JP3160832B2 - Method and apparatus for forming coating film - Google Patents

Method and apparatus for forming coating film

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JP3160832B2
JP3160832B2 JP20419694A JP20419694A JP3160832B2 JP 3160832 B2 JP3160832 B2 JP 3160832B2 JP 20419694 A JP20419694 A JP 20419694A JP 20419694 A JP20419694 A JP 20419694A JP 3160832 B2 JP3160832 B2 JP 3160832B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えばレジスト膜の
ような溶剤による液状塗布膜を、LCD基板のような塗
布体上やこの上に形成された層の上に形成するための塗
布膜形成方法及びその装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a coating film for forming a liquid coating film using a solvent such as a resist film on a coating body such as an LCD substrate or a layer formed thereon. A method and an apparatus therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、半導体技術の分野では、
LCD基板の上に形成された半導体層、絶縁体層、電極
層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合に、
半導体ウエハの場合と同様にパターン部のマスキングと
して層の表面にレジスト膜を形成することが行われてい
る。
2. Description of the Related Art As is well known, in the field of semiconductor technology,
When selectively etching a semiconductor layer, an insulator layer, and an electrode layer formed on an LCD substrate into a predetermined pattern,
As in the case of a semiconductor wafer, a resist film is formed on the surface of a layer as masking of a pattern portion.

【0003】例えば、レジスト膜の形成方法として、角
形のLCD基板(以下に基板という)を、処理容器内に
配設される載置台上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器と載置台を回転さ
せ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光性樹脂
とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液を基板
の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向け
て渦巻状に拡散させて塗布する方法が知られている。
For example, as a method of forming a resist film, a rectangular LCD substrate (hereinafter, referred to as a substrate) is placed and fixed on a mounting table provided in the processing container, and an opening of the processing container is covered. Close the body, rotate the processing container and the mounting table, for example, a resist solution composed of a solvent and a photosensitive resin is dropped into the center of the upper surface of the substrate, and the resist solution is rotated with the rotational force and centrifugal force of the substrate. There is known a method in which a substrate is spirally diffused from the center of the substrate toward the peripheral edge and applied.

【0004】この方法においては、レジスト液が基板の
中心位置から周縁部に向けて拡散していく過程におい
て、レジスト液中の溶剤が蒸発する。このために拡散す
る方向でレジスト液の粘度が異なり、中心部と周辺部と
では形成されたレジスト膜の厚さが異なる。また、基板
は、中心位置よりも外周部で周速がはるかに増加するの
で、飛散する量も多い。すなわち、均一な塗布に限界が
あった。
In this method, the solvent in the resist solution evaporates in the process of diffusing the resist solution from the center position of the substrate toward the periphery. For this reason, the viscosity of the resist solution differs in the diffusion direction, and the thickness of the formed resist film differs between the central portion and the peripheral portion. Further, since the peripheral speed of the substrate is much higher at the outer peripheral portion than at the center position, the amount of the substrate scattered is large. That is, there was a limit to uniform coating.

【0005】このため、例えば、レジスト液の温度調
整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使用
されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の溶
剤の蒸発を抑制する方法や、レジスト液塗布前にレジ
スト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法が考えられ
る。
[0005] For this reason, for example, a method of controlling the temperature of the resist solution or filling the same solvent used in the resist solution in the atmosphere for forming the resist film to suppress the evaporation of the solvent in the resist solution, A method is conceivable in which the solvent of the resist solution is dropped on the substrate surface before coating.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわちレジスト液の温度調整あるいはレジスト膜形成
雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ溶剤を
充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する方法で
は、レジスト液の使用量が多く、例えば、レジスト液の
塗布量の、数%しか実際のレジスト膜の形成に寄与して
いない。しかも、レジスト液の量が多いため、基板角部
裏面への廻り込みが生じ、基板角部裏面に付着したレジ
スト液が乾燥し、パーティクルの発生原因となるという
問題もあった。更には、溶剤を付けずにレジスト液を塗
布すると、塗布中にレジスト液中に空気が取り込まれて
気泡が含まれ、膜厚が不均一になるという問題もあっ
た。また、後者すなわちレジスト液塗布前にレジスト
液の溶剤を基板表面にて滴下する方法でも、基板上の溶
剤そのものの均一性や、乾燥状態の違いにより、均一な
塗布が困難で上記問題を充分に解決することはできな
い。
However, evaporation of the solvent in the resist solution is suppressed by filling the same solvent used for the resist solution in the former, ie, adjusting the temperature of the resist solution or in the atmosphere for forming the resist film. In the method, the amount of the resist solution used is large, and for example, only several% of the applied amount of the resist solution contributes to the actual formation of the resist film. In addition, since the amount of the resist liquid is large, the resist liquid wraps around the back surface of the corner portion of the substrate, and the resist liquid attached to the back surface of the corner portion of the substrate dries, causing a problem of generating particles. Furthermore, when a resist solution is applied without adding a solvent, air is taken into the resist solution during the application and bubbles are contained, resulting in a problem that the film thickness becomes uneven. In addition, even in the latter method, in which the solvent of the resist solution is dropped on the substrate surface before the application of the resist solution, the uniformity of the solvent itself on the substrate and the difference in the dry state make it difficult to apply uniformly, and the above problem is sufficiently solved. It cannot be solved.

【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、レジスト液等の塗布液の使用量が少なくて済み、か
つ均一な厚さの塗布膜を形成することの可能な塗布膜形
成方法及びその装置を提供することを目的とするもので
ある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and requires only a small amount of a coating solution such as a resist solution, and is capable of forming a coating film having a uniform thickness. It is intended to provide a device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の、この発明の塗布膜形成方法は、処理容器内に収容さ
れる基板の一面上に塗布液を供給して、塗布膜を形成す
る方法において、上記基板の一面上に溶剤を塗布する工
程と、上記基板上の溶剤が塗布された領域内に、該溶剤
が乾燥していない状態下で、所定量の塗布液を供給し、
第1の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡
散させる工程と、上記処理容器に蓋体を閉止して、基板
を処理容器内に封入する工程と、上記蓋体が閉止された
処理容器及び基板を、上記第1の回転数より高速の第2
の回転数で回転させて、塗布膜の膜厚を整える工程とを
有することを特徴とするものである(請求項1)。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of forming a coating film, comprising: supplying a coating liquid onto one surface of a substrate housed in a processing container to form a coating film. In the method, a step of applying a solvent on one surface of the substrate, and in a region where the solvent is applied on the substrate, while the solvent is not dried, supplying a predetermined amount of coating liquid,
Rotating at a first number of revolutions to diffuse over the entire surface of the substrate; closing the lid in the processing container and enclosing the substrate in the processing container; and closing the lid. The processing container and the substrate are moved to the second rotation speed higher than the first rotation speed .
And a step of adjusting the film thickness of the coating film by rotating at a rotation speed of (Claim 1).

【0009】この発明の塗布膜形成方法において、基板
と処理容器とを共に回転させる方が好ましい(請求項
2)。
In the method of forming a coating film according to the present invention, it is preferable to rotate the substrate and the processing container together (claim 2).

【0010】また、この発明の塗布膜形成方法におい
て、塗布液の量は、基板の第1の回転数に応じて設定さ
れる(請求項3)。
In the method of forming a coating film according to the present invention, the amount of the coating liquid is set according to the first rotation speed of the substrate.

【0011】また、塗布液の量と、基板の回転数とは、
塗布膜の膜厚変動が平均膜厚の±2%程度以下になるよ
うに設定されている(請求項4)。
Further, the amount of the coating liquid and the number of rotations of the substrate are
The thickness of the coating film is set so that the variation in film thickness is about ± 2% or less of the average film thickness.

【0012】また、溶剤の塗布を基板の回転にて行うこ
とができる(請求項5)。この場合、基板の回転にて行
う溶剤塗布の回転数と、第1の回転数と第2の回転数と
は異なる回転数に設定されている(請求項6)。
Further, the application of the solvent can be performed by rotating the substrate. In this case, the rotation speed of the solvent application performed by the rotation of the substrate is set to a rotation speed different from the first rotation speed and the second rotation speed.

【0013】また、上記溶剤として塗布液の溶剤を塗布
する方が好ましい(請求項7)。
Further, it is preferable to apply a solvent of a coating solution as the solvent (claim 7).

【0014】また、塗布液の基板上への供給は任意の位
置であってもよいが、好ましくは基板のほぼ中心部上に
塗布液を供給する方がよい(請求項8)。
Further, the supply of the coating liquid onto the substrate may be performed at any position, but it is preferable to supply the coating liquid almost at the center of the substrate.

【0015】また、この発明の塗布膜形成装置は、基板
の一面を上に向けて支持する基板支持手段と、上記基板
支持手段を、上記基板の一面全体に渡って塗布液を拡散
させるべく第1の回転数と、塗布膜の膜厚を整えるべく
第1の回転数より高速の第2の回転数で回転させる基板
回転手段と、上記基板を包囲するカップ状をなす処理容
器と、上記処理容器の開口部を閉止する蓋体と、上記基
板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段と、上記基板
に塗布液を供給する塗布液供給手段と、上記溶剤供給手
段と上記塗布液供給手段とを支持し、支持した溶剤供給
手段及び塗布液供給手段を、基板上方の供給位置と、供
給位置から外れた待機位置との間、移動可能に支持する
手段とを具備することを特徴とするものである(請求項
)。
Further, according to the present invention, there is provided an apparatus for forming a coating film, comprising: substrate supporting means for supporting one surface of a substrate facing upward; and spreading the coating liquid over the entire surface of the substrate.
To adjust the first rotation speed and the thickness of the coating film
A substrate rotating means for rotating at a second rotation speed higher than the first rotation speed, a cup-shaped processing container surrounding the substrate, a lid for closing an opening of the processing container, A solvent supply means for supplying a solvent for the coating liquid, a coating liquid supply means for supplying the coating liquid to the substrate, a solvent supply means for supporting the solvent supply means and the coating liquid supply means, and a supported solvent supply means and coating liquid supply And a means for movably supporting the means between a supply position above the substrate and a standby position deviating from the supply position.
9 ).

【0016】また、この発明の別の塗布膜形成装置は、
基板の一面を上に向けて支持する基板支持手段と、上記
基板支持手段を、上記基板の一面全体に渡って塗布液を
拡散させるべく第1の回転数と、塗布膜の膜厚を整える
べく第1の回転数より高速の第2の回転数で回転させる
基板回転手段と、上記基板を包囲するカップ状をなす処
理容器と、上記処理容器の開口部を閉止する蓋体と、上
記基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段と、上記
基板に塗布液を供給する塗布液供給手段と、上記溶剤供
給手段と上記塗布液供給手段とを支持し、支持した溶剤
供給手段及び塗布液供給手段を、基板上方の供給位置
と、供給位置から外れた待機位置との間、移動可能に支
持する手段とを具備する塗布機構と、上記塗布機構によ
って塗布膜が形成された上記基板の縁部に付着した塗布
膜を除去する塗布膜除去機構とを具備することを特徴と
するものである(請求項10)。この場合、上記基板を
上記塗布機構に搬入し、上記塗布膜除去機構から搬出す
る搬送機構を設ける方が好ましい(請求項16)。
Further, another coating film forming apparatus of the present invention comprises:
A substrate supporting means for supporting one side of the substrate facing upward, and the substrate supporting means , applying the coating liquid over the entire surface of the substrate.
Adjust the first rotation speed and the thickness of the coating film to diffuse
Substrate rotating means for rotating at a second rotation speed higher than the first rotation speed, a cup-shaped processing container surrounding the substrate, a lid for closing an opening of the processing container, and the substrate A solvent supply means for supplying a solvent of the coating liquid to the substrate, a coating liquid supply means for supplying the coating liquid to the substrate, the solvent supply means and the coating liquid which support the solvent supply means and the coating liquid supply means. A coating mechanism including means for movably supporting a supply unit between a supply position above the substrate and a standby position deviating from the supply position; and an edge of the substrate on which a coating film is formed by the coating mechanism. it is characterized in that it comprises a coating film removing mechanism for removing a coating film adhered to the part (claim 10). In this case, the substrate is carried into the coating mechanism, it is provided a transport mechanism for unloading from the coating film removing mechanism is preferably (claim 16).

【0017】この発明の塗布膜形成装置において、上記
処理容器を基板と共に回転させる容器回転手段を設ける
方が好ましい(請求項11)。また、塗布液供給手段と
塗布液を収容する塗布液供給源とを供給管を介して連通
し、上記供給管に、塗布液の供給量の調整可能なポンプ
手段を介設する方が好ましい(請求項12)。この場
合、上記ポンプ手段として、例えばベローズポンプと、
このベローズポンプにより塗布液が供給されるようにこ
のベローズポンプを伸縮するステッピングモータとを有
するものを使用することができるし、ダイヤフラムポン
プも使用できる。勿論ポンプを使用せず圧送にて吐出す
ることもできる。
[0017] In the coating film forming apparatus of the present invention, it is provided a container rotating means for rotating the processing chamber with the substrate is preferably (claim 11). Further, it is preferable that the application liquid supply means and the application liquid supply source for storing the application liquid are communicated via a supply pipe, and the supply pipe is provided with a pump means capable of adjusting the supply amount of the application liquid. Claim 12 ). In this case, as the pump means, for example, a bellows pump,
A pump having a stepping motor that expands and contracts the bellows pump so that the coating liquid is supplied by the bellows pump can be used, and a diaphragm pump can also be used. Of course, it is also possible to discharge by pressure feeding without using a pump.

【0018】また、上記溶剤供給手段と塗布液供給手段
の少なくとも1つに、温度調整手段を設ける方が好まし
い(請求項13)。
Further, at least one coating liquid supply means and said solvent supply means, who provide a temperature adjusting means is preferably (claim 13).

【0019】また、上記処理容器の開口部を閉止する蓋
体を、処理容器の閉止位置と処理容器から外れた待機位
置との間、移動可能に支持する蓋体移動手段を具備する
ことができる(請求項14)。
[0019] The apparatus may further comprise a lid moving means for movably supporting the lid for closing the opening of the processing container between a closed position of the processing container and a standby position separated from the processing container. (Claim 14 ).

【0020】また、蓋体に、処理容器内の基板に溶剤及
び塗布液を供給すべく開口を設けると共に、この開口を
蓋にて閉止可能に形成してもよい(請求項15)。
Further, the cover, substrate solvent and the coating solution provided with an opening to supply the in process container, the opening may be closable formed in the lid (claim 15).

【0021】[0021]

【作用】上記技術的手段によるこの発明によれば、基板
の一面上に塗布液の溶剤を塗布して拡散させた後、基板
のほぼ中心部上の溶剤が塗布された領域内に、該溶剤が
乾燥していない状態下で、所定量の塗布液を供給し、
布液を拡散させるべく基板を第1の回転数で回転させ
て、基板の一面全体に渡って塗布液を拡散させ、そし
て、処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入した後、蓋体が閉止された処理容器及び基板を、第1
の回転数より高速の第2の回転数で回転させて、塗布膜
の膜厚を整える。これにより、溶剤に対する適正な配合
割合の塗布液を供給することができ、塗布液の使用量が
少なくすることができ、塗布液の基板角部裏面への廻り
込みを防止することができる。また、溶剤と塗布液との
接触による塗布液の粘度を均一にして均一な厚さの塗布
膜を形成することができる。
According to the present invention, the solvent of the coating solution is applied on one surface of the substrate and diffused, and then the solvent is applied to a region substantially at the center of the substrate where the solvent is applied. There in a state of wet, supplying a predetermined amount of the coating liquid, the coating
The substrate is rotated at the first rotation speed to diffuse the cloth liquid, the coating liquid is diffused over the entire surface of the substrate, and the lid is closed in the processing container, and the substrate is sealed in the processing container. After that, the processing container and the substrate with the lid closed are moved to the first container .
By rotating at a second rotation speed higher than the rotation speed of, the thickness of the coating film is adjusted. This makes it possible to supply a coating liquid having a proper mixing ratio to the solvent, to reduce the amount of the coating liquid used, and to prevent the coating liquid from flowing into the back surface of the corner of the substrate. Further, the viscosity of the coating solution caused by contact between the solvent and the coating solution can be made uniform to form a coating film having a uniform thickness.

【0022】[0022]

【実施例】以下にこの発明の実施例を添付図面に基いて
詳細に説明する。ここでは、この発明の塗布膜成形方法
及び塗布膜形成装置をLCD(液晶表示)基板(ガラス
基板)のレジスト膜の形成方法及び形成装置に適用した
場合について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Here, a case will be described in which the coating film forming method and the coating film forming apparatus of the present invention are applied to a method and an apparatus for forming a resist film on an LCD (liquid crystal display) substrate (glass substrate).

【0023】上記塗布膜形成装置は、図1に示すよう
に、被塗布体である角形状の基板、例えばLCD基板G
(以下に基板という)の一面を上に向けて支持すべく基
板Gを水平状態に真空によって吸着保持する回転体例え
ばスピンチャック10(基板支持手段)と、このスピン
チャック10の上部及び外周部を包囲する処理室11を
有する上方部が開口したカップ状の処理容器12(以下
に回転カップという)と、回転カップ12の開口部12
aに閉止可能に被着(着脱)される蓋体16と、この蓋
体16を閉止位置と待機位置に移動する蓋体移動手段で
あるロボットアーム20と、回転カップ12の外周側を
取囲むように配置される中空リング状のドレンカップ1
4と、スピンチャック10と回転カップ12を回転する
手段である駆動モータ21と、上記スピンチャック10
の上方位置に移動可能に構成される塗布液の溶剤(溶
媒)Aの供給ノズル40(溶剤供給手段)と塗布液例え
ばレジスト液Bの供給ノズル50(塗布液供給手段)と
を近接させて一体に取り付けた噴頭60と、この噴頭6
0を把持して噴頭待機位置と基板上方位置間で移動させ
る移動手段であるスキャン機構70とを有する。ノズル
40,50からの溶剤供給路及びレジスト液供給路のそ
れぞれには、中を流れる溶剤A及びレジスト液Bを予め
設定された温度(例えば23℃)に設定するための温度
調整液Cを循環供給する温度調整機構61が設けられて
いる。
As shown in FIG. 1, the above-mentioned coating film forming apparatus has a rectangular substrate as an object to be coated, for example, an LCD substrate G
A rotating body, for example, a spin chuck 10 (substrate supporting means) for holding the substrate G in a horizontal state by vacuum so as to support one surface thereof (hereinafter referred to as a substrate) upward, and an upper portion and an outer peripheral portion of the spin chuck 10 A cup-shaped processing container 12 (hereinafter referred to as a “rotating cup”) having an opening at an upper portion having a processing chamber 11 to be surrounded, and an opening 12 of the rotating cup 12
a cover 16 which is attached (detachable) so as to be able to be closed on a, a robot arm 20 which is a cover moving means for moving the cover 16 to a closed position and a standby position, and an outer peripheral side of the rotary cup 12. Ring-shaped drain cup 1 arranged as follows
4, a drive motor 21 for rotating the spin chuck 10 and the rotating cup 12, and the spin chuck 10
The supply nozzle 40 (solvent supply means) for the solvent (solvent) A of the coating liquid and the supply nozzle 50 (coating liquid supply means) for the coating liquid, for example, the resist liquid B, which are configured to be movable to a position above, are integrated in close proximity. Spout 60 attached to the
A scanning mechanism 70 is provided as a moving means for holding the nozzle 0 and moving it between the jetting stand-by position and the substrate upper position. In each of the solvent supply path and the resist liquid supply path from the nozzles 40 and 50, a temperature adjustment liquid C for setting the solvent A and the resist liquid B flowing therein to a preset temperature (for example, 23 ° C.) is circulated. A supply temperature adjusting mechanism 61 is provided.

【0024】上記スピンチャック10は、予め設定され
たプログラムに基いて駆動し、回転速度を可変できる駆
動モータ21の駆動によって回転される回転軸22を介
して水平方向に回転(自転)可能になっており、また回
転軸22に連結される昇降シリンダ23の駆動によって
上下方向に移動し得るようになっている。この場合、回
転軸22は、固定カラー24の内周面にベアリング25
aを介して回転可能に装着される回転内筒26aの内周
面に嵌着されるスプライン軸受27に摺動可能に連結さ
れている。スプライン軸受27には従動プーリ28aが
装着されており、従動プーリ28aには駆動モータ21
の駆動軸21aに装着された駆動プーリ21bとの間に
ベルト29aが掛け渡されている。したがって、駆動モ
ータ21の駆動によってベルト29aを介して回転軸2
2が回転してスピンチャック10が回転される。また、
回転軸22の下部側は図示しない筒体内に配設されてお
り、筒体内において回転軸22はバキュームシール部3
0を介して昇降シリンダ23に連結され、昇降シリンダ
23の駆動によって回転軸22が上下方向に移動し得る
ようになっている。
The spin chuck 10 is driven based on a preset program, and can be rotated (rotated) in the horizontal direction via a rotating shaft 22 that is rotated by driving a drive motor 21 that can change the rotation speed. Also, it can be moved up and down by driving a lifting cylinder 23 connected to the rotating shaft 22. In this case, the rotating shaft 22 is provided with a bearing 25 on the inner peripheral surface of the fixed collar 24.
a and is slidably connected to a spline bearing 27 fitted on the inner peripheral surface of the rotatable inner cylinder 26a rotatably mounted via the inner cylinder 26a. A driven pulley 28a is mounted on the spline bearing 27, and the driven motor 21 is mounted on the driven pulley 28a.
A belt 29a is stretched between a drive shaft 21a and a drive pulley 21b mounted on the drive shaft 21a. Therefore, the drive shaft 21 is driven by the drive motor 21 via the belt 29a.
2 rotates, and the spin chuck 10 rotates. Also,
The lower side of the rotating shaft 22 is disposed in a cylindrical body (not shown).
The rotation shaft 22 can be moved in the vertical direction by driving the lift cylinder 23 through the lift cylinder 23.

【0025】上記回転カップ12は、上記固定カラー2
4の外周面にベアリング25bを介して装着される回転
外筒26bの上端部に固定される連結筒31を介して取
付けられており、回転カップ12の底部12bとスピン
チャック10の下面との間にはシール機能を有するベア
リング32が介在されてスピンチャック10と相対的に
回転可能になっている。そして、回転外筒26bに装着
される従動プーリ28bと上記駆動モータ21に装着さ
れる駆動プーリ21bに掛け渡されるベルト29bによ
って駆動モータ21からの駆動が回転カップ12に伝達
されて回転カップ12が回転される。この場合、従動プ
ーリ28bの直径は上記回転軸22に装着された従動プ
ーリ28aの直径と同一に形成され、同一の駆動モータ
21にベルト29a,29bが掛け渡されているので、
回転カップ12とスピンチャック10は同一回転する。
なお、固定カラー24と回転内筒26a及び回転外筒2
6bとの対向面にはラビリンスシール部33が形成され
て回転処理時に下部の駆動系から回転カップ12内にご
みが進入するのを防止している(図3参照)。
The rotating cup 12 is fixed to the fixed collar 2.
4 is mounted via a connecting cylinder 31 fixed to the upper end of a rotary outer cylinder 26b mounted via a bearing 25b on the outer peripheral surface of the rotary cup 12, between the bottom 12b of the rotary cup 12 and the lower surface of the spin chuck 10. A bearing 32 having a sealing function is interposed therebetween so as to be rotatable relative to the spin chuck 10. The drive from the drive motor 21 is transmitted to the rotary cup 12 by a driven pulley 28b mounted on the rotary outer cylinder 26b and a belt 29b stretched over a drive pulley 21b mounted on the drive motor 21 so that the rotary cup 12 is driven. Rotated. In this case, the diameter of the driven pulley 28b is formed to be the same as the diameter of the driven pulley 28a mounted on the rotary shaft 22, and the belts 29a and 29b are stretched over the same drive motor 21.
The rotating cup 12 and the spin chuck 10 rotate the same.
The fixed collar 24, the rotating inner cylinder 26a and the rotating outer cylinder 2
A labyrinth seal portion 33 is formed on the surface facing the surface 6b to prevent dust from entering the rotary cup 12 from the lower drive system during the rotation process (see FIG. 3).

【0026】また、回転カップ12は、側壁12cが上
側に向って縮径されたテーパ面12eを形成してなり、
この側壁12cの上端から内方側に向って内向きフラン
ジ12dが形成されている。そして、回転カップ12の
上部周辺部すなわち内向きフランジ12dには周方向に
適宜間隔をおいて給気孔34が穿設され、下部周辺部す
なわち側壁12cの下部側の周方向の適宜位置には排気
孔35が穿設されている。このように給気孔34と排気
孔35を設けることにより、回転カップ12が回転する
際に、給気孔34から処理室11内に流れる空気が排気
孔35から外部に流れるので、回転カップ12の回転時
に処理室11内が負圧になるのを防止することができ、
処理後に回転カップ12から蓋体16を開放する際に大
きな力を要することなく,蓋体16を容易に開放するこ
とができる。
The rotating cup 12 has a tapered surface 12e whose side wall 12c is reduced in diameter toward the upper side.
An inward flange 12d is formed inward from the upper end of the side wall 12c. Air supply holes 34 are formed in the upper peripheral portion of the rotating cup 12, that is, the inward flange 12 d, at appropriate intervals in the circumferential direction, and the lower peripheral portion, that is, the lower portion of the side wall 12 c, is exhausted at an appropriate position in the circumferential direction. A hole 35 is drilled. By providing the air supply hole 34 and the exhaust hole 35 in this manner, when the rotating cup 12 rotates, the air flowing into the processing chamber 11 from the air supply hole 34 flows to the outside from the exhaust hole 35, so that the rotation of the rotary cup 12 Sometimes it is possible to prevent the processing chamber 11 from becoming negative pressure,
The cover 16 can be easily opened without requiring a large force when opening the cover 16 from the rotating cup 12 after the processing.

【0027】一方、上記ドレンカップ14の内部には環
状通路14aが設けられており、この環状通路14aの
外周壁の適宜箇所(例えば周方向の4箇所)には図示し
ない排気装置に接続する排気口36が設けられると共
に、ドレンカップ14の内周側上方部に排気口36と連
通する放射状の排気通路37が形成されている(図1参
照)。このようにドレンカップ14の外周部に排気口3
6を設けると共に、ドレンカップ14の内周側上方部に
排気口36と連通する排気通路37を形成することによ
り、回転処理時に処理室11内で遠心力により飛散し排
気孔34を通ってドレンカップ14内に流れ込んだミス
トが回転カップ12の上部側へ舞い上がるのを防止し
て、排気口36から外部に排出することができる。
On the other hand, an annular passage 14a is provided inside the drain cup 14, and exhaust gas connected to an exhaust device (not shown) is provided at an appropriate position (for example, four positions in the circumferential direction) on the outer peripheral wall of the annular passage 14a. A port 36 is provided, and a radial exhaust passage 37 communicating with the exhaust port 36 is formed in an upper portion on the inner peripheral side of the drain cup 14 (see FIG. 1). As described above, the exhaust port 3 is provided on the outer peripheral portion of the drain cup 14.
6 and an exhaust passage 37 communicating with the exhaust port 36 is formed in the upper part on the inner peripheral side of the drain cup 14, so that it is scattered by centrifugal force in the processing chamber 11 during the rotation process and drains through the exhaust hole 34. The mist that has flowed into the cup 14 is prevented from rising to the upper side of the rotating cup 12 and can be discharged to the outside from the exhaust port 36.

【0028】上記環状通路14aは、ドレンカップ14
の底部から起立する外側壁14bとドレンカップ14の
天井部から垂下する内側壁14cとで迂回状に区画され
て、排気が均一に行えるようになっており、外側壁14
bと内側壁14cとの間に位置する底部14dには周方
向に適宜間隔をおいてドレン孔14eが設けられてい
る。
The annular passage 14a is provided with the drain cup 14
The outer wall 14b rising from the bottom of the drain cup 14 and the inner wall 14c hanging down from the ceiling of the drain cup 14 are detoured so that the exhaust can be performed uniformly.
A drain hole 14e is provided in the bottom 14d located between the inner wall 14b and the inner wall 14c at appropriate intervals in the circumferential direction.

【0029】また、ドレンカップ14の内周面には、上
記回転カップ12のテーパ面12eに近接すべく上側に
向って縮径されたテーパ面14fが形成されて、回転カ
ップ12のテーパ面12eとドレンカップ14のテーパ
面14fとの間に微少隙間が形成されている。このよう
に下方に向って拡開するテーパ状の微少隙間を形成する
ことによって、回転カップ12の回転時に回転カップ1
2とドレンカップ14との間の上記微少隙間の上下の間
で生じる周速差から圧力差が誘発され、この圧力差が回
転カップ12の外周部の微少隙間の上側から下側に向う
気流を助長させてドレンカップ14内の排気ミストが上
記微少隙間を通って回転カップ12外へ飛散するのを防
止することができる。
On the inner peripheral surface of the drain cup 14, a tapered surface 14f whose diameter is reduced toward the upper side so as to be close to the tapered surface 12e of the rotary cup 12 is formed. A minute gap is formed between the drain cup 14 and the tapered surface 14f. By forming the tapered minute gap that expands downward as described above, the rotation cup 1 is rotated when the rotation cup 12 rotates.
A pressure difference is induced from the peripheral speed difference between the upper and lower portions of the minute gap between the drain cup 14 and the drain cup 14, and this pressure difference causes the airflow from the upper side to the lower side of the minute gap on the outer peripheral portion of the rotary cup 12. By promoting this, it is possible to prevent the exhaust mist in the drain cup 14 from scattering to the outside of the rotary cup 12 through the minute gap.

【0030】また、微少隙間を通って上方に向い回転カ
ップ12外へ飛散しおうとするミストがあっても、排気
通路37により吸引されてドレンカップ14内に向い排
気口36から排出される。
Further, even if there is a mist which is directed upward through the minute gap and is scattered to the outside of the rotary cup 12, the mist is sucked by the exhaust passage 37, is directed into the drain cup 14, and is discharged from the exhaust port 36.

【0031】上記実施例では、ドレンカップ14が回転
カップ12の外周側を取囲むように配置される場合につ
いて説明したが、ドレンカップ14は必ずしも回転カッ
プ12の外周側に配置される必要はなく、回転カップ1
2の下部側に配置してもよい。
In the above embodiment, the case where the drain cup 14 is disposed so as to surround the outer peripheral side of the rotary cup 12 has been described. However, the drain cup 14 does not necessarily need to be disposed on the outer peripheral side of the rotary cup 12. , Rotating cup 1
2 may be arranged on the lower side.

【0032】上記蓋体16は回転処理時には回転カップ
12の開口部12aに固定されて一体に回転される必要
がある。そこで、図4に示すように、回転カップ12の
上部に突出する固定ピン17aと、この固定ピン17a
に嵌合する嵌合凹所17bとを互いに嵌合させて蓋体1
6を回転カップ12に固定している。この場合、固定ピ
ン17aの頂部を球面状に形成することにより、嵌合凹
所17bとの接触によって発生するごみを少なくしてい
る。なお、固定ピン17aは必ずしも回転カップ側に突
出する必要はなく、蓋体側に固定ピン17aを突出さ
せ、回転カップ側に嵌合凹所17bを設けてもよい。ま
た、嵌合凹所17b内を図示しない吸引手段に接続させ
て固定ピン17aと嵌合凹所17bとの接触によって発
生するごみを外部に排出させるようにしてもよい。
During the rotation process, the lid 16 needs to be fixed to the opening 12a of the rotating cup 12 and rotated integrally. Therefore, as shown in FIG. 4, a fixing pin 17a protruding from the upper part of the rotating cup 12 and this fixing pin 17a
The fitting recess 17b is fitted into the cover 1
6 is fixed to the rotating cup 12. In this case, by forming the top of the fixing pin 17a in a spherical shape, dust generated by contact with the fitting recess 17b is reduced. Note that the fixing pin 17a does not necessarily need to protrude toward the rotating cup, and the fixing pin 17a may protrude from the lid, and a fitting recess 17b may be provided on the rotating cup. Further, the inside of the fitting recess 17b may be connected to suction means (not shown) to discharge dust generated by the contact between the fixing pin 17a and the fitting recess 17b to the outside.

【0033】上記蓋体16を開閉する場合には、図1に
想像線で示すように、蓋体16の上面に突設された膨隆
頭部18の下にロボットアーム20を挿入し、膨隆頭部
18に設けられた係止溝18aにロボットアーム20か
ら突出する係止ピン20aを係合させた後、ロボットア
ーム20を上下動させることによって行うことができ
る。なお、蓋体16を開放するときの膨隆頭部18の係
止溝18aとロボットアーム20の係止ピン20aとの
位置合せ、及び蓋体16を閉じるときの固定ピン17a
と嵌合凹所17bの位置合せは、サーボモータ等にて形
成される駆動モータ21の回転角を制御することによっ
て行うことができる。
When the lid 16 is opened and closed, the robot arm 20 is inserted under the bulging head 18 protruding from the upper surface of the lid 16 as shown by an imaginary line in FIG. After engaging a locking pin 20a protruding from the robot arm 20 with a locking groove 18a provided in the portion 18, the robot arm 20 can be moved up and down. The locking groove 18a of the bulging head 18 when the lid 16 is opened and the locking pin 20a of the robot arm 20 are aligned, and the fixing pin 17a when the lid 16 is closed.
The position of the fitting recess 17b can be adjusted by controlling the rotation angle of the drive motor 21 formed by a servomotor or the like.

【0034】上記実施例では、蓋体16と回転カップ1
2との固定を固定ピン17aと嵌合凹所17bの嵌合に
より行う場合について説明したが、必ずしもこのような
構造とする必要はなく、別途押圧機構を用いて蓋体16
を回転カップ12に固定すれば、蓋体16の開放時のご
みの発生や回転処理時の蓋体16のガタツキ等を防止す
ることができる。
In the above embodiment, the lid 16 and the rotating cup 1
2 has been described by fitting the fixing pin 17a and the fitting recess 17b. However, such a structure is not necessarily required, and the lid 16 is separately provided using a pressing mechanism.
Is fixed to the rotating cup 12, it is possible to prevent the generation of dust when the lid 16 is opened and the rattling of the lid 16 during the rotation processing.

【0035】なお、上記蓋体16と基板Gとの中間位置
に、中心部分で蓋体16に取着された基板G以上の大き
さの多孔板等にて形成されるバッフル板(図示せず)を
配置することも可能である。このようにバッフル板を配
置することにより、塗布処理時に更に確実に処理室11
内の乱流の発生を防止することができる。
A baffle plate (not shown) formed of a perforated plate or the like having a size equal to or larger than the substrate G attached to the lid 16 at the center portion is provided at an intermediate position between the lid 16 and the substrate G. ) Can also be arranged. By arranging the baffle plate in this manner, the processing chamber 11 can be more reliably formed during the coating process.
The occurrence of turbulence in the inside can be prevented.

【0036】一方、上記溶剤供給ノズル40は溶剤供給
路である溶剤供給チューブ41と開閉バルブ42を介し
て溶剤タンク43に接続されており、溶剤タンク43内
に供給される窒素(N2 )ガスの加圧を制御することに
よって溶剤タンク43内の溶剤Aが基板G上に所定時間
中所定量の溶剤Aの供給が可能となっている。
On the other hand, the solvent supply nozzle 40 is connected to a solvent tank 43 via a solvent supply tube 41 serving as a solvent supply path and an opening / closing valve 42, and is used to supply nitrogen (N 2) gas supplied into the solvent tank 43. By controlling the pressurization, the solvent A in the solvent tank 43 can supply a predetermined amount of the solvent A onto the substrate G for a predetermined time.

【0037】レジスト液供給ノズル50は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ51を介してレジ
スト液Bを収容するレジスト液タンク52(塗布液供給
源)に連通されている。このチューブ51には、サック
バックバルブ53、エアーオペレーションバルブ54、
レジスト液B中の気泡を分離除去するための気泡除去機
構55、フィルタ56及びベローズポンプ57が順次設
けられている。このベローズポンプ57は、駆動部によ
り制御された状態で伸縮可能となっており、所定量のレ
ジスト液Bをレジスト液供給ノズル50を介して基板G
の中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来のレ
ジスト液Bの供給量より少量のレジスト液Bの供給量制
御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズポ
ンプの一端に吸着されたネジと、このネジに螺合される
ナットとからなるボールネジ58と、このナットを回転
させることによりネジを直線動させるステッピングモー
タ59とにより構成されている。レジスト液供給ノズル
50の口径は、具体的には、500×600mmの基板
用の場合には、内径がφ0.5〜φ5mm、好ましくは
φ3mmに設定されている。このように、ノズルの径を
基板の寸法に応じて設定することにより、なるべく少量
のレジスト液Bをなるべく長い時間をかけて供給できる
ようになっている。供給時間が短いと膜厚の均一性が良
くなく、また長すぎるとレジスト液が基板の周縁部まで
いかなくなる。ここでなるべく少量とは、上記ノズルの
口径そしてレジスト液供給圧力に依存する。
The resist solution supply nozzle 50 is connected to a resist solution tank 52 (coating solution supply source) for storing a resist solution B via a resist solution supply tube 51 which is a resist solution supply passage. The tube 51 has a suck back valve 53, an air operation valve 54,
A bubble removing mechanism 55 for separating and removing bubbles in the resist solution B, a filter 56, and a bellows pump 57 are sequentially provided. The bellows pump 57 is capable of expanding and contracting under the control of the driving unit, and a predetermined amount of resist solution B is supplied to the substrate G
For example, it can be supplied to the central part of the liquid crystal. It is possible to control the supply amount of the resist solution B smaller than the supply amount of the conventional resist solution B. The driving unit is constituted by a ball screw 58 having a screw at one end adsorbed to one end of the bellows pump, a nut screwed to the screw, and a stepping motor 59 for linearly moving the screw by rotating the nut. It is configured. The diameter of the resist liquid supply nozzle 50 is specifically set to φ0.5 to φ5 mm, preferably φ3 mm for a substrate of 500 × 600 mm. Thus, by setting the diameter of the nozzle according to the size of the substrate, it is possible to supply a small amount of the resist solution B as much as possible over a long time. If the supply time is short, the uniformity of the film thickness is not good, and if it is too long, the resist solution does not reach the peripheral portion of the substrate. Here, as small as possible depends on the nozzle diameter and the resist solution supply pressure.

【0038】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ57
のステッピングモータ59の駆動時間によって制御(制
御精度:±2msec)されるようになっている。ま
た、レジスト液の吐出量はベローズポンプ57の駆動動
作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液供給
路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ54の
開閉動作(ON−OFF動作)によって設定されるよう
になっている。上記ベローズポンプ57の駆動時間の設
定及びエアーオペレーションバルブ54のON−OFF
動作は、予め設定されたプログラムに基いてコンピュー
タの作用で自動的に制御される。
In the resist liquid supply system configured as described above, the discharge time of the resist liquid is controlled by the bellows pump 57.
(Control accuracy: ± 2 msec) by the driving time of the stepping motor 59. Further, the discharge amount of the resist liquid is set by a driving operation of the bellows pump 57, for example, a driving time and a driving speed, and an opening / closing operation (ON-OFF operation) of the air operation valve 54 for opening and closing the resist liquid supply passage. It has become. Setting of the driving time of the bellows pump 57 and ON / OFF of the air operation valve 54
The operation is automatically controlled by the operation of a computer based on a preset program.

【0039】レジスト液Bの吐出時間の制御はレジスト
液供給ノズル50に設けた可変オリフィス(図示せず)
の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベロ
ーズポンプ57を用いずにレジスト液タンク52へのN
2 ガスの加圧によってレジスト液Bの供給を行うことも
可能であり、この場合のレジスト液Bの吐出時間制御は
N2 ガスの加圧量の調整によって行うことができる。
The discharge time of the resist solution B is controlled by a variable orifice (not shown) provided in the resist solution supply nozzle 50.
It can also be performed by opening and closing operations. Also, the N solution to the resist solution tank 52 can be used without using the bellows pump 57.
It is also possible to supply the resist solution B by pressurizing the two gases. In this case, the discharge time of the resist solution B can be controlled by adjusting the pressurized amount of the N2 gas.

【0040】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ53は、レジスト液供給ノズル50からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル50先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液Bをレジ
スト液供給ノズル50内に引き戻すためのバルブであ
り、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するため
のものである。この場合、少量のレジスト液Bを吐出す
るレジスト液供給ノズル50において、通常通りサック
バックバルブ53の負圧作用によってレジスト液Bをレ
ジスト液供給ノズル50内に引き戻すと、ノズル50先
端付近の空気も一緒にノズル50内に巻き込まれてしま
い、ノズル50先端に付着したレジスト液Bの残滓がノ
ズル50内に入り、ノズル50の目詰まりを起こすばか
りか、乾燥したレジストがパーティクルとなり基板Gが
汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞れ
がある。
The suck back valve 53 provided in the resist liquid supply system discharges the resist liquid B remaining on the inner wall of the tip of the resist liquid supply nozzle 50 due to surface tension after the resist liquid is discharged from the resist liquid supply nozzle 50. This is a valve for drawing back into the resist liquid supply nozzle 50, thereby preventing solidification of the remaining resist liquid. In this case, when the resist liquid supply nozzle 50 that discharges a small amount of the resist liquid B draws the resist liquid B back into the resist liquid supply nozzle 50 by the negative pressure action of the suck back valve 53 as usual, the air near the tip of the nozzle 50 also becomes The residue of the resist solution B adhering to the tip of the nozzle 50 enters the nozzle 50 and clogs the nozzle 50, and the dried resist becomes particles and the substrate G is contaminated. At the same time, there is a risk that the yield will be reduced.

【0041】この問題を解決するために、図5(a)に
示すように、レジスト液供給ノズル50のノズル孔50
aに比較して、開口部近くの部分の肉厚50bを厚くし
ている。すなわち、このノズル50は、筒状の先端部
と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有す
る。代わって、図5(b)に示すように、レジスト液供
給ノズル50の筒状の先端部又は開口部に外フランジ5
0cを設けることにより、サックバックの際にノズル5
0先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。
また、図5(c)に示すように、レジスト液供給ノズル
50の垂直に延びた円筒状の先端に横S字状に延びた細
径の屈曲部50dを形成し、この屈曲部50dの中央付
近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先
端部の空気の巻き込みを防止することができる。
In order to solve this problem, as shown in FIG.
The thickness 50b of the portion near the opening is larger than that of FIG. That is, the nozzle 50 has a cylindrical tip and an inverted truncated cone following the cylindrical tip. Instead, as shown in FIG. 5B, an outer flange 5 is provided at the cylindrical tip or opening of the resist solution supply nozzle 50.
0c, the nozzle 5 during suckback
0 Entrapment of air near the front end can be prevented.
Further, as shown in FIG. 5C, a small-diameter bent portion 50d extending in a horizontal S-shape is formed at a vertically extending cylindrical tip of the resist liquid supply nozzle 50, and the center of the bent portion 50d is formed. By performing suckback to the vicinity, air entrapment at the nozzle tip can be similarly prevented.

【0042】上記温度調整機構61(温度調整手段)
は、図6に示すように、溶剤供給チューブ41及びレジ
スト供給チューブ51の外周をそれぞれ包囲するように
設けられる温度調整液供給路62と、この温度調整液供
給路62の両側の端部に両端がそれぞれ接続された循環
路63と、循環路63のそれぞれに設けられた循環ポン
プ64と、循環路63の途中に接続された温度調整液C
(例えば恒温水)を一定温度に維持するサーモモジュー
ル65とにより構成されている。このように構成された
温度調整機構61により、溶剤供給チューブ41内を流
れる溶剤Aとレジスト供給チューブ51内を流れるレジ
スト液Bを所定温度(例えば、約23℃)に維持するこ
とができる。
The temperature adjusting mechanism 61 (temperature adjusting means)
As shown in FIG. 6, a temperature adjustment liquid supply path 62 is provided to surround the outer circumferences of the solvent supply tube 41 and the resist supply tube 51, respectively. , A circulation pump 64 provided in each of the circulation paths 63, and a temperature adjustment liquid C connected in the middle of the circulation path 63.
(For example, constant temperature water) at a constant temperature. With the temperature adjusting mechanism 61 configured as described above, the solvent A flowing in the solvent supply tube 41 and the resist liquid B flowing in the resist supply tube 51 can be maintained at a predetermined temperature (for example, about 23 ° C.).

【0043】図6上では、溶剤供給ノズル40と溶剤供
給チューブ41とが、また、レジスト液供給ノズル50
とレジスト液供給チューブ51とが、それぞれ一体に形
成されているが、図7を参照して以下に詳述するよう
に、別体として形成することも好ましい。
In FIG. 6, the solvent supply nozzle 40 and the solvent supply tube 41 are connected to the resist solution supply nozzle 50.
The resist solution supply tube 51 and the resist solution supply tube 51 are formed integrally with each other. However, as will be described in detail below with reference to FIG.

【0044】上記噴頭60は例えばステンレス鋼あるい
はアルミニウム合金製部材にて形成されている。この噴
頭60の上面には迂回通路60bの一部をなすU字状の
孔がそれぞれ形成され、この孔の底部には噴頭60の下
面まで延出した垂直貫通孔60cが形成されている。各
貫通孔60cは、下方に向かうに従って大径となる傾斜
中部60dと、大径の下部60eとを有し、この下部6
0eの内周面には雌ねじが形成されている。このような
構成の噴頭60に、ノズル40,50を装着する場合に
は、貫通孔60c中に、円筒状のノズル40,50をそ
れぞれ上部並びに下部が延出するように貫挿し、ノズル
40,50が貫通可能な垂直貫通孔を有するほぼ円錐形
の合成樹脂でできたシール部材66を傾斜中部60dに
詰め、ノズル40,50が貫通可能な垂直貫通孔を有す
る取付けねじ部材67をねじ付け下部5c中に捩入する
ことにより、シール部材66を傾斜中部60dの傾斜内
周面に押圧させている。このようにして、ノズル40,
50は噴頭60に液密に装着されている。この場合、傾
斜中部60dの上面とシール部材66の上面との間に図
示のようにOリング68を介在させることにより、迂回
通路15とノズル40,50との間の水密維持を更に確
実にすることができる。
The jet head 60 is formed of, for example, a member made of stainless steel or an aluminum alloy. A U-shaped hole forming a part of the bypass passage 60b is formed on the upper surface of the jet head 60, and a vertical through hole 60c extending to the lower surface of the jet head 60 is formed at the bottom of the hole. Each through-hole 60c has an inclined middle portion 60d having a larger diameter as it goes downward, and a large-diameter lower portion 60e.
A female screw is formed on the inner peripheral surface of 0e. When the nozzles 40, 50 are mounted on the jet head 60 having such a configuration, the cylindrical nozzles 40, 50 are inserted into the through holes 60c so that the upper and lower portions extend, respectively. A sealing member 66 made of a substantially conical synthetic resin having a vertical through hole through which 50 can penetrate is packed in the inclined middle portion 60d, and a mounting screw member 67 having a vertical through hole through which the nozzles 40 and 50 can penetrate is screwed to the lower part. By screwing the seal member 66 into the inside 5c, the seal member 66 is pressed against the inclined inner peripheral surface of the inclined middle portion 60d. Thus, the nozzle 40,
50 is mounted on the jet head 60 in a liquid-tight manner. In this case, the O-ring 68 is interposed between the upper surface of the inclined middle portion 60d and the upper surface of the seal member 66 as shown in the drawing, so that the watertightness between the bypass passage 15 and the nozzles 40 and 50 is further ensured. be able to.

【0045】上記噴頭60の一側の上面には保持ピン6
0aが突設されており、この保持ピン60aを把持する
スキャンアーム71がスキャン機構70によってX,Y
(水平)及びZ(垂直)方向に移動することにより、噴
頭60すなわち溶剤供給ノズル40及びレジスト液供給
ノズル50が基板Gの中心部上方の作動位置とノズル待
機部72上方の待機位置との間に選択的に移動されるよ
うになっている。
A holding pin 6 is provided on the upper surface on one side of the jet head 60.
0a is projected, and a scan arm 71 holding the holding pin 60a is moved by the scan mechanism 70 in the X, Y directions.
By moving in the (horizontal) and Z (vertical) directions, the jet head 60, that is, the solvent supply nozzle 40 and the resist solution supply nozzle 50 are moved between the operation position above the center of the substrate G and the standby position above the nozzle standby unit 72. To be moved selectively.

【0046】なおこの場合、レジスト液の種類に応じて
4種類の噴頭60が配設されている(図2参照)。すな
わち、ノズル待機部72には、4つの噴頭60が準備さ
れており、これらの噴頭60のレジスト液供給ノズル5
0は、それぞれ粘性等の異なる別のレジスト液が入った
タンクに連通されている。この場合、各噴頭60にはレ
ジスト液供給ノズル50のみを設けておき、溶剤供給ノ
ズル40はスキャンアーム71の先端に予め取着してお
いて全ての噴頭60に対して共通に使用できるようにし
てもよい。また、この場合には、溶剤供給ノズル40を
複数個、例えば直線状に配管して、基板の径方向に沿っ
て一度に複数箇所から溶剤を供給するようにしてもよ
い。この場合、異なる吐出径のノズルを備え、吐出流量
の大小や吐出流量の変化に対応させて、各ノズルからの
吐出を任意に制御するようにしてもよい。
In this case, four types of jet heads 60 are provided according to the type of the resist solution (see FIG. 2). That is, the nozzle standby section 72 is provided with four jet heads 60, and the resist liquid supply nozzles 5 of these jet heads 60 are provided.
Numerals 0 communicate with tanks containing different resist solutions having different viscosities and the like. In this case, only the resist supply nozzle 50 is provided for each jet head 60, and the solvent supply nozzle 40 is attached to the tip of the scan arm 71 in advance so that it can be commonly used for all the jet heads 60. You may. In this case, a plurality of solvent supply nozzles 40, for example, a straight pipe may be provided, and the solvent may be supplied from a plurality of locations at once along the radial direction of the substrate. In this case, nozzles having different discharge diameters may be provided, and the discharge from each nozzle may be arbitrarily controlled according to the magnitude of the discharge flow rate or a change in the discharge flow rate.

【0047】なお、ノズル待機部72と対向する側には
リンス液供給ノズル45の待機部46が設けられている
(図2参照)。また、上記回転カップ12の下部側の回
転せず固定された連結筒31内に洗浄ノズル47を配設
することにより、回転カップ12及び蓋体16の内面を
洗浄することができる。すなわち、回転軸22に取付け
られたブラケット48にて洗浄ノズル47を保持し、洗
浄ノズル47に接続する洗浄液供給管49を固定カラー
24内に設けた通路(図示せず)を介して外部の図示し
ない洗浄液供給源に接続することによって、図3に想像
線で示すように、スピンチャック10を上昇させてスピ
ンチャック10と回転カップ12の底部との間から洗浄
ノズル47を臨ませて洗浄液を回転する回転カップ12
及び蓋体16の内面に噴射することができる。
The standby section 46 of the rinse liquid supply nozzle 45 is provided on the side facing the nozzle standby section 72 (see FIG. 2). Further, by disposing the cleaning nozzle 47 in the connecting cylinder 31 fixed without rotating on the lower side of the rotating cup 12, the inner surfaces of the rotating cup 12 and the lid 16 can be cleaned. That is, the cleaning nozzle 47 is held by a bracket 48 attached to the rotating shaft 22, and a cleaning liquid supply pipe 49 connected to the cleaning nozzle 47 is externally shown through a passage (not shown) provided in the fixed collar 24. 3, the spin chuck 10 is lifted up and the cleaning nozzle 47 is exposed from between the spin chuck 10 and the bottom of the rotating cup 12 to rotate the cleaning liquid as shown by the imaginary line in FIG. Rotating cup 12
And, it can be sprayed on the inner surface of the lid 16.

【0048】次に、上記のように構成される塗布膜形成
装置によるレジスト膜の形成手順を、図8のフローチャ
ートを参照して説明する。
Next, a procedure of forming a resist film by the coating film forming apparatus having the above-described configuration will be described with reference to a flowchart of FIG.

【0049】まず、回転カップ12の蓋体16を開放
し、そして、基板Gを、図示しない搬送アームによって
静止したスピンチャック10上に移動させ、基板Gを真
空吸着によってスピンチャック10が保持し基板Gを支
持する。次に、スピンチャック10の回転駆動により基
板Gを処理時の定常回転より低速に回転(回転数:例え
ば100〜600rpm,加速度:300〜500rp
m/sec)させると共に、回転カップ12を同じ速度
で回転させる。この回転中に、スキャン機構70によっ
てスキャンアーム71に把持されて基板Gの中心部上方
に移動させられた噴頭60の溶剤供給ノズル40から基
板表面に塗布液の溶剤Aとして例えばエチルセロソルブ
アセテート(ECA)を例えば20秒(sec)間で例
えば26.7cc供給例えば滴下する(ステップ)。
また、基板Gを回転させずに静止した状態で溶剤Aを滴
下し、その後回転してもよい。このようにして溶剤Aを
20sec間供給した後、スピンチャック10及び回転
カップ12の回転数を上記低速回転数による回転状態で
溶剤Aの供給を停止する(ステツプ)。
First, the lid 16 of the rotating cup 12 is opened, and the substrate G is moved onto the stationary spin chuck 10 by a transfer arm (not shown), and the substrate G is held by the spin chuck 10 by vacuum suction. Support G. Next, the substrate G is rotated at a lower speed than the steady rotation during processing by the rotation drive of the spin chuck 10 (rotation speed: for example, 100 to 600 rpm, acceleration: 300 to 500 rpm).
m / sec), and the rotating cup 12 is rotated at the same speed. During this rotation, for example, ethyl cellosolve acetate (ECA) is applied to the substrate surface from the solvent supply nozzle 40 of the spout 60, which is gripped by the scan arm 71 by the scan mechanism 70 and moved above the center of the substrate G, as a solvent A of the coating liquid. ) Is supplied, for example, 26.7 cc, for example, for 20 seconds (sec), for example, is dropped (step).
Alternatively, the solvent A may be dropped while the substrate G is stationary without rotating, and then the substrate G may be rotated. After the solvent A is supplied for 20 seconds in this way, the supply of the solvent A is stopped while the rotation speed of the spin chuck 10 and the rotating cup 12 is at the low rotation speed (step).

【0050】次に、スピンチャック10を、高速回転
(第1の回転数:600から1000rpm程度の範囲
例えば1000rpm,加速度:300〜600rpm
/sec)させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中
心部すなわち溶剤aが滴下(塗布)された領域内に、溶
剤Aが乾燥していない状態下で、レジスト液供給ノズル
50aから塗布液例えばレジスト液Bを例えば5sec
間供給例えば10cc滴下する(ステップ)。このと
きの溶剤Aが乾燥する時期は、予め実験により求めるこ
とができる。例えば、基板Gの表面を目視し、光の干渉
縞が見えている間は乾燥しておらず、乾燥したら干渉縞
が見えなくなるので、その時期を知ることができる。し
たがって、溶剤Aが乾燥していない状態下で、レジスト
液Bを供給する時期を知ることができる。この場合5s
ec間の供給時期には、上記したベローズポンプ57の
駆動時間を制御でき、レジスト液の供給量を正確にかつ
微妙に制御できるように構成されている。このようにし
てレジスト液Bを5sec供給(滴下)した後、レジス
ト液Bの供給を停止すると同時に、スピンチャック10
及び回転カップ12の回転を停止する(ステップ)。
Next, the spin chuck 10 is rotated at a high speed (first rotation speed: 600 to 1000 rpm, for example, 1000 rpm, acceleration: 300 to 600 rpm).
/ Sec), at the same time, in the central portion of the solvent film on the substrate surface, that is, in the region where the solvent a is dropped (applied), the coating solution is supplied from the resist solution supply nozzle 50a while the solvent A is not dried. For example, the resist solution B is
During supply, for example, 10 cc is dropped (step). The drying time of the solvent A at this time can be obtained in advance by an experiment. For example, when the surface of the substrate G is visually observed and the interference fringes of light are visible, the drying is not performed, and when the interference fringes are dried, the interference fringes become invisible, so that the time can be known. Therefore, it is possible to know when to supply the resist solution B in a state where the solvent A is not dried. In this case 5s
The drive time of the bellows pump 57 can be controlled during the supply time between ec, and the supply amount of the resist solution can be accurately and finely controlled. After supplying (dropping) the resist solution B for 5 seconds in this way, the supply of the resist solution B is stopped, and at the same time, the spin chuck 10 is stopped.
Then, the rotation of the rotating cup 12 is stopped (step).

【0051】レジスト液供給を停止し、レジスト液供給
ノズル50を待機位置に移動した後、ロボットアーム2
0によって蓋体16を回転カップ12の上方開口部12
aに閉止して回転カップ12内に基板Gを封入する(ス
テップ)。
After stopping the supply of the resist solution and moving the resist solution supply nozzle 50 to the standby position, the robot arm 2
0, the lid 16 is moved to the upper opening 12 of the rotating cup 12.
a, and the substrate G is sealed in the rotating cup 12 (step).

【0052】このようにして回転カップ12の開口部1
2aを蓋体16で閉止し密閉した状態で、スピンチャッ
ク10及び回転カップ12を例えば15sec間、回転
(第2の回転数:例えば1350rpm,加速度:50
0rpm/sec)させてレジスト膜の膜厚を整える
(ステップ)。塗布処理が終了した後、スピンチャッ
ク10及び回転カップ12の回転を停止した後、ロボッ
トアーム20によって蓋体16を待機位置に移動させ
て、図示しない搬送アームによって基板Gを取出して、
塗布作業を完了する。
Thus, the opening 1 of the rotating cup 12 is
The spin chuck 10 and the rotating cup 12 are rotated, for example, for 15 sec (second rotation speed: for example, 1350 rpm, acceleration: 50) in a state in which the lid 2a is closed and sealed by the lid 16.
0 rpm / sec) to adjust the thickness of the resist film (step). After the coating process is completed, the rotation of the spin chuck 10 and the rotation cup 12 is stopped, the lid 16 is moved to the standby position by the robot arm 20, and the substrate G is taken out by the transfer arm (not shown).
The application operation is completed.

【0053】上記のように構成されるこの発明に係る塗
布膜形成装置はLCD基板Gのレジスト塗布装置として
単独で使用される他、後述するLCD基板Gのレジスト
塗布・現像処理システムに組み込んで使用することがで
きる。以下に、上記実施例の塗布膜形成装置を組み込ん
だレジスト塗布・現像処理システムの構造について説明
する。
The coating film forming apparatus according to the present invention configured as described above can be used alone as a resist coating apparatus for the LCD substrate G, and can also be used by being incorporated into a resist coating and developing processing system for the LCD substrate G described later. can do. Hereinafter, the structure of a resist coating and developing system incorporating the coating film forming apparatus of the above embodiment will be described.

【0054】上記レジスト塗布・現像処理システムは、
図9に示すように、基板Gを搬入・搬出するローダ部9
0と、基板Gの第1処理部91と、中継部93を介して
第1処理部91に連設される第2処理部92とで主に構
成されている。なお、第2処理部92には受渡し部94
を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光するた
めの露光装置95が連設可能になっている。
The above resist coating / developing system comprises:
As shown in FIG. 9, a loader unit 9 for loading / unloading a substrate G is provided.
0, a first processing unit 91 of the substrate G, and a second processing unit 92 connected to the first processing unit 91 via the relay unit 93. The second processing unit 92 includes a delivery unit 94
An exposure device 95 for exposing a predetermined fine pattern to a resist film via the resist film can be connected in series.

【0055】上記ローダ部90は、未処理の基板Gを収
容するカセット96と、処理済みの基板Gを収容するカ
セット97を載置するカセット載置台98と、このカセ
ット載置台98上のカセット96,97との間で基板G
の搬出入を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方
向の移動及び回転(θ)可能な基板搬出入ピンセット9
9とで構成されている。
The loader unit 90 includes a cassette 96 for storing an unprocessed substrate G, a cassette mounting table 98 for mounting a cassette 97 for storing a processed substrate G, and a cassette 96 on the cassette mounting table 98. , 97 and the substrate G
Tweezers 9 that can be moved and rotated (θ) in the horizontal (X, Y) direction and the vertical (Z) direction in order to carry in / out a substrate.
9.

【0056】上記第1処理部91は、X,Y、Z方向の
移動及びθ回転可能な搬送機構例えばメインアーム80
の搬送路102の一方の側に、基板Gをブラシ洗浄する
ブラシ洗浄装置120と、基板Gを高圧ジェット水で洗
浄するジェット水洗浄装置130と、基板Gの表面を疎
水化処理するアドヒージョン処理装置105と、基板G
を所定温度に冷却する冷却処理装置106とを配置し、
搬送路102の他方の側に、この発明の塗布膜形成装置
である塗布処理装置107(塗布機構)及び塗布膜除去
装置108(塗布膜除去機構)を配置してなる。
The first processing unit 91 is provided with a transfer mechanism such as a main arm 80 capable of moving in the X, Y, and Z directions and rotating θ.
A brush cleaning device 120 for cleaning the substrate G with a brush, a jet water cleaning device 130 for cleaning the substrate G with high-pressure jet water, and an adhesion processing device for hydrophobizing the surface of the substrate G. 105 and substrate G
And a cooling processing device 106 for cooling to a predetermined temperature,
On the other side of the transport path 102, a coating processing device 107 (coating mechanism) and a coating film removing device 108 (coating film removing mechanism), which are the coating film forming devices of the present invention, are arranged.

【0057】一方、上記第2処理部92は、第1処理部
91と同様に、X,Y、Z方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム80aを有し、このメインアーム80aの
搬送路102aの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置109を配置し、搬送路102aの他方の側
に、現像装置110を配置している。
On the other hand, like the first processing section 91, the second processing section 92 has a main arm 80a that can move in the X, Y, and Z directions and can rotate θ, and the transport path 102a of the main arm 80a. A heat treatment device 109 for heating the substrate G before and after the application of the resist solution to perform pre-baking or post-baking is disposed on one side of the substrate, and a developing device 110 is disposed on the other side of the transport path 102a.

【0058】また、上記中継部93は、基板Gを支持す
る支持ピン93aを立設する受渡し台93bを有する箱
体93cの底面にキャスタ93dを具備した構造とする
ことにより、必要に応じてこの中継部93を第1処理部
91及び第2処理部92から引出して、第1処理部91
又は第2処理部92内に作業員が入って補修や点検等を
容易に行うことができる。
The relay section 93 has a structure in which casters 93d are provided on the bottom surface of a box 93c having a delivery table 93b on which support pins 93a for supporting the substrate G are erected. The relay unit 93 is pulled out from the first processing unit 91 and the second processing unit 92, and the first processing unit 91
Alternatively, a worker can enter the second processing unit 92 to easily perform repairs and inspections.

【0059】なお、上記受渡し部94には、基板Gを一
時待機させるためのカセット111と、このカセット1
11との間で基板Gの出入れを行う搬送用ピンセット1
12と、基板Gの受渡し台113が設けられている。
The transfer section 94 includes a cassette 111 for temporarily holding the substrate G, and a cassette 1
Tweezers 1 for transferring a substrate G to and from the substrate 11
12 and a delivery table 113 for the substrate G are provided.

【0060】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット96内に収容された未処理の
基板Gはローダ部90の搬出入ピンセット99によって
取出された後、第1処理部91のメインアーム80に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置120内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置120内にてブラシ洗浄された
基板Gは引続いてジェット水洗浄装置130内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Gは、アド
ヒージョン処理装置105にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置106にて冷却された後、メインアーム80
にて塗布機構すなわち塗布処理装置107に搬入され、
塗布処理装置107にて、上述した手順によりフォトレ
ジストすなわち感光膜が塗布形成され、引続いて塗布膜
除去装置108によって基板Gの辺部の不要なレジスト
膜が除去される。不要なレジスト膜が除去された基板G
は、メインアーム80にて塗布膜除去装置108から搬
出されて次工程に搬送する。したがって、この後、基板
Gを搬出する際には縁部のレジスト膜は除去されている
ので、メインアーム80にレジストが付着することもな
い。そして、このフォトレジストが加熱処理装置109
にて加熱されてベーキング処理が施された後、露光装置
95にて所定のパターンが露光される。そして、露光後
の基板Gは現像装置110内へ搬送され、現像液により
現像された後にリンス液により現像液を洗い流し、現像
処理を完了する。
In the coating / development processing system configured as described above, the unprocessed substrate G accommodated in the cassette 96 is taken out by the loading / unloading tweezers 99 of the loader unit 90, and then the first processing unit 91 The brush is transferred to the main arm 80 and then transferred into the brush cleaning device 120. The substrate G that has been brush-cleaned in the brush cleaning device 120 is subsequently cleaned with high-pressure jet water in the jet water cleaning device 130. Thereafter, the substrate G is subjected to a hydrophobizing treatment by the adhesion processing device 105 and cooled by the cooling treatment device 106,
Is carried into the coating mechanism, that is, the coating processing apparatus 107,
In the coating processing apparatus 107, a photoresist, that is, a photosensitive film is coated and formed by the above-described procedure, and subsequently, an unnecessary resist film on the side of the substrate G is removed by the coating film removing apparatus 108. Substrate G from which unnecessary resist film is removed
Is transported out of the coating film removing device 108 by the main arm 80 and transported to the next step. Therefore, when the substrate G is carried out thereafter, the resist film on the edge portion is removed, so that the resist does not adhere to the main arm 80. Then, this photoresist is applied to the heat treatment device 109.
After heating and baking, a predetermined pattern is exposed by the exposure device 95. Then, the exposed substrate G is transported into the developing device 110, and after being developed with the developing solution, the developing solution is washed away with the rinsing solution to complete the developing process.

【0061】現像処理された処理済みの基板Gはローダ
部90のカセット97内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。
The processed substrate G that has been subjected to the development processing is accommodated in the cassette 97 of the loader unit 90, and then carried out and transported to the next processing step.

【0062】なお、上記実施例においては、溶剤供給ノ
ズル40を噴頭60にレジスト液供給ノズル50と一体
的に備えた構成について説明したが、これに限定される
ものではなく、図10に示す実施例のように示すよう
に、リンス液供給ノズル45を有する噴頭46と一体的
に設けて溶剤を供給してもよい。
In the above embodiment, the structure in which the solvent supply nozzle 40 is provided integrally with the resist liquid supply nozzle 50 at the jet head 60 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the embodiment shown in FIG. As shown in the example, the solvent may be supplied integrally with the jet head 46 having the rinse liquid supply nozzle 45.

【0063】この例では、溶剤の供給路とレジスト液の
供給路とに、共通の温度調節機構61が配設されている
(図11参照)。噴頭60とスキャン機構70のスキャ
ンアーム71とは一体に形成され、噴頭60とスキャン
アーム71に温度調整液供給路62を形成し、この供給
路62内に溶剤供給チューブ41とレジスト液供給チュ
ーブ51とを配管して、同一の温度調整液Cによって溶
剤Aとレジスト液Bとの温度調節を行えるようにしてい
る。このように構成することにより、温度調節機構61
の構造を簡略化することができると共に、溶剤Aとレジ
スト液Bとを同一の温度に維持することができる。
In this example, a common temperature control mechanism 61 is provided for the solvent supply path and the resist liquid supply path (see FIG. 11). The jet head 60 and the scan arm 71 of the scanning mechanism 70 are integrally formed, and a temperature adjusting liquid supply path 62 is formed between the jet head 60 and the scan arm 71. In the supply path 62, the solvent supply tube 41 and the resist liquid supply tube 51 are provided. And the temperature of the solvent A and the resist solution B can be controlled by the same temperature control liquid C. With this configuration, the temperature control mechanism 61
Can be simplified, and the solvent A and the resist solution B can be maintained at the same temperature.

【0064】噴頭60とノズル40,50との配列並び
に構成は上記例に限定されるものではなく、例えば図1
2ないし図15に示すようにしてもよい。図12に示す
例は、レジスト液供給ノズル50の外周にこれと同軸的
に溶剤供給ノズル40を配置した場合である。このため
に、レジスト液供給ノズル50と溶剤供給ノズル40と
を二重管構造にし、かつ溶剤供給ノズル40の先端をレ
ジスト液供給ノズル50の先端よりも下方に突出させて
いる。勿論、溶剤供給ノズル40の先端をレジスト液供
給ノズル50の先端とが同一レベルになるように、もし
くは前者の方が短くなるように構成してもよい。代わっ
て、溶剤供給ノズル40の外側にレジスト液供給ノズル
50を配設するようにしてもよい。また、図13に示す
ように、レジスト液供給ノズル50と溶剤供給ノズル4
0とが併設され、これらの吐出口69が共通となってい
る機構を採用してもよい。
The arrangement and configuration of the jet head 60 and the nozzles 40 and 50 are not limited to the above example.
2 to 15 may be used. The example shown in FIG. 12 is a case where the solvent supply nozzle 40 is arranged on the outer periphery of the resist liquid supply nozzle 50 coaxially therewith. For this purpose, the resist solution supply nozzle 50 and the solvent supply nozzle 40 have a double tube structure, and the tip of the solvent supply nozzle 40 projects below the tip of the resist solution supply nozzle 50. Of course, the tip of the solvent supply nozzle 40 may be configured so that the tip of the solvent supply nozzle 50 is at the same level as the tip of the resist solution supply nozzle 50, or the former is shorter. Instead, a resist liquid supply nozzle 50 may be provided outside the solvent supply nozzle 40. Further, as shown in FIG. 13, the resist solution supply nozzle 50 and the solvent supply nozzle 4
0 may be provided in parallel, and a mechanism in which these discharge ports 69 are common may be adopted.

【0065】図14に示すように、噴頭60内に形成さ
れ中央に吐出口69を有する環状の溶剤貯留タンク60
f内の溶剤中に溶剤供給ノズル40の先端を挿入すると
共に、レジスト液供給ノズル50の先端をタンク60f
内の上部に位置させて、気化した溶剤の雰囲気にノズル
50の先端を晒すようにしてもよい。このように、レジ
スト液供給ノズル50の先端外周に溶剤供給ノズル40
の先端を配置することにより、レジスト液供給ノズル5
0に付着するレジストを溶剤によって洗浄することがで
きると共に、レジスト液の乾燥を防止することができ、
レジスト液の乾燥によるパーティクルの発生を防止する
ことができる。
As shown in FIG. 14, an annular solvent storage tank 60 formed in a jet head 60 and having a discharge port 69 at the center.
f, the tip of the solvent supply nozzle 40 is inserted into the solvent in the tank 60f.
The upper end of the nozzle 50 may be exposed to the atmosphere of a vaporized solvent. In this manner, the solvent supply nozzle 40
The tip of the resist solution supply nozzle 5
The resist adhering to 0 can be washed with a solvent, and the resist solution can be prevented from drying.
Generation of particles due to drying of the resist solution can be prevented.

【0066】また、図15に示すように、レジスト液供
給ノズル50の外周に沿って平行に溶剤供給ノズル40
を配置すると共に、このノズル40の先端を複数、この
例では4つ分岐させるようにしてもよい。この結果、溶
剤は一度に4箇所に供給される。好ましくは、これら分
岐ノズル部40aは、基板Gと相似形をなす矩形の4つ
の角にそれぞれ対応するように配設され、基板Gの中心
に対して対角線上の対称位置に同時に溶剤が供給され
る。このようにすれば、矩形の基板において溶剤の拡散
をある程度均一にすることができる。
As shown in FIG. 15, the solvent supply nozzle 40 extends in parallel along the outer periphery of the resist solution supply nozzle 50.
May be arranged, and the tip of the nozzle 40 may be branched in a plurality, in this example, four. As a result, the solvent is supplied to four places at a time. Preferably, these branch nozzle portions 40a are respectively disposed so as to correspond to four corners of a rectangle similar to the substrate G, and the solvent is simultaneously supplied to a symmetric position on a diagonal line with respect to the center of the substrate G. You. This makes it possible to make the diffusion of the solvent uniform to some extent on the rectangular substrate.

【0067】次に、この発明のレジスト膜形成方法の例
を、実験に基いて説明する。 ★実験1 溶剤Aとして、例えば、ECAを使用し、この溶剤Aを
一定量(例えば25cc)、上述したステップの条件
すなわち回転数:500rpm、時間:20secの下
で供給した後、レジスト液供給ノズル50から基板G上
にレジスト液Bを供給(滴下)させる場合について、以
下の条件の下で実験を行った。
Next, an example of the method of forming a resist film according to the present invention will be described based on experiments. * Experiment 1 For example, ECA was used as the solvent A, and after supplying this solvent A under a predetermined amount (for example, 25 cc) under the above-mentioned step conditions, that is, at a rotation speed of 500 rpm and a time of 20 sec, a resist solution supply nozzle was used. An experiment was performed under the following conditions when supplying (dropping) the resist solution B onto the substrate G from 50.

【0068】条件 レジスト液吐出(供給)時間:2sec、5sec 回転数:300,500,600,800,1000r
pm 基板Gの寸法:500×600mm 上記実験1の結果、回転数:600rpm(厳密には、
500〜800rpm未満の吐出回転数),時間:5s
ecで、レジスト液Bを8cc/枚供給したときが基板
Gの全面に塗れるのに必要なレジスト量を最小にするこ
とができ(図16参照)、また、膜厚プロファイルは図
17に示すような傾向となり、しかも、塗布膜の膜厚変
動(レンジ)が597オングストローム(Å)となり、
平均膜厚の±2%程度の約600オングストローム
(Å)の均一な膜厚を形成できることが判明した。な
お、回転数を800rpm,1000rpmに変えて5
sec間レジスト液Bを供給する場合には、それぞれ塗
布膜の膜厚変動(レンジ)が412,240オングスト
ローム(Å)と小さくすることができるが、レジスト量
が10cc/枚と若干多くなることが判明した。
Conditions Discharge (supply) time of resist liquid: 2 sec, 5 sec Rotation speed: 300, 500, 600, 800, 1000 r
pm Dimensions of the substrate G: 500 × 600 mm As a result of the above Experiment 1, the number of rotations was 600 rpm (strictly speaking,
Discharge speed less than 500-800 rpm), time: 5 s
In ec, when 8 cc / sheet of the resist solution B is supplied, the amount of resist necessary to coat the entire surface of the substrate G can be minimized (see FIG. 16), and the film thickness profile is as shown in FIG. And the variation (range) of the thickness of the coating film becomes 597 angstroms (Å).
It was found that a uniform film thickness of about 600 angstroms (Å) of about ± 2% of the average film thickness could be formed. In addition, changing the rotation speed to 800 rpm and 1000 rpm, 5
When the resist solution B is supplied for seconds, the variation (range) of the thickness of the coating film can be reduced to 412,240 Å (Å), but the resist amount may be slightly increased to 10 cc / sheet. found.

【0069】★実験2 溶剤Aとしてエチルセロソルブアセテート(ECA)を
使用し、この溶剤Aを以下の条件の下で供給した後、レ
ジスト液供給ノズル50から基板G上にレジスト液Bを
供給(滴下)させる場合の実験を行った。
* Experiment 2 Ethyl cellosolve acetate (ECA) was used as the solvent A, and after supplying this solvent A under the following conditions, the resist liquid B was supplied (dropped) from the resist liquid supply nozzle 50 onto the substrate G. An experiment was conducted in the case where the above was performed.

【0070】条件 レジスト:TSMR−8900 粘度:15cp 回転数:300,500,800,1000rpm 溶剤流量:80,100,120,150cc/min 基板Gの寸法:500×600mm 上記条件の下で実験したところ、表1に示すような結果
が得られた。
Conditions Resist: TSMR-8900 Viscosity: 15 cp Rotation speed: 300, 500, 800, 1000 rpm Solvent flow rate: 80, 100, 120, 150 cc / min Dimension of substrate G: 500 × 600 mm The experiment was conducted under the above conditions. And the results shown in Table 1 were obtained.

【0071】[0071]

【表1】 [Table 1]

【0072】上記実験2の結果、図18に示すように、
回転数が高い程、また、単位時間当りの溶剤の流量が多
い程、吐出(供給)時間が短くて済むことが判り、ま
た、見方を変えて流量×時間=実使用量の値で見ると、
図19に示すように、回転数が高い程溶剤の使用量が少
なくて済むことが判った。
As a result of the above experiment 2, as shown in FIG.
It can be seen that the higher the number of revolutions and the higher the flow rate of the solvent per unit time, the shorter the discharge (supply) time is. Also, from a different point of view, the flow rate x time = actual usage value ,
As shown in FIG. 19, it was found that the higher the number of rotations, the smaller the amount of solvent used.

【0073】上記実験2に基いて、塗布膜の膜厚プロフ
ァイルを測定したところ、表2に示すような結果が得ら
れた。
When the film thickness profile of the coating film was measured based on Experiment 2, the results shown in Table 2 were obtained.

【0074】[0074]

【表2】 [Table 2]

【0075】上記実験2の結果、回転数:800rp
m,溶剤流量:150cc/min,溶剤吐出時間:9
sec,溶剤量:22.5ccのとき、膜厚変動(レン
ジ)が364オングストローム(Å)であり、また、回
転数:1000rpm,溶剤流量:150cc/mi
n,溶剤吐出時間:8sec,溶剤量:20ccのと
き、膜厚変動(レンジ)が582オングストローム
(Å)であり、共に膜厚の均一を図ることができた。
As a result of the above experiment 2, the number of rotations was 800 rpm
m, solvent flow rate: 150 cc / min, solvent discharge time: 9
sec, the amount of solvent: 22.5 cc, the variation in film thickness (range) is 364 angstroms (Å), the number of revolutions: 1000 rpm, and the flow rate of solvent: 150 cc / mi.
n, the solvent discharge time: 8 sec, and the solvent amount: 20 cc, the variation (range) of the film thickness was 582 angstrom (Å), and the film thickness could be made uniform.

【0076】上記塗布液としては、レジスト(フェノー
ルノボラック樹脂とナフトキノンジアジドエステル),
ARC(反射防止膜;Anti Reflection
Coating)が使用され得る。上記溶剤として
は、メチル−3−メトキシプロピオネート(MMT,沸
点:145℃,粘度:1.1cps)の他、乳酸エチル
(EL,沸点:154℃,粘度:2.6cps)、エチ
ル−3−エトキシプロピオネート(EEP,沸点:17
0℃,粘度:1.3cps),ピルビン酸エチル(E
P,沸点:144℃,粘度:1.2cps)、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGME
A,沸点:146℃,粘度:1.3cps)、2−ヘプ
タノン(沸点:152℃,粘度:1.1cps)、シク
ロヘキサノン(ARCの溶剤)等この分野で知られてい
るものが使用され得る。
Examples of the coating solution include a resist (phenol novolak resin and naphthoquinonediazide ester),
ARC (Anti-reflection film; Anti Reflection)
Coating) may be used. Examples of the solvent include methyl-3-methoxypropionate (MMT, boiling point: 145 ° C, viscosity: 1.1 cps), ethyl lactate (EL, boiling point: 154 ° C, viscosity: 2.6 cps), ethyl-3 -Ethoxypropionate (EEP, boiling point: 17)
0 ° C., viscosity: 1.3 cps), ethyl pyruvate (E
P, boiling point: 144 ° C., viscosity: 1.2 cps), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGME
A, boiling point: 146 ° C., viscosity: 1.3 cps), 2-heptanone (boiling point: 152 ° C., viscosity: 1.1 cps), cyclohexanone (solvent for ARC), and others known in this field can be used.

【0077】なお、上記実施例では、回転カップ12の
蓋体16をロボットアーム20で移動させて開放し、溶
剤Aの供給ノズル40,レジスト液Bの供給ノズル50
などを、スキャン機構70で基板Gの中心部上方に移動
して、溶剤A,レジスト液Bを滴下する構成について説
明したが、回転カップ12の開口部12aを蓋体16で
閉止した状態で滴下するように構成してもよい。
In the above embodiment, the lid 16 of the rotary cup 12 is moved and opened by the robot arm 20 to supply the solvent A supply nozzle 40 and the resist solution B supply nozzle 50.
In the above description, a configuration in which the solvent A and the resist liquid B are dropped by moving the scanning mechanism 70 above the central portion of the substrate G, but the dropping is performed in a state where the opening 12a of the rotary cup 12 is closed by the lid 16 is described. May be configured.

【0078】例えば、図20に示すように、蓋体16の
膨隆頭部18部分を中空状に形成して開口18aを設
け、また、この開口18aの上端部を蓋18Aで閉止可
能に構成する。そして、蓋18Aを開け、スキャン機構
70により上記ノズルを膨隆頭部18の中空上方すなわ
ち基板Gの中心部上方に移動させ、開口18aを介して
溶剤A,レジスト液Bを滴下するように構成してもよ
い。
For example, as shown in FIG. 20, the bulging head 18 of the lid 16 is formed in a hollow shape to provide an opening 18a, and the upper end of the opening 18a can be closed by the lid 18A. . Then, the cover 18A is opened, the nozzle is moved above the hollow of the bulging head 18, that is, above the center of the substrate G by the scanning mechanism 70, and the solvent A and the resist liquid B are dropped through the opening 18a. You may.

【0079】上記実施例では、この発明に係る塗布膜形
成装置をLCD基板のレジスト塗布装置に適用した場合
について説明したが、LCD基板以外の半導体ウエハや
CD等の被処理体の塗布膜形成装置にも適用でき、レジ
スト以外のポリイミド系塗布液(PIQ)やガラス剤を
含有する塗布液(SOG)等にも適用できることは勿論
である。
In the above embodiment, the case where the coating film forming apparatus according to the present invention is applied to a resist coating apparatus for an LCD substrate has been described, but a coating film forming apparatus for an object to be processed such as a semiconductor wafer or a CD other than the LCD substrate. Of course, the present invention can also be applied to a polyimide-based coating liquid (PIQ) other than a resist, a coating liquid containing a glass agent (SOG), and the like.

【0080】[0080]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、基板の一面上に溶剤を塗布した後、基板上の溶剤が
塗布された領域内に、該溶剤が乾燥していない状態下
で、所定量の塗布液を供給し、塗布液を拡散させるべく
基板を第1の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡
って塗布液を拡散させ、処理容器に蓋体を閉止して基板
を処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された処理容器
及び基板を、第1の回転数より高速の第2の回転数で回
転させて、塗布膜の膜厚を整えるので、溶剤に対する適
正な配合割合の塗布液を供給することができ、塗布液の
使用量が少なくすることができ、塗布液の基板角部裏面
への廻り込みを防止することができる。また、溶剤と塗
布液との接触による塗布液の粘度を均一にして均一な厚
さの塗布膜を形成することができる。
As described above, according to the present invention, after a solvent is applied to one surface of a substrate, the solvent is applied to a region on the substrate where the solvent is applied, in a state where the solvent is not dried. in, supplying a predetermined amount of the coating solution, the <br/> substrate in order to diffuse the coating liquid is rotated at a first rotational speed to diffuse the coating solution over the entire one surface of the substrate, the lid to the processing chamber After closing the body and enclosing the substrate in the processing container, the processing container and the substrate with the lid closed are rotated at a second rotation speed higher than the first rotation speed to obtain a coating film thickness. Therefore, it is possible to supply a coating liquid having a proper mixing ratio to the solvent, to reduce the amount of the coating liquid used, and to prevent the coating liquid from flowing into the back surface of the corner of the substrate. Further, the viscosity of the coating solution caused by contact between the solvent and the coating solution can be made uniform to form a coating film having a uniform thickness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施例に係わる塗布膜の形成方法
を実施するための塗布膜形成装置の概略図である。
FIG. 1 is a schematic view of a coating film forming apparatus for performing a coating film forming method according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す塗布膜形成装置の概略平面図であ
る。
FIG. 2 is a schematic plan view of the coating film forming apparatus shown in FIG.

【図3】塗布膜形成装置の要部拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of the coating film forming apparatus.

【図4】この発明における処理容器と蓋体を示す一部断
面斜視図である。
FIG. 4 is a partially sectional perspective view showing a processing container and a lid according to the present invention.

【図5】この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端
部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing different modifications of the tip of the resist solution supply nozzle according to the present invention.

【図6】塗布膜形成装置に使用されている噴頭を拡大し
て示す斜視図である。
FIG. 6 is an enlarged perspective view showing a jet head used in a coating film forming apparatus.

【図7】噴頭の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a jet head.

【図8】塗布膜形成装置を使用してレジスト膜を形成す
る方法を説明するためのフローチャトである。
FIG. 8 is a flowchart for explaining a method of forming a resist film using a coating film forming apparatus.

【図9】塗布膜形成装置が適用されたレジスト塗布・現
像システムの全体を概略的に示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view schematically showing an entire resist coating / developing system to which the coating film forming apparatus is applied.

【図10】噴頭の変形例を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a modification of the jet head.

【図11】噴頭の変形例を示す断面図である。FIG. 11 is a sectional view showing a modified example of the jet head.

【図12】噴頭のノズル集合体の別の変形例を示す断面
図である。
FIG. 12 is a sectional view showing another modified example of the nozzle assembly of the jet head.

【図13】噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す
断面図である。
FIG. 13 is a sectional view showing still another modified example of the nozzle assembly of the jet head.

【図14】噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す
断面図である。
FIG. 14 is a sectional view showing still another modified example of the nozzle assembly of the jet head.

【図15】ノズル集合体の変形例と、塗布膜形成体であ
るLCD基板とを示す斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view showing a modified example of the nozzle assembly and an LCD substrate which is a coating film forming body.

【図16】基板の回転数と基板全面に塗れるのに必要な
レジスト量との関係を示すグラフである。
FIG. 16 is a graph showing the relationship between the number of rotations of the substrate and the amount of resist necessary to coat the entire surface of the substrate.

【図17】基板の回転数の関係からレジスト膜の膜厚変
動範囲を示すグラフである。
FIG. 17 is a graph showing a variation range of the thickness of the resist film from the relationship of the number of rotations of the substrate.

【図18】レジスト液の吐出時間と基板の回転数との関
係を示すグラフである。
FIG. 18 is a graph showing the relationship between the discharge time of a resist solution and the number of rotations of a substrate.

【図19】溶剤の使用量と基板の回転数との関係を示す
グラフである。
FIG. 19 is a graph showing the relationship between the amount of solvent used and the number of rotations of the substrate.

【図20】液滴下方法の他の一例を示す説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram showing another example of the droplet dropping method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 スピンチャック 12 回転カップ(処理容器) 16 蓋体 18a 開口 18A 蓋 20 ロボットアーム(蓋体移動手段) 21 駆動モータ 40 溶剤供給ノズル(溶剤供給手段) 50 レジスト液供給ノズル(塗布液供給手段) 52 レジスト液タンク(塗布液供給源) 57 ベローズポンプ 59 ステッピングモータ 70 スキャン機構(溶剤・塗布液供給手段の移動手
段) 80 メインアーム(搬送機構) 107 塗布処理装置(塗布機構) 108 塗布膜除去装置(塗布膜除去機構) G LCD基板(基板) A 溶剤 B レジスト液(塗布液)
Reference Signs List 10 spin chuck 12 rotating cup (processing container) 16 lid 18a opening 18A lid 20 robot arm (lid moving means) 21 drive motor 40 solvent supply nozzle (solvent supply means) 50 resist liquid supply nozzle (coating liquid supply means) 52 Resist liquid tank (coating liquid supply source) 57 Bellows pump 59 Stepping motor 70 Scanning mechanism (moving means of solvent / coating liquid supply means) 80 Main arm (transport mechanism) 107 Coating processing device (coating mechanism) 108 Coating film removing device ( Coating film removal mechanism) G LCD substrate (substrate) A Solvent B Resist liquid (coating liquid)

フロントページの続き (72)発明者 元田 公男 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 関口 賢治 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (72)発明者 大森 伝 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東 京エレクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−349969(JP,A) 特開 平5−259052(JP,A) 特開 平6−210230(JP,A) 特開 昭61−150332(JP,A) 特開 平3−76109(JP,A) 特開 平1−173719(JP,A)Continued on the front page (72) Inventor Kimio Motoda 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto Office (72) Inventor Oden Den Tokyo Electron Co., Ltd. 2-3-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo (56) References JP 4-349969 (JP, A) JP JP-A-5-259052 (JP, A) JP-A-6-210230 (JP, A) JP-A-61-150332 (JP, A) JP-A-3-76109 (JP, A) JP-A-1-173719 (JP) , A)

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 処理容器内に収容される基板の一面上に
塗布液を供給して、塗布膜を形成する方法において、 上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程と、 上記基板上の溶剤が塗布された領域内に、該溶剤が乾燥
していない状態下で、所定量の塗布液を供給し、第1の
回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させ
る工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を、上記第1の
回転数より高速の第2の回転数で回転させて、塗布膜の
膜厚を整える工程とを有することを特徴とする塗布膜形
成方法。
1. A method for forming a coating film by supplying a coating liquid on one surface of a substrate accommodated in a processing container, comprising: applying a solvent on one surface of the substrate; In a region where is applied, under a state where the solvent is not dried, a predetermined amount of the coating liquid is supplied, rotated at a first rotation speed, and diffused over the entire surface of the substrate; Closing the lid in the processing container and enclosing the substrate in the processing container; and placing the processing container and the substrate with the lid closed in the first container .
Rotating the film at a second rotation speed higher than the rotation speed to adjust the thickness of the coating film.
【請求項2】 請求項1記載の塗布膜形成方法におい
て、 基板と処理容器とを共に回転させることを特徴とする塗
布膜形成方法。
2. The method for forming a coating film according to claim 1, wherein the substrate and the processing container are rotated together.
【請求項3】 請求項1記載の塗布膜形成方法におい
て、 塗布液の量は、基板の第1の回転数に応じて設定されて
いることを特徴とする塗布膜形成方法。
3. The method according to claim 1, wherein the amount of the coating liquid is set according to the first rotation speed of the substrate.
【請求項4】 請求項3記載の塗布膜形成方法におい
て、 塗布液の量と、基板の回転数とは、塗布膜の膜厚変動が
平均膜厚の±2%程度以下になるように設定されている
ことを特徴とする塗布膜形成方法。
4. The method for forming a coating film according to claim 3, wherein the amount of the coating solution and the number of rotations of the substrate are set such that a variation in the thickness of the coating film is about ± 2% or less of the average film thickness. A method for forming a coating film, characterized by being performed.
【請求項5】 請求項1記載の塗布膜形成方法におい
て、 溶剤の塗布を基板の回転にて行うことを特徴とする塗布
膜形成方法。
5. The method according to claim 1, wherein the application of the solvent is performed by rotating the substrate.
【請求項6】 請求項5記載の塗布膜形成方法におい
て、 基板の回転にて行う溶剤塗布の回転数と、第1の回転数
と第2の回転数とは異なることを特徴とする塗布膜形成
方法。
6. The coating film forming method according to claim 5, wherein the rotation speed of the solvent application performed by rotating the substrate is different from the first rotation speed and the second rotation speed. Forming method.
【請求項7】 請求項1記載の塗布膜形成方法におい
て、 溶剤として塗布液の溶剤を塗布することを特徴とする塗
布膜形成方法。
7. The method for forming a coating film according to claim 1, wherein a solvent of a coating solution is applied as the solvent.
【請求項8】 請求項1記載の塗布膜形成方法におい
て、 基板のほぼ中心部上に塗布液を供給することを特徴とす
る塗布膜形成方法。
8. The method for forming a coating film according to claim 1, wherein a coating liquid is supplied to substantially the center of the substrate.
【請求項9】 基板の一面を上に向けて支持する基板支
持手段と、 上記基板支持手段を、上記基板の一面全体に渡って塗布
液を拡散させるべく第1の回転数と、塗布膜の膜厚を整
えるべく第1の回転数より高速の第2の回転数で回転さ
せる基板回転手段と、 上記基板を包囲するカップ状をなす処理容器と、 上記処理容器の開口部を閉止する蓋体と、 上記基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段と、 上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段と、 上記溶剤供給手段と上記塗布液供給手段とを支持し、支
持した溶剤供給手段及び塗布液供給手段を、基板上方の
供給位置と、供給位置から外れた待機位置との間、移動
可能に支持する手段とを具備することを特徴とする塗布
膜形成装置。
9. A substrate supporting means for supporting one side of a substrate upward, and applying the substrate supporting means over the entire surface of the substrate.
Adjust the first rotation speed and the thickness of the coating film to diffuse the liquid.
A substrate rotating means for rotating at a second rotation speed higher than the first rotation speed, a cup-shaped processing container surrounding the substrate, a lid for closing an opening of the processing container, A solvent supply unit that supplies a solvent of the coating liquid to the substrate; a coating liquid supply unit that supplies the coating liquid to the substrate; a solvent supply unit that supports the solvent supply unit and the coating liquid supply unit; An apparatus for forming a coating film, comprising: means for movably supporting a liquid supply means between a supply position above a substrate and a standby position deviating from the supply position.
【請求項10】 基板の一面を上に向けて支持する基板
支持手段と、上記基板支持手段を、上記基板の一面全体
に渡って塗布液を拡散させるべく第1の回転数と、塗布
膜の膜厚を整えるべく第1の回転数より高速の第2の回
転数で回転させる基板回転手段と、上記基板を包囲する
カップ状をなす処理容器と、上記処理容器の開口部を閉
止する蓋体と、上記基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤
供給手段と、上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手
段と、上記溶剤供給手段と上記塗布液供給手段とを支持
し、支持した溶剤供給手段及び塗布液供給手段を、基板
上方の供給位置と、供給位置から外れた待機位置との
間、移動可能に支持する手段とを具備する塗布機構と、 上記塗布機構によって塗布膜が形成された上記基板の縁
部に付着した塗布膜を除去する塗布膜除去機構とを具備
することを特徴とする塗布膜形成装置。
10. A substrate supporting means for supporting one side of a substrate facing upward, and the substrate supporting means is provided on an entire surface of the substrate.
The first number of revolutions to spread the coating solution over
The second rotation at a higher speed than the first rotation speed to adjust the film thickness
Substrate rotating means for rotating at a number of rotations, a processing vessel having a cup shape surrounding the substrate, a lid for closing an opening of the processing vessel, and a solvent supply means for supplying a solvent of a coating liquid to the substrate; A coating liquid supply unit for supplying a coating liquid to the substrate, the solvent supply unit and the coating liquid supply unit are supported, and the supported solvent supply unit and the coating liquid supply unit are supplied to a supply position above the substrate; A coating mechanism having means for movably supporting between a standby position deviated from the position, and a coating film removal for removing a coating film attached to an edge of the substrate on which a coating film is formed by the coating mechanism. A coating film forming apparatus comprising a mechanism.
【請求項11】 請求項9又は10記載の塗布膜形成装
置において、 処理容器を基板と共に回転させる容器回転手段を設けた
ことを特徴とする塗布膜形成装置。
11. The coating film forming apparatus according to claim 9, further comprising a container rotating means for rotating the processing container together with the substrate.
【請求項12】 請求項9ないし11のいずれかに記載
の塗布膜形成装置において、 塗布液供給手段と塗布液を収容する塗布液供給源とを供
給管を介して連通し、 上記供給管に、塗布液の供給量の調整可能なポンプ手段
を介設することを特徴とする塗布膜形成装置。
12. The coating film forming apparatus according to claim 9, wherein the coating liquid supply means and a coating liquid supply source for storing the coating liquid communicate with each other via a supply pipe. And a pump means capable of adjusting the supply amount of the coating liquid.
【請求項13】 請求項9ないし11のいずれかに記載
の塗布膜形成装置において、 溶剤供給手段と塗布液供給手段の少なくとも1つに、温
度調整手段を設けたことを特徴とする塗布膜形成装置。
13. The coating film forming apparatus according to claim 9 , wherein at least one of the solvent supply means and the coating liquid supply means is provided with a temperature adjusting means. apparatus.
【請求項14】 請求項9ないし11のいずれかに記載
の塗布膜形成装置において、 開口部を閉止する蓋体を、処理容器の閉止位置と処理容
器から外れた待機位置との間、移動可能に支持する蓋体
移動手段を具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
14. The coating film forming apparatus according to claim 9, wherein the lid for closing the opening is movable between a closed position of the processing container and a standby position separated from the processing container. An apparatus for forming a coating film, comprising: a lid moving means for supporting the coating film.
【請求項15】 請求項9ないし11のいずれかに記載
の塗布膜形成装置において、 蓋体に、処理容器内の基板に溶剤及び塗布液を供給すべ
く開口を設けると共に、この開口を蓋にて閉止可能に形
成してなることを特徴とする塗布膜形成装置。
15. The coating film forming apparatus according to claim 9, wherein the lid is provided with an opening for supplying a solvent and a coating liquid to the substrate in the processing container, and the opening is formed on the lid. A coating film forming apparatus characterized by being formed so as to be able to be closed.
【請求項16】 請求項10記載の塗布膜形成装置にお
いて、 基板を塗布機構に搬入し、塗布膜除去機構から搬出する
搬送機構を設けたことを特徴とする塗布膜形成装置。
16. The coating film forming apparatus according to claim 10 , further comprising a transport mechanism for loading the substrate into the coating mechanism and transporting the substrate from the coating film removing mechanism.
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