JP3271063B2 - Method and apparatus for forming coating film - Google Patents

Method and apparatus for forming coating film

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JP3271063B2
JP3271063B2 JP33758599A JP33758599A JP3271063B2 JP 3271063 B2 JP3271063 B2 JP 3271063B2 JP 33758599 A JP33758599 A JP 33758599A JP 33758599 A JP33758599 A JP 33758599A JP 3271063 B2 JP3271063 B2 JP 3271063B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えばレジスト
膜のような溶剤による液状塗布膜を、LCD基板のよう
な塗布体上やこの上に形成された層の上に形成するため
の塗布膜形成方法及びその装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a coating film for forming a liquid coating film using a solvent such as a resist film on a coating body such as an LCD substrate or a layer formed thereon. A method and an apparatus therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、半導体技術の分野では、
LCD基板の上に形成された半導体層、絶縁体層、電極
層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合に、
半導体ウエハの場合と同様にパターン部のマスキングと
して層の表面にレジスト膜を形成することが行われてい
る。
2. Description of the Related Art As is well known, in the field of semiconductor technology,
When selectively etching a semiconductor layer, an insulator layer, and an electrode layer formed on an LCD substrate into a predetermined pattern,
As in the case of a semiconductor wafer, a resist film is formed on the surface of a layer as masking of a pattern portion.

【0003】例えば、レジスト膜の形成方法として、角
形のLCD基板(以下に基板という)を、処理容器内に
配設される載置台上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器と載置台を回転さ
せ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光性樹脂
とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液を基板
の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向け
て渦巻状に拡散させて塗布する方法が知られている。
For example, as a method of forming a resist film, a rectangular LCD substrate (hereinafter, referred to as a substrate) is placed and fixed on a mounting table provided in the processing container, and an opening of the processing container is covered. Close the body, rotate the processing container and the mounting table, for example, a resist solution composed of a solvent and a photosensitive resin is dropped into the center of the upper surface of the substrate, and the resist solution is rotated with the rotational force and centrifugal force of the substrate. There is known a method in which a substrate is spirally diffused from the center of the substrate toward the peripheral edge and applied.

【0004】この方法においては、レジスト液が基板の
中心位置から周縁部に向けて拡散していく過程におい
て、レジスト液中の溶剤が蒸発する。このために拡散す
る方向でレジスト液の粘度が異なり、中心部と周辺部と
では形成されたレジスト膜の厚さが異なる。また、基板
は、中心位置よりも外周部で周速がはるかに増加するの
で、飛散する量も多い。すなわち、均一な塗布に限界が
あった。
In this method, the solvent in the resist solution evaporates in the process of diffusing the resist solution from the center position of the substrate toward the periphery. For this reason, the viscosity of the resist solution differs in the diffusion direction, and the thickness of the formed resist film differs between the central portion and the peripheral portion. Further, since the peripheral speed of the substrate is much higher at the outer peripheral portion than at the center position, the amount of the substrate scattered is large. That is, there was a limit to uniform coating.

【0005】このため、例えば、レジスト液の温度調
整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使用
されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の溶
剤の蒸発を抑制する方法や、レジスト液塗布前にレジ
スト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法が考えられ
る。
[0005] For this reason, for example, a method of controlling the temperature of the resist solution or filling the same solvent used in the resist solution in the atmosphere for forming the resist film to suppress the evaporation of the solvent in the resist solution, A method is conceivable in which the solvent of the resist solution is dropped on the substrate surface before coating.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわちレジスト液の温度調整あるいはレジスト膜形成
雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ溶剤を
充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する方法で
は、レジスト液の使用量が多く、例えば、レジスト液の
塗布量の、数%しか実際のレジスト膜の形成に寄与して
いない。しかも、レジスト液の量が多いため、基板角部
裏面への廻り込みが生じ、基板角部裏面に付着したレジ
スト液が乾燥し、パーティクルの発生原因となるという
問題もあった。更には、溶剤を付けずにレジスト液を塗
布すると、塗布中にレジスト液中に空気が取り込まれて
気泡が含まれ、膜厚が不均一になるという問題もあっ
た。また、後者すなわちレジスト液塗布前にレジスト
液の溶剤を基板表面にて滴下する方法でも、基板上の溶
剤そのものの均一性や、乾燥状態の違いにより、均一な
塗布が困難で上記問題を充分に解決することはできな
い。
However, evaporation of the solvent in the resist solution is suppressed by filling the same solvent used for the resist solution in the former, ie, adjusting the temperature of the resist solution or in the atmosphere for forming the resist film. In the method, the amount of the resist solution used is large, and for example, only several% of the applied amount of the resist solution contributes to the actual formation of the resist film. In addition, since the amount of the resist liquid is large, the resist liquid wraps around the back surface of the corner portion of the substrate, and the resist liquid attached to the back surface of the corner portion of the substrate dries, causing a problem of generating particles. Furthermore, when a resist solution is applied without adding a solvent, air is taken into the resist solution during the application and bubbles are contained, resulting in a problem that the film thickness becomes uneven. In addition, even in the latter method, in which the solvent of the resist solution is dropped on the substrate surface before the application of the resist solution, the uniformity of the solvent itself on the substrate and the difference in the dry state make it difficult to apply uniformly, and the above problem is sufficiently solved. It cannot be solved.

【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、レジスト液等の塗布液の使用量が少なくて済み、か
つ均一な厚さの塗布膜を形成することの可能な塗布膜形
成方法及びその装置を提供することを目的とするもので
ある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and requires only a small amount of a coating solution such as a resist solution, and is capable of forming a coating film having a uniform thickness. It is intended to provide a device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の、この発明の第1の塗布膜形成方法は、処理容器内に
収容される一面を上に向けて支持される基板の一面上に
塗布液を供給して、塗布膜を形成する方法において、上
記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封入
する工程と、上記基板の一面上に溶剤を滴下する工程
と、上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1の回転
数で上記蓋体が閉止された処理容器と上記基板とを共に
回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させる工程
と、上記蓋体が閉止された処理容器基板とを共に上記
第1の回転数とは異なる第2の回転数で回転させて、塗
布膜の膜厚を整える工程とを有することを特徴とするも
のである(請求項1)。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for forming a coating film on a substrate supported on one side of a substrate held in a processing container. Supplying the coating solution, in the method of forming a coating film, in the process container, closing the lid, enclosing the substrate in the processing container, and dropping a solvent on one surface of the substrate, A predetermined amount of the coating liquid is supplied to the substrate, and the processing container in which the lid is closed and the substrate are rotated together at a first rotation speed, and the coating liquid is diffused over the entire surface of the substrate. And a step of rotating both the processing container and the substrate with the lid closed at a second rotation speed different from the first rotation speed to adjust the thickness of the coating film. It is a feature (claim 1).

【0009】この発明の第2の塗布膜形成方法は、処理
容器内に収容される一面を上に向けて支持される基板の
一面上に塗布液を供給して、塗布膜を形成する方法にお
いて、上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器
内に封入する工程と、上記蓋 体の中心部に、該蓋体と相
対的に回転可能に取付けられる溶剤供給手段から上記基
板の一面上に溶剤を滴下する工程と、上記蓋体の中心部
に、該蓋体と相対的に回転可能に取付けられる塗布液供
給手段から上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1
の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散さ
せる工程と、上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を
上記第1の回転数とは異なる第2の回転数で回転させ
て、塗布膜の膜厚を整える工程とを有することを特徴と
するものである(請求項2)
The second method for forming a coating film according to the present invention is characterized in that
Of the substrate supported in the container with one side facing up
A method of forming a coating film by supplying a coating liquid on one surface
Closing the lid in the processing container, and transferring the substrate to the processing container.
Enclosing the inside of the cover with the cover at the center of the cover.
From the solvent supply means, which is rotatably mounted
A step of dropping a solvent on one surface of the plate, and a central portion of the lid
And a coating liquid supply rotatably attached to the lid.
A predetermined amount of the coating liquid is supplied from the supply means to the substrate,
At a rotation speed of
The process container and the substrate with the lid closed.
Rotating at a second rotation speed different from the first rotation speed.
And adjusting the film thickness of the coating film.
(Claim 2) .

【0010】この発明の第3の塗布膜形成方法は、処理
容器内に収容される一面を上に向けて支持される基板の
一面上に塗布液を供給して、塗布膜を形成する方法にお
いて、上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器
内に封入する工程と、上記蓋体の中心部に、該蓋体と相
対的に回転可能に取付けられる溶剤供給手段から上記基
板の一面上に溶剤を滴下する工程と、上記蓋体の中心部
に、該蓋体と相対的に回転可能に取付けられる塗布液供
給手段から上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1
の回転数で上記蓋体が閉止された処理容器と上記基板と
を共に回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させる
工程と、上記蓋体が閉止された処理容器と基板とを共に
上記第1の回転数とは異なる第2の回転数で回転させ
て、塗布膜の膜厚を整える工程とを有することを特徴と
するものである(請求項3)
A third method of forming a coating film according to the present invention comprises the steps of:
Of the substrate supported in the container with one side facing up
A method of forming a coating film by supplying a coating liquid on one surface
Closing the lid in the processing container, and transferring the substrate to the processing container.
Enclosing the inside of the cover with the cover at the center of the cover.
From the solvent supply means, which is rotatably mounted
A step of dropping a solvent on one surface of the plate, and a central portion of the lid
And a coating liquid supply rotatably attached to the lid.
A predetermined amount of the coating liquid is supplied from the supply means to the substrate,
The processing container and the substrate with the lid closed at the rotation speed of
Are rotated together to diffuse over the entire surface of the substrate
Process, the processing container and the substrate with the lid closed
Rotating at a second rotation speed different from the first rotation speed.
And adjusting the film thickness of the coating film.
(Claim 3) .

【0011】この発明の塗布膜形成方法において、上記
第2の回転数を第1の回転数より高速とする方が好まし
い(請求項4)。また、上記基板の一面上に溶剤を滴下
する際に、基板を静止状態にする方が好ましい(請求項
)。また、上記溶剤として塗布液の溶剤を塗布する方
が好ましい(請求項)。
[0011] In the coating film formation method of this invention, the
It is preferable that the second rotation speed is higher than the first rotation speed.
(Claim 4). Also, when dropping the solvent onto one surface of the substrate, it is preferable that the substrate in a stationary state (claim
5 ). Further, it is preferable to apply a solvent of a coating solution as the solvent (claim 6 ).

【0012】また、この発明の塗布膜形成装置は、基板
の一面を上に向けて支持する基板支持手段と、上記基板
を包囲するカップ状をなす処理容器と、上記処理容器の
開口部を閉止する蓋体と、上記基板支持手段及び処理容
器を回転させる回転速度の可変可能な回転手段と、上記
蓋体の中心部に、該蓋体と相対的に回転可能に取付けら
れる溶剤供給手段及び塗布液供給手段とを具備すること
を特徴とするものである(請求項)。
[0012] The coating film forming apparatus of the present invention, the closure and the substrate supporting means for supporting facing up one surface of the substrate, a processing vessel that forms a cup-shaped surrounding the substrate, the opening of the processing vessel Lid, substrate support means, and processing volume
A rotating means capable of rotating the container at a variable rotation speed ; and a solvent supply means and a coating liquid supply means which are mounted at the center of the lid so as to be rotatable relative to the lid. (Claim 7 ).

【0013】上記技術的手段によるこの発明によれば、
処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封入し
た後、基板の一面上に塗布液の溶剤を滴下し、その後、
基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を供給し、第1
の回転数で蓋体が閉止された処理容器と基板とを共に
転させて、基板の一面全体に渡って拡散させ、そして、
蓋体が閉止された処理容器基板とを共に第1の回転数
と異なる第2の回転数で回転させて、塗布膜の膜厚を整
える。これにより、溶剤に対する適正な配合割合の塗布
液を供給することができ、塗布液の使用量が少なくする
ことができ、塗布液の基板角部裏面への廻り込みを防止
することができる。また、溶剤と塗布液との接触による
塗布液の粘度を均一にして均一な厚さの塗布膜を形成す
ることができる。
According to the present invention by the above technical means,
After closing the lid in the processing container and enclosing the substrate in the processing container, the solvent of the coating solution is dropped on one surface of the substrate, and then
Almost on the central portion of the substrate, supplying a predetermined amount of the coating liquid, the first
The substrate and the substrate whose lid is closed at the number of rotations are rotated together to diffuse over the entire surface of the substrate, and
The processing container and the substrate with the lid closed are both rotated at a second rotation speed different from the first rotation speed to adjust the thickness of the coating film. This makes it possible to supply a coating liquid having a proper mixing ratio to the solvent, to reduce the amount of the coating liquid used, and to prevent the coating liquid from flowing into the back surface of the corner of the substrate. Further, the viscosity of the coating solution caused by contact between the solvent and the coating solution can be made uniform to form a coating film having a uniform thickness.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施形態を添付
図面に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の塗
布膜成形方法及び塗布膜形成装置をLCD(液晶表示)
基板(ガラス基板)のレジスト膜の形成方法及び形成装
置に適用した場合について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Here, a coating film forming method and a coating film forming apparatus according to the present invention are described using an LCD (liquid crystal display).
A case where the present invention is applied to a method and an apparatus for forming a resist film on a substrate (glass substrate) will be described.

【0015】上記塗布膜形成装置は、図1に示すよう
に、被塗布体である角形状の基板、例えばLCD基板G
(以下に基板という)の一面を上に向けて支持すべく基
板Gを水平状態に真空によって吸着保持する回転体例え
ばスピンチャック10(基板支持手段)と、このスピン
チャック10の上部及び外周部を包囲する処理室11を
有する上方部が開口したカップ状の処理容器12(以下
に回転カップという)と、回転カップ12の開口部12
aに閉止可能に被着(着脱)される蓋体16と、この蓋
体16を閉止位置と待機位置に移動する蓋体移動手段で
あるロボットアーム20と、回転カップ12の外周側を
取囲むように配置される中空リング状のドレンカップ1
4と、スピンチャック10と回転カップ12を回転する
手段である駆動モータ21と、上記蓋体16の中心部に
取付けられる塗布液の溶剤(溶媒)Aの供給ノズル40
(溶剤供給手段)及び塗布液例えばレジスト液Bの供給
ノズル50(塗布液供給手段)とを有する。
As shown in FIG. 1, the above-mentioned coating film forming apparatus includes a rectangular substrate as an object to be coated, for example, an LCD substrate G
A rotating body, for example, a spin chuck 10 (substrate supporting means) for holding the substrate G in a horizontal state by vacuum so as to support one surface thereof (hereinafter referred to as a substrate) upward, and an upper portion and an outer peripheral portion of the spin chuck 10 A cup-shaped processing container 12 (hereinafter, referred to as a “rotating cup”) having an opening at an upper portion having a processing chamber 11 to be surrounded;
a cover 16 which is attached (detachable) so as to be able to be closed on a, a robot arm 20 which is a cover moving means for moving the cover 16 to a closed position and a standby position, and an outer peripheral side of the rotary cup 12. Ring-shaped drain cup 1 arranged as follows
4, a drive motor 21 as a means for rotating the spin chuck 10 and the rotating cup 12, and a supply nozzle 40 for a solvent (solvent) A of a coating liquid, which is attached to the center of the lid 16.
(A solvent supply means) and a supply nozzle 50 (a coating liquid supply means) for a coating liquid, for example, a resist liquid B.

【0016】この場合、上記溶剤供給ノズル40と塗布
液供給ノズル50は、図2に示すように、蓋体16の中
心部上方に突設される略円筒状の膨隆頭部18の開口1
8a内に蓋体16に対して回転可能に取付けられるノズ
ル取付部材18Bに取着されている。すなわち、膨隆頭
部18に設けられた開口18aの内側に、ベアリング1
8Cなどを介してノズル取付部材18Bを取付けて、ノ
ズル取付部材18Bと蓋体16とを相対的に回転可能に
取付ける。そして、回転カップ12の開口部12aを蓋
体16で閉止した状態で、ノズル取付部材18Bに取着
したノズル40,50から溶剤A,レジスト液Bを基板
Gの中心部に滴下するように構成されている。
In this case, as shown in FIG. 2, the solvent supply nozzle 40 and the coating liquid supply nozzle 50 are connected to the opening 1 of the substantially cylindrical bulging head 18 projecting above the center of the lid 16.
The nozzle mounting member 18B is rotatably mounted on the lid 16 within the nozzle 8a. That is, the bearing 1 is provided inside the opening 18 a provided in the bulging head 18.
The nozzle mounting member 18B is mounted via 8C or the like, and the nozzle mounting member 18B and the lid 16 are mounted so as to be relatively rotatable. With the opening 12a of the rotating cup 12 closed by the lid 16, the solvent A and the resist liquid B are dropped from the nozzles 40 and 50 attached to the nozzle mounting member 18B to the center of the substrate G. Have been.

【0017】上記したように、蓋体16で開口部12a
を閉止した状態で溶剤A,レジスト液Bを滴下すること
により、スキャン機構を用いてノズル40,50を移動
する移動式に比べて処理スループットの短縮化、密閉状
態下での溶剤Aの滴下から塗布処理終了までの処理プロ
セスを実現することが可能となる。例えば、溶剤Aの供
給後、レジスト液Bを供給しながら回転カップ12を回
転し、次にレジスト液Bの供給を停止して、回転カップ
12を回転するというようなプロセスも実現できる。
As described above, the opening 12 a is formed by the lid 16.
The solvent A and the resist solution B are dropped in a state in which the nozzles 40 and 50 are moved by using a scanning mechanism, so that the processing throughput is shortened, and the solvent A is dropped in a closed state. It is possible to realize a processing process up to the end of the coating process. For example, it is possible to realize a process in which after the supply of the solvent A, the rotating cup 12 is rotated while the resist solution B is being supplied, and then the supply of the resist solution B is stopped, and the rotating cup 12 is rotated.

【0018】また、ノズル40,50からの溶剤供給路
及びレジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる溶剤
A及びレジスト液Bを予め設定された温度(例えば23
℃)に設定するための温度調整液Cを循環供給する温度
調整機構61が設けられている。
Further, the solvent A and the resist solution B flowing through the solvent supply path and the resist solution supply path from the nozzles 40 and 50 are respectively supplied to a predetermined temperature (for example, 23).
C) is provided with a temperature adjustment mechanism 61 for circulating and supplying a temperature adjustment liquid C for setting the temperature.

【0019】上記スピンチャック10は、予め設定され
たプログラムに基いて駆動し、回転速度を可変できる駆
動モータ21の駆動によって回転される回転軸22を介
して水平方向に回転(自転)可能になっており、また回
転軸22に連結される昇降シリンダ23の駆動によって
上下方向に移動し得るようになっている。この場合、回
転軸22は、固定カラー24の内周面にベアリング25
aを介して回転可能に装着される回転内筒26aの内周
面に嵌着されるスプライン軸受27に摺動可能に連結さ
れている。スプライン軸受27には従動プーリ28aが
装着されており、従動プーリ28aには駆動モータ21
の駆動軸21aに装着された駆動プーリ21bとの間に
ベルト29aが掛け渡されている。したがって、駆動モ
ータ21の駆動によってベルト29aを介して回転軸2
2が回転してスピンチャック10が回転される。また、
回転軸22の下部側は図示しない筒体内に配設されてお
り、筒体内において回転軸22はバキュームシール部3
0を介して昇降シリンダ23に連結され、昇降シリンダ
23の駆動によって回転軸22が上下方向に移動し得る
ようになっている。
The spin chuck 10 is driven in accordance with a preset program, and can be rotated (rotated) in the horizontal direction via a rotating shaft 22 which is rotated by driving a drive motor 21 capable of changing the rotation speed. Also, it can be moved up and down by driving a lifting cylinder 23 connected to the rotating shaft 22. In this case, the rotating shaft 22 is provided with a bearing 25 on the inner peripheral surface of the fixed collar 24.
a and is slidably connected to a spline bearing 27 fitted on the inner peripheral surface of the rotatable inner cylinder 26a rotatably mounted via the inner cylinder 26a. A driven pulley 28a is mounted on the spline bearing 27, and the driven motor 21 is mounted on the driven pulley 28a.
A belt 29a is stretched between a drive shaft 21a and a drive pulley 21b mounted on the drive shaft 21a. Therefore, the drive shaft 21 is driven by the drive motor 21 via the belt 29a.
2 rotates, and the spin chuck 10 rotates. Also,
The lower side of the rotating shaft 22 is disposed in a cylindrical body (not shown).
The rotation shaft 22 can be moved in the vertical direction by driving the lift cylinder 23 through the lift cylinder 23.

【0020】上記回転カップ12は、上記固定カラー2
4の外周面にベアリング25bを介して装着される回転
外筒26bの上端部に固定される連結筒31を介して取
付けられており、回転カップ12の底部12bとスピン
チャック10の下面との間にはシール機能を有するベア
リング32が介在されてスピンチャック10と相対的に
回転可能になっている。そして、回転外筒26bに装着
される従動プーリ28bと上記駆動モータ21に装着さ
れる駆動プーリ21bに掛け渡されるベルト29bによ
って駆動モータ21からの駆動が回転カップ12に伝達
されて回転カップ12が回転される。この場合、従動プ
ーリ28bの直径は上記回転軸22に装着された従動プ
ーリ28aの直径と同一に形成され、同一の駆動モータ
21にベルト29a,29bが掛け渡されているので、
回転カップ12とスピンチャック10は同一回転する。
なお、固定カラー24と回転内筒26a及び回転外筒2
6bとの対向面にはラビリンスシール部33が形成され
て回転処理時に下部の駆動系から回転カップ12内にご
みが進入するのを防止している(図3参照)。
The rotating cup 12 is provided with the fixed collar 2.
4 is mounted via a connecting cylinder 31 fixed to the upper end of a rotary outer cylinder 26b mounted via a bearing 25b on the outer peripheral surface of the rotary cup 12, between the bottom 12b of the rotary cup 12 and the lower surface of the spin chuck 10. A bearing 32 having a sealing function is interposed therebetween so as to be rotatable relative to the spin chuck 10. The drive from the drive motor 21 is transmitted to the rotary cup 12 by a driven pulley 28b mounted on the rotary outer cylinder 26b and a belt 29b stretched over a drive pulley 21b mounted on the drive motor 21 so that the rotary cup 12 is driven. Rotated. In this case, the diameter of the driven pulley 28b is formed to be the same as the diameter of the driven pulley 28a mounted on the rotary shaft 22, and the belts 29a and 29b are stretched over the same drive motor 21.
The rotating cup 12 and the spin chuck 10 rotate the same.
The fixed collar 24, the rotating inner cylinder 26a and the rotating outer cylinder 2
A labyrinth seal portion 33 is formed on the surface facing the surface 6b to prevent dust from entering the rotary cup 12 from the lower drive system during the rotation process (see FIG. 3).

【0021】また、回転カップ12は、側壁12cが上
側に向って縮径されたテーパ面12eを形成してなり、
この側壁12cの上端から内方側に向って内向きフラン
ジ12dが形成されている。そして、回転カップ12の
上部周辺部すなわち内向きフランジ12dには周方向に
適宜間隔をおいて給気孔34が穿設され、下部周辺部す
なわち側壁12cの下部側の周方向の適宜位置には排気
孔35が穿設されている。このように給気孔34と排気
孔35を設けることにより、回転カップ12が回転する
際に、給気孔34から処理室11内に流れる空気が排気
孔35から外部に流れるので、回転カップ12の回転時
に処理室11内が負圧になるのを防止することができ、
処理後に回転カップ12から蓋体16を開放する際に大
きな力を要することなく,蓋体16を容易に開放するこ
とができる。
The rotating cup 12 has a tapered surface 12e whose side wall 12c is reduced in diameter toward the upper side.
An inward flange 12d is formed inward from the upper end of the side wall 12c. Air supply holes 34 are formed in the upper peripheral portion of the rotating cup 12, that is, the inward flange 12 d, at appropriate intervals in the circumferential direction, and the lower peripheral portion, that is, the lower portion of the side wall 12 c, is exhausted at an appropriate position in the circumferential direction. A hole 35 is drilled. By providing the air supply hole 34 and the exhaust hole 35 in this manner, when the rotating cup 12 rotates, the air flowing into the processing chamber 11 from the air supply hole 34 flows to the outside from the exhaust hole 35, so that the rotation of the rotary cup 12 Sometimes it is possible to prevent the processing chamber 11 from becoming negative pressure,
The cover 16 can be easily opened without requiring a large force when opening the cover 16 from the rotating cup 12 after the processing.

【0022】一方、上記ドレンカップ14の内部には環
状通路14aが設けられており、この環状通路14aの
外周壁の適宜箇所(例えば周方向の4箇所)には図示し
ない排気装置に接続する排気口36が設けられると共
に、ドレンカップ14の内周側上方部に排気口36と連
通する放射状の排気通路37が形成されている(図1参
照)。このようにドレンカップ14の外周部に排気口3
6を設けると共に、ドレンカップ14の内周側上方部に
排気口36と連通する排気通路37を形成することによ
り、回転処理時に処理室11内で遠心力により飛散し排
気孔34を通ってドレンカップ14内に流れ込んだミス
トが回転カップ12の上部側へ舞い上がるのを防止し
て、排気口36から外部に排出することができる。
On the other hand, an annular passage 14a is provided inside the drain cup 14, and exhaust gas connected to an exhaust device (not shown) is provided at an appropriate place (for example, four places in the circumferential direction) on the outer peripheral wall of the annular passage 14a. A port 36 is provided, and a radial exhaust passage 37 communicating with the exhaust port 36 is formed in an upper portion on the inner peripheral side of the drain cup 14 (see FIG. 1). As described above, the exhaust port 3 is provided on the outer peripheral portion of the drain cup 14.
6 and an exhaust passage 37 communicating with the exhaust port 36 is formed in the upper part on the inner peripheral side of the drain cup 14, so that it is scattered by centrifugal force in the processing chamber 11 during the rotation process and drains through the exhaust hole 34. The mist that has flowed into the cup 14 is prevented from rising to the upper side of the rotating cup 12 and can be discharged to the outside from the exhaust port 36.

【0023】上記環状通路14aは、ドレンカップ14
の底部から起立する外側壁14bとドレンカップ14の
天井部から垂下する内側壁14cとで迂回状に区画され
て、排気が均一に行えるようになっており、外側壁14
bと内側壁14cとの間に位置する底部14dには周方
向に適宜間隔をおいてドレン孔14eが設けられてい
る。
The annular passage 14a is provided with a drain cup 14
The outer wall 14b rising from the bottom of the drain cup 14 and the inner wall 14c hanging down from the ceiling of the drain cup 14 are detoured so that the exhaust can be performed uniformly.
A drain hole 14e is provided in the bottom 14d located between the inner wall 14b and the inner wall 14c at appropriate intervals in the circumferential direction.

【0024】また、ドレンカップ14の内周面には、上
記回転カップ12のテーパ面12eに近接すべく上側に
向って縮径されたテーパ面14fが形成されて、回転カ
ップ12のテーパ面12eとドレンカップ14のテーパ
面14fとの間に微少隙間が形成されている。このよう
に下方に向って拡開するテーパ状の微少隙間を形成する
ことによって、回転カップ12の回転時に回転カップ1
2とドレンカップ14との間の上記微少隙間の上下の間
で生じる周速差から圧力差が誘発され、この圧力差が回
転カップ12の外周部の微少隙間の上側から下側に向う
気流を助長させてドレンカップ14内の排気ミストが上
記微少隙間を通って回転カップ12外へ飛散するのを防
止することができる。
On the inner peripheral surface of the drain cup 14, a tapered surface 14f whose diameter is reduced toward the upper side so as to be close to the tapered surface 12e of the rotary cup 12 is formed. A minute gap is formed between the drain cup 14 and the tapered surface 14f. By forming the tapered minute gap that expands downward as described above, the rotation cup 1 is rotated when the rotation cup 12 rotates.
A pressure difference is induced from the peripheral speed difference between the upper and lower portions of the minute gap between the drain cup 14 and the drain cup 14, and this pressure difference causes the airflow from the upper side to the lower side of the minute gap on the outer peripheral portion of the rotary cup 12. By promoting this, it is possible to prevent the exhaust mist in the drain cup 14 from scattering to the outside of the rotary cup 12 through the minute gap.

【0025】また、微少隙間を通って上方に向い回転カ
ップ12外へ飛散しうとするミストがあっても、排気
通路37により吸引されてドレンカップ14内に向い排
気口36から排出される。
Further, even if scattered who is attempting mist to the rotary cup 12 outside facing upwardly through a minute gap, and is discharged from the exhaust port 36 facing the drain cup 14 is sucked by the exhaust passage 37.

【0026】上記実施形態では、ドレンカップ14が回
転カップ12の外周側を取囲むように配置される場合に
ついて説明したが、ドレンカップ14は必ずしも回転カ
ップ12の外周側に配置される必要はなく、回転カップ
12の下部側に配置してもよい。
In the above embodiment , the case where the drain cup 14 is disposed so as to surround the outer peripheral side of the rotary cup 12 has been described. However, the drain cup 14 does not necessarily need to be disposed on the outer peripheral side of the rotary cup 12. , May be arranged below the rotating cup 12.

【0027】上記蓋体16は回転処理時には回転カップ
12の開口部12aに固定されて一体に回転される必要
がある。そこで、図4に示すように、回転カップ12の
上部に突出する固定ピン17aと、この固定ピン17a
に嵌合する嵌合凹所17bとを互いに嵌合させて蓋体1
6を回転カップ12に固定している。この場合、固定ピ
ン17aの頂部を球面状に形成することにより、嵌合凹
所17bとの接触によって発生するごみを少なくしてい
る。なお、固定ピン17aは必ずしも回転カップ側に突
出する必要はなく、蓋体側に固定ピン17aを突出さ
せ、回転カップ側に嵌合凹所17bを設けてもよい。ま
た、嵌合凹所17b内を図示しない吸引手段に接続させ
て固定ピン17aと嵌合凹所17bとの接触によって発
生するごみを外部に排出させるようにしてもよい。
The cover 16 must be fixed to the opening 12a of the rotating cup 12 and rotated integrally during the rotation process. Therefore, as shown in FIG. 4, a fixing pin 17a protruding from the upper part of the rotating cup 12 and this fixing pin 17a
The fitting recess 17b is fitted into the cover 1
6 is fixed to the rotating cup 12. In this case, by forming the top of the fixing pin 17a in a spherical shape, dust generated by contact with the fitting recess 17b is reduced. Note that the fixing pin 17a does not necessarily need to protrude toward the rotating cup, and the fixing pin 17a may protrude from the lid, and a fitting recess 17b may be provided on the rotating cup. Further, the inside of the fitting recess 17b may be connected to suction means (not shown) to discharge dust generated by the contact between the fixing pin 17a and the fitting recess 17b to the outside.

【0028】上記蓋体16を開閉する場合には、図1に
想像線で示すように、蓋体16の上面に突設された膨隆
頭部18の下にロボットアーム20を挿入し、膨隆頭部
18に設けられた係止溝18aにロボットアーム20か
ら突出する係止ピン20aを係合させた後、ロボットア
ーム20を上下動させることによって行うことができ
る。なお、蓋体16を開放するときの膨隆頭部18の係
止溝18aとロボットアーム20の係止ピン20aとの
位置合せ、及び蓋体16を閉じるときの固定ピン17a
と嵌合凹所17bの位置合せは、サーボモータ等にて形
成される駆動モータ21の回転角を制御することによっ
て行うことができる。
When the lid 16 is opened and closed, the robot arm 20 is inserted under the bulging head 18 protruding from the upper surface of the lid 16 as shown by an imaginary line in FIG. After engaging a locking pin 20a protruding from the robot arm 20 with a locking groove 18a provided in the portion 18, the robot arm 20 can be moved up and down. The locking groove 18a of the bulging head 18 when the lid 16 is opened and the locking pin 20a of the robot arm 20 are aligned, and the fixing pin 17a when the lid 16 is closed.
The position of the fitting recess 17b can be adjusted by controlling the rotation angle of the drive motor 21 formed by a servomotor or the like.

【0029】上記実施形態では、蓋体16と回転カップ
12との固定を固定ピン17aと嵌合凹所17bの嵌合
により行う場合について説明したが、必ずしもこのよう
な構造とする必要はなく、別途押圧機構を用いて蓋体1
6を回転カップ12に固定すれば、蓋体16の開放時の
ごみの発生や回転処理時の蓋体16のガタツキ等を防止
することができる。
In the above embodiment , the case where the lid 16 and the rotating cup 12 are fixed by the fitting of the fixing pin 17a and the fitting recess 17b is described. However, such a structure is not necessarily required. Lid 1 using a separate pressing mechanism
If the cover 6 is fixed to the rotating cup 12, generation of dust when the cover 16 is opened and rattling of the cover 16 during the rotation process can be prevented.

【0030】なお、上記蓋体16と基板Gとの中間位置
に、中心部分で蓋体16に取着された基板G以上の大き
さの多孔板等にて形成されるバッフル板(図示せず)を
配置することも可能である。このようにバッフル板を配
置することにより、塗布処理時に更に確実に処理室11
内の乱流の発生を防止することができる。
A baffle plate (not shown) formed of a perforated plate or the like having a size equal to or larger than the substrate G attached to the lid 16 at the center portion is provided at an intermediate position between the lid 16 and the substrate G. ) Can also be arranged. By arranging the baffle plate in this manner, the processing chamber 11 can be more reliably formed during the coating process.
The occurrence of turbulence in the inside can be prevented.

【0031】一方、上記溶剤供給ノズル40は溶剤供給
路である溶剤供給チューブ41と開閉バルブ42を介し
て溶剤タンク43に接続されており、溶剤タンク43内
に供給される窒素(N2 )ガスの加圧を制御することに
よって溶剤タンク43内の溶剤Aが基板G上に所定時間
中所定量の溶剤Aの供給が可能となっている。
On the other hand, the solvent supply nozzle 40 is connected to a solvent tank 43 via a solvent supply tube 41 serving as a solvent supply path and an opening / closing valve 42, and is used to supply nitrogen (N 2) gas supplied into the solvent tank 43. By controlling the pressurization, the solvent A in the solvent tank 43 can supply a predetermined amount of the solvent A onto the substrate G for a predetermined time.

【0032】レジスト液供給ノズル50は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ51を介してレジ
スト液Bを収容するレジスト液タンク52(塗布液供給
源)に連通されている。このチューブ51には、サック
バックバルブ53、エアーオペレーションバルブ54、
レジスト液B中の気泡を分離除去するための気泡除去機
構55、フィルタ56及びベローズポンプ57が順次設
けられている。このベローズポンプ57は、駆動部によ
り制御された状態で伸縮可能となっており、所定量のレ
ジスト液Bをレジスト液供給ノズル50を介して基板G
の中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来のレ
ジスト液Bの供給量より少量のレジスト液Bの供給量制
御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズポ
ンプの一端に吸着されたネジと、このネジに螺合される
ナットとからなるボールネジ58と、このナットを回転
させることによりネジを直線動させるステッピングモー
タ59とにより構成されている。レジスト液供給ノズル
50の口径は、具体的には、500×600mmの基板
用の場合には、内径がφ0.5〜φ5mm、好ましくは
φ3mmに設定されている。このように、ノズルの径を
基板の寸法に応じて設定することにより、なるべく少量
のレジスト液Bをなるべく長い時間をかけて供給できる
ようになっている。供給時間が短いと膜厚の均一性が良
くなく、また長すぎるとレジスト液が基板の周縁部まで
いかなくなる。ここでなるべく少量とは、上記ノズルの
口径そしてレジスト液供給圧力に依存する。
The resist liquid supply nozzle 50 is connected to a resist liquid tank 52 (coating liquid supply source) containing a resist liquid B via a resist liquid supply tube 51 which is a resist liquid supply path. The tube 51 has a suck back valve 53, an air operation valve 54,
A bubble removing mechanism 55 for separating and removing bubbles in the resist solution B, a filter 56, and a bellows pump 57 are sequentially provided. The bellows pump 57 is capable of expanding and contracting under the control of the drive unit, and a predetermined amount of the resist solution B is supplied to the substrate G through the resist solution supply nozzle 50.
For example, it can be supplied to the central part of the liquid crystal. It is possible to control the supply amount of the resist solution B smaller than the supply amount of the conventional resist solution B. This drive unit is constituted by a ball screw 58 having a screw one end of which is adsorbed to one end of the bellows pump, a nut screwed to the screw, and a stepping motor 59 for linearly moving the screw by rotating the nut. It is configured. The diameter of the resist liquid supply nozzle 50 is specifically set to φ0.5 to φ5 mm, preferably φ3 mm for a substrate of 500 × 600 mm. In this way, by setting the diameter of the nozzle according to the size of the substrate, it is possible to supply a small amount of the resist solution B as much as possible over a long time. If the supply time is short, the uniformity of the film thickness is not good, and if it is too long, the resist liquid does not reach the peripheral portion of the substrate. Here, as small as possible depends on the diameter of the nozzle and the supply pressure of the resist solution.

【0033】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ57
のステッピングモータ59の駆動時間によって制御(制
御精度:±2msec)されるようになっている。ま
た、レジスト液の吐出量はベローズポンプ57の駆動動
作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液供給
路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ54の
開閉動作(ON−OFF動作)によって設定されるよう
になっている。上記ベローズポンプ57の駆動時間の設
定及びエアーオペレーションバルブ54のON−OFF
動作は、予め設定されたプログラムに基いてコンピュー
タの作用で自動的に制御される。
In the resist liquid supply system configured as described above, the discharge time of the resist liquid is controlled by the bellows pump 57.
(Control accuracy: ± 2 msec) by the driving time of the stepping motor 59. Further, the discharge amount of the resist liquid is set by a driving operation of the bellows pump 57, for example, a driving time and a driving speed, and an opening / closing operation (ON-OFF operation) of the air operation valve 54 for opening and closing the resist liquid supply passage. It has become. Setting of the driving time of the bellows pump 57 and ON / OFF of the air operation valve 54
The operation is automatically controlled by the operation of a computer based on a preset program.

【0034】レジスト液Bの吐出時間の制御はレジスト
液供給ノズル50に設けた可変オリフィス(図示せず)
の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベロ
ーズポンプ57を用いずにレジスト液タンク52へのN
2 ガスの加圧によってレジスト液Bの供給を行うことも
可能であり、この場合のレジスト液Bの吐出時間制御は
N2 ガスの加圧量の調整によって行うことができる。
The discharge time of the resist solution B is controlled by a variable orifice (not shown) provided in the resist solution supply nozzle 50.
It can also be performed by opening and closing operations. Also, the N solution to the resist solution tank 52 can be used without using the bellows pump 57.
It is also possible to supply the resist solution B by pressurizing the two gases. In this case, the discharge time of the resist solution B can be controlled by adjusting the pressurized amount of the N2 gas.

【0035】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ53は、レジスト液供給ノズル50からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル50先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液Bをレジ
スト液供給ノズル50内に引き戻すためのバルブであ
り、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するため
のものである。この場合、少量のレジスト液Bを吐出す
るレジスト液供給ノズル50において、通常通りサック
バックバルブ53の負圧作用によってレジスト液Bをレ
ジスト液供給ノズル50内に引き戻すと、ノズル50先
端付近の空気も一緒にノズル50内に巻き込まれてしま
い、ノズル50先端に付着したレジスト液Bの残滓がノ
ズル50内に入り、ノズル50の目詰まりを起こすばか
りか、乾燥したレジストがパーティクルとなり基板Gが
汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞れ
がある。
The suck-back valve 53 provided in the resist solution supply system discharges the resist solution B remaining on the inner wall of the tip of the resist solution supply nozzle 50 due to surface tension after the resist solution is discharged from the resist solution supply nozzle 50. This is a valve for drawing back into the resist liquid supply nozzle 50, thereby preventing solidification of the remaining resist liquid. In this case, when the resist liquid supply nozzle 50 that discharges a small amount of the resist liquid B draws the resist liquid B back into the resist liquid supply nozzle 50 by the negative pressure action of the suck back valve 53 as usual, the air near the tip of the nozzle 50 also becomes The residue of the resist solution B adhering to the tip of the nozzle 50 enters the nozzle 50 and clogs the nozzle 50, and the dried resist becomes particles and the substrate G is contaminated. At the same time, there is a risk that the yield will be reduced.

【0036】この問題を解決するために、図5(a)に
示すように、レジスト液供給ノズル50のノズル孔50
aに比較して、開口部近くの部分の肉厚50bを厚くし
ている。すなわち、このノズル50は、筒状の先端部
と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有す
る。代わって、図5(b)に示すように、レジスト液供
給ノズル50の筒状の先端部又は開口部に外フランジ5
0cを設けることにより、サックバックの際にノズル5
0先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。
また、図5(c)に示すように、レジスト液供給ノズル
50の垂直に延びた円筒状の先端に横S字状に延びた細
径の屈曲部50dを形成し、この屈曲部50dの中央付
近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先
端部の空気の巻き込みを防止することができる。
In order to solve this problem, as shown in FIG.
The thickness 50b of the portion near the opening is larger than that of FIG. That is, the nozzle 50 has a cylindrical tip and an inverted truncated cone following the cylindrical tip. Instead, as shown in FIG. 5B, an outer flange 5 is provided at the cylindrical tip or opening of the resist solution supply nozzle 50.
0c, the nozzle 5 during suckback
0 Entrapment of air near the front end can be prevented.
Further, as shown in FIG. 5C, a small-diameter bent portion 50d extending in a horizontal S-shape is formed at a vertically extending cylindrical tip of the resist liquid supply nozzle 50, and the center of the bent portion 50d is formed. By performing suckback to the vicinity, air entrapment at the nozzle tip can be similarly prevented.

【0037】上記温度調整機構61(温度調整手段)
は、図2に示すように、溶剤供給チューブ41及びレジ
スト供給チューブ51の外周をそれぞれ包囲するように
設けられる温度調整液供給路62と、この温度調整液供
給路62の両側の端部に両端がそれぞれ接続された循環
路63と、循環路63のそれぞれに設けられた循環ポン
プ64と、循環路63の途中に接続された温度調整液C
(例えば恒温水)を一定温度に維持するサーモモジュー
ル65とにより構成されている。このように構成された
温度調整機構61により、溶剤供給チューブ41内を流
れる溶剤Aとレジスト供給チューブ51内を流れるレジ
スト液Bを所定温度(例えば、約23℃)に維持するこ
とができる。
The temperature adjusting mechanism 61 (temperature adjusting means)
As shown in FIG. 2, a temperature control liquid supply path 62 provided to surround the outer circumferences of the solvent supply tube 41 and the resist supply tube 51, respectively, and both ends of both ends of the temperature control liquid supply path 62 , A circulation pump 64 provided in each of the circulation paths 63, and a temperature adjustment liquid C connected in the middle of the circulation path 63.
(For example, constant temperature water) at a constant temperature. With the temperature adjusting mechanism 61 configured as described above, the solvent A flowing in the solvent supply tube 41 and the resist liquid B flowing in the resist supply tube 51 can be maintained at a predetermined temperature (for example, about 23 ° C.).

【0038】なお、回転カップ12の外側方には、図示
しないリンス液供給ノズル45の待機部46が設けられ
ている。また、上記回転カップ12の下部側の回転せず
固定された連結筒31内に洗浄ノズル47を配設するこ
とにより、回転カップ12及び蓋体16の内面を洗浄す
ることができる。すなわち、回転軸22に取付けられた
ブラケット48にて洗浄ノズル47を保持し、洗浄ノズ
ル47に接続する洗浄液供給管49を固定カラー24内
に設けた通路(図示せず)を介して外部の図示しない洗
浄液供給源に接続することによって、図3に想像線で示
すように、スピンチャック10を上昇させてスピンチャ
ック10と回転カップ12の底部との間から洗浄ノズル
47を臨ませて洗浄液を回転する回転カップ12及び蓋
体16の内面に噴射することができる。
Note that a standby portion 46 of a rinse liquid supply nozzle 45 (not shown) is provided outside the rotary cup 12. Further, by disposing the cleaning nozzle 47 in the connecting cylinder 31 fixed without rotating on the lower side of the rotating cup 12, the inner surfaces of the rotating cup 12 and the lid 16 can be cleaned. That is, the cleaning nozzle 47 is held by a bracket 48 attached to the rotating shaft 22, and a cleaning liquid supply pipe 49 connected to the cleaning nozzle 47 is externally shown through a passage (not shown) provided in the fixed collar 24. 3, the spin chuck 10 is lifted up and the cleaning nozzle 47 is exposed from between the spin chuck 10 and the bottom of the rotating cup 12 to rotate the cleaning liquid as shown by the imaginary line in FIG. Can be sprayed on the inner surfaces of the rotating cup 12 and the lid 16.

【0039】次に、上記のように構成される塗布膜形成
装置によるレジスト膜の形成手順を、図6のフローチャ
ートを参照して説明する。
Next, a procedure of forming a resist film by the coating film forming apparatus having the above-described configuration will be described with reference to a flowchart of FIG.

【0040】まず、回転カップ12の蓋体16を開放
し、そして、基板Gを、図示しない搬送アームによって
静止したスピンチャック10上に移動させ、基板Gを真
空吸着によってスピンチャック10が保持し基板Gを支
持する。その後、回転カップ12の開口部12aを蓋体
16で閉止して、回転カップ12内に基板Gを封入する
(ステップ)。次に、基板Gを回転させずに静止した
状態で溶剤供給ノズル40から基板表面に塗布液の溶剤
Aとして例えばエチルセロソルブアセテート(ECA)
を例えば20秒(sec)間で例えば26.7cc供給
例えば滴下する(ステップ)。この際、スピンチャッ
ク10の回転駆動により基板Gを処理時の定常回転より
低速に回転した状態で溶剤Aを滴下してもよい。また、
このようにして溶剤Aを20sec間供給した後、スピ
ンチャック10及び回転カップ12の回転数を低速回転
数(回転数:例えば100〜600rpm,加速度:3
00〜500rpm/sec)による回転状態で溶剤A
の供給を停止する(ステップ)。
First, the lid 16 of the rotating cup 12 is opened, and the substrate G is moved onto the stationary spin chuck 10 by a transfer arm (not shown), and the substrate G is held by the vacuum chuck by the vacuum chuck. Support G. Thereafter, the opening 12a of the rotating cup 12 is closed with the lid 16, and the substrate G is sealed in the rotating cup 12 (step). Next, in a state where the substrate G is stationary without rotating, the solvent supply nozzle 40 applies a solvent A of the coating liquid to the surface of the substrate, for example, ethyl cellosolve acetate (ECA).
Is supplied, for example, in 26.7 cc for 20 seconds (sec), for example, is dropped (step). At this time, the solvent A may be dropped while the substrate G is rotated at a lower speed than the steady rotation during processing by the rotation drive of the spin chuck 10. Also,
After the solvent A is supplied for 20 seconds in this manner, the rotation speed of the spin chuck 10 and the rotating cup 12 is reduced to a low rotation speed (rotation speed: for example, 100 to 600 rpm, acceleration: 3).
Solvent A at a rotation speed of 100 to 500 rpm / sec).
Is stopped (step).

【0041】次に、スピンチャック10を、高速回転
(第1の回転数:600から1000rpm程度の範囲
例えば1000rpm,加速度:300〜600rpm
/sec)させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中
心部にレジスト液供給ノズル50aから塗布液例えばレ
ジスト液Bを例えば5sec間供給例えば10cc滴下
する(ステップ)。このときの溶剤Aが乾燥する時期
は、予め実験により求めることができる。例えば、基板
Gの表面を目視し、光の干渉縞が見えている間は乾燥し
ておらず、乾燥したら干渉縞が見えなくなるので、その
時期を知ることができる。この場合5sec間の供給時
期には、上記したベローズポンプ57の駆動時間を制御
でき、レジスト液の供給量を正確にかつ微妙に制御でき
るように構成されている。このようにしてレジスト液B
を5sec供給(滴下)した後、レジスト液Bの供給を
停止すると同時に、スピンチャック10及び回転カップ
12の回転を停止する(ステップ)。
Next, the spin chuck 10 is rotated at a high speed (first rotation speed: in the range of about 600 to 1000 rpm, for example, 1000 rpm, acceleration: 300 to 600 rpm).
/ Sec), at the same time, a coating liquid, for example, a resist liquid B is supplied for, for example, 5 seconds from the resist liquid supply nozzle 50a to the central portion of the solvent film on the substrate surface for 5 seconds, for example, and 10 cc is dropped (step). The drying time of the solvent A at this time can be obtained in advance by an experiment. For example, when the surface of the substrate G is visually observed and the interference fringes of light are visible, the drying is not performed, and when the interference fringes are dried, the interference fringes become invisible, so that the time can be known. In this case, during the supply time of 5 seconds, the driving time of the bellows pump 57 can be controlled, and the supply amount of the resist solution can be accurately and finely controlled. Thus, the resist solution B
Is supplied (dropped) for 5 seconds, the supply of the resist solution B is stopped, and at the same time, the rotations of the spin chuck 10 and the rotating cup 12 are stopped (step).

【0042】このようにして回転カップ12の開口部1
2aを蓋体16で閉止し密閉した状態で、スピンチャッ
ク10及び回転カップ12を例えば15sec間、回転
(第2の回転数:例えば1350rpm,加速度:50
0rpm/sec)させてレジスト膜の膜厚を整える
(ステップ)。塗布処理が終了した後、スピンチャッ
ク10及び回転カップ12の回転を停止した後、ロボッ
トアーム20によって蓋体16を待機位置に移動させ
て、図示しない搬送アームによって基板Gを取出して、
塗布作業を完了する。
Thus, the opening 1 of the rotating cup 12
The spin chuck 10 and the rotating cup 12 are rotated, for example, for 15 sec (second rotation speed: for example, 1350 rpm, acceleration: 50) in a state in which the lid 2a is closed and sealed by the lid 16.
0 rpm / sec) to adjust the thickness of the resist film (step). After the coating process is completed, the rotation of the spin chuck 10 and the rotation cup 12 is stopped, the lid 16 is moved to the standby position by the robot arm 20, and the substrate G is taken out by the transfer arm (not shown).
The application operation is completed.

【0043】上記のように構成されるこの発明に係る塗
布膜形成装置はLCD基板Gのレジスト塗布装置として
単独で使用される他、後述するLCD基板Gのレジスト
塗布・現像処理システムに組み込んで使用することがで
きる。以下に、上記実施例の塗布膜形成装置を組み込ん
だレジスト塗布・現像処理システムの構造について説明
する。
The coating film forming apparatus according to the present invention configured as described above is used alone as a resist coating apparatus for the LCD substrate G, and is also used by being incorporated into a resist coating and developing processing system for the LCD substrate G described later. can do. Hereinafter, the structure of a resist coating and developing system incorporating the coating film forming apparatus of the above embodiment will be described.

【0044】上記レジスト塗布・現像処理システムは、
図7に示すように、基板Gを搬入・搬出するローダ部9
0と、基板Gの第1処理部91と、中継部93を介して
第1処理部91に連設される第2処理部92とで主に構
成されている。なお、第2処理部92には受渡し部94
を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光するた
めの露光装置95が連設可能になっている。
The resist coating / developing processing system comprises:
As shown in FIG. 7, a loader unit 9 for loading / unloading the substrate G is provided.
0, a first processing unit 91 of the substrate G, and a second processing unit 92 connected to the first processing unit 91 via the relay unit 93. The second processing unit 92 includes a delivery unit 94
An exposure device 95 for exposing a predetermined fine pattern to a resist film via the resist film can be connected in series.

【0045】上記ローダ部90は、未処理の基板Gを収
容するカセット96と、処理済みの基板Gを収容するカ
セット97を載置するカセット載置台98と、このカセ
ット載置台98上のカセット96,97との間で基板G
の搬出入を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方
向の移動及び回転(θ)可能な基板搬出入ピンセット9
9とで構成されている。
The loader unit 90 includes a cassette 96 for storing unprocessed substrates G, a cassette mounting table 98 for mounting a cassette 97 for storing processed substrates G, and a cassette 96 on the cassette mounting table 98. , 97 and the substrate G
Tweezers 9 that can be moved and rotated (θ) in the horizontal (X, Y) direction and the vertical (Z) direction in order to carry in / out a substrate.
9.

【0046】上記第1処理部91は、X,Y、Z方向の
移動及びθ回転可能な搬送機構例えばメインアーム80
の搬送路102の一方の側に、基板Gをブラシ洗浄する
ブラシ洗浄装置120と、基板Gを高圧ジェット水で洗
浄するジェット水洗浄装置130と、基板Gの表面を疎
水化処理するアドヒージョン処理装置105と、基板G
を所定温度に冷却する冷却処理装置106とを配置し、
搬送路102の他方の側に、この発明の塗布膜形成装置
である塗布処理装置107(塗布機構)及び塗布膜除去
装置108(塗布膜除去機構)を配置してなる。
The first processing section 91 is provided with a transfer mechanism such as a main arm 80 capable of moving in the X, Y, and Z directions and rotating θ.
A brush cleaning device 120 for cleaning the substrate G with a brush, a jet water cleaning device 130 for cleaning the substrate G with high-pressure jet water, and an adhesion processing device for hydrophobizing the surface of the substrate G. 105 and substrate G
And a cooling processing device 106 for cooling to a predetermined temperature,
On the other side of the transport path 102, a coating processing device 107 (coating mechanism) and a coating film removing device 108 (coating film removing mechanism), which are the coating film forming devices of the present invention, are arranged.

【0047】一方、上記第2処理部92は、第1処理部
91と同様に、X,Y、Z方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム80aを有し、このメインアーム80aの
搬送路102aの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置109を配置し、搬送路102aの他方の側
に、現像装置110を配置している。
On the other hand, like the first processing section 91, the second processing section 92 has a main arm 80a that can move in the X, Y, and Z directions and can rotate θ, and the transport path 102a of the main arm 80a. A heat treatment device 109 for heating the substrate G before and after the application of the resist solution to perform pre-baking or post-baking is disposed on one side of the substrate, and a developing device 110 is disposed on the other side of the transport path 102a.

【0048】また、上記中継部93は、基板Gを支持す
る支持ピン93aを立設する受渡し台93bを有する箱
体93cの底面にキャスタ93dを具備した構造とする
ことにより、必要に応じてこの中継部93を第1処理部
91及び第2処理部92から引出して、第1処理部91
又は第2処理部92内に作業員が入って補修や点検等を
容易に行うことができる。
The relay section 93 has a structure in which casters 93d are provided on the bottom surface of a box 93c having a delivery table 93b on which support pins 93a for supporting the substrate G are erected. The relay unit 93 is pulled out from the first processing unit 91 and the second processing unit 92, and the first processing unit 91
Alternatively, a worker can enter the second processing unit 92 to easily perform repairs and inspections.

【0049】なお、上記受渡し部94には、基板Gを一
時待機させるためのカセット111と、このカセット1
11との間で基板Gの出入れを行う搬送用ピンセット1
12と、基板Gの受渡し台113が設けられている。
The transfer section 94 includes a cassette 111 for temporarily holding the substrate G, and a cassette 1
Tweezers 1 for transferring a substrate G to and from the substrate 11
12 and a delivery table 113 for the substrate G are provided.

【0050】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット96内に収容された未処理の
基板Gはローダ部90の搬出入ピンセット99によって
取出された後、第1処理部91のメインアーム80に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置120内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置120内にてブラシ洗浄された
基板Gは引続いてジェット水洗浄装置130内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Gは、アド
ヒージョン処理装置105にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置106にて冷却された後、メインアーム80
にて塗布機構すなわち塗布処理装置107に搬入され、
塗布処理装置107にて、上述した手順によりフォトレ
ジストすなわち感光膜が塗布形成され、引続いて塗布膜
除去装置108によって基板Gの辺部の不要なレジスト
膜が除去される。不要なレジスト膜が除去された基板G
は、メインアーム80にて塗布膜除去装置108から搬
出されて次工程に搬送する。したがって、この後、基板
Gを搬出する際には縁部のレジスト膜は除去されている
ので、メインアーム80にレジストが付着することもな
い。そして、このフォトレジストが加熱処理装置109
にて加熱されてベーキング処理が施された後、露光装置
95にて所定のパターンが露光される。そして、露光後
の基板Gは現像装置110内へ搬送され、現像液により
現像された後にリンス液により現像液を洗い流し、現像
処理を完了する。
In the coating / developing processing system configured as described above, the unprocessed substrate G accommodated in the cassette 96 is taken out by the loading / unloading tweezers 99 of the loader unit 90, The brush is transferred to the main arm 80 and then transferred into the brush cleaning device 120. The substrate G that has been brush-cleaned in the brush cleaning device 120 is subsequently cleaned with high-pressure jet water in the jet water cleaning device 130. Thereafter, the substrate G is subjected to a hydrophobizing treatment by the adhesion processing device 105 and cooled by the cooling treatment device 106,
Is carried into the coating mechanism, that is, the coating processing apparatus 107,
In the coating processing apparatus 107, a photoresist, that is, a photosensitive film is coated and formed by the above-described procedure, and subsequently, an unnecessary resist film on the side of the substrate G is removed by the coating film removing apparatus 108. Substrate G from which unnecessary resist film is removed
Is transported out of the coating film removing device 108 by the main arm 80 and transported to the next step. Therefore, when the substrate G is carried out thereafter, the resist film on the edge portion is removed, so that the resist does not adhere to the main arm 80. Then, this photoresist is applied to the heat treatment device 109.
After heating and baking, a predetermined pattern is exposed by the exposure device 95. Then, the exposed substrate G is transported into the developing device 110, and after being developed with the developing solution, the developing solution is washed away with the rinsing solution to complete the developing process.

【0051】現像処理された処理済みの基板Gはローダ
部90のカセット97内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。
The processed substrate G that has been subjected to the development processing is accommodated in the cassette 97 of the loader unit 90, and then carried out and transported to the next processing step.

【0052】なお、上記塗布液としては、レジスト(フ
ェノールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドエステ
ル),ARC(反射防止膜;Anti Reflect
ion Coating)が使用され得る。
The coating solution includes a resist (phenol novolak resin and naphthoquinonediazide ester), an ARC (antireflection film; Anti Reflect).
ion Coating) may be used.

【0053】上記溶剤としては、メチル−3−メトキシ
プロピオネート(MMT,沸点:145℃,粘度:1.
1cps)の他、乳酸エチル(EL,沸点:154℃,
粘度:2.6cps)、エチル−3−エトキシプロピオ
ネート(EEP,沸点:170℃,粘度:1.3cp
s),ピルビン酸エチル(EP,沸点:144℃,粘
度:1.2cps)、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート(PGMEA,沸点:146℃,粘
度:1.3cps)、2−ヘプタノン(沸点:152
℃,粘度:1.1cps)、シクロヘキサノン(ARC
の溶剤)等この分野で知られているものが使用され得
る。
As the solvent, methyl-3-methoxypropionate (MMT, boiling point: 145 ° C., viscosity: 1.
1cps), ethyl lactate (EL, boiling point: 154 ° C,
Viscosity: 2.6 cps), ethyl-3-ethoxypropionate (EEP, boiling point: 170 ° C., viscosity: 1.3 cp)
s), ethyl pyruvate (EP, boiling point: 144 ° C., viscosity: 1.2 cps), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA, boiling point: 146 ° C., viscosity: 1.3 cps), 2-heptanone (boiling point: 152)
° C, viscosity: 1.1 cps), cyclohexanone (ARC)
Solvents known in the art can be used.

【0054】上記実施形態では、この発明に係る塗布膜
形成装置をLCD基板のレジスト塗布装置に適用した場
合について説明したが、LCD基板以外の半導体ウエハ
やCDの被処理体の塗布膜形成装置にも適用でき、レジ
スト以外のポリイミド系塗布液(PIQ)やガラス剤を
含有する塗布液(SOG)等にも適用できることは勿論
である。
In the above embodiment, the case where the coating film forming apparatus according to the present invention is applied to a resist coating apparatus for an LCD substrate has been described. Of course, the present invention can also be applied to a polyimide-based coating liquid (PIQ) other than a resist, a coating liquid containing a glass agent (SOG), and the like.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入した後、基板の一面上に溶剤を滴下し、その後、基板
上に、所定量の塗布液を供給し、第1の回転数で蓋体が
閉止された処理容器と基板とを共に回転させて、基板の
一面全体に渡って拡散させ、蓋体が閉止された処理容器
基板とを共に第1の回転数と異なる第2の回転数で回
転させて、塗布膜の膜厚を整えるので、溶剤に対する適
正な配合割合の塗布液を供給することができ、塗布液の
使用量が少なくすることができ、塗布液の基板角部裏面
への廻り込みを防止することができる。また、溶剤と塗
布液との接触による塗布液の粘度を均一にして均一な厚
さの塗布膜を形成することができる。また、蓋体で処理
容器の開口部を閉止した状態で溶剤,塗布液を滴下・塗
布するので、スキャン機構を用いて溶剤供給手段、塗布
液供給手段を移動する移動式に比べて処理スループット
の短縮化が図れる。
As described above, according to the present invention, the lid is closed in the processing container, the substrate is sealed in the processing container, and then the solvent is dropped on one surface of the substrate. A predetermined amount of the coating liquid is supplied onto the substrate, and the lid is rotated at the first rotation speed.
The closed processing container and the substrate are rotated together to diffuse over the entire surface of the substrate, and the lid is closed.
The substrate and the substrate are both rotated at a second rotation speed different from the first rotation speed to adjust the thickness of the coating film, so that a coating liquid having an appropriate mixing ratio with respect to the solvent can be supplied. The amount of use can be reduced, and the coating liquid can be prevented from sneaking into the back surface of the corner of the substrate. Further, the viscosity of the coating solution caused by contact between the solvent and the coating solution can be made uniform to form a coating film having a uniform thickness. In addition, since the solvent and the coating liquid are dropped and applied while the opening of the processing container is closed with the lid, the processing throughput is higher than that of a movable type in which the solvent supply means and the coating liquid supply means are moved by using a scanning mechanism. Shortening can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明に係わる塗布膜の形成方法を実施する
ための塗布膜形成装置の概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a coating film forming apparatus for performing a coating film forming method according to the present invention.

【図2】この発明における溶剤供給ノズル及びレジスト
液供給ノズルを示す概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a solvent supply nozzle and a resist liquid supply nozzle according to the present invention.

【図3】この発明に係る塗布膜形成装置の要部拡大断面
図である。
FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of a coating film forming apparatus according to the present invention.

【図4】この発明における処理容器と蓋体を示す一部断
面斜視図である。
FIG. 4 is a partially sectional perspective view showing a processing container and a lid according to the present invention.

【図5】この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端
部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing different modifications of the tip of the resist solution supply nozzle according to the present invention.

【図6】上記塗布膜形成装置を使用してレジスト膜を形
成する方法を説明するためのフローチャトである。
FIG. 6 is a flowchart for explaining a method of forming a resist film using the above-mentioned coating film forming apparatus.

【図7】上記塗布膜形成装置が適用されたレジスト塗布
・現像システムの全体を概略的に示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view schematically showing an entire resist coating / developing system to which the coating film forming apparatus is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 スピンチャック 12 回転カップ(処理容器) 16 蓋体 18a 開口 18B 取付部材 18C ベアリング 20 ロボットアーム(蓋体移動手段) 21 駆動モータ 40 溶剤供給ノズル(溶剤供給手段) 50 レジスト液供給ノズル(塗布液供給手段) 52 レジスト液タンク(塗布液供給源) 57 ベローズポンプ 59 ステッピングモータ 80 メインアーム(搬送機構) 107 塗布処理装置(塗布機構) 108 塗布膜除去装置(塗布膜除去機構) G LCD基板(基板) A 溶剤 B レジスト液(塗布液) Reference Signs List 10 spin chuck 12 rotating cup (processing container) 16 lid 18a opening 18B mounting member 18C bearing 20 robot arm (lid moving means) 21 drive motor 40 solvent supply nozzle (solvent supply means) 50 resist liquid supply nozzle (coating liquid supply Means) 52 Resist liquid tank (coating liquid supply source) 57 Bellows pump 59 Stepping motor 80 Main arm (transport mechanism) 107 Coating device (coating mechanism) 108 Coating film removing device (coating film removing mechanism) G LCD substrate (substrate) A solvent B resist solution (coating solution)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関口 賢治 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 大森 伝 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東 京エレクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−54435(JP,A) 特開 平5−243140(JP,A) 特開 平4−66159(JP,A) 特開 平4−349969(JP,A) 特開 平4−341367(JP,A) 特開 平6−210230(JP,A) 特開 平2−122520(JP,A) 特開 平1−124271(JP,A) 特開 平1−135565(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B05C 11/08 B05D 1/40 G03F 7/16 502 H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kenji Sekiguchi 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Inside the Kumamoto Plant of Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. No. 1 Tokyo Electron Limited (56) References JP-A-56-54435 (JP, A) JP-A-5-243140 (JP, A) JP-A-4-66159 (JP, A) JP-A-4 JP-A-349969 (JP, A) JP-A-4-34113 (JP, A) JP-A-6-210230 (JP, A) JP-A-2-122520 (JP, A) JP-A-1-124271 (JP, A) JP-A-1-135565 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B05C 11/08 B05D 1/40 G03F 7/16 502 H01L 21/027

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 処理容器内に収容される一面を上に向け
て支持される基板の一面上に塗布液を供給して、塗布膜
を形成する方法において、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記基板の一面上に溶剤を滴下する工程と、 上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1の回転数で
上記蓋体が閉止された処理容器と上記基板とを共に回転
させて、基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器基板とを共に上記第1
の回転数とは異なる第2の回転数で回転させて、塗布膜
の膜厚を整える工程とを有することを特徴とする塗布膜
形成方法。
1. A side accommodated in a processing container is directed upward.
Providing a coating liquid on one surface of a substrate supported by the method, forming a coating film, comprising closing a lid in the processing container and enclosing the substrate in the processing container; A step of dropping a solvent onto the substrate, supplying a predetermined amount of the coating liquid to the substrate,
Rotating the processing container and the substrate together with the lid closed to diffuse over the entire surface of the substrate; and combining the processing container and the substrate with the lid closed together with the first container.
Rotating the film at a second number of revolutions different from the number of revolutions to adjust the thickness of the applied film.
【請求項2】 処理容器内に収容される一面を上に向け
て支持される基板の一面上に塗布液を供給して、塗布膜
を形成する方法において、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体の中心部に、該蓋体と相対的に回転可能に取付
けられる溶剤供給手段から上記基板の一面上に溶剤を滴
下する工程と、 上記蓋体の中心部に、該蓋体と相対的に回転可能に取付
けられる塗布液供給手段から上記基板に、所定量の塗布
液を供給し、第1の回転数で回転させて、基板の一面全
体に渡って拡散させる工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を上記第1の回
転数とは異なる第2の回転数で回転させて、塗布膜の膜
厚を整える工程とを有することを特徴とする塗布膜形成
方法。
2. The side accommodated in the processing container is directed upward.
The coating liquid is supplied on one side of the substrate
In the method for forming a substrate, the lid is closed in the processing container, and the substrate is sealed in the processing container.
And attaching to the center of the lid so as to be rotatable relative to the lid.
Solvent is dropped onto one surface of the substrate from the solvent supply means.
A step of down, in the center of the lid, relatively rotatably mounted with said top
A predetermined amount of coating liquid is applied to the substrate from the coating liquid supply means.
Supply the liquid and rotate it at the first rotation speed to
Diffusing the processing container and the substrate with the lid closed, in the first cycle
Rotating at a second rotation speed different from the rotation speed,
Forming a coating film having a step of adjusting the thickness.
Method.
【請求項3】 処理容器内に収容される一面を上に向け
て支持される基板の一面上に塗布液を供給して、塗布膜
を形成する方法において、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体の中心部に、該蓋体と相対的に回転可能に取付
けられる溶剤供給手段から上記基板の一面上に溶剤を滴
下する工程と、 上記蓋体の中心部に、該蓋体と相対的に回転可能に取付
けられる塗布液供給手段から上記基板に、所定量の塗布
液を供給し、第1の回転数で上記蓋体が閉止された処理
容器と上記基板とを共に回転させて、基板の一面全体に
渡って拡散させる工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器と基板とを共に上記第1
の回転数とは異なる第2の回転数で回転させて、塗布膜
の膜厚を整える工程とを有することを特徴とする塗布膜
形成方法。
3. The surface accommodated in the processing container is turned up.
The coating liquid is supplied on one side of the substrate
In the method for forming a substrate, the lid is closed in the processing container, and the substrate is sealed in the processing container.
And attaching to the center of the lid so as to be rotatable relative to the lid.
Solvent is dropped onto one surface of the substrate from the solvent supply means.
A step of down, in the center of the lid, relatively rotatably mounted with said top
A predetermined amount of coating liquid is applied to the substrate from the coating liquid supply means.
A process in which the liquid is supplied and the lid is closed at the first rotation speed.
Rotate the container and the substrate together to cover the entire surface of the substrate
Spreading the substrate and the substrate together with the processing container and the substrate having the lid closed.
The coating film is rotated at a second rotation speed different from the rotation speed of
And a step of adjusting the film thickness of the coating film.
Forming method.
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の塗
布膜形成方法において、 上記第2の回転数を第1の回転数より高速とすることを
特徴とする塗布膜形成方法。
4. A coating according to any one of claims 1 to 3
In the fabric film forming method, it is preferable that the second rotation speed is higher than the first rotation speed.
Characteristic coating film forming method.
【請求項5】 請求項1ないし3のいずれかに記載の塗
布膜形成方法において、 上記基板の一面上に溶剤を滴下する際に、基板を静止状
態にすることを特徴とする塗布膜形成方法。
5. The method for forming a coating film according to claim 1, wherein when the solvent is dropped on one surface of the substrate, the substrate is kept stationary. .
【請求項6】 請求項1ないし3のいずれかに記載の塗
布膜形成方法において、 溶剤として塗布液の溶剤を滴下することを特徴とする塗
布膜形成方法。
6. The method for forming a coating film according to claim 1, wherein a solvent of a coating solution is dropped as a solvent.
【請求項7】 基板の一面を上に向けて支持する基板支
持手段と、上記 基板を包囲するカップ状をなす処理容器と、 上記処理容器の開口部を閉止する蓋体と、上記基板支持手段及び処理容器を回転させる回転速度の
可変可能な回転手段と、 上記蓋体の中心部に、該蓋体と相対的に回転可能に取付
けられる溶剤供給手段及び塗布液供給手段とを具備する
ことを特徴とする塗布膜形成装置。
A substrate supporting means for supporting facing upward 7. one surface of the substrate, a processing vessel that forms a cup-shaped surrounding the substrate, and a lid member which closes an opening of the processing vessel, the substrate support means And the rotation speed to rotate the processing vessel
An apparatus for forming a coating film, comprising: a variable rotating means ; and a solvent supply means and a coating liquid supply means which are rotatably mounted at a center portion of the lid body relative to the lid body.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654435A (en) * 1979-10-11 1981-05-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photosensitive resin coating method
JPH01124271A (en) * 1987-11-09 1989-05-17 Sumitomo Electric Ind Ltd Formation of gaas solar cell
JPH0669545B2 (en) * 1987-11-23 1994-09-07 タツモ株式会社 Coating device
JP2796812B2 (en) * 1988-10-31 1998-09-10 東京エレクトロン株式会社 Resist coating method and coating apparatus
JP2561371B2 (en) * 1990-07-06 1996-12-04 大日本スクリーン製造株式会社 Rotary coating device
JP2937549B2 (en) * 1991-05-16 1999-08-23 東京応化工業株式会社 Coating device
JPH04349969A (en) * 1991-05-28 1992-12-04 Sharp Corp Spin coater
JPH05243140A (en) * 1992-02-27 1993-09-21 Fujitsu Ltd Spin-coating device and method thereof
JP3337150B2 (en) * 1993-01-20 2002-10-21 シャープ株式会社 Spin type coating equipment

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