JP3341948B2 - p型GaN系半導体の製造方法 - Google Patents
p型GaN系半導体の製造方法Info
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製造方法に関し、詳しくは製造工程を簡略化してコスト
を低減し得、かつ不良率を低減し得るp型GaN系半導
体の製造方法に関する。
半導体として、例えば一般式AlxGay In1-x-y N
(ただし0≦x≦1,0≦y≦1)で表されるような、
所謂GaN系半導体を用いると、常温で優れた発光特性
を示す青色発光素子が得られることが知られている。図
1はこのようなGaN系半導体を用いた一般的な発光ダ
イオード(LED)の一例であり、同図に示す発光ダイ
オードDは、例えば、サファイア、SiC等よりなる基
板1上に、GaN、ZnO等よりなるバッファ層2を介
してn型GaNクラッド層31、GaInN活性層32
およびp型GaNクラッド層33をこの順に気相成長法
により成長させることによって製造される。
をn型/p型の伝導型とするため、該半導体をn型/p
型の不純物をドープして成長させるようにしているが、
p型の場合は、p型不純物をドープして成長させただけ
では低抵抗のp型半導体とすることができない。これ
は、1)GaN系結晶では結晶性が悪く結晶中に窒素空孔
が多いため、不純物をドープしなくても低抵抗のn型半
導体となりやすく、このためp型不純物をドープしたも
のは高抵抗となることや、あるいは2)GaN系半導体の
成長中または成長後にN源であるNH3 が分解して水素
原子が発生し、この水素原子が、p型不純物であるM
g、Zn等と結合して、これらp型不純物がアクセプタ
ーとして機能するのを妨げ、その結果このp型不純物を
ドープしたGaN系半導体が高抵抗を示すこと、等が主
な原因であると考えられている。
してGaN系結晶の結晶性を良好とすることにより解消
される。一方、上記2)の問題を解消する方法として、p
型不純物をドープしたGaN系半導体を成長させた後
に、電子線照射処理(LEEBI)を施すことによって
該GaN系半導体を低抵抗化する方法が知られている。
し得る半導体表層部しか低抵抗化できず、また電子線を
走査しながら照射するためウエハ面を均一に低抵抗化で
きないという問題があり、さらに、電子線の走査に長時
間を要し、またこのLEEBI処理を結晶成長の工程お
よび装置とは別の工程および装置で行わなければならな
いため製造コストが高くつくという問題があった。
気中で熱処理(アニーリング)を施すことによってp型
半導体を得る方法が提案されている(特開平5−183
189号公報参照)。この方法は、Mg、Zn等と結合
した水素原子を熱処理により解離させ、Mg、Zn等を
アクセプターとして正常に機能させることによって低抵
抗のp型半導体を得るものであり、これによれば、ウエ
ハ内部および面全体を均一に低抵抗化することができ
る。
においては、熱処理後に冷却する過程で各半導体層間の
熱膨張係数や格子定数の違いによりクラックが発生しや
すいという問題があり、さらにまた、この場合も結晶成
長の工程・装置とは別に熱処理の工程・装置が必要であ
るため、依然として製造コストが高くつくという問題が
ある。
ック等の発生を抑制して不良率を低減し得、かつ製造工
程を簡略化してコストを低減し得るp型GaN系半導体
の製造方法を提供することにある。
成長させた後の冷却を徐々に行うことによっても、熱処
理と同等の効果が得られることを見出し、本発明を完成
するに至った。即ち、本発明のp型GaN半導体の製造
方法は、p型不純物をドープしたGaN系半導体を気相
成長させた後、低抵抗のp型半導体を得るために0.1
〜3℃/分の速度で室温まで冷却することを特徴とする
ものである。
りも遅い速度で冷却することで半導体の温度をできるだ
け高い状態に維持し、これにより、熱処理を施した場合
と同等の効果を得るようにしたものである。即ち、半導
体の温度をできるだけ高い状態に維持することによっ
て、水素原子がp型不純物と結合するのを抑制して該p
型不純物をアクセプターとして正常に機能させ、これに
より低抵抗のp型半導体を得るようにしたものである。
したがって本発明においては、後処理的な熱処理が不要
であり、また半導体を徐々に冷却するため該半導体層に
おけるクラック等の発生が抑制される。
方法を、図1に示す一般的な発光ダイオードDを製造す
る場合を例としてさらに具体的に説明する。
ラッド層31、GaInN活性層32およびp型GaN
クラッド層33をこの順に成膜して、図1に示すものと
同様の多層部3を形成する。
ファ層2および多層部3の結晶性が良好となるよう、こ
れらと格子定数の近いものが好適であり、さらに、クラ
ック等の発生ができるだけ抑制されるよう、熱膨張係数
の近いものが好適である。このような材質として、サフ
ァイア、SiC、水晶、例えば一般式Alx Gay In
1-x-y N(ただし0≦x≦1,0≦y≦1)で表される
ようなGaN系半導体等が例示され、なかでもサファイ
アまたはGaN系半導体が好適である。
機械的強度が十分で、かつ経済的に安価となるよう20
0〜300μm程度とすることが適当である。
の間の格子定数や熱膨張係数の違いを緩和するためのも
のである。このため、このバッファ層2としては、基板
1および多層部3を構成するそれぞれの結晶と格子定数
ができるだけ近いものが、多層部3の結晶性を良好とす
る上で好ましく、さらには、熱膨張係数ができるだけ近
いものを用いることが、クラック等の発生を防止する上
で好ましい。
Gay In1-x-y N(ただし0≦x≦1,0≦y≦1)
で表されるようなGaN系半導体、ZnO、MgO、B
eO、BeO−ZnO系化合物、ZnO−HgO系化合
物、ZnO−MgO系化合物、BeO−ZnO−HgO
系化合物、BeO−ZnO−MgO系化合物等が例示さ
れ、特に、例えば多層部3がGaInN/GaAlNで
ある場合はAlNやGaNが好適である。
グ、CVD、MOVPE等の方法により行われるが、例
えばバッファ層2としてGaN系半導体を用いる場合
は、該バッファ層2をMOVPEにより形成すると、該
バッファ層2の結晶性を良好とすることができ好まし
い。
Å、好ましくは200〜500Åとなるように形成する
ことが好ましい。上記バッファ層2の厚さが50Å以上
であれば、基板1と多層部3との格子定数や熱膨張係数
の違いを十分に緩和することができ、一方1000Å以
下であれば、バッファ層2上のGaNエピタキシャル成
長層を2次元成長した高品質なものとできる。
ッド層31,33のそれぞれの半導体材料の組合せとし
ては、結晶性が良好となるようなるべく互いに格子定数
の近いものが好ましく、例えば図1に示すようなGaI
nN/AlGaNや、GaInN/GaN、GaInN
/AlGaInN等が好適であり、なかでもGaInN
/AlGaNが好適である。
PE、MBE、GS−MBE、MO−MBE、CBE、
HVPE等の気相成長方法が例示されるが、例えば該多
層部3がGaInN/GaNで構成される場合はMOV
PEが好適に用いられる。
びp型クラッド層33の厚さは特に限定されないが、各
層の結晶性および電子・正孔の閉じ込めの点からそれぞ
れ1〜5μm、100〜2000Å、0.3〜1μm程
度であることが適当である。
型、SH(シングルヘテロ)型、DH(ダブルヘテロ)
型、量子井戸型、多層量子井戸型等が可能であるが、な
かでもDH型とすると、活性層上下に形成したクラッド
層が該活性層からの発光を吸収せず、また発光のための
電子と正孔とが効率良く活性層に閉じ込められるため、
発光素子の輝度を向上させることができる。
方法としては自体既知の方法を用いればよく、例えば多
層部3を気相成長法により成長させている間、反応容器
内に不純物ガスを供給すればよい。n型不純物として
は、Si、Ge等が例示され、なかでもドーピング効率
および母体結晶の結晶性の点でSiが好適である。な
お、前記したようにGaN系半導体の場合は不純物をド
ープしなくても低抵抗のn型半導体を得ることができ
る。p型不純物としては、Zn、Cd、Be、Mg、C
a、Ba等が例示され、なかでもドーピング効率、キャ
リアの活性化率および不純物準位の点でMgまたはZn
が好適である。
時の高温(通常1050℃程度)から室温まで冷却す
る。
自然冷却よりも遅い速度で行うようにする。さらに具体
的には、1分間に0.1〜3℃程度、好ましくは0.5
〜1.5℃程度の割合で温度が降下するように行うこと
が望ましい。上記温度降下の割合が3℃/分以下であれ
ば、水素原子がp型不純物と結合するのを抑制する効
果、ならびにクラック等の発生を抑制する効果が十分と
なり、一方0.1℃/分以上であると、冷却時間が過度
に長くなることがなく製造効率が良好な程度に維持され
る。
コントローラーを用いることにより制御することができ
るが、より正確な制御を行うにはPID (proportional
integral differential) 制御によることが好ましい。
NH3 等の水素含有物質を可及的に除去しておくことが
望ましい。これにより、該水素含有物質が分解して発生
する水素原子とp型不純物との結合をさらに効果的に抑
制することができる。
を除去し、該容器内をできるだけ真空に近い状態として
多層部3の冷却を行うようにしてもよいが、該容器内を
不活性ガス雰囲気下とすることがさらに望ましい。これ
によれば、半導体層中の窒素が分解して出ていくのを抑
制することができ、半導体層の結晶性を良好とすること
ができる。このような不活性ガスとしては、N2 、H
e、Ne、Arあるいはこれらの混合ガス等が例示さ
れ、なかでもN2 が好適である。なおこの不活性ガス
は、冷却前の温度における半導体層の分解圧以上に加圧
すると、窒素の分解を抑制する上でさらに望ましい。
極4を、基板1下面には下部電極5を形成し、この後こ
の積層体をダイシングしてチップ化し、発光ダイオード
Dを得る。
AuBe、AuZn、Au等を、また直下層がn層の場
合、AuGe、In等を多層部3上面に真空蒸着等によ
り被着した後、パターニング、アニーリング等の処理に
より該面の適当な位置に任意の形状に成形することによ
り形成される。この上部電極4の形状は特に限定されな
いが、形成の容易なこと等からドット状電極とすること
が好ましい。
合、AuBe、AuZn、Au等を、また直上層がn層
の場合、AuGe、In、Al等を基板1下面に被着し
た後、アニーリング処理により基板1と合金化させるこ
とにより形成される。
て、発光ダイオード以外にもレーザーダイオード(L
D)等の発光素子を製造することもできる。
明する。なおこれら実施例は本発明を何ら限定するもの
ではない。
反応容器内に設置し、容器内を真空排気した後、Al源
としてトリメチルアルミニウム(TMA)を25μmol/
分、N源としてNH3 を5 リットル/分の割合で流入させて
AlN層を成長させ、厚さ250Åのバッファ層を形成
した。ついで、上記ガスに加えGa源としてトリメチル
ガリウム(TMG)を30μmol/分、Si源として10
ppmのSiH4 を4nmol/分の割合で流入させて、上記
バッファ層上に、Siをドープした厚さ4μmのn型G
aNクラッド層を成長させた。ついで、上記ガスに加え
てIn源としてトリメチルインジウム(TMI)を25
μmol/分、TMGを2μmol/分、SiH4 にかえてZn
源としてジメチル亜鉛(DMZ)を3μmol/分の割合で
流入させて、上記n型GaNクラッド層上に、Znをド
ープした厚さ200ÅのGaInN層を成長させた。つ
いで、上記ガスのうち、DMZにかえてMg源としてビ
ス(シクロペンタジエニル)マグネシウム(Cp2 M
g)を5μmol/分の割合で流入させて、TMIを止め、
上記GaInN層上に、Mgをドープした厚さ0.8μm
のGaN層を成長させた。
反応容器内を窒素置換し、PID制御の温度コントロー
ラーにより温度を0.5℃/分の速度で降下させるよう
にして室温まで冷却し、電極の形成およびダイシングを
行って、図1に示すものと同様のLEDチップを得た。
すように変量する以外は全て同様にしてLEDチップを
作製した。
比較例1〜2で得られたLEDチップのそれぞれについ
て、p型GaNクラッド層のホール測定を行ったとこ
ろ、表1に示す結果が得られた。また、冷却後の半導体
層のクラックの発生の程度を調べたところ、表1に示す
通りであった。
によれば、半導体を成長させた後、自然冷却よりも遅い
速度で冷却することで半導体の温度をできるだけ高い状
態に維持するので、水素原子がp型不純物と結合するの
が抑制され、その結果熱処理を施した場合と同様にp型
不純物がアクセプターとして正常に機能し、これによっ
て低抵抗のp型半導体が得られる。したがって半導体成
長後に後処理的な熱処理が不要であり、また半導体を徐
々に冷却するため該半導体層におけるクラック等の発生
が抑制される。
半導体の製造において製造工程を簡略化してコストを低
減し、かつ不良率を低減することが可能となる。
ド(LED)の一例を示す模式断面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 p型不純物をドープしたGaN系半導体
を気相成長させた後、低抵抗のp型半導体を得るために
0.1〜3℃/分の速度で室温まで冷却することを特徴
とするp型GaN系半導体の製造方法。 - 【請求項2】 冷却を不活性ガス雰囲気下で行う請求項
1記載のp型GaN系半導体の製造方法。
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JP16247394A JP3341948B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | p型GaN系半導体の製造方法 |
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JPH0832113A JPH0832113A (ja) | 1996-02-02 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16247394A Expired - Lifetime JP3341948B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | p型GaN系半導体の製造方法 |
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-
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