得られる沈澱を分離、粉砕、
乾燥してポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末を
ＤＭＦに０．１ｇ／ｄｌの濃度で溶解し、３０℃で測定
した時の還元粘度は１．０７ｄｌ／ｇであった。このポ
リイミド粉末２．０ｇとＢＭＩ−ＩＰ１．０ｇをＤＭＦ
８．０ｇに溶解し、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ
−ブチルパーオキシ）ヘキサン−３（ＰＨ２５Ｂ）０．
０６ｇを添加して樹脂組成物（ワニス）を得た。この樹
脂組成物をガラス板に流延し、８０℃で１０分乾燥した
後、引き剥がして鉄枠に止め、更に１５０℃で１時間加
熱して良く乾燥した未硬化のフィルム状接着剤を得た。
このフィルムの軟化点は１７８℃であり、１８０度に折
り曲げても割れず優れた可撓性を示した。このフィルム
状接着剤を２３０℃で１時間加熱して完全に硬化させた
ところ、得られたフィルムのガラス転移点は２１７℃、
比誘電率は２．８５であった。この硬化フィルムはアセ
トン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に侵されなかっ
た。上記フィルム状接着剤を３５μｍの片面粗化銅箔２
枚の間に挟み、３ＭＰａ、２３０℃、１時間の条件でプ
レスしてフレキシブル印刷配線板用基板を得た。この基
板の９０度銅箔引き剥がし強さは室温雰囲気で１．５ｋ
Ｎ／ｍ（引っ張り速度５０ｍｍ／分）であった。また、
この基板を２６０℃のはんだ浴に３分間浸漬しても膨
れ、剥離は生じなかった。
【００３３】参考例 ＢＭＩ−ＩＰの代わりにポリマレイミド系レジン（住友
化学製レジンＫ）を用いるほかは実施例１に準じてフィ
ルム状接着剤を得た。得られたフィルム状接着剤の軟化
点は１６３℃であり、１８０度に折り曲げても割れず、
可撓性に優れたものであった。このフィルム状接着剤を
２３０度で１時間加熱して完全に硬化させたところ、得
られた硬化フィルムのガラス転移点は２１７℃、比誘電
率は２．８５であった。この硬化フィルムはアセトン、
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に侵されなかった。上記
フィルム状接着剤を用いて実施例１に準じてフレキシブ
ル印刷配線板用基板を得た。この基板の９０度銅箔引き
剥がし強さは、室温雰囲気で１．３ｋＮ／ｍ（引っ張り
速度５０ｍｍ／分）であった。また、この基板を２６０
℃のはんだ浴に３分間浸漬しても膨れ、剥離は生じなか
った。
化学製レジンＫ）を用いるほかは実施例１に準じてフィ
ルム状接着剤を得た。得られたフィルム状接着剤の軟化
点は１６３℃であり、１８０度に折り曲げても割れず、
可撓性に優れたものであった。このフィルム状接着剤を
２３０度で１時間加熱して完全に硬化させたところ、得
られた硬化フィルムのガラス転移点は２１７℃、比誘電
率は２．８５であった。この硬化フィルムはアセトン、
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に侵されなかった。上記
フィルム状接着剤を用いて実施例１に準じてフレキシブ
ル印刷配線板用基板を得た。この基板の９０度銅箔引き
剥がし強さは、室温雰囲気で１．３ｋＮ／ｍ（引っ張り
速度５０ｍｍ／分）であった。また、この基板を２６０
℃のはんだ浴に３分間浸漬しても膨れ、剥離は生じなか
った。
【００３４】比較例１ ＢＡＢＴの代わりに−４−４’−ヘキサフルオロプロピ
リデンビスフタル酸二無水物（以下、６ＦＤＡと略称す
る）０４．４４ｇ用いるほかは実施例１に準じてフィル
ム状接着剤を得た。このフィルム状接着剤を２３０℃で
１時間加熱して完全に硬化させたところ、得られた硬化
フィルムの比誘電率は２．８５と低いもののアセトン、
ＭＥＫに対する耐性は劣っていた。
リデンビスフタル酸二無水物（以下、６ＦＤＡと略称す
る）０４．４４ｇ用いるほかは実施例１に準じてフィル
ム状接着剤を得た。このフィルム状接着剤を２３０℃で
１時間加熱して完全に硬化させたところ、得られた硬化
フィルムの比誘電率は２．８５と低いもののアセトン、
ＭＥＫに対する耐性は劣っていた。
【００３５】比較例２ ＢＡＢＴの代わりに６ＦＤＡを４．４４ｇ、ＩＰＤＤＭ
を１．８３ｇ、ＢＡＰＰを１．２３ｇ、ｏ−ジアニシジ
ンを０．４９ｇ用いるほかは実施例１に準じてフィルム
状接着剤を得た。このフィルム状接着剤を２３０℃で１
時間加熱して完全に硬化させたところ、得られた硬化フ
ィルムの比誘電率は２．８３と低いもののアセトン、Ｍ
ＥＫに対する耐性は劣っていた。
を１．８３ｇ、ＢＡＰＰを１．２３ｇ、ｏ−ジアニシジ
ンを０．４９ｇ用いるほかは実施例１に準じてフィルム
状接着剤を得た。このフィルム状接着剤を２３０℃で１
時間加熱して完全に硬化させたところ、得られた硬化フ
ィルムの比誘電率は２．８３と低いもののアセトン、Ｍ
ＥＫに対する耐性は劣っていた。
【００３６】比較例３ ＢＡＢＴの代わりに６ＦＤＡを４．４４ｇ、ＩＰＤＤＭ
を１．８３ｇ、ＢＡＰＰを１．２３ｇ、ｏ−ジアニシジ
ンを０．４９ｇ用いるほかは参考例に準じてフィルム状
接着剤を得た。このフィルム状接着剤を２３０℃で１時
間加熱して完全に硬化させたところ、得られた硬化フィ
ルムの比誘電率は２．８３と低いもののアセトン、ＭＥ
Ｋに対する耐性は劣っていた。
を１．８３ｇ、ＢＡＰＰを１．２３ｇ、ｏ−ジアニシジ
ンを０．４９ｇ用いるほかは参考例に準じてフィルム状
接着剤を得た。このフィルム状接着剤を２３０℃で１時
間加熱して完全に硬化させたところ、得られた硬化フィ
ルムの比誘電率は２．８３と低いもののアセトン、ＭＥ
Ｋに対する耐性は劣っていた。
【００３７】
【発明の効果】本発明の低比誘電率フィルム、は従来品
と較べ比誘電率が低いために、信号伝搬速度の高速化が
可能である。また低比誘電率接着フィルムは軟化点が低
く成形性に優れている。
と較べ比誘電率が低いために、信号伝搬速度の高速化が
可能である。また低比誘電率接着フィルムは軟化点が低
く成形性に優れている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｃ０９Ｊ 7/00 Ｃ０９Ｊ 7/00 Ｂ２９Ｋ 7:00 Ｂ２９Ｋ 7:00 79:00 79:00 Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｃ０８Ｌ 79:08 (56)参考文献 特開 平５−78481（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−227960（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−243863（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 73/00 - 73/26 C08L 79/00 - 79/08
Claims (1)
- 【請求項１】Ａ、一般式（Ｉ）で表される酸無水物と、
一般式（II）で表される化合物と一般式（Ｖ）で表され
る化合物のモル比が一般式（II）／一般式（Ｖ）＝４０
／６０〜８０／２０を反応させて得られるポリイミド
(Ａ)と、 Ｂ、一般式（III）で表されるポリマレイミド（Ｂ）と
を含有する低比誘電率フィルム。 【化１】 （Ｘは−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−を示し、Ａｒは脂
肪族又は芳香族の２価の有機基を示す。） 【化２】 （Ｙはアミノ基又はイソシアネート基を示し、Ｒ1 、Ｒ
2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアル
キル基又はアルコキシ基を示す。また、Ｚ2 は化３で示
される基、又は結合を示し、ｒは１〜４の整数を示し、
複数個のＺ2 はそれぞれ同一でも異なっていても良く、
各ベンゼン環の水素はアルキル基、アルコキシ基で置換
されていて良い。Ｒ7はアルキル基、アルコキシ基、水
酸基の置換基を示す。） 【化３】 【化４】 （但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、炭素数１〜５のア
ルキル基、アルコキシ基であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ
４はそれぞれ同一でも異なっていても良い。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12906693A JP3301163B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 低比誘電率フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12906693A JP3301163B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 低比誘電率フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340808A JPH06340808A (ja) | 1994-12-13 |
| JP3301163B2 true JP3301163B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=15000244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12906693A Expired - Fee Related JP3301163B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 低比誘電率フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3301163B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000061658A1 (fr) * | 1999-04-09 | 2000-10-19 | Kaneka Corporation | Resine polyimide, composition de resine a resistance amelioree a l'humidite la comprenant, solution adhesive, colle en film adhesif en couches et leurs procedes de production |
| JP2004006832A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-01-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム及び半導体装置 |
| JP4612292B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2011-01-12 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | 接着性組成物及びその硬化方法 |
| TWI342323B (en) * | 2007-01-22 | 2011-05-21 | Chang Chun Plastics Co Ltd | Thermoset resin modified polyimide resin composition |
| KR20220079498A (ko) * | 2019-10-01 | 2022-06-13 | 도레이 카부시키가이샤 | 열경화성 수지 조성물, 열경화성 수지 시트, 전자 부품, 및 전자 장치 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP12906693A patent/JP3301163B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06340808A (ja) | 1994-12-13 |
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