JP3282039B2 - 自動利得制御回路に指数関数段を接続する回路,自動利得制御回路及び温度補償回路 - Google Patents

自動利得制御回路に指数関数段を接続する回路,自動利得制御回路及び温度補償回路

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JP3282039B2
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    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
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    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection

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  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、指数利得特性を維持し
つつ、自動利得制御増幅器の固有の温度依存性を補償す
る分野に関するものである。
【0002】
【従来の技術】典型的な自動利得制御(AGC)増幅器
の利得対入力制御電圧は通常は指数関数である。その結
果として、入力信号の振幅とは独立である一定の制御利
得が得られることになる。一定の利得特性によって、A
GC帰還ループ周波数補償を最短の過渡安定時間で最適
にできる。
【0003】従来のAGC増幅器技術はギルバート乗算
器のような構成の、ダイオードを有するエミッタ結合対
を通常用いる。しかし、指数関数は温度に依存するから
それらの回路の性能には問題がある。従来の指数利得制
御電圧を有するAGC増幅器の基本的な式は次の通りで
ある。
【0004】 VO−VO *=(VI−VI *)(RL/RE)exp〔(q/KT)(VC *−VC)〕 (VO−VO *) =差出力電圧 (VI−VI *) =差入力電圧 (VC−VC *) =差制御電圧 RL =負荷抵抗値 RE =エミッタ抵抗値 K=ボルツマンの定数 T=絶対温度 q=電荷
【0005】この式で温度に対する利得の固有の依存性
(q/KT)を見ることができる。25dB範囲AGC
の利得(VO−VO *)対(VC−VC *)がプロットされる
と、温度変化による利得範囲変化がセ氏0〜127度の
温度変化に対して8.4dBである。
【0006】この利得変化を零にするために、サーミス
タ回路網を用いて温度補償対数−逆対数指数関数増幅器
が構成された。サーミスタは温度に敏感な抵抗であっ
て、適切な温度補償を行うためには特性を調整せねばな
らず、かつ集積回路の外部に設けねばならない。
【0007】従来の別の温度補償手段は、差制御電圧
(VC−VC *)をkT/qに比例させることにより得ら
れる。しかし、実際には、この回路はバイポーラ接合ト
ランジスタにおけるオフセット電圧に敏感である。この
回路は負荷抵抗値RL のマッチングにも敏感である。と
いうのは、負荷抵抗の電圧降下距離が制御電圧差として
見えるからである。更に、この回路には、PTAT(絶
対温度に比例)電流源を必要とするという欠点もある。
【0008】この明細書においては温度補償制御回路に
ついて説明する。本発明を完全に理解できるようにする
ために、以下の説明においては、電圧、導電形等のよう
な特定の事項の詳細について数多く述べてある。しか
し、そのような特定の詳細事項なしに本発明を実施でき
ることが当業者には明らかであろう。その他の場合に
は、本発明を不必要に詳しく説明して本発明をあいまい
にしないようにするために、周知の構成は説明しない。
【0009】従来のAGC増幅器の利得は、指数が比の
値よりなる指数関数により与えられる。ギルバート乗算
器のようなエミッタ結合トランジスタ対を用いることに
よりこの指数関数は得られる。比の分母は温度に依存す
るから利得は温度に依存する結果となる。本発明は、指
数比の分子も同様に温度に依存する結果となるような電
圧制御回路を提供するものである。ギルバート乗算器を
用いる従来のAGC増幅器の一例が図1に示されてい
る。この従来のAGC回路は、第1のエミッタ結合トラ
ンジスタよりなる第1の利得段と、第2のエミッタ結合
トランジスタよりなる第2の利得段とを利用する。図1
に示すように、エミッタ結合トランジスタ対Q1とQ2
は1つの利得段を構成し、エミッタ結合トランジスタ対
Q5とQ6は第2の利得段を構成する。電源電圧VCC
負荷抵抗RL1を介してトランジスタQ5のコレクタへ結
合される。電源電圧VCCは別の負荷抵抗RL2を介してト
ランジスタQ6のコレクタへも結合される。
【0010】トランジスタQ5のベースはトランジスタ
Q1のコレクタと、ダイオード接続されているトランジ
スタQ3のエミッタとへ回路点10で接続される。トラ
ンジスタQ3のベースはトランジスタQ3のコレクタへ
接続されている。トランジスタQ1のベースへは入力電
圧VI が供給される。トランジスタQ1のエミッタはエ
ミッタ抵抗RE1を介して回路点12においてトランジス
タQ7のコレクタへ接続される。トランジスタQ2のエ
ミッタも別のエミッタ抵抗RE2を介して回路点12にお
いてトランジスタQ7のコレクタへ接続される。トラン
ジスタQ7のベースへは入力電圧VC (制御電圧)が供
給される。トランジスタQ7とQ8のエミッタは回路点
14において電流源IT へ接続される。この電流源は接
地される。
【0011】トランジスタQ8のベースへは制御電圧V
C が供給される。トランジスタQ8のコレクタは回路点
11においてトランジスタQ5とQ6とのエミッタへ結
合される。トランジスタQ6のベースはトランジスタQ
2のコレクタへ接続され、かつダイオード接続されてい
るトランジスタQ4のエミッタへ回路点13で接続され
る。出力電圧VO はトランジスタQ6のコレクタから取
り出される。トランジスタQ4のベースはトランジスタ
Q4のコレクタへ結合される。トランジスタQ2のベー
スへは入力電圧VI が供給される。
【0012】エミッタ結合トランジスタ対Q1とQ2、
およびQ5とQ6との電圧利得はコレクタ回路の全抵抗
値とエミッタ回路の全抵抗値との比に等しい。したがっ
て、トランジスタQ1、Q2のコレクタにおける差利得
はほぼ
【数1】 である。 (kTq)/IT =コレクタ抵抗値 RE =エミッタ抵抗値 I1 はエミッタ結合トランジスタ対とトランジスタQ7
を流れる電流である。
【0013】同様に、トランジスタQ5のコレクタとQ
6の故における差利得は、 VO−VO * =(RL)(VA−VA *)(I2/(kT/q)) (2) R=コレクタ抵抗値 (kT/q)/I2 =エミッタ抵抗値 I2 はトランジスタQ5とQ6から流れる全電流であ
る。(1)式を(2)式へ代入すると、
【数2】 となる。
【0014】回路中のギルバート乗算器に関しては、ト
ランジスタQ7とQ8のエミッタ結合トランジスタ対の
ベースにおける差制御電圧の式は、 VC−VC *=(kT/q)ln(I2/I1) (4) この(4)式は次のように表わすこともできる。 I2/I1 = exp〔(q/kT)(VC *−VC)〕 (5) (5)式を(3)式へ代入すると、 VO−VO * =(VI−VI *)(RL/RE)exp〔(q/kT)(VC *−VC )〕
【0015】これは指数項における温度依存係数(q/
kT)のために生ずる指数利得制御問題を持つAGC増
幅器の基本式である。25dB範囲の利得対差制御電圧
C−VC *の温度変化の例が図2のグラフで示されてい
る。利得範囲はセ氏0〜127度の温度変化範囲にわた
って8.4dB変化する。
【0016】従来の温度補償技術の一例が図3に示され
ている。動作時には、図3に示されている回路は図1に
示されている回路へ付加されて、温度補償のために適切
な差制御電圧を供給する。この補償回路は2つのエミッ
タ結合トランジスタ対とPTAT電源で構成されて、必
要な制御電圧出力を供給する。制御電圧VC はトランジ
スタQ5のコレクタから取り出され、VC はトランジス
タQ6のコレクタから取り出される。トランジスタQ5
のコレクタは抵抗RL3を介して電源VCCへ接続される。
トランジスタQ6のコレクタは別の負荷抵抗RL4を介し
て電源VCCへ接続される。トランジスタQ5のベースは
トランジスタQ1のコレクタへ接続されるとともに、回
路点20においてトランジスタQ3のエミッタへ結合さ
れる。トランジスタQ3のベースはトランジスタQ3の
コレクタへ結合される。トランジスタQ1のベースは入
力電圧VB が供給される。トランジスタQ1のコレクタ
はエミッタ抵抗RE3を介して回路点22において電流源
1 へ接続される。トランジスタQ2のエミッタも別の
エミッタ抵抗RE3を介して回路点22において電流源I
1 へ接続される。トランジスタQ2のベースへは入力電
圧VB*が供給される。トランジスタQ2のコレクタはト
ランジスタQ6のベースへ接続され、かつトランジスタ
Q4のエミッタへ回路点23において接続される。トラ
ンジスタQ4のベースはトランジスタQ4のコレクタへ
結合される。
【0017】この従来の回路の役割は差制御電圧VC
C * を温度に依存させ、したがって差出力電圧の式に
おける他の温度係数を打ち消すことである。図3に示さ
れている回路は図1に示されている回路に類似するか
ら、類似の回路解析を採用できる。差制御電圧は
【0018】
【数3】 で与えられる。
【0019】この技術において必要な要素は、I2 =K
(kT/q)であるように電流I2をPTAT電流源に
することである。したがって、
【0020】
【数4】 である。
【0021】この回路においては、(kT/q)項は打
ち消され、その結果として差出力電圧の式において温度
とは独立の指数関数が得られることになる。しかし、こ
の温度補償法の欠点にはトランジスタ対Q3−Q4とQ
5−Q6のオフセット電圧に対してこの回路が敏感であ
ることが含まれる。その理由は、オフセット電圧がトラ
ンジスタQ5、Q6の利得により増幅されるからであ
る。更に、この回路は2つの負荷抵抗RL3、RL4の一致
に非常に敏感である。というのは、2つの負荷抵抗の間
の電圧降下が差制御電圧を構成するからである。したが
って非常に精密な抵抗を使用せねばならない。この従来
の方法の別の欠点は、PTAT電流源を必要とすること
である。したがって、本発明はそれの数値中に温度補償
項を有する電圧制御差を生ずる。それは望ましくない後
処理またはPTAT装置なしで実行される。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、AGC増幅器のための指数利得制御における温
度依存性を補償することである。本発明の別の目的は、
外部装置を用いることなしに温度依存性を補償すること
である。本発明の更に別の目的は、PTAT装置を必要
とするという欠点なしに温度依存性を抑制することであ
る。
【0023】
【課題を解決するための手段】本発明は、AGC(自動
利得制御)増幅器において一定の制御利得を維持するた
めの温度補償制御回路を実現するものである。本発明
は、特殊な、すなわち、標準的でない処理装置構造を用
いることなしに、固有の温度依存性を補償するものであ
る。本発明は、制御電圧差(VC −VC *)を発生させる
ためにn個の直列ダイオードの電圧降下を利用する。直
列結合されているn個のダイオードはエミッタ抵抗を有
するPNPエミッタ結合対トランジスタのコレクタへ結
合される。そのために制御電圧差を温度(nkT/q)
に依存させるが、この依存性はダイオードで形成される
AGC増幅器の指数関数の固有の温度依存性で打ち消さ
れる。このようにして、本発明は部品のマッチング問題
が最少で、PTAT(絶対温度に比例)電流源の必要な
しに温度補償を行うものである。
【0024】
【実施例】本発明の一実施例が図4に示されている。制
御電圧差は、エミッタ結合トランジスタ対のコレクタへ
直列結合されているn個のダイオードの端子間電圧降下
により決定される。それらのトランジスタはPNPトラ
ンジスタである。
【0025】電源VCCは電流源IT を介して回路点11
へ結合される。トランジスタQ20のエミッタが別の抵
抗RE6を介して接続される。トランジスタQ19のベー
スへは入力電圧VBが供給される。制御電圧VCはトラン
ジスタQ19のコレクタから取り出される。直列結合さ
れているn個のダイオードがトランジスタQ19のコレ
クタへ接続される。第1のダイオードの正端子がトラン
ジスタQ19のコレクタへ接続され、最後のダイオード
の負端子が接地される。
【0026】トランジスタQ12のベースへは入力電圧
B *が供給される。制御電圧VC *はトランジスタQ20
のコレクタから取り出される。直列結合されているn個
のダイオードがトランジスタQ20のコレクタへ接続さ
れる。第1のダイオードの正端子がトランジスタQ20
のコレクタへ接続され、最後のダイオードの負端子が接
地される。
【0027】図1に示されているギルバート乗算器に用
いるのに類似する解析を用いると、差制御電圧は次の式
に等しい。 VC −VC * = (nkT/q)In(I1/I2) n=直列結合されているダイオードの数 I1 =トランジスタQ14を流れる電流 I2 =トランジスタQ20を流れる電流 この式は次のように表わすこともできる。
【0028】
【数5】
【0029】理想的には、ΔI/Ir は1よりはるかに
小さくなければならない。これが真である場合には、
【0030】
【数6】
【0031】である。これは2(VB−VB *)/RET
に等しい。したがって、本発明の差制御電圧は
【0032】
【数7】 である。
【0033】この近似の確度はnが大きくなると高くな
る。というのは、ΔI/IT を小さくできるからであ
る。直列結合ダイオードのオフセット電圧の和もnとと
もに直線的に増大する。
【0034】利得の温度補償された変化と差制御電圧の
関係の一例が図5のグラフに示されている。このグラフ
は25dB範囲のAGCとn=2に対して示したもので
ある。nは2に等しいだけであるが、セ氏0〜127度
の温度変化に対する利得の変化が、図4に示されている
補償されていない利得変化(=8.4dB)と比較的小
さいことがこのグラフから明らかである。したがって、
本発明にこの回路を用いると、温度による約26.3%
の利得変化が約10.3%の利得変化に減少した。以
上、指数関数的な利得を有するAGCのためのあまり複
雑でない温度補償回路について説明した。
【図面の簡単な説明】
【図1】ギルバート乗算器を用いて温度補償を行ってい
ないAGC増幅器の回路図である。
【図2】利得対制御電圧の温度補償されていない変化を
示すグラフである。
【図3】従来の温度補償制御回路の回路図である。
【図4】本発明の好適な実施例の温度補償回路の回路図
である。
【図5】利得対制御電圧の温度補償された変化を示すグ
ラフである。
【符号の説明】
Q19、Q20 トランジスタ RE5、RE6 抵抗 IT 電流源 VCC 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−30850(JP,A) 特開 昭61−224607(JP,A) 特開 昭60−81906(JP,A) 特開 平1−317011(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03G 1/00 - 3/34 H03F 1/30

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 各々がエミッタ抵抗を備えた第1のエミ
    ッタ結合トランジスタ対からなる第1の利得段であっ
    て、各々のエミッタ結合トランジスタのコレクタが第2
    のエミッタ結合トランジスタ対からなる第2の利得段
    各々のトランジスタのベースに結合される第1の利得段
    と、各々のトランジスタが、 前記第1の利得段の各トランジ
    スタのエミッタと前記第2の利得段の各トランジスタの
    エミッタへ結合される第3のエミッタ結合トランジスタ
    対から成る第3の利得段と、前記第3の利得段の各トランジスタのベースに接続され
    温度に比例する制御電圧差を供給する第4の利得段であ
    って、それぞれ各ベースに直列接続されるN個のダイオ
    ードからなる第1のダイオードセットと第2のダイオー
    ドセットを備えた第4の利得段と、 を備えることを特徴とする自動利得制御(AGC)回
    路。
  2. 【請求項2】 第1の制御電圧と第2の制御電圧を供給
    する経路を有する自動利得制御(AGC)ブロックと、 このAGC回路の前記2つの経路にそれぞれ接続される
    経路を有する指数関数ブロックと、 この指数関数ブロックのそれぞれの経路に直列接続され
    たN個のダイオードからなる第1のダイオードセットと
    第2のダイオードセットを備えた温度補償ブロックと、 を備えることを特徴とする3つのブロックを有する自動
    利得制御回路。
  3. 【請求項3】 第1の導電形の第1のエミッタ結合トラ
    ンジスタおよび第2の導電形の第2のエミッタ結合トラ
    ンジスタと、 前記第1のエミッタ結合トランジスタへ直列接続された
    N個のダイオードの第1のダイオードセットおよび前記
    第2のエミッタ結合トランジスタへ直列接続されたN個
    のダイオードの第2のダイオードセットと、 を備えることを特徴とするAGC増幅器の温度補償回
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