JP3289680B2 - 電源装置の突入電流防止回路 - Google Patents

電源装置の突入電流防止回路

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JP3289680B2
JP3289680B2 JP17410998A JP17410998A JP3289680B2 JP 3289680 B2 JP3289680 B2 JP 3289680B2 JP 17410998 A JP17410998 A JP 17410998A JP 17410998 A JP17410998 A JP 17410998A JP 3289680 B2 JP3289680 B2 JP 3289680B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、直流電源から供給
される電圧を異なる電圧に変換して出力する電源装置に
関し、特に電源装置における突入電流を防止する回路に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】スイッチング電源回路などの電源装置で
は、装置起動時に大電流、すなわち突入電流が流れ、そ
のままでは電源装置に供給される元の電源電圧が大きく
降下して周辺回路の誤動作を招いたり、あるいは消費電
流が増大してしまうため、従来より突入電流を防止すべ
く工夫が成されている。図5はこのような突入電流の防
止を図った従来のスイッチング電源回路の一例を示す回
路図である。図5に示したスイッチング電源回路31
は、チョークコイル13の出力側の端子とグランドとの
間にスイッチング用MOS(金属酸化膜半導体)型FE
T(電解効果トランジスタ)14を接続し、FET14
をオン、オフすることで入力電源1の電圧を昇圧するも
のである。FET14がオンのとき、チョークコイル1
3に電流が流れてエネルギーが蓄えられ、次にFET1
4がオフすると、蓄えられたエネルギーは電流としてダ
イオード15を通じて放出され、出力端子7を介して負
荷抵抗8に供給される。また、負荷抵抗8の両端の電
圧、すなわち負荷電圧はコンデンサ18により平滑化さ
れる。
【0003】負荷電圧は抵抗16と抵抗17とにより分
圧してコンパレータ20に供給され、コンパレータ20
は、この電圧を基準電源19の電圧と比較し、比較結果
を表す検出信号をAND回路21に出力する。AND回
路21は、コンパレータ20からの検出信号と、クロッ
ク発生器26が発生したクロック信号との論理積をとっ
てFET14のゲートに出力し、これにより、FET1
4は負荷電圧の大きさにもとづいてオン/オフ制御さ
れ、その結果、負荷電圧は常に一定に保たれる。なお、
クロック発生器26は2つのインバータ24、25と、
抵抗22およびコンデンサ23から成る充電回路とを含
む周知の発振回路により構成されている。
【0004】そして、このスイッチング電源回路31で
は、突入電流を抑えるため、チョークコイル13と直列
に、数Ω程度の抵抗28が挿入されている。したがっ
て、スイッチング電源回路31を起動した際に突入電流
が流れても、抵抗28により抑えられて入力電源1の電
圧低下などをある程度防止できる。
【0005】なお、入力スイッチング用MOS型FET
4、入力スイッチ用MOS型FET11、ならびに抵抗
12は、スイッチング電源回路31をオン、オフするた
めのものである。すなわち、コントロール端子3をグラ
ンド電位にすると、FET11は非導通状態となり、そ
の結果、FET4のゲート−ソース間の電圧は零となる
ためFET4は非導通状態となり、入力電源1からの電
圧が遮断されて回路は動作を停止する。逆に、コントロ
ール端子3をハイレベルにすると、FET11はオン
し、回路は動作状態となる。
【0006】ところで、このように抵抗28を挿入した
場合、突入電流の大きさは抵抗28の値をR、入力電源
1の電圧をVinとするとVin/Rであるから、突入
電流を小さくするためには、抵抗28はできるだけ大き
い値にすることが望ましい。しかし、抵抗8の値を大き
くすると、抵抗28における消費電力が大きくなるの
で、スイッチング電源回路31の効率が低下するという
別の問題が発生してしまう。したがってこの方式による
突入電流防止効果には限界がある。
【0007】突入電流を抑制する他の方法として、図6
の波形図に示したように、クロック発生器26が発生す
るクロック信号のデューティ比を回路起動時(図6の
(A))には、定常時(図6の(B))より小さくし、
その後、徐々に定常時の値に移行させるという方法が考
えられる。この方法でも、回路起動時にはFET14の
ゲートに供給されるクロック信号のデューティ比が小さ
いため、FET14のオン時間が短く、したがって突入
電流が抑制される。しかし、クロック発生器26にデュ
ーティ比を変化させるための回路や、装置が起動された
か否かを判定する回路を追加しなければならず、回路構
成が複雑になるという欠点がある。
【0008】また、スイッチング電源回路において、コ
ンデンサを用いた時定数回路により、スイッチング用の
トランジスタ(FET14に相当)のゲート電位を制御
して突入電流を抑制する方法も知られているが、スイッ
チング用トランジスタが完全にオンしないことによる効
率の低下といった問題がある。この問題の解決を図った
突入電流防止回路が特開平3−26282号公報に開示
されているが、電源回路が補助電源を備えている場合に
限定されるという欠点がある。
【0009】そこで本発明の目的は、簡素な構成で、効
率の低下を招くことなく突入電流を抑制できる電源装置
の突入電流防止回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、直流電源から供給される電圧を異なる電圧に
変換するコンバータ回路を含む電源装置において突入電
流を防止する回路であって、第1および第2の端子と制
御端子とを含み、前記直流電源の出力端子と前記コンバ
ータ回路の入力端子とに前記第1および第2の端子がそ
れぞれ接続され、前記制御端子に印加される電圧により
前記第1および第2の端子間が導通状態および非導通状
態になる入力スイッチング素子と、前記入力スイッチン
グ素子の前記第1の端子と前記制御端子との間に接続さ
れたコンデンサと、前記入力スイッチング素子の前記制
御端子に一端が接続された第1の抵抗と、前記入力スイ
ッチング素子の前記第1の端子に一端が接続された第2
の抵抗と、第1および第2の端子と制御端子とを含み、
前記第1の端子は基準電位点に接続され、前記第2の端
子は前記第1および第2の抵抗の他端に接続され、前記
制御端子に印加される電圧により前記第1および第2の
端子間が導通状態または非導通状態となるコントロール
スイッチング素子とを含み、前記コントロールスイッチ
ング素子の制御端子に印加される電圧は、前記コントロ
ールスイッチング素子の第1および第2の端子間を導通
状態にさせる第1の電圧と、前記コントロールスイッチ
ング素子の第1および第2の端子間を非導通状態にさせ
る第2の電圧とであり、前記直流電源の出力端子から前
記コンバータ回路の入力端子への電圧の印加が行なわれ
ると共に、前記コントロールスイッチング素子の制御端
子に前記第1の電圧が印加され、前記直流電源の出力端
子から前記コンバータ回路の入力端子への電圧の印加が
解除されると共に、前記コントロールスイッチング素子
の制御端子に前記第2の電圧が印加されることを特徴と
する。
【0011】本発明の電源装置の突入電流防止回路で
は、例えば入力スイッチング素子としてP型のMOS型
FETを用い、そのソースを第1の端子、ドレインを第
2の端子、ゲートを制御端子とすることができる。その
場合、コントロールスイッチング素子が非導通状態のと
きは、入力スイッチング素子の制御端子は第1および第
2の抵抗を通じて第1の端子に接続され、制御端子は第
1の端子と同電位であるため、入力スイッチング素子は
非導通状態となっている。この状態で、電源装置を起動
するため、直流電源をオンにすると共にコントロールス
イッチング素子の制御端子に所定の制御電圧を入力して
コントロールスイッチング素子を導通状態にすると、コ
ンデンサと第1の抵抗との直列回路を通じて電流が流
れ、コンデンサはしだいに充電される。そのため入力ス
イッチング素子の制御端子の電位は、コンデンサの充電
と共にしだいに低下し、制御端子の電位が一定電位以下
となったところで入力スイッチング素子は導通状態とな
る。すなわち、電源装置起動後、コンデンサおよび第1
の抵抗の時定数で決まる一定時間が経過するまでは入力
スイッチング素子は非導通状態を維持するので、突入電
流を効果的に防止できる。
【0012】また、本発明は、直流電源から供給される
電圧を異なる電圧に変換するコンバータ回路を含む電源
装置において突入電流を防止する回路であって、第1お
よび第2の端子と制御端子とを含み、前記直流電源の出
力端子および前記コンバータ回路の入力端子に前記第1
および第2の端子がそれぞれ接続され、前記制御端子に
印加される電圧により前記第1および第2の端子間が導
通状態または非導通状態となる入力スイッチング素子
と、前記入力スイッチング素子の前記第1の端子と前記
制御端子との間に接続されたコンデンサと、前記入力ス
イッチング素子の前記制御端子に一端が接続された抵抗
と、第1および第2の端子と制御端子とを含み、前記コ
ンデンサの両端に前記第1および第2の端子がそれぞれ
接続され、前記制御端子に印加される電圧により前記第
1および第2の端子間が導通状態または非導通状態とな
る放電スイッチング素子と、第1および第2の端子と制
御端子とを含み、前記第1の端子は基準電位点に接続さ
れ、前記第2の端子は第1の抵抗の他端に接続され、前
記制御端子に印加される電圧により前記第1および第2
の端子間が導通状態または非導通状態となるコントロー
ルスイッチング素子とを含み、前記コントロールスイッ
チング素子の制御端子に印加される電圧は、前記コント
ロールスイッチング素子の第1および第2の端子間を導
通状態にさせる第1の電圧と、前記コントロールスイッ
チング素子の第1および第2の端子間を非導通状態にさ
せる第2の電圧とであり、前記直流電源の出力端子から
前記コンバータ回路の入力端子への電圧の印加が行なわ
れると共に、前記コントロールスイッチング素子の制御
端子に前記第1の電圧が印加され、前記直流電源の出力
端子から前記コンバータ回路の入力端子への電圧の印加
が解除されると共に、前記コントロールスイッチング素
子の制御端子に前記第2の電圧が印加されることを特徴
とする。したがって本発明では、電源装置の動作を停止
させる際に放電スイッチング素子の制御端子に所定の制
御電圧を印加して放電スイッチング素子を導通状態にす
ると、放電スイッチング素子を通じて、コンデンサに蓄
積した電荷が速やかに放電される。そのため、なんらか
の理由により電源装置の動作を停止させた後、すぐに再
び起動した場合でもコンデンサは完全に放電されている
ので、突入電流防止回路は正しくその機能を果たす。
【0013】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態例につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明による突入電
流防止回路の一例を備えたスイッチング電源回路を示す
回路図、図2は図1のスイッチング電源回路の概要を示
す構成図である。なお、図1において、図5と同一の要
素には同一の符号が付されており、それらに関する詳し
い説明はここでは省略する。
【0014】まず、図2を参照して概要を説明する。図
2に示したように、本実施の形態例のスイッチング電源
回路32は、コンバータ回路6、入力スイッチング素子
としてのP型のMOS型FET4、ならびにFET4の
制御回路5により構成され、DC−DCコンバータとし
て機能するものである。そして、FET4および制御回
路5により本発明の実施の形態例の突入電流防止回路3
3が構成されている。スイッチング電源回路32を起動
した直後は、コンバータ回路6におけるスイッチング動
作が安定せず急激に入力電流が増大する。この起動時の
入力電流、すなわち突入電流を防止するために、FET
4のゲート−ソース間電圧Vgsを制御回路5によって
制御する。
【0015】具体的には、スイッチング電源回路32の
起動時には制御回路5によってゲート−ソース間電圧V
gsを小さい値に設定する。その結果、FET4のドレ
イン電流とゲート−ソース間電圧Vgsの電気的特性か
らFET4のオン抵抗が大きくなり、起動時の入力電流
は制限され、突入電流が防止される。その後、ある程度
時間が経過してスイッチング電源回路32の動作が安定
したところで、制御回路5によりゲート−ソース間電圧
Vgsを大きい値に設定し、FET4を完全に導通状態
にする。
【0016】次に、図1を参照してさらに詳しく説明す
る。上述のように突入電流防止回路33は、FET4と
制御回路5とにより構成され、制御回路5は、図1に示
したように、コンデンサ9、抵抗10、抵抗12、なら
びにN型のMOS型FET11により構成されている。
そして、コンデンサ9はFETのソース(第1の端子)
とゲート(制御端子)との間に接続され、抵抗10(第
1の抵抗)の一端はFET4のゲートに、抵抗12(第
2の抵抗)の一端はFET4のソースにそれぞれ接続さ
れている。また、抵抗10、12の他端は共に放電スイ
ッチング素子としてのFET11のドレイン(第2の端
子)に接続され、FET11のソース(第1の端子)は
グランド(基準電位点)に接続されている。FET11
のゲートはコントロール端子3に接続されている。一
方、FET4のソースは入力端子2に接続され、FET
4のドレイン(第2の端子)は、コンバータ回路6の入
力端子6Aに接続されている。そして入力端子2には入
力電源1より直流電圧が印加されている。
【0017】コンバータ回路6は、非絶縁型の昇圧型D
C−DCコンバータを構成しており、図5に示したスイ
ッチング電源回路31から、入力部のFET4、抵抗1
2、FET11、ならびに抵抗28を除いた構成となっ
ている。それ以外の点では図5のスイッチング電源回路
32と同じ構成であり、図5のスイッチング電源回路3
1についてはすでに説明したので、コンバータ回路6に
関する説明はここでは省略する。
【0018】次に、このように構成されたスイッチング
電源回路32の動作について説明する。図3はスイッチ
ング電源回路32の動作を示すタイミングチャートであ
り、以下ではこの図面も適宜参照する。スイッチング電
源回路32を起動する前の状態では、入力電源1はオフ
され、またコントロール端子3にはローレベルの電圧が
印加されてFET11は非導通となっている。この状態
で、スイッチング電源回路32を起動するため、入力電
源1をオンにすると共にコントロール端子3にハイレベ
ルの電圧を印加すると、FET11はオンして導通状態
となり、後に詳しく説明するように一定時間経過後、F
ET4もオンして導通状態となり、コンバータ回路6に
入力電源1からの直流電圧が印加され、動作電流が流れ
ることになる。
【0019】ところで、スイッチング電源回路32の動
作電流はチョークコイル13に流れる電流と同じである
から、電源起動時にチョークコイル13に流れる電流が
スイッチング電源回路32の突入電流となる。そして、
チョークコイル13に流れる電流ILpは、入力電源1
の電圧をVin、コンバータ回路6を構成するFET1
4のオン時間をTon、チョークコイル13のインダク
タ値をLとすると、ILp=Vin・Ton/Lとな
り、オン時間Tonが大きいほどチョークコイル13に
流れる電流ILp、したがって突入電流は大きくなる。
【0020】FET14のオン時間はクロック発生器2
6が出力するクロック信号と負荷電圧検出用のコンパレ
ータ20の出力信号とにより決まるが、電源起動時は負
荷抵抗8に電流が供給されていないためクロック発生器
26が出力するクロック信号のみで決まり、したがって
FET14のオン時間はクロック発生器26からのクロ
ック信号のハイレベル継続時間に等しい。
【0021】クロック発生器26はその回路構成上、入
力電源1の電圧によって発振周波数が変化し、クロック
信号のハイレベル継続時間が変化する。図3に示したよ
うに、電源起動直後の一定期間Tでは、クロック発生器
26に供給される入力電源電圧は上昇はするものの値が
低いためにクロック発生器26の発振周波数は低く、し
たがってクロック信号のハイレベル継続時間Tonが長
くなる。その結果、鋸歯状のチョークコイル電流は最大
値ILpが大きくなり、この期間では大きな突入電流が
流れることになる。
【0022】スイッチング電源回路32ではこのような
突入電流が、FET4のオン、オフを制御することによ
り防止される。上述のように、入力電源1をオンすると
共にコントロール端子3にハイレベルの電圧を印加して
スイッチング電源回路32を起動すると、まず、FET
11がオンして導通状態となり、抵抗10のFET11
側の端子はグランドに接続される。その結果、コンデン
サ9と抵抗10との直列回路を通じて電流が流れ、コン
デンサ9はしだいに充電される。そのためFET4のゲ
ートの電位はコンデンサ9の充電と共にしだいに低下
し、図3に示したように、ゲート−ソース間の電圧Vg
sの絶対値は時間の経過と共に除々に大きくなる。
【0023】そして、ゲート−ソース間の電圧Vgsの
絶対値が、FET4の特性により決まるスレッシュホー
ルド電圧Vtpを越えると、FET4はオンして導通状
態となる。すなわち、起動後、ゲート−ソース間の電圧
Vgsの絶対値がスレッシュホールド電圧Vtpを越え
るまでの期間ToffではFET4は非導通状態を維持
しており、したがってこの期間内でクロック信号のハイ
レベル継続時間が上述のように長くなっても、チョーク
コイル13に異常に大きい電流が流れることはなく、突
入電流が効果的に防止される。
【0024】なお、ゲート−ソース間電圧Vgsの上昇
速度はコンデンサ9の充電速度により決まり、コンデン
サ9の充電速度はコンデンサ9と抵抗10との時定数に
よって決まる。したがって、この時定数を調整すること
で、FET4が非導通状態の期間Toffの長さを適切
に設定でき、クロック回路26に常時の電源電圧が供給
されクロック信号のハイレベル継続時間が図3に示した
ように常時の短い時間Ton’となったところでFET
4がオンするようにできる。この状態でチョークコイル
13に流れる電流ILはIL=Vin・Ton’/Lと
なり、無論この値は問題のない大きさとなっている。
【0025】そして、本実施の形態例の突入電流防止回
路33はFET4、11、抵抗10、12、ならびにコ
ンデンサ9のみで構成でき、回路構成はきわめて簡素で
ある。また、動作状態ではFET4のゲートは抵抗10
を通じて接地されるので、ゲート−ソース間の電圧Vg
sは十分な大きさとなり、FETは確実にオンし、導通
状態を維持する。したがって、FETにおける電圧降下
は小さく、効率が低下することもない。さらに、起動
後、どの程度の期間、FET4をオフさせるかは、上述
のようにコンデンサ9と抵抗10の時定数を調整するこ
とで自在に設定できる。そして、スタンバイ状態の時に
は、コントロール端子にローレベルの電圧を印加すれば
よく、その結果、FET4はオフするため、スタンバイ
状態のとき負荷電圧を完全に零にできるという効果も得
られる。
【0026】なお、電源をオフにした場合は、コントロ
ール端子3に印加されるローレベルの電圧によりFET
11はオフとなり、したがって、コンデンサ9に蓄積さ
れた電荷は抵抗10、12を通じて放電され、もとの状
態にもどる。
【0027】次に、本発明の第2の実施の形態例につい
て説明する。図4は第2の実施の形態例を示す回路図で
ある。図中、図1と同一の要素には同一の符号が付され
ている。図4に示したスイッチング電源回路34が上記
スイッチング電源回路32と異なるのは、コンバータ回
路35が非絶縁型の降圧型DC−DCコンバータを構成
している点、および突入電流防止回路36を構成する制
御回路5Aにおいて上記抵抗12が、放電スイッチング
素子としてのP型のMOS型FET27により置き換え
られている点である。
【0028】コンバータ回路35の構成および動作は原
理的には上記コンバータ回路6と同じである。すなわ
ち、クロック発生器26が発生したクロック信号により
FET14がオン、オフしてチョークコイル13を流れ
る電流がスイッチングされる。一方、出力端子7の電圧
が抵抗16、17により分圧されてコンパレータ20に
入力され、この電圧が基準電源19の電圧より高いか低
いかによりクロック信号のFET14への供給がAND
回路21で制御されて、入力電源電圧より低い一定電圧
が得られるようになっている。
【0029】そして、起動時にはFET27はコントロ
ール端子3に供給されるハイレベルの電圧により非導通
状態となり、コンデンサ9の充電には無関係となるの
で、突入電流防止回路36は上記突入電流防止回路33
と同様に機能し、起動時の一定期間、FET4がオフし
て突入電流が防止される。すなわち、本発明はコンバー
タ回路6が降圧型のDC−DCコンバータを構成してい
る場合にも有効であり、上記実施の形態例と同様の効果
が得られる。
【0030】また、本実施の形態例では、FET27が
コンデンサ9の両端に接続されており、そのゲートはコ
ントロール端子3に接続されているので、電源をオフに
した場合はコントロール端子3に印加されるローレベル
の電圧によりFET27は導通状態となり、その結果、
コンデンサ9に蓄積された電荷はFET27を通じて速
やかに放電される。したがって、なんらかの理由により
電源をオフした後、すぐに再びオンした場合でもコンデ
ンサ9は完全に放電されているので、突入電流防止回路
36は正しくその機能を果たす。なお、図1に示した突
入電流防止回路33においても、抵抗12をFET27
に置き換えることで同様の効果を得ることが可能であ
る。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電源装置の
突入電流防止回路では、入力スイッチング素子としては
例えばP型のMOS型FETを用い、そのソースを第1
の端子、ドレインを第2の端子、ゲートを制御端子とす
ることができ、その場合、コントロールスイッチング素
子が非導通状態のときは、入力スイッチング素子の制御
端子は第1および第2の抵抗を通じて第1の端子に接続
され、制御端子は第1の端子と同電位であるため、入力
スイッチング素子は非導通状態となっている。この状態
で、電源装置を起動するため、直流電源をオンにすると
共にコントロールスイッチング素子の制御端子に所定の
制御電圧を入力してコントロールスイッチング素子を導
通状態にすると、コンデンサと第1の抵抗との直列回路
を通じて電流が流れ、コンデンサはしだいに充電され
る。そのため入力スイッチング素子の制御端子の電位
は、コンデンサの充電と共にしだいに低下し、制御端子
の電位が一定電位以下となったところで入力スイッチン
グ素子は導通状態となる。すなわち、電源装置起動後、
コンデンサおよび第1の抵抗の時定数で決まる一定時間
が経過するまでは入力スイッチング素子は非導通状態を
維持するので、突入電流を効果的に防止できる。
【0032】そして、本発明の突入電流防止回路は入力
スイッチング素子、コントロールスイッチング素子、抵
抗、ならびにコンデンサのみで構成でき、回路構成はき
わめて簡素である。また、通常の動作状態では、入力ス
イッチング素子の制御端子は抵抗を通じて基準電位に接
続されるので、必要な制御電圧が確実に供給され、入力
スイッチング素子は完全な導通状態を維持する。したが
って、入力スイッチング素子における電圧降下により効
率が低下するといった問題は発生しない。さらに、起動
後、どの程度の期間、入力スイッチング素子をオフさせ
るかは、コンデンサと抵抗の時定数を調整することで自
在に設定できる。そして、スタンバイ状態の時には、コ
ントロールスイッチング素子の制御端子に所定の電圧を
印加すればよく、その結果、入力スイッチング素子はオ
フするため、スタンバイ状態のとき負荷電圧を完全に零
にできるという効果が得られる。
【0033】また、他の本発明では、電源装置の動作を
停止させる際に放電スイッチング素子の制御端子に所定
の電圧を印加して放電スイッチング素子を導通状態にす
ると、放電スイッチング素子を通じてコンデンサに蓄積
した電荷が速やかに放電される。そのため、なんらかの
理由により電源装置の動作を停止させた後、すぐに再起
動した場合でもコンデンサは完全に放電されているの
で、突入電流防止回路は正しくその機能を果たす。すな
わち本発明により、上記発明と同様の効果が得られるこ
とに加えて、時間をおかずに再起動した場合でも突入電
流を確実に防止できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による突入電流防止回路の一例を備えた
スイッチング電源回路を示す回路図である。
【図2】図1のスイッチング電源回路の概要を示す構成
図である。
【図3】スイッチング電源回路の動作を示すタイミング
チャートである。
【図4】第2の実施の形態例を示す回路図である。
【図5】突入電流の防止を図った従来のスイッチング電
源回路の一例を示す回路図である。
【図6】従来のスイッチング電源回路におけるクロック
信号を示す波形図である。
【符号の説明】 1……入力電源、2……入力端子、3……コントロール
端子、4……FET、5……制御回路、6……コンバー
タ回路、7……出力端子、8……負荷抵抗、9……コン
デンサ、10……抵抗、11……FET、12……抵
抗、13……チョークコイル、14……FET、15…
…ダイオード、16……抵抗、17……抵抗、18……
コンデンサ、19……基準電源、20……コンパレー
タ、21……AND回路、26……クロック発生器、3
2……スイッチング電源回路、33……突入電流防止回
路、35……コンバータ回路、36……突入電流防止回
路。

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直流電源から供給される電圧を異なる電
    圧に変換するコンバータ回路を含む電源装置において突
    入電流を防止する回路であって、 第1および第2の端子と制御端子とを含み、前記直流電
    源の出力端子と前記コンバータ回路の入力端子とに前記
    第1および第2の端子がそれぞれ接続され、前記制御端
    子に印加される電圧により前記第1および第2の端子間
    が導通状態および非導通状態になる入力スイッチング素
    子と、 前記入力スイッチング素子の前記第1の端子と前記制御
    端子との間に接続されたコンデンサと、 前記入力スイッチング素子の前記制御端子に一端が接続
    された第1の抵抗と、前記入力スイッチング素子の前記
    第1の端子に一端が接続された第2の抵抗と、 第1および第2の端子と制御端子とを含み、前記第1の
    端子は基準電位点に接続され、前記第2の端子は前記第
    1および第2の抵抗の他端に接続され、前記制御端子に
    印加される電圧により前記第1および第2の端子間が導
    通状態または非導通状態となるコントロールスイッチン
    グ素子とを含み、 前記コントロールスイッチング素子の制御端子に印加さ
    れる電圧は、前記コントロールスイッチング素子の第1
    および第2の端子間を導通状態にさせる第1の電圧と、
    前記コントロールスイッチング素子の第1および第2の
    端子間を非導通状態にさせる第2の電圧とであり、 前記直流電源の出力端子から前記コンバータ回路の入力
    端子への電圧の印加が行なわれると共に、前記コントロ
    ールスイッチング素子の制御端子に前記第1の電圧が印
    加され、 前記直流電源の出力端子から前記コンバータ回路の入力
    端子への電圧の印加が解除されると共に、前記コントロ
    ールスイッチング素子の制御端子に前記第2の電圧が印
    加される、 ことを特徴とする電源装置の突入電流防止回路。
  2. 【請求項2】 直流電源から供給される電圧を異なる電
    圧に変換するコンバータ回路を含む電源装置において突
    入電流を防止する回路であって、 第1および第2の端子と制御端子とを含み、前記直流電
    源の出力端子および前記コンバータ回路の入力端子に前
    記第1および第2の端子がそれぞれ接続され、前記制御
    端子に印加される電圧により前記第1および第2の端子
    間が導通状態または非導通状態となる入力スイッチング
    素子と、 前記入力スイッチング素子の前記第1の端子と前記制御
    端子との間に接続されたコンデンサと、 前記入力スイッチング素子の前記制御端子に一端が接続
    された抵抗と、 第1および第2の端子と制御端子とを含み、前記コンデ
    ンサの両端に前記第1および第2の端子がそれぞれ接続
    され、前記制御端子に印加される電圧により前記第1お
    よび第2の端子間が導通状態または非導通状態となる放
    電スイッチング素子と、 第1および第2の端子と制御端子とを含み、前記第1の
    端子は基準電位点に接続され、前記第2の端子は第1の
    抵抗の他端に接続され、前記制御端子に印加される電圧
    により前記第1および第2の端子間が導通状態または非
    導通状態となるコントロールスイッチング素子とを含
    み、 前記コントロールスイッチング素子の制御端子に印加さ
    れる電圧は、前記コントロールスイッチング素子の第1
    および第2の端子間を導通状態にさせる第1の電圧と、
    前記コントロールスイッチング素子の第1および第2の
    端子間を非導通状態にさせる第2の電圧とであり、 前記直流電源の出力端子から前記コンバータ回路の入力
    端子への電圧の印加が行なわれると共に、前記コントロ
    ールスイッチング素子の制御端子に前記第1の電圧が印
    加され、 前記直流電源の出力端子から前記コンバータ回路の入力
    端子への電圧の印加が解除されると共に、前記コントロ
    ールスイッチング素子の制御端子に前記第2の電圧が印
    加される、 ことを特徴とする電源装置の突入電流防止回路。
  3. 【請求項3】 前記放電スイッチング素子および前記コ
    ントロールスイッチング素子の制御端子は相互に接続さ
    れていることを特徴とする請求項2記載の電源装置の突
    入電流防止回路。
  4. 【請求項4】 前記入力スイッチング素子はP型のMO
    S型FETであることを特徴とする請求項1または2に
    記載の電源装置の突入電流防止回路。
  5. 【請求項5】 前記コントロールスイッチング素子はN
    型のMOS型FETであることを特徴とする請求項4記
    載の電源装置の突入電流防止回路。
  6. 【請求項6】 前記入力スイッチング素子はP型のMO
    S型FETであり、前記コントロールスイッチング素子
    および前記放電スイッチング素子はN型のMOS型FE
    Tであることを特徴とする請求項2記載の電源装置の突
    入電流防止回路。
  7. 【請求項7】 前記コンバータ回路は昇圧型または降圧
    型のDC−DCコンバータを構成していることを特徴と
    する請求項1または2に記載の電源装置の突入電流防止
    回路。
  8. 【請求項8】 前記DC−DCコンバータは非絶縁型の
    DC−DCコンバータであることを特徴とする請求項7
    記載の電源装置の突入電流防止回路。
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