JP3277338B2 - 回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法 - Google Patents
回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法Info
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Description
された膜の不要部分の除去法に関するもので,LSI、
超LSIなどの高密度集積回路の製造に用いられるフオ
トマスク,LCD基板に対する塗布膜等に係り、特に微
細なパターンを高密度に形成する際に用いられる位相シ
フトマスクブランク及び位相シフトマスクのSOGの塗
布膜に有効である。
の製造に用いられるフオトマスク,LCD基板に対する
塗布膜,特に微細なパターンを高密度に形成する際に用
いられる位相シフトマスクブランク及び位相シフトマス
クの塗布膜は,各種基板上にレジストやSOGの塗布液
を回転塗布によって形成されるが,回転塗布法によって
形成された薄膜は,例えば,角型基板の四隅周辺部や四
辺周辺部の基板外周部分等に基板中央部の膜厚と比べて
厚膜化した領域を生ずる。
応力によって破壊してしまい,この膜の亀裂が基板外周
部分から中央部まで進行したり,膜の破片がその後のプ
ロセスなどで欠陥の発生源になったりする。特に,SO
Gの場合は,基板外周部分の亀裂が中央部までのび易
く,膜厚の制御条件も,例えば,0.4μm±10nm
程度とフオトレジストの±100nmとは許容度が1桁
程度異なっており,発生した厚膜領域は,直ちに除去す
る必要がある。従来,膜の不要部分を除去するため,不
要部分を溶剤に浸漬して除去する方法,不要部分の下部
にはじき材を予め塗布形成し,回転塗布によって形成さ
れた膜の不要部分をはじいて除去する方法,不要部分の
下部に予め熱融解材料を塗布形成し,回転塗布によって
形成された膜の不要部分を加熱によりリフトオフして除
去する方法等が提案されているが,さらに改善が必要と
されている。
マスクブランクや位相シフトマスクで用いられるSOG
のような高精度薄膜について,後続する工程で悪影響を
もたらす,回転塗布によって形成された膜の不要部分
を,簡単な装置で,短時間に,膜の不要部分以外に一切
影響を与えることのなく有効に除去する方法を提供す
る。
布によって形成された膜の不要部分の除去法であって,
溶剤供給ライン端部4aを減圧ライン3の空間内に設け
てなる減圧ライン端部(吸引口)3aを,を基板1の厚
膜化部2bに対し接近させる工程と,減圧ライン3を減
圧して溶剤供給ライン4より溶剤を作用させて厚膜化部
2bを溶解し,溶解した厚膜化部2bを減圧ライン3よ
り吸引する工程を含む,回転塗布によって形成された膜
の不要部分の除去法である。そして,更に,上記工程に
加えて,溶剤の供給を遮断して基材1表面の溶剤を減圧
ライン3より除去する工程を含む回転塗布によって形成
された膜の不要部分の除去法である。本発明は,上記各
回転塗布によって形成された膜が位相シフトマスクまた
は位相シフトマスクブランクに適用されるSOGの膜で
ある場合に特に有効である。
図1は,本発明の原理を説明する概略図であり,回転塗
布によって形成された,薄膜部2aに連続して厚膜化部
2bが設けられた基板1の端部が示される。溶剤容器か
ら溶剤供給ライン4が,減圧ライン3の空間内に延び,
減圧ライン3は減圧ライン端部(吸引部)3aを有す
る。減圧ライン3はトラップを介して真空ポンプに接続
されている。
て示す本発明の工程例を説明する概略図である。図2
(a) は,溶剤供給ライン端部4aを減圧ライン4の空間
内に延長し,減圧ライン端部(吸引口)3aを厚膜化部
2bに対し接近させる工程を示す。減圧ライン3及び溶
剤供給ライン4の内径・材質は,除去したい領域や膜質
によって変更して使用される。また,使用する溶剤は,
回転塗布液の溶媒をはじめとして,厚膜化部2bを溶解
するなかで最適のものを選定して用いる。図2(b) は,
減圧ライン3内の減圧開始状態を示す。
イン端部3aとの間からエアーを吸い込むと同時に,溶
剤供給ライン4より溶剤を噴出させて,厚膜化部2bを
溶解し,溶解した厚膜化部2bを減圧ライン3より吸引
する状態を示し,減圧ライン3内の空間は,大気圧より
も減圧されている。減圧ライン3の減圧効果により,溶
剤等が減圧ライン3外部に漏れることなく,溶解,吸引
は進行する。回収は,図1のように真空ポンプとの間に
トラップを設けて行う。ついで,上記の減圧ライン端部
(吸引口)3aを,除去したい厚膜化部2bに沿って動
かす。ステージ上で基板1を移動させることにより,処
理をより円滑に行うことができる。図2(d) は,溶剤の
供給を弁で遮断した状態を示し,厚膜化部2bの除去さ
れた基板1表面は,減圧ライン3の継続している減圧効
果で,エアーを吸い込み,残った溶剤を乾燥させること
ができる。
スクの製造において,本発明の方法を,SOGの回転塗
布によって形成された膜の不要部分の除去法に応用した
例である。石英基板上にエッチングストッパー層となる
アルミナ膜を形成した。次に,このアルミナ膜上にAc
cuglass−211S(アライド・シグナル社製)
塗布ガラスをスピンコーティングした。
れた膜の不要部分の除去法を行った。溶剤供給ライン端
部4a内径1.5mmのものを減圧ライン3の空間内に
延長し,減圧ライン端部(吸引口)3a内径5mmとし
たものを接近させ,1mm以下のわずかに浮いた程度で
押し当てた。減圧ライン3内の空間は,大気圧−600
mmHg程度に減圧され,その減圧効果により,溶剤
(アセトン)が噴射され,SOGの厚膜化部2bを溶解
した。溶成分及び溶剤等は,減圧ライン3の外部に漏れ
ることなく,減圧ライン端部(吸引口)3aより吸引さ
れ,真空ポンプとの間に設けたトラップ内に回収され
た。減圧ライン端部(吸入口)3aを石英基板の周辺の
厚膜化部2bに沿って移動させながら,上記の作業を連
続して行い,厚膜化部を完全に除去した。ついで,溶剤
供給ライン4の溶剤供給を弁遮断し,厚膜化部2bを除
去した後の,石英基板の表面上の溶剤を,減圧ライン3
より吸い込み乾燥した。その後200℃〜500℃で焼
成し,パターン領域内のみに均一な位相シフター用透明
膜を形成した。
になるように遮光層としてクロム膜をスパッタリング法
により,成膜した。次に,SAL603(シップレイ社
製)レジストを膜厚500nm程度になるように,スピ
ンコーティングした。次に,常法にしたがってアライン
メントを行い,電子線露光装置により,SAL603の
描画を行い,現像,リンスして,SAL603レジスト
パターンを形成した。次に,SAL603レジストパタ
ーンの開口部より露出したクロム膜をCCl4 +O2 ,
CH2 Cl2 +O2 等を用いた反応性プラズマエッチン
グにより除去した。
口部より露出したパターン領域内位相シフター用透明膜
をCF4 ,C2 F6 ,CHF3 ,CHF3 +O2 および
これらの混合ガスを用いたドライエッチングにより除去
し,残存するレジストパターンをを酸素プラズマにより
灰化除去してハーフトーン型位相シフトフォトマスクを
完成した。得られた位相シフトフオトマスクは,SOG
の厚膜化部の亀裂等による悪影響がなかった。
された膜の不要部分の除去にあたり,従来の膜の不要部
分を溶剤に浸漬する方法や溶剤付着の媒体で除去する方
法等に比し,薄膜部に影響を与えることなく,的確迅速
に不要な厚膜化部を除去することができる。とくに,位
相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造工
程において、SOGの厚膜が欠けたり割れたりすること
による欠陥の多発を防止し、製造期間の短期化、低コス
ト化を可能とする。
ある。
Claims (3)
- 【請求項1】 回転塗布によって形成された膜の不要部
分の除去法において,溶剤供給ライン端部(4a)を減
圧ライン(3)の空間内に設けてなる減圧ライン端部
(吸引口)(3a)を,基板(1)の厚膜化部(2b)
に対し接近させる工程と,減圧ライン(3)を減圧して
溶剤供給ライン(4)より溶剤を作用させて厚膜化部
(2b)を溶解し,溶解した厚膜化部(2b)を減圧ラ
イン(3)より吸引する工程とを含む,回転塗布によっ
て形成された膜の不要部分の除去法。 - 【請求項2】 溶剤の供給を遮断して基材(1)表面の
溶剤を減圧ライン(3)より除去する工程を付加した請
求項1記載の回転塗布によって形成された膜の不要部分
の除去法。 - 【請求項3】 回転塗布によって形成された膜の材質が
SOGである請求項1又は2記載の回転塗布によって形
成された膜の不要部分の除去法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2847193A JP3277338B2 (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2847193A JP3277338B2 (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06218321A JPH06218321A (ja) | 1994-08-09 |
JP3277338B2 true JP3277338B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=12249572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2847193A Expired - Lifetime JP3277338B2 (ja) | 1993-01-26 | 1993-01-26 | 回転塗布によって形成された膜の不要部分の除去法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3277338B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW578034B (en) * | 2001-09-28 | 2004-03-01 | Hoya Corp | Method of manufacturing a mask blank and a mask, the mask blank and the mask, and useless film removing method and apparatus |
-
1993
- 1993-01-26 JP JP2847193A patent/JP3277338B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06218321A (ja) | 1994-08-09 |
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