JPH07326571A - Processing method and processing device - Google Patents

Processing method and processing device

Info

Publication number
JPH07326571A
JPH07326571A JP17479794A JP17479794A JPH07326571A JP H07326571 A JPH07326571 A JP H07326571A JP 17479794 A JP17479794 A JP 17479794A JP 17479794 A JP17479794 A JP 17479794A JP H07326571 A JPH07326571 A JP H07326571A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
coating
processed
edge
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP17479794A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3114084B2 (en
Inventor
Kiyohisa Tateyama
清久 立山
Kimio Motoda
公男 元田
Tatsuya Iwasaki
達也 岩崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26430571&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH07326571(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP06174797A priority Critical patent/JP3114084B2/en
Priority to KR1019950007866A priority patent/KR100284559B1/en
Priority to US08/416,369 priority patent/US5718763A/en
Priority to TW084103709A priority patent/TW399104B/en
Publication of JPH07326571A publication Critical patent/JPH07326571A/en
Priority to US08/964,608 priority patent/US5853803A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3114084B2 publication Critical patent/JP3114084B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To contrive to uniformize a coat film of coat liquid to a substrate surface to be processed, enhance a manufacturing yield and improve throughput. CONSTITUTION:There are provided a coat mechanism 1 for applying a resist solution to the surface of a rectangular substrate G and an edge part removing mechanism 2 for spraying removal liquid on both surfaces of an edge part of the resist liquid coated substrate G to remove a coated film adjacent to each other. Further, there is provided a carry mechanism 3 for carrying the substrate G from the coat mechanism 1 to the edge part removing mechanism 2. Thus, after the resist liquid is applied on a surface of the substrate G, it is possible to remove the unwanted resist film on both surfaces of the edge parts of opposing two sides of the substrate G.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、角形状の被処理基板
に塗布液を塗布する処理方法及び処理装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing method and a processing apparatus for applying a coating liquid to a rectangular substrate to be processed.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ(LC
D)装置の製造工程においては、LCD基板(ガラス基
板)上に例えばITO(Indium Tin Oxi
de)の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。
2. Description of the Related Art Generally, a liquid crystal display (LC
D) In the manufacturing process of the device, for example, ITO (Indium Tin Oxi) is formed on the LCD substrate (glass substrate).
In order to form a thin film, electrode pattern, etc. of de), a circuit pattern etc. is reduced using a photolithography technique similar to that used in the semiconductor manufacturing process, transferred to a photoresist, and then developed. Processing is performed.

【0003】例えば、被処理基板である矩形状のLCD
基板を、洗浄装置にて洗浄した後、LCD基板にアドヒ
ージョン処理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置
にて冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト
すなわち感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジス
トを加熱処理装置にて加熱してベーキング処理を施した
後、露光装置にて所定のパターンを露光する。そして、
露光後のLCD基板を現像装置にて現像液を塗布して現
像した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理
を完了する。
For example, a rectangular LCD which is a substrate to be processed
After the substrate is washed by a washing device, the LCD substrate is subjected to a hydrophobic treatment by an adhesion treatment device and cooled by a cooling treatment device, and then a photoresist, that is, a photosensitive film is applied and formed by a resist applying device. Then, the photoresist is heated by a heat treatment device to be subjected to baking treatment, and then a predetermined pattern is exposed by an exposure device. And
The exposed LCD substrate is coated with a developing solution by a developing device and developed, and then the developing solution is washed away with a rinse solution to complete the developing process.

【0004】上記のような処理を行う場合、LCD基板
等の被処理基板の表面にスピンコーティング法やスプレ
ー法等によってレジスト液を塗布する処理が行われる
が、この塗布処理の際、塗布直後における膜厚は均一で
あるが、回転が停止して遠心力が働かなくなった後や時
間が経つに従い表面張力の影響でLCD基板周縁部でレ
ジスト液が盛り上がるように厚くなり、また、レジスト
液がLCD基板の下面周縁部にまで回り込んで不要な膜
が形成される現象が発生する。このようにLCD基板の
周縁部に不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路
パターン等の現像時に周縁部のレジスト膜が完全には除
去されずに残存することになり、その後のLCD基板の
搬送工程中にその残存したレジストが剥がれ、パーティ
クル発生の原因となる。
In the case of performing the above-mentioned treatment, a treatment of applying a resist solution to the surface of a substrate to be treated such as an LCD substrate by a spin coating method or a spray method is carried out. Although the film thickness is uniform, after the rotation is stopped and the centrifugal force stops working, and as time passes, the resist solution becomes thicker so that the resist solution rises at the peripheral edge of the LCD substrate due to the influence of the surface tension. A phenomenon occurs in which an unnecessary film is formed by wrapping around to the peripheral portion of the lower surface of the substrate. If a thick non-uniform film is formed on the peripheral portion of the LCD substrate in this way, the resist film on the peripheral portion is not completely removed during development of the integrated circuit pattern or the like, and the remaining LCD film is not formed. The remaining resist is peeled off during the step of transferring the substrate, which causes the generation of particles.

【0005】そこで、従来では、LCD基板の表面にレ
ジスト液等を塗布した後、LCD基板の周縁部の不要な
塗布膜を除去する処理が行われている。この塗布膜除去
工程によって塗布膜形成工程の後のLCD基板の周縁部
に溶剤等の除去液を噴射してLCD基板の周縁部の不要
な塗布膜を除去することができる。
Therefore, conventionally, after applying a resist solution or the like to the surface of the LCD substrate, a process of removing an unnecessary coating film on the peripheral portion of the LCD substrate is performed. By this coating film removing step, a removing liquid such as a solvent can be sprayed onto the peripheral portion of the LCD substrate after the coating film forming step to remove the unnecessary coating film on the peripheral portion of the LCD substrate.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、矩形状
の被処理基板の周縁部の塗布膜を除去するには、被処理
基板の各辺に沿わせて塗布膜除去用の溶剤吐出ノズル等
を相対移動させて塗布膜を除去しなければならないた
め、塗布膜の除去に多くの時間と手間を要するという問
題があった。
However, in order to remove the coating film on the peripheral portion of the rectangular substrate to be processed, a solvent discharge nozzle or the like for removing the coating film is relatively placed along each side of the substrate to be processed. Since the coating film has to be removed by moving it, there is a problem that it takes much time and labor to remove the coating film.

【0007】また、被処理基板が矩形状等の方形状をな
しているため、レジスト液等の塗布液を塗布した後に被
処理基板を高速回転して塗布液を振り切る際に、遠心力
によって被処理基板の周辺から外方へ飛散する塗布液が
回転する被処理基板の角部裏面に再付着することがあ
り、この付着した塗布液が乾燥して、パーティクルの発
生原因となるという問題があった。
Further, since the substrate to be processed has a rectangular shape such as a rectangular shape, when the substrate to be processed is spun at a high speed after the coating liquid such as a resist liquid is applied to shake off the coating liquid, centrifugal force is applied. There is a problem in that the coating liquid that scatters from the periphery of the processing substrate may adhere to the back surface of the corner of the rotating substrate to be processed, and the coating liquid that adheres may dry and cause particles to be generated. It was

【0008】更に、塗布膜除去機構を塗布・現像処理シ
ステムに組込むことによって塗布・現像処理システムが
大型となるばかりか、処理能力の低下を招くという問題
があった。
Further, by incorporating the coating film removing mechanism into the coating / developing processing system, there is a problem that not only the coating / developing processing system becomes large, but also the processing capacity is lowered.

【0009】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理基板の周縁部の不要な塗布膜を容易に除去
し、製品歩留まりの向上を図ると共に、塗布・現像処理
のスループットの向上を図り、かつ、装置の小型化を図
れるようにした処理方法及び処理装置を提供することを
目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances. It is possible to easily remove an unnecessary coating film on the peripheral portion of a substrate to be processed, improve the product yield, and improve the throughput of the coating / developing process. It is an object of the present invention to provide a processing method and a processing device which are capable of achieving a compact size of the device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理方法は、角形状の被処理基板の表面
に塗布液を塗布する塗布工程と、上記塗布により塗布膜
が形成された上記被処理基板の第1の辺の縁部両面に除
去液を噴射して縁部の塗布膜を除去する第1の除去工程
と、上記被処理基板の第2の辺の縁部両面に除去液を噴
射して縁部の塗布膜を除去する第2の除去工程とを有す
ることを特徴とするものである(請求項1)。
In order to achieve the above object, the processing method of the present invention comprises a coating step of coating a coating liquid on the surface of a square substrate to be processed, and a coating film is formed by the coating. And a first removing step of removing the coating film on the edge by spraying a removing liquid on both sides of the edge on the first side of the substrate to be processed, and on both surfaces of the edge of the second side of the substrate to be processed. And a second removing step of spraying a removing liquid to remove the coating film on the edge portion (Claim 1).

【0011】この発明の第1の処理装置は、角形状の被
処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、上記塗
布により塗布膜が形成された上記被処理基板の縁部両面
に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構とを
隣接して配設し、上記塗布機構から縁部除去機構へ上記
被処理基板を搬送する搬送機構を設けたことを特徴とす
るものである(請求項2)。
A first processing apparatus according to the present invention includes a coating mechanism for coating a coating liquid on the surface of a square substrate to be processed, and removal on both sides of the edge portion of the substrate to be processed on which a coating film has been formed. An edge removing mechanism for spraying a liquid to remove the coating film is disposed adjacent to the edge removing mechanism, and a transport mechanism for transporting the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removing mechanism is provided. (Claim 2).

【0012】また、この発明の第2の処理装置は、角形
状の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、
上記塗布により塗布膜が形成された上記被処理基板の縁
部両面に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機
構と、上記塗布機構から縁部除去機構へ上記被処理基板
を搬送する搬送機構とを具備し、上記縁部除去機構を、
上記被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、被処
理基板の辺に沿って移動すると共に被処理基板の縁部両
面に除去液を噴射するノズルとで構成してなることを特
徴とするものである(請求項3)。
The second processing apparatus of the present invention includes a coating mechanism for coating the surface of a rectangular substrate to be coated with a coating liquid.
An edge removing mechanism that sprays a removing liquid on both sides of the edge of the substrate having a coating film formed by the coating to remove the coating film, and the substrate to be processed is transferred from the coating mechanism to the edge removing mechanism. And a transport mechanism for
It is characterized in that it comprises a holding means for rotatably holding the substrate to be processed, and a nozzle that moves along the side of the substrate to be processed and sprays a removing liquid onto both edge portions of the substrate to be processed. (Claim 3).

【0013】また、この発明の第3の処理装置は、角形
状の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、
上記塗布により塗布膜が形成された上記被処理基板の縁
部両面に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機
構と、上記塗布機構から縁部除去機構へ上記被処理基板
を搬送する搬送機構とを具備し、上記縁部除去機構を、
上記被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、被処
理基板の辺に沿って移動すると共に被処理基板の縁部両
面に除去液を噴射する表面及び裏面洗浄ノズルと、上記
裏面洗浄ノズルの外方側に延在して上記被処理基板の角
部裏面に除去液を噴射する補助洗浄ノズルとで構成して
なることを特徴とするものである(請求項4)。
Further, a third processing apparatus of the present invention comprises a coating mechanism for coating the coating liquid on the surface of a square substrate to be processed,
An edge removing mechanism that sprays a removing liquid on both sides of the edge of the substrate having a coating film formed by the coating to remove the coating film, and the substrate to be processed is transferred from the coating mechanism to the edge removing mechanism. And a transport mechanism for
Holding means for rotatably holding the substrate to be processed; front and back surface cleaning nozzles that move along the sides of the substrate to be processed and spray a removing liquid onto both sides of the edge of the substrate to be processed; The auxiliary cleaning nozzle extends outward and sprays a removing liquid onto the back surface of the corner of the substrate to be processed (claim 4).

【0014】また、この発明の第4の処理装置は、角形
状の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、
上記塗布により塗布膜が形成された上記被処理基板の縁
部両面に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機
構と、上記塗布機構から縁部除去機構へ上記被処理基板
を搬送する搬送機構とを具備し、上記縁部除去機構を、
上記被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、被処
理基板の辺に沿って移動すると共に被処理基板の縁部両
面に除去液を噴射するノズルと、上記保持手段の下部側
に配設されて上記被処理基板の角部裏面に除去液を噴射
する補助洗浄ノズルとで構成してなることを特徴とする
ものである(請求項5)。
Further, a fourth processing apparatus of the present invention comprises a coating mechanism for coating the coating liquid on the surface of a square substrate to be processed,
An edge removing mechanism that sprays a removing liquid on both sides of the edge of the substrate having a coating film formed by the coating to remove the coating film, and the substrate to be processed is transferred from the coating mechanism to the edge removing mechanism. And a transport mechanism for
Holding means for rotatably holding the substrate to be processed, a nozzle for moving along the sides of the substrate to be processed and spraying a removing liquid onto both sides of the edge of the substrate to be processed, and a nozzle provided on the lower side of the holding means. It is constituted by an auxiliary cleaning nozzle for spraying a removing liquid on the back surface of the corner of the substrate to be processed (claim 5).

【0015】この発明において、上記縁部除去機構のノ
ズルは被処理基板の縁部両面に除去液を噴射できるもの
であれば、少なくとも2個設けた各ノズルの噴口の向き
は任意でよいが、好ましくは被処理基板の縁部両面に除
去液を噴射する縁部除去機構のノズルの噴口から噴射さ
れた除去液がノズル近傍で互いに干渉しない位置に設け
る方がよい(請求項6)。
In the present invention, as long as the nozzles of the above-mentioned edge portion removing mechanism can jet the removing liquid onto both sides of the edge portion of the substrate to be processed, at least two nozzles may be provided with any nozzles in any direction. It is preferable to provide the removing liquids ejected from the nozzles of the nozzle of the edge removing mechanism for ejecting the removing liquids on both sides of the edge of the substrate to be treated in the vicinity of the nozzles so as not to interfere with each other (claim 6).

【0016】[0016]

【作用】この発明によれば、角形状の被処理基板の表面
に塗布液を塗布した後、上記塗布により塗布膜が形成さ
れた被処理基板の第1,第2の2辺の縁部両面に同時に
除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去することができる
(請求項1)。
According to the present invention, after the coating liquid is applied to the surface of the rectangular substrate to be processed, both edge portions of the first and second sides of the substrate to be processed on which the coating film is formed are formed. At the same time, the removing liquid can be jetted to remove the coating film on the edge portion (Claim 1).

【0017】また、この発明の処理装置によれば、角形
状の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構と、
上記塗布により塗布膜が形成された被処理基板の縁部両
面に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構と
を隣接して配設し、塗布機構から縁部除去機構へ被処理
基板を搬送する搬送機構を設けることにより、装置を小
型にすることができ、塗布処理後に速やかに被処理基板
の端部の不要な塗布膜の除去処理を行うことができる
(請求項2)。
Further, according to the processing apparatus of the present invention, a coating mechanism for coating the surface of the rectangular substrate to be coated with the coating liquid,
An edge removing mechanism for spraying a removing liquid to remove the coating film is disposed adjacent to both sides of the edge of the substrate having the coating film formed by the above-mentioned coating, and the coating mechanism transfers the edge removing mechanism to the edge removing mechanism. By providing the transfer mechanism for transferring the processing substrate, the apparatus can be downsized, and the unnecessary coating film on the end portion of the processing target substrate can be removed promptly after the coating processing (claim 2). .

【0018】また、縁部除去機構を、被処理基板を回転
可能に保持する保持手段と、被処理基板の辺に沿って移
動すると共に被処理基板の縁部両面に除去液を噴射する
ノズルとで構成することにより、保持手段によって保持
された被処理基板の一辺の縁部の塗布膜を除去した後、
保持手段を回転させて被処理基板の他の辺の縁部の塗布
膜を除去することができる(請求項3)。
Further, the edge removing mechanism includes a holding means for rotatably holding the substrate to be processed, a nozzle for moving along the sides of the substrate to be processed, and a nozzle for ejecting a removing liquid to both sides of the edge of the substrate to be processed. By removing the coating film on the edge of one side of the substrate to be processed held by the holding means,
The holding means can be rotated to remove the coating film on the edge of the other side of the substrate to be processed (claim 3).

【0019】また、縁部除去機構に、被処理基板の角部
裏面に除去液を噴射する補助洗浄ノズルを設けることに
より、被処理基板の角部裏面に付着した塗布膜を除去す
ることができる(請求項4及び5)。
Further, by providing the edge removing mechanism with an auxiliary cleaning nozzle for injecting a removing liquid to the back surface of the corner of the substrate to be processed, the coating film attached to the back surface of the corner of the substrate to be processed can be removed. (Claims 4 and 5).

【0020】また、被処理基板の縁部両面に除去液を噴
射すべくノズルを少なくとも2個設け、かつ噴口から噴
射された除去液がノズル近傍で互いに干渉しない位置に
設けることにより、各ノズルから噴射される除去液の衝
突を防止することができ、衝突によって飛散される除去
液が被処理基板の表面部の塗布膜に付着して悪影響を及
ぼすのを防止することができる(請求項6)。
Further, by providing at least two nozzles for ejecting the removing liquid on both sides of the edge of the substrate to be processed, and by providing the removing liquids ejected from the ejection holes in positions in the vicinity of the nozzles so as not to interfere with each other, It is possible to prevent collision of the ejected removing liquid, and prevent the removing liquid scattered by the collision from adhering to the coating film on the surface of the substrate to be processed and adversely affecting it (claim 6). .

【0021】[0021]

【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の処理装置を、LCD
基板のレジスト塗布装置に適用した場合について説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. Here, the processing device of the present invention is used as an LCD.
A case where the present invention is applied to a substrate resist coating apparatus will be described.

【0022】この発明の処理装置は、図1に示すよう
に、角形状の被処理基板例えば矩形状のLCD基板G
(以下に基板という)の表面に塗布液供給ノズル1aか
ら塗布液例えばレジスト液を供給してレジスト液を塗布
する塗布機構1と、基板Gの周縁部に塗布形成された不
要な塗布膜を除去する縁部除去機構2とを隣接して例え
ば一体的に同一雰囲気内に配設し、塗布機構1によって
塗布された基板Gを縁部除去機構2に搬送する搬送機構
3を具備してなる。
The processing apparatus of the present invention, as shown in FIG. 1, has a rectangular substrate to be processed, for example, a rectangular LCD substrate G.
A coating mechanism 1 that coats the resist liquid by supplying a coating liquid, for example, a resist liquid from the coating liquid supply nozzle 1a to the surface of the substrate (hereinafter referred to as a substrate), and removes an unnecessary coating film formed by coating on the peripheral portion of the substrate G. The edge removing mechanism 2 is provided adjacent to, for example, integrally in the same atmosphere, and a transport mechanism 3 for transporting the substrate G coated by the coating mechanism 1 to the edge removing mechanism 2 is provided.

【0023】上記塗布機構1は、図2及び図3に示すよ
うに、基板Gを図示しない真空装置によって吸着保持す
ると共に水平方向(θ方向)に回転するスピンチャック
10と、このスピンチャック10の上部及び外周部を包
囲する処理室20を有する上方部が開口した有低開口円
筒状の回転カップ12と、回転カップ12の開口部12
aを開閉可能に被着(着脱)される蓋体16と、回転カ
ップ12の外周側を取囲むように配置される中空リング
状のドレンカップ14とで主要部が構成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the coating mechanism 1 holds the substrate G by a vacuum device (not shown) by suction and spins it in the horizontal direction (θ direction), and the spin chuck 10. A rotary cup 12 having a cylindrical shape with a low opening, which has a processing chamber 20 surrounding the upper part and the outer peripheral part and has an opening in the upper part, and an opening 12 of the rotary cup 12.
A main part is composed of a lid 16 that is attached (detachable) such that a can be opened and closed, and a hollow ring-shaped drain cup 14 that is arranged so as to surround the outer peripheral side of the rotary cup 12.

【0024】上記スピンチャック10は下方に配置した
駆動モータ21の駆動によって回転される回転軸22を
介して水平方向に回転(自転)可能になっており、また
回転軸22に連結される昇降シリンダ23の駆動によっ
て上下方向に移動し得るようになっている。この場合、
回転軸22は、固定カラー24の内周面にベアリング2
5aを介して回転可能に装着される回転内筒26aの内
周面に嵌着されるスプライン軸受27に摺動可能に連結
されている。スプライン軸受27には従動プーリ28a
が装着されており、従動プーリ28aには駆動モータ2
1の駆動軸21aに装着された駆動プーリ21bとの間
にベルト29aが掛け渡されている。したがって、駆動
モータ21の駆動によってベルト29aを介して回転軸
22が回転してスピンチャック10が回転される。ま
た、回転軸22の下部側は図示しない筒体内に配設され
ており、筒体内において回転軸22はバキュームシール
部30を介して昇降シリンダ23に連結され、昇降シリ
ンダ23の駆動によって回転軸22が上下方向に移動し
得るようになっている。
The spin chuck 10 can rotate (rotate) in the horizontal direction via a rotating shaft 22 that is rotated by the drive of a drive motor 21 arranged below, and an elevating cylinder connected to the rotating shaft 22. It can move up and down by driving 23. in this case,
The rotating shaft 22 has a bearing 2 on the inner peripheral surface of the fixed collar 24.
It is slidably connected to a spline bearing 27 fitted to the inner peripheral surface of a rotating inner cylinder 26a rotatably mounted via 5a. The spline bearing 27 has a driven pulley 28a.
Is mounted on the driven pulley 28a.
The belt 29a is stretched between the drive pulley 21b mounted on the first drive shaft 21a. Therefore, the rotation of the rotary shaft 22 via the belt 29a by the drive of the drive motor 21 causes the spin chuck 10 to rotate. The lower side of the rotary shaft 22 is arranged in a cylinder body (not shown), and the rotary shaft 22 is connected to the lifting cylinder 23 via the vacuum seal portion 30 in the cylinder body. Can move up and down.

【0025】上記回転カップ12は、上記固定カラー2
4の外周面にベアリング25bを介して装着される回転
外筒26bの上端部に固定される連結筒31を介して取
付けられており、回転カップ12の底部12bとスピン
チャック10の下面との間には、シール機能を有するベ
アリング32が介在されてスピンチャック10と相対的
に回転可能になっている。そして、回転外筒26bに装
着される従動プーリ28bと上記駆動モータ21に装着
される駆動プーリ21bに掛け渡されるベルト29bに
よって駆動モータ21からの駆動が回転カップ12に伝
達されて回転カップ12が回転される。この場合、従動
プーリ28bの直径は上記回転軸22に装着された従動
プーリ28aの直径と同一に形成され、同一の駆動モー
タ21にベルト29a,29bが掛け渡されているの
で、回転カップ12とスピンチャック10は同一回転す
る。なお、固定カラー24と回転内筒26a及び回転外
筒26bとの対向面にはラビリンスシール部33が形成
されて回転処理時に下部の駆動系から回転カップ12内
にごみが進入するのを防止している(図4参照)。な
お、上記従動プーリ28aと28bの直径を異ならせ、
異なる回転数で回転させるようにしてもよい。
The rotary cup 12 has the fixed collar 2
4 is attached to the outer peripheral surface of the rotary cup 4 via a bearing 25b and a connecting cylinder 31 fixed to the upper end of the rotating outer cylinder 26b, and between the bottom 12b of the rotary cup 12 and the lower surface of the spin chuck 10. A bearing 32 having a sealing function is interposed therebetween to be rotatable relative to the spin chuck 10. The drive from the drive motor 21 is transmitted to the rotary cup 12 by the driven pulley 28b attached to the rotary outer cylinder 26b and the belt 29b that is stretched around the drive pulley 21b attached to the drive motor 21. Is rotated. In this case, the diameter of the driven pulley 28b is formed to be the same as the diameter of the driven pulley 28a mounted on the rotating shaft 22, and the belts 29a and 29b are stretched over the same drive motor 21. The spin chuck 10 rotates the same. A labyrinth seal portion 33 is formed on the facing surface of the fixed collar 24 and the rotating inner cylinder 26a and the rotating outer cylinder 26b to prevent dust from entering the rotary cup 12 from the lower drive system during rotation processing. (See FIG. 4). The driven pulleys 28a and 28b have different diameters,
You may make it rotate at a different rotation speed.

【0026】また、回転カップ12は、側壁12cが上
側に向って縮径されたテーパ面12eを形成してなり、
この側壁12cの上端から内方側に向って内向きフラン
ジ12dが形成されている。そして、回転カップ12の
上部周辺部すなわち内向きフランジ12dには周方向に
適宜間隔をおいて給気孔34が穿設され、下部周辺部す
なわち側壁12cの下部側の周方向の適宜位置には排気
孔35が穿設されている。このように給気孔34と排気
孔35を設けることにより、回転カップ12が回転する
際に、給気孔34から処理室20内に流れる空気が排気
孔35から外部に流れるので、回転カップ12の回転時
に処理室20内が必要以上に負圧になるのを防止するこ
とができ、また、処理後に回転カップ12から蓋体16
を開放する際に大きな力を要することなく,蓋体16を
容易に開放することができる。
The side wall 12c of the rotary cup 12 has a tapered surface 12e whose diameter is reduced upward,
An inward flange 12d is formed from the upper end of the side wall 12c toward the inner side. Further, air supply holes 34 are formed in the upper peripheral portion of the rotary cup 12, that is, the inward flange 12d at appropriate intervals in the circumferential direction, and exhaust gas is provided at an appropriate circumferential position on the lower peripheral portion, that is, the lower side of the sidewall 12c. A hole 35 is provided. By providing the air supply hole 34 and the exhaust hole 35 in this manner, when the rotary cup 12 rotates, the air flowing from the air supply hole 34 into the processing chamber 20 flows from the exhaust hole 35 to the outside, so that the rotary cup 12 rotates. At times, it is possible to prevent the pressure inside the processing chamber 20 from becoming unnecessarily negative, and after the processing, the rotation cup 12 to the lid 16 can be prevented.
The lid 16 can be easily opened without requiring a large force when opening the lid.

【0027】なお、この実施例では給気孔34を回転カ
ップ12の周辺部に設けた場合について説明したが、給
気孔34を回転カップ12の中心部すなわち蓋体16の
中心部に設けてもよい。例えば、図2に示すように、膨
隆頭部18の下端部の周囲に、開口面積の総和が給気孔
34の総和に等しくなるように、給気孔34Aを複数個
設ける。また、蓋体16と基板Gとの中間位置に、中心
部分で蓋体16に取着された基板G以上の大きさの板状
体34Bを配置する。そして、給気孔34Aから流入し
た空気が板状体34Bの上方を外周方向に向って流れ、
基板Gの周辺を通って排気孔35から排気されるように
構成してもよい。
Although the air supply hole 34 is provided in the peripheral portion of the rotary cup 12 in this embodiment, the air supply hole 34 may be provided in the central portion of the rotary cup 12, that is, the central portion of the lid 16. . For example, as shown in FIG. 2, a plurality of air supply holes 34A are provided around the lower end of the bulging head 18 so that the sum of the opening areas is equal to the sum of the air supply holes 34. In addition, a plate-shaped body 34B having a size larger than that of the substrate G attached to the lid 16 at the central portion is arranged at an intermediate position between the lid 16 and the substrate G. Then, the air flowing in from the air supply hole 34A flows toward the outer peripheral direction above the plate-shaped body 34B,
The gas may be exhausted from the exhaust hole 35 through the periphery of the substrate G.

【0028】一方、上記ドレンカップ14内部には環状
通路14aが設けられており、この環状通路14aの外
周壁の適宜箇所(例えば周方向の4箇所)には図示しな
い排気装置に接続する排気口36が設けられると共に、
ドレンカップ14の内周側上方部に排気口36と連通す
る放射状の排気通路37が形成されている(図2及び図
3参照)。このようにドレンカップ14の外周部に排気
口36を設けると共に、ドレンカップ14の内周側上方
部に排気口36と連通する排気通路37を形成すること
により、回転処理時に処理室20内で遠心力により飛散
し排気孔35を通ってドレンカップ14内に流れ込んだ
ミストが回転カップ12の上部側へ舞い上がるのを防止
して、排気口36から外部に排出することができる。
On the other hand, an annular passage 14a is provided inside the drain cup 14, and an exhaust port connected to an exhaust device (not shown) is provided at appropriate places (for example, four places in the circumferential direction) on the outer peripheral wall of the annular passage 14a. 36 is provided,
A radial exhaust passage 37 communicating with the exhaust port 36 is formed in the upper portion on the inner peripheral side of the drain cup 14 (see FIGS. 2 and 3). In this way, by providing the exhaust port 36 on the outer peripheral portion of the drain cup 14 and forming the exhaust passage 37 communicating with the exhaust port 36 on the upper inner peripheral side of the drain cup 14, the inside of the processing chamber 20 during rotation processing is formed. The mist scattered by the centrifugal force and flowing into the drain cup 14 through the exhaust hole 35 can be prevented from flying up to the upper side of the rotary cup 12, and can be discharged to the outside from the exhaust port 36.

【0029】上記環状通路14aは、ドレンカップ14
の底部から起立する外側壁14bとドレンカップ14の
天井部から垂下する内側壁14cとで迂回状に区画され
て、排気が均一に行えるようになっており、外側壁14
bと内側壁14cとの間に位置する底部14dには周方
向に適宜間隔をおいてドレン孔14eが設けられてい
る。このドレン孔14eを有するドレン管14fは、図
3に示すように、ドレンカップ14を支持する支柱38
に取付けられたブラケット38aに装着されるジョイン
ト38bに対して挿脱可能に係合されて排液管14gと
連結されており、ドレンカップ14の清掃、補修時に、
ドレンカップ14が簡単にジョイント38b部分から取
外せるようになっている。
The annular passage 14a is formed in the drain cup 14
The outer wall 14b standing up from the bottom of the drain cup 14 and the inner wall 14c hanging from the ceiling of the drain cup 14 are detoured so that exhaust can be performed uniformly.
Drain holes 14e are provided in the bottom portion 14d located between b and the inner wall 14c at appropriate intervals in the circumferential direction. As shown in FIG. 3, the drain pipe 14f having the drain hole 14e is provided with a column 38 for supporting the drain cup 14.
Is attached to a joint 38b attached to a bracket 38a attached to the drain cup 14 so as to be removably engaged with the drain pipe 14g, and at the time of cleaning and repairing the drain cup 14,
The drain cup 14 can be easily removed from the joint 38b.

【0030】また、ドレンカップ14の内周面には、上
記回転カップ12のテーパ面12eに近接すべく上側に
向って縮径されたテーパ面14hが形成されて、回転カ
ップ12のテーパ面12eとドレンカップ14のテーパ
面14hとの間に微小間隙Sが形成されている。このよ
うに下方に向って拡開するテーパ状の微小間隙Sを形成
することによって、回転カップ12の回転時に回転カッ
プ12とドレンカップ14との間の上記微小間隙Sの上
下の間で生じる周速差から圧力差が誘発され、この圧力
差が回転カップ12の外周部の微小間隙Sの上側から下
側に向う気流を助長させてドレンカップ14内の排気ミ
ストが上記微小間隙Sを通って回転カップ12外へ飛散
するのを防止することができる。
Further, the drain cup 14 has an inner peripheral surface formed with a tapered surface 14h having a diameter reduced upward so as to be close to the tapered surface 12e of the rotary cup 12, and the tapered surface 12e of the rotary cup 12 is formed. A minute gap S is formed between and the tapered surface 14h of the drain cup 14. By forming the taper-shaped minute gap S that expands downwards in this way, the circumference generated between above and below the minute gap S between the rotary cup 12 and the drain cup 14 when the rotary cup 12 rotates. A pressure difference is induced from the speed difference, and this pressure difference promotes an air flow from the upper side to the lower side of the minute gap S on the outer peripheral portion of the rotary cup 12, so that the exhaust mist in the drain cup 14 passes through the minute gap S. It is possible to prevent scattering to the outside of the rotating cup 12.

【0031】また、微小間隙Sを通って上方に向い回転
カップ12外へ飛散しおうとするミストがあっても、排
気通路37により吸引されてドレンカップ14内に向い
排気口36から排出される。
Further, even if there is a mist that is directed upward through the minute gap S and is scattered outside the rotary cup 12, it is sucked by the exhaust passage 37 and discharged into the drain cup 14 from the exhaust port 36.

【0032】上記蓋体16は回転処理時には回転カップ
12の開口部12aに固定されて一体に回転される必要
があるので、例えば回転カップ12の上部に突出する固
定ピン(図示せず)と、この固定ピンに嵌合する嵌合凹
所(図示せず)とを互いに嵌合させて蓋体16を回転カ
ップ12に固定することができる。
Since the lid 16 needs to be fixed to the opening 12a of the rotary cup 12 and integrally rotated during the rotation process, for example, a fixing pin (not shown) protruding above the rotary cup 12, The lid body 16 can be fixed to the rotary cup 12 by fitting a fitting recess (not shown) fitted to the fixing pin to each other.

【0033】上記蓋体16を開閉する場合には、図2に
想像線で示すように、蓋体16の上面に突設された膨隆
頭部18の下にロボットアーム40を挿入し、膨隆頭部
18に設けられた係止溝18aにロボットアーム40か
ら突出する係止ピン41を係合させた後、ロボットアー
ム40を上下動させることによって行うことができる。
なお、蓋体16を開放するときの膨隆頭部18の係止溝
18aとロボットアーム40の係止ピン41との位置合
せ、及び蓋体16を閉じるときの固定ピンと嵌合凹所の
位置合せは、サーボモータ等にて形成される駆動モータ
21の回転角を制御することによって行うことができ
る。
When the lid 16 is opened and closed, as shown in phantom in FIG. 2, the robot arm 40 is inserted under the bulging head 18 projecting from the upper surface of the lid 16, and the bulging head is bulged. This can be performed by engaging the locking pin 41 protruding from the robot arm 40 with the locking groove 18a provided in the portion 18 and then moving the robot arm 40 up and down.
The locking groove 18a of the bulge head 18 and the locking pin 41 of the robot arm 40 are aligned when the lid 16 is opened, and the fixing pin and the fitting recess are aligned when the lid 16 is closed. Can be performed by controlling the rotation angle of the drive motor 21 formed by a servo motor or the like.

【0034】上記のように構成される処理室20内に搬
入される基板Gの表面にレジスト液を塗布する場合、排
気孔35を設けないと、基板Gから振り切られたレジス
ト液が処理室20内の周辺部に滞留し、処理室20内の
周辺部のレジスト雰囲気が濃厚となり、乾燥が鈍くな
り、レジストの膜厚が不均一になる虞れがある。また、
回転カップ12の回転速度や処理室20内と基板Gとの
隙間、回転カップ12とドレンカップ14との間隙等の
寸法によって塗布膜の膜厚が影響を受けるので、この点
を考慮する必要がある。そのため、この実施例では、回
転カップの回転速度を500〜2000rpmとし、回
転カップ12の周囲に設けられる排気孔35を直径4m
mのものを周方向に24個設けて乾燥及びカップ内雰囲
気の置換の促進を図り、また、回転カップ12の空間の
深さすなわち処理室20の高さHを10〜50mm、回
転カップ12の底面と基板Gとの間隔Aを2〜10m
m、回転カップ12の内周面と基板Gの周辺との間隔B
を30〜50mm、回転カップ12とドレンカップ14
との間隙Sを1〜10mmとしている。
When the resist solution is applied to the surface of the substrate G carried into the processing chamber 20 configured as described above, the resist solution shaken off from the substrate G will be removed unless the exhaust hole 35 is provided. There is a possibility that the film may stay in the peripheral portion inside, the resist atmosphere in the peripheral portion inside the processing chamber 20 may become thick, the drying may become slow, and the resist film thickness may become uneven. Also,
The thickness of the coating film is influenced by the rotation speed of the rotating cup 12, the gap between the processing chamber 20 and the substrate G, the gap between the rotating cup 12 and the drain cup 14, and the like. is there. Therefore, in this embodiment, the rotation speed of the rotary cup is 500 to 2000 rpm, and the diameter of the exhaust hole 35 provided around the rotary cup 12 is 4 m.
In order to promote the drying and the replacement of the atmosphere in the cup by providing 24 pieces of m in the circumferential direction, the depth of the space of the rotary cup 12, that is, the height H of the processing chamber 20 is 10 to 50 mm, and the height of the rotary cup 12 is 10 mm. The distance A between the bottom surface and the substrate G is 2 to 10 m.
m, the distance B between the inner peripheral surface of the rotating cup 12 and the periphery of the substrate G
30 to 50 mm, rotating cup 12 and drain cup 14
The gap S between and is 1 to 10 mm.

【0035】なお、回転カップ12の下部側の回転せず
固定された連結筒31内にカップ洗浄ノズル42を配設
することにより、回転カップ12及び蓋体16の内面を
洗浄することができる。すなわち、回転軸22に取付け
られたブラケット43にてカップ洗浄ノズル42を保持
し、カップ洗浄ノズル42に接続する洗浄液供給管44
を固定カラー24内に設けた通路(図示せず)を介して
外部の図示しない洗浄液供給源に接続することによっ
て、図4に想像線で示すように、スピンチャック10を
上昇させてスピンチャック10と回転カップ12の底部
との間からカップ洗浄ノズル42を臨ませて洗浄液を回
転する回転カップ12及び蓋体16の内面に噴射するこ
とができる。
By disposing the cup cleaning nozzle 42 in the connecting cylinder 31 which is fixed on the lower side of the rotating cup 12 and does not rotate, the inner surfaces of the rotating cup 12 and the lid 16 can be cleaned. That is, the cleaning liquid supply pipe 44 that holds the cup cleaning nozzle 42 by the bracket 43 attached to the rotary shaft 22 and is connected to the cup cleaning nozzle 42
Is connected to an external cleaning liquid supply source (not shown) through a passage (not shown) provided in the fixed collar 24, so that the spin chuck 10 is lifted and lifted as shown by an imaginary line in FIG. The cleaning liquid can be sprayed onto the inner surfaces of the rotating cup 12 and the lid 16 which are rotated by facing the cup cleaning nozzle 42 from between the bottom and the bottom of the rotating cup 12.

【0036】上記縁部除去機構2は、図1及び図5示す
ように、図示しない真空装置によって基板Gを吸着保持
すると共に水平方向に90度以上回転可能な保持手段で
ある載置台50と、この載置台50によって保持される
基板Gの対向する2辺の縁部の上下面にレジストの除去
液例えばレジストの溶剤を噴射する一対のノズル51と
で主要部が構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 5, the edge removing mechanism 2 holds the substrate G by a vacuum device (not shown) and holds it by a mounting table 50 which is a holding means that can rotate 90 degrees or more in the horizontal direction. A pair of nozzles 51 for injecting a resist removing liquid, for example, a resist solvent, form a main portion on the upper and lower surfaces of the edge portions of the two opposite sides of the substrate G held by the mounting table 50.

【0037】上記載置台50は、図示しないモータ等の
回転機構と昇降シリンダやボールネジ等の昇降機構を具
備する駆動装置52によって水平方向に90度以上回転
すると共に、昇降可能に構成されている。このように構
成される載置台50は、昇降によって基板Gの受渡し位
置及び塗布膜の除去処理位置と、待機位置とに切換えら
れ、水平方向に90度回転することによって基板Gの2
組の対向する2辺を除去ノズル51側に切換え移動する
ことができる。
The table 50 is horizontally rotated by 90 degrees or more by a driving device 52 having a rotating mechanism such as a motor and an elevating mechanism such as an elevating cylinder and a ball screw (not shown), and is movable up and down. The mounting table 50 configured in this way is switched between a delivery position of the substrate G and a coating film removal processing position by raising and lowering, and a standby position.
Two opposing sides of the set can be switched and moved to the removal nozzle 51 side.

【0038】上記除去ノズル51は、図6及び図7に示
すように、基板Gの縁部の上下両面を覆う断面略コ字状
の噴頭53の上部水平片53aと下部水平片53bにそ
れぞれ設けられた表面のレジスト除去用の溶剤供給路5
3cと裏面のレジスト除去用の溶剤供給路53dに接続
する針状の表面洗浄用のノズル51aと裏面洗浄用のノ
ズル51bにて形成されている。この場合、ノズル51
aは噴口を下方に向けて垂下され、ノズル51bは噴口
を上部に向けて垂設され、そして、ノズル51aの噴口
とノズル51bの噴口は噴射された除去液が各ノズルの
近傍で互いに干渉しない位置にずらして配設されてい
る。このようにノズル51aの噴口とノズル51bの噴
口をずらして設ける理由は、ノズル51a,51bから
噴射される溶剤がノズル近傍で衝突すると、この衝突に
よって飛散される溶剤が基板Gの表面部のレジスト膜に
付着してレジスト膜の膜厚を不均一にするなどの悪影響
を及ぼすのを防止するためである。
As shown in FIGS. 6 and 7, the removing nozzles 51 are provided on the upper horizontal piece 53a and the lower horizontal piece 53b of the nozzle head 53 having a substantially U-shaped cross section, which covers the upper and lower surfaces of the edge of the substrate G, respectively. Solvent supply path 5 for removing the resist on the exposed surface
3c and a needle-shaped front surface cleaning nozzle 51a and a back surface cleaning nozzle 51b connected to the back surface resist removing solvent supply path 53d. In this case, the nozzle 51
The nozzle a is hung downward, the nozzle 51b is hung downward, and the nozzles of the nozzle 51a and the nozzle of the nozzle 51b do not interfere with each other in the ejected removing liquid in the vicinity of each nozzle. It is arranged so as to be shifted in position. The reason why the nozzles of the nozzle 51a and the nozzles of the nozzle 51b are displaced from each other in this way is that when the solvent ejected from the nozzles 51a and 51b collides in the vicinity of the nozzle, the solvent scattered by the collision causes the solvent to be scattered on the surface portion of the substrate G. This is to prevent adverse effects such as adhesion to the film and non-uniformity of the film thickness of the resist film.

【0039】なお、除去ノズル51の噴頭53内部のノ
ズル側の垂直部53eには排気口53fが設けられ、こ
の排気口53fに図示しない排気装置に接続する排気管
54が接続されており、除去ノズル51から噴射されて
レジスト膜の除去に供された溶剤が排気管54を介して
外部に排出されるようになっている。
An exhaust port 53f is provided in a vertical portion 53e on the nozzle side inside the nozzle head 53 of the removal nozzle 51, and an exhaust pipe 54 connected to an exhaust device (not shown) is connected to the exhaust port 53f. The solvent sprayed from the nozzle 51 and used for removing the resist film is discharged to the outside through the exhaust pipe 54.

【0040】上記実施例では、ノズル51aを直状に垂
下した場合について説明したが、必ずしもこのような形
状とする必要はなく、図6に想像線で示すように、ノズ
ル51aの噴口を基板Gの内方から外方側に向けて傾斜
状に折曲してもよい。このように折曲させることによ
り、ノズル51aから噴射された除去液は基板Gの周辺
方向に向うので、中心側のレジスト膜に付着するのを防
止することもできる。また、同様にノズル51bの噴口
を基板Gの内方から外方側に向けて傾斜状に折曲しても
よい。
In the above embodiment, the case where the nozzle 51a is drooped straight has been described, but it is not always necessary to have such a shape, and as shown by the imaginary line in FIG. It may be bent in a slanted manner from the inner side to the outer side. By bending in this manner, the removing liquid ejected from the nozzle 51a is directed to the peripheral direction of the substrate G, and therefore it is possible to prevent the removing liquid from adhering to the resist film on the center side. Further, similarly, the injection port of the nozzle 51b may be bent in an inclined manner from the inside of the substrate G toward the outside thereof.

【0041】また、上記のように構成される一対の除去
ノズル51は、位置調整機構55によって基板Gの対向
する第1の辺例えば長辺側及び第2の辺例えば短辺側の
2辺に位置調整可能に配置され、上下移動機構56によ
って基板Gの縁部のレジスト膜除去位置と待機位置とに
上下移動されると共に、左右移動機構57によって基板
Gの縁部に沿って移動し得るように構成されている。こ
の場合、除去ノズル51を移動方向に複数対適宜間隔を
開けて設けることも可能であり、更に除去性能の向上を
図ることができる。
The pair of removal nozzles 51 having the above-described structure are arranged on the first side, for example, the long side and the second side, for example, the short side, of the substrate G facing each other by the position adjusting mechanism 55. It is arranged so that its position can be adjusted, and vertically moved to the resist film removal position and the standby position at the edge of the substrate G by the vertical movement mechanism 56, and can be moved along the edge of the substrate G by the horizontal movement mechanism 57. Is configured. In this case, it is possible to provide a plurality of pairs of the removal nozzles 51 at appropriate intervals in the moving direction, and it is possible to further improve the removal performance.

【0042】この場合、上記位置調整機構55は、対向
する一方の除去ノズル51の噴頭に取付部材58aを介
して連結するシリンダ体59aと、このシリンダ体59
aに摺動自在に装着され、他方の除去ノズル51の噴頭
53に取付部材58bを介して連結される伸縮ロッド5
9bとからなるエアーシリンダ59と、このエアーシリ
ンダ59の伸縮ロッド59bが伸長した際に両取付部材
58a,58bが衝突して除去ノズル51の基板G長辺
側の除去位置を位置決めする外側ストッパ60aと、エ
アーシリンダ59の伸縮ロッド59bが収縮した際に両
取付部材58a,58bが衝突して除去ノズル51の基
板G短辺側の除去位置を位置決めする内側ストッパ60
bとで構成されている。なお、両除去ノズル51はエア
ーシリンダ59のシリンダ体59aを取付ける支持部材
61によって支持されている。
In this case, the position adjusting mechanism 55 has a cylinder body 59a connected to the nozzle head of one of the opposing removal nozzles 51 through a mounting member 58a, and this cylinder body 59a.
Telescopic rod 5 slidably mounted on a and connected to the nozzle head 53 of the other removal nozzle 51 via a mounting member 58b.
When the telescopic rod 59b of the air cylinder 59 extends, the mounting members 58a and 58b collide with each other and the outer stopper 60a that positions the removal position of the removal nozzle 51 on the long side of the substrate G side. When the telescopic rod 59b of the air cylinder 59 contracts, the two mounting members 58a and 58b collide with each other to position the removal position of the removal nozzle 51 on the short side of the substrate G on the inside stopper 60.
and b. Both removing nozzles 51 are supported by a supporting member 61 to which a cylinder body 59a of an air cylinder 59 is attached.

【0043】また、上下移動機構56は、支持部材61
の一端の下面側に取付けられ、後述する水平方向(Y方
向)に移動可能な走行板62に設けられた昇降用ガイド
レール63に沿って昇降可能な昇降部材64と、この昇
降部材64に取付けられるシリンダ体65aと、このシ
リンダ体65aに摺動可能に装着され、走行板62に取
付けられる伸縮ロッド65bとで構成されている。ま
た、ベース板66から起立された起立壁67の側面に水
平に配設された互いに平行な上下2本の走行用ガイドレ
ール68に上記走行板62を走行可能に取付け、起立壁
67に装着されたプーリ69と図示しない駆動モータの
駆動軸に装着される駆動プーリ(図示せず)に掛け渡さ
れるタイミングベルト69aを走行板62に締結して上
記左右移動機構57が構成されている。
Further, the vertical movement mechanism 56 includes a support member 61.
And an elevating member 64 that is attached to the lower surface of one end of the elevating member and that can elevate and lower along an elevating guide rail 63 provided on a traveling plate 62 that can be moved in the horizontal direction (Y direction) described later. And a telescopic rod 65b slidably mounted on the cylinder body 65a and attached to the traveling plate 62. Further, the traveling plate 62 is movably mounted on the standing wall 67, which is horizontally arranged on the side surface of the standing wall 67 standing upright from the base plate 66, and is mounted on the standing wall 67. The left and right moving mechanism 57 is configured by fastening a timing belt 69a, which is wound around a pulley 69 and a drive pulley (not shown) mounted on the drive shaft of a drive motor (not shown), to the traveling plate 62.

【0044】また、載置台50の下部には、基板Gの角
部裏面に付着するレジスト膜を除去するための補助洗浄
ノズル51Aが配設されている(図5参照)。この補助
洗浄ノズル51Aは、図8に示すように、載置台50の
対角線位置に1個ずつ支持部材4aによって噴射方向が
調節可能に取付けられており、この補助洗浄ノズル51
Aと溶剤としてのシンナーTを収容するタンク4bが溶
剤供給チューブ4cを介して接続されている。なお、補
助洗浄ノズル51Aから基板Gの角部裏面に付着したレ
ジスト膜を除去するには、例えば窒素(N2)ガス供給
源4dからタンク4b内に圧送用ガスを供給すると共
に、溶剤供給チューブ4cに介設されたバルブ4eを開
放して、補助洗浄ノズル51AからシンナーTを基板G
の角部裏面に向って噴射する。なおこの場合、図8に想
像線で示すように、溶剤供給チューブ4cに三方切換バ
ルブ4fを介してタンク4bとN2ガス供給源4dとを
接続することにより、補助洗浄ノズル51Aから溶剤を
噴射して基板Gの角部裏面に付着するレジスト膜を除去
した後、三方切換バルブ4fを切り換えて補助洗浄ノズ
ル51AからN2ガスを噴射(供給)して角部裏面の乾
燥を促進させることができる。
An auxiliary cleaning nozzle 51A for removing the resist film adhering to the back surface of the corner of the substrate G is arranged below the mounting table 50 (see FIG. 5). As shown in FIG. 8, the auxiliary cleaning nozzles 51A are attached one by one at diagonal positions of the mounting table 50 by the supporting member 4a so that the ejection direction can be adjusted.
A tank 4b containing A and a thinner T as a solvent is connected via a solvent supply tube 4c. In addition, in order to remove the resist film attached to the back surface of the corner of the substrate G from the auxiliary cleaning nozzle 51A, for example, a nitrogen (N 2 ) gas supply source 4d supplies a pressure-feeding gas into the tank 4b and a solvent supply tube. The valve 4e provided on the substrate 4c is opened, and the thinner T is transferred from the auxiliary cleaning nozzle 51A to the substrate G.
Spray toward the back of the corner. In this case, as shown by an imaginary line in FIG. 8, the solvent is sprayed from the auxiliary cleaning nozzle 51A by connecting the tank 4b and the N 2 gas supply source 4d to the solvent supply tube 4c through the three-way switching valve 4f. After removing the resist film adhering to the back surface of the corner of the substrate G, the three-way switching valve 4f is switched to inject (supply) N 2 gas from the auxiliary cleaning nozzle 51A to accelerate the drying of the back surface of the corner. it can.

【0045】この場合、基板Gが矩形状(例えば長方
形)のときは、図9(a)に示すように、スピンチャッ
ク10の回転によって基板Gの表面に塗布されたレジス
ト液を振り切る際、遠心力によって基板Gの長辺側に付
着したレジスト液は外方に飛散されるが、基板Gの短辺
側に付着したレジスト液は基板Gの辺部から外方に飛散
された後、隣接する角部に衝突して、基板Gの対角位置
の角部裏面に再付着する。この付着量は基板Gの回転速
度が速い程、また基板Gの寸法が大きい程、短辺と長辺
の比率が大きい程、また、塗布されたレジスト液の量が
多い程多くなる。したがって、レジスト液が付着する基
板Gの対角位置の角部に対応する載置台50の対角位置
の下部側に補助洗浄ノズル51Aを配設しておけば、補
助洗浄ノズル51Aから噴射されるシンナーによって基
板Gの角部裏面に付着したレジスト膜を容易に除去する
ことができる。
In this case, when the substrate G has a rectangular shape (for example, a rectangular shape), as shown in FIG. 9A, when the resist solution coated on the surface of the substrate G is spun off by the rotation of the spin chuck 10, a centrifugal force is applied. The resist solution adhered to the long side of the substrate G is scattered to the outside by the force, but the resist solution adhered to the short side of the substrate G is scattered to the outside from the side portion of the substrate G and is then adjacent. It collides with the corner portion and reattaches to the back surface of the diagonal corner portion of the substrate G. This adhesion amount increases as the rotation speed of the substrate G increases, the dimension of the substrate G increases, the ratio of the short side to the long side increases, and the amount of the applied resist solution increases. Therefore, if the auxiliary cleaning nozzle 51A is arranged on the lower side of the diagonal position of the mounting table 50 corresponding to the corner of the diagonal position of the substrate G to which the resist liquid adheres, the auxiliary cleaning nozzle 51A sprays. The thinner allows the resist film attached to the back surface of the corner of the substrate G to be easily removed.

【0046】なお、基板Gの形状が正方形の場合には、
長方形の場合と比較して、もともと再付着量は減少する
が、図9(b)に示すように、スピンチャック10の回
転によって基板Gの表面に塗布されたレジスト液を振り
切る際、基板Gの各辺部から飛散されるレジスト液が隣
接する各角部裏面に再付着するので、載置台50の各角
部下部側にそれぞれ補助洗浄ノズル51Aを合計4個配
設しておけばよい。
When the substrate G has a square shape,
Although the redeposition amount is originally reduced as compared with the case of a rectangle, as shown in FIG. 9B, when the resist solution applied to the surface of the substrate G is shaken off by the rotation of the spin chuck 10, Since the resist solution scattered from each side reattaches to the back surface of each adjacent corner, it is sufficient to dispose a total of four auxiliary cleaning nozzles 51A on the lower side of each corner of the mounting table 50.

【0047】上記補助洗浄ノズル51Aを設ける代わり
に、上述した除去ノズル51を改良した構造のものを用
いることもできる。すなわち、図10(a)に示すよう
に、除去ノズル51の噴頭53の下部水平辺53aを外
方に延長させ、そして、裏面洗浄ノズル51bの外側に
適宜間隔をおいて針状の第1ないし第4の補助洗浄ノズ
ル51c,51d,51e,51fを起立状に延在させ
て、除去ノズル51が基板Gの角部に位置したときに、
表面洗浄ノズル51a及び裏面洗浄ノズル51bと第1
ないし第4の補助洗浄ノズル51c〜51fから溶剤例
えばシンナーを噴射して基板Gの角部の表裏面に付着し
たレジスト膜を除去する。除去ノズル51が基板Gの各
辺の中央部を移動するときは、第1ないし第4の補助ノ
ズル51c〜51fからのシンナーの噴射を停止して、
ノズル51aと51bからのみシンナーを噴射して基板
Gの縁部両面に付着するレジスト膜を除去する。
Instead of providing the auxiliary cleaning nozzle 51A, it is possible to use a structure in which the above-mentioned removal nozzle 51 is improved. That is, as shown in FIG. 10A, the lower horizontal side 53a of the jet nozzle 53 of the removal nozzle 51 is extended outward, and the needle-shaped first or second needle-shaped first to third portions are provided outside the back surface cleaning nozzle 51b at appropriate intervals. When the fourth auxiliary cleaning nozzles 51c, 51d, 51e, and 51f are extended upright and the removal nozzle 51 is located at the corner of the substrate G,
The front surface cleaning nozzle 51a, the back surface cleaning nozzle 51b, and the first
Or, a solvent such as thinner is sprayed from the fourth auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f to remove the resist film attached to the front and back surfaces of the corners of the substrate G. When the removal nozzle 51 moves in the center of each side of the substrate G, the thinner injection from the first to fourth auxiliary nozzles 51c to 51f is stopped,
A thinner is sprayed only from the nozzles 51a and 51b to remove the resist film adhering to both sides of the edge of the substrate G.

【0048】なお、裏面洗浄ノズル51bの溶剤供給路
53bとは別に補助洗浄ノズル51c〜51fの溶剤供
給路53cが設けられている。また、溶剤供給路53c
の各補助洗浄ノズル間にそれぞれバルブ(図示せず)を
介設して、補助洗浄ノズル51c〜51fを順次開放あ
るいは閉鎖させて補助洗浄ノズル51c〜51fから噴
射される溶剤を徐々に増加あるいは減少させることもで
きる。
In addition to the solvent supply passage 53b of the back surface cleaning nozzle 51b, a solvent supply passage 53c of auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f is provided. Also, the solvent supply path 53c
A valve (not shown) is provided between the auxiliary cleaning nozzles to sequentially open or close the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f to gradually increase or decrease the solvent sprayed from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f. You can also let it.

【0049】上記のように構成される補助洗浄ノズル5
1c〜51fは裏面洗浄ノズル51bの外方側(基板G
側)に配設されていれば、その配設位置は任意でよい
が、補助洗浄ノズル51c〜51fから噴射された溶剤
が噴水状に噴射されて周囲に飛散する虞れがあるので、
図11に示すように、上記噴頭53を、表面洗浄ノズル
51aと裏面洗浄ノズル51bを配設した断面略コ字状
の噴頭本体53Aと、この噴頭本体53Aの側面に連な
りかつ噴頭本体53Aより外方側へ突出する断面略コ字
状の補助噴頭53Bとで構成し、補助噴頭53Bの下部
水平片53gに補助洗浄ノズル51c〜51fを配設し
て、補助洗浄ノズル51c〜51fから噴射された溶剤
を補助噴頭53Bの上部水平片53hで受け止めるよう
にする方が好ましい。なお、補助噴頭53Bの上部及び
下部水平片53g,53hの対向面を断面円弧状面とす
ることにより、噴射された溶剤の周囲の飛散を更に確実
に防止することができる。
Auxiliary cleaning nozzle 5 constructed as described above
1c to 51f are on the outer side of the back surface cleaning nozzle 51b (substrate G).
However, since the solvent sprayed from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f may be sprayed in the form of a fountain and scattered around,
As shown in FIG. 11, the blast head 53 is connected to the side surface of the blast head body 53A having a front surface cleaning nozzle 51a and the back surface cleaning nozzle 51b and having a substantially U-shaped cross section, and is outside the blast head body 53A. The auxiliary jet nozzle 53B having a substantially U-shaped cross section protruding toward one side is provided. The auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f are provided on the lower horizontal piece 53g of the auxiliary jet nozzle 53B, and sprayed from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f. It is preferable that the upper horizontal piece 53h of the auxiliary jet 53B receives the solvent. The upper surface of the auxiliary jet head 53B and the lower horizontal pieces 53g and 53h facing each other have arcuate cross-sectional surfaces, so that the sprayed solvent can be more reliably prevented from splashing around.

【0050】一方、上記搬送機構3は、図12に示すよ
うに、基板Gの対向する2辺の周辺部下面を係止する一
対の搬送アーム70を具備し、これら搬送アーム70
は、リニアガイド71によってガイドされ、タンミング
ベルト72、プーリ73、シャフト74によって伝達さ
れるアーム駆動モータ75の駆動力によって図示矢印X
方向に移動可能に構成されている。この場合、搬送アー
ム70とタイミングベルト72とは、締結部材76によ
って締結されている。また、アーム駆動モータ75は、
中央演算処理装置(CPU)等にて形成された制御装置
77によって制御され、所望により搬送方向に往復運動
を繰り返して、所定時間基板Gの塗布処理、塗布膜除去
処理を実施することができるように構成されている。
On the other hand, as shown in FIG. 12, the transfer mechanism 3 is provided with a pair of transfer arms 70 for locking the lower surfaces of the peripheral portions of the two opposite sides of the substrate G.
Is guided by the linear guide 71 and is driven by the arm driving motor 75 transmitted by the tamming belt 72, the pulley 73, and the shaft 74 to show an arrow X.
It is configured to be movable in any direction. In this case, the transport arm 70 and the timing belt 72 are fastened by the fastening member 76. Further, the arm drive motor 75 is
It is controlled by a control device 77 formed of a central processing unit (CPU) or the like, and if desired, the reciprocating motion is repeated in the carrying direction so that the substrate G coating process and coating film removal process can be performed for a predetermined time. Is configured.

【0051】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置を用いて基板G上へのレジスト塗布及び辺部の
不要なレジスト膜の除去手順について図13を参照して
説明する。
Next, a procedure for applying a resist on the substrate G and removing an unnecessary resist film on the side by using the processing apparatus of the present invention configured as described above will be described with reference to FIG.

【0052】まず、塗布機構1のスピンチャック10上
に搬送されてきた基板Gをスピンチャック10にて吸着
保持する。そして、基板Gの表面に塗布液供給ノズルか
らレジスト液を滴下した後、回転カップ12の蓋体16
を閉じてスピンチャック10と回転カップ12を同時に
回転して基板G表面にレジスト液を塗布する(図13
(a)参照)。次に、搬送機構3の搬送アーム70によ
って基板Gを縁部除去機構2の載置台50上に搬送し、
載置台50にて基板を吸着保持する(図13(b)参
照)。基板Gを搬送した搬送機構3の搬送アーム70は
待機位置へ後退した後、縁部除去機構2の除去ノズル5
1が基板Gの長辺側の両縁部にセットされ、長辺に沿っ
て移動しながら除去液例えばレジスト溶剤(例:シンナ
ー)を基板Gの縁部両面に噴射して基板Gの長辺の不要
なレジスト膜を端部から幅約5mm程度、溶解して除去
する(第1の除去工程;図13(c)参照)。この際、
塗布機構1に次の基板Gを搬入して塗布処理を行う。基
板Gの長辺の不要なレジスト膜を除去した後、載置台5
0を例えば時計回りに90度回転させて基板Gの短辺側
を除去ノズル51側に位置させる。なお、90度回転の
他に、270度,450度,…,また、反時計回りに、
回転させてもよい。このとき、位置調整機構55のエア
ーシリンダ59を伸長して除去ノズル51を基板Gの短
辺側にセットする(図13(d)参照)。そして、除去
ノズル51を基板Gの短辺に沿って移動しながら溶剤を
基板Gの短辺の縁部両面に噴射して基板Gの短辺の不要
なレジスト膜を除去して、基板Gのレジスト塗布及び短
辺の不要なレジスト膜の除去作業は完了する(第2の除
去工程;図13(e)参照)。この後、基板Gを搬出
し、次の工程へ搬送する。上記のように、レジスト膜を
塗布形成後、直ちに基板Gを搬送して周縁部レジストを
除去できる。
First, the substrate G conveyed onto the spin chuck 10 of the coating mechanism 1 is suction-held by the spin chuck 10. Then, after dropping the resist solution from the coating solution supply nozzle onto the surface of the substrate G, the lid 16 of the rotating cup 12
And the spin chuck 10 and the rotary cup 12 are simultaneously rotated to apply the resist solution to the surface of the substrate G (see FIG. 13).
(See (a)). Next, the substrate G is transferred onto the mounting table 50 of the edge removing mechanism 2 by the transfer arm 70 of the transfer mechanism 3,
The substrate is suction-held on the mounting table 50 (see FIG. 13B). The transfer arm 70 of the transfer mechanism 3 that has transferred the substrate G retracts to the standby position, and then the removal nozzle 5 of the edge removal mechanism 2
1 is set on both sides of the long side of the substrate G, and a removing solution such as a resist solvent (eg, thinner) is sprayed on both sides of the edge of the substrate G while moving along the long side, so that the long side of the substrate G. The unnecessary resist film is dissolved and removed in a width of about 5 mm from the end (first removing step; see FIG. 13C). On this occasion,
The next substrate G is carried into the coating mechanism 1 and the coating process is performed. After removing the unnecessary resist film on the long side of the substrate G, the mounting table 5
0 is rotated, for example, 90 degrees clockwise to position the short side of the substrate G on the removal nozzle 51 side. In addition to the 90 degree rotation, 270 degrees, 450 degrees, ... And counterclockwise,
You may rotate. At this time, the air cylinder 59 of the position adjusting mechanism 55 is extended to set the removal nozzle 51 on the short side of the substrate G (see FIG. 13D). Then, while moving the removal nozzle 51 along the short side of the substrate G, the solvent is sprayed on both edges of the short side of the substrate G to remove the unnecessary resist film on the short side of the substrate G. The resist application and the work of removing the unnecessary resist film on the short side are completed (second removing step; see FIG. 13E). After that, the substrate G is unloaded and carried to the next step. As described above, immediately after the resist film is applied and formed, the substrate G can be transported to remove the peripheral edge resist.

【0053】なお、第1又は第2の除去工程中、あるい
はこれらの除去工程の前後のいずれかの時点で、補助洗
浄ノズル51A;51c〜51fからシンナーを噴射さ
せることによって基板Gの角部裏面に付着したレジスト
膜を容易に除去することができる。例えば図10(b)
に示すように、基板Gの各部裏面に付着したレジスト液
R1,R2を除去する場合、次のように補助洗浄ノズル5
1c〜51fの噴射を制御する。
The corner back surface of the substrate G is sprayed with thinner from the auxiliary cleaning nozzles 51A; 51c to 51f during the first or second removing step or before or after these removing steps. The resist film attached to can be easily removed. For example, FIG. 10 (b)
When removing the resist liquids R1 and R2 attached to the back surface of each part of the substrate G as shown in FIG.
Control the injection of 1c to 51f.

【0054】左右の除去ノズル51を最初に矢印で示す
方向に移動させると仮定し、まず、右の除去ノズル51
について説明する。
Assuming that the left and right removing nozzles 51 are first moved in the direction indicated by the arrow, first, the right removing nozzle 51 is moved.
Will be described.

【0055】レジスト液R1が、短辺Gs側に距離LS1ま
で、長辺GL側に距離LL1までと三角形状の領域に付着
している場合、ノズルが短辺GSの縁付近に位置する時
には距離LS1まで十分洗浄可能なように表面洗浄ノズル
51a、裏面洗浄ノズル51bと共に補助洗浄ノズル5
1c〜51f全部から溶剤を噴射させる。
When the resist liquid R1 adheres to the triangular region such that the short side Gs side is up to the distance LS1 and the long side GL side is up to the distance LL1, the nozzle is located near the edge of the short side GS. Auxiliary cleaning nozzle 5 together with the front surface cleaning nozzle 51a and the back surface cleaning nozzle 51b so that it can sufficiently clean up to LS1.
The solvent is sprayed from all 1c to 51f.

【0056】そして、除去ノズル51が矢印方向に移動
するのに連れレジスト液R1の付着幅はLS1より狭くな
るので、順次、補助洗浄ノズル51f,51e,51d
の溶剤噴射を停止させる。ノズルが長辺GLに沿って距
離LL1付近まで移動すると、レジスト液R1の裏面付着
はなくなるので、補助洗浄ノズル51cの溶剤噴射も停
止させ、この後、裏面側は裏面洗浄ノズル51bのみ溶
剤を噴射させた状態で、除去ノズル51は長辺GLに沿
って移動する。
As the removal nozzle 51 moves in the direction of the arrow, the width of the resist solution R1 adhered becomes smaller than LS1. Therefore, the auxiliary cleaning nozzles 51f, 51e, 51d are sequentially arranged.
Stop the solvent injection of. When the nozzle moves to the vicinity of the distance LL1 along the long side GL, the back surface of the auxiliary cleaning nozzle 51c is stopped because the resist solution R1 does not adhere to the back surface. After that, only the back surface cleaning nozzle 51b sprays the solvent on the back surface side. In this state, the removal nozzle 51 moves along the long side GL.

【0057】一方、左の除去ノズル51は、図10
(b)に示すように、移動し始めの時、角部裏面にはレ
ジスト液は付着していないので、表面洗浄ノズル51a
と裏面洗浄ノズル51bとから溶剤を噴射させ、補助洗
浄ノズル51c〜51fからの溶剤噴射は停止してお
く。
On the other hand, the removal nozzle 51 on the left side is shown in FIG.
As shown in (b), since the resist solution does not adhere to the back surface of the corner at the beginning of movement, the front surface cleaning nozzle 51a
Then, the solvent is sprayed from the back surface cleaning nozzle 51b and the solvent spray from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f is stopped.

【0058】除去ノズル51が更に移動して角部裏面に
付着したレジスト液R2に近づき、短辺GSより距離LL2
付近になると、補助洗浄ノズル51cからまず溶剤を噴
射させる。レジスト液R1同様、レジスト液R2も三角形
状の領域に付着している場合、順次、補助洗浄ノズル5
1d,51e,51fから溶剤を噴射させ距離LS2の部
分まで溶解除去する。
The removal nozzle 51 further moves to approach the resist liquid R2 attached to the back surface of the corner, and the distance LL2 from the short side GS.
When it is near, the solvent is first sprayed from the auxiliary cleaning nozzle 51c. Similar to the resist solution R1, when the resist solution R2 adheres to the triangular area, the auxiliary cleaning nozzle 5
The solvent is sprayed from 1d, 51e, and 51f to dissolve and remove the portion up to the distance LS2.

【0059】そして、左右の除去ノズル51により長辺
GL側のレジスト除去が終了すると、各ノズルからの溶
剤噴射を停止して、左右の除去ノズル51を基板Gの回
転に支障を与えないように退避させる。次に、基板Gを
左又は右廻りに90°回転させ、短辺GS側のレジスト
液除去に移る。この場合、角部裏面に付着したレジスト
液R1,R2は既に除去されているため、表面洗浄ノズル
51a及び裏面洗浄ノズル51bから溶剤を噴射させる
だけでよい。
When the removal of the resist on the long side GL is completed by the left and right removal nozzles 51, the solvent injection from each nozzle is stopped so that the left and right removal nozzles 51 do not interfere with the rotation of the substrate G. Evacuate. Next, the substrate G is rotated 90 ° counterclockwise or rightward, and the resist solution on the short side GS side is removed. In this case, since the resist solutions R1 and R2 attached to the back surface of the corner have already been removed, it is only necessary to spray the solvent from the front surface cleaning nozzle 51a and the back surface cleaning nozzle 51b.

【0060】このように、裏面側に付着したレジスト液
の付着場所・領域に対応して予め決められた範囲で補助
洗浄ノズル51c〜51fの溶剤噴射を制御することに
より、必要最小限の溶剤使用量により、不要レジストを
溶解除去することが可能となる。また、溶剤の温度や蒸
発により基板Gの温度が変化し、表面のレジスト膜の膜
厚を必要以上に変動させないためでもある。
As described above, by controlling the solvent injection of the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f within a predetermined range corresponding to the place / area where the resist solution adhered to the back surface side, the minimum required amount of solvent is used. Depending on the amount, unnecessary resist can be dissolved and removed. This is also because the temperature of the substrate G changes due to the temperature of the solvent and evaporation, and the film thickness of the resist film on the surface is not changed more than necessary.

【0061】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は単独の装置として使用できることは勿論であるが、
以下に説明するLCD基板の塗布・現像処理システムに
組込んで使用することができる。
It goes without saying that the processing apparatus of the present invention configured as described above can be used as an independent apparatus.
It can be incorporated and used in the coating / developing processing system for LCD substrates described below.

【0062】上記塗布・現像処理システムは、図14に
示すように、基板Gを搬入・搬出するローダ部90と、
基板Gの第1処理部91と、中継部93を介して第1処
理部91に連設される第2処理部92とで主に構成され
ている。なお、第2処理部92には受渡し部94を介し
てレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露
光装置95が連設可能になっている。
As shown in FIG. 14, the coating / developing system has a loader section 90 for loading / unloading the substrate G,
The substrate G is mainly configured by a first processing unit 91 and a second processing unit 92 connected to the first processing unit 91 via a relay unit 93. An exposure device 95 for exposing a predetermined fine pattern on the resist film can be connected to the second processing section 92 via a transfer section 94.

【0063】上記ローダ部90は、未処理の基板Gを収
容するカセット96と、処理済みの基板Gを収容するカ
セット97を載置するカセット載置台98と、このカセ
ット載置台98上のカセット96,97との間で基板G
の搬出入を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方
向の移動及び回転(θ)可能な基板搬出入ピンセット9
9とで構成されている。
The loader section 90 has a cassette 96 for accommodating an unprocessed substrate G, a cassette mounting table 98 for mounting a cassette 97 for accommodating the processed substrate G, and a cassette 96 on the cassette mounting table 98. , 97 to substrate G
Substrate loading / unloading tweezers 9 capable of moving and rotating (θ) in horizontal (X, Y) and vertical (Z) directions for loading / unloading
It is composed of 9 and 9.

【0064】上記第1処理部91は、X,Y、Z方向の
移動及びθ回転可能なメインアーム80の搬送路102
の一方の側に、基板Gをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置
120と、基板Gを高圧ジェット水で洗浄するジェット
水洗浄装置130と、基板Gの表面を疎水化処理するア
ドヒージョン処理装置105と、基板Gを所定温度に冷
却する冷却処理装置106とを配置し、搬送路102の
他方の側に、この発明の処理装置であるレジスト塗布機
構1と縁部除去機構2を具備する塗布処理装置107及
び塗布膜除去装置108を配置してなる。
The first processing section 91 is a transport path 102 for the main arm 80 which is movable in X, Y and Z directions and is rotatable by θ.
On one side, a brush cleaning device 120 for brush cleaning the substrate G, a jet water cleaning device 130 for cleaning the substrate G with high-pressure jet water, an adhesion treatment device 105 for hydrophobicizing the surface of the substrate G, and a substrate A cooling processing device 106 for cooling G to a predetermined temperature is arranged, and a coating processing device 107 including the resist coating mechanism 1 and the edge removing mechanism 2 which are the processing devices of the present invention on the other side of the transport path 102. A coating film removing device 108 is arranged.

【0065】この場合、上記メインアーム80は、図1
5及び図16に示すように、上下2段のコ字状アーム体
81a,81bがそれぞれ独立して水平方向に進退移動
可能な二重構造となっいてる。すなわち、対向して配置
される外側リニアガイド82に沿って摺動可能な一対の
外側フレーム83によって上部アーム体81aの両側を
支持し、第1の駆動モータ84に伝達プーリ85aを介
して駆動される外側プーリ85に掛け渡されるタイミン
グベルト(図示せず)と外側フレーム83とを締結し
て、第1の駆動モータ84の正逆回転によって上部アー
ム体81aを進退移動可能に構成し、また、外側リニア
ガイド82の内側に配設される一対の内側リニアガイド
86に沿って移動可能な内側フレーム87にて下部アー
ム体81bを支持し、第2の駆動モータ88に伝達プー
リ89aを介して駆動される内側プーリ89に掛け渡さ
れるタイミングベルト(図示せず)と内側フレーム87
とを締結して、第2の駆動モータ88の正逆回転によっ
て下部アーム体81bを進退移動可能に構成してある。
なお、上記アーム体81a,81bには基板Gを保持す
る保持爪81cが立設されている。また、メインアーム
80のアーム体81a,81b上に載置される基板Gの
有無はセンサ150によって検出できるように構成され
ている(図16参照)。
In this case, the main arm 80 is the same as that shown in FIG.
As shown in FIG. 5 and FIG. 16, upper and lower two-tiered U-shaped arm bodies 81a and 81b each have a double structure capable of independently moving forward and backward in the horizontal direction. That is, both sides of the upper arm body 81a are supported by the pair of outer frames 83 which are slidable along the outer linear guides 82 arranged to face each other, and are driven by the first drive motor 84 via the transmission pulley 85a. A timing belt (not shown) that is wound around the outer pulley 85 is fastened to the outer frame 83, and the upper arm body 81a is configured to be movable forward and backward by the forward and reverse rotation of the first drive motor 84. The lower arm body 81b is supported by an inner frame 87 movable along a pair of inner linear guides 86 arranged inside the outer linear guide 82, and is driven by a second drive motor 88 via a transmission pulley 89a. A timing belt (not shown) and an inner frame 87 that are hung around the inner pulley 89.
And the lower arm body 81b can be moved forward and backward by the forward and reverse rotations of the second drive motor 88.
A holding claw 81c for holding the substrate G is erected on the arm bodies 81a and 81b. In addition, the presence or absence of the substrate G placed on the arm bodies 81a and 81b of the main arm 80 is configured to be detected by the sensor 150 (see FIG. 16).

【0066】上記ブラシ洗浄装置120には、図17及
び図18に示すように、基板Gを係止して直線的(図中
左右方向)に搬送する基板搬送アーム121が設けられ
ており、この基板搬送アーム121による基板Gの搬送
路を挟むように上下に多数の表面洗浄ブラシ122及び
裏面洗浄ブラシ123と、図示しないリンス液供給ノズ
ルが設けられている。また、基板Gの搬送位置には、基
板Gを真空チャックにより吸着保持して上下動及び90
度回転可能に構成された基板保持機構124が設けられ
ている。上記基板搬送アーム121の搬送機構は、上記
搬送機構3と同様に構成されている。一方、ジェット水
洗浄装置130は、排液口131を有する容器132
と、この容器132内に配設されて基板Gを回転及び昇
降可能に保持する基板保持機構133と、この基板保持
機構133の外周側に回転可能に配設されるディスクス
テージ134と、これら基板保持機構133とディスク
ステージ134の上方の両側に配設され、図示しないリ
ンス液供給源あるいは洗浄水供給源に接続すると共に移
動機構138によって移動可能なリンス液供給ノズル1
35及び洗浄水供給ノズル136とで構成されている。
この場合、ディスクステージ134の上には基板Gの端
面に当接する保持部材137が立設されている。
As shown in FIGS. 17 and 18, the brush cleaning device 120 is provided with a substrate transfer arm 121 that locks the substrate G and transfers it linearly (left and right in the drawing). A large number of front surface cleaning brushes 122 and back surface cleaning brushes 123 and a rinse liquid supply nozzle (not shown) are provided so as to sandwich the transfer path of the substrate G by the substrate transfer arm 121. Further, at the transfer position of the substrate G, the substrate G is sucked and held by the vacuum chuck to move up and down and 90.
A substrate holding mechanism 124 that is configured to be rotatable is provided. The transfer mechanism of the substrate transfer arm 121 is configured similarly to the transfer mechanism 3. On the other hand, the jet water cleaning device 130 has a container 132 having a drainage port 131.
A substrate holding mechanism 133 that is arranged in the container 132 to hold the substrate G so that it can rotate and move up and down; a disk stage 134 that is rotatably arranged on the outer peripheral side of the substrate holding mechanism 133; A rinse liquid supply nozzle 1 disposed on both sides above the holding mechanism 133 and the disc stage 134, connected to a rinse liquid supply source or a wash water supply source (not shown) and movable by a moving mechanism 138.
35 and the cleaning water supply nozzle 136.
In this case, a holding member 137 that abuts on the end surface of the substrate G is erected on the disc stage 134.

【0067】上記のように構成されるブラシ洗浄装置1
20とジェット水洗浄装置130によって基板Gの洗浄
を行うには、以下のような手順で行われる。すなわち、
基板搬送アーム121によって基板Gを表面洗浄ブラシ
122と裏面洗浄ブラシ123との間に搬送し、これら
のブラシ122,123を回転させつつリンス液例えば
純水等を噴射させる。そして、アーム駆動モータ(図示
せず)を交互に正転及び逆転させ、基板Gを前後に移動
させて基板Gの洗浄を行う。次に、基板Gをジェット水
洗浄装置130に搬送して基板保持機構133を介して
ディスクステージ134上に基板Gを受け渡した後、洗
浄水供給ノズル136を基板Gの上方に移動させ、高圧
ジェット水流を基板Gに噴射して洗浄処理を行う。この
とき、基板Gを低速回転させながら洗浄処理を行う。次
に、洗浄水供給ノズル136を後退させ、代わりにリン
ス液供給ノズル135を基板G上に移動し、リンス液供
給ノズル135からリンス液例えば純水を噴射してリン
スすればよい。
Brush cleaning apparatus 1 having the above-described structure
In order to clean the substrate G by the 20 and the jet water cleaning device 130, the following procedure is performed. That is,
The substrate transfer arm 121 transfers the substrate G between the front surface cleaning brush 122 and the back surface cleaning brush 123, and sprays a rinse liquid such as pure water while rotating these brushes 122 and 123. Then, the arm drive motor (not shown) is alternately rotated in the forward and reverse directions to move the substrate G back and forth to clean the substrate G. Next, after transferring the substrate G to the jet water cleaning device 130 and transferring the substrate G onto the disk stage 134 via the substrate holding mechanism 133, the cleaning water supply nozzle 136 is moved to above the substrate G, and the high pressure jet is supplied. A cleaning process is performed by spraying a water stream on the substrate G. At this time, the cleaning process is performed while rotating the substrate G at a low speed. Next, the cleaning water supply nozzle 136 may be retracted, and instead the rinse liquid supply nozzle 135 may be moved onto the substrate G, and a rinse liquid, for example, pure water, may be sprayed from the rinse liquid supply nozzle 135 for rinsing.

【0068】一方、上記第2処理部92は、第1処理部
91と同様に、X,Y、Z方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム80aを有し、このメインアーム80aの
搬送路102aの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置109を配置し、搬送路102aの他方の側
に、現像装置110を配置している。
On the other hand, the second processing section 92 has a main arm 80a which is movable in the X, Y and Z directions and can be rotated by the same as the first processing section 91, and the transport path 102a of the main arm 80a. A heat treatment device 109 that heats the substrate G before and after applying the resist solution to perform pre-baking or post-baking is arranged on one side, and a developing device 110 is arranged on the other side of the transport path 102a.

【0069】上記のように構成される第1処理部91及
び第2処理部92の上方はカバーによって覆われてお
り、処理部内に清浄化された空気が供給されるようにな
っている。この空気供給機構について、図19の第1処
理部91を代表して説明すると、処理部を覆うカバー1
40の上部にダクト141が形成され、このダクト14
1と処理部内とを連通する連通路142内に吸引ファン
143とフィルタ144が配設されて清浄化された空気
が処理部内に供給されるように構成されている。また、
処理部中央の搬送路の底部には排気通路145が設けら
れており、この排気通路145内に排気ファン146が
配設されて、処理部内に供給された清浄な空気が搬送路
102、冷却処理装置106、アドヒージョン処理装置
105及び塗布機構・縁部除去機構に供給された後、排
気されるようになっている。
The upper portions of the first processing section 91 and the second processing section 92 configured as described above are covered with a cover so that purified air is supplied into the processing section. This air supply mechanism will be described by taking the first processing unit 91 of FIG. 19 as a representative, and the cover 1 covering the processing unit will be described.
A duct 141 is formed on the upper portion of the duct 40.
A suction fan 143 and a filter 144 are provided in a communication passage 142 that communicates the inside of the processing unit with the cleaning unit 1 and the cleaned air is supplied into the processing unit. Also,
An exhaust passage 145 is provided at the bottom of the transfer passage in the center of the processing portion, and an exhaust fan 146 is arranged in the exhaust passage 145 so that the clean air supplied into the processing portion is transferred to the transfer passage 102 and cooled. After being supplied to the apparatus 106, the adhesion processing apparatus 105, and the coating mechanism / edge removing mechanism, the apparatus 106 is exhausted.

【0070】また、上記中継部93は、基板Gを支持す
る支持ピン93aを立設する受渡し台93bを有する箱
体93cの底面にキャスタ93dを具備した構造とする
ことにより、必要に応じてこの中継部93を第1処理部
91及び第2処理部92から引出して、第1処理部91
又は第2処理部92内に作業員が入って補修や点検等を
容易に行うことができる(図20参照)。
Further, the relay section 93 has a structure in which casters 93d are provided on the bottom surface of a box body 93c having a transfer table 93b on which support pins 93a for supporting the substrate G are provided upright. The relay unit 93 is pulled out from the first processing unit 91 and the second processing unit 92, and the first processing unit 91
Alternatively, a worker can enter the second processing section 92 to easily perform repairs and inspections (see FIG. 20).

【0071】なお、上記受渡し部94には、基板Gを一
時待機させるためのカセット111と、このカセット1
11との間で基板Gの出入れを行う搬送用ピンセット1
12と、基板Gの受渡し台113が設けられている。
The transfer section 94 has a cassette 111 for temporarily holding the substrate G, and the cassette 1
Transport tweezers 1 for moving the substrate G in and out of
12 and a transfer table 113 for the substrate G are provided.

【0072】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット96内に収容された未処理の
基板Gはローダ部90の搬出入ピンセット99によって
取出された後、第1処理部91のメインアーム80に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置120内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置120内にてブラシ洗浄された
基板Gは引続いてジェット水洗浄装置130内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Gは、アド
ヒージョン処理装置105にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置106にて冷却された後、この発明に係るレ
ジスト塗布装置107の塗布機構1にてフォトレジスト
すなわち感光膜が塗布形成され、引続いてこの発明に係
る塗布膜除去装置108の縁部除去機構2によって基板
Gの辺部の不要なレジスト膜が除去される。したがっ
て、この後、基板Gを搬出する際には縁部のレジスト膜
は除去されているので、メインアーム80にレジストが
付着することもない。そして、このフォトレジストが加
熱処理装置109にて加熱されてベーキング処理が施さ
れた後、露光装置95にて所定のパターンが露光され
る。そして、露光後の基板Gは現像装置110内へ搬送
され、現像液により現像された後にリンス液により現像
液を洗い流し、現像処理を完了する。
In the coating / development processing system configured as described above, the unprocessed substrate G accommodated in the cassette 96 is taken out by the carry-in / take-out tweezers 99 of the loader section 90, and then the first processing section 91. It is delivered to the main arm 80 and then conveyed into the brush cleaning device 120. The substrate G brush-cleaned in the brush cleaning device 120 is subsequently cleaned in the jet water cleaning device 130 with high-pressure jet water. After that, the substrate G is subjected to a hydrophobic treatment by the adhesion treatment device 105 and cooled by the cooling treatment device 106, and then the photoresist, that is, the photosensitive film is applied by the coating mechanism 1 of the resist coating device 107 according to the present invention. Is formed by coating, and then the unnecessary resist film on the side of the substrate G is removed by the edge removing mechanism 2 of the coating film removing apparatus 108 according to the present invention. Therefore, after this, when the substrate G is carried out, the resist film on the edge is removed, so that the resist does not adhere to the main arm 80. Then, after the photoresist is heated by the heat treatment device 109 to be subjected to a baking treatment, a predetermined pattern is exposed by the exposure device 95. Then, the exposed substrate G is conveyed into the developing device 110, is developed with the developing solution, and is rinsed with the rinse solution to complete the developing process.

【0073】現像処理された処理済みの基板Gはローダ
部90のカセット97内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。
The processed and processed substrate G is housed in the cassette 97 of the loader unit 90, then carried out and transferred to the next processing step.

【0074】上記実施例では、この発明に係る塗布機構
1を具備する塗布処理装置107と、この発明に係る縁
部除去機構2を具備する塗布膜除去装置108とを1組
設けたLCD基板の塗布・現像システムについて説明し
たが、塗布処理装置107と塗布膜除去装置108を2
組以上設けることも可能である。この場合、塗布処理装
置107と塗布膜除去装置108とを並設してもよい
が、設置スペースを少なくるためには、図21に示すよ
うに、塗布処理装置107と塗布膜除去装置108とを
積層させた構造としてもよい。このように塗布処理装置
107と塗布膜除去装置108を積層させる構造におい
ては、メインアーム80,80aを上段の各装置10
7,108まで上昇可能にする以外は、上記実施例と同
じであるので、同一部分には同一符号を付して、その説
明は省略する。
In the above embodiment, the coating processing apparatus 107 having the coating mechanism 1 according to the present invention and the coating film removing apparatus 108 having the edge removing mechanism 2 according to the present invention are provided on the LCD substrate. The coating / developing system has been described.
It is also possible to provide more than one set. In this case, the coating processing apparatus 107 and the coating film removing apparatus 108 may be installed in parallel, but in order to reduce the installation space, as shown in FIG. 21, the coating processing apparatus 107 and the coating film removing apparatus 108 are provided. It is also possible to have a laminated structure. In the structure in which the coating processing apparatus 107 and the coating film removing apparatus 108 are stacked in this manner, the main arms 80 and 80a are arranged in the upper layers of the respective devices 10.
Since it is the same as the above-mentioned embodiment except that it can be raised up to 7, 108, the same parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0075】また、上記実施例では、左右一対の除去ノ
ズル51により、最初に基板Gの長辺側の不要な端部の
レジスト膜を溶解して除去し、次に、基板Gを90°回
転させて短辺側の不要なレジスト膜を溶解して除去する
例について説明したが、除去ノズルを例えば4個設け、
基板Gの四辺の不要なレジスト膜を、同時に溶解して除
去するように構成してもよい。
Further, in the above embodiment, the resist film at the unnecessary end portion on the long side of the substrate G is first dissolved and removed by the pair of left and right removal nozzles 51, and then the substrate G is rotated by 90 °. Although an example of dissolving and removing the unnecessary resist film on the short side has been described above, for example, four removal nozzles are provided,
The unnecessary resist films on the four sides of the substrate G may be simultaneously dissolved and removed.

【0076】例えば、図22に示すように、除去ノズル
151A,151B,151C,151Dを設ける。な
お、この4個の除去ノズルの構成、移動機構等は同一構
成のため、ここでは除去ノズル151A部分についての
み説明し、他の詳細な説明は省略する。
For example, as shown in FIG. 22, removal nozzles 151A, 151B, 151C and 151D are provided. Since the four removing nozzles have the same configuration, moving mechanism, and the like, only the removing nozzle 151A will be described here, and the other detailed description will be omitted.

【0077】除去ノズル151Aは、図のY方向に延在
するごとく設けられたガイドレール152Aに摺動可能
に取付けられたスライド部材153Aに取着されてい
る。このスライド部材153Aは、ワイヤー,チェー
ン,ベルト,ボールネジやステッピングモータ,エアー
シリンダー,超音波モーター,超電導リニアモーター等
を使用した移動機構(図示せず)により、Y方向に往復
移動可能に構成されている。
The removing nozzle 151A is attached to a slide member 153A slidably attached to a guide rail 152A provided so as to extend in the Y direction in the figure. The slide member 153A is reciprocally movable in the Y direction by a moving mechanism (not shown) using a wire, a chain, a belt, a ball screw, a stepping motor, an air cylinder, an ultrasonic motor, a superconducting linear motor, or the like. There is.

【0078】また、除去ノズル151Aは、図23に示
すように、図6に示した除去ノズル51と概ね同じ構成
であるので、ここでは異なる部分を主として説明する。
表面洗浄用のノズル151a、裏面洗浄用のノズル15
1bの他に、基板Gの端面(側面)部を洗浄するための
端面洗浄用のノズル151gが内部に設けられており、
各ノズルは溶剤の各供給路に挿入された開閉バルブ(図
示せず)により、独立して溶剤供給の断続、供給量が制
御可能に構成されている。
As shown in FIG. 23, the removal nozzle 151A has substantially the same structure as the removal nozzle 51 shown in FIG. 6, and therefore the different parts will be mainly described here.
Nozzle 151a for front surface cleaning, nozzle 15 for back surface cleaning
In addition to 1b, an end surface cleaning nozzle 151g for cleaning the end surface (side surface) of the substrate G is provided inside,
Each nozzle is configured such that the on / off valve (not shown) inserted in each solvent supply path can independently control the on / off of the solvent supply and the supply amount.

【0079】更に、噴頭153の基板G側端部の前方位
置には、基板G上面側にガス噴射ノズル154が、基板
G下面側にはガス噴射ノズル155が、その噴射方向が
噴頭153方向、すなわち基板Gの周辺外側方向になる
ように配置されている。そして、噴射されたガスは、噴
頭153内を通り、排気管156から排気される。
Further, a gas injection nozzle 154 is provided on the upper surface side of the substrate G, a gas injection nozzle 155 is provided on the lower surface side of the substrate G, and the injection direction thereof is the direction of the injection head 153, in front of the end portion of the injection head 153 on the substrate G side. That is, they are arranged so as to be in the outer peripheral direction of the substrate G. Then, the injected gas passes through the inside of the injection head 153 and is exhausted from the exhaust pipe 156.

【0080】更に、図22に示すように、除去ノズル1
51Aの両側方には、基板Gの長辺Aの基板G中心方向
から上面周辺部に向ってガスを噴射する乾燥用ガス噴射
ノズル157A,158Aが、例えば除去ノズル151
Aと共にY方向に移動可能なように取付部材(図示せ
ず)により設けられている。なお、図22では上記乾燥
用ガスノズル157A,158Aは基板Gの外側に示さ
れているが、基板Gの搬入・搬出に支障をきたさない任
意の位置に配置する。
Further, as shown in FIG. 22, the removing nozzle 1
On both sides of 51A, drying gas injection nozzles 157A and 158A for injecting gas from the central direction of the substrate G of the long side A of the substrate G toward the peripheral portion of the upper surface are provided, for example, the removal nozzle 151.
It is provided by a mounting member (not shown) so as to be movable in the Y direction together with A. Although the drying gas nozzles 157A and 158A are shown on the outside of the substrate G in FIG. 22, they are arranged at arbitrary positions that do not hinder the loading and unloading of the substrate G.

【0081】他の除去ノズル151B,151C,15
1Dについては、除去ノズル151Aと構成は同じであ
り、除去ノズル151Aの各部に対応させて符号を付し
ている。なお、上記各ノズルは、それぞれ基板Gの短辺
B,長辺C,短辺Dの縁部の不要なレジストを溶解して
除去するためのノズルである。
Other removal nozzles 151B, 151C, 15
1D has the same configuration as the removal nozzle 151A, and the reference numeral is assigned to each part of the removal nozzle 151A. The nozzles are nozzles for dissolving and removing unnecessary resist on the edges of the short side B, the long side C, and the short side D of the substrate G, respectively.

【0082】次に、不要レジストの除去手順等について
説明する。図1に示す塗布機構1によって上面にレジス
ト膜が塗布形成された基板Gを搬送アーム70によって
上記縁部除去機構2Aの載置台159に、長辺がY方
向、短辺がX方向と平行となるように載置し、吸着保持
する。
Next, the procedure for removing unnecessary resist will be described. The substrate G having a resist film formed on the upper surface by the coating mechanism 1 shown in FIG. 1 is placed on the mounting table 159 of the edge removing mechanism 2A by the transfer arm 70 so that the long side is parallel to the Y direction and the short side is parallel to the X direction. It is placed so that it is adsorbed and held.

【0083】搬送アーム70が待機位置へ後退した後、
縁部除去機構2Aの各除去ノズル151A,151B,
151C,151Dが四辺の縁部にセットされ、各辺に
沿って同時に移動しながらレジスト溶剤を縁部に噴射し
て不要なレジスト膜を溶解して除去する。
After the transfer arm 70 retracts to the standby position,
Each removal nozzle 151A, 151B of the edge removal mechanism 2A,
151C and 151D are set at the edges of the four sides, and the resist solvent is sprayed to the edges while simultaneously moving along the edges to dissolve and remove the unnecessary resist film.

【0084】この除去に際し、洗浄用の各ノズルからの
溶剤の噴射は、基板Gの端部のレジスト付着状況に対応
して制御してもよい。例えば、基板Gの端面及び裏面周
辺部にレジストの付着が無く、溶解除去する必要がない
場合には、表面洗浄用のノズル151aのみ溶剤を噴射
させる。
At the time of this removal, the injection of the solvent from each cleaning nozzle may be controlled in accordance with the resist adhesion state at the edge of the substrate G. For example, when the resist does not adhere to the end surface and the peripheral portion of the back surface of the substrate G and there is no need to dissolve and remove the resist, the solvent is sprayed only from the front surface cleaning nozzle 151a.

【0085】端面にもレジストが付着している場合に
は、端面洗浄用のノズル151gからも溶剤を噴射さ
せ、更に、裏面周辺部にもレジストが付着している場合
には、裏面洗浄用のノズル151bからも溶剤を噴射さ
せる。
When the resist is also attached to the end face, the solvent is jetted from the end face cleaning nozzle 151g, and when the resist is attached to the peripheral portion of the back face, the back face cleaning nozzle is used. The solvent is also jetted from the nozzle 151b.

【0086】また、基板Gの端面、裏面周辺部に付着し
ているレジスト膜の付着場所が予め分っている場合に
は、除去ノズル151Aがこの場所付近を移動する際
に、端面洗浄用ノズル151gや裏面洗浄用のノズル1
51bから溶剤を噴射するように制御してもよい。これ
により、溶剤の消費量を低減させることが可能となる。
また、上述したように、表面のレジスト膜厚の変動を防
止することも可能となる。
In addition, when the place where the resist film is attached to the peripheral portion of the end face and the rear surface of the substrate G is known in advance, when the removal nozzle 151A moves near this place, the end face cleaning nozzle is used. 151g and backside cleaning nozzle 1
You may control so that a solvent may be sprayed from 51b. This makes it possible to reduce the consumption of the solvent.
Further, as described above, it is possible to prevent the fluctuation of the resist film thickness on the surface.

【0087】更に、上記溶解除去中に、ガス噴射ノズル
154,155から例えば窒素(N2)ガスを噴射させ
ると、基板G周辺に向い噴頭153内に吸引されるN2
ガスの流れが存在するため、表面洗浄用のノズル151
a、端面洗浄用のノズル151g、裏面洗浄用のノズル
151bから噴射された溶剤や発生した気泡等が基板G
の中心側に飛散しようとしても、上記N2ガスの流れに
よって噴頭側に向って排出され、基板G面に飛来付着す
るのを防止することができる。
Furthermore, when nitrogen (N 2 ) gas, for example, is jetted from the gas jet nozzles 154 and 155 during the above-mentioned dissolution and removal, N 2 which is sucked into the jet head 153 toward the periphery of the substrate G.
Since there is a gas flow, the nozzle 151 for surface cleaning
a, the solvent 151 ejected from the end surface cleaning nozzle 151g, and the back surface cleaning nozzle 151b, bubbles generated, etc.
Even if it is attempted to scatter toward the center of the substrate, it is possible to prevent the N 2 gas from discharging toward the jet head side and flying and adhering to the surface of the substrate G.

【0088】また、乾燥用ガスノズル157Aから例え
ば加熱したN2ガスを、除去ノズル151Aでの溶剤に
よる溶解除去に先立って、基板G周辺部のレジスト膜に
向って噴射し、乾燥させておくことにより、溶解除去後
のレジスト膜のエッジ部分でのレジストの盛り上りの発
生を抑制することも可能となる。
Further, for example, heated N 2 gas is sprayed from the drying gas nozzle 157A toward the resist film in the peripheral portion of the substrate G and dried before being dissolved and removed by the solvent in the removal nozzle 151A. It is also possible to suppress the rise of the resist at the edge portion of the resist film after dissolution and removal.

【0089】更に、乾燥用ガスノズル158Aから例え
ば加熱したN2ガスを、レジスト膜が溶解除去された後
の基板Gの周辺部分に噴射させることにより、基板G及
びレジスト膜を乾燥する。この乾燥により、溶剤は直ち
に蒸発し、レジスト膜のエッジ部分が乾燥するため、不
必要な溶解もなく、エッジ部分のレジスト膜も安定す
る。
Furthermore, the substrate G and the resist film are dried by injecting, for example, heated N 2 gas from the drying gas nozzle 158A onto the peripheral portion of the substrate G after the resist film is dissolved and removed. By this drying, the solvent immediately evaporates and the edge portion of the resist film is dried, so that there is no unnecessary dissolution and the resist film on the edge portion is also stable.

【0090】上記説明では、除去ノズル151Aについ
てのみ説明したが、他の除去ノズル151B,151
C,151Dについても同様のことが言えるので、説明
を省略する。
In the above description, only the removal nozzle 151A has been described, but the other removal nozzles 151B and 151B.
Since the same can be said for C and 151D, description thereof will be omitted.

【0091】また、各除去ノズル151A,151B,
151C,151Dの移動機構として、独立した移動機
構を設けた例について説明したが、四辺を同時に溶解除
去できるものであれば他の機構でもよく、例えば除去ノ
ズル151Aと151C,151Bと151Dとをそれ
ぞれ共通の機構に取着し、2つの移動機構で移動可能に
構成してもよい。更に、除去ノズル151A,151
B,151C,151Dの全部を共通の1つの移動機構
で移動可能に構成してもよい。
Further, the removal nozzles 151A, 151B,
Although an example in which an independent moving mechanism is provided as the moving mechanism of 151C and 151D has been described, other mechanisms may be used as long as they can simultaneously dissolve and remove four sides, for example, the removing nozzles 151A and 151C, 151B and 151D, respectively. It may be attached to a common mechanism and configured to be movable by two moving mechanisms. Further, the removal nozzles 151A, 151
All of B, 151C and 151D may be configured to be movable by one common moving mechanism.

【0092】なお、上記独立した移動機構の場合、各移
動速度は各辺のレジストの付着状況等により、独立して
設定制御してもよい。
In the case of the above-mentioned independent moving mechanism, each moving speed may be set and controlled independently depending on the resist adhesion state on each side.

【0093】更に、図22では、基板Gの長辺をY方向
と平行になるように保持しているが、短辺をY方向と平
行になるように保持し、各除去ノズル151A,151
B,151C,151Dをそれに対応して配置してもよ
い。例えば、各除去ノズルをエアーシリンダー等を使用
あるいはストローク調整可能な構造にすることにより、
伸縮させて対応する。
Further, in FIG. 22, the long side of the substrate G is held so as to be parallel to the Y direction, but the short side is held so as to be parallel to the Y direction, and the respective removal nozzles 151A and 151 are held.
B, 151C and 151D may be arranged correspondingly. For example, by using an air cylinder etc. for each removal nozzle or making the stroke adjustable structure,
Stretch to accommodate.

【0094】更に、基板G、溶剤、N2ガスを溶解に最
適な温度に温調して、レジスト膜の溶解除去を促進させ
てもよい。基板Gの温調としては、例えば、基板Gの周
囲を温調した雰囲気にしたり、基板G上面に温調したク
リーンエアーやN2ガスを供給したり、基板G裏面に温
調したクリーンエアーやN2ガスを供給したり、載置台
159により温調したり、赤外線、マイクロ波等により
温調する。
Further, the temperature of the substrate G, the solvent and the N 2 gas may be adjusted to the optimum temperature for dissolution to promote dissolution and removal of the resist film. As the temperature control of the substrate G, for example, a temperature controlled atmosphere is provided around the substrate G, temperature controlled clean air or N 2 gas is supplied to the upper surface of the substrate G, temperature controlled clean air on the back surface of the substrate G, or the like. N 2 gas is supplied, the temperature is adjusted by the mounting table 159, or the temperature is adjusted by infrared rays, microwaves, or the like.

【0095】更に、上記実施例では、基板Gの一辺に対
して1個の除去ノズルを設けた例について説明したが、
複数個例えば2個設けて移動距離を短くしたり、2回溶
解除去するように構成してもよい。この場合、溶剤の種
類を異ならせてもよい。また、溶解除去位置を異ならせ
てもよい。
Further, in the above embodiment, an example in which one removal nozzle is provided for one side of the substrate G has been described.
A plurality of, for example, two may be provided to shorten the moving distance, or may be dissolved and removed twice. In this case, the type of solvent may be different. Further, the melting and removing position may be different.

【0096】更に、上記実施例では、基板Gは固定して
各除去ノズルを移動させる構成の例について説明した
が、基板Gを回転させ、それに対応して各除去ノズルを
伸縮、X,Y方向に移動させつつ四辺同時に溶解除去す
るように構成してもよい。
Further, in the above-mentioned embodiment, the example of the constitution in which the substrate G is fixed and the respective removal nozzles are moved has been described. However, the substrate G is rotated and the respective removal nozzles are expanded / contracted in the X and Y directions correspondingly. It may be configured such that the four sides are simultaneously melted and removed while being moved to.

【0097】また、上記実施例では、この発明の処理方
法及び処理装置をLCD基板の塗布処理に適用した場合
について説明したが、LCD基板以外の角形状被処理基
板に塗布液を塗布し、塗布された被処理基板の縁部の不
要な塗布膜を除去する方法及び装置にも適用できること
は勿論である。
Further, in the above embodiments, the case where the processing method and the processing apparatus of the present invention are applied to the coating processing of the LCD substrate has been described. However, the coating liquid is applied to the rectangular substrate other than the LCD substrate and the coating is performed. Of course, it can be applied to a method and apparatus for removing an unnecessary coating film on the edge of the processed substrate.

【0098】[0098]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の塗布
装置によれば、上記のように構成されるので、以下のよ
うな効果が得られる。
As described above, according to the coating apparatus of the present invention, since it is configured as described above, the following effects can be obtained.

【0099】1)請求項1記載の処理方法によれば、角
形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布した後、被処理
基板の対向する2辺の縁部両面の塗布膜を除去すること
ができるので、塗布膜の均一処理を行うことができると
共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
1) According to the processing method of claim 1, after the coating liquid is applied to the surface of the rectangular substrate to be processed, the coating film on both sides of the two opposite edges of the substrate to be processed is removed. Therefore, the coating film can be uniformly processed and the product yield can be improved.

【0100】2)請求項2記載の処理装置によれば、角
形状の被処理基板の表面に塗布液を塗布する塗布機構
と、上記塗布により塗布膜が形成された被処理基板の縁
部両面に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機
構とを隣接して配設し、塗布機構から縁部除去機構へ被
処理基板を搬送する搬送機構を設けるので、装置を小型
にすることができると共に、スループットの向上を図る
ことができる。
2) According to the processing apparatus of the second aspect, the coating mechanism for coating the coating liquid on the surface of the rectangular substrate to be processed, and the both edges of the substrate to be processed on which the coating film is formed. Since the edge removing mechanism for spraying the removing liquid to remove the coating film is disposed adjacent to the substrate and the transport mechanism for transporting the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removing mechanism is provided, the apparatus is downsized. In addition, the throughput can be improved.

【0101】3)請求項3記載の処理装置によれば、保
持手段によって保持された被処理基板の対向する2辺の
縁部の塗布膜を除去した後、保持手段を回転させて被処
理基板の他の2辺の縁部の塗布膜を除去することができ
るので、被処理基板の縁部の不要な塗布膜を迅速かつ確
実に除去することができ、製品歩留まりの向上及びスル
ープットの向上を図ることができる。
3) According to the processing apparatus of the third aspect, after removing the coating films on the edges of the two opposite sides of the substrate to be held held by the holding means, the holding means is rotated to rotate the substrate to be processed. Since the coating film on the edge portions of the other two sides can be removed, the unnecessary coating film on the edge portion of the substrate to be processed can be removed quickly and reliably, and the product yield and throughput can be improved. Can be planned.

【0102】4)請求項4又は5記載の処理装置によれ
ば、縁部除去機構に、被処理基板の角部裏面に除去液を
噴射する補助洗浄ノズルを設けることにより、上記3)
に加えて被処理基板の角部裏面に付着した塗布膜を除去
することができ、塗布膜の除去を更に確実にすることが
できる。
4) According to the processing apparatus of the fourth or fifth aspect, the edge removing mechanism is provided with an auxiliary cleaning nozzle for injecting a removing liquid to the back surface of the corner of the substrate to be processed, whereby the above 3) is provided.
In addition, the coating film attached to the back surface of the corner of the substrate to be processed can be removed, and the removal of the coating film can be further ensured.

【0103】5)請求項6記載の処理装置によれば、被
処理基板の縁部両面に除去液を噴射する縁部除去機構の
対向する除去ノズルから噴射される除去液の衝突を防止
することができるので、衝突によって飛散される除去液
が被処理基板表面の塗布膜に付着するのを防止して、膜
厚の均一化を図ることができる。
5) According to the processing apparatus of the sixth aspect, it is possible to prevent the collision of the removing liquid ejected from the opposing removing nozzles of the edge removing mechanism for ejecting the removing liquid to both edge portions of the substrate to be processed. Therefore, it is possible to prevent the removing liquid scattered by the collision from adhering to the coating film on the surface of the substrate to be processed, and to make the film thickness uniform.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の処理装置の概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a processing apparatus of the present invention.

【図2】この発明における塗布機構の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a coating mechanism according to the present invention.

【図3】図2の要部拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part of FIG.

【図4】塗布機構の駆動部を示す要部拡大断面図であ
る。
FIG. 4 is an enlarged sectional view of an essential part showing a drive unit of the coating mechanism.

【図5】この発明における縁部除去機構を示す側面図で
ある。
FIG. 5 is a side view showing an edge removing mechanism according to the present invention.

【図6】この発明における除去ノズルの一部を断面で示
す側面図である。
FIG. 6 is a side view showing a cross section of a part of the removal nozzle according to the present invention.

【図7】除去ノズルの概略斜視図である。FIG. 7 is a schematic perspective view of a removal nozzle.

【図8】この発明における補助洗浄ノズルの取付状態を
示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing a mounting state of an auxiliary cleaning nozzle according to the present invention.

【図9】補助洗浄ノズルの異なる取付状態を示す概略平
面図である。
FIG. 9 is a schematic plan view showing a different mounting state of the auxiliary cleaning nozzle.

【図10】補助洗浄ノズルの別の形態の一部を断面で示
す側面図及び洗浄の具体例の説明図である。
FIG. 10 is a side view showing a part of another form of the auxiliary cleaning nozzle in cross section and an explanatory view of a specific example of cleaning.

【図11】補助洗浄ノズルの更に別の形態を示す斜視図
である。
FIG. 11 is a perspective view showing still another form of the auxiliary cleaning nozzle.

【図12】この発明における搬送機構を示す概略斜視図
である。
FIG. 12 is a schematic perspective view showing a carrying mechanism according to the present invention.

【図13】この発明の処理方法の手順を示す説明図であ
る。
FIG. 13 is an explanatory view showing the procedure of the processing method of the present invention.

【図14】この発明の処理装置を適用したLCD基板の
塗布・現像システムの一例を示す斜視図である。
FIG. 14 is a perspective view showing an example of an LCD substrate coating / developing system to which the processing apparatus of the present invention is applied.

【図15】塗布・現像システムにおけるメインアームの
要部を示す斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view showing a main part of a main arm in a coating / developing system.

【図16】メインアームの駆動機構を示す側面図であ
る。
FIG. 16 is a side view showing a drive mechanism of the main arm.

【図17】塗布・現像処理システムにおける洗浄装置を
示す概略断面図である。
FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing a cleaning device in the coating / developing processing system.

【図18】図17の平面図である。FIG. 18 is a plan view of FIG.

【図19】塗布・現像システムにおける処理部を示す断
面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view showing a processing unit in the coating / developing system.

【図20】塗布・現像システムの別の実施例を示す斜視
図である。
FIG. 20 is a perspective view showing another embodiment of the coating / developing system.

【図21】塗布・現像システムの更に別の実施例を示す
斜視図である。
FIG. 21 is a perspective view showing still another embodiment of the coating / developing system.

【図22】縁部除去機構の別の実施例を示す概略平面図
である。
FIG. 22 is a schematic plan view showing another embodiment of the edge removing mechanism.

【図23】除去ノズルの別の形態を断面で示す側面図で
ある。
FIG. 23 is a side view showing in cross section another form of the removal nozzle.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

G LCD基板(被処理基板) 1 塗布機構 2 縁部除去機構 3 搬送機構 50 載置台(保持手段) 51 除去ノズル 51a ノズル(表面洗浄ノズル) 51b ノズル(裏面洗浄ノズル) 51A,51c〜51f 補助洗浄ノズル 55 位置調整機構 56 上下移動機構 57 左右移動機構 G LCD substrate (substrate to be processed) 1 coating mechanism 2 edge removal mechanism 3 transport mechanism 50 mounting table (holding means) 51 removal nozzle 51a nozzle (front surface cleaning nozzle) 51b nozzle (back surface cleaning nozzle) 51A, 51c to 51f auxiliary cleaning Nozzle 55 Position adjustment mechanism 56 Vertical movement mechanism 57 Horizontal movement mechanism

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/16 501 (72)発明者 岩崎 達也 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical indication location G03F 7/16 501 (72) Inventor Tatsuya Iwasaki 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Tokyo Electron Kyushu Kumamoto office

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗
布する塗布工程と、 上記塗布により塗布膜が形成された上記被処理基板の第
1の辺の縁部両面に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除
去する第1の除去工程と、 上記被処理基板の第2の辺の縁部両面に除去液を噴射し
て縁部の塗布膜を除去する第2の除去工程とを有するこ
とを特徴とする処理方法。
1. A coating step of coating a coating liquid on the surface of a rectangular substrate to be processed, and a removing liquid is sprayed on both sides of an edge of the first side of the substrate to be processed on which a coating film is formed. And a second removing step for removing the coating film on the edge by removing the coating film on the edge of the substrate to be processed. And a processing method comprising:
【請求項2】 角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗
布する塗布機構と、上記塗布により塗布膜が形成された
上記被処理基板の縁部両面に除去液を噴射して塗布膜を
除去する縁部除去機構とを隣接して配設し、上記塗布機
構から縁部除去機構へ上記被処理基板を搬送する搬送機
構を設けたことを特徴とする処理装置。
2. A coating mechanism for coating a coating liquid on the surface of a rectangular substrate to be processed, and a coating liquid by spraying a removing liquid onto both edges of the substrate on which a coating film is formed by the coating. A processing apparatus, which is disposed adjacent to an edge removing mechanism to be removed, and is provided with a transfer mechanism for transferring the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removing mechanism.
【請求項3】 角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗
布する塗布機構と、上記塗布により塗布膜が形成された
上記被処理基板の縁部両面に除去液を噴射して塗布膜を
除去する縁部除去機構と、上記塗布機構から縁部除去機
構へ上記被処理基板を搬送する搬送機構とを具備し、 上記縁部除去機構を、上記被処理基板を回転可能に保持
する保持手段と、被処理基板の辺に沿って移動すると共
に被処理基板の縁部両面に除去液を噴射するノズルとで
構成してなることを特徴とする処理装置。
3. A coating mechanism for applying a coating liquid onto the surface of a rectangular substrate to be processed, and a coating liquid by spraying a removing liquid onto both edges of the edge of the substrate to be processed where the coating film is formed by the coating. An edge removing mechanism for removing and a transport mechanism for transporting the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removing mechanism, and a holding means for rotatably holding the substrate to be processed by the edge removing mechanism. And a nozzle that moves along a side of the substrate to be processed and sprays a removing liquid on both sides of an edge of the substrate to be processed.
【請求項4】 角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗
布する塗布機構と、上記塗布により塗布膜が形成された
上記被処理基板の縁部両面に除去液を噴射して塗布膜を
除去する縁部除去機構と、上記塗布機構から縁部除去機
構へ上記被処理基板を搬送する搬送機構とを具備し、 上記縁部除去機構を、上記被処理基板を回転可能に保持
する保持手段と、被処理基板の辺に沿って移動すると共
に被処理基板の縁部両面に除去液を噴射する表面及び裏
面洗浄ノズルと、上記裏面洗浄ノズルの外方側に延在し
て上記被処理基板の角部裏面に除去液を噴射する補助洗
浄ノズルとで構成してなることを特徴とする処理装置。
4. A coating mechanism for applying a coating liquid onto the surface of a rectangular substrate to be processed, and a coating liquid by spraying a removing liquid onto both edge portions of the substrate to be processed on which a coating film is formed. An edge removing mechanism for removing and a transport mechanism for transporting the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removing mechanism, and a holding means for rotatably holding the substrate to be processed by the edge removing mechanism. A front and back surface cleaning nozzle that moves along the side of the processing target substrate and sprays a removing liquid on both edges of the processing target substrate; and the processing target substrate that extends outside the back surface cleaning nozzle. And a supplementary cleaning nozzle that sprays a removing liquid onto the back surface of the corner of the processing apparatus.
【請求項5】 角形状の被処理基板の表面に塗布液を塗
布する塗布機構と、上記塗布により塗布膜が形成された
上記被処理基板の縁部両面に除去液を噴射して塗布膜を
除去する縁部除去機構と、上記塗布機構から縁部除去機
構へ上記被処理基板を搬送する搬送機構とを具備し、 上記縁部除去機構を、上記被処理基板を回転可能に保持
する保持手段と、被処理基板の辺に沿って移動すると共
に被処理基板の縁部両面に除去液を噴射するノズルと、
上記保持手段の下部側に配設されて上記被処理基板の角
部裏面に除去液を噴射する補助洗浄ノズルとで構成して
なることを特徴とする処理装置。
5. A coating mechanism for applying a coating liquid onto the surface of a rectangular substrate to be processed, and a coating liquid by spraying a removing liquid onto both sides of the edge of the substrate to be processed on which a coating film has been formed by the coating. An edge removing mechanism for removing and a transport mechanism for transporting the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removing mechanism, and a holding means for rotatably holding the substrate to be processed by the edge removing mechanism. And a nozzle that moves along the side of the substrate to be processed and sprays a removing liquid on both sides of the edge of the substrate to be processed,
A processing apparatus, comprising: an auxiliary cleaning nozzle, which is disposed on the lower side of the holding means and sprays a removing liquid onto the back surface of the corner of the substrate to be processed.
【請求項6】 被処理基板の縁部両面に除去液を噴射す
る縁部除去機構のノズルを少なくとも2個設け、かつ各
噴口から噴射された除去液がノズル近傍で互いに干渉し
ない位置に設けたことを特徴とする請求項3ないし5の
いずれかに記載の処理装置。
6. At least two nozzles of an edge removing mechanism for ejecting the removing liquid are provided on both sides of the edge of the substrate to be processed, and the removing liquids ejected from the respective ejection holes are provided at positions where they do not interfere with each other near the nozzles. The processing apparatus according to any one of claims 3 to 5, wherein:
JP06174797A 1994-04-04 1994-07-04 Processing method and processing apparatus Expired - Lifetime JP3114084B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06174797A JP3114084B2 (en) 1994-04-04 1994-07-04 Processing method and processing apparatus
KR1019950007866A KR100284559B1 (en) 1994-04-04 1995-04-04 Treatment method and processing device
US08/416,369 US5718763A (en) 1994-04-04 1995-04-04 Resist processing apparatus for a rectangular substrate
TW084103709A TW399104B (en) 1994-04-04 1995-04-15 Anti-etching process and the method thereof
US08/964,608 US5853803A (en) 1994-04-04 1997-11-05 Resist processing method and apparatus

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8913894 1994-04-04
JP6-89138 1994-04-04
JP06174797A JP3114084B2 (en) 1994-04-04 1994-07-04 Processing method and processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07326571A true JPH07326571A (en) 1995-12-12
JP3114084B2 JP3114084B2 (en) 2000-12-04

Family

ID=26430571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06174797A Expired - Lifetime JP3114084B2 (en) 1994-04-04 1994-07-04 Processing method and processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3114084B2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100393453B1 (en) * 1997-04-28 2003-11-01 동경 엘렉트론 주식회사 Processing equipment
WO2006028173A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Tokyo Electron Limited Coating/developing apparatus, exposure apparatus and resist pattern forming method
KR100741051B1 (en) * 1999-10-05 2007-07-20 동경 엘렉트론 주식회사 Solution processing apparatus and method
JP2014136182A (en) * 2013-01-16 2014-07-28 Canon Inc Method of forming chemical layer and device of forming chemical layer
KR20170055425A (en) * 2015-11-11 2017-05-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Apparatus for removing a coating film, method for removing a coating film and storage medium
CN107185896A (en) * 2016-10-28 2017-09-22 旭东机械(昆山)有限公司 Board edge cleaning system
JP2019201183A (en) * 2018-05-18 2019-11-21 キヤノン株式会社 Stage apparatus, lithography apparatus, and article manufacturing method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100393453B1 (en) * 1997-04-28 2003-11-01 동경 엘렉트론 주식회사 Processing equipment
KR100741051B1 (en) * 1999-10-05 2007-07-20 동경 엘렉트론 주식회사 Solution processing apparatus and method
WO2006028173A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Tokyo Electron Limited Coating/developing apparatus, exposure apparatus and resist pattern forming method
JP2014136182A (en) * 2013-01-16 2014-07-28 Canon Inc Method of forming chemical layer and device of forming chemical layer
KR20170055425A (en) * 2015-11-11 2017-05-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Apparatus for removing a coating film, method for removing a coating film and storage medium
JP2017092445A (en) * 2015-11-11 2017-05-25 東京エレクトロン株式会社 Coating film removing device, coating film removing method, and storage medium
CN107185896A (en) * 2016-10-28 2017-09-22 旭东机械(昆山)有限公司 Board edge cleaning system
JP2019201183A (en) * 2018-05-18 2019-11-21 キヤノン株式会社 Stage apparatus, lithography apparatus, and article manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP3114084B2 (en) 2000-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100284559B1 (en) Treatment method and processing device
KR100430461B1 (en) Solution film forming apparatus and Solution film forming method
US5871584A (en) Processing apparatus and processing method
TWI623032B (en) Substrate processing apparatus
KR100295019B1 (en) Developing apparatus and developing method
KR100558026B1 (en) Treatment device and treatment method
US6605153B2 (en) Coating film forming apparatus
KR102261616B1 (en) Substrate treating apparatus, dummy dispensing method and computer readable storage medium
JP3777542B2 (en) NOZZLE DEVICE, COATING DEVICE, AND COATING METHOD
KR19980018527A (en) Processing equipment
JP2000106341A (en) Method and device for substrate treatment
JP3625752B2 (en) Liquid processing equipment
JP2886382B2 (en) Coating device
JP3114084B2 (en) Processing method and processing apparatus
JP3189087B2 (en) Processing device and processing method
JPH1126547A (en) Wet treatment device
JP3605541B2 (en) Substrate processing equipment
JP3277278B2 (en) Processing device and processing method
JP2001005191A (en) Development processing method and development processing device
TWI231950B (en) Substrate processing apparatus and cleaning method
JP2001252604A (en) Treating liquid discharge nozzle and liquid treating device
JP3934745B2 (en) Substrate transfer unit and wet processing apparatus using the same
JP3452795B2 (en) Coating film forming method and coating device
KR101935943B1 (en) Substrate treating apparatus and cleaning method for substrate treating apparatus
JP3773626B2 (en) Double-sided cleaning unit and wet processing apparatus using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000901

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120929

Year of fee payment: 12