KR20000032793A - 러쉬 전류 감소 회로 - Google Patents

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Abstract

이 발명은 러쉬 전류 감소 회로에 관한 것으로, 입력 전원에 전기적으로 연결되는 제1 저항과, 상기 제1 저항의 타단을 통해 출력된 출력 전압에 대응하는 제1 전압과 접지점 사이에 직렬로 연결되는 제2 및 제3 저항과, 상기 제1 저항의 일단에 제1 단자가 연결되고, 상기 제1 저항의 타단에 제2 단자가 연결되고, 상기 제2 및 제3 저항 사이의 접점에 제3 단자가 연결되며, 상기 제3 단자에 인가되는 전압에 의해 스위칭되는 3 단자 스위칭 소자로 이루어져, 시스템에 초기 입력 전압이 인가될 때 발생되는 러쉬 전류를 감소시킨다.

Description

러쉬 전류 감소 회로
본 발명은 러쉬(rush) 전류 감소회로 및 러쉬 전류 감소 회로를 구비한 전원 전압 발생회로에 관한 것으로서, 특히 액정 표시 장치(liquid crystal display; 이하 'LCD'라 함)에 사용되는 러쉬 전류 감소회로 및 이를 구비한 스위치칭 방식의 전원전압 발생회로(switched mode power supply; 이하 'SMPS'라 함)에 관한 것이다.
SMPS는 소형으로 높은 전력 변환 효율을 얻을 수 있기 때문에 경박 단소의 제품 특히, LCD에 많이 사용되고 있다.
도1은 전원 전압 발생 회로로 사용되는 종래의 스텝 업(step up) SMPS를 나타내는 도면이다.
도1에 도시된 종래의 스텝 업 SMPS는 코일 인덕터(L)와 다이오드(D)와 NPN 트랜지스터(Q1)와 스위칭 콘트롤러(1)와 커패시터(C1)로 이루어진다.
여기서, 입력 전압(Vin)은 코일 인덕터(L)를 거쳐 부하가 원하는 형태의 직류 전류로 변한 후, 다이오드(D)와 트랜지스터(Q1)로 흐른다. 이때 다이오드(D)에 흐르는 전류는 커패시터(C1)에 충전된 후 트랜지스터(Q1)가 턴 온될 때 출력단을 통해 출력 전압(Vo)으로 출력되고 스위칭 컨트롤러(1)로 피드백된다.
스위칭 컨트롤러(1)는 트랜지스터(Q1)의 베이스에 출력 전압을 인가하며, 피드백 입력되는 출력단의 출력 전압(Vo)에 따라 트랜지스터(Q1)의 동작을 제어한다.
여기서, 트랜지스터(Q1)가 턴 온되면 전원 전압(Vin)의 전류는 인덕터(L)를 거쳐 트랜지스터(Q1)를 통해 접지단에 흐르며, 이러한 상태에서 트랜지스터(Q1)를 턴 오프시키면 전류 흐름이 갑자기 차단되어 인덕터(L)에 고전압이 발생된다.
상기와 같이 발생된 고전압은 다이오드(D1)의 순방향 전압으로 작용하여 다이오드(D1)를 도통시키게 되며, 전류가 인덕터(L)를 거쳐 다이오드(D1), 그리고 커패시터(C1) 방향으로 흐르게 된다.
한편, 출력 전압(Vo)을 피드백 입력받는 스위칭 컨트롤러(1)는 출력 전압(Vo)이 입력 전압(Vin)보다 낮으면 트랜지스터(Q1)의 턴 온 듀티비(duty ratio)를 증가시켜 많은 전류가 인덕터(L)에 유도되도록 하고, 반대로 출력 전압이 높으면 듀티비를 감소시켜 낮은 전류가 인덕터(L)에 유도되게 하여 트랜지스터(Q1)이 턴 오프시 해당 전류가 다이오드(D)를 통해 커패시터(C1)에 흘러 들어가도록 한다.
따라서, 종래의 SMPS는 일정한 부하가 커패시터(C1)에 걸려 있을 때 일정한 전하량이 커패시터(C1)에 전달되어 일정한 출력 전압이 유지되도록 한다.
그러나, 종래의 SMPS는 주기적으로 출력 전압의 높고 낮음을 감지하여 도시하지 않은 스위칭 컨트롤러(1) 내의 스위치를 턴온 턴 오프하기 때문에 출력 전압에 항상 리플(ripple) 전압이 존재하며, 이러한 리플 전압은 진폭이 클 경우 회로에 오동작을 발생시킬 수 있으므로 리플 전압의 진폭을 감소시키려 하고 있다.
리플 전압의 진폭을 줄이기 위해서는 출력단 커패시터의 용량을 키우는 제1방법과 SMPS의 스위칭 주파수를 올리는 제2 방법이 있다.
그러나, 제1 방법은 사이즈(size)가 큰 커패시터 또는 다수의 커패시터를 실장하여야 하므로 경박단소의 제품에 부적합하다.
때문에, 현재 제2 방법을 채택되고 있으나 제2 방법은 리플 전압을 줄이는데 효과는 있으나 외부전원 인가시 러쉬 전류(rush current)가 큰 단점이 있다.
이러한 단점은 SMPS의 스위칭 주파수를 올리기 위해 SMPS를 기동시키면 처음에 전압변환이 급격하게 이루어져 출력단 커패시터에 충전되어야 할 전하량이 많이 필요하게 되어 순간 전하량 즉 러쉬 전류가 증가하기 때문이다.
이러한 러쉬 전류는 퓨즈(fuse)를 자주 단선시키며, 외부전원의 구동능력 부족을 초래하여 전체 시스템을 오동작시키게 된다
따라서, 이 발명은 스위칭 주파수가 높은 SMPS에서 러쉬 전류량을 감소시키도록 한다.
도1은 종래의 스텝 업 스위칭 모드 파워 서플라이의 회로도이다.
도2는 이 발명의 제1 실시예에 따른 러쉬 전류 감소 회로의 도면이다.
도3은 도2의 입력 전압 및 출력 전압 그리고 러쉬 전류를 나타낸 파형도이다.
도4는 이 발명의 제2 실시예에 따른 SMPS에 사용된 러쉬 전류 감소 회로도이다.
도5는 이 발명의 제3 실시예에 따른 SMPS에 사용된 러쉬 전류 감소 회로도이다.
도6은 도4 및 도5에 흐르는 전압 및 전류의 파형도이다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은,
제1 저항과, 상기 제1 저항의 일단에 드레인(drain)이 연결되고 상기 제1 저항의 타단에 소스(source)가 연결된 NMOS 트랜지스터와, 상기 NMOS 트랜지스터의 게이트에 일단이 연결된 제2 저항과, 상기 NMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 저항의 일단에 일단이 연결된 제3 저항으로 이루어진다.
여기서, 제2 저항의 타단은 상기 NMOS 트랜지스터를 도통한 전압을 입력으로 하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제2 및 제3 저항의 접점에 애노드(anode)가 연결된 다이오드가 연결되는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 구성은,
제1 저항과, 상기 제1 저항의 일단에 소스가 연결되고 타단에 드레인이 연결된 NMOS 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 소스에 연결된 스위칭 소자와, 상기 제1 저항의 일단에 연결된 인덕터와, 상기 인덕터와 상기 제1 저항의 접점에 애노드가 연결된 다이오드와, 상기 다이오드의 캐소드(cathode)에 일단이 연결되고 상기 NMOS 트랜지스터의 게이트에 타단이 연결된 제2 저항과, 상기 제2 저항과 NMOS 트랜지스터의 접점에 일단이 연결된 제3 저항과, 상기 다이오드와 상기 제2 저항의 접점에 연결된 커패시터와, 상기 커패시터의 전압을 피드백 입력으로 하여 스위칭 소자의 동작을 제어하는 스위칭 제어부로 이루어진다.
여기서, 스위칭 소자는 NPN 트랜지스터인 것이 바람직하다.
이하, 이 발명의 제1 실시예를 도2를 참조로 하여 설명한다.
이 발명의 제1 실시예는 LCD 패널의 전원 전압 장치에 이용되는 것으로, 전원 전압이 LCD 패널에 초기 인가될 때 발생되는 러쉬 전류를 감소시키는 역할을 한다.
회로적으로 볼 때, 러쉬 전류는 기동되는 순간에 LCD 패널 및 회로에 구성된 커패시터에 부하가 순간적으로 전류가 유입됨에 따라 크게 발생한다. 따라서, 제1 실시예에서는 커패시터 부하에 초기에 유입되는 전류의 량이 순간적으로 크게 유입되지 않도록 하기 위해 저항을 이용한다.
도2는 이 발명의 제1 실시예에 따른 러쉬 전류 감소 회로의 도면이다. 도2에 도시된 러쉬 전류 감소 회로는,
저항(R1, R2, R3)과, NMOS 트랜지스터(NM1)와, 다이오드(D1)로 이루어진다.
저항(R1)은 일단에 입력 전압(Vin)과 트랜지스터(NM1)의 드레인이 연결되고, 타단에 트랜지스터(NM1)의 소스가 연결된다.
트랜지스터(NM1)의 게이트는 저항(R2, R3)의 접점에 연결되어 있으며, 저항(R2)의 일단은 Von 전압을 입력으로 한다. 그리고, 저항(R3)의 일단은 접지단에 연결된다.
저항(R2, R3)의 접점은 또한 다이오드(D1)의 애노드에 연결되며, 일반 전원(VDD)에 캐소드가 연결된다.
여기서, 저항(R1)을 거친 입력 전압(Vin)은 LCD 패널 또는 회로에 인가된다.
다음에는 도2에 도시한 러쉬 전류 감소 회로의 동작을 설명한다.
저항(R1)은 입력 전압(Vin)의 전류를 제한하기 위해 사용된다. 따라서, 입력 전압(Vin)은 저항(R1)에 의해 전류가 감소하고, 감소한 전류는 도시하지 않은 LCD 패널 또는 회로의 커패시터에 유입된다. 이때 트랜지스터(NM1)는 턴 오프된 상태이다.
결국, 커패시터에 유입되는 전류는 종래에 비해 감소하게 되며, 그에 따라 러쉬 전류 또한 감소하게 된다.
그러나, 저항(R1)을 거친 전압은 초기 입력 전압(Vin)보다 낮은 전압이며, 이는 추후에 LCD 패널을 구동시키기 위한 전압으로서 부족하다.
따라서, 입력 전압(Vin)이 그대로 LCD패널에 공급되도록 하여야 하며 이를 위해 트랜지스터(NM1)가 저항(R1)에 병렬 연결된다.
트랜지스터(NM1)는 초기 입력 전압(Vin)이 저항(R1)을 거친 전압(Von)에 의해 구동한다. 전압(Von)은 저항(R2)에 인가되고, 저항(R2)과 저항(R3)에 의해 분압되어 트랜지스터(NM1)의 게이트에 입력되며, 그에 따라 트랜지스터(NM1)는 턴 온한다.
트랜지스터(NM1)가 턴 온하면, 저항(R1)을 거치던 입력 전압(Vin)은 트랜지스터(NM1)를 통해 LCD 패널에 인가된다.
결국, 입력 전압(Vin)은 초기에 저항(R1)에 의해 전압이 드롭(drop)되다가 트랜지스터(NM1)가 턴 온하는 순간에 트랜지스터(NM1)를 흐르게 되어 저항(R1)에 의한 전류 제한을 받지 않게 되며, 그에 따라 정상적인 출력 전압으로 LCD 패널에 인가된다.
여기서, 사용자는 설계시 저항(R2, R3)의 저항비를 조절함에 따라 트랜지스터(NM1)의 게이트에 인가되는 트랜지스터(NM1)의 임계전압을 조절할 수 있다.
도2에서, 다이오드(D1)는 순간적인 전압 발생에 의해 NMOS(NM1)가 손상되는 것을 방지하기 위해 사용한다.
도3은 도2의 입력 전압 및 출력 전압 그리고 러쉬 전류를 나타낸 파형도이다.
도3에서, (1)은 회로내 인가되는 입력 전압(Vin)의 파형이고, (2)는 회로에서 출력하는 전압(Von)의 파형이다. 그리고, A 구간은 입력전압(Vin)이 저항(R1)에 의해 전류가 제한되는 구간이고, B구간은 트랜지스터(NM1)가 턴 온하는 구간이다.
도3에서 보면, 5V의 입력 전압(Vin)은 저항(R1)을 거침에 따라 전압이 드롭되어 2.5V정도로 떨어지다가, B구간이 시작되는 시점인 트랜지스터(NM1)가 턴 온하는 시점에서 전압이 4.5V정도로 상승한 후 트랜지스터(NM1)의 특성에 의해 일정시간이 지난 후 5V가 된다.
여기서, B구간중에 출력 전압(Von)이 4.5V가 되는 것은 트랜지스터(NM1)의 턴 온 저항 때문이며, 이때의 턴 온 저항은 약 0.3Ω정도이다.
이하, 이 발명의 제2 실시예에 따른 러쉬 전류 감소 회로를 사용한 SMPS에 대해 설명한다.
도4는 이 발명의 제2 실시예에 따른 러쉬 전류 감소 회로를 사용한 SMPS를 나타낸 도면이다.
도4에 도시된 제2 실시예에 따른 이 발명은 스위칭 컨트롤러(100)와, NPN 트랜지스터(Q1)와, NMOS 트랜지스터(M1)와, 저항(R1, R2, R3)과, 쵸크(choke) 코일(coil) 인덕터(L1)와, 다이오드(D)와 커패시터(C1)로 이루어진다.
저항(R2, R3)의 접점의 전압은 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가되고, 저항(R1)은 트랜지스터(M1)의 드레인에 일단이, 그리고 소스에 타단이 연결되어 있다.
트랜지스터(Q1)는 트랜지스터(M1)의 소스에 컬렉터가 연결되고, 스위칭 컨트롤러(100)의 출력단에 베이스가 연결되며 이미터가 접지되어 있다.
쵸크 코일 인덕터(L1)는 입력 전원(Vin)에 연결되고, 다이오드(D)는 인덕터(L1)와 트랜지스터(M1)의 드레인의 접점에 애노드가 연결되고 캐소드가 제2 저항(R2)의 일단에 연결된다. 제3 저항(R3)의 타단은 접지된다.
커패시터(C1)의 일단은 저항(R2)과 다이오드(D)의 접점에 연결되고 타단이 접지된다
스위칭 컨트롤러(100)는 출력 전압(Vo)을 피드백 입력하기 위해 커패시터( C1)의 일단에 연결되어 있으며, 피드백 입력되는 출력 전압(Vo)에 따라 도시하지 않은 내부의 스위치의 스위칭 시간을 조절하여 트랜지스터(Q1)의 턴 온시간을 조절한다.
결국, 트랜지스터(Q1)의 턴 온 시간의 조절에 따라 인덕터(L1)를 통해 다이오드(D) 그리고 커패시터(C1)에 흘러 출력되는 전압(Vo)의 레벨이 조절된다.
여기서, 이 발명은 초기 입력 전압 인가시의 러쉬 전류를 감소시키는 것을 목적으로 하므로, 스위칭 컨트롤러의 스위칭 동작에 따른 이 발명의 동작을 생략한다.
즉, 초기 입력 전압이 인가될 때의 동작만을 설명한다.
저항(R2, R3)은 트랜지스터(M1)의 임계 전압(Vth)과, 출력 전압(Vo)과 입력 전압(Vin)의 관계로부터 결정된다.
상기 전압(Vin, Vo, Vth)들의 관계는 다음의 수학식1과 같다.
수학식1에서, Vd2는 다이오드(D2)의 순방향 전압 강하량이다.
상기 전압들의 관계식을 통해 저항(R2, R3)의 접점의 저항 즉, 분압 저항은 초기 SMPS 기동시에 트랜지스터(M1)를 턴 오프시키다가 출력 전압(Vo)이 발생되면 트랜지스터(M1)를 턴 온시키는 트랜지스터(M1) 임계 전압(Vth)을 발생시킴을 알 수 있다.
즉, 초기에 입력 전압(Vin)이 인가되면, 인덕터(L1)로부터 회로로 인가되는 전류는 저항(R1)을 통해 트랜지스터(Q1)에 흐르고, 다이오드(D)를 통해 출력단을 통해 출력 전압(Vo)으로 출력되고, 저항(R2)으로 인가된다.
이때의 전류량(I(t))은 다음의 수학식2로 나타낼 수 있다.
수학식2에서, L은 인덕터(L1)의 인덕턴스이다.
상기 수학식2를 전류량(I(t))에 관해 풀어보면 다음의 수학식3과 같다.
따라서, 인덕터(L1)에 흐르는 전류량을 저항(R1)의 값으로 조절할 수 있음을 알 수 있다.
저항(R1)의 값이 크면 인덕터(L1)에 흐르는 전류량은 감소하여 다이오드(D)를 통해 커패시터(C1)로 공급되는 단위 시간당 전하량이 줄게 되므로 커패시터(C1)의 전압이 소정의 전압에 도달하기까지의 시간이 증가한다.
즉, 입력 전압(Vin)이 출력 전압(Vo)에 도달하는 시간이 저항(R1)에 의해 길어져 기존에 급격하게 출력 전압(Vo)이 발생됨에 따라 발생한 러쉬 전류를 줄이게 된다.
이렇게 출력 전압(Vo)이 발생되면, 저항(R2)에 전압이 인가된 상태이므로 트랜지스터(M1)에 임계 전압(Vth)이 인가되어 트랜지스터(M1)가 턴 온하게 된다.
그러면, 인덕터(L1)로부터 접지단으로 흐르는 전류는 저항(R3)보다 트랜지스터(M1)를 통해 접지단으로 흐르게 되어 저항( R3)에 의한 전력의 손실이 없게된다.
도5는 이 발명의 제3 실시예에 따른 러쉬 전류 감소 회로가 사용된 SMPS 회로이다.
도5에 도시된 이 발명의 제3 실시예에 따른 SMPS는,
스위칭 컨트롤러(100)와, NPN 트랜지스터(Q1)와, NMOS 트랜지스터(M1)와, 저항(R1, R2, R3)과, 쵸크(choke) 코일(coil) 인덕터(L1)와, 다이오드(D2)와 커패시터(C1)와, 다이오드(D3, D4)와 커패시터(C2, C3)로 이루어진다.
여기서, 스위칭 컨트롤러(100)와 쵸크 코일 인덕터(L1)와 다이오드(D1)와 저항(R1)과 커패시터(C1)와 NPN 트랜지스터(Q1)와 NMOS 트랜지스터(M1)는 상기 제2 실시예의 각 구성의 연결 및 동작이 동일하다.
다만, 제3 실시예에 따른 이 회로는 커패시터(C2, C3)와 다이오드(D3, D4)가 제2 실시예에 비해 더 추가되고 제2 출력 전압(Vo2)이 발생되며, 저항(R2, R3)의 분압 전압(Vth)이 출력 전압(Vo2)에 따라 결정되는 것이 다르다.
즉, 커패시터(C2)는 인덕터(L1)와 다이오드(D2)의 접점에 일단이 연결된다.
다이오드(D2)는 스위칭 컨트롤러(100)로 피드백 입력되는 전압(Vo)단에 애노드가 연결되고 커패시터(C2)에 캐소드가 연결된다.
다이오드(C3)는 다이오드(D3)와 커패시터(C2)의 접점에 애노드가 연결되고 출력 전압(Vo2)에 캐소드가 연결된다.
커패시터(C3)는 다이오드(D4)의 캐소드와 접지단 사이에 연결되어 있다.
그리고, 저항(R2)은 제2 출력 전압(Vo2)에 일단이 연결되어 전압(Vo2)을 인가받는다.
제3 실시예 또한 제2 실시예와 마찬가지로 저항(R1)의 값을 조절함에 따라 입력 전압(Vin)이 출력 전압(Vo)에 출력되는 시간이 조절된다.
제3 실시예에 따른 이 발명은 상기 수학식1에서 출력 전압(Vo)이 작아서 적당한 저항값을 선정하기 어려운 경우에 사용할 수 있는 회로이다.
출력 전압(Vo)의 차이가 작은 경우, 의도적으로 출력 전압(Vo)을 크게 하면 되는데, 이를 위해 이 발명의 제3 실시예에서는 충전 펌프(charging pump) 회로(200)를 추가하여, 충전 전압(Vo)을 충전 펌프 회로(200)를 통해 높아지도록 승압한다.
여기서, 다이오드(D3, D4)와 커패시터(C2, C3)는 충전 펌프 회로(200)를 이룬다.
충전 펌프의 승압 동작은 다음과 같다. 여기서, 트랜지스터(M1)의 게이트에는 임계전압(Vth)이 인가되고 있는 상태이다.
트랜지스터(Q1)가 턴 온되면, 코일 인덕터(L1)와 다이오드(D2) 사이 접점의 전위는 거의 접지 전압 레벨로 떨어지며, 이에 따라 다이오드(D3)와 커패시터(C2)의 접점의 전위는 거의 출력 전압(Vo)이 되고, 커패시터(C2)의 전압은 출력 전압(Vo)이 된다.
그런 다음, 트랜지스터(Q1)가 턴 오프되면, 코일 인덕터(L1)와 다이오드(D2)의 접점에는 입력 전압(Vin)이 인가되고, 이에 따라 다이오드와 커패시터(C2)의 접점 전위는 Vo + Vin이 인가된다.
따라서, 커패시터(C3)에는 승압된 전압 Vo + Vin이 인가된다. 여기서, 다이오드(D3)의 전압은 무시한다.
결국, 제2 출력 전압(Vo2)은 충전 펌프 회로(00)에 의해 승압된 Vo + Vin 전압을 출력한다.
이 출력 전압(Vo2)은 저항(R2)으로 인가되어 저항(R3)과 더불어 분합되어 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가된다.
도6은 도4 및 도5에 흐르는 전압 및 전류의 파형도이다.
도6에서 (1)은 종래의 입력 전압 및 출력 전압의 파형이고, (2)는 이 발명의 제2 및 제3 실시예에 따른 회로에서의 입력 전압 및 출력 전압의 파형이다.
(3)은 종래의 전류 파형이고, (4)는 이 발명의 제2 및 제3 실시예에 따른 회로에서의 전류 파형이다.
(1)과 (2)를 비교해 보면, (1)은 T1 동안 입력 전압(Vin)이 급격히 상승한다. 반면에 (2)는 T1보다 긴 시간인 T2시간 동안 입력 전압(Vin)이 완만히 증가한다.
따라서, 이 발명은 종래에 비해 출력 전압(Vo)의 순간적인 변화가 적음을 알 수 있다.
여기서, (3)과 (4)를 비교해 보면, (3)은 T1시간 동안에 전류가 급격히 증가하다 급격히 감소한다. 반면에 (4)는 T2 시간동안에 (3)의 전류의 피크치보다 낮은 레벨까지 완만히 상승하다 떨어진다.
이것은 (4)가 (3)에 비해 전류의 변화가 심하지 않음을 나타내며, 이 발명이 종래에 비해 러쉬 전류를 확연히 감소시켰음을 나타낸다.
이 발명은 시스템에 초기 입력 전압이 인가될 때 발생되는 러쉬 전류를 줄이는 회로를 제공한다.

Claims (14)

  1. 입력 전원에 전기적으로 연결되는 제1 저항과;
    상기 제1 저항의 타단을 통해 출력된 출력 전압에 대응하는 제1 전압과 접지점 사이에 직렬로 연결되는 제2 및 제3 저항과;
    상기 제1 저항의 일단에 제1 단자가 연결되고, 상기 제1 저항의 타단에 제2 단자가 연결되고, 상기 제2 및 제3 저항 사이의 접점에 제3 단자가 연결되며, 상기 제3 단자에 인가되는 전압에 의해 스위칭되는 3 단자 스위칭 소자를 포함하는 러쉬 전류 감소 회로.
  2. 제1항에서,
    상기 입력 전압이 인가되는 초기에는 상기 3단자 스위칭 소자는 턴 오프 상태를 유지하며, 소정 시간 경과 후에는 상기 3단자 스위칭 소자는 턴 온되는 것을 특징으로 하는 러쉬 전류 감소 회로.
  3. 제2항에서,
    상기 3단자 스위칭 소자는 모스 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 러쉬 전류 감소 회로.
  4. 제1항에서,
    상기 제2 저항과 상기 제3 저항의 접점에 애노드가 연결되며, 제2 전압에 캐소드가 연결되는 다이오드를 더 포함하는 러쉬 전류 감소 회로.
  5. 입력 전압에 일단이 연결되는 인덕터와;
    상기 인덕터의 타단에 애노드가 연결되는 제1 다이오드와;
    상기 제1 다이오드의 애노드와 상기 인덕터 사이의 접점에 연결되는 제1 저항과;
    상기 제1 다이오드의 캐소드와 접지점 사이에 연결되는 제1 커패시터와;
    제1 저항의 일단에 제1 단자가 연결되고 상기 제1 저항의 타단에 제2 단자가 연결되고, 상기 제1 커패시터에 충전되는 전압에 대응하는 제1 전압에 제3 단자가 연결되며, 상기 제3 단자에 인가되는 상기 제1 전압에 의해 스위칭되는 제1 스위칭 소자와;
    상기 제1 저항의 타단에 제1 단자가 연결되고, 접지점에 제2 단자가 연결되며, 듀티비를 제어하기 위한 제어 신호가 3단자에 연결되는 제2 스위칭 소자와;
    상기 제1 커패시터에 충전된 전압을 피드백 하여, 상기 제2 스위칭 소자의 상기 제3 단자에 상기 제어 신호를 출력하는 스위칭 컨트롤러를 포함하는 스위칭 모드 전원 공급 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 입력 전압이 인가되는 초기에는 상기 제1 스위칭 소자가 턴 오프 상태를 유지하며, 소정 시간 경과 후에는 상기 제2 스위칭 소자가 턴 온되는 것을 특징으로 하는 스위칭 모스 전원 공급 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 제1 다이오드의 캐소드와 상기 제1 커패시터 사이의 접점과 접지점 사이에 직렬로 연결되는 제2 및 제3 저항을 더 포함하며,
    상기 제2 및 제3 저항 사이의 접점의 전압이 상기 제1 전압인 것을 특징으로 하는 스위칭 모드 전원 공급 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 스위칭 소자는 모스 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 스위칭 모드 전원 공급 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제2 스위칭 소자는 바이폴라 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 스위칭 모드 전원 공급 장치.
  10. 제6항에서,
    상기 제1 커패시터에 충전된 전압을 승압하기 위한 충전 펌프 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 모드 전원 공급 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 충전 펌프 회로는
    상기 인덕터와 상기 제1 다이오드의 접점에 일단이 연결된 제2 커패시터와,
    상기 제1 커패시터에 충전된 전압에 애노드가 연결되고 상기 제2 커패시터에 캐소드가 연결된 제2 다이오드와,
    상기 제2 다이오드와 상기 제2 커패시터의 접점에 애노드가 연결된 제3 다이오드와,
    상기 제3 다이오드의 캐소드와 접지점 사이에 연결된 제3 커패시터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스위칭 모드 전원 공급장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제3 다이오드의 캐소드와 상기 제3 커패시터 사이의 접점과 접지점 사이에 직렬로 연결되는 제2 및 제3 저항을 더 포함하며,
    상기 제2 및 제3 저항 사이의 접점의 전압이 상기 제1 전압인 것을 특징으로 하는 스위칭 모드 전원 공급 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 스위칭 소자는 모스 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 스위칭 모드 전원 공급 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 제2 스위칭 소자는 바이폴라 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 스위칭 모드 전원 공급 장치.
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