JPH06175350A - 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
位相シフトフォトマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの製造方法Info
- Publication number
- JPH06175350A JPH06175350A JP34998292A JP34998292A JPH06175350A JP H06175350 A JPH06175350 A JP H06175350A JP 34998292 A JP34998292 A JP 34998292A JP 34998292 A JP34998292 A JP 34998292A JP H06175350 A JPH06175350 A JP H06175350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent film
- phase shifter
- phase shift
- shift photomask
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフター用透明膜不要域の位相シフター
用透明膜を，精度高く除去し，除去該当部の位相シフタ
ー用透明膜の亀裂および剥がれによる発塵等を無くし
て，フォトマスク製造工程の欠陥数を大きく軽減させ，
また，劇薬の使用も必要としない安全な位相シフトフォ
トマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの製造方
法を提供する。 【構成】 基板１上で，レジスト層２を形成する工程
と，位相シフター用透明膜３の不要域にエネルギー線Ｅ
を照射，現像して前記不要域にレジストパターン２ｐを
形成する工程と，位相シフター用透明膜３を形成する工
程と，溶剤Ｓを接触させて前記レジストパターン２ｐ上
の位相シフター用透明膜３を除去する工程とを包含する
ことを特徴とする位相シフトフォトマスク及び位相シフ
トフオトマスクブランクの製造方法。
用透明膜を，精度高く除去し，除去該当部の位相シフタ
ー用透明膜の亀裂および剥がれによる発塵等を無くし
て，フォトマスク製造工程の欠陥数を大きく軽減させ，
また，劇薬の使用も必要としない安全な位相シフトフォ
トマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの製造方
法を提供する。 【構成】 基板１上で，レジスト層２を形成する工程
と，位相シフター用透明膜３の不要域にエネルギー線Ｅ
を照射，現像して前記不要域にレジストパターン２ｐを
形成する工程と，位相シフター用透明膜３を形成する工
程と，溶剤Ｓを接触させて前記レジストパターン２ｐ上
の位相シフター用透明膜３を除去する工程とを包含する
ことを特徴とする位相シフトフォトマスク及び位相シフ
トフオトマスクブランクの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，超ＬＳＩ，超々ＬＳＩ
等の超高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスク
の製造方法に係わり，特に，微細なパターンを高密度に
形成する際の位相シフター用透明膜を有する位相シフト
フォトマスクの製造方法に関する。
等の超高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスク
の製造方法に係わり，特に，微細なパターンを高密度に
形成する際の位相シフター用透明膜を有する位相シフト
フォトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，ＩＣ，ＬＳＩ，超ＬＳＩ等の半導
体集積回路は，Ｓｉウェハ等の被加工基板上にレジスト
層を塗布し，ステッパ等により所望のパターンを露光し
た後，現像，エッチングを行ういわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことにより製造されている。このような
リソグラフィー工程に使用されているレチクルと呼ばれ
ているフォトマスクは半導体集積回路の複雑化，高集積
化に伴って益々高密度が要求される傾向にある。
体集積回路は，Ｓｉウェハ等の被加工基板上にレジスト
層を塗布し，ステッパ等により所望のパターンを露光し
た後，現像，エッチングを行ういわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことにより製造されている。このような
リソグラフィー工程に使用されているレチクルと呼ばれ
ているフォトマスクは半導体集積回路の複雑化，高集積
化に伴って益々高密度が要求される傾向にある。
【０００３】そして，これらのレチクルを使用して形成
されるデバイスパターンの線幅は，１ＭビットＤＲＡＭ
で１．２μｍ，４ＭビットＤＲＡＭでは，０．８μｍ，
１６ＭビットＤＲＡＭでは０．５μｍと，益々微細化が
要求されており，このような要求に答えるために，様々
な露光方法が研究されている。ところが，例えば６４Ｍ
ビットＤＲＡＭクラスのデバイスになると，０．３５μ
ｍの線幅のパターンが必要とされ，これまでのレチクル
を用いたステッパ露光方式では，レジストパターンの解
像限界となり，この限界を乗り越えるものとしては，例
えば，特公昭５８−１７３７４４号公報，特公昭６２−
５９２９６号公報に示されているような位相シフトレチ
クルを用いる位相シフトリソグラフィーがある。これ
は，レチクルを透過する光の位相を操作することによっ
て，投影像のコントラストおよび分解能を向上させる技
術である。
されるデバイスパターンの線幅は，１ＭビットＤＲＡＭ
で１．２μｍ，４ＭビットＤＲＡＭでは，０．８μｍ，
１６ＭビットＤＲＡＭでは０．５μｍと，益々微細化が
要求されており，このような要求に答えるために，様々
な露光方法が研究されている。ところが，例えば６４Ｍ
ビットＤＲＡＭクラスのデバイスになると，０．３５μ
ｍの線幅のパターンが必要とされ，これまでのレチクル
を用いたステッパ露光方式では，レジストパターンの解
像限界となり，この限界を乗り越えるものとしては，例
えば，特公昭５８−１７３７４４号公報，特公昭６２−
５９２９６号公報に示されているような位相シフトレチ
クルを用いる位相シフトリソグラフィーがある。これ
は，レチクルを透過する光の位相を操作することによっ
て，投影像のコントラストおよび分解能を向上させる技
術である。
【０００４】これらの位相シフトフォトマスクの種別と
しては，シフター上置きレベンソン型，シフター下置き
レベンソン型，ハーフトーン型等の形式があるが，いず
れも，位相シフトフォトマスクの基板上の必要な層形成
のいずれかの位置に位相シフター用透明膜を形成する工
程が含まれる。
しては，シフター上置きレベンソン型，シフター下置き
レベンソン型，ハーフトーン型等の形式があるが，いず
れも，位相シフトフォトマスクの基板上の必要な層形成
のいずれかの位置に位相シフター用透明膜を形成する工
程が含まれる。
【０００５】この位相シフター用透明膜を形成する一方
法として，ＳＯＧ（塗布型ＳｉＯ2系被膜）を基板の上
面に滴下し，高速回転させ，ＳＯＧに作用する遠心力を
利用して，矩形をなす基板の全面に広げ，その後ＳＯＧ
中の溶剤を蒸発させて乾燥させる。この時，基板の端面
部では，境界条件が異なるためにＳＯＧの盛り上がりが
できており，焼成により，亀裂あるいは剥離を生じ，フ
ォトマスク製造工程におけるゴミの発生源となってい
る。
法として，ＳＯＧ（塗布型ＳｉＯ2系被膜）を基板の上
面に滴下し，高速回転させ，ＳＯＧに作用する遠心力を
利用して，矩形をなす基板の全面に広げ，その後ＳＯＧ
中の溶剤を蒸発させて乾燥させる。この時，基板の端面
部では，境界条件が異なるためにＳＯＧの盛り上がりが
できており，焼成により，亀裂あるいは剥離を生じ，フ
ォトマスク製造工程におけるゴミの発生源となってい
る。
【０００６】また，位相シフター用透明膜形成にスパッ
タ法を使用する場合もあるが，この場合，基板端面部周
囲の面取り加工されている部分まで位相シフター用透明
膜が形成される。面取り面及び端面は面取り加工のため
に微細なマイクロクラックが存在し，下地に対する付着
強度が，基板中央部に比べ弱くなっており，フォトマス
ク作成工程及びフォトマスク使用中において，微細なパ
ーチィクルとなって剥離する現象がある。
タ法を使用する場合もあるが，この場合，基板端面部周
囲の面取り加工されている部分まで位相シフター用透明
膜が形成される。面取り面及び端面は面取り加工のため
に微細なマイクロクラックが存在し，下地に対する付着
強度が，基板中央部に比べ弱くなっており，フォトマス
ク作成工程及びフォトマスク使用中において，微細なパ
ーチィクルとなって剥離する現象がある。
【０００７】そこで，ＳＯＧを塗布する方式では，ＳＯ
Ｇ焼成前に基板端面を有機溶剤をしみこませたウェス等
で拭き取る方法，ＳＯＧ焼成後またはＳＯＧスパッタ方
式ではフッ酸あるいは強アルカリ水溶液を用いて除去す
る方法が一般的に採用されていた。しかし，従来の位相
シフター用透明膜端面のシフター材の除去法において
は，以下のような問題が生じている。有機溶剤をしみこ
ませたウェスで拭き取る方法においては，フォトマスク
一枚一枚を拭き取るが，ウェスの状態を厳密に管理しな
いと，逆に，基板にシフター材の微細なパーチィクルを
付着させるなど品質上，管理上問題が多い。
Ｇ焼成前に基板端面を有機溶剤をしみこませたウェス等
で拭き取る方法，ＳＯＧ焼成後またはＳＯＧスパッタ方
式ではフッ酸あるいは強アルカリ水溶液を用いて除去す
る方法が一般的に採用されていた。しかし，従来の位相
シフター用透明膜端面のシフター材の除去法において
は，以下のような問題が生じている。有機溶剤をしみこ
ませたウェスで拭き取る方法においては，フォトマスク
一枚一枚を拭き取るが，ウェスの状態を厳密に管理しな
いと，逆に，基板にシフター材の微細なパーチィクルを
付着させるなど品質上，管理上問題が多い。
【０００８】つぎに，フッ酸あるいは強アルカリ水溶液
を用いて除去する方法においては，これらの薬品は，周
知のとおり劇薬であり，その取扱が困難である。また，
この方法では，基板をフッ酸あるいは強アルカリ水溶液
に除去したい基板のへりを浸漬するため，その浸漬面よ
り上に水溶液が上がってきたり，水溶液表面の波立ち，
液の劣化などにより，位相シフター用透明膜除去領域が
安定しない欠点があった。
を用いて除去する方法においては，これらの薬品は，周
知のとおり劇薬であり，その取扱が困難である。また，
この方法では，基板をフッ酸あるいは強アルカリ水溶液
に除去したい基板のへりを浸漬するため，その浸漬面よ
り上に水溶液が上がってきたり，水溶液表面の波立ち，
液の劣化などにより，位相シフター用透明膜除去領域が
安定しない欠点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，上記の欠点
を解消し，従来法に比して，位相シフター用透明膜の有
効部分のみを安定して形成でき，異物，ゴミの付着のな
い品質にすぐれ，また，劇薬の使用も必要としない安全
な位相シフトフォトマスク及び位相シフトフオトマスク
ブランクの製造方法を提供する。
を解消し，従来法に比して，位相シフター用透明膜の有
効部分のみを安定して形成でき，異物，ゴミの付着のな
い品質にすぐれ，また，劇薬の使用も必要としない安全
な位相シフトフォトマスク及び位相シフトフオトマスク
ブランクの製造方法を提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は，前記のような
各種の位相シフトフォトマスクの位相シフター用透明膜
３の形成にあたり，基板１上で，レジスト層２を形成す
る工程と，位相シフター用透明膜３の不要域にエネルギ
ー線Ｅを照射，現像して前記不要域にレジストパターン
２ｐを形成する工程と，位相シフター用透明膜３を形成
する工程と，溶剤Ｓを接触させて前記レジストパターン
２ｐ上の位相シフター用透明膜３を除去する工程とを包
含することを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造
方法である。
各種の位相シフトフォトマスクの位相シフター用透明膜
３の形成にあたり，基板１上で，レジスト層２を形成す
る工程と，位相シフター用透明膜３の不要域にエネルギ
ー線Ｅを照射，現像して前記不要域にレジストパターン
２ｐを形成する工程と，位相シフター用透明膜３を形成
する工程と，溶剤Ｓを接触させて前記レジストパターン
２ｐ上の位相シフター用透明膜３を除去する工程とを包
含することを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造
方法である。
【００１１】さらに，本発明は，基板１上で，レジスト
層２を形成する工程と，位相シフター用透明膜３の不要
域にエネルギー線Ｅを照射，現像して前記不要域にレジ
ストパターン２ｐを形成する工程と，位相シフター用透
明膜３を形成する工程と，溶剤Ｓを接触させて前記レジ
ストパターン２ｐ上の位相シフター用透明膜３を除去す
る工程とを包含することを特徴とする位相シフトフォト
マスクブランクの製造方法である。
層２を形成する工程と，位相シフター用透明膜３の不要
域にエネルギー線Ｅを照射，現像して前記不要域にレジ
ストパターン２ｐを形成する工程と，位相シフター用透
明膜３を形成する工程と，溶剤Ｓを接触させて前記レジ
ストパターン２ｐ上の位相シフター用透明膜３を除去す
る工程とを包含することを特徴とする位相シフトフォト
マスクブランクの製造方法である。
【００１２】上記の製造方法は，より具体的には，位相
シフター用透明膜３形成工程において，基板上に光硬化
型もしくは電子線硬化型レジストを塗布し，レジスト層
２の位相シフター用透明膜３不要域を照射（露光）後現
像することにより，レジストパターン２ｐを形成する。
その上に，ＳＯＧを塗布，焼成もしくはシフタ−材をス
パッタして位相シフター用透明膜３を形成した後に，先
に形成したレジストパターン２ｐを溶解する溶液を用い
て，必要域の位相シフター用透明膜３（パターン領域内
位相シフター用透明膜３ｋ）を侵すことなく，不要域の
位相シフター用透明膜３を除去する工程を含む位相シフ
トフォトマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの
製造方法である。
シフター用透明膜３形成工程において，基板上に光硬化
型もしくは電子線硬化型レジストを塗布し，レジスト層
２の位相シフター用透明膜３不要域を照射（露光）後現
像することにより，レジストパターン２ｐを形成する。
その上に，ＳＯＧを塗布，焼成もしくはシフタ−材をス
パッタして位相シフター用透明膜３を形成した後に，先
に形成したレジストパターン２ｐを溶解する溶液を用い
て，必要域の位相シフター用透明膜３（パターン領域内
位相シフター用透明膜３ｋ）を侵すことなく，不要域の
位相シフター用透明膜３を除去する工程を含む位相シフ
トフォトマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの
製造方法である。
【００１３】以下，本発明の位相シフトフォトマスクの
製造方法を図面を参照して説明する。図１は，本発明の
位相シフター用透明膜の形成工程原理を説明する概略断
面図である。まず，図１(a) に示すように，石英等から
なる基板（以下基板という）１に光硬化型等のレジスト
層（一般的な硬化型レジストであれば使用できるが，特
に有機溶剤に溶解もしくは膨潤するものでなければなら
ない。以下レジスト層という）２を形成する。次に，図
１(b) に示すように，端面のみにエネルギー線（レジス
トが感光する光で一般的には紫外線または電子線等照
射，現像によりレジストパターン２ｐを形成可能なもの
が使用される。以下エネルギー線という）Ｅを照射（露
光）する。次に，図１(c) に示すように，通常の現像処
理を行い，端面以外のレジスト層２を除去する。この方
法は，露光法によるものであるため，良好な露光域再現
性が得られる。
製造方法を図面を参照して説明する。図１は，本発明の
位相シフター用透明膜の形成工程原理を説明する概略断
面図である。まず，図１(a) に示すように，石英等から
なる基板（以下基板という）１に光硬化型等のレジスト
層（一般的な硬化型レジストであれば使用できるが，特
に有機溶剤に溶解もしくは膨潤するものでなければなら
ない。以下レジスト層という）２を形成する。次に，図
１(b) に示すように，端面のみにエネルギー線（レジス
トが感光する光で一般的には紫外線または電子線等照
射，現像によりレジストパターン２ｐを形成可能なもの
が使用される。以下エネルギー線という）Ｅを照射（露
光）する。次に，図１(c) に示すように，通常の現像処
理を行い，端面以外のレジスト層２を除去する。この方
法は，露光法によるものであるため，良好な露光域再現
性が得られる。
【００１４】次に，図１(d) に示すように，ＳＯＧを塗
布し焼成する。もしくは，スパッタにより位相シフター
用透明膜３を形成する。次に，図１(e) に示すように，
レジストパターン２ｐが溶解もしくは膨潤する溶液に接
触させる。下層のレジストパターン２ｐの溶解，膨潤に
伴い，その上の位相シフター用透明膜３は除去される。
これにより，図１(f) に示すように，不要域の位相シフ
ター用透明膜３が除去されたパターン領域内位相シフタ
ー用透明膜３ｋを形成する。ここで，レジストパターン
２ｐが完全に溶解しない場合は，プラズマ等による灰化
処理で除去する。
布し焼成する。もしくは，スパッタにより位相シフター
用透明膜３を形成する。次に，図１(e) に示すように，
レジストパターン２ｐが溶解もしくは膨潤する溶液に接
触させる。下層のレジストパターン２ｐの溶解，膨潤に
伴い，その上の位相シフター用透明膜３は除去される。
これにより，図１(f) に示すように，不要域の位相シフ
ター用透明膜３が除去されたパターン領域内位相シフタ
ー用透明膜３ｋを形成する。ここで，レジストパターン
２ｐが完全に溶解しない場合は，プラズマ等による灰化
処理で除去する。
【００１５】図１(f) に示されるパターン領域内位相シ
フター用透明膜３ｋは，位相シフトフォトマスクのタイ
プに応じて，遮光パターン形成前後の必要な工程で作成
し得る。また，その形状，面積は，レジスト層２への露
光領域の範囲によって，任意に選択できる。位相シフト
フオトマスクブランクとしては図１(f) の形態が市場流
通の一般的なものである。
フター用透明膜３ｋは，位相シフトフォトマスクのタイ
プに応じて，遮光パターン形成前後の必要な工程で作成
し得る。また，その形状，面積は，レジスト層２への露
光領域の範囲によって，任意に選択できる。位相シフト
フオトマスクブランクとしては図１(f) の形態が市場流
通の一般的なものである。
【００１６】
【作用】本発明では，上記のように，位相シフター用透
明膜不要域の位相シフター用透明膜を，予め形成した露
光方式による精度の高い不要域のレジストパターンを介
して除去してしまうので，除去該当部の亀裂および剥が
れによる発塵等を無くすことができフォトマスク製造工
程の欠陥数が大きく軽減される。また，劇薬の使用も必
要としない。
明膜不要域の位相シフター用透明膜を，予め形成した露
光方式による精度の高い不要域のレジストパターンを介
して除去してしまうので，除去該当部の亀裂および剥が
れによる発塵等を無くすことができフォトマスク製造工
程の欠陥数が大きく軽減される。また，劇薬の使用も必
要としない。
【００１７】
【実施例】以下は，本発明の方法をシフター上置きレベ
ンソン型位相シフトフォトマスクに適用した場合の実施
例である。先ず，位相シフトフォトマスク用の石英基板
にエッチングストッパー層となるアルミナ膜を形成す
る。次に，このエッチングストッパー層上に遮光層とし
てクロム膜をスパッタリング法により，成膜する。次
に，ＳＡＬ６０３（シップレイ社製）レジストを膜厚５
００ｎｍ程度になるように，スピンコーティングする。
次に，常法にしたがってアラインメントを行い，電子線
露光装置により，ＳＡＬ６０３の描画を行う。現像，リ
ンスして，ＳＡＬ６０３レジストパターンを形成する。
次に，ＳＡＬ６０３レジストパターンの開口部より露出
したクロム膜をＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ，ＣＨ2 Ｃｌ2 ＋Ｏ2 等
を用いた反応性プラズマエッチングにより除去する。次
に，残存するレジストを酸素プラズマにより除去しクロ
ムパターンを得る。
ンソン型位相シフトフォトマスクに適用した場合の実施
例である。先ず，位相シフトフォトマスク用の石英基板
にエッチングストッパー層となるアルミナ膜を形成す
る。次に，このエッチングストッパー層上に遮光層とし
てクロム膜をスパッタリング法により，成膜する。次
に，ＳＡＬ６０３（シップレイ社製）レジストを膜厚５
００ｎｍ程度になるように，スピンコーティングする。
次に，常法にしたがってアラインメントを行い，電子線
露光装置により，ＳＡＬ６０３の描画を行う。現像，リ
ンスして，ＳＡＬ６０３レジストパターンを形成する。
次に，ＳＡＬ６０３レジストパターンの開口部より露出
したクロム膜をＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ，ＣＨ2 Ｃｌ2 ＋Ｏ2 等
を用いた反応性プラズマエッチングにより除去する。次
に，残存するレジストを酸素プラズマにより除去しクロ
ムパターンを得る。
【００１８】次に，クロムパターン上に光硬化型レジス
トとして，東京応化（株）製ＯＭＲを滴下し，高速回転
させ，遠心力を利用して基板全面に広げ，かつ，均一な
レジスト層を形成する。次に，マスクアライナー，ステ
ッパ等を用い，石英基板外周部および周辺部に紫外線
（４３６ｎｍ）を照射する。ついで現像して外周部のレ
ジストパターンを形成する。次に，東京応化（株）製Ｓ
ＯＧ（ＯＣＤ）を滴下して高速回転させ，ＳＯＧを基板
全面に広げ，その後，ＳＯＧ中の溶剤を蒸発させて，乾
燥する。
トとして，東京応化（株）製ＯＭＲを滴下し，高速回転
させ，遠心力を利用して基板全面に広げ，かつ，均一な
レジスト層を形成する。次に，マスクアライナー，ステ
ッパ等を用い，石英基板外周部および周辺部に紫外線
（４３６ｎｍ）を照射する。ついで現像して外周部のレ
ジストパターンを形成する。次に，東京応化（株）製Ｓ
ＯＧ（ＯＣＤ）を滴下して高速回転させ，ＳＯＧを基板
全面に広げ，その後，ＳＯＧ中の溶剤を蒸発させて，乾
燥する。
【００１９】これを焼成することにより，盛り上がった
基板１端面部に亀裂あるいは剥離が生ずる。この状態で
ケトン類の有機溶剤を滴下すると，ＳＯＧの亀裂を伝わ
って，ＳＯＧ下層のレジストパターンに達し，これを溶
解する。この時，基板端面のＳＯＧは中空状態になって
おり，これを有機溶剤滴下と共にスピナーで高速回転さ
せてやれば，端面のＳＯＧは遠心力により除去される。
なお，焼成後のＳＯＧ自体はケトン類の有機溶剤では悪
影響は受けない。なお，シフター上置きレベンソン型位
相シフトフォトマスクのマスクブランクとしては，この
形態で供給可能である。
基板１端面部に亀裂あるいは剥離が生ずる。この状態で
ケトン類の有機溶剤を滴下すると，ＳＯＧの亀裂を伝わ
って，ＳＯＧ下層のレジストパターンに達し，これを溶
解する。この時，基板端面のＳＯＧは中空状態になって
おり，これを有機溶剤滴下と共にスピナーで高速回転さ
せてやれば，端面のＳＯＧは遠心力により除去される。
なお，焼成後のＳＯＧ自体はケトン類の有機溶剤では悪
影響は受けない。なお，シフター上置きレベンソン型位
相シフトフォトマスクのマスクブランクとしては，この
形態で供給可能である。
【００２０】次に，塗布ガラス上にＳＡＬ６０３（シッ
プレイ社製）レジストを膜厚５００ｎｍ程度になるよう
に，スピンコーティングする。次に，常法にしたがって
アラインメントを行い，電子線露光装置により，ＳＡＬ
６０３の描画を行う。現像，リンスして，ＳＡＬ６０３
レジストパターンを形成する。次に，必要に応じて加熱
処理およびデスカム処理を行った後に，ＳＡＬ６０３レ
ジストパターンの開口部より露出したパターン領域内位
相シフター用透明膜をＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ
ＨＦ3 ＋Ｏ2 およびこれらの混合ガスを用いたドライエ
ッチングにより除去し，位相シフターパターンを形成す
る。次に，残存するレジストパターンをを酸素プラズマ
により灰化除去してシフター上置きレベンソン型位相シ
フトフォトマスクを完成する。なお，レジストの除去は
酸素プラズマによるドライエッチングに代えて，レジス
ト専用の剥離液や酸等を用いてウェット方式で行うこと
も可能である。
プレイ社製）レジストを膜厚５００ｎｍ程度になるよう
に，スピンコーティングする。次に，常法にしたがって
アラインメントを行い，電子線露光装置により，ＳＡＬ
６０３の描画を行う。現像，リンスして，ＳＡＬ６０３
レジストパターンを形成する。次に，必要に応じて加熱
処理およびデスカム処理を行った後に，ＳＡＬ６０３レ
ジストパターンの開口部より露出したパターン領域内位
相シフター用透明膜をＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ
ＨＦ3 ＋Ｏ2 およびこれらの混合ガスを用いたドライエ
ッチングにより除去し，位相シフターパターンを形成す
る。次に，残存するレジストパターンをを酸素プラズマ
により灰化除去してシフター上置きレベンソン型位相シ
フトフォトマスクを完成する。なお，レジストの除去は
酸素プラズマによるドライエッチングに代えて，レジス
ト専用の剥離液や酸等を用いてウェット方式で行うこと
も可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明の位相シフトフォトマスク製造方
法を用いれば，位相シフター用透明膜不要域の位相シフ
ター用透明膜を，予め形成した露光方式による精度の高
い不要域のレジストパターンを介して除去してしまうの
で，従来法に比べ非常に良い再現性が得られ，また，除
去該当部の位相シフター用透明膜の亀裂および剥がれに
よる発塵等を無くすことができフォトマスク製造工程の
欠陥数が大きく軽減され品質が安定する。また，従来法
のように，劇薬の使用も必要とせずきわめて容易にかつ
安全に作業が行える。
法を用いれば，位相シフター用透明膜不要域の位相シフ
ター用透明膜を，予め形成した露光方式による精度の高
い不要域のレジストパターンを介して除去してしまうの
で，従来法に比べ非常に良い再現性が得られ，また，除
去該当部の位相シフター用透明膜の亀裂および剥がれに
よる発塵等を無くすことができフォトマスク製造工程の
欠陥数が大きく軽減され品質が安定する。また，従来法
のように，劇薬の使用も必要とせずきわめて容易にかつ
安全に作業が行える。
【図１】本発明の位相シフター用透明膜の形成工程原理
を説明する概略断面図である。
を説明する概略断面図である。
１ 基板 ２ レジスト層 ２ｐ レジストパターン ３ 位相シフター用透明膜 ３ｋ パターン領域内位相シフター用透明膜 Ｅ エネルギー線 Ｓ 溶剤
Claims (2)
- 【請求項１】 位相シフトフォトマスクの位相シフター
用透明膜の形成にあたり，基板（１）上で，レジスト層
（２）を形成する工程と，位相シフター用透明膜（３）
の不要域にエネルギー線（Ｅ）を照射，現像して前記不
要域にレジストパターン（２ｐ）を形成する工程と，位
相シフター用透明膜（３）を形成する工程と，溶剤
（Ｓ）を接触させて前記レジストパターン（２ｐ）上の
位相シフター用透明膜（３）を除去する工程とを包含す
ることを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項２】 基板（１）上で，レジスト層（２）を形
成する工程と，位相シフター用透明膜（３）の不要域に
エネルギー線（Ｅ）を照射，現像して前記不要域にレジ
ストパターン（２ｐ）を形成する工程と，位相シフター
用透明膜（３）を形成する工程と，溶剤（Ｓ）を接触さ
せて前記レジストパターン（２ｐ）上の位相シフター用
透明膜（３）を除去する工程とを包含することを特徴と
する位相シフトフォトマスクブランクの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34998292A JPH06175350A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの製造方法 |
| US08/149,220 US5556724A (en) | 1992-11-10 | 1993-11-09 | Phase shift photomask and method of producing same |
| KR1019930023666A KR970006927B1 (ko) | 1992-11-10 | 1993-11-09 | 위상시프트 포토마스크 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34998292A JPH06175350A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06175350A true JPH06175350A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18407432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34998292A Withdrawn JPH06175350A (ja) | 1992-11-10 | 1992-12-03 | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06175350A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008116615A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Tsukuba Semi Technology:Kk | プラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法及びその装置 |
| CN108957965A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-07 | 上海理工大学 | 一种复合材料相位板的飞秒激光双光子加工与制作方法 |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP34998292A patent/JPH06175350A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008116615A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Tsukuba Semi Technology:Kk | プラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法及びその装置 |
| CN108957965A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-07 | 上海理工大学 | 一种复合材料相位板的飞秒激光双光子加工与制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950008384B1 (ko) | 패턴의 형성방법 | |
| KR100298609B1 (ko) | 위상쉬프트층을갖는포토마스크의제조방법 | |
| JPH06118621A (ja) | 欠陥のないプリントレチクルおよびその製造方法 | |
| JPH10161293A (ja) | フォトマスクの残留欠陥修正方法 | |
| US5556724A (en) | Phase shift photomask and method of producing same | |
| JP3475314B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH06301195A (ja) | 位相シフトフォトマスクの修正方法 | |
| JPH06250376A (ja) | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH06175350A (ja) | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフオトマスクブランクの製造方法 | |
| JPH07335519A (ja) | パタン形成方法 | |
| JP3251665B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法 | |
| KR920009369B1 (ko) | 마스크의 제작방법 | |
| KR20110004075A (ko) | 하드마스크용 원판 및 이를 이용한 하드마스크 제조방법 | |
| JPH10274839A (ja) | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP3861851B2 (ja) | レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3210705B2 (ja) | 位相シフトフォトマスク | |
| JP3241809B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
| JPH0580492A (ja) | 位相シフト層を有するフオトマスクの製造方法 | |
| JP3034096B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの修正方法 | |
| JPH05232678A (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JP3449508B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの作製方法 | |
| JP2544478B2 (ja) | ウエットエッチング方法 | |
| JPH10333318A (ja) | 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 | |
| JP3234995B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクと位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH11297607A (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |