JP2008116615A - プラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、マスク表面のクロムパターンにダメージを与えることなく、マスクの表面及び端面のレジストを剥離洗浄することができるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、ヘリコン波プラズマを発生させる石英ベルジャーを連設した真空チャンバーと、石英ベルジャーに高周波電圧を印加する高周波発振器と、ヘリコン波プラズマを制御する磁界を発生させるために石英ベルジャーの周囲に配置した電磁コイルと、真空チャンバー内に設けた酸素ガス及び水蒸気ガスを導入するための導入口と、真空チャンバーの下部に設けたマスクを載置するためのステージと、石英ベルジャー及び真空チャンバー内を真空にする真空ポンプとからなることを特徴とするプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離装置の構成とした。
【選択図】図１

Description

本発明は、マスク表面のクロムパターンにダメージを与えることなく、マスクの表面及び端面のレジストを剥離洗浄することができるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法に関するものである。

フォトマスクのレジスト洗浄としては、硫酸と過酸化水素と水を使用したＳＰＭ洗浄や、酸素プラズマによるアッシングなどの方法により、マスクの表面及び端面のレジストを剥離している。

特許文献１に記載されているように、高い密度を持つプラズマを発生させることにより高い真空度で、効率的にプラズマドーピングを実現する発明も公開されている。
特開２００２−１７０７８２号公報

しかしながら、ＳＰＭ洗浄では、マスク表面に硫酸基が残留するため、フォトマスク露光装置で波長が１９３ｎｍのフッ化アルゴンレーザーエキシマ光を照射した際に、雰囲気中の微粒成分と反応してマスク表面に曇りが生じ、回路パターンを正確に解像できないことがある。

また、酸素プラズマによるアッシングでは、レジストを剥離した部分のクロムパターンにもダメージを与えてしまい、マスク表面の反射率を劣化させてしまう。尚、ＳＰＭ洗浄についても、マスクの洗浄回数が多くなるとクロムパターンを酸化させて反射率変動を引き起こす可能性が高い。

そこで、本発明は、マスク表面のクロムパターンにダメージを与えることなく、マスクの表面及び端面のレジストを剥離洗浄することができるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法を提供することを目的とするものである。

本発明は、上記の課題を解決するために、ヘリコン波プラズマを発生させる石英ベルジャー２を連設した真空チャンバー４と、前記石英ベルジャー２に高周波電圧を印加する高周波発振器１０と、ヘリコン波プラズマを制御する磁界を発生させるために前記石英ベルジャー２の周囲に配置した電磁コイル３と、前記真空チャンバー４内に設けた酸素ガスを導入するための酸素導入口５と、前記真空チャンバー４内に設けた水蒸気ガスを導入するための水蒸気導入口６と、前記真空チャンバー４の下部に設けたマスク９を載置するためのステージ８と、マスク９を前記ステージ８から浮かせて保持するためのピックアップピン機構８ｂを備えたマスクホルダー８ａと、ゲートバルブ７ａを開閉してマスク９を前記ステージ８に置いたり取り出したりするマスク投入口７と、前記石英ベルジャー２及び真空チャンバー４内を真空にする真空ポンプ１２とからなり、ヘリコン波プラズマによりマスク９の表面及び端面に付着したレジストを洗浄することを特徴とするプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離装置１の構成とした。

本発明は、酸素及び水蒸気を用いたプラズマによるアッシングで行うことにより、マスクの表面及び端面のレジストを効率良く剥離できる上に、マスク表面の反射率変動値を検出限界以下に抑えることができる。

本発明は、マスク表面のクロムパターンにダメージを与えることなく、マスクの表面及び端面のレジストを剥離洗浄するという目的を、ヘリコン波プラズマを発生させる石英ベルジャーを連設した真空チャンバーと、前記石英ベルジャーに高周波電圧を印加する高周波発振器と、ヘリコン波プラズマを制御する磁界を発生させるために前記石英ベルジャーの周囲に配置した電磁コイルと、前記真空チャンバー内に設けた酸素ガスを導入するための酸素導入口と、前記真空チャンバー内に設けた水蒸気ガスを導入するための水蒸気導入口と、前記真空チャンバーの下部に設けたマスクを載置するためのステージと、マスクを前記ステージから浮かせて保持するためのピックアップピン機構を備えたマスクホルダーと、ゲートバルブを開閉してマスクを前記ステージに置いたり取り出したりするマスク投入口と、前記石英ベルジャー及び真空チャンバー内を真空にする真空ポンプとからなり、ヘリコン波プラズマによりマスクの表面及び端面に付着したレジストを洗浄することを特徴とするプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離装置により実現した。

以下に、添付図面に基づいて、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法について詳細に説明する。

図１は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法におけるレジスト剥離装置の正面を一部カットした斜視図であり、図２は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法におけるレジスト剥離装置の断面図である。

レジスト剥離装置１は、石英ベルジャー２、電磁コイル３、真空チャンバー４、酸素導入口５、水蒸気導入口６、マスク投入口７、ステージ８、高周波発振器１０、マッチングボックス１１、及び真空ポンプ１２等からなり、マスク９の表面及び端面に付着したレジストを洗浄する装置である。

石英ベルジャー２は、プラズマ発生部である。直径が１００ｍｍの円筒状の容器で、上面は球状に閉じており、下面は真空チャンバー４の上面中央に密閉状態となるように連設される。

電磁コイル３は、石英ベルジャー２の周りを囲むように設置された環状の電磁石である。直流電源３ａから電流を供給することにより、プラズマソース中に軸方向に平行な磁界を発生させる。

真空チャンバー４は、プラズマを拡散させるための円筒状の部屋である。アルミ製であり、電子が壁面に接触してもエネルギーを失わないように、永久磁石４ａを並べて表面磁場を発生させる。

酸素導入口５は、真空チャンバー４内に酸素ガスを供給するノズルである。プラズマ発生部に近い真空チャンバー４の上部に設置することにより、酸素プラズマを多量に発生させることができる。

水蒸気導入口６は、真空チャンバー４内に水蒸気ガスを供給するノズルである。マスク９に近い真空チャンバー４の下部に設置することにより、クロムパターンへのダメージを抑制することができる。

マスク投入口７は、マスク９を外部から真空チャンバー４内に入れる、又は、マスク９を真空チャンバー４内から外部へ出すための出入口であり、ゲートバルブ７ａにより開閉する。

ステージ８は、真空チャンバー４の下部に設けられたマスク９を載せるための台である。マスク９を固定するマスクホルダー８ａは、ステージ８から１〜２ｍｍ浮かせて保持するためのピックアップピン機構８ｂを有する。

マスク９は、透明な石英板にクロムでパターンを形成したものであり、ウエハに回路パターンを転写する際に使用する。処理後に付着したレジストを剥離するが、クロムパターンを傷付けないように保護する必要がある。

高周波発振器１０は、プラズマを発生させるためのＲＦ電源である。石英ベルジャー２の周囲に装着されたアンテナ１０ａに、電源周波数が１３．５６ＭＨｚの電波を無線で飛ばす。

マッチングボックス１１は、ＲＦ電源をプラズマに供給するためのインピーダンス変換器である。電磁波エネルギーを石英ベルジャー２内に伝達する際に、最大の効率で送れるように調整する。

真空ポンプ１２は、石英ベルジャー２及び真空チャンバー４内を減圧する装置である。真空チャンバー４の下面と真空ポンプ１２との間を繋ぐ真空配管１２ａに圧力調整バルブ１２ｂを設けて、真空度を調整する。

図３は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法の流れを示すフローチャートである。

マスクレジスト剥離方法１ａは、マスク載置１３、ゲートバルブ閉１３ａ、真空化１３ｂ、ガス導入１３ｃ、ヘリコン波プラズマ発生１３ｄ、レジスト剥離１３ｅ、プラズマ停止１３ｆ、真空解除１３ｇ、ゲートバルブ開１３ｈ、及びマスク取出し１３ｉ等の手順からなる。

尚、初期状態としては、マスク投入口７は開いており、ステージ８にマスク９は載置されていない状態である。また、酸素導入口５及び水蒸気導入口６からガスの供給はされておらず、真空ポンプ１２は停止しており、電磁コイル３の直流電源３ａ及び高周波発振器１０の電源は停止した状態である。

マスク載置１３は、マスク９をマスク投入口７から真空チャンバー４内に入れ、ステージ８の上に載せる。尚、マスク９の裏面が傷付いたり、汚れが付いて透過性が損なわれないように、ピン状のマスクホルダー８ａによりステージ８から浮かして固定する。

ゲートバルブ閉１３ａは、マスク投入口７のゲートバルブ７ａを閉じて、真空チャンバー４と外部との間で気体等の通過を遮断し、石英ベルジャー２及び真空チャンバー４を密閉化する。

真空化１３ｂは、真空ポンプ１２を作動させると共に、圧力調整バルブ１４ｂを調整することにより、石英ベルジャー２及び真空チャンバー４内を減圧して、真空に近い低圧状態にする。

ガス導入１３ｃは、酸素導入口５から真空チャンバー４内への酸素ガスを供給し、水蒸気導入口６から真空チャンバー４への水蒸気ガスを供給する。尚、酸素ガスと水蒸気ガスの比率を調整しながら注入する。

ヘリコン波プラズマ発生１３ｄは、直流電源３ａから電磁コイル３に電流を供給して石英ベルジャー２内に磁界を生じさせ、高周波発振器１０からアンテナにＲＦ電源を供給して石英ベルジャー２内にプラズマを発生させる。

一般にカットオフ周波数以下の電磁波はプラズマ中を伝搬できないが、磁界が存在すると荷電粒子は磁力線の周りを旋回するようになるため、磁力線を横切る成分は制限され、カットオフ周波数以下の電磁波もプラズマ中に侵入できるようになる。この電磁波は右回りの螺旋状の円偏波であり、ヘリコン波と呼ばれる。

ヘリコン波の縦波において、波動の位相速度と電子の熱速度が近いとき、相互作用が大きくなり、衝突を起こさずに効率良く波から電子へエネルギーが与えられるランダウ減衰と呼ばれる現象が起こり、ヘリコン波による高密度プラズマが生成される。

レジスト剥離１３ｅは、酸素プラズマによりマスク９の表面及び端面に付着したレジストを分解除去する。尚、酸化クロム界面においては、水蒸気雰囲気により、酸素プラズマがクロムをスパッターして反射率を劣化させるのを防止する。

プラズマの電位、電子密度又は電子温度に不均一があると、ウエハやマスク９等の基板に流入する電子電流とイオン電流が均等でなくなり、酸化膜の上部に多量の電荷が蓄積されてチャージアップが発生する。

ヘリコン波プラズマにより均一で高密度なプラズマを発生させると共に、プラズマ発生部とマスク９との距離を最適化することにより、マスク９基板の材料である酸化クロムやクロム膜質に対するプラズマによるダメージを抑えつつ、高いアッシングレートを確保することができる。尚、プラズマ発生部である石英ベルジャー２とマスク９との距離は、３００から５００ｍｍの間で調整する。

また、低温処理を実現するために、プラズマの発生又は停止を切り替えたり、高い状態又は低い状態を切り替えたり、状況に応じて制御することにより、マスク９の表面のプラズマダメージを防ぐこともできる。

プラズマ停止１３ｆは、マスク９からレジストが剥離されたら、高周波発振器１０及び電磁コイル３などの電源を止めて、プラズマの発生を停止する。真空解除１３ｇは、圧力調整バルブ１４ｂを調整して、石英ベルジャー２及び真空チャンバー４内の圧力を大気圧に戻す。

ゲートバルブ開１３ｈは、真空チャンバー４の内外の圧力が等しくなったら、マスク投入口７のゲートバルブ７ａを開く。マスク取出し１３ｉは、真空チャンバー４の中から洗浄済みのマスク９をマスク投入口７を通して取り出す。

本発明は、枚葉式であり、１枚のマスク９を洗浄したら取り出して、次のマスク９を投入して洗浄する。均一なガスの分布を維持し、ダメージ抑制のために高速処理するには、多数枚処理できるバレル型よりも、枚葉式が好ましい。

図４は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法によるレジスト剥離レートを評価する条件を示した図であり、図５は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法によるレジスト剥離レートを評価した結果を示す表である。

マスクレジスト剥離方法１ａにおいて、触針式段差膜厚測定器を用いてレジスト剥離レートを測定する。マスク９としてＣｒブランクを使用し、図４に示すように、マスク９上に１３個の測定位置１４を設定する。

尚、条件として、レジストはＮＥＢ２２Ａ、ＲＦ電源は２０００Ｗ、圧力は３０ｍＴｏｒｒ、酸素ガスの流量は１００ｓｃｃｍ、水蒸気ガスの流量は６５ｓｃｃｍ、ステージの設定温度は１２０℃、処理時間は１分とした。

マスク９上の１３個の測定位置１４について、処理前のイニシャル膜厚、１分間処理した後の処理後膜厚、及びその差、即ち１分間に剥離された膜厚である剥離レート膜厚を、図５に示す。

測定位置１４全体の平均レートは７０８．１Å／ｍｉｎであり、マスク９の中心部の平均レートは８０５Å／ｍｉｎであり、マスク９の外周部の平均レートは６５０Å／ｍｉｎであった。

剥離レート膜厚の均一性は±２５．１％であったが、目標値である±１０％以内であることが望ましい。

図６は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法による反射率変動を評価する条件を示した図であり、図７は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法による反射率変動を評価した結果を示す表である。

マスクレジスト剥離方法１ａにおいて、反射率測定器を用いて反射率変動量を測定する。マスク９として洗浄後のＣｒブランクを使用し、図６に示すように、マスク９上に３個の測定地位１４ａを設定する。

尚、条件として、ＲＦ電源は２０００Ｗ、圧力は３０ｍＴｏｒｒ、酸素ガスの流量は１００ｓｃｃｍ、水蒸気ガスの流量は６５ｓｃｃｍ、ステージの設定温度は１２０℃、処理時間は６０分とした。

マスク９上の３個の測定位置１４ａについて、光源の波長を変えて測定した反射率変動量を、図７の上段に示す。

波長を４８８ｎｍとした場合の変動量の平均は−０．２４０％、波長を３６５ｎｍとした場合の変動量の平均は−０．４４８％、波長を２４８ｎｍとした場合の変動量の平均は−０．１６５％であった。

従来の酸素プラズマのみで洗浄する場合と比較する。Ｃｒブランクについて、酸素アッシャー１５後に測定した反射率変動量を、図７の下段に示す。尚、処理時間は３０分とした。

酸素アッシャー１５の場合では、どの波長においても反射率変動量が非常に大きいのに比べ、本発明であるマスクレジスト剥離方法１ａの場合では、どの波長においても反射率変動量がかなり小さい。

本発明は、酸素プラズマによるドライアッシングであっても、水蒸気ガスを導入することにより、反射率の変動量はほとんどなくなり、マスク９上のクロムへのダメージがないことが分かる。

図８は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法によるレジスト剥離レートと反射率変動を比較した表である。

マスクレジスト剥離方法１ａの条件としては、ＲＦ電源は２０００Ｗ、圧力は３０ｍＴｏｒｒ、酸素ガスの流量は１００ｓｃｃｍ、水蒸気ガスの流量は６５ｓｃｃｍ、ステージの設定温度は１２０℃、処理時間は６０分とした。

従来の酸素アッシャー１５の条件としては、ＲＦ電源は２０００Ｗ、圧力は３０ｍＴｏｒｒ、酸素ガスの流量は１６５ｓｃｃｍ、水蒸気ガスの流量は０ｓｃｃｍ、ステージの設定温度は１２０℃、処理時間は３０分とした。

レジスト剥離レートについては、マスクレジスト剥離方法１ａの場合は７０８．１Å／ｍｉｎ、酸素アッシャー１５の場合は５７３．１Å／ｍｉｎであり、マスクレジスト剥離方法１ａの方が勝っていた。

反射率変動率については、マスクレジスト剥離方法１ａの場合、波長が４８８ｎｍで−０．２４０％、波長が３６５ｎｍで−０．４４８％、波長が２４８ｎｍで−０．１６５％であり、クロムの劣化はない。尚、反射率変動率の規格である２．０％以下を十分に満たすものである。

それに対して、酸素アッシャー１５の場合、波長が４８８ｎｍで４４．１７％、波長が３６５ｎｍで３９．６６％、波長が２４８ｎｍで１９．８４％であり、処理時間が半分にもかかわらずクロムがかなり劣化している。

図９は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法のガス比依存性を示したグラフである。ガス比を変えて、レジストを剥離した深さであるレジスト剥離量１６（左縦軸）とマスク９等の基板温度１６ａ（右縦軸）を示す。

尚、条件として、ＲＦ電源は２０００Ｗ、圧力は３０ｍＴｏｒｒ、ステージの設定温度は１２０℃、酸素ガスの流量は１００、１２０、１４０、及び１６５ｓｃｃｍ、水蒸気ガスの流量は６５、４５、２５、及び０ｓｃｃｍ、電磁コイルの入力及び出力電流は４０Ａ、処理時間は１２０秒とした。

マスクレジスト剥離方法１ａにおいて、基板温度１６ａについては、ガス比が変わってもほとんど変わらず、１３０〜１５０℃である。

レジスト剥離量１６については、酸素が１００で水蒸気が６５のときは約２６００Å、酸素が１２０で水蒸気が４５のときは約３３００Å、酸素が１４０で水蒸気が２５のときは約３７００Å、酸素が１６５で水蒸気が０のときは約２９００Åである。

酸素ガスの流量が１４０ｓｃｃｍ、水蒸気ガスの流量が２５ｓｃｃｍのとき、即ち、水蒸気ガスの流量の割合が全体の流量に対して１５．１％のときに、レジスト剥離量１６が最も良くなる。

図１０は、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法の低圧領域差によるアッシングレートの真空度の依存性を示したグラフである。尚、条件として、全体の流量率は１６５ｓｃｃｍ／ｍｉｎ、ＲＦ電源は２０００Ｗとした。

図１０において、符号１７、１７ａ及び１７ｂの実線曲線がレジスト剥離レート（左縦軸）を示し、符号１７ｃ、１７ｄ及び１７ｅの点線曲線が反射率変動（右縦軸）を示す。また、符号１７及び１７ｃは、圧力が１０ｍＴｏｒｒの場合、符号１７ａ及び１７ｄは、圧力が３０ｍＴｏｒｒの場合、符号１７ｂ及び１７ｅは、圧力が４０ｍＴｏｒｒの場合を示す。

マスクレジスト剥離方法１ａにおいて、レジスト剥離レートは、圧力が４０ｍＴｏｒｒの場合より３０ｍＴｏｒｒの場合の方が、３０ｍＴｏｒｒの場合より１０ｍＴｏｒｒの場合の方が良い。

これは、低圧領域の方が、気体分子が他の気体分子に一度衝突してから次に衝突するまでの飛行距離である平均自由行程が長くなるため、レジスト剥離レートが改善されるためである。

また、水蒸気ガス分圧が高いとレジスト剥離レートが抑えられるが、水蒸気ガス分圧が下がり、酸素ガス分圧が上がってくるとレジスト剥離レートが上がる。尚、水蒸気ガス分圧は、酸素及び水蒸気の圧力全体に対する水蒸気のみの圧力を意味する。

反面、酸素ガス分圧が上がると、マスク９上のクロムへのダメージが増え、反射率変動が生じてくる。尚、圧力が低いと平均自由行程が長くなるため、反射率変動も生じやすくなる。

４０ｍＴｏｒｒの場合では、水蒸気ガス分圧が約５％以下になると反射率変動が始まることが分かり、３０ｍＴｏｒｒの場合では、水蒸気ガス分圧が約１０％以下になると反射率変動が始まることが分かり、１０ｍＴｏｒｒの場合では、水蒸気ガス分圧が約１５％以下になると反射率変動が始まることが分かる。

即ち、圧力が高くなると反射率変動が少なくなるが、レジスト剥離レートも下がる。尚、圧力が１０ｍＴｏｒｒでも水蒸気ガス分圧が１５％以上で行えば、マスク９表面の酸化クロムの反射率変動を抑えつつ、レジストを剥離することができる。また、高速でアッシングしてオーバーアッシングしたとしても反射率変動は起こらない。

以上のように、本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法は、酸素及び水蒸気を用いたプラズマによるアッシングで行うことにより、マスクの表面及び端面のレジストを効率良く剥離できる上に、マスク表面の反射率変動値を検出限界以下に抑えることができる。

本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法の流れを示すフローチャートである。 本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法におけるレジスト剥離装置の正面を一部カットした斜視図である。 本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法におけるレジスト剥離装置の断面図である。 本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法によるレジスト剥離レートを評価する条件を示した図である。 本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法によるレジスト剥離レートを評価した結果を示す表である。 本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法による反射率変動を評価する条件を示した図である。 本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法による反射率変動を評価した結果を示す表である。 本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法によるレジスト剥離レートと反射率変動を比較した表である。 本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法のガス比依存性を示したグラフである。 本発明であるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法の低圧領域差によるアッシングレートの真空度の依存性を示したグラフである。

符号の説明

１ レジスト剥離装置
１ａ レジスト剥離方法
２ 石英ベルジャー
３ 電磁コイル
３ａ 直流電源
４ 真空チャンバー
４ａ 永久磁石
５ 酸素導入口
６ 水蒸気導入口
７ マスク投入口
７ａ ゲートバルブ
８ ステージ
８ａ マスクホルダー
８ｂ ピックアップピン機構
９ マスク
１０ 高周波発振器
１０ａ アンテナ
１１ マッチングボックス
１２ 真空ポンプ
１２ａ 真空配管
１２ｂ 圧力調整バルブ
１３ マスク載置
１３ａ ゲートバルブ閉
１３ｂ 真空化
１３ｃ ガス導入
１３ｄ ヘリコン波プラズマ発生
１３ｅ レジスト剥離
１３ｆ プラズマ停止
１３ｇ 真空解除
１３ｈ ゲートバルブ開
１３ｉ マスク取出し
１４ 測定位置
１４ａ 測定位置
１５ 酸素アッシャー
１６ レジスト剥離量
１６ａ 基板温度
１７ １０ｍＴｏｒｒでのレジスト剥離レート
１７ａ ３０ｍＴｏｒｒでのレジスト剥離レート
１７ｂ ４０ｍＴｏｒｒでのレジスト剥離レート
１７ｃ １０ｍＴｏｒｒでの反射率変動
１７ｄ ３０ｍＴｏｒｒでの反射率変動
１７ｅ ４０ｍＴｏｒｒでの反射率変動

Claims (5)

1. ヘリコン波プラズマを発生させる石英ベルジャーを連設した真空チャンバーと、前記石英ベルジャーに高周波電圧を印加する高周波発振器と、ヘリコン波プラズマを制御する磁界を発生させるために前記石英ベルジャーの周囲に配置した電磁コイルと、前記真空チャンバー内に設けた酸素ガスを導入するための酸素導入口と、前記真空チャンバー内に設けた水蒸気ガスを導入するための水蒸気導入口と、前記真空チャンバーの下部に設けたマスクを載置するためのステージと、マスクを前記ステージから浮かせて保持するためのピックアップピン機構を備えたマスクホルダーと、ゲートバルブを開閉してマスクを前記ステージに置いたり取り出したりするマスク投入口と、前記石英ベルジャー及び真空チャンバー内を真空にする真空ポンプとからなり、ヘリコン波プラズマによりマスクの表面及び端面に付着したレジストを洗浄することを特徴とするプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離装置。
2. 真空チャンバー内のステージにマスクを載せ、マスク投入口を閉じた後に、真空ポンプを利用して石英ベルジャー及び真空チャンバー内を低圧化し、酸素導入口から酸素ガスを導入及び水蒸気導入口から水蒸気ガスを導入しながら、電磁コイルに電流を流して石英ベルジャー内に磁界を発生させた状態で、高周波発振器で石英ベルジャー内に高周波電圧を印加してヘリコン波プラズマを発生させることにより、マスクの表面及び端面に付着したレジストを洗浄することを特徴とするプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法。
3. 酸素導入口を石英ベルジャーに近い真空チャンバーの上部に設置し、水蒸気導入口をマスクに近い真空チャンバーの下部に設置することにより、マスクの表面及び端面にヘリコン波プラズマを多量に発生させつつ、クロム界面では水蒸気によりエッチングレートを制御することを特徴とする請求項２に記載のプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法。
4. 真空チャンバー内の圧力を３０ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは１０ｍＴｏｒｒに低圧化することによりアッシングレートを早くし、水蒸気の分圧比を１５％以上とすることによりマスク表面のクロムの反射率変動を抑えることを特徴とする請求項２又は３に記載のプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法。
5. 石英ベルジャーとマスクとの距離を３００から５００ｍｍに設定し、マスク表面のクロムへのダメージを抑えたことを特徴とする請求項２乃至４に記載のプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法。

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