JP3297761B2 - オーミック電極および半導体発光素子 - Google Patents
オーミック電極および半導体発光素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、オーミック電極およ
び半導体発光素子に関する。
び半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体に対するオーミック電極
の材料に求められる第１の性能は低い接触抵抗である
が、この接触抵抗の観点で最適な材料が半導体に対する
密着性が悪いものである場合がある。
の材料に求められる第１の性能は低い接触抵抗である
が、この接触抵抗の観点で最適な材料が半導体に対する
密着性が悪いものである場合がある。
【０００３】例えば、下記の表１は III−Ｖ族化合物半
導体であるｐ型ＧａＡｓ（キャリア濃度５×１０18ｃｍ
-3程度）に対するオーミック電極材料の接触抵抗および
密着性を示したものであるが、この表１からわかるよう
に、ＡｕＺｎは接触抵抗には優れるが密着性はＴｉ（実
際にはＴｉ−Ｐｔ−ＡｕやＴｉ−Ａｕなどのように多層
構造で使用されるが、半導体と直接接触するのはＴｉで
あるので、このように略記されることがある）よりも悪
く、また、Ｔｉは密着性は比較的良好であるが接触抵抗
に関しては最適とは言えない。
導体であるｐ型ＧａＡｓ（キャリア濃度５×１０18ｃｍ
-3程度）に対するオーミック電極材料の接触抵抗および
密着性を示したものであるが、この表１からわかるよう
に、ＡｕＺｎは接触抵抗には優れるが密着性はＴｉ（実
際にはＴｉ−Ｐｔ−ＡｕやＴｉ−Ａｕなどのように多層
構造で使用されるが、半導体と直接接触するのはＴｉで
あるので、このように略記されることがある）よりも悪
く、また、Ｔｉは密着性は比較的良好であるが接触抵抗
に関しては最適とは言えない。
【０００４】 表１ ────────────────────────────────── 電極材料 アロイ条件 接触抵抗（Ωｃｍ2 ） 密着性 ────────────────────────────────── ＡｕＺｎ ４００℃、２分 １０-6 やや悪 Ｔｉ ノンアロイ １０-4 良 ──────────────────────────────────
【０００５】また、下記の表２および表３はそれぞれII
−VI族化合物半導体であるｐ型ＺｎＳｅ（キャリア濃度
５×１０17ｃｍ-3程度）およびｐ型ＺｎＴｅ（キャリア
濃度５×１０18ｃｍ-3程度）に対するオーミック電極材
料の接触抵抗および密着性を示したものである。表２か
らわかるように、ｐ型ＺｎＳｅに対するオーミック電極
材料としては、接触抵抗はＡｕがＴｉよりも優れている
が、密着性はＴｉの方がＡｕよりも良好である。また、
表３からわかるように、ｐ型ＺｎＴｅに対するオーミッ
ク電極材料としては、接触抵抗はＰｔがＴｉよりも優れ
ているが、密着性はＴｉの方がＰｔよりも良好である。
−VI族化合物半導体であるｐ型ＺｎＳｅ（キャリア濃度
５×１０17ｃｍ-3程度）およびｐ型ＺｎＴｅ（キャリア
濃度５×１０18ｃｍ-3程度）に対するオーミック電極材
料の接触抵抗および密着性を示したものである。表２か
らわかるように、ｐ型ＺｎＳｅに対するオーミック電極
材料としては、接触抵抗はＡｕがＴｉよりも優れている
が、密着性はＴｉの方がＡｕよりも良好である。また、
表３からわかるように、ｐ型ＺｎＴｅに対するオーミッ
ク電極材料としては、接触抵抗はＰｔがＴｉよりも優れ
ているが、密着性はＴｉの方がＰｔよりも良好である。
【０００６】 表２ ────────────────────────────────── 電極材料 アロイ条件 接触抵抗 密着性 ────────────────────────────────── Ａｕ ノンアロイ やや良 悪 Ｔｉ ノンアロイ 悪 良 ──────────────────────────────────
【０００７】 表３ ────────────────────────────────── 電極材料 アロイ条件 接触抵抗 密着性 ────────────────────────────────── Ｐｔ ノンアロイ 良 悪 Ｔｉ ノンアロイ 悪 良 ──────────────────────────────────
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、半導体
に対する接触抵抗に優れたオーミック電極材料は密着性
が悪いという傾向があるが、このようにオーミック電極
材料の密着性が悪いと、このオーミック電極材料の膜を
真空蒸着法などにより形成した後のリフトオフ時やオー
ミック電極形成後のワイヤボンディング時などにこの膜
のはがれが生じ、信頼性上問題となる。このため、接触
抵抗ばかりでなく、密着性の点でも優れたオーミック電
極の実現が望まれていた。
に対する接触抵抗に優れたオーミック電極材料は密着性
が悪いという傾向があるが、このようにオーミック電極
材料の密着性が悪いと、このオーミック電極材料の膜を
真空蒸着法などにより形成した後のリフトオフ時やオー
ミック電極形成後のワイヤボンディング時などにこの膜
のはがれが生じ、信頼性上問題となる。このため、接触
抵抗ばかりでなく、密着性の点でも優れたオーミック電
極の実現が望まれていた。
【０００９】従って、この発明の目的は、ｐ型化合物半
導体に対する接触抵抗と密着性との両方に優れたオーミ
ック電極およびそのようなオーミック電極を有する半導
体発光素子を提供することにある。
導体に対する接触抵抗と密着性との両方に優れたオーミ
ック電極およびそのようなオーミック電極を有する半導
体発光素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明によるオーミック電極は、それぞれｐ型化
合物半導体（１）に接触する第１の材料から成る第１の
電極部（２ａ）と第２の材料から成る第２の電極部（２
ｂ）とを有し、第１の電極部（２ａ）のｐ型化合物半導
体（１）に対する接触部はＰｄから成り、第２の電極部
（２ｂ）のｐ型化合物半導体（１）に対する接触部はＴ
ｉから成ることを特徴とする。
に、この発明によるオーミック電極は、それぞれｐ型化
合物半導体（１）に接触する第１の材料から成る第１の
電極部（２ａ）と第２の材料から成る第２の電極部（２
ｂ）とを有し、第１の電極部（２ａ）のｐ型化合物半導
体（１）に対する接触部はＰｄから成り、第２の電極部
（２ｂ）のｐ型化合物半導体（１）に対する接触部はＴ
ｉから成ることを特徴とする。
【００１１】この発明による半導体発光素子は、それぞ
れｐ型化合物半導体（１）に接触する第１の材料から成
る第１の電極部（２ａ）と第２の材料から成る第２の電
極部（２ｂ）とを有し、第１の電極部（２ａ）のｐ型化
合物半導体（１）に対する接触部はＰｄから成り、第２
の電極部（２ｂ）のｐ型化合物半導体（１）に対する接
触部はＴｉから成るオーミック電極を有することを特徴
とする。
れｐ型化合物半導体（１）に接触する第１の材料から成
る第１の電極部（２ａ）と第２の材料から成る第２の電
極部（２ｂ）とを有し、第１の電極部（２ａ）のｐ型化
合物半導体（１）に対する接触部はＰｄから成り、第２
の電極部（２ｂ）のｐ型化合物半導体（１）に対する接
触部はＴｉから成るオーミック電極を有することを特徴
とする。
【００１２】この発明において、ｐ型化合物半導体
（１）は、具体的には、ｐ型II−VI族化合物半導体やｐ
型 III−Ｖ族化合物半導体などである。
（１）は、具体的には、ｐ型II−VI族化合物半導体やｐ
型 III−Ｖ族化合物半導体などである。
【００１３】
【作用】この発明によれば、第１の電極部（２ａ）のｐ
型化合物半導体（１）に対する接触部はｐ型化合物半導
体（１）に対する接触抵抗が低いＰｄから成り、第２の
電極部（２ｂ）のｐ型化合物半導体（１）に対する接触
部はｐ型化合物半導体（１）に対する密着性が良好なＴ
ｉから成ることにより、全体として接触抵抗が低く、し
かも密着性が良好なオーミック電極（２）を実現するこ
とができる。
型化合物半導体（１）に対する接触部はｐ型化合物半導
体（１）に対する接触抵抗が低いＰｄから成り、第２の
電極部（２ｂ）のｐ型化合物半導体（１）に対する接触
部はｐ型化合物半導体（１）に対する密着性が良好なＴ
ｉから成ることにより、全体として接触抵抗が低く、し
かも密着性が良好なオーミック電極（２）を実現するこ
とができる。
【００１４】なお、半導体に対する「密着性」は、半導
体上に形成されたオーミック電極材料の膜のはがれにく
さに対応するものである。必要な密着性の度合いは使用
するプロセスによって異なりうる。例えば、リフトオフ
法によりオーミック電極を形成する場合には、半導体上
に形成されたオーミック電極材料の膜がリフトオフ時に
はがれてしまわない程度の密着性が必要である。一方、
オーミック電極材料の膜上にワイヤボンディングを行う
場合には、このワイヤボンディング時にオーミック電極
材料の膜がはがれてしまわない程度の密着性が必要であ
る。
体上に形成されたオーミック電極材料の膜のはがれにく
さに対応するものである。必要な密着性の度合いは使用
するプロセスによって異なりうる。例えば、リフトオフ
法によりオーミック電極を形成する場合には、半導体上
に形成されたオーミック電極材料の膜がリフトオフ時に
はがれてしまわない程度の密着性が必要である。一方、
オーミック電極材料の膜上にワイヤボンディングを行う
場合には、このワイヤボンディング時にオーミック電極
材料の膜がはがれてしまわない程度の密着性が必要であ
る。
【００１５】この発明によれば、ｐ型化合物半導体
（１）のうちのオーミック電極（２）の接触抵抗を低く
することが重要な部分に第１の電極部（２ａ）が接触す
ることにより、良好なオーミック特性を得ることができ
る。
（１）のうちのオーミック電極（２）の接触抵抗を低く
することが重要な部分に第１の電極部（２ａ）が接触す
ることにより、良好なオーミック特性を得ることができ
る。
【００１６】この発明によれば、オーミック電極材料の
膜のはがれが問題となっているｐ型II−VI族化合物半導
体またはｐ型 III−Ｖ族化合物半導体に対する好適なオ
ーミック電極（２）を実現することができる。
膜のはがれが問題となっているｐ型II−VI族化合物半導
体またはｐ型 III−Ｖ族化合物半導体に対する好適なオ
ーミック電極（２）を実現することができる。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。
しながら説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。
【００１８】図１はこの発明の一実施例を示す。
【００１９】図１に示すように、この実施例において
は、半導体１上に、それぞれこの半導体１に接触してい
る第１の電極部２ａと第２の電極部２ｂとから成るオー
ミック電極２が形成されている。この場合、第１の電極
部２ａのうちの半導体１に接触している部分以外の部分
は第２の電極部２ｂにまたがっている。ここで、第１の
電極部２ａは少なくとも第２の電極部２ｂよりも半導体
１に対する接触抵抗が低いオーミック電極材料、好適に
は接触抵抗の点で最適なオーミック電極材料により形成
され、第２の電極部２ｂは少なくとも第１の電極部２ａ
よりも半導体１に対する密着性が良好なオーミック電極
材料、好適には密着性の点で最適なオーミック電極材料
により形成されている。また、第１の電極部２ａが接触
している部分の半導体１はオーミック電極２の接触抵抗
が重要な部分であり、例えば半導体レーザーにおいては
発光部の直上の領域である。
は、半導体１上に、それぞれこの半導体１に接触してい
る第１の電極部２ａと第２の電極部２ｂとから成るオー
ミック電極２が形成されている。この場合、第１の電極
部２ａのうちの半導体１に接触している部分以外の部分
は第２の電極部２ｂにまたがっている。ここで、第１の
電極部２ａは少なくとも第２の電極部２ｂよりも半導体
１に対する接触抵抗が低いオーミック電極材料、好適に
は接触抵抗の点で最適なオーミック電極材料により形成
され、第２の電極部２ｂは少なくとも第１の電極部２ａ
よりも半導体１に対する密着性が良好なオーミック電極
材料、好適には密着性の点で最適なオーミック電極材料
により形成されている。また、第１の電極部２ａが接触
している部分の半導体１はオーミック電極２の接触抵抗
が重要な部分であり、例えば半導体レーザーにおいては
発光部の直上の領域である。
【００２０】この実施例において、半導体１に対する接
触抵抗が低い材料から成る第１の電極部２ａの幅ｗ
0 （面積）は、オーミック電極２の半導体１に対する密
着性に問題を生じない範囲で可能な限り広く選ぶのが好
ましい。この幅ｗ0 は、例えば内部ストライプ構造の半
導体レーザーにおいては、そのストライプ幅の数倍以上
であれば、実質的に問題を生じない。
触抵抗が低い材料から成る第１の電極部２ａの幅ｗ
0 （面積）は、オーミック電極２の半導体１に対する密
着性に問題を生じない範囲で可能な限り広く選ぶのが好
ましい。この幅ｗ0 は、例えば内部ストライプ構造の半
導体レーザーにおいては、そのストライプ幅の数倍以上
であれば、実質的に問題を生じない。
【００２１】いくつかの種類の半導体１に対して、第１
の電極部２ａの材料Ａと第２の電極部２ｂの材料Ｂとの
組み合わせの具体例を挙げると、以下の通りである。
の電極部２ａの材料Ａと第２の電極部２ｂの材料Ｂとの
組み合わせの具体例を挙げると、以下の通りである。
【００２２】 （１）半導体１がｐ型ＺｎＳｅまたはｐ型ＺｎＴｅであ
る場合 Ａ：Ａｕ、Ｐｔ−Ａｕ、Ｐｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ｐｔ−Ａｕ Ｂ：Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ これらの材料の接触抵抗および密着性を表４にまとめて
示す。
る場合 Ａ：Ａｕ、Ｐｔ−Ａｕ、Ｐｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ｐｔ−Ａｕ Ｂ：Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ これらの材料の接触抵抗および密着性を表４にまとめて
示す。
【００２３】 表４ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− （＊） 電極材料 アロイ条件 接触抵抗（Ωｃｍ2 ） 密着性 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ ノンアロイ ＞１０-3（悪） 特に良 Ａｕ ノンアロイまたは １０-4台（やや良） やや良 ２００℃、３分 Ｐｔ−Ａｕ ノンアロイまたは １０-3〜１０-4台 悪 ２００℃、３分 （悪〜やや良） Ｐｄ−Ａｕ ２００℃、３分 １０-6台（良） 良 Ｐｄ−Ｐｔ−Ａｕ ２００℃、３分 １０-6台（良） 良 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− （＊）ｐ型ＺｎＴｅ（アクセプタ濃度３×１０19ｃｍ-3）のときの値
【００２４】 （２）半導体１がｐ型ＧａＡｓまたはｐ型ＡｌＧａＡｓ
である場合 Ａ：ＡｕＺｎ（４００℃、２分アロイ） Ｂ：Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ（ノンアロイ）
である場合 Ａ：ＡｕＺｎ（４００℃、２分アロイ） Ｂ：Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ（ノンアロイ）
【００２５】次に、この実施例によるオーミック電極２
の形成方法について説明する。
の形成方法について説明する。
【００２６】まず、図２Ａに示すように、半導体１上
に、この半導体１に対する第１の電極部２ａの接触部に
対応する形状のレジストパターン３をリソグラフィーに
より形成する。
に、この半導体１に対する第１の電極部２ａの接触部に
対応する形状のレジストパターン３をリソグラフィーに
より形成する。
【００２７】次に、図２Ｂに示すように、例えば真空蒸
着法により第２の電極部２ｂ形成用のオーミック電極材
料の膜４を全面に形成する。
着法により第２の電極部２ｂ形成用のオーミック電極材
料の膜４を全面に形成する。
【００２８】次に、リフトオフ法により、レジストパタ
ーン３をその上に形成された膜４とともに除去する。こ
れによって、図２Ｃに示すように、半導体１上に直接形
成された膜４のみが残される。
ーン３をその上に形成された膜４とともに除去する。こ
れによって、図２Ｃに示すように、半導体１上に直接形
成された膜４のみが残される。
【００２９】次に、図２Ｄに示すように、例えば真空蒸
着法により第１の電極部２ａ形成用のオーミック電極材
料の膜５を全面に形成する。必要ならば、この後に膜５
および／または膜６のパターニングを行ったり、アロイ
を行ったりする。
着法により第１の電極部２ａ形成用のオーミック電極材
料の膜５を全面に形成する。必要ならば、この後に膜５
および／または膜６のパターニングを行ったり、アロイ
を行ったりする。
【００３０】以上により、図１に示すような第１の電極
部２ａと第２の電極部２ｂとから成るオーミック電極２
が形成される。
部２ａと第２の電極部２ｂとから成るオーミック電極２
が形成される。
【００３１】以上のように、この実施例によれば、半導
体１に対する接触抵抗が低いオーミック電極材料から成
る第１の電極部２ａと半導体１に対する密着性が良好な
オーミック電極材料から成る第２の電極部２ｂとにより
オーミック電極２が形成されているので、全体として接
触抵抗と密着性との両方に優れたオーミック電極２を得
ることができる。そして、このようなオーミック電極２
を用いた素子においては、接触抵抗が低いことにより優
れた電気的特性（静特性）を得ることができるととも
に、密着性が良好であることにより高い信頼性を得るこ
とができる。
体１に対する接触抵抗が低いオーミック電極材料から成
る第１の電極部２ａと半導体１に対する密着性が良好な
オーミック電極材料から成る第２の電極部２ｂとにより
オーミック電極２が形成されているので、全体として接
触抵抗と密着性との両方に優れたオーミック電極２を得
ることができる。そして、このようなオーミック電極２
を用いた素子においては、接触抵抗が低いことにより優
れた電気的特性（静特性）を得ることができるととも
に、密着性が良好であることにより高い信頼性を得るこ
とができる。
【００３２】上述のように接触抵抗と密着性との両方に
優れたこの実施例によるオーミック電極２は、 III−Ｖ
族化合物半導体やII−VI族化合物半導体に対するオーミ
ック電極として用いて好適なものである。特に、この実
施例によるオーミック電極２は、青色発光または緑色発
光が可能な半導体レーザーの材料として最近注目されて
いるｐ型ＺｎＴｅ、ｐ型ＺｎＳｅ、さらにはｐ型ＺｎＭ
ｇＳＳｅのようなｐ型のII−VI族化合物半導体またはそ
の混晶に対するオーミック電極として用いて好適なもの
である。
優れたこの実施例によるオーミック電極２は、 III−Ｖ
族化合物半導体やII−VI族化合物半導体に対するオーミ
ック電極として用いて好適なものである。特に、この実
施例によるオーミック電極２は、青色発光または緑色発
光が可能な半導体レーザーの材料として最近注目されて
いるｐ型ＺｎＴｅ、ｐ型ＺｎＳｅ、さらにはｐ型ＺｎＭ
ｇＳＳｅのようなｐ型のII−VI族化合物半導体またはそ
の混晶に対するオーミック電極として用いて好適なもの
である。
【００３３】図３はこの発明の他の実施例を示す。
【００３４】図３に示すように、この実施例において
は、接触抵抗が低いオーミック電極材料から成る第１の
電極部２ａは半導体１のうちの接触抵抗が重要な部分の
上にのみ形成され、この第１の電極部２ａを覆うよう
に、半導体１に対する密着性の良好なオーミック電極材
料から成る第２の電極部２ｂが形成されている。
は、接触抵抗が低いオーミック電極材料から成る第１の
電極部２ａは半導体１のうちの接触抵抗が重要な部分の
上にのみ形成され、この第１の電極部２ａを覆うよう
に、半導体１に対する密着性の良好なオーミック電極材
料から成る第２の電極部２ｂが形成されている。
【００３５】以上のように構成されたこの実施例によっ
ても、上述の一実施例と同様に、接触抵抗と密着性との
両方に優れたオーミック電極２を実現することができ
る。
ても、上述の一実施例と同様に、接触抵抗と密着性との
両方に優れたオーミック電極２を実現することができ
る。
【００３６】以上、この発明の実施例につき具体的に説
明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるもの
ではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が
可能である。
明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるもの
ではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が
可能である。
【００３７】例えば、上述の一実施例の図１または上述
の他の実施例の図３における第２の電極部２ｂの半導体
１に対する接触部の接触抵抗を低くすることが重要な場
合には、図１または図３における第２の電極部２ｂを接
触抵抗が低いオーミック電極材料により形成された第１
の電極部２ａとし、図１または図３における第１の電極
部２ａを密着性が良好なオーミック電極材料により形成
された第２の電極部２ｂとすればよい。その一例を図４
に示す。
の他の実施例の図３における第２の電極部２ｂの半導体
１に対する接触部の接触抵抗を低くすることが重要な場
合には、図１または図３における第２の電極部２ｂを接
触抵抗が低いオーミック電極材料により形成された第１
の電極部２ａとし、図１または図３における第１の電極
部２ａを密着性が良好なオーミック電極材料により形成
された第２の電極部２ｂとすればよい。その一例を図４
に示す。
【００３８】また、上述の一実施例において説明したオ
ーミック電極２の形成方法は一例に過ぎず、他の方法に
よりこのオーミック電極２を形成してもよい。
ーミック電極２の形成方法は一例に過ぎず、他の方法に
よりこのオーミック電極２を形成してもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
ｐ型化合物半導体に対する接触抵抗と密着性との両方に
優れたオーミック電極を実現することができ、このオー
ミック電極を用いて特性の良好な半導体発光素子を実現
することができる。
ｐ型化合物半導体に対する接触抵抗と密着性との両方に
優れたオーミック電極を実現することができ、このオー
ミック電極を用いて特性の良好な半導体発光素子を実現
することができる。
【図１】この発明の一実施例によるオーミック電極を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】この発明の一実施例によるオーミック電極の形
成方法を説明するための断面図である。
成方法を説明するための断面図である。
【図３】この発明の他の実施例によるオーミック電極を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】この発明のさらに他の実施例によるオーミック
電極を示す断面図である。
電極を示す断面図である。
１ 半導体 ２ オーミック電極 ２ａ 第１の電極部 ２ｂ 第２の電極部 ３ レジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/43 H01L 33/00 H01S 5/042 610
Claims (11)
- 【請求項１】 それぞれｐ型化合物半導体に接触する第
１の材料から成る第１の電極部と第２の材料から成る第
２の電極部とを有し、上記第１の電極部の上記ｐ型化合物半導体に対する接触
部はＰｄから成り、上記第２の電極部の上記ｐ型化合物
半導体に対する接触部はＴｉから成る ことを特徴とする
オーミック電極。 - 【請求項２】 上記第１の材料はＰｄ膜とその上のＡｕ
膜とを含むことを特徴とする請求項１記載のオーミック
電極。 - 【請求項３】 上記第２の材料はＴｉ膜とその上のＡｕ
膜とを含むことを特徴とする請求項１記載のオーミック
電極。 - 【請求項４】 上記ｐ型化合物半導体はｐ型II−VI族化
合物半導体であることを特徴とする請求項１記載のオー
ミック電極。 - 【請求項５】 上記ｐ型化合物半導体はｐ型 III−Ｖ族
化合物半導体であることを特徴とする請求項１記載のオ
ーミック電極。 - 【請求項６】 それぞれｐ型化合物半導体に接触する第
１の材料から成る第１の電極部と第２の材料から成る第
２の電極部とを有し、上記第１の電極部の上記ｐ型化合
物半導体に対する接触部はＰｄから成り、上記第２の電
極部の上記ｐ型化合物半導体に対する接触部はＴｉから
成るオーミック電極を有することを特徴とする半導体発
光素子。 - 【請求項７】 上記第１の材料はＰｄ膜とその上のＡｕ
膜とを含むことを特徴とする請求項６記載の半導体発光
素子。 - 【請求項８】 上記第２の材料はＴｉ膜とその上のＡｕ
膜とを含むことを特徴とする請求項６記載の半導体発光
素子。 - 【請求項９】 上記ｐ型化合物半導体はｐ型II−VI族化
合物半導体であることを特徴とする請求項６記載の半導
体発光素子。 - 【請求項１０】 上記ｐ型化合物半導体はｐ型 III−Ｖ
族化合物半導体であることを特徴とする請求項６記載の
半導体発光素子。 - 【請求項１１】 上記半導体発光素子は青色発光の半導
体レーザであることを特徴とする請求項６記載の半導体
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198393A JP3297761B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | オーミック電極および半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198393A JP3297761B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | オーミック電極および半導体発光素子 |
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Family Applications (1)
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