JP3274126B2 - コネクター型半導体素子 - Google Patents
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Description
素子に関し、特に半導体チップと接合するコネクターの
搭載精度に改良を施したコネクター型半導体素子に関す
る。
コネクター型半導体素子としては、図4(A)〜(D)
に示す構造のものが知られている。ここで、図4(A)
は同半導体素子の平面図、図4(B)は図4(A)のY
矢視図、図4(C)は図4(A)のX−X線に沿う断面
図、図4(D)は同半導体素子の一構成である第2のリ
ードの平面図を示す。
の第1のリード1と離間した位置には、一部が高さ方向
に第1のリード1と段違いに配置された第2のリード2
が配置されている。ここで、第2のリード2は、図4
(D)に示すように平面形状が略「H」の形をなしてい
る。前記第1のリード上1上には、第1の半田層3を介
して半導体チップ4が搭載されている。
は、第2の半田層5,第3の半田層6を夫々介してコネ
クター7が接合されている。ここで、コネクター7の端
部(図4(A),(C)の右端部)には、前記第2のリ
ード2の切欠部2aに装着して係止するコネクター爪8
を有している。また、前記半導体チップ4との接合面の
一部に相当する前記コネクター7の一部は、エンボス加
工により突起9が形成されている。前記半導体チップ
4、コネクター7、第1のリード1の一部、及び第2の
リード2の一部は、樹脂製の外囲器10により封止され
ている。
のようにして製作する。まず、第1のリード1上に第1
の半田層3を、第2のリード2上に第3の半田層6を夫
々同時に形成する。つづいて、第1のリード1上に第1
の半田層3を介して半導体チップ4を搭載する。次に、
半導体チップ4、前記第2のリード2上に第2の半田層
5,第3の半田層6を夫々介してコネクター7を載せ
る。このとき、コネクター爪8を第2のリード2の切欠
部2aに食い込む。ひきつづき、リフローを施し、各半
田層3,5,6を融着させた後、モールドを行い外囲器
10を形成する。
半導体素子によれば、リフロー時にコネクター7が図4
(A)の右方向(矢印Yと反対方向)に移動するという
問題があった。つまり、コネクター7のコネクター爪8
は、「H」形状をした第2のリード2の切欠部2aに、
第2のリード2を左方向、上下方向に押すように食い込
んでいる(図4(A)参照)が、右方向に対しては何ら
規制していないため、リフロー時に半田層3,5,6の
溶融によりコネクター7が図4(A)の右方向に移動す
る。
もので、第2のリードの内側端部と隣接するストッパー
をコネクターに設けた構成にすることにより、リフロー
時にコネクターが移動するのを回避し、もってコネクタ
ーを精度良く位置決めできるコネクター型半導体素子を
提供することを目的とする。
と、この第1のリードと離間するとともに、一部が高さ
方向に第1のリードと段違いに配置された第2のリード
と、前記第1のリード上に半田層を介して搭載された半
導体チップと、この半導体チップ上に半田層を介して形
成され、端部に前記第2のリードと係止するコネクター
爪を有するコネクターと、前記半導体チップを樹脂封止
する外囲器とを具備し、前記コネクターに、前記第2の
リードの内側端部と隣接するストッパーを設けたことを
特徴とするコネクター型半導体素子である。
説明する。
は、例えば前記コネクターの一部をカットし、折り曲げ
て成る折り曲げ部、あるいは前記コネクターの一部を押
圧して形成される突起(エンボス)が挙げられるが、こ
れに限定されない。例えば、第2のリードの端部と接す
る位置に対応するコネクターの裏面に、ストッパーとは
別体の突起部材を例えば半田付け、溶接、圧着のいずれ
かにより取り付けた場合も含む。但し、前記折り曲げ部
や突起はリードフレームからリードを形成する際の一連
の工程の中、プレス工程で作ることができるので、作業
性がよい。
ッパーを設けることにより、コネクターの上下、左右方
向(図1(A)参照)の位置決めが可能となり、リフロ
ー時にコネクターが移動するのを回避することができ
る。その結果、コネクターの搭載精度が改良されので、
コネクターの移動に起因する遊び代を設ける必要がな
く、製品の小型化を実現することができる。
半導体素子について図面を参照して説明する。
る。ここで、図1(A)は本発明の実施例1に係るコネ
クター型半導体素子の平面図、図1(B)は図1(A)
のY矢視図、図1(C)は図1(A)のX−X線に沿う
断面図、図1(D)は同半導体素子の一構成である第2
のリードの平面図を示す。
この第1のリード11と離間した位置には、一部が高さ
方向に第1のリード11と段違いに配置された第2のリ
ード12が配置されている。ここで、第2のリード12
は、図1(D)に示すように平面形状が略「H」の形を
なしている。前記第1のリード上11上には、第1の半
田層13を介して半導体チップ14が搭載されている。
上には、第2の半田層15,第3の半田層16を夫々介
してコネクター17が接合されている。ここで、コネク
ター7の端部(図1(A),(C)の右端部)には、前
記第2のリード12の切欠部12aに装着して係止する
コネクター爪18を有している。また、前記半導体チッ
プ14との接合面の一部に相当する前記コネクター17
の一部は、エンボス加工により突起(エンボス)19が
形成されている。更に、前記第2のリード12の左端部
に位置する前記コネクター17には、ストッパーとして
の折り曲げ部20が設けられている。
一部を切断し、第2のリード12側に折り曲げることに
より形成されている。そして、その折り曲げ部20は、
第2のリード12の左端部12bに接し、コネクター爪
18と折り曲げ部20により第2のリード12の一部を
挟み込んでいる。前記半導体チップ14、コネクター1
7、第1のリード11の一部、及び第2のリード12の
一部は、樹脂製の外囲器21により封止されている。
のようにして製作する。まず、第1のリード11上に第
1の半田層13を、第2のリード12上に第3の半田層
16を夫々同時に形成した。つづいて、第1のリード1
1上に第1の半田層13を介して半導体チップ14を搭
載した。次に、半導体チップ14、前記第2のリード1
2上に、第2の半田層15,第3の半田層16を夫々介
して突起19、折り曲げ部20を有したコネクター17
を載せた。このとき、コネクター爪18が第2のリード
12の切欠部12aに食い込むととももに、折り曲げ部
20が第2のリード12の左端部に接する為、折り曲げ
部20とコネクター爪18により第2のリード12の一
部12bを挟み込むことになる。ひきつづき、リフロー
を施し、各半田層13,15,16を融着させ、半導体
チップ14と第1のリード11,第2のリード12同士
を接合した後、モールドを行い外囲器21を形成した。
一部を切断して第2のリード12側に折り曲げることに
より折り曲げ部20を形成し、この折り曲げ部20とコ
ネクター爪18とにより第2のリード12の一部を左右
から挟み込む構成となっているため、リフロー時にも半
田層13,15,16の溶融によりコネクター17が平
面的に見て左右、上下のいずれの向きに移動することを
回避できる。
部20が裏面から見て図3(A)に示すように第2のリ
ード12の端部に沿って全面的に接している場合につい
て述べたが、これに限らず、図3(B)に示すように2
つの折り曲げ部20が第2のリード12の端部に接して
いる場合でもよい。また、図3(C)に示すように、折
り曲げ部20が第2のリード12の端部から若干離間し
ている場合でも、従来と比べ十分な効果が得られる。
る。ここで、図2(A)は本発明の実施例2に係るコネ
クター型半導体素子の平面図、図2(B)は図2(A)
の要部の断面図を示す。但し、図1と同部材は同符番を
付して説明を省略する。
子と比べ、折り曲げ部の代わりにコネクター17の一部
をエンボス加工し、第2のリード12の左端部に接する
ように突起(エンボス)30を設けたことを特徴とす
る。その他の点は図1と同様である。ここで、突起30
は、コネクター17のコネクター爪18や突起19の形
成時に同時に加工することが可能である。
に第2のリード12の一部をコネクター爪18とともに
挟み込む突起30を設けた構成となっているため、実施
例1と同様な効果が得られる。
端部との関係は、図3で述べたようなコネクター17の
折り曲げ部20と第2のリード12との関係と同じこと
が言える。
2のリードの内側端部と隣接するストッパーをコネクタ
ーに設けた構成にすることにより、リフロー時にコネク
ターが移動するのを回避し、もってコネクターを精度良
く位置決めできるコネクター型半導体素子を提供でき
る。
子の説明図。
子の説明図。
明図。
Claims (3)
- 【請求項1】 第1のリードと、この第1のリードと離
間するとともに、一部が高さ方向に第1のリードと段違
いに配置された第2のリードと、前記第1のリード上に
半田層を介して搭載された半導体チップと、この半導体
チップ上に半田層を介して形成され、端部に前記第2の
リードと係止するコネクター爪を有するコネクターと、
前記半導体チップを樹脂封止する外囲器とを具備し、 前記コネクターに、前記第2のリードの内側端部と隣接
するストッパーを設けたことを特徴とするコネクター型
半導体素子。 - 【請求項2】 前記ストッパーは、前記コネクターの一
部をカットし、折り曲げて成る折り曲げ部であることを
特徴とする請求項1記載のコネクター型半導体素子。 - 【請求項3】 前記ストッパーは、前記コネクターの一
部を押圧して形成されるエンボスであることを特徴とす
る請求項1記載のコネクター型半導体素子。
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