JP2000114596A - ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法Info
- Publication number
- JP2000114596A JP2000114596A JP28855098A JP28855098A JP2000114596A JP 2000114596 A JP2000114596 A JP 2000114596A JP 28855098 A JP28855098 A JP 28855098A JP 28855098 A JP28855098 A JP 28855098A JP 2000114596 A JP2000114596 A JP 2000114596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gan
- film
- type
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
正孔キャリア濃度の増大によるキャリア注入の高効率化
および抵抗の低減化。 【構成】 基板上に設けたバッファ層上に有機金属化合
物気相成長法により原料ガスとして少なくともガリウム
源のガスと窒素源のガスとｐ型不純物を含むガスを用い
てＧａＮ系半導体を成長させる方法において、ｐ型不純
物を含むガスとしてＭｇを含むガスを用い、これらの原
料のキャリアガスとして実質的に窒素ガスを用いるとと
もにインジウム源のガスを加えて成長温度を８００〜１
１００℃の範囲として、Ｍｇが不活性化した高抵抗のＡ
ｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ（０≦ｘ≦１，０＜ｙ＜０．
３，ｘ＋ｙ＜１）膜を形成し、この膜をアニールするこ
とにより正孔キャリア濃度を増大させる
Description
ド、青色レーザダイオード等に用いられる窒化（インジ
ウム）ガリウム系化合物半導体を有機金属化合物気相成
長法（ＭＯＶＰＥ）により製造する方法に関する。
ダイオード等に使用される半導体材料として、ＧａＮ
系、ＡｌＧａＮ系、ＧａＩｎＮ系等の化合物半導体が注
目されている。ＧａＮ単結晶薄膜は、反応炉に、例え
ば、有機金属であるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アンモニア等を水素
ガスをキャリアガスとして供給し、サファイア基板上に
エピタキシャル成長させるＭＯＶＰＥ法により通常得ら
れる。このＭＯＶＰＥ法によりＡｌＧａＮ、ＧａＮ等を
形成する際に、短波長領域に発光センタを形成するアク
セプタ不純物としてＭｇ、Ｚｎを添加する方法も公知で
ある。
定数不整および熱膨張係数差が大きく、サファイア基板
上に直接ＧａＮ膜の成長を行うと、成長膜のピット、成
長膜と基板界面でのクラック等のマクロな欠陥はもとよ
り、結晶方位の空間的微小揺らぎ等の問題があるため、
表面が平坦で良質なＧａＮ単結晶薄膜を作成することは
容易ではない。
０３０℃でのＧａＮ膜の成長直前に６００℃程度の低温
でＡｌＮをサファイア基板上に堆積し、これをバッファ
層とすることで上記問題を解決できることを見出した。
この方法によれば、ＡｌＮバッファ層を用いない場合と
比べて自由電子濃度が室温で１０17ｃｍ-3程度と２桁程
度低く、かつ室温でのホール電子移動度は、３５０〜４
５０ｃｍ2 ／Ｖ・ｓと一桁程度大きい。また、この方法
をさらに発展させ、アクセプタ不純物であるＭｇをドー
プして成長させた膜は、そのままでは高抵抗であるが、
低加速電子線照射処理を施すことによりｐ型となり、低
抵抗化（数Ωｃｍ）し、発光特性も向上することを報告
した（「Japanese Journal OF Applied Physics 」Vol.
28,L2112,1989）。
知られており、また、電子線の照射の他に、窒素雰囲気
で４００℃以上に加熱してアニールすることにより低抵
抗のｐ型窒化ガリウムを作成する方法（特開平５−１８
３１８９号公報）も知られている。
より、低抵抗なｐ型ＧａＮ系半導体とするのではなく、
ＭＯＶＰＥ法そのものにより低抵抗なｐ型ＧａＮ系半導
体とするために、一般式Ｉｎx Ｇａ1-x-y Ｎ（０＜ｘ＜
１，０≦ｙ＜１）で表される半導体を成長させた後、そ
の上にＭｇを１×１０17ｃｍ-3〜３×１０20ｃｍ-3の範
囲でドープしたＧａＮを成長させる方法（特開平６−２
３２４５１号公報）や、ＭｇやＺｎ等のｐ型不純物をド
ープしたＧａＮ系化合物半導体を１０００℃で結晶成長
した後の冷却時に６００℃以上の温度域においてアンモ
ニアの供給を停止して、水素または窒素雰囲気において
水素パッシベーションを起こさずに熱処理せずに低抵抗
なｐ型ＧａＮ系化合物半導体を得る方法（特開平８−１
１５８８０号公報）、Ｃｐ2 Ｍｇ、ＴＭＧ、ＴＭＡのキ
ャリアガスとしては水素を用いるものの、ｐ型伝導層の
成長過程においては主キャリアガスとして窒素を用いて
Ｍｇの不活性化を防止して成長後の熱処理を不要とする
方法（特開平１０−１３５５７５号公報）等が知られて
いる。
色及び緑色を発光色とする材料であり、特にＩｎＮを混
晶比で１０％以上含むものは、ＩｎＮ混晶比に応じて可
視領域での発光波長を調整できるので表示用途に重要な
ものとして注目されているが、ＭＯＶＰＥ法によりＧａ
ＩｎＮを成長させる場合は、成長温度は５００〜８００
℃に制約されるためにＧａＮに比べて結晶性が劣る。こ
れは、ＧａＮの融点が約１０００℃であるのに対し、Ｉ
ｎＮは、約５００℃であるため、６００℃以上の高温で
ＧａＩｎＮを成長させるとＧａＩｎＮがほとんど分解し
てしまい、８００℃を超えるとＩｎ原子が蒸発するため
である。
生産性が低いという問題があるものの、Ｉｎを含まない
層を成長させた後一旦成長を中断し、基板の温度を７０
０〜９００℃に下げた後Ｉｎを含む層の成長を再開する
方法や、原料ガス中のＩｎのモル比を大きくして、７０
０〜９００℃の成長温度とする方法（特開平６−２０９
１２１号公報）が採用されている。
フルカラーデバイスを可能にする材料として、III族窒
化物が有望視されているが、このデバイスを電流で駆動
させるために、ｐｎ接合の形を取ることが不可欠であ
る。短波長レーザダイオードを構成している各層の中の
ｐ型ＧａＮ層の作製に用いられるＭＯＶＰＥ法では、例
えば、ＧａＮの原料として、トリメチルガリウム、アン
モニアを使用し、ｐ型伝導度制御材料の不純物原料とし
て、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍ
ｇ）を使用している。また、キャリアガスとして水素を
用い、膜成長温度は、１０００℃前後であり、ＭｇがＧ
ａＮ中にドーピングされた膜をその後に熱処理すること
によりｐ型低抵抗の膜が得られる。
の場合、ｐ型キャリア濃度はせいぜい２×１０18ｃｍ-3
という値であり、ＧａＩｎＮの場合、５×１０17ｃｍ-3
程度であり、キャリア注入の高効率化および抵抗の低減
化という点で十分とは言えない。そこで、現在、ｐ型Ｇ
ａＮ層の正孔キャリア濃度の増大によるそれらの特性の
改善が特に望まれている。
度を増大させる方法として、次のような新たな手法を見
出した。すなわち、本発明は、基板上に設けたバッファ
層上に有機金属化合物気相成長法により原料ガスとして
少なくともガリウム源のガスと窒素源のガスとｐ型不純
物を含むガスを用いてＧａＮ系半導体を成長させる方法
において、ｐ型不純物を含むガスとしてＭｇを含むガス
を用い、これらの原料のキャリアガスとして実質的に窒
素ガスを用いるとともにインジウム源のガスを加えて成
長温度を８００〜１１００℃の範囲として、Ｍｇが不活
性化した高抵抗のＡｌx Ｇａ1-x- y Ｉｎy Ｎ（０≦ｘ≦
１，０＜ｙ＜０．３、ｘ＋ｙ＜１）膜を形成し、この膜
をアニールすることにより正孔キャリア濃度を増大させ
ることを特徴とするｐ型III族窒化物半導体の製造方法
である。本発明によれば、ＧａＮで、７．０×１０18ｃ
ｍ-3程度、ＧａＩｎＮで、１．０×１０18ｃｍ-3程度に
達する高い正孔キャリア濃度を実現することができ、発
光ダイオードの高効率化、レーザダイオードの低しきい
値化を示す特性が得られた。
以上が必要であり、Ｍｇ濃度はＭｇを含むガスの一定の
流量範囲ではその流量に比例するので、該ガスの流量を
適切な範囲に調整する。Ｉｎの原料として添加されるト
リメチルインジウムまたはトリエチルインジウム等は、
蒸気圧が高く、通常、成長温度を８００℃以下の低温と
しなければ、混晶を形成するほどにＩｎがＧａＮに取り
込まれないので、通常では８００℃以下の成長温度でな
ければＧａＩｎＮの混晶層は現れない。
てＭｇを含むガスを用いてＭｇをｐ型不純物元素として
ドープする際に、キャリアガスとして実質的に窒素を使
用し、さらにインジウム化合物を同時に供給することに
よって８００〜１１００℃という高温下の成長温度で形
成されたＧａＩｎＮ混晶（ｙ＞０．０１）膜およびＩｎ
添加のＧａＮ（ｙ≦０．０１）膜は、キャリアガスを窒
素ガスとしてインジウム化合物を同時に供給しないで形
成したＧａＮ膜、あるいはキャリアガスを水素ガスとし
てインジウム化合物を同時に供給して形成したＧａＮ膜
をそれぞれアニールした場合に比べて、正孔キャリア濃
度に大きな相違が見られる。すなわち、原料のキャリア
ガスを実質的に窒素ガスとすることと、インジウム化合
物を同時に供給することのいずれか一方が欠けても高い
正孔キャリア濃度は得られない。キャリアガスは実質的
に窒素ガスであればよく、水素ガス等の他のガスが幾分
混合されていてもよい。
質的に窒素ガスを用いることにより、水素をキャリアガ
スとした場合には不可能であった成長温度が８００℃〜
１１００℃の高温で結晶性の良いＧａＩｎＮの混晶層
（Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎの式において０．０１＜ｙ
＜０．３をいう）およびＩｎ添加のＧａＮ層（同じくｙ
≦０．０１をいう）を形成できるものの、Ｍｇは不活性
しており、抵抗が大で絶縁体である。これをアニールし
た場合に初めて極めて高い正孔キャリア濃度が得られ
る。
水素が用いられた理由は、水素を純化しやすいこと、お
よびガス流が乱れにくいこと等であり、有機原料のキャ
リアガスに窒素を用いると有機原料の分解効率やキャリ
アガス中での拡散が悪く結晶性の良い膜形成ができない
ためである。本発明の上記の条件で極めて高い正孔キャ
リア濃度が得られる理由は十分には、解明されていない
が、キャリアガスを窒素ガスとすることにより、水素ガ
スをキャリアガスとした場合に比べて水素パッシベーシ
ョンの発生を小さくした状態、すなわち、成長温度が高
くＮＨ3 ガスから分解した水素原子がＭｇとともにある
程度結晶中に取り込まれＭｇの活性化が妨げられている
状態となり、この状態でＧａＩｎＮの混晶層かＩｎ添加
のＧａＮ層が形成されていると、アニールした場合に、
Ｍｇの活性化効果が顕著に発揮されるものと考えられ
る。
ガスのモル比は、ガリウム源ガス１に対して、０．００
１以上、より好ましくは０．０１以上、さらに好ましく
は、１．０以上に調整する。０．１より少ないと、Ｉｎ
ＧａＮの混晶が得にくく、結晶性が悪くなる。Ｉｎ源ガ
スのモル比は成長温度が高いほど大きくする方が好まし
く、それに応じて結晶性が良くなる。Ａｌx Ｇａ1-x-y
Ｉｎy Ｎの式において、ＩｎＮの混晶比を示すｙの値
は、主にＩｎのモル比および成長温度によって変動し、
０．３程度までは実現可能であるが、通常０．１以下で
あれば本発明の目的は達成される。
たのは、高温ほどＧａＮの結晶性が良いものの、混晶の
形成のためには低温ほどよく、この両条件を満たすこの
範囲で結晶性の良いＧａＩｎＮ混晶層およびＩｎ添加の
ＧａＮ層が得られるからである。成長温度は結晶性の点
では、９００℃以上がより好ましく、最も好適な範囲は
９５０〜１０５０℃である。
素源の反応ガスとして通常アンモニアを用いているが、
この場合、結晶欠陥の少ない化合物半導体を実用的な速
度で基板上に堆積するには、III族元素のアルキル化合
物の〜５０万倍のアンモニア流量を必要とし、また通常
１０００〜１２００℃の高い成長温度としてアンモニア
の利用効率を高めることが望ましい。本発明は、ほぼこ
の温度に近い高温で成長させることができ、アンモニア
の利用効率を高め、生産性を著しく向上させる効果をも
たらす。
用いて基板のサファイア上にＧａＮを成長させる従来公
知の装置を用いることができる。例えば、誘導加熱され
る基板ホルダを横型管状の反応管内に置き、サファイア
基板を斜めにホルダに保持し、反応ガスを常圧でキャリ
アガスとともに導入口から反応管内に流入し、高温の基
板上で分解させ、化合物半導体膜を基板上に堆積させた
後、真空排気口から反応ガスを排出させるようにする。
等を使用できる。基板の上には、低温で、ＡｌＮ、Ｇａ
Ｎ、一般式Ｇａs Ａｌt Ｎ（ｓ＋ｔ＝１，０＜ｓ＜１，
０＜ｔ＜１）で表される化合物半導体、またはこれらの
積層構造を公知の手段によりバッファ層として設ける。
メチルガリウム（ＴＭＧ）および／またはトリエチルガ
リウム（ＴＥＧａ）等のトリアルキルガリウム、アンモ
ニア（ＮＨ3 ）を用い、Ｍｇ原料に、ビスシクロペンタ
ジエニルマグネシウム（Ｃｐ 2 Ｍｇ）を用いる。
4 、（ＣＨ3 ）ＣＮＨ2 、Ｃ2 Ｈ5 Ｎ 3 、ＣＨ3 ＮＨ・
ＮＨ2 を用いてもよい。Ｍｇ原料としては、メチルビス
シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃ6 Ｈ7）2 Ｍ
ｇ、（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、（Ｃ5 Ｈ5 Ｃ5 Ｈ4 ）
2 Ｍｇ、（ｉ−Ｃ 3 Ｈ7 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、（ｎ−Ｃ3
Ｈ7 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ等を用いてもよい。Ａｌの原料と
しては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエ
チルアルミニウム（ＴＥＡｌ）等のトリアルキルアルミ
ニウム、Ｉｎの原料としては、トリメチルインジウム
（ＴＭＩｎ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）等の
トリアルキルインジウムが適する。
２５μｍｏｌ／分、ＴＭＡｌ：３０〜３００μｍｏｌ／
分、アンモニア：０．０２〜０．２ｍｏｌ／分、ビスシ
クロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）：０．
０１〜０．５μｍｏｌ／分、ＴＭＩｎ：２５０〜２５０
０μｍｏｌ／分、キャリアガスとしての窒素：３００〜
３０００ｓｃｃｍを流し、成長温度を８００〜１１００
℃とし、成長圧力を７０〜７６０Ｔｏｒｒとして、厚さ
１００〜２０００ｎｍのｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層を成長さ
せる。
ｐ型不純物をドープしたＧａＮ系半導体をアニーリング
する方法自体は公知であり、本発明においてはアニール
はこのような公知の手段を用いればよい。すなわち、ア
ニールは、反応器内で行ってもよく、専用のアニーリン
グ装置で行ってもよい。アニーリング雰囲気は、真空
中、Ｎ2 ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等の不活性ガス、これらの
混合ガス雰囲気とする。アニーリング温度は４００℃以
上、好ましくは７００℃以上で１分以上、好ましくは５
分以上保持して行う。
で実施した。基板にはサファイア（０００１）面を用
い、ＧａＩｎＮの成長に先立ち、サファイア基板を１１
５０℃において、１０分間水素ベーキングした後、成長
温度６００℃において、成長時間５分間でＡｌＮバッフ
ァ層を約５０ｎｍ堆積した。原料の流量は、ＴＭＡ：５
ｓｃｃｍ、ＮＨ3 ：１ｓｌｍ、キャリアガスとしてのＮ
2 ：総量３ｓｌｍで行った。その後続けて、ＧａＮ：Ｍ
ｇを成長温度約１０００℃、成長時間約２０分でＧａＮ
層を約２μｍ堆積した。流量は、ＴＭＧ：２０ｓｃｃ
ｍ、Ｃｐ2 Ｍｇ：１５０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 ：１ｓｌｍ、
ＴＭＩ：２０ｓｃｃｍ、キャリアガスとしてのＮ2 ：総
量３ｓｌｍにて行った。得られた膜は、高抵抗で、電流
が流れない絶縁体であった。この膜をアニーリング装置
内において窒素雰囲気中で９００℃で５分間アニールし
たところ、Ｍｇ濃度２×１０19ｃｍ-3、キャリア濃度
７．１×１０18ｃｍ-3、移動度０．２ｃｍ 2 ／ＶＳのＩ
ｎを含むｐ型のＧａＮが得られた。
た以外は実施例１と同様の条件でＧａＩｎＮ混晶膜を得
た。Ｍｇ濃度２×１０19ｃｍ-3、キャリア濃度１．０×
１０18ｃｍ-3、移動度０．１ｃｍ2 ／ＶＳのｐ型のＧａ
Ｉｎ0.１Ｎｎ膜が得られた。
で３ｓｌｍ用いた以外は、実施例１と同様の条件で、Ｉ
ｎを含むＧａＮの成長を行った。得られたＩｎを含むｐ
型のＧａＮのキャリア濃度は、１．５×１０18ｃｍ-3、
移動度は、２ｃｍ2 ／ＶＳであった。実施例１と比べて
特性が劣ることは明らかである。
を含まないＧａＮの成長を行った。得られたＩｎを含ま
ないｐ型のＧａＮのキャリア濃度は、比較例１と同じく
１．５×１０18ｃｍ-3、移動度は、２ｃｍ2 ／ＶＳであ
った。
オードといったデバイスの電流駆動動作に不可欠な電極
に用いることにより、キャリアの注入効率を増大させ、
その結果、発光ダイオードの高効率化やレーザダイオー
ドの低しきい値化に大きな効果をもたらすものである。
２０）
造方法
実質的に窒素ガスを用いることにより、水素をキャリア
ガスとした場合には不可能であった成長温度が８００℃
〜１１００℃の高温で結晶性の良いＧａＩｎＮの混晶層
（Ａｌx Ｇａ 1-x-y Ｉｎy Ｎの式において０．０１＜ｙ
＜０．３をいう）およびＩｎ添加のＧａＮ層（同じくｙ
≦０．０１をいう）を形成できるものの、Ｍｇは不活性
化しており、抵抗が大で絶縁体である。これをアニール
した場合に初めて極めて高い正孔キャリア濃度が得られ
る。
た以外は実施例１と同様の条件でＧａＩｎＮ混晶膜を得
た。Ｍｇ濃度２×１０19ｃｍ−３、キャリア濃度１．０
×１０18ｃｍ−３、移動度０．１ｃｍ2 ／ＶＳのｐ型の
ＧａＩｎ 0.1 Ｎ膜が得られた。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に設けたバッファ層上に有機金属
化合物気相成長法により原料ガスとして少なくともガリ
ウム源のガスと窒素源のガスとｐ型不純物を含むガスを
用いてＧａＮ系半導体を成長させる方法において、ｐ型
不純物を含むガスとしてＭｇを含むガスを用い、これら
の原料のキャリアガスとして実質的に窒素ガスを用いる
とともにインジウム源のガスを加えて成長温度を８００
〜１１００℃の範囲として、Ｍｇが不活性化した高抵抗
のＡｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ（０≦ｘ≦１，０＜ｙ＜
０．３，ｘ＋ｙ＜１）膜を形成し、この膜をアニールす
ることにより正孔キャリア濃度を増大させることを特徴
とするｐ型族窒化物半導体の製造方法。 - 【請求項２】 原料として供給するインジウム源のガス
は、インジウム源ガスのモル比がガリウム源ガス１に対
して、０．００１以上となる量としたことを特徴とする
請求項１記載のｐ型III族窒化物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28855098A JP3883303B2 (ja) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28855098A JP3883303B2 (ja) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114596A true JP2000114596A (ja) | 2000-04-21 |
| JP3883303B2 JP3883303B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=17731706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28855098A Expired - Lifetime JP3883303B2 (ja) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3883303B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101416838B1 (ko) | 2006-02-10 | 2014-07-08 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | (Ａｌ,Ｉｎ,Ｇａ,Ｂ)Ｎ의 전도도 제어 방법 |
-
1998
- 1998-10-09 JP JP28855098A patent/JP3883303B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101416838B1 (ko) | 2006-02-10 | 2014-07-08 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | (Ａｌ,Ｉｎ,Ｇａ,Ｂ)Ｎ의 전도도 제어 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3883303B2 (ja) | 2007-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6830949B2 (en) | Method for producing group-III nitride compound semiconductor device | |
| US5290393A (en) | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor | |
| US6713789B1 (en) | Group III nitride compound semiconductor device and method of producing the same | |
| US7709284B2 (en) | Method for deposition of magnesium doped (Al, In, Ga, B)N layers | |
| US8882910B2 (en) | AlGaN substrate and production method thereof | |
| EP0497350A1 (en) | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor | |
| WO2010113423A1 (ja) | 窒化物半導体の結晶成長方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3198912B2 (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| JP3147316B2 (ja) | 半導体発光素子の作製方法 | |
| JPH09134878A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| US20100006874A1 (en) | Process for production of gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device | |
| WO2010100699A1 (ja) | 窒化物半導体の結晶成長方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3341948B2 (ja) | ｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法 | |
| JP3598591B2 (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| JP3857467B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法 | |
| JP2005268647A (ja) | 化合物半導体の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3064891B2 (ja) | ３−５族化合物半導体とその製造方法および発光素子 | |
| JP2006100518A (ja) | 基板表面処理方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 | |
| JP2002100837A (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH0997921A (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| JPH09107124A (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| JP4009043B2 (ja) | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 | |
| JP3478287B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法と窒化ガリウム系化合物半導体 | |
| JP2000114596A (ja) | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 | |
| JPH07283436A (ja) | ３−５族化合物半導体と発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040115 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040203 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040129 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060530 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060731 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061114 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061114 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 3 |
|
| S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141124 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141124 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |