JP3287921B2 - 気相成長用マグネシウム原料およびこれを用いた気相成長法 - Google Patents
気相成長用マグネシウム原料およびこれを用いた気相成長法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＺｎＭｇＳＳｅなどの
マグネシウムを含む化合物半導体を気相成長させるため
の気相成長用マグネシウム原料およびこのマグネシウム
原料を用いた気相成長法に関する。
マグネシウムを含む化合物半導体を気相成長させるため
の気相成長用マグネシウム原料およびこのマグネシウム
原料を用いた気相成長法に関する。
【０００２】
【従来の技術】II-VI 族化合物半導体を材料とする発光
デバイスのクラッド層として盛んに用いられているＺｎ
ＭｇＳＳｅ膜のマグネシウム原料として、またIII-Ｖ族
化合物半導体を材料とする発光デバイス（特にＧａＮを
主とした窒素化合物）における重要なｐ型ドーパントの
マグネシウム原料として、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気
相成長）法において、従来はビス（シクロペンタジエニ
ル）マグネシウム〔（Ｃ 5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ〕が広く用いら
れている。
デバイスのクラッド層として盛んに用いられているＺｎ
ＭｇＳＳｅ膜のマグネシウム原料として、またIII-Ｖ族
化合物半導体を材料とする発光デバイス（特にＧａＮを
主とした窒素化合物）における重要なｐ型ドーパントの
マグネシウム原料として、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気
相成長）法において、従来はビス（シクロペンタジエニ
ル）マグネシウム〔（Ｃ 5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ〕が広く用いら
れている。
【０００３】しかし、このマグネシウム原料は、室温で
固体であり（融点約１７６℃）、ＭＯＣＶＤ法のための
マグネシウム原料として、例えば以下の短所を有してい
る。
固体であり（融点約１７６℃）、ＭＯＣＶＤ法のための
マグネシウム原料として、例えば以下の短所を有してい
る。
【０００４】 蒸気圧が低いので、成長に必要な蒸気
圧を得るためには、ある程度高温（約１２０℃以上）に
する必要がある。
圧を得るためには、ある程度高温（約１２０℃以上）に
する必要がある。
【０００５】 室温で固体であるため、原料容器から
反応管までのラインを高温に保持する必要がある。
反応管までのラインを高温に保持する必要がある。
【０００６】 また同じ理由により、原料容器から基
板までの距離をできる限り短くする必要がある。
板までの距離をできる限り短くする必要がある。
【０００７】 室温で固体であるため、コールドウォ
ールの反応管の場合、反応管の上流に原料が析出し、成
長に悪影響を与えることがある。
ールの反応管の場合、反応管の上流に原料が析出し、成
長に悪影響を与えることがある。
【０００８】 室温で固体であるため、キャリアガス
中に固体粉末が混入し、固体のままで基板上に輸送さ
れ、成長に悪影響を与えることがある。
中に固体粉末が混入し、固体のままで基板上に輸送さ
れ、成長に悪影響を与えることがある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、室温にて液体である気相成長用マグネシウム原
料およびこのマグネシウム原料を用いた気相成長法を提
供することである。
目的は、室温にて液体である気相成長用マグネシウム原
料およびこのマグネシウム原料を用いた気相成長法を提
供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長用マグ
ネシウム原料は、ビス（エチルシクロペンタジエニル）
マグネシウムを主成分とすることを特徴とする。
ネシウム原料は、ビス（エチルシクロペンタジエニル）
マグネシウムを主成分とすることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の気相成長法は、上記気相成
長用マグネシウム原料をキャリアガスにより気体状態に
し、気体状態の他の元素を含む有機金属原料とともに、
加熱された基板上に化合物半導体を成長させることを特
徴とする。
長用マグネシウム原料をキャリアガスにより気体状態に
し、気体状態の他の元素を含む有機金属原料とともに、
加熱された基板上に化合物半導体を成長させることを特
徴とする。
【００１２】特に、マグネシウムを含むII-VI 族化合物
半導体、またはマグネシウムをｐ型ドーパントとして含
むIII-Ｖ族化合物半導体を気相成長するための気相成長
用マグネシウム原料および気相成長法である。
半導体、またはマグネシウムをｐ型ドーパントとして含
むIII-Ｖ族化合物半導体を気相成長するための気相成長
用マグネシウム原料および気相成長法である。
【００１３】ビス（エチルシクロペンタジエニル）マグ
ネシウムは、室温（２５〜２７℃）において液体であ
る。
ネシウムは、室温（２５〜２７℃）において液体であ
る。
【００１４】上記のビス（エチルシクロペンタジエニ
ル）マグネシウムは、一般的に公知の化合物であり、公
知の方法にて製造される。
ル）マグネシウムは、一般的に公知の化合物であり、公
知の方法にて製造される。
【００１５】本発明の気相成長法によれば、ＺｎＭｇＳ
Ｓｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅなどのマグネシウムを含むII-V
I 族化合物半導体が基板上に成長される。また、ｐ型ド
ーパントとしてのマグネシウムを含むIII-Ｖ族化合物半
導体を材料とする発光デバイス（特にＧａＮを主とした
窒素化合物）が基板上に成長される。II-VI 族化合物半
導体またはIII-Ｖ族化合物半導体を構成するマグネシウ
ム以外の元素（Ｚｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂなど）を含む有機金属原料としては、上
記のアルキル基またはアルコキシ基を有する液状の化合
物が、ガス化容易性などの点から好適に用いられるが、
例えばキレート化合物などの固体物をも用いることがで
きる。具体的な有機金属原料としては、ジメチル亜鉛、
ジエチル亜鉛、ジメチルセレン、ジエチルセレン、ジメ
チル硫黄、ジエチル硫黄、トリメチルガリウム、トリエ
チルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルア
ルミニウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジ
ウムなどが例示される。
Ｓｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅなどのマグネシウムを含むII-V
I 族化合物半導体が基板上に成長される。また、ｐ型ド
ーパントとしてのマグネシウムを含むIII-Ｖ族化合物半
導体を材料とする発光デバイス（特にＧａＮを主とした
窒素化合物）が基板上に成長される。II-VI 族化合物半
導体またはIII-Ｖ族化合物半導体を構成するマグネシウ
ム以外の元素（Ｚｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂなど）を含む有機金属原料としては、上
記のアルキル基またはアルコキシ基を有する液状の化合
物が、ガス化容易性などの点から好適に用いられるが、
例えばキレート化合物などの固体物をも用いることがで
きる。具体的な有機金属原料としては、ジメチル亜鉛、
ジエチル亜鉛、ジメチルセレン、ジエチルセレン、ジメ
チル硫黄、ジエチル硫黄、トリメチルガリウム、トリエ
チルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルア
ルミニウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジ
ウムなどが例示される。
【００１６】本発明のマグネシウム原料をガス化するに
際しては、マグネシウム原料を−２０〜１８０℃、好ま
しくは５〜１００℃に昇温して、キャリアガスを用いて
バブリングを行う。キャリアガスとしては、通例の水素
ガスの他に、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスの
如き不活性ガスなどが単体で、あるいは混合系として一
般に用いられる。不活性ガスの使用は、得られる半導体
への水素取り込み抑制に有利である。また、他の元素を
含む有機金属原料についても、必要に応じて、キャリア
ガスによるバブリングを行う。
際しては、マグネシウム原料を−２０〜１８０℃、好ま
しくは５〜１００℃に昇温して、キャリアガスを用いて
バブリングを行う。キャリアガスとしては、通例の水素
ガスの他に、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスの
如き不活性ガスなどが単体で、あるいは混合系として一
般に用いられる。不活性ガスの使用は、得られる半導体
への水素取り込み抑制に有利である。また、他の元素を
含む有機金属原料についても、必要に応じて、キャリア
ガスによるバブリングを行う。
【００１７】気体状態のマグネシウム原料および他の有
機金属原料（以下「混合ガス」という。）を、例えば供
給管を介して、支持台を有する減圧または常圧状態の反
応室に供給し、支持台上に載置された高温の基板上にて
熱分解させて、目的の化合物半導体を成長させる。な
お、混合ガスは、目的とする化合物半導体を構成する元
素に基づいて、その組成に準じた組成とされる。
機金属原料（以下「混合ガス」という。）を、例えば供
給管を介して、支持台を有する減圧または常圧状態の反
応室に供給し、支持台上に載置された高温の基板上にて
熱分解させて、目的の化合物半導体を成長させる。な
お、混合ガスは、目的とする化合物半導体を構成する元
素に基づいて、その組成に準じた組成とされる。
【００１８】反応温度は、目的の化合物半導体に応じて
適宜に決定されるが、一般には４００〜１５００℃程度
である。したがって、基板としては、反応温度に耐える
セラミックまたは半導体などからなる耐熱性のものが用
いられる。反応室の真空度についても目的の化合物半導
体に応じて適宜に決定され、通常は、７６０Ｔｏｒｒ以
下、好ましくは７６０Ｔｏｒｒとする。
適宜に決定されるが、一般には４００〜１５００℃程度
である。したがって、基板としては、反応温度に耐える
セラミックまたは半導体などからなる耐熱性のものが用
いられる。反応室の真空度についても目的の化合物半導
体に応じて適宜に決定され、通常は、７６０Ｔｏｒｒ以
下、好ましくは７６０Ｔｏｒｒとする。
【００１９】
【作用】本発明の気相成長用マグネシウム原料は、ビス
（エチルシクロペンタジエニル）マグネシウムを主成分
とするので、室温で液体であり、従来から用いられてい
るビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムよりも高
い蒸気圧を有している。
（エチルシクロペンタジエニル）マグネシウムを主成分
とするので、室温で液体であり、従来から用いられてい
るビス（シクロペンタジエニル）マグネシウムよりも高
い蒸気圧を有している。
【００２０】本発明の気相成長法は、本発明の気相成長
用マグネシウム原料をキャリアガスにより気体状態に
し、気体状態の他の元素を含む有機金属原料とともに、
ＺｎＭｇＳＳｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅなどのマグネシウム
を含むII-VI 族化合物半導体、またはマグネシウムをｐ
型ドーパントとして含むIII-Ｖ族化合物半導体（Ｇａ
Ｎ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＧａ
Ａｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＩｎＧａＡｓＳｂな
ど）を加熱された基板上に成長させるので、従来法に比
して成長の制御が容易となり、得られる化合物半導体の
品質が安定する。また、気相成長装置の設計が制限を受
けず、設計の自由度が向上する。
用マグネシウム原料をキャリアガスにより気体状態に
し、気体状態の他の元素を含む有機金属原料とともに、
ＺｎＭｇＳＳｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅなどのマグネシウム
を含むII-VI 族化合物半導体、またはマグネシウムをｐ
型ドーパントとして含むIII-Ｖ族化合物半導体（Ｇａ
Ｎ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＧａ
Ａｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＩｎＧａＡｓＳｂな
ど）を加熱された基板上に成長させるので、従来法に比
して成長の制御が容易となり、得られる化合物半導体の
品質が安定する。また、気相成長装置の設計が制限を受
けず、設計の自由度が向上する。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を詳細に説明するため実施例お
よび比較例を挙げるが、本発明はこれら実施例によって
何ら限定されるものではない。
よび比較例を挙げるが、本発明はこれら実施例によって
何ら限定されるものではない。
【００２２】実施例１ 充分清浄化したＧａＡｓ基板を試料室内のサセプター
（支持台）上に載置し、室内を高真空引きした後、約７
６０Ｔｏｒｒの高純度水素雰囲気として反応室内に搬送
した。ＧａＡｓ基板を約５００℃に高周波加熱し、その
温度に所定時間保持して熱アニールした。ＧａＡｓ基板
を降温させて約４７０℃になった際、ジエチル亜鉛（Ｄ
ＥＺｎ）２．５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビス（エチルシクロ
ペンタジエニル）マグネシウム（ＥＣｐ2Ｍｇ：株式会
社トリケミカル研究所製、以下同じ）３μｍｏｌ／ｍｉ
ｎ、ジエチルセレン（ＤＥＳｅ）１２μｍｏｌ／ｍｉ
ｎ、ジエチル硫黄（ＤＥＳ）６０μｍｏｌ／ｍｉｎの割
合の混合ガスを反応室内に約１時間供給した。ガスの供
給を止めて基板を室温に冷却させ、ついで試料室に搬送
し、窒素雰囲気として室外に取り出した。なお、混合ガ
スの調製は、液体であるＤＥＺｎ、ＥＣｐ2Ｍｇ、ＤＥ
Ｓｅ、ＤＥＳをそれぞれキャリアガス（水素）でバブリ
ングし、そのガスの混合で行った。ＥＣｐ2Ｍｇをバブ
リングする際、ＥＣｐ2Ｍｇを７０℃に昇温させた。
（支持台）上に載置し、室内を高真空引きした後、約７
６０Ｔｏｒｒの高純度水素雰囲気として反応室内に搬送
した。ＧａＡｓ基板を約５００℃に高周波加熱し、その
温度に所定時間保持して熱アニールした。ＧａＡｓ基板
を降温させて約４７０℃になった際、ジエチル亜鉛（Ｄ
ＥＺｎ）２．５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビス（エチルシクロ
ペンタジエニル）マグネシウム（ＥＣｐ2Ｍｇ：株式会
社トリケミカル研究所製、以下同じ）３μｍｏｌ／ｍｉ
ｎ、ジエチルセレン（ＤＥＳｅ）１２μｍｏｌ／ｍｉ
ｎ、ジエチル硫黄（ＤＥＳ）６０μｍｏｌ／ｍｉｎの割
合の混合ガスを反応室内に約１時間供給した。ガスの供
給を止めて基板を室温に冷却させ、ついで試料室に搬送
し、窒素雰囲気として室外に取り出した。なお、混合ガ
スの調製は、液体であるＤＥＺｎ、ＥＣｐ2Ｍｇ、ＤＥ
Ｓｅ、ＤＥＳをそれぞれキャリアガス（水素）でバブリ
ングし、そのガスの混合で行った。ＥＣｐ2Ｍｇをバブ
リングする際、ＥＣｐ2Ｍｇを７０℃に昇温させた。
【００２３】以上の工程により、ＧａＡｓ基板上に厚さ
０．８μｍに成長したＺｎＭｇＳＳｅ混晶を得た。この
膜のマグネシウム組成は約３％であった。
０．８μｍに成長したＺｎＭｇＳＳｅ混晶を得た。この
膜のマグネシウム組成は約３％であった。
【００２４】
【００２５】
【００２６】比較例１ ＤＭＺｎ２．５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビス（シクロペンタ
ジニエル）マグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）３．５μｍｏｌ
／ｍｉｎ、ＤＭＳｅ１２μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＤＭＳ６０
μｍｏｌ／ｍｉｎの割合の混合ガスを供給した他は、実
施例１に準じてＧａＡｓ基板上に厚さ０．８μｍに成長
したＺｎＭｇＳＳｅ混晶を得た。この膜のマグネシウム
組成は約３％であった。なお、Ｃｐ2 Ｍｇをバブリング
する際、Ｃｐ2 Ｍｇを約１５０℃に昇温させた。
ジニエル）マグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）３．５μｍｏｌ
／ｍｉｎ、ＤＭＳｅ１２μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＤＭＳ６０
μｍｏｌ／ｍｉｎの割合の混合ガスを供給した他は、実
施例１に準じてＧａＡｓ基板上に厚さ０．８μｍに成長
したＺｎＭｇＳＳｅ混晶を得た。この膜のマグネシウム
組成は約３％であった。なお、Ｃｐ2 Ｍｇをバブリング
する際、Ｃｐ2 Ｍｇを約１５０℃に昇温させた。
【００２７】実施例２ 充分清浄化したサファイア基板を試料室内のサセプター
（支持台）上に載置し、室内を高真空引きした後、約７
６０Ｔｏｒｒの高純度水素雰囲気として反応室内に搬送
した。サファイア基板を約１０５０℃に高周波加熱し、
その温度に所定時間保持して熱アニールした。サファイ
ア基板を降温させて約５１０℃になった際、ＧａＮバッ
ファ層を成長させた。その後、再びサファイア基板を１
０２０℃に昇温させて、アンモニア（ＮＨ3）４．５リ
ットル／ｍｉｎ、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）４０μ
ｍｏｌ／ｍｉｎ、ＥＣｐ2Ｍｇ０．５μｍｏｌ／ｍｉｎ
の割合の混合ガスを反応室内に約１時間供給した。ガス
の供給を止めて基板を室温に冷却させ、ついで試料室に
搬送し、窒素雰囲気として室外に取り出した。なお、混
合ガスの調製は、液体であるＴＭＧ、ＥＣｐ2Ｍｇをそ
れぞれキャリアガス（水素）でバブリングし、そのガス
の混合で行った。ＥＣｐ2Ｍｇをバブリングする際、Ｅ
Ｃｐ2Ｍｇを７０℃に昇温させた。
（支持台）上に載置し、室内を高真空引きした後、約７
６０Ｔｏｒｒの高純度水素雰囲気として反応室内に搬送
した。サファイア基板を約１０５０℃に高周波加熱し、
その温度に所定時間保持して熱アニールした。サファイ
ア基板を降温させて約５１０℃になった際、ＧａＮバッ
ファ層を成長させた。その後、再びサファイア基板を１
０２０℃に昇温させて、アンモニア（ＮＨ3）４．５リ
ットル／ｍｉｎ、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）４０μ
ｍｏｌ／ｍｉｎ、ＥＣｐ2Ｍｇ０．５μｍｏｌ／ｍｉｎ
の割合の混合ガスを反応室内に約１時間供給した。ガス
の供給を止めて基板を室温に冷却させ、ついで試料室に
搬送し、窒素雰囲気として室外に取り出した。なお、混
合ガスの調製は、液体であるＴＭＧ、ＥＣｐ2Ｍｇをそ
れぞれキャリアガス（水素）でバブリングし、そのガス
の混合で行った。ＥＣｐ2Ｍｇをバブリングする際、Ｅ
Ｃｐ2Ｍｇを７０℃に昇温させた。
【００２８】以上の工程により、サファイア基板上に厚
さ３μｍに成長したＭｇドープＧａＮ膜を得た。この膜
は、成長後にキャリアを活性化するための後処理を行っ
た結果、ｐ型の導電特性を示し、そのキャリア濃度は約
０．７×１０18／ｃｍ3であった。
さ３μｍに成長したＭｇドープＧａＮ膜を得た。この膜
は、成長後にキャリアを活性化するための後処理を行っ
た結果、ｐ型の導電特性を示し、そのキャリア濃度は約
０．７×１０18／ｃｍ3であった。
【００２９】
【００３０】
【００３１】比較例２ ＮＨ3 ４．５リットル／ｍｉｎ、ＴＭＧ４０μｍｏｌ／
ｍｉｎ、Ｃｐ2 Ｍｇ３．６μｍｏｌ／ｍｉｎの割合の混
合ガスを供給した以外は、実施例４に準じてサファイア
基板上に厚さ３μｍに成長したＭｇドープＧａＮ膜を得
た。この膜は、成長後にキャリアを活性化するための後
処理を行った結果、ｐ型の導電特性を示し、そのキャリ
ア濃度は約５×１０18／ｃｍ3 であった。なお、Ｃｐ2
Ｍｇをバブリングする際、Ｃｐ2 Ｍｇを約１５０℃に昇
温させた。
ｍｉｎ、Ｃｐ2 Ｍｇ３．６μｍｏｌ／ｍｉｎの割合の混
合ガスを供給した以外は、実施例４に準じてサファイア
基板上に厚さ３μｍに成長したＭｇドープＧａＮ膜を得
た。この膜は、成長後にキャリアを活性化するための後
処理を行った結果、ｐ型の導電特性を示し、そのキャリ
ア濃度は約５×１０18／ｃｍ3 であった。なお、Ｃｐ2
Ｍｇをバブリングする際、Ｃｐ2 Ｍｇを約１５０℃に昇
温させた。
【００３２】
【発明の効果】本発明の気相成長用マグネシウム原料
は、室温で液体であるので、従来のマグネシウム原料よ
りも蒸気圧が高い。したがって、他のII-VI 族原料（例
えばＤＥＺｎ、ＤＥＳｅ、ＤＥＳなど）またはIII-Ｖ族
原料（例えばＴＭＧ、トリメチルアルミニウム、トリメ
チルインジウムなど）と同様に室温付近の温度で蒸気圧
を制御できる。
は、室温で液体であるので、従来のマグネシウム原料よ
りも蒸気圧が高い。したがって、他のII-VI 族原料（例
えばＤＥＺｎ、ＤＥＳｅ、ＤＥＳなど）またはIII-Ｖ族
原料（例えばＴＭＧ、トリメチルアルミニウム、トリメ
チルインジウムなど）と同様に室温付近の温度で蒸気圧
を制御できる。
【００３３】また、本発明の気相成長法は、本発明の気
相成長用マグネシウム原料を用いるので、以下の効果を
奏する。
相成長用マグネシウム原料を用いるので、以下の効果を
奏する。
【００３４】 従来のマグネシウム原料の場合よりも
低温（５〜１００℃）の加熱により、成長に必要な蒸気
圧を得ることができる。
低温（５〜１００℃）の加熱により、成長に必要な蒸気
圧を得ることができる。
【００３５】 原料容器から反応管までのラインを高
温に保持する必要がない。
温に保持する必要がない。
【００３６】 原料容器から基板までの距離を短くす
る必要がなく、気相成長装置の設計が制限を受けず、設
計の自由度が向上する。
る必要がなく、気相成長装置の設計が制限を受けず、設
計の自由度が向上する。
【００３７】 コールドウォールの反応管の場合、反
応管の上流に原料が析出せず、成長に悪影響を与えな
い。
応管の上流に原料が析出せず、成長に悪影響を与えな
い。
【００３８】 キャリアガス中に固体粉末が混入せ
ず、成長に悪影響を与えない。
ず、成長に悪影響を与えない。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−188821（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−221192（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−58043（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−257678（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−257679（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−67230（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−104079（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C30B 29/26 H01L 21/31 H01L 21/365
Claims (4)
- 【請求項１】 ビス（エチルシクロペンタジエニル）マ
グネシウムを主成分とする気相成長用マグネシウム原
料。 - 【請求項２】 マグネシウムを含むＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体を気相成長するための請求項１記載のマグネシウ
ム原料。 - 【請求項３】 マグネシウムをｐ型ドーパントとして含
むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を気相成長するための請求
項１記載のマグネシウム原料。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のマグネ
シウム原料をキャリアガスにより気体状態にし、気体状
態の他の元素を含む有機金属原料とともに、加熱された
基板上に化合物半導体を成長させることを特徴とする気
相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21666093A JP3287921B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 気相成長用マグネシウム原料およびこれを用いた気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21666093A JP3287921B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 気相成長用マグネシウム原料およびこれを用いた気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774108A JPH0774108A (ja) | 1995-03-17 |
| JP3287921B2 true JP3287921B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=16691938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21666093A Expired - Lifetime JP3287921B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 気相成長用マグネシウム原料およびこれを用いた気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3287921B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102514278B1 (ko) | 2022-11-30 | 2023-03-24 | 에스케이트리켐 주식회사 | 마그네슘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 마그네슘 함유 박막 형성 방법 및 상기 마그네슘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자. |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121562A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Nec Corp | 密着型イメージセンサ |
| CN112004959A (zh) | 2018-04-20 | 2020-11-27 | 株式会社Adeka | 原子层沉积法用薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21666093A patent/JP3287921B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102514278B1 (ko) | 2022-11-30 | 2023-03-24 | 에스케이트리켐 주식회사 | 마그네슘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 마그네슘 함유 박막 형성 방법 및 상기 마그네슘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자. |
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| JPH0774108A (ja) | 1995-03-17 |
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