JP3275793B2 - 半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子搭載用
高柔軟性テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置
に関し、特に、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テー
プを用いたＴ−ＢＧＡ（Tape - Ball Grid Array）タイ
プの半導体装置の用途に好適な半導体素子搭載用高柔軟
性テープキャリアとこれを使用した半導体装置に関す
る。
高柔軟性テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置
に関し、特に、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テー
プを用いたＴ−ＢＧＡ（Tape - Ball Grid Array）タイ
プの半導体装置の用途に好適な半導体素子搭載用高柔軟
性テープキャリアとこれを使用した半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、Ｔ−ＢＧＡタイプの半導体装置に
は、高度の信頼性が求められるようになり、低温から高
温までの広い温度範囲での実用性が求められ、これに伴
い、特に−５５℃〜１５０℃の実用を模擬した温度サイ
クル試験が重要視されている。
は、高度の信頼性が求められるようになり、低温から高
温までの広い温度範囲での実用性が求められ、これに伴
い、特に−５５℃〜１５０℃の実用を模擬した温度サイ
クル試験が重要視されている。
【０００３】この試験条件においては、試験温度の高低
差から生じる各部位の熱膨張によって、熱応力が生じ
る。例えば、この試験条件において、通常のプリント基
板の熱膨張係数が１５〜２０ＰＰＭ／℃なのに対して、
半導体素子であるシリコンチップの熱膨張係数は３．５
ＰＰＭ／℃であるため、このプリント基板と半導体素子
が搭載しているテープとを直接接合するはんだボール端
子部分に熱応力が発生し、この熱応力によって、接合部
のはんだボール端子に熱疲労クラックが生じる。この接
合部のはんだボール端子の熱疲労クラックを防止するた
め、半導体素子と半導体素子搭載用のテープの間にエラ
ストマを貼り付けて、このエラストマを前述の熱応力を
吸収させる熱応力緩衝層として、はんだボール端子の熱
疲労クラックを防止している。ここで、エラストマと
は、−６５℃〜１５０℃の温度範囲で、５０００ＭＰａ
以下の粘弾性係数を持ち、特に１５０℃の温度では、粘
弾性係数が著しく低下して熱応力を吸収する特徴を持つ
材料をいう。
差から生じる各部位の熱膨張によって、熱応力が生じ
る。例えば、この試験条件において、通常のプリント基
板の熱膨張係数が１５〜２０ＰＰＭ／℃なのに対して、
半導体素子であるシリコンチップの熱膨張係数は３．５
ＰＰＭ／℃であるため、このプリント基板と半導体素子
が搭載しているテープとを直接接合するはんだボール端
子部分に熱応力が発生し、この熱応力によって、接合部
のはんだボール端子に熱疲労クラックが生じる。この接
合部のはんだボール端子の熱疲労クラックを防止するた
め、半導体素子と半導体素子搭載用のテープの間にエラ
ストマを貼り付けて、このエラストマを前述の熱応力を
吸収させる熱応力緩衝層として、はんだボール端子の熱
疲労クラックを防止している。ここで、エラストマと
は、−６５℃〜１５０℃の温度範囲で、５０００ＭＰａ
以下の粘弾性係数を持ち、特に１５０℃の温度では、粘
弾性係数が著しく低下して熱応力を吸収する特徴を持つ
材料をいう。
【０００４】図６および図７に従来の半導体素子搭載用
ＴＡＢテープとそれを用いた半導体装置を示す。図６
は、従来の半導体素子搭載用ＴＡＢテープに半導体素子
を接続した半導体装置の全体の概略を示す。図７は、図
６の波線部Ａで示された部分の拡大断面で、プリント基
板とはんだボール端子の接続部を示す。従来の半導体装
置２１は、ＴＡＢテープ９、シリコンチップの半導体素
子１、およびＴＡＢテープ９と半導体素子１の間に設け
られ、熱応力を緩衝するためのエラストマ８を備えてい
る。
ＴＡＢテープとそれを用いた半導体装置を示す。図６
は、従来の半導体素子搭載用ＴＡＢテープに半導体素子
を接続した半導体装置の全体の概略を示す。図７は、図
６の波線部Ａで示された部分の拡大断面で、プリント基
板とはんだボール端子の接続部を示す。従来の半導体装
置２１は、ＴＡＢテープ９、シリコンチップの半導体素
子１、およびＴＡＢテープ９と半導体素子１の間に設け
られ、熱応力を緩衝するためのエラストマ８を備えてい
る。
【０００５】ＴＡＢテープ９は、ポリイミドフィルム３
と、ポリイミドフィルム３の下面に銅箔用接着剤１２
（図７）によって接着され形成された、インナーリード
２、ランド４、およびインナーリード２とランド４を接
続する銅箔配線５を有する銅箔配線パターン１８と、ラ
ンド４に形成された錫−鉛共晶はんだボール６と、銅箔
配線パターン１８の銅箔配線５に被覆され、ランド４を
形成するソルダーレジスト７から構成される。
と、ポリイミドフィルム３の下面に銅箔用接着剤１２
（図７）によって接着され形成された、インナーリード
２、ランド４、およびインナーリード２とランド４を接
続する銅箔配線５を有する銅箔配線パターン１８と、ラ
ンド４に形成された錫−鉛共晶はんだボール６と、銅箔
配線パターン１８の銅箔配線５に被覆され、ランド４を
形成するソルダーレジスト７から構成される。
【０００６】この様な構成のＴＡＢテープ９の銅箔配線
パターン１８が施された面（下面）とは反対の面（上
面）に、エラストマ８がエラストマ接着剤１３（図７）
によって貼り付けられエラストマ付ＴＡＢテープ１０が
作成される。更に半導体素子１が、このエラストマ８上
に搭載され、チップ用接着剤１９（図７）によって接着
されている。また、銅箔配線パターン１８のインナーリ
ード２は、半導体素子１のアルミ電極１７に接続され、
その接続部分の半導体素子１の周辺は、エポキシ系の封
止剤１１によって封止されている。また、この様な構成
の半導体装置２１を、はんだボール６によって、ＦＲ−
１４などのガラスエポキシ樹脂基板のプリント基板２２
に接合している。
パターン１８が施された面（下面）とは反対の面（上
面）に、エラストマ８がエラストマ接着剤１３（図７）
によって貼り付けられエラストマ付ＴＡＢテープ１０が
作成される。更に半導体素子１が、このエラストマ８上
に搭載され、チップ用接着剤１９（図７）によって接着
されている。また、銅箔配線パターン１８のインナーリ
ード２は、半導体素子１のアルミ電極１７に接続され、
その接続部分の半導体素子１の周辺は、エポキシ系の封
止剤１１によって封止されている。また、この様な構成
の半導体装置２１を、はんだボール６によって、ＦＲ−
１４などのガラスエポキシ樹脂基板のプリント基板２２
に接合している。
【０００７】ここで、シリコンチップの半導体素子１の
熱膨張係数は約３．５ＰＰＭ／℃程度であり、ＦＲ−１
４などのプリント基板２２の熱膨張係数は、約１５ＰＰ
Ｍ／℃程度である。従って、半導体素子１とプリント基
板２２の熱膨張係数の差は、約１０ＰＰＭ／℃以上の差
が生じ、この熱膨張差によって熱応力が生じ、特に、図
７で示したプリント基板２２の接合部であるはんだボー
ル６に熱応力の集中が生じる。この半導体素子１とプリ
ント基板２２の熱膨張差による熱応力を、熱応力緩衝層
のエラストマ８で吸収するようになっている。従って、
従来は、このエラストマ８の粘弾性係数をできるだけ低
下させて、半導体装置２１の温度サイクルの信頼性を向
上させるように努力されていた。
熱膨張係数は約３．５ＰＰＭ／℃程度であり、ＦＲ−１
４などのプリント基板２２の熱膨張係数は、約１５ＰＰ
Ｍ／℃程度である。従って、半導体素子１とプリント基
板２２の熱膨張係数の差は、約１０ＰＰＭ／℃以上の差
が生じ、この熱膨張差によって熱応力が生じ、特に、図
７で示したプリント基板２２の接合部であるはんだボー
ル６に熱応力の集中が生じる。この半導体素子１とプリ
ント基板２２の熱膨張差による熱応力を、熱応力緩衝層
のエラストマ８で吸収するようになっている。従って、
従来は、このエラストマ８の粘弾性係数をできるだけ低
下させて、半導体装置２１の温度サイクルの信頼性を向
上させるように努力されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６お
よび図７に示した従来の半導体素子搭載用ＴＡＢテープ
および半導体装置によれば、エラストマ８のみを非常に
柔らかく（粘弾性係数を低下）しても、接着剤などの他
の構成材料が硬い（粘弾性係数が大きい）場合には、そ
の硬い構成材料によって熱応力が生じることが判明し
た。即ち、以下の表１に示したように、銅箔用接着剤１
２、エラストマ接着剤１３、およびチップ用接着剤１９
の粘弾性係数が、−６５℃〜１５０℃の範囲で１１００
０〜８００ＭＰａと非常に大きく、特に、２５℃（常
温）〜−６５℃（低温）における各接着剤１２、１３、
１９の粘弾性係数が８０００ＭＰａを越える値となり、
また、プリント基板２２と各接着剤１２、１３、１９の
熱膨張係数の差が１５ＰＰＭ／℃程度と大きく、更に、
プリント基板２２の厚さが３００μｍと厚いため、これ
らの構成材料によって、プリント基板に接合された半導
体装置に熱応力が生じるという問題があった。
よび図７に示した従来の半導体素子搭載用ＴＡＢテープ
および半導体装置によれば、エラストマ８のみを非常に
柔らかく（粘弾性係数を低下）しても、接着剤などの他
の構成材料が硬い（粘弾性係数が大きい）場合には、そ
の硬い構成材料によって熱応力が生じることが判明し
た。即ち、以下の表１に示したように、銅箔用接着剤１
２、エラストマ接着剤１３、およびチップ用接着剤１９
の粘弾性係数が、−６５℃〜１５０℃の範囲で１１００
０〜８００ＭＰａと非常に大きく、特に、２５℃（常
温）〜−６５℃（低温）における各接着剤１２、１３、
１９の粘弾性係数が８０００ＭＰａを越える値となり、
また、プリント基板２２と各接着剤１２、１３、１９の
熱膨張係数の差が１５ＰＰＭ／℃程度と大きく、更に、
プリント基板２２の厚さが３００μｍと厚いため、これ
らの構成材料によって、プリント基板に接合された半導
体装置に熱応力が生じるという問題があった。
【表１】
【０００９】また、銅箔配線パターン１８を表面汚染か
ら防止し、はんだボール６用のランド４を形成するため
のソルダーレジスト７も、各接着剤１２、１３、１９と
ほぼ同じ様な値の粘弾性係数を有しており、上記と同様
に、このソルダーレジスト７によってもプリント基板に
接合された半導体装置に熱応力が生じるという問題があ
った。
ら防止し、はんだボール６用のランド４を形成するため
のソルダーレジスト７も、各接着剤１２、１３、１９と
ほぼ同じ様な値の粘弾性係数を有しており、上記と同様
に、このソルダーレジスト７によってもプリント基板に
接合された半導体装置に熱応力が生じるという問題があ
った。
【００１０】これに対して、ＴＡＢテープ９のベースフ
ィルムとなっているポリイミドフィルム３の粘弾性係数
は、表１から解るように、−６５℃で３０００ＭＰａ、
２５℃で２０００ＭＰａ、１５０℃で５００ＭＰａと、
各接着材１２、１３、１９に較べて小さく、非常に柔軟
性に富むものとなっている。
ィルムとなっているポリイミドフィルム３の粘弾性係数
は、表１から解るように、−６５℃で３０００ＭＰａ、
２５℃で２０００ＭＰａ、１５０℃で５００ＭＰａと、
各接着材１２、１３、１９に較べて小さく、非常に柔軟
性に富むものとなっている。
【００１１】従って、本発明の目的は、各構成材料がベ
ースフィルムの粘弾性係数以下で、柔軟性に富んだ一体
の積層材料となって温度変化に追従し、各構成材料の層
間に生じる熱応力が小さく、特に、はんだボールに負荷
される熱応力を最小限にする半導体素子搭載用高柔軟性
テープキャリアおよびこれを使用した半導体装置を提供
することである。
ースフィルムの粘弾性係数以下で、柔軟性に富んだ一体
の積層材料となって温度変化に追従し、各構成材料の層
間に生じる熱応力が小さく、特に、はんだボールに負荷
される熱応力を最小限にする半導体素子搭載用高柔軟性
テープキャリアおよびこれを使用した半導体装置を提供
することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上に述べた
目的を実現するため、テープ材と、テープ材の片面に形
成された銅箔の配線パターンと、配線パターンが形成さ
れた面とは反対の面に設けられた半導体素子を搭載する
半導体素子搭載部とによって構成された半導体素子搭載
用テープキャリアにおいて、半導体素子搭載部に設けら
れた半導体素子を接着するためのチップ用接着剤と、テ
ープ材の片面に設けられた銅箔を接着するための銅箔用
接着剤と、配線パターンを保護するソルダーレジスト
と、を有し、チップ用接着剤、銅箔用接着剤、およびソ
ルダーレジストの少なくとも１つは、その粘弾性係数
が、テープ材の粘弾性係数以下であることを特徴とする
半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリアを提供する。
目的を実現するため、テープ材と、テープ材の片面に形
成された銅箔の配線パターンと、配線パターンが形成さ
れた面とは反対の面に設けられた半導体素子を搭載する
半導体素子搭載部とによって構成された半導体素子搭載
用テープキャリアにおいて、半導体素子搭載部に設けら
れた半導体素子を接着するためのチップ用接着剤と、テ
ープ材の片面に設けられた銅箔を接着するための銅箔用
接着剤と、配線パターンを保護するソルダーレジスト
と、を有し、チップ用接着剤、銅箔用接着剤、およびソ
ルダーレジストの少なくとも１つは、その粘弾性係数
が、テープ材の粘弾性係数以下であることを特徴とする
半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリアを提供する。
【００１３】また、本発明は、以上に述べた目的を実現
するため、テープ材と、テープ材の片面に形成された銅
箔の配線パターンと、配線パターンが形成された面とは
反対の面に設けられた半導体素子を搭載する半導体素子
搭載部とによって構成された半導体素子搭載用テープキ
ャリアにおいて、テープ材の半導体素子搭載部に設けら
れ、熱応力を緩衝する熱応力緩衝層と、テープ材の半導
体素子搭載部に熱応力緩衝層を接着するための熱応力緩
衝層用接着剤と、半導体素子を半導体素子搭載部に設け
られた熱応力緩衝層に接着するためのチップ用接着剤
と、テープ材の片面に設けられた銅箔を接着するための
銅箔用接着剤と、配線パターンを保護するソルダーレジ
ストと、を有し、熱応力緩衝層、熱応力緩衝層用接着
剤、チップ用接着剤、銅箔用接着剤、およびソルダーレ
ジストの少なくとも１つは、その粘弾性係数が、テープ
材の粘弾性係数以下であることを特徴とする半導体素子
搭載用高柔軟性テープキャリアを提供する。
するため、テープ材と、テープ材の片面に形成された銅
箔の配線パターンと、配線パターンが形成された面とは
反対の面に設けられた半導体素子を搭載する半導体素子
搭載部とによって構成された半導体素子搭載用テープキ
ャリアにおいて、テープ材の半導体素子搭載部に設けら
れ、熱応力を緩衝する熱応力緩衝層と、テープ材の半導
体素子搭載部に熱応力緩衝層を接着するための熱応力緩
衝層用接着剤と、半導体素子を半導体素子搭載部に設け
られた熱応力緩衝層に接着するためのチップ用接着剤
と、テープ材の片面に設けられた銅箔を接着するための
銅箔用接着剤と、配線パターンを保護するソルダーレジ
ストと、を有し、熱応力緩衝層、熱応力緩衝層用接着
剤、チップ用接着剤、銅箔用接着剤、およびソルダーレ
ジストの少なくとも１つは、その粘弾性係数が、テープ
材の粘弾性係数以下であることを特徴とする半導体素子
搭載用高柔軟性テープキャリアを提供する。
【００１４】また、本発明は、以上に述べた目的を実現
するため、テープ材と、テープ材の片面に形成されたイ
ンナーリードを有する銅箔の配線パターンと、配線パタ
ーンが形成された面とは反対の面に設けられた半導体素
子搭載部と、半導体素子搭載部に形成されたチップ用接
着剤と、チップ用接着剤によって半導体素子搭載部に接
着され、インナーリードと接続される半導体素子とによ
って構成された半導体装置において、テープ材の片面に
設けられた銅箔を接着するための銅箔用接着剤と、配線
パターンを保護するソルダーレジストと、を有し、チッ
プ用接着剤、銅箔用接着剤、およびソルダーレジストの
少なくとも１つは、その粘弾性係数が、テープ材の粘弾
性係数以下であることを特徴とする半導体装置を提供す
る。
するため、テープ材と、テープ材の片面に形成されたイ
ンナーリードを有する銅箔の配線パターンと、配線パタ
ーンが形成された面とは反対の面に設けられた半導体素
子搭載部と、半導体素子搭載部に形成されたチップ用接
着剤と、チップ用接着剤によって半導体素子搭載部に接
着され、インナーリードと接続される半導体素子とによ
って構成された半導体装置において、テープ材の片面に
設けられた銅箔を接着するための銅箔用接着剤と、配線
パターンを保護するソルダーレジストと、を有し、チッ
プ用接着剤、銅箔用接着剤、およびソルダーレジストの
少なくとも１つは、その粘弾性係数が、テープ材の粘弾
性係数以下であることを特徴とする半導体装置を提供す
る。
【００１５】また、本発明は、以上に述べた目的を実現
するため、テープ材と、テープ材の片面に形成されたラ
ンドを有する銅箔の配線パターンと、ランドに形成され
たボール端子と、配線パターンが形成された面とは反対
の面に設けられた半導体素子を搭載する半導体素子搭載
部とによって構成されたＴ−ＢＧＡ（Tape-Ball GridAr
ray）タイプの半導体素子搭載用テープキャリアにおい
て、テープ材の半導体素子搭載部に設けられ、熱応力を
緩衝する熱応力緩衝層と、テープ材の半導体素子掲載部
に熱応力緩衝層を接着するための熱応力緩衝層用接着剤
と、半導体素子を半導体素子搭載部に設けられた熱応力
緩衝層に接着するためのチップ用接着剤と、テープ材の
片面に設けられた銅箔を接着するための銅箔用接着剤
と、配線パターンを保護するソルダーレジストと、を有
し、熱応力緩衝層、熱応力緩衝層用接着剤、チップ用接
着剤、銅箔用接着剤、およびソルダーレジストの少なく
とも１つは、その粘弾性係数が、テープ材の粘弾性係数
以下であることを特徴とする半導体素子搭載用高柔軟性
テープキャリアを提供する。
するため、テープ材と、テープ材の片面に形成されたラ
ンドを有する銅箔の配線パターンと、ランドに形成され
たボール端子と、配線パターンが形成された面とは反対
の面に設けられた半導体素子を搭載する半導体素子搭載
部とによって構成されたＴ−ＢＧＡ（Tape-Ball GridAr
ray）タイプの半導体素子搭載用テープキャリアにおい
て、テープ材の半導体素子搭載部に設けられ、熱応力を
緩衝する熱応力緩衝層と、テープ材の半導体素子掲載部
に熱応力緩衝層を接着するための熱応力緩衝層用接着剤
と、半導体素子を半導体素子搭載部に設けられた熱応力
緩衝層に接着するためのチップ用接着剤と、テープ材の
片面に設けられた銅箔を接着するための銅箔用接着剤
と、配線パターンを保護するソルダーレジストと、を有
し、熱応力緩衝層、熱応力緩衝層用接着剤、チップ用接
着剤、銅箔用接着剤、およびソルダーレジストの少なく
とも１つは、その粘弾性係数が、テープ材の粘弾性係数
以下であることを特徴とする半導体素子搭載用高柔軟性
テープキャリアを提供する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下本発明の半導体素子搭載用高
柔軟性テープキャリアと半導体装置を詳細に説明する。
柔軟性テープキャリアと半導体装置を詳細に説明する。
【００１７】図１は、本発明の半導体素子搭載用高柔軟
性テープキャリアと半導体装置を示したものである。半
導体装置２１は、ＴＡＢテープ９、半導体素子１、およ
びＴＡＢテープ９と半導体素子１を接着し、熱応力を緩
衝するためのエラストマ１４を備えている。
性テープキャリアと半導体装置を示したものである。半
導体装置２１は、ＴＡＢテープ９、半導体素子１、およ
びＴＡＢテープ９と半導体素子１を接着し、熱応力を緩
衝するためのエラストマ１４を備えている。
【００１８】ＴＡＢテープ９は、ポリイミドフィルム３
と、ポリイミドフィルム３の下面に形成された、インナ
ーリード２、ランド４、およびインナーリード２とラン
ド４を接続する銅箔配線５を有する銅箔配線パターン１
８と、ランド４に形成された錫−鉛共晶はんだボール６
と、銅箔配線パターン１８の銅箔配線５に被覆され、ラ
ンド４を形成するソルダーレジスト７から構成される。
また、ポリイミドフィルム３の銅箔配線パターン１８が
施された面（下面）とは反対の面（上面）には、半導体
素子搭載部２０が設けられている。
と、ポリイミドフィルム３の下面に形成された、インナ
ーリード２、ランド４、およびインナーリード２とラン
ド４を接続する銅箔配線５を有する銅箔配線パターン１
８と、ランド４に形成された錫−鉛共晶はんだボール６
と、銅箔配線パターン１８の銅箔配線５に被覆され、ラ
ンド４を形成するソルダーレジスト７から構成される。
また、ポリイミドフィルム３の銅箔配線パターン１８が
施された面（下面）とは反対の面（上面）には、半導体
素子搭載部２０が設けられている。
【００１９】この様な構成のＴＡＢテープ９の半導体素
子搭載部２０に、接着機能のあるエラストマ１４が貼り
付けられエラストマ付ＴＡＢテープ１０が作成される。
更に半導体素子１が、このエラストマ１４上に搭載さ
れ、エラストマ１４でＴＡＢテープ９の半導体素子搭載
部２０に接着されている。また、銅箔配線パターン１８
のインナーリード２は、半導体素子１のアルミ電極１７
に接続され、その接続部分の半導体素子１の周辺は、エ
ポキシ系の封止剤１１によって封止されている。
子搭載部２０に、接着機能のあるエラストマ１４が貼り
付けられエラストマ付ＴＡＢテープ１０が作成される。
更に半導体素子１が、このエラストマ１４上に搭載さ
れ、エラストマ１４でＴＡＢテープ９の半導体素子搭載
部２０に接着されている。また、銅箔配線パターン１８
のインナーリード２は、半導体素子１のアルミ電極１７
に接続され、その接続部分の半導体素子１の周辺は、エ
ポキシ系の封止剤１１によって封止されている。
【００２０】銅箔配線パターン１８は、ポリイミドフィ
ルム３に低弾性のエポキシ樹脂系の接着剤（図示せず）
で接着されている。このエポキシ樹脂系接着剤は、ベー
ス樹脂としてビスフェノールＡ型樹脂を用い、ポリアミ
ド樹脂モノマを配合して低弾性化して作成されている。
このエポキシ樹脂系接着剤の粘弾性係数は、１５０℃で
約５０ＭＰａ、常温で約１９００ＭＰａ、−６５℃で約
２７００ＭＰａの低い粘弾性係数となっており、十分な
熱緩衝作用を持つ。また、ソルダーレジスト７も、１５
０℃で約３００ＭＰａ、常温で約６００ＭＰａ、−６５
℃で約２０００ＭＰａの低い粘弾性係数を持ち、十分な
熱緩衝作用を有する。
ルム３に低弾性のエポキシ樹脂系の接着剤（図示せず）
で接着されている。このエポキシ樹脂系接着剤は、ベー
ス樹脂としてビスフェノールＡ型樹脂を用い、ポリアミ
ド樹脂モノマを配合して低弾性化して作成されている。
このエポキシ樹脂系接着剤の粘弾性係数は、１５０℃で
約５０ＭＰａ、常温で約１９００ＭＰａ、−６５℃で約
２７００ＭＰａの低い粘弾性係数となっており、十分な
熱緩衝作用を持つ。また、ソルダーレジスト７も、１５
０℃で約３００ＭＰａ、常温で約６００ＭＰａ、−６５
℃で約２０００ＭＰａの低い粘弾性係数を持ち、十分な
熱緩衝作用を有する。
【００２１】エラストマ１４は、上記のエポキシ樹脂系
接着剤とほぼ同様の樹脂であるが、より低弾性化するた
めに、ポリアミド樹脂の配合を若干変えて作成されてい
る。このエラストマ１４の粘弾性係数は、１５０℃で約
１１ＭＰａ、常温で約１５００ＭＰａ、−６５℃で約２
０００ＭＰａの低い粘弾性係数となっており、十分な熱
緩衝作用を持つ。
接着剤とほぼ同様の樹脂であるが、より低弾性化するた
めに、ポリアミド樹脂の配合を若干変えて作成されてい
る。このエラストマ１４の粘弾性係数は、１５０℃で約
１１ＭＰａ、常温で約１５００ＭＰａ、−６５℃で約２
０００ＭＰａの低い粘弾性係数となっており、十分な熱
緩衝作用を持つ。
【００２２】図２は、本発明の半導体素子搭載用高柔軟
性テープキャリアと半導体装置の断面の１部を示したも
のである。図２において、エラストマは、図１とは異な
り、接着機能のないエラストマ８を用いている。図２に
示した半導体装置２１は、図１と同様のＴＡＢテープ９
の半導体素子搭載部２０に、エラストマ８を接着するた
めのエラストマ接着剤１３を塗布して、エラストマ８を
接着し、その上面に更に半導体素子１を接着するチップ
用接着剤１９を塗布して、エラストマ付ＴＡＢテープ１
０を構成し、エラストマ付ＴＡＢテープ１０のチップ用
接着剤１９で半導体素子１を接着して構成されてる。ま
た、この様な構成の半導体装置２１を、はんだボール６
によって、ＦＲ−１４などのガラスエポキシ樹脂基板の
プリント基板２２に接合している。
性テープキャリアと半導体装置の断面の１部を示したも
のである。図２において、エラストマは、図１とは異な
り、接着機能のないエラストマ８を用いている。図２に
示した半導体装置２１は、図１と同様のＴＡＢテープ９
の半導体素子搭載部２０に、エラストマ８を接着するた
めのエラストマ接着剤１３を塗布して、エラストマ８を
接着し、その上面に更に半導体素子１を接着するチップ
用接着剤１９を塗布して、エラストマ付ＴＡＢテープ１
０を構成し、エラストマ付ＴＡＢテープ１０のチップ用
接着剤１９で半導体素子１を接着して構成されてる。ま
た、この様な構成の半導体装置２１を、はんだボール６
によって、ＦＲ−１４などのガラスエポキシ樹脂基板の
プリント基板２２に接合している。
【００２３】このエラストマ８は、一般にシリコン樹脂
系の材料で作ることができ、この様なシリコン樹脂の粘
弾性係数は、１５０℃で約２００ＭＰａ、常温で約３０
０ＭＰａ、−６５℃で約６００ＭＰａの低い粘弾性係数
となっており、熱応力緩衝作用を十分に発揮する。ま
た、エラストマ接着剤１３およびチップ用接着剤１９の
粘弾性係数は、１５０℃で約５００ＭＰａ、常温で約８
００ＭＰａ、−６５℃で約３０００ＭＰａの粘弾性係数
であり、十分な熱緩衝作用を持つ。
系の材料で作ることができ、この様なシリコン樹脂の粘
弾性係数は、１５０℃で約２００ＭＰａ、常温で約３０
０ＭＰａ、−６５℃で約６００ＭＰａの低い粘弾性係数
となっており、熱応力緩衝作用を十分に発揮する。ま
た、エラストマ接着剤１３およびチップ用接着剤１９の
粘弾性係数は、１５０℃で約５００ＭＰａ、常温で約８
００ＭＰａ、−６５℃で約３０００ＭＰａの粘弾性係数
であり、十分な熱緩衝作用を持つ。
【００２４】図３は、ソルダーレジスト７を被覆した銅
箔配線パターン１８を部分的に示したものである。図３
に示すように、ソルダーレジスト７は、銅箔配線パター
ン１８のランド４を形成するように、銅箔配線５のみに
被覆されている。
箔配線パターン１８を部分的に示したものである。図３
に示すように、ソルダーレジスト７は、銅箔配線パター
ン１８のランド４を形成するように、銅箔配線５のみに
被覆されている。
【００２５】図４は、本発明のＴＡＢテープ９の材料と
なるベースポリイミドを示す。ベースポリイミドには、
３５ｍｍ、４８ｍｍ、又は７０ｍｍの幅で、その両側に
送り穴１６を有する、厚さ４０μｍ〜７０μｍのポリイ
ミドフィルム３が用いられる。このポリイミドフィルム
３からは、片面に銅箔配線パターン１８が施されるＴＡ
Ｂテープ９が、２列作成できる。ＴＡＢテープ９の周り
には、ＩＬＢ（InnerLead Bonding）ウインドウ１５が
設けられており、銅箔配線パターン１８のインナーリー
ド２と半導体素子１のアルミ電極１７（図１）との接続
作業を容易にしている。
なるベースポリイミドを示す。ベースポリイミドには、
３５ｍｍ、４８ｍｍ、又は７０ｍｍの幅で、その両側に
送り穴１６を有する、厚さ４０μｍ〜７０μｍのポリイ
ミドフィルム３が用いられる。このポリイミドフィルム
３からは、片面に銅箔配線パターン１８が施されるＴＡ
Ｂテープ９が、２列作成できる。ＴＡＢテープ９の周り
には、ＩＬＢ（InnerLead Bonding）ウインドウ１５が
設けられており、銅箔配線パターン１８のインナーリー
ド２と半導体素子１のアルミ電極１７（図１）との接続
作業を容易にしている。
【００２６】
【実施例】図５は、本発明の半導体素子搭載用高柔軟性
テープキャリアの製造工程を示す。先ず、半導体素子搭
載用高柔軟性テープキャリアの素材である幅３５ｍｍ×
厚さ５０ｍｍのポリイミドフィルム３を１００ｍ用意す
る。このポリイミドフィルム３の片面（図５では上面）
に、銅箔を貼り付けるためのエポキシ樹脂系の銅箔用接
着剤１２を幅２６ｍｍ×厚さ１０μｍで塗布する（501
）。この銅箔用接着剤１２には、ビスフェノールＡ型
ベース樹脂にポリアミド樹脂モノマを添加した生成物
（低弾性ポリアミド変性エポキシ樹脂）を使用し、これ
をロールで厚さ１０μｍにした後、約８０℃の温度で、
ポリイミドフィルム３にラミネータで貼り合わせる。こ
の銅箔用接着剤１２は、１５０℃で約５０ＭＰａ、常温
で約１９００ＭＰａ、−６５℃で約２７００ＭＰａの粘
弾性係数を持つ。
テープキャリアの製造工程を示す。先ず、半導体素子搭
載用高柔軟性テープキャリアの素材である幅３５ｍｍ×
厚さ５０ｍｍのポリイミドフィルム３を１００ｍ用意す
る。このポリイミドフィルム３の片面（図５では上面）
に、銅箔を貼り付けるためのエポキシ樹脂系の銅箔用接
着剤１２を幅２６ｍｍ×厚さ１０μｍで塗布する（501
）。この銅箔用接着剤１２には、ビスフェノールＡ型
ベース樹脂にポリアミド樹脂モノマを添加した生成物
（低弾性ポリアミド変性エポキシ樹脂）を使用し、これ
をロールで厚さ１０μｍにした後、約８０℃の温度で、
ポリイミドフィルム３にラミネータで貼り合わせる。こ
の銅箔用接着剤１２は、１５０℃で約５０ＭＰａ、常温
で約１９００ＭＰａ、−６５℃で約２７００ＭＰａの粘
弾性係数を持つ。
【００２７】このポリイミドフィルム３に、インナーリ
ードと半導体素子を接続するためのＩＬＢウインドウ１
５と送り穴１６（図４）を、金型によるパンチング加工
によって形成する（502 ）。ＩＬＢウインドウ１５およ
び送り穴１６の形成されたポリイミドフィルム３の銅箔
用接着剤１２塗布面に、約１６０℃の温度で、幅２６ｍ
ｍ×厚さ１８μｍの高純度銅圧延銅箔（９９．９９重量
％銅）５ｂを連続ロールラミネータで貼り付け、約１７
０℃の温度で、１時間の接着剤硬化反応をおこなう（50
3 ）。その後、銅箔５ｂの表面にホトソルダーレジスト
をローラコータによって塗布し、ホトケミカルエッチン
グ法を施して銅箔配線パターン１８を形成する（504
）。
ードと半導体素子を接続するためのＩＬＢウインドウ１
５と送り穴１６（図４）を、金型によるパンチング加工
によって形成する（502 ）。ＩＬＢウインドウ１５およ
び送り穴１６の形成されたポリイミドフィルム３の銅箔
用接着剤１２塗布面に、約１６０℃の温度で、幅２６ｍ
ｍ×厚さ１８μｍの高純度銅圧延銅箔（９９．９９重量
％銅）５ｂを連続ロールラミネータで貼り付け、約１７
０℃の温度で、１時間の接着剤硬化反応をおこなう（50
3 ）。その後、銅箔５ｂの表面にホトソルダーレジスト
をローラコータによって塗布し、ホトケミカルエッチン
グ法を施して銅箔配線パターン１８を形成する（504
）。
【００２８】この銅箔配線パターン１８のインナーリー
ド２（ＩＬＢウインドウ１５部上の銅箔配線パターン１
８）を除く所定の部分に１０μｍの厚さの感光性ソルダ
ーレジストを印刷し、露光、現像によって、ソルダーレ
ジスト７を被覆して、ランド４を形成する（505 ）。即
ち、銅箔配線パターン１８は、はんだボールを形成する
ランド４と、半導体素子１のアルミ電極１７と接続され
るインナーリード２と、ランド４とインナーリード２と
を接続する銅箔配線５を有する。この様にして製造され
たＴＡＢテープ９は、配線ピッチが０．１７ｍｍの４８
ピンのインナーリード２と、直径０．３５ｍｍで配置ピ
ッチ０．７５ｍｍの４８個のランド４を有する。
ド２（ＩＬＢウインドウ１５部上の銅箔配線パターン１
８）を除く所定の部分に１０μｍの厚さの感光性ソルダ
ーレジストを印刷し、露光、現像によって、ソルダーレ
ジスト７を被覆して、ランド４を形成する（505 ）。即
ち、銅箔配線パターン１８は、はんだボールを形成する
ランド４と、半導体素子１のアルミ電極１７と接続され
るインナーリード２と、ランド４とインナーリード２と
を接続する銅箔配線５を有する。この様にして製造され
たＴＡＢテープ９は、配線ピッチが０．１７ｍｍの４８
ピンのインナーリード２と、直径０．３５ｍｍで配置ピ
ッチ０．７５ｍｍの４８個のランド４を有する。
【００２９】さらに、インナーリード２とランド４に
は、電気めっきにより厚さ１０μｍの金めっきを施して
おく。この金めっきは、半導体素子１のアルミ電極１７
と金−アルミ共晶合金の形成によって、インナーリード
２を接続するためのものであり、更に、はんだボール６
形成時のはんだの濡れ性を確保するためのものである。
は、電気めっきにより厚さ１０μｍの金めっきを施して
おく。この金めっきは、半導体素子１のアルミ電極１７
と金−アルミ共晶合金の形成によって、インナーリード
２を接続するためのものであり、更に、はんだボール６
形成時のはんだの濡れ性を確保するためのものである。
【００３０】この後、半導体素子搭載部２０（ＴＡＢテ
ープ９の銅箔配線パターン１８が形成されている面とは
反対の面のＩＬＢウインドウ１５の内側）に、半導体素
子搭載部２０よりやや小さめの寸法で金型で抜き加工さ
れた厚さ１５０μｍの低弾性のエラストマ１４を、約８
０℃の温度で貼り合わせる（506 ）。このエラストマ１
４は、上記の銅箔用接着剤１２とほぼ同様の樹脂（低弾
性ポリアミド変性エポキシ樹脂）であるが、より低弾性
化するために、ポリアミド樹脂の配合を若干変えて作成
されている。このエラストマ１４の粘弾性係数は、１５
０℃で約１１ＭＰａ、常温で約１５００ＭＰａ、−６５
℃で約２０００ＭＰａの低い粘弾性係数となっており、
十分な熱緩衝作用を持つ。また、エラストマ１４は、約
８０℃の温度でＴＡＢテープ９に貼り付けた後でも、接
着機能を有しているため、半導体素子１を接着するため
のチップ用接着剤１９（図２）を用いる必要はない。こ
の様にして、片面（上面）に銅箔配線パターン１８を有
し、反対の面（下面）にエラストマ１４を有する半導体
素子搭載用のエラストマ付ＴＡＢテープ１０、即ち、半
導体素子搭載用高柔軟性テープキャリアが作成される。
ープ９の銅箔配線パターン１８が形成されている面とは
反対の面のＩＬＢウインドウ１５の内側）に、半導体素
子搭載部２０よりやや小さめの寸法で金型で抜き加工さ
れた厚さ１５０μｍの低弾性のエラストマ１４を、約８
０℃の温度で貼り合わせる（506 ）。このエラストマ１
４は、上記の銅箔用接着剤１２とほぼ同様の樹脂（低弾
性ポリアミド変性エポキシ樹脂）であるが、より低弾性
化するために、ポリアミド樹脂の配合を若干変えて作成
されている。このエラストマ１４の粘弾性係数は、１５
０℃で約１１ＭＰａ、常温で約１５００ＭＰａ、−６５
℃で約２０００ＭＰａの低い粘弾性係数となっており、
十分な熱緩衝作用を持つ。また、エラストマ１４は、約
８０℃の温度でＴＡＢテープ９に貼り付けた後でも、接
着機能を有しているため、半導体素子１を接着するため
のチップ用接着剤１９（図２）を用いる必要はない。こ
の様にして、片面（上面）に銅箔配線パターン１８を有
し、反対の面（下面）にエラストマ１４を有する半導体
素子搭載用のエラストマ付ＴＡＢテープ１０、即ち、半
導体素子搭載用高柔軟性テープキャリアが作成される。
【００３１】この半導体素子搭載用高柔軟性テープキャ
リアのエラストマ１４に、半導体素子１を、そのアルミ
電極１７を半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリア側
に向けて、約１６０℃の温度および約２秒間の加熱圧着
で接着する。次に、インナーリード２をＩＬＢウインド
ウ１５に通して反対面の半導体素子１のアルミ電極１７
に、シングルポイントボンダーを用いてボンディングす
る。このときのボンディング温度は約２００℃であり、
エラストマ１４が軟化することはない。次に、エポキシ
系の封止剤１１で、半導体素子１の周辺のインナーリー
ド２、アルミ電極１７、およびＩＬＢウインドウ１５を
封止する。このときの封止剤１１は、その硬化反応温度
が約１７０℃であるものを用いるとよい。その後、ラン
ド４に、直径０．３５ｍｍの錫−鉛共晶組成のはんだボ
ール６を、温度２３０℃のエアーリフロー炉を用いて形
成し、図１に示したような半導体装置２１を作成する。
リアのエラストマ１４に、半導体素子１を、そのアルミ
電極１７を半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリア側
に向けて、約１６０℃の温度および約２秒間の加熱圧着
で接着する。次に、インナーリード２をＩＬＢウインド
ウ１５に通して反対面の半導体素子１のアルミ電極１７
に、シングルポイントボンダーを用いてボンディングす
る。このときのボンディング温度は約２００℃であり、
エラストマ１４が軟化することはない。次に、エポキシ
系の封止剤１１で、半導体素子１の周辺のインナーリー
ド２、アルミ電極１７、およびＩＬＢウインドウ１５を
封止する。このときの封止剤１１は、その硬化反応温度
が約１７０℃であるものを用いるとよい。その後、ラン
ド４に、直径０．３５ｍｍの錫−鉛共晶組成のはんだボ
ール６を、温度２３０℃のエアーリフロー炉を用いて形
成し、図１に示したような半導体装置２１を作成する。
【００３２】この様にして作成された半導体装置２１を
プリント基板２２にはんだボール６で接合し、温度サイ
クル試験を行った。この試験結果を以下の表２に示す。
尚、各構成材の粘弾性係数Ｅは、表２に示したもので試
験を行った。
プリント基板２２にはんだボール６で接合し、温度サイ
クル試験を行った。この試験結果を以下の表２に示す。
尚、各構成材の粘弾性係数Ｅは、表２に示したもので試
験を行った。
【表２】
【００３３】この結果、図１に示したような構成の半導
体装置２１を用いた場合には、１５００サイクルまで温
度サイクル試験に耐えることが可能になった。また、図
２に示したような構成の半導体装置２１を使用した場合
は、５００サイクルまで温度サイクル試験に耐えること
が可能になった。
体装置２１を用いた場合には、１５００サイクルまで温
度サイクル試験に耐えることが可能になった。また、図
２に示したような構成の半導体装置２１を使用した場合
は、５００サイクルまで温度サイクル試験に耐えること
が可能になった。
【００３４】以上、本発明の半導体素子搭載用高柔軟性
テープキャリアおよび半導体装置について、実施例を挙
げて説明したが、上述のエラストマ１４は、厚さ１５０
μｍの熱可塑性のポリイミド樹脂（低弾性熱可塑性ポリ
イミド）を用いてもよい。この樹脂は、１５０℃で約１
５０ＭＰａ、常温で約２０００ＭＰａ、−６５℃で約３
０００ＭＰａの粘弾性係数を持っている。この樹脂は、
熱可塑性のため約２３０℃の温度のはんだリフロー工程
では、粘弾性係数が約５０ＭＰａ程度になり、高温作業
時の熱応力吸収性能が高い。また、この樹脂は、銅箔配
線パターン１８の隙間のポリアミド樹脂配合変性エポキ
シ樹脂と非常に接着性がよい。また、エラストマ１４
は、熱可塑性なので、他の接着剤を使用せずにこのまま
ポリイミドフィルム３や半導体素子１と接着することが
できる。
テープキャリアおよび半導体装置について、実施例を挙
げて説明したが、上述のエラストマ１４は、厚さ１５０
μｍの熱可塑性のポリイミド樹脂（低弾性熱可塑性ポリ
イミド）を用いてもよい。この樹脂は、１５０℃で約１
５０ＭＰａ、常温で約２０００ＭＰａ、−６５℃で約３
０００ＭＰａの粘弾性係数を持っている。この樹脂は、
熱可塑性のため約２３０℃の温度のはんだリフロー工程
では、粘弾性係数が約５０ＭＰａ程度になり、高温作業
時の熱応力吸収性能が高い。また、この樹脂は、銅箔配
線パターン１８の隙間のポリアミド樹脂配合変性エポキ
シ樹脂と非常に接着性がよい。また、エラストマ１４
は、熱可塑性なので、他の接着剤を使用せずにこのまま
ポリイミドフィルム３や半導体素子１と接着することが
できる。
【００３５】また、エラストマ１４は、厚さ１５０μｍ
のシリコンエラストマとし、その半導体素子接着部に、
ポリイミド熱可塑性接着剤を塗布してもよい。このシリ
コンエラストマには、未硬化のエラストマをステンシル
を用いて印刷し、加熱硬化させた後に、ポリイミド熱可
塑性接着剤をスクリーン印刷方式で塗布した。材料とな
るシリコン樹脂は、−６５℃で６００ＭＰａ、常温で３
００ＭＰａ、１５０℃で２００ＭＰａの粘弾性係数を有
し、熱応力の吸収性能に優れたものとなる。また、この
ポリイミド熱可塑性接着剤には、ポリアミド配合変性エ
ポキシ樹脂を使用してもよい。
のシリコンエラストマとし、その半導体素子接着部に、
ポリイミド熱可塑性接着剤を塗布してもよい。このシリ
コンエラストマには、未硬化のエラストマをステンシル
を用いて印刷し、加熱硬化させた後に、ポリイミド熱可
塑性接着剤をスクリーン印刷方式で塗布した。材料とな
るシリコン樹脂は、−６５℃で６００ＭＰａ、常温で３
００ＭＰａ、１５０℃で２００ＭＰａの粘弾性係数を有
し、熱応力の吸収性能に優れたものとなる。また、この
ポリイミド熱可塑性接着剤には、ポリアミド配合変性エ
ポキシ樹脂を使用してもよい。
【００３６】更に、銅箔用接着剤１２は、エチレン−酢
酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）樹脂をベースとした接着剤
でもよい。この接着剤は、−６５℃で２０００ＭＰａ、
常温で１０００ＭＰａ、１５０℃で１５ＭＰａの粘弾性
係数を持っている。
酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）樹脂をベースとした接着剤
でもよい。この接着剤は、−６５℃で２０００ＭＰａ、
常温で１０００ＭＰａ、１５０℃で１５ＭＰａの粘弾性
係数を持っている。
【００３７】また、銅箔用接着剤１２には、Ｔｇ＝２２
０℃の熱可塑性のポリイミド樹脂（低弾性熱可塑性ポリ
イミド）を用いてもよい。この樹脂は、１５０℃で約１
５０ＭＰａ、常温で約２０００ＭＰａ、−６５℃で約３
０００ＭＰａの粘弾性係数を持っている。この接着剤に
よって、約２５０℃の接着温度で、ポリイミドフィルム
３と銅箔５ｂを連続ロールラミネータで貼り合わせるこ
とができる。また、この樹脂は、銅箔配線パターン１８
の隙間のポリアミド樹脂配合変性エポキシ樹脂と非常に
接着性がよい。銅箔５ｂとの接着性も約１ｋｇ／ｃｍ程
度あり、非常に高い信頼性を有する。
０℃の熱可塑性のポリイミド樹脂（低弾性熱可塑性ポリ
イミド）を用いてもよい。この樹脂は、１５０℃で約１
５０ＭＰａ、常温で約２０００ＭＰａ、−６５℃で約３
０００ＭＰａの粘弾性係数を持っている。この接着剤に
よって、約２５０℃の接着温度で、ポリイミドフィルム
３と銅箔５ｂを連続ロールラミネータで貼り合わせるこ
とができる。また、この樹脂は、銅箔配線パターン１８
の隙間のポリアミド樹脂配合変性エポキシ樹脂と非常に
接着性がよい。銅箔５ｂとの接着性も約１ｋｇ／ｃｍ程
度あり、非常に高い信頼性を有する。
【００３８】ソルダーレジスト７には、低弾性のポリイ
ミド系レジストインキを使用することができる。このレ
ジストインキは、１５０℃で約３００ＭＰａ、常温で約
１０００ＭＰａ、−６５℃で約３０００ＭＰａの粘弾性
係数を持っている。
ミド系レジストインキを使用することができる。このレ
ジストインキは、１５０℃で約３００ＭＰａ、常温で約
１０００ＭＰａ、−６５℃で約３０００ＭＰａの粘弾性
係数を持っている。
【００３９】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明の半導体素子搭
載用高柔軟性テープキャリアおよび半導体装置によれ
ば、その構成材の接着剤やソルダーレジストの粘弾性係
数をポリイミドフィルムの粘弾性係数と同程度またはそ
れ以下に低下させたので、各構成材が柔軟性に富んだ一
体の積層材料となって温度変化に追従し、各構成材料の
層間に生じる熱応力が小さく、特に、はんだボールに負
荷される熱応力を最小限にすることができるようになっ
た。
載用高柔軟性テープキャリアおよび半導体装置によれ
ば、その構成材の接着剤やソルダーレジストの粘弾性係
数をポリイミドフィルムの粘弾性係数と同程度またはそ
れ以下に低下させたので、各構成材が柔軟性に富んだ一
体の積層材料となって温度変化に追従し、各構成材料の
層間に生じる熱応力が小さく、特に、はんだボールに負
荷される熱応力を最小限にすることができるようになっ
た。
【００４０】また、本発明の半導体素子搭載用高柔軟性
テープキャリアおよび半導体装置によれば、接着剤の粘
弾性係数をポリイミドフィルムの粘弾性係数と同程度ま
たはそれ以下に低下させたので、テープキャリアの反り
を低減し、半導体素子の接着圧力の増加による接着ボイ
ドの発生を防止し、エラストマと半導体素子間の気泡の
発生も防げるため、気泡部分での熱応力集中も発生せ
ず、半導体装置の製造歩留まりも向上した。
テープキャリアおよび半導体装置によれば、接着剤の粘
弾性係数をポリイミドフィルムの粘弾性係数と同程度ま
たはそれ以下に低下させたので、テープキャリアの反り
を低減し、半導体素子の接着圧力の増加による接着ボイ
ドの発生を防止し、エラストマと半導体素子間の気泡の
発生も防げるため、気泡部分での熱応力集中も発生せ
ず、半導体装置の製造歩留まりも向上した。
【図１】本発明による半導体素子搭載用高柔軟性テープ
キャリアおよび半導体装置を示す概略図である。
キャリアおよび半導体装置を示す概略図である。
【図２】本発明による半導体素子搭載用高柔軟性テープ
キャリアおよび半導体装置の断面の一部を示す図であ
る。
キャリアおよび半導体装置の断面の一部を示す図であ
る。
【図３】本発明による半導体素子搭載用高柔軟性テープ
キャリアの銅箔配線パターンとソルダーレジストを示す
図である。
キャリアの銅箔配線パターンとソルダーレジストを示す
図である。
【図４】ポリイミドフィルムを示す図である。
【図５】本発明の半導体素子搭載用高柔軟性テープキャ
リアの製造を示す図である。
リアの製造を示す図である。
【図６】従来の半導体素子搭載用ＴＡＢテープおよび半
導体装置を示す概略図である。
導体装置を示す概略図である。
【図７】従来の半導体素子搭載用ＴＡＢテープおよび半
導体装置の断面の一部を示す図である。
導体装置の断面の一部を示す図である。
１，半導体素子 ２，インナーリード ３，ポリイミドフィルム ４，ランド ５，銅箔配線 ５ｂ，銅箔 ６，はんだボール ７，ソルダーレジスト ８，１４，エラストマ ９，ＴＡＢテープ １０，エラストマ付ＴＡＢテープ １１，封止剤 １２，銅箔用接着剤 １３，エラストマ接着剤 １５，ＩＬＢウインドウ １６，送り穴 １７，アルミ電極 １８，銅箔配線パターン １９，チップ用接着剤 ２０，半導体素子搭載部 ２１，半導体装置 ２２，プリント基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−246423（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−321084（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−125737（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−112516（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−340932（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/12
Claims (12)
- 【請求項１】 テープ材と、前記テープ材の片面に形成
された銅箔の配線パターンと、前記配線パターンが形成
された面とは反対の面に設けられた半導体素子を搭載す
る半導体素子搭載部とによって構成された半導体素子搭
載用テープキャリアにおいて、 前記半導体素子搭載部に設けられた前記半導体素子を接
着するためのチップ用接着剤と、 前記テープ材の前記片面に設けられた前記銅箔を接着す
るための銅箔用接着剤と、 前記配線パターンを保護するソルダーレジストと、を有
し、 前記チップ用接着剤、前記銅箔用接着剤、および前記ソ
ルダーレジストの少なくとも１つは、その粘弾性係数
が、前記テープ材の粘弾性係数以下であることを特徴と
する半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリア。 - 【請求項２】 前記チップ用接着剤、前記銅箔用接着
剤、および前記ソルダーレジストの少なくとも１つは、
その粘弾性係数が、−６５℃で３０００ＭＰａ以下、常
温で２０００ＭＰａ以下、１５０℃で５００ＭＰａ以下
であることを特徴とする、請求項１記載の半導体素子搭
載用高柔軟性テープキャリア。 - 【請求項３】 前記チップ用接着剤は、加熱した時に接
着機能を有する熱可塑性の樹脂を材料とする、請求項１
記載の半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリア。 - 【請求項４】 前記銅箔用接着剤は、低弾性熱可塑性ポ
リイミド樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重体樹脂、また
は、ポリアミド樹脂配合変性エポキシ樹脂の何れかを材
料とする、請求項１記載の半導体素子搭載用高柔軟性テ
ープキャリア。 - 【請求項５】 前記チップ用接着剤は、低弾性ポリアミ
ド変性エポキシ樹脂または低弾性熱可塑性ポリイミド樹
脂を材料とする接着機能を持つ応力緩衝層である、請求
項１記載の半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリア。 - 【請求項６】 テープ材と、前記テープ材の片面に形成
された銅箔の配線パターンと、前記配線パターンが形成
された面とは反対の面に設けられた半導体素子を搭載す
る半導体素子搭載部とによって構成された半導体素子搭
載用テープキャリアにおいて、 前記テープ材の前記半導体素子搭載部に設けられ、熱応
力を緩衝する熱応力緩衝層と、 前記テープ材の前記半
導体素子搭載部に前記熱応力緩衝層を接着するための熱
応力緩衝層用接着剤と、 前記半導体素子を前記半導体素子搭載部に設けられた前
記熱応力緩衝層に接着するためのチップ用接着剤と、 前記テープ材の前記片面に設けられた前記銅箔を接着す
るための銅箔用接着剤と、 前記配線パターンを保護するソルダーレジストと、を有
し、 前記熱応力緩衝層、前記熱応力緩衝層用接着剤、前記チ
ップ用接着剤、前記銅箔用接着剤、および前記ソルダー
レジストの少なくとも１つは、その粘弾性係数が、前記
テープ材の粘弾性係数以下であることを特徴とする半導
体素子搭載用高柔軟性テープキャリア。 - 【請求項７】 テープ材と、前記テープ材の片面に形成
されたインナーリードを有する銅箔の配線パターンと、
前記配線パターンが形成された面とは反対の面に設けら
れた半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部に形成
されたチップ用接着剤と、前記チップ用接着剤によって
前記半導体素子搭載部に接着され、前記インナーリード
と接続される半導体素子とによって構成された半導体装
置において、 前記テープ材の前記片面に設けられた前記銅箔を接着す
るための銅箔用接着剤と、 前記配線パターンを保護するソルダーレジストと、を有
し、 前記チップ用接着剤、前記銅箔用接着剤、および前記ソ
ルダーレジストの少なくとも１つは、その粘弾性係数
が、前記テープ材の粘弾性係数以下であることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項８】 前記チップ用接着剤、前記銅箔用接着
剤、および前記ソルダーレジストの少なくとも１つは、
その粘弾性係数が、−６５℃で３０００ＭＰａ以下、常
温で２０００ＭＰａ以下、１５０℃で５００ＭＰａ以下
であることを特徴とする、請求項７記載の半導体装置。 - 【請求項９】 前記チップ用接着剤は、加熱した時に接
着機能を有する熱可塑性の樹脂を材料とする、請求項７
記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記銅箔用接着剤は、低弾性熱可塑性
ポリイミド樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重体樹脂、ま
たは、ポリアミド樹脂配合変性エポキシ樹脂の何れかを
材料とする、請求項７記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 前記チップ用接着剤は、低弾性ポリア
ミド変性エポキシ樹脂または低弾性熱可塑性ポリイミド
樹脂を材料とする接着機能を持つ応力緩衝層である、請
求項７記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 テープ材と、前記テープ材の片面に形
成されたランドを有する銅箔の配線パターンと、前記ラ
ンドに形成されたボール端子と、前記配線パターンが形
成された面とは反対の面に設けられた半導体素子を搭載
する半導体素子搭載部とによって構成されたＴ−ＢＧＡ
（Tape-Ball Grid Array）タイプの半導体素子搭載用テ
ープキャリアにおいて、 前記テープ材の前記半導体素子搭載部に設けられ、熱応
力を緩衝する熱応力緩衝層と、 前記テープ材の前記半導体素子搭載部に前記熱応力緩衝
層を接着するための熱応力緩衝層用接着剤と、 前記半導体素子を前記半導体素子搭載部に設けられた前
記熱応力緩衝層に接着するためのチップ用接着剤と、 前記テープ材の前記片面に設けられた前記銅箔を接着す
るための銅箔用接着剤と、 前記配線パターンを保護するソルダーレジストと、を有
し、 前記熱応力緩衝層、前記熱応力緩衝層用接着剤、前記チ
ップ用接着剤、前記銅箔用接着剤、および前記ソルダー
レジストの少なくとも１つは、その粘弾性係数が、前記
テープ材の粘弾性係数以下であることを特徴とする半導
体素子搭載用高柔軟性テープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22905197A JP3275793B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22905197A JP3275793B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167848A JPH1167848A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3275793B2 true JP3275793B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=16885983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22905197A Expired - Fee Related JP3275793B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体素子搭載用高柔軟性テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3275793B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246511A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 基板とその基板を用いた半導体パッケージ |
| KR102608434B1 (ko) * | 2018-07-09 | 2023-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP22905197A patent/JP3275793B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH1167848A (ja) | 1999-03-09 |
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