JP2000150483A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2000150483A JP2000150483A JP10324888A JP32488898A JP2000150483A JP 2000150483 A JP2000150483 A JP 2000150483A JP 10324888 A JP10324888 A JP 10324888A JP 32488898 A JP32488898 A JP 32488898A JP 2000150483 A JP2000150483 A JP 2000150483A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオン注入後のフォトレジストの除去やエッ
チング後のポリマー化したフォトレジストの除去に最適
な、アッシング装置におけるプラズマ制御手段、特にイ
オン注入後のフォトレジストの除去等における必須の処
理を、効率的且つ確実に行なうことのできるプラズマ処
理装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、アッシング、エッチングの為
の主たる活性種を生成するソースプラズマ生成用高周波
ラインとこれによるソースプラズマを引き込む為の高周
波バイアス印加ラインとを有し、ソースプラズマ生成用
高周波ラインには、パルス信号をＨＩ／ＬＯＷ出力可能
な高周波発振器が接続され、バイアス印加ラインにもパ
ルス信号をＯＮ／ＯＦＦ出力可能な高周波発振器が接続
され、さらに、バイアス印加電極の電位を任意設定可能
な機構を持つプラズマ処理装置である。
チング後のポリマー化したフォトレジストの除去に最適
な、アッシング装置におけるプラズマ制御手段、特にイ
オン注入後のフォトレジストの除去等における必須の処
理を、効率的且つ確実に行なうことのできるプラズマ処
理装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、アッシング、エッチングの為
の主たる活性種を生成するソースプラズマ生成用高周波
ラインとこれによるソースプラズマを引き込む為の高周
波バイアス印加ラインとを有し、ソースプラズマ生成用
高周波ラインには、パルス信号をＨＩ／ＬＯＷ出力可能
な高周波発振器が接続され、バイアス印加ラインにもパ
ルス信号をＯＮ／ＯＦＦ出力可能な高周波発振器が接続
され、さらに、バイアス印加電極の電位を任意設定可能
な機構を持つプラズマ処理装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを用いたアッ
シング、エッチングのためのプラズマ処理装置に関し、
特に、イオン注入後のフォトレジストの除去や物理的反
応による処理が有効なエッチング後のポリマー化したフ
ォトレジストの除去に用いる、アッシング装置に関す
る。
シング、エッチングのためのプラズマ処理装置に関し、
特に、イオン注入後のフォトレジストの除去や物理的反
応による処理が有効なエッチング後のポリマー化したフ
ォトレジストの除去に用いる、アッシング装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来公知のプラズマ処理装置、特にエッ
チング装置においては、例えば特開平７−１４２４５３
号公報、特開平７−１９３０４９号公報に記載の様に、
パルス信号による高周波出力のＯＮ／ＯＦＦ制御手段
が、ソースプラズマ生成ラインもしくは高周波バイアス
印加ラインのどちらか一方に接続されていた。
チング装置においては、例えば特開平７−１４２４５３
号公報、特開平７−１９３０４９号公報に記載の様に、
パルス信号による高周波出力のＯＮ／ＯＦＦ制御手段
が、ソースプラズマ生成ラインもしくは高周波バイアス
印加ラインのどちらか一方に接続されていた。
【０００３】また、これら公知のパルス信号による高周
波出力制御手段においては、ＯＦＦ時の出力は"０"とす
るものであるため、ＯＦＦ時間を長く設定するとプラズ
マが消失する欠点があった。さらに、この様な装置にお
いては、バイアス電極の電位はアース電位であり、出力
時以外は"０Ｖ"であった。
波出力制御手段においては、ＯＦＦ時の出力は"０"とす
るものであるため、ＯＦＦ時間を長く設定するとプラズ
マが消失する欠点があった。さらに、この様な装置にお
いては、バイアス電極の電位はアース電位であり、出力
時以外は"０Ｖ"であった。
【０００４】一方、従来公知のプラズマ処理装置におい
て、特にアッシング手段について検討すると、イオン注
入された後のフォトレジストは、特開平７−８６１４６
号公報で明らかな様に、イオン注入により硬化したレジ
スト層、硬化していないレジスト層、更にイオン注入装
置によって異なるがアルミナ層が存在するとされてい
る。そして、これを除去する方法、装置は様々論じられ
てきたが、ウエハーの量産効率を考慮した場合、２ステ
ップ等のアッシングを行うより、単一ステップによる除
去が最も望まれることは言うまでもない。
て、特にアッシング手段について検討すると、イオン注
入された後のフォトレジストは、特開平７−８６１４６
号公報で明らかな様に、イオン注入により硬化したレジ
スト層、硬化していないレジスト層、更にイオン注入装
置によって異なるがアルミナ層が存在するとされてい
る。そして、これを除去する方法、装置は様々論じられ
てきたが、ウエハーの量産効率を考慮した場合、２ステ
ップ等のアッシングを行うより、単一ステップによる除
去が最も望まれることは言うまでもない。
【０００５】また、プラズマ処理装置におけるウエハー
の製造工程を考えた場合、イオン注入後には熱拡散前の
洗浄工程が必ず実施されることにより、その洗浄によっ
て残渣が容易に除去できるのであれば、あえてアッシン
グ装置に過度の機能を持たせる必要はないとも言われて
いる。
の製造工程を考えた場合、イオン注入後には熱拡散前の
洗浄工程が必ず実施されることにより、その洗浄によっ
て残渣が容易に除去できるのであれば、あえてアッシン
グ装置に過度の機能を持たせる必要はないとも言われて
いる。
【０００６】しかしながら、イオン注入後のフォトレジ
ストを残渣及びパーティクルの付着を最小限にし、熱拡
散前の洗浄で容易に除去する為には、次の処理は必須で
ある。 プラズマ中のイオンによる物理的反応を利用して、硬
化層の除去を行なうこと。 反応中の基板温度を低く保つことによって、レジスト
の爆発を防止し、パーティクルの付着を回避すること。 酸化膜の静電破壊防止、チャージアップ防止等の低ダ
メージ化を計ること。 そして、これらの処理は、表面がポリマー化したエッチ
ング後のフォトレジストの除去にも有効である。
ストを残渣及びパーティクルの付着を最小限にし、熱拡
散前の洗浄で容易に除去する為には、次の処理は必須で
ある。 プラズマ中のイオンによる物理的反応を利用して、硬
化層の除去を行なうこと。 反応中の基板温度を低く保つことによって、レジスト
の爆発を防止し、パーティクルの付着を回避すること。 酸化膜の静電破壊防止、チャージアップ防止等の低ダ
メージ化を計ること。 そして、これらの処理は、表面がポリマー化したエッチ
ング後のフォトレジストの除去にも有効である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来公知のプラズ
マエッチング装置にあっては、ソースプラズマの維持の
為に、制御信号であるパルスのＯＮ時間、ＯＦＦ時間の
設定が広範囲に行えない欠点があった。また、ソースプ
ラズマの高周波周波数と高周波バイアスの周波数が同一
の場合、高周波の相互干渉の為、バイアス印加時にプラ
ズママッチングが取りづらいと言う難点があった。更
に、高周波バイアスを付加することでソースプラズマ中
の様々な活性種（イオン種）を広範囲に引き込むことが
できるが、特定の活性種を選択的に引き込む事は困難で
ある。
マエッチング装置にあっては、ソースプラズマの維持の
為に、制御信号であるパルスのＯＮ時間、ＯＦＦ時間の
設定が広範囲に行えない欠点があった。また、ソースプ
ラズマの高周波周波数と高周波バイアスの周波数が同一
の場合、高周波の相互干渉の為、バイアス印加時にプラ
ズママッチングが取りづらいと言う難点があった。更
に、高周波バイアスを付加することでソースプラズマ中
の様々な活性種（イオン種）を広範囲に引き込むことが
できるが、特定の活性種を選択的に引き込む事は困難で
ある。
【０００８】本発明は、これらの不具合を解消したプラ
ズマ装置におけるプラズマの制御手段を提供し、特に、
イオン注入後のフォトレジストの除去やエッチング後の
ポリマー化したフォトレジストの除去に最適な、アッシ
ング装置におけるプラズマ制御手段を提供するものであ
り、上記イオン注入後のフォトレジストの除去等におけ
る必須の処理を、効率的且つ確実に行なうことのできる
プラズマ処理装置を提供するものである。更に、ソース
プラズマ中の種々の活性種を選択的に引き込むことが出
来る、プラズマ処理装置を提供するものである。
ズマ装置におけるプラズマの制御手段を提供し、特に、
イオン注入後のフォトレジストの除去やエッチング後の
ポリマー化したフォトレジストの除去に最適な、アッシ
ング装置におけるプラズマ制御手段を提供するものであ
り、上記イオン注入後のフォトレジストの除去等におけ
る必須の処理を、効率的且つ確実に行なうことのできる
プラズマ処理装置を提供するものである。更に、ソース
プラズマ中の種々の活性種を選択的に引き込むことが出
来る、プラズマ処理装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、アッシング、エッチングの為の主たる活性種を生
成するソースプラズマ生成用高周波ラインとこれによる
ソースプラズマを引き込む為の高周波バイアス印加ライ
ンとを有し、ソースプラズマ生成用高周波ラインには、
パルス信号をＨＩ／ＬＯＷ出力可能な高周波発振器が接
続され、バイアス印加ラインにもパルス信号をＯＮ／Ｏ
ＦＦ出力可能な高周波発振器が接続され、さらに、バイ
アス印加電極の電位を任意設定可能な機構を持つプラズ
マ処理装置である。
置は、アッシング、エッチングの為の主たる活性種を生
成するソースプラズマ生成用高周波ラインとこれによる
ソースプラズマを引き込む為の高周波バイアス印加ライ
ンとを有し、ソースプラズマ生成用高周波ラインには、
パルス信号をＨＩ／ＬＯＷ出力可能な高周波発振器が接
続され、バイアス印加ラインにもパルス信号をＯＮ／Ｏ
ＦＦ出力可能な高周波発振器が接続され、さらに、バイ
アス印加電極の電位を任意設定可能な機構を持つプラズ
マ処理装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るプラズマ処
理装置における一実施例を示しており、基本的処理装置
部１０の構成は、処理室１１の下方にウエハーＷを載置
するウエハー載置ステージ１２と、該ステージに設けら
れたバイアス印加電極１３を有し、更に、反応ガス導入
口１４及び排出口１５を備えている。
理装置における一実施例を示しており、基本的処理装置
部１０の構成は、処理室１１の下方にウエハーＷを載置
するウエハー載置ステージ１２と、該ステージに設けら
れたバイアス印加電極１３を有し、更に、反応ガス導入
口１４及び排出口１５を備えている。
【００１１】一方、処理室１１の上方にはプラズマ生成
部１６が設けられており、該プラズマ生成部のベルジャ
１７には高周波アンテナ１８及びソースプラズマ制御用
コイル１９が付加される。そして、高周波アンテナ１８
には後述するヘリコン波リアクターの高周波ライン２０
が接続されると共に、上記バイアス印加電極１３には、
同じく後述する高周波バイアス印加ライン３０が接続さ
れるものである。なお、バイアス印加されるステージ１
２には、図示されていない水冷機構が備えられている。
部１６が設けられており、該プラズマ生成部のベルジャ
１７には高周波アンテナ１８及びソースプラズマ制御用
コイル１９が付加される。そして、高周波アンテナ１８
には後述するヘリコン波リアクターの高周波ライン２０
が接続されると共に、上記バイアス印加電極１３には、
同じく後述する高周波バイアス印加ライン３０が接続さ
れるものである。なお、バイアス印加されるステージ１
２には、図示されていない水冷機構が備えられている。
【００１２】本発明の一つの特徴的構成を有する、ヘリ
コン波リアクターの高周波ライン２０を詳述する。高周
波アンテナ１８に印加される上記高周波ライン２０は、
マッチング回路２１、１３．５６ＭＨｚの高周波電源２
２及び該電源の出力をパルス制御するパルス制御回路２
３によって構成される。そして、該パルス制御回路２３
は、図示のごときＨＩ／ＬＯＷのパルス出力を任意に制
御することによって、ヘリコン波リアクターによるソー
スプラズマの生成及びプラズマ状態を連続的に効率よく
制御するものである。
コン波リアクターの高周波ライン２０を詳述する。高周
波アンテナ１８に印加される上記高周波ライン２０は、
マッチング回路２１、１３．５６ＭＨｚの高周波電源２
２及び該電源の出力をパルス制御するパルス制御回路２
３によって構成される。そして、該パルス制御回路２３
は、図示のごときＨＩ／ＬＯＷのパルス出力を任意に制
御することによって、ヘリコン波リアクターによるソー
スプラズマの生成及びプラズマ状態を連続的に効率よく
制御するものである。
【００１３】バイアス印加電極に接続された高周波バイ
アス印加ライン３０は、上記ソースプラズマの生成、制
御手段に用いられると同様の１３．５６ＭＨｚの高周波
が用いられ、マッチング回路３１と高周波電源３２との
間に、位相調整器３４を介装し、両高周波電源の同一周
波数によるマッチング不良を解消している。
アス印加ライン３０は、上記ソースプラズマの生成、制
御手段に用いられると同様の１３．５６ＭＨｚの高周波
が用いられ、マッチング回路３１と高周波電源３２との
間に、位相調整器３４を介装し、両高周波電源の同一周
波数によるマッチング不良を解消している。
【００１４】この様な実施例に係る装置においては、任
意に調整されたＨＩ／ＬＯＷのパルスにより生成、制御
されたヘリコン波プラズマによって、ガス導入口１４か
ら導入された活性種であるたとえばＯ2は、イオン化さ
れた状態となる。この様にして活性化された酸素イオン
（Ｏ＋）は、通常のアッシング装置におけると同様にフ
ォトレジスト等と反応し、これを例えば酸化、気化して
除去するものである。
意に調整されたＨＩ／ＬＯＷのパルスにより生成、制御
されたヘリコン波プラズマによって、ガス導入口１４か
ら導入された活性種であるたとえばＯ2は、イオン化さ
れた状態となる。この様にして活性化された酸素イオン
（Ｏ＋）は、通常のアッシング装置におけると同様にフ
ォトレジスト等と反応し、これを例えば酸化、気化して
除去するものである。
【００１５】この場合、ヘリコン波プラズマの効率的発
生のために、上記高周波電源である１３．５６ＭＨｚの
高周波を、エッチング装置において知られているＯＮ／
ＯＦＦパルス制御ではなくＨＩ／ＬＯＷのパルスにより
制御する。これによって、制御パルスのＬＯＷ出力中も
プラズマ状態を消失させることなく、連続して維持する
ことができ、プラズマ化開始時において生ずる種々のダ
メージを回避することができる。
生のために、上記高周波電源である１３．５６ＭＨｚの
高周波を、エッチング装置において知られているＯＮ／
ＯＦＦパルス制御ではなくＨＩ／ＬＯＷのパルスにより
制御する。これによって、制御パルスのＬＯＷ出力中も
プラズマ状態を消失させることなく、連続して維持する
ことができ、プラズマ化開始時において生ずる種々のダ
メージを回避することができる。
【００１６】この実施例によれば、高周波はＨＩ／ＬＯ
Ｗのパルスで制御されているので、例えばＯ２のイオン
化に必要な最低のエネルギーの連続供給が可能となるば
かりでなく、過度のエネルギー供給によるイオンの再結
合や無用な基板の温度上昇を防ぐことが出来る。また、
プラズマ状態を完全に継続させ、ガスのイオン化に必要
なエネルギーのみを自由に供給できる他、プラズマのハ
ンチングによるスパーク時等の電気的ダメージをも回避
するものである。
Ｗのパルスで制御されているので、例えばＯ２のイオン
化に必要な最低のエネルギーの連続供給が可能となるば
かりでなく、過度のエネルギー供給によるイオンの再結
合や無用な基板の温度上昇を防ぐことが出来る。また、
プラズマ状態を完全に継続させ、ガスのイオン化に必要
なエネルギーのみを自由に供給できる他、プラズマのハ
ンチングによるスパーク時等の電気的ダメージをも回避
するものである。
【００１７】バイアス印加電極に接続された高周波バイ
アス印加ライン３０によると、ソースプラズマ生成用高
周波ライン２０側の出力を該高周波バイアス印加ライン
３０側の出力によって補完することができ、プラズマ状
態維持の役割を果たすことは当然であるが、この高周波
バイアス印加ライン側の出力によって、ウエハー載置ス
テージ１２の上方にイオンシースを形成することが出来
る。従って、ソースプラズマによって解離されてイオン
化されたガス種は、該イオンシースによりウエハー載置
ステージ１２側に引き寄せられ、フォトレジスト等に効
率良く作用することができる。
アス印加ライン３０によると、ソースプラズマ生成用高
周波ライン２０側の出力を該高周波バイアス印加ライン
３０側の出力によって補完することができ、プラズマ状
態維持の役割を果たすことは当然であるが、この高周波
バイアス印加ライン側の出力によって、ウエハー載置ス
テージ１２の上方にイオンシースを形成することが出来
る。従って、ソースプラズマによって解離されてイオン
化されたガス種は、該イオンシースによりウエハー載置
ステージ１２側に引き寄せられ、フォトレジスト等に効
率良く作用することができる。
【００１８】図２は、他の実施例を示す図であって、上
記第１の実施例における、ヘリコン波リアクターの高周
波ライン３０に使用する１３．５６ＭＨｚの高周波電源
に代えて、ソースプラズマ生成用高周波ラインの高周波
と異なる周波数の、例えば６００ＫＨｚ又は８００ＫＨ
ｚ等の高周波電源を用いるものである。この場合には該
電源は上記第１の実施例のものと異なり主電源との間に
干渉を生じないので、上記位相調整器３４を省くことが
できる。
記第１の実施例における、ヘリコン波リアクターの高周
波ライン３０に使用する１３．５６ＭＨｚの高周波電源
に代えて、ソースプラズマ生成用高周波ラインの高周波
と異なる周波数の、例えば６００ＫＨｚ又は８００ＫＨ
ｚ等の高周波電源を用いるものである。この場合には該
電源は上記第１の実施例のものと異なり主電源との間に
干渉を生じないので、上記位相調整器３４を省くことが
できる。
【００１９】従って、該高周波バイアスラインは、マッ
チング回路３１、高周波電源３２及びパルス制御回路３
３のみによって構成され、当然に該高周波電源の出力
は、パルス制御回路３３によってＯＮ、ＯＦＦ制御され
ると共に、そのパルス巾によって任意に制御されるもの
である。
チング回路３１、高周波電源３２及びパルス制御回路３
３のみによって構成され、当然に該高周波電源の出力
は、パルス制御回路３３によってＯＮ、ＯＦＦ制御され
ると共に、そのパルス巾によって任意に制御されるもの
である。
【００２０】上記第１、第２の実施例に共通して、バイ
アス印加電極１３には電極電位オフセット機構４０が接
続されている。該電極電位オフセット機構４０は、バイ
アス用直流電源で構成されており、上記高周波バイアス
ラインによって形成されるイオンシースの層厚を調節可
能であり、高周波バイアスラインの設置による電気的ダ
メージを低減することができる。
アス印加電極１３には電極電位オフセット機構４０が接
続されている。該電極電位オフセット機構４０は、バイ
アス用直流電源で構成されており、上記高周波バイアス
ラインによって形成されるイオンシースの層厚を調節可
能であり、高周波バイアスラインの設置による電気的ダ
メージを低減することができる。
【００２１】そして、本発明の特徴的構成である該電極
電位オフセット機構により、上記高周波バイアスライン
の作用を補完するものである。該オフセット機構は、す
なわち直流の＋の電位を付加して、プラズマ形成に必要
な限界で最小の電圧となる様にシース電圧を相殺し、上
記のバイアス印加ラインの負荷による電気的ダメージを
低減するものである。
電位オフセット機構により、上記高周波バイアスライン
の作用を補完するものである。該オフセット機構は、す
なわち直流の＋の電位を付加して、プラズマ形成に必要
な限界で最小の電圧となる様にシース電圧を相殺し、上
記のバイアス印加ラインの負荷による電気的ダメージを
低減するものである。
【００２２】本発明において、ソースプラズマ生成用の
高周波ラインをパルス制御する意味は、上記記載の低ダ
メージ化に加え、プラズマ中のプラズマ種の制御と言う
意味合いも持っており、イオン注入後のフォトレジスト
やポリマー化したフォトレジストの除去に有効なプラズ
マ種の生成が可能であり、反応ガス種を吟味することに
より一層効果が提供できる。バイアス印加ステージの電
位を調整する電極電位オフセット機構の接続も、前述し
たレジストの除去に有効なプラズマ種（各々電位が異な
る為）を選択的に引き込み処理の効率を向上する為であ
る。
高周波ラインをパルス制御する意味は、上記記載の低ダ
メージ化に加え、プラズマ中のプラズマ種の制御と言う
意味合いも持っており、イオン注入後のフォトレジスト
やポリマー化したフォトレジストの除去に有効なプラズ
マ種の生成が可能であり、反応ガス種を吟味することに
より一層効果が提供できる。バイアス印加ステージの電
位を調整する電極電位オフセット機構の接続も、前述し
たレジストの除去に有効なプラズマ種（各々電位が異な
る為）を選択的に引き込み処理の効率を向上する為であ
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、ソースプラズマの発生
源として接続されているパルス変調式の高周波電源シス
テムにおいて従来のＯＮ／ＯＦＦ出力制御に加え、ＨＩ
／ＬＯＷ出力制御を行う事により、これまでの問題点で
あるデューティ比（ＯＮ時間とＯＦＦ時間の比率）によ
るプラズマの消失を解決でき、パルス変調式高周波電源
システム接続の本来の目的である、プラズマによるガス
分子の解離の抑制を広範囲にわたって制御できる。ま
た、ソースプラズマ生成の為の高周波周波数とバイアス
印加高周波周波数が同一の場合、低パワー側（主にバイ
アス側）のマッチングが不安定になるが、バイアス側の
高周波電源システムに位相調整器を追加接続し、ソース
側高周波の位相に対しマッチングが安定する位相に任意
に設定する事により安定したマッチングが得られる。更
に、従来バイアス印加ステージは電気的にアースされた
状態であり、それに対し高周波を印加していたが、本発
明では主に＋電位である一定直流電圧を与え、それに対
し高周波を印加することにより、ソースプラズマにより
生成されたプラズマ種のうち特定のものを選択的に引き
込むことが可能となった。
源として接続されているパルス変調式の高周波電源シス
テムにおいて従来のＯＮ／ＯＦＦ出力制御に加え、ＨＩ
／ＬＯＷ出力制御を行う事により、これまでの問題点で
あるデューティ比（ＯＮ時間とＯＦＦ時間の比率）によ
るプラズマの消失を解決でき、パルス変調式高周波電源
システム接続の本来の目的である、プラズマによるガス
分子の解離の抑制を広範囲にわたって制御できる。ま
た、ソースプラズマ生成の為の高周波周波数とバイアス
印加高周波周波数が同一の場合、低パワー側（主にバイ
アス側）のマッチングが不安定になるが、バイアス側の
高周波電源システムに位相調整器を追加接続し、ソース
側高周波の位相に対しマッチングが安定する位相に任意
に設定する事により安定したマッチングが得られる。更
に、従来バイアス印加ステージは電気的にアースされた
状態であり、それに対し高周波を印加していたが、本発
明では主に＋電位である一定直流電圧を与え、それに対
し高周波を印加することにより、ソースプラズマにより
生成されたプラズマ種のうち特定のものを選択的に引き
込むことが可能となった。
【図１】第１の実施例に係るプラズマ処理装置の概略説
明図である。
明図である。
【図２】第２の実施例に係るプラズマ処理装置の概略説
明図である。
明図である。
１０ 処理装置部 １１ 処理室 １２ ウエハー載置ステージ １３ バイアス印加電極 １４ 反応ガス導入口 １６ プラズマ生成部 １７ ベルジャー １８ 高周波アンテナ １９ ソースプラズマ制御用コイル ２０ 高周波ライン ２１、３１ マッチング回路 ２２、３２ 高周波電源 ２３、３３ パルス制御回路 ３０ 高周波バイアス印加ライン ３４ 位相調整器 ４０ 電極電位オフセット機構
Claims (4)
- 【請求項１】 アッシング、エッチングの為の主たる活
性種を生成するソースプラズマ生成用高周波ラインとこ
れによるソースプラズマを引き込む為の高周波バイアス
印加ラインとを有し、ソースプラズマ生成用高周波ライ
ンには、パルス信号をＨＩ／ＬＯＷ出力可能な高周波発
振器が接続され、バイアス印加ラインにもパルス信号を
ＯＮ／ＯＦＦ出力可能な高周波発振器が接続され、さら
に、バイアス印加電極の電位を任意設定可能な機構を持
つプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 上記ソースプラズマ生成用高周波ライン
の周波数と、高周波バイアス印加ラインの周波数が同一
の場合、該高周波バイアス印加ラインに高周波位相調整
器を接続したことを特徴とする請求項１記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項３】 上記高周波バイアス印加ラインの周波数
が１００ＫＨｚ、６００ＫＨｚ又は８００ＫＨｚ等の低
周波であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項４】 上記ソースプラズマ生成用高周ラインの
ＨＩ／ＬＯＷ出力のタイミングと高周波バイアス印加ラ
インのＯＮ／ＯＦＦのタイミングを任意に設定する機構
を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに
記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324888A JP2000150483A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324888A JP2000150483A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150483A true JP2000150483A (ja) | 2000-05-30 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020075194A (ko) * | 2001-03-22 | 2002-10-04 | 서영철 | 단속적인 정현파 출력을 가지는 고주파 발생기 |
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| KR100510279B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2005-08-30 | (주)울텍 | 고밀도 플라즈마 발생원 및 방법 |
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| KR100910931B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2009-08-06 | 로베르트 보쉬 게엠베하 | 플라즈마에 의해 구조를 에칭 바디에 에칭하기 위한 방법 |
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-
1998
- 1998-11-16 JP JP10324888A patent/JP2000150483A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020075194A (ko) * | 2001-03-22 | 2002-10-04 | 서영철 | 단속적인 정현파 출력을 가지는 고주파 발생기 |
| KR100510279B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2005-08-30 | (주)울텍 | 고밀도 플라즈마 발생원 및 방법 |
| KR100910931B1 (ko) * | 2001-09-14 | 2009-08-06 | 로베르트 보쉬 게엠베하 | 플라즈마에 의해 구조를 에칭 바디에 에칭하기 위한 방법 |
| US7785486B2 (en) | 2001-09-14 | 2010-08-31 | Robert Bosch Gmbh | Method of etching structures into an etching body using a plasma |
| WO2004105078A2 (en) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | HELYSSEN Sàrl | A high density plasma reactor |
| WO2004105078A3 (en) * | 2003-05-22 | 2005-05-12 | Helyssen Sarl | A high density plasma reactor |
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