JP3268236B2

JP3268236B2 - 電子写真感光体、及びビスヒドラゾン化合物およびその中間体、ならびにそれら化合物の製造方法

Info

Publication number: JP3268236B2
Application number: JP19590697A
Authority: JP
Inventors: 晃弘近藤
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-07-22
Filing date: 1997-07-22
Publication date: 2002-03-25
Anticipated expiration: 2017-07-22
Also published as: JPH1138659A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真プロセス
に使用される電子写真感光体、それに好適に用いられる
ビスヒドラゾン化合物およびその中間体、並びにビスヒ
ドラゾン化合物の製造方法、並びにビスヒドラゾン化合
物の中間体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、電子写真プロセスにおいては種
々の方式がある。その代表的なものとしては、従来、直
接方式や潜像転写方式等が知られている。このような電
子写真プロセスに使用される電子写真感光体において、
その光導電層を構成する光導電層材料として必要とされ
る基本的な性質には１）暗所においてコロナ放電による電荷の帯電性が高い
こと２）得られたコロナ放電による電荷が暗所において減衰
の少ないこと３）光照射によって電荷が速やかに散逸すること４）光の照射後の残留電荷が少ないこと５）繰り返し使用時による残留電位の増加、初期電位の
減少が少ないこと６）気温、湿度により電子写真特性の変化が少ないこと等の基本的な性質が必要とされる。

【０００３】この様な材料として、従来は酸化亜鉛（特
公昭５７−１９７８０号公報）、硫化カドミウム（特公
昭５８−４６０１８号公報）、非晶質セレン合金等の無
機系の光導電性材料が用いられてきたが、近年さまざま
な問題点が指摘されるようになった。すなわち、酸化亜
鉛系の材料においては、増感剤がコロナ放電による帯電
劣化や露光による光退色を生じるため、長期にわたって
安定した画像を与えることができない。硫化カドミウム
系の材料においては、多湿の条件下で安定した感度が得
られない。セレン系の材料においては、熱安定性、結晶
化による特性の劣化、製造上の困難性等である。そこで
将来的な展望から、資源の枯渇による生産面の問題や、
毒性による公害の心配、さらには環境面への問題がある
無機系の材料よりも、有機系の材料よりなる電子写真感
光体の研究が盛んに行われるようになり、その結果、さ
まざまな有機化合物を用いた電子写真感光体が研究され
るようになった。とりわけ、ここ数年の研究開発は、機
能分離型の感光体の概念を積極的に導入する方向にあ
り、その中でも特に導電層の上に電荷発生層と、正孔移
動性の電荷移動層とを順に積層し、電荷移動表面を負に
帯電させる方法が主流になっている。

【０００４】そしてこの様に、機能を分離させる事によ
り、電荷発生と電荷移動とのそれぞれの機能を個別に有
する材料を独立して開発できるようになり、その結果、
さまざまな分子構造を有する電荷発生物質、並びに電荷
移動物質が多数開発された。なお、これら有機化合物を
用いた電子写真感光体は導電性支持体の上に感光層を塗
布して製造される。その製造方法としてはシートの場合
にはベーカーアプリケーター、バーコーター等、ドラム
の場合にはスプレー法、垂直型リング法、浸漬塗工法な
どが知られているが、一般には装置が簡便であることか
ら浸漬塗工法が採用されている。

【０００５】ここで、電荷移動物質に注目して、それら
の中から代表的なものを構造的特徴から分類すると、ヒ
ドラゾン系（特開昭５４−５９１４３号公報）、スチル
ベン・スチリル系（特開昭５８−１９８０４３号公
報）、トリアリールアミン系（特公昭５８−３２３７２
号公報）、フェノチアジン系、トリアゾール系、キノキ
サリン系、オキサジアゾール系、オキサゾール系、ピラ
ゾリン系、トリフェニルメタン系、ジヒドロニコチンア
ミド化合物、インドリン化合物、セミカルバゾン化合物
等が開発されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
に電荷移動材料として数多くの有機化合物が開発されて
いるにもかかわらず、１）結着剤に対する相溶性が低い２）結晶が析出しやすい３）繰り返し使用した場合に感度変化が生じる４）帯電能、繰り返し特性が悪い５）残留電位特性が悪い等の問題点を全て満足する有機化合物はなく、先に挙げ
た感光体として要求される基本的な性質、更には機械的
強度、高耐久性等を満足するものは未だ充分に得られて
いないのが現状である。

【０００７】本発明の目的は、このような従来技術の課
題を解決すべくなされたものであり、高感度で高耐久性
を有する電子写真感光体及び、電子写真感光体のキャリ
ヤー移動材料として用いられる好適な新規なビスヒドラ
ゾン化合物、ならびにその好適な新規なビスヒドラゾン
化合物を合成するために必要な化合物中間体と、および
そのビスヒドラゾン化合物と中間体の製造方法を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
の高感度及び高耐久性を有する光導電性物質の研究を行
った結果、下記一般式（Ｉ）、（ＩＸ）で示されるビス
ヒドラゾン化合物を観光層中に含有せしめることが有効
であることを見いだし本発明に至った。

【０００９】すなわち本発明の電子写真感光体は、導電
性支持体上に設けられた感光層中に、下記一般式
（Ｉ）、（ＩＸ）で示されるビスヒドラゾ化合物を含有
せしめてあり、そのことにより上記目的が達成される。

【００１０】

【化１】

【００１１】（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₄
は置換基を含んでもよいアリール基、置換基を含んでも
よい複素環基、置換基を含んでもよいアラルキル基、置
換基を含んでもよい炭素数が１−５のアルキル基、置換
基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオロアルキル
基、または置換基を含んでもよい炭素数が１−５のパー
フルオロアルキル基を示す。また、Ａｒ₁とＡｒ₂、Ａｒ
₃とＡｒ₄はお互いに原子、原子団、置換基を含んでもよ
いアルキレン基、置換基を含んでもよいビニレン基また
は２価の連結基により環構造を形成しても良い。Ｒ₁は
置換基を含んでもよいアリール基、置換基を含んでもよ
い複素環基、置換基を含んでもよいアラルキル基、置換
基を含んでもよい炭素数が１−５のアルキル基、置換基
を含んでもよい炭素数が１−５のフルオロアルキル基、
または置換基を含んでもよい炭素数が１−５のパーフル
オロアルキル基を示す。ａは置換基を含んでもよい炭素
数１〜３のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が
１−５のフルオロアルキル基、置換基を含んでもよい炭
素数が１−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜３
のアルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、
ハロゲン原子あるいは水素原子を示し、ｎは１〜３の整
数を示す。ただしｎが２以上の時、複数のａの各々は同
一のものであってもよく、異なるものであってもよく、
お互いに環を形成してもよい。）

【００１２】

【化９】

【００１３】（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ｒ₁、ａおよびｎ
は上述したものと同義である。）前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物が下
記一般式（ＩＩ）で示される化合物であってもよい。

【００１４】

【化２】

【００１５】（式中、ｂ、ｄは置換基を含んでもよい炭
素数１−５のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数
が１−５のフルオロアルキル基、置換基を含んでもよい
炭素数が１−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１−
３のアルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ
基、ハロゲン原子または水素原子を示し、ｌ、ｍは１−
５の整数を示す。ただしｌ、ｍが２以上の時、複数の
ｂ、ｄの各々は同一のものであってもよく、異なるもの
であってもよく、お互いに環を形成してもよい。Ａ
ｒ₁、Ａｒ₃、Ｒ₁、ａおよびｎは上述したものと同義で
ある。）前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物が下
記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物であってもよい。

【００１６】

【化３】

【００１７】（式中、ｅは置換基を含んでもよい炭素数
１−５のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１
−５のフルオロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素
数が１−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜３の
アルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子あまたは水素原子を示し、ｑは１−１４の整
数を示す。ただしｑが２以上の時、複数のｅの各々は同
一のものであってもよく、異なるものであってもよく、
お互いに環を形成してもよい。ｐは２−５の正数を示
す。Ａｒ₁、Ｒ₁、ａ、ｄ、ｍおよびｎは上述したものと
同義である。）前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物が下
記一般式（ＩＶ）で示される化合物であってもよい。

【００１８】

【化４】

【００１９】（式中、ｅは置換基を含んでもよい炭素数
１−５のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１
−５のフルオロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素
数が１−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜３の
アルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子あまたは水素原子を示し、ｒは１−８の整数
を示す。ただしｒが２以上の時、複数のｅの各々は同一
のものであってもよく、異なるものであってもよく、お
互いに環を形成してもよい。Ａｒ₁、Ｒ₁、ａ、ｄ、ｍお
よびｎは上述したものと同義である。）前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物が下
記一般式（Ｖ）で示される化合物であってもよい。

【００２０】

【化５】

【００２１】（式中、ｆは置換基を含んでもよい炭素数
１−５のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１
−５のフルオロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素
数が１−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜３の
アルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子あまたは水素原子を示し、ｔは１−１４の整
数を示す。ただしｔが２以上の時、複数のｆの各々は同
一のものであってもよく、異なるものであってもよく、
お互いに環を形成してもよい。ｓは２−５の正数を示
す。Ａｒ₃、Ｒ₁、ａ、ｂ、ｌおよびｎは上述したものと
同義である。）前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物が下
記一般式（ＶＩ）で示される化合物であってもよい。

【００２２】

【化６】

【００２３】（式中、ｆは置換基を含んでもよい炭素数
１−５のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１
−５のフルオロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素
数が１−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜３の
アルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子あまたは水素原子を示し、ｕは１−８の整数
を示す。ただしｕが２以上の時、複数のｆの各々は同一
のものであってもよく、異なるものであってもよく、お
互いに環を形成してもよい。Ａｒ₃、Ｒ₁、ａ、ｂ、ｌお
よびｎは上述したものと同義である。）前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物が下
記一般式（ＶＩＩ）で示される化合物であってもよい。

【００２４】

【化７】

【００２５】（式中、ｅは置換基を含んでもよい炭素数
１−５のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１
−５のフルオロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素
数が１−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜３の
アルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子あまたは水素原子を示し、ｑは１−１４の整
数を示す。ただしｑが２以上の時、複数のｅの各々は同
一のものであってもよく、異なるものであってもよく、
お互いに環を形成してもよい。ｐは２−５の正数を示
す。ｆは置換基を含んでもよい炭素数１−５のアルキル
基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオロア
ルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のパー
フルオロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、炭
素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子あまた
は水素原子を示し、ｔは１−１４の整数を示す。ただし
ｔが２以上の時、複数のｆの各々は同一のものであって
もよく、異なるものであってもよく、お互いに環を形成
してもよい。ｓは２−５の正数を示す。Ａｒ₃、Ｒ₁、
ａ、ｂ、ｌおよびｎは請求項１で示したものと同義であ
る。Ｒ₁、ａ、およびｎは上述したものと同義であ
る。）前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物が下
記一般式（ＶＩＩＩ）で示される化合物であってもよ
い。

【００２６】

【化８】

【００２７】（式中、ｅは置換基を含んでもよい炭素数
１−５のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１
−５のフルオロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素
数が１−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜３の
アルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子あまたは水素原子を示し、ｒは１−８の整数
を示す。ただしｒが２以上の時、複数のｅの各々は同一
のものであってもよく、異なるものであってもよく、お
互いに環を形成してもよい。ｆは置換基を含んでもよい
炭素数１−５のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素
数が１−５のフルオロアルキル基、置換基を含んでもよ
い炭素数が１−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１
〜３のアルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ
基、ハロゲン原子あまたは水素原子を示し、ｕは１−８
の整数を示す。ただしｕが２以上の時、複数のｆの各々
は同一のものであってもよく、異なるものであってもよ
く、お互いに環を形成してもよい。Ｒ₁、ａ、およびｎ
は上述したものと同義である。）前記感光層が、電荷発生物質を含有せしめた電荷発生層
と、電荷移動物質を含有せしめた電荷移動層とのせきそ
う構造からなり、該電荷移動物質が前記ビスヒドラゾン
化合物からなってもよい。

【００２８】前記感光層が、電荷発生物質と電荷移動物
質とを含有せしめた単一層からなり、該電荷移動物質が
前記ビスヒドラゾン化合物からなってもよい。

【００２９】本発明のビスヒドラゾン化合物は、下記一
般式（Ｉ）、（ＩＸ）で示されるビスヒドラゾン化合物
であり、そのことにより上記目的が達成される。

【００３０】

【化１】

【００３１】（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃、Ａｒ₄、Ｒ
₁、ａ、ｎは上述したものと同義である。）

【００３２】

【化９】

【００３３】（式中、Ａｒ１，Ａｒ２、Ｒ１、ａおよび
ｎは上述したものと同義である。）

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【００３８】

【００３９】

【００４０】

【００４１】本発明のビスヒドラゾン化合物の中間体の
製造方法は、下記一般式（ＸＩ）で示されるベンゾ[ｂ]
フランモノヒドラゾン化合物誘導体からなるビスヒドラ
ゾン化合物の中間体を製造する方法であって、下記一般
式（Ｘ）で示されるベンゾ[ｂ]フラン化合物誘導体と、
下記一般式（ＸＩＶ）で示されるヒドラジン化合物誘導
体とを反応させており、そのことにより上記目的が達成
される。

【００４２】

【化１１】

【００４３】

【化１０】

【００４４】

【化１４】

【００４５】（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃、Ａｒ₄、Ｒ
₁、ａおよびｎは上述したものと同義である。）本発明のビスヒドラゾン化合物の製造方法は、下記一般
式（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物を製造する方
法であって、下記一般式（ＸＩ）で示されるベンゾ
［ｂ］フランモノヒドラゾン化合物誘導体と、下記一般
式（ＸＶ）で示されるヒドラジン化合物誘導体とを反応
させており、そのことにより上記目的が達成される。

【００４６】

【化１】

【００４７】

【化１１】

【００４８】

【化１５】

【００４９】（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃、Ａｒ₄、Ｒ
₁、ａおよびｎは上述したものと同義である。）本発明のビスヒドラゾン化合物の製造方法は、下記一般
式（ＩＸ）で示されるビスヒドラゾン化合物を製造する
方法であって、下記一般式（Ｘ）で示されるベンゾ
［ｂ］フラン化合物誘導体と、下記一般式（ＸＶ）で示
されるヒドラジン化合物誘導体とを反応させており、そ
のことにより上記目的が達成される。

【００５０】

【化９】

【００５１】

【化１０】

【００５２】

【化１５】

【００５３】（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ｒ₁、ａおよびｎ
は上述したものと同義である。）以下、本発明の作用について説明する。

【００５４】本発明のビスヒドラゾン化合物は新規な化
合物であり、上記一般式（Ｉ）、（ＩＸ）に示したよう
に広い共役系を有しているため、電荷移動度を高くして
電子写真感光体の残留電位特性を向上させることができ
る。また、本発明のビスヒドラゾン化合物は結着剤との
相溶性に優れているため、感光層中に多量に含有させて
電子写真感光体の光感度を向上させることが出来る。さ
らに、本発明のビスヒドラゾン化合物は結晶として析出
しにくいので、電子写真感光体の繰り返し使用時の特性
を安定させることが出来る。

【００５５】本発明のビスヒドラゾン化合物の製造方法
およびその中間体の製造方法によれば、極めて容易に高
い収量で本発明のビスヒドラゾン化合物および必要な中
間体を製造することができる。

【００５６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００５７】本発明のビスヒドラゾン化合物は、下記一
般式（Ｉ）、（ＩＸ）で示される。

【００５８】

【化１】

【００５９】

【化９】

【００６０】上記一般式（Ｉ）、（ＩＸ）中、Ａｒ₁、
Ａｒ₂、Ａｒ₃、Ａｒ₄は置換基を含んでもよいアリール
基、置換基を含んでもよい複素環基、置換基を含んでも
よいアラルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−
５のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５
のフルオロアルキル基、または置換基を含んでもよい炭
素数が１−５のパーフルオロアルキル基を示す。また、
Ａｒ₁とＡｒ₂、Ａｒ₃とＡｒ₄はお互いに原子、原子団、
置換基を含んでもよいアルキレン基、置換基を含んでも
よいビニレン基または２価の連結基により環構造を形成
しても良い。具体的なＡｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₄
の例としてはフェニル、トリル、メトキシフェニル、ナ
フチル、ピレニル、ビフェニル等のアリール基、ベンゾ
フリル、ベンチアゾリル、ベンゾオキサゾリル、Ｎ−エ
チルカルバゾリル等の複素環基、メチルベンジル、メト
キシベンジル、２−チエニルメチル等のアラルキル基、
メチル、エチル、ｎ−プロピル等のアルキル基、トリフ
ルオロメチル等のパーフルオロアルキル基、１，１，１
−トリフルオロエチル等のフルオロアルキル基があげら
れる。

【００６１】また、上記一般式（Ｉ）、（ＩＸ）中、Ｒ
₁は置換基を含んでもよいアリール基、置換基を含んで
もよい複素環基、置換基を含んでもよいアラルキル基、
置換基を含んでもよい炭素数が１−５のアルキル基、置
換基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオロアルキル
基、または置換基を含んでもよい炭素数が１−５のパー
フルオロアルキル基を示す。具体的なＲ₁の例として
は、フェニル、トリル、メトキシフェニル、ナフチル、
ピレニル、ビフェニル等のアリール基、ベンゾフリル、
ベンチアゾリル、ベンゾオキサゾリル、Ｎ−エチルカル
バゾリル等の複素環基、メチルベンジル、メトキシベン
ジル、２−チエニルメチル等のアラルキル基、メチル、
エチル、ｎ−プロピル等のアルキル基、トリフルオロメ
チル等のパーフルオロアルキル基、１，１，１−トリフ
ルオロエチル等のフルオロアルキル基があげられる。

【００６２】また、上記一般式（Ｉ）、（ＩＸ）中、ａ
は置換基を含んでもよい炭素数１〜３のアルキル基、置
換基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオロアルキル
基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のパーフルオ
ロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１
〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子あるいは水素
原子を示す。具体的なａの例としては、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、Ｉｓｏ−プロピル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉｓｏ−プロポ
キシ等のアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノ、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミノ等のジアルキルアミノ
基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、等があげら
れる。一般的に電子供与性の置換基であるのが好まし
い。

【００６３】さらに、上記一般式（Ｉ）、（ＩＸ）中、
ｎは１、２または３を示す。ただし、ｎが２以上の場
合、上述したａは、複数のａの各々が同一のものであっ
てもよく、異なるものであってもよく、お互いに環を形
成してもよい。

【００６４】特に、上記上記一般式（Ｉ）、（ＩＸ）で
示されるビスヒドラゾ化合物のうち、電子写真特性、コ
スト、および製造等の観点から優れたものとしては、Ａ
ｒ₁とＡｒ₂、Ａｒ₃とＡｒ₄のうちのいずれか一方がフェ
ニル基、ｐ−メチルフェニル基または２−チエニルメチ
ル基であり、他方がメチル基、エチル基またはフェニル
基であり、Ｒ１がメチル基あるいはトリフルオロメチル
基であり、ａが水素原子であるものがあげられる。

【００６５】次に前記一般式（Ｉ）、（ＩＸ）で示され
る本発明のビスヒドラゾン化合物の具体的な例として
は、例えば次の表１〜４に示す構造を有するものがあげ
られるが、これによって本発明のビスヒドラゾン化合物
が限定されるものではない。

【００６６】

【表１】

【００６７】

【表２】

【００６８】

【表３】

【００６９】

【表４】

【００７０】本発明のビスヒドラゾン化合物（Ｉ）は、
例えば以下のようにすれば容易に製造することが出来
る。

【００７１】まず、下記一般式（ＸＩＩ）で示されるホ
ルミルサリチルアルデヒド化合物誘導体と、下記一般式
（ＸＩＩＩ）で示されるα−ハロアシル化合物誘導体と
を反応させることにより、下記一般式（Ｘ）で示される
ベンゾ［ｂ］フラン化合物誘導体を製造する。

【００７２】

【化１０】

【００７３】

【化１２】

【００７４】

【化１３】

【００７５】（式中、Ｘは塩素原子および臭素原子等の
ハロゲン原子を示す。Ｒ₁、ａおよびｎは上述したもの
と同義である。）特に、Ｘとして塩素原子および臭素原
子を用いた場合には試薬の取り扱い易さ、反応性の面で
の利点を有する。

【００７６】この反応は、例えば、ジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエー
テルまたは１、４−ジオキサン等の溶剤中、または無溶
媒下において上記一般式（ＸＩＩ）で示されるホルミル
サリチルアルデヒド化合物誘導体の１．０当量と、上記
一般式（ＸＩＩＩ）で示されるα−ハロアシル化合物誘
導体の１．０当量から２０．０当量とを、トリエチルア
ミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、１，８
−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン、
１，５−ジアザビシクル「４．３．０」ノネ−５−エン
等の有機アミン塩基、または炭酸カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カルシュウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウ
ム、酢酸カルシュウム、シュウ酸カリウム、シュウ酸ナ
トリウム等の無機塩基の０．０１当量から４．００当量
と共に８０度から１３０度の温度で２時間から８時間加
熱撹拌することにより行われる。

【００７７】次に、得られた下記一般式（Ｘ）で示され
るベンゾ［ｂ］フラン化合物誘導体を下記一般式（ＸＩ
Ｖ）で示されるヒドラジン試薬と反応させることによ
り、下記一般式（ＸＩ）で示されるベンゾ［ｂ］フラン
モノヒドラゾン化合物誘導体を製造する。

【００７８】

【化１１】

【００７９】

【化１０】

【００８０】

【化１４】

【００８１】（式中、Ｒ₁、Ａｒ₃、Ａｒ₄、ａおよびｎ
は上述したものと同義である。）この反応は、例えば、エタノール、メタノール、テトラ
ヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテルま
たは１、４−ジオキサン等の溶剤中において、上記一般
式（Ｘ）で示されるベンゾ［ｂ］フラン化合物誘導体の
１．０当量と、上記一般式（ＸＩＶ）で示されるヒドラ
ジン試薬あるいはその塩酸塩０．９当量から１．１当量
とを、酢酸等の有機酸、あるいは酢酸ナトリウム、酢酸
カリウム等の有機塩の触媒量（０．００１当量から０．
１当量）と共に０度から３０度の温度で２時間から８時
間撹拌することにより行われる。

【００８２】次に、得られた下記一般式（ＸＩ）で示さ
れるベンゾ［ｂ］フランモノヒドラゾン化合物誘導体を
下記一般式（ＸＶ）で示されるヒドラジン試薬と反応さ
せることにより、下記一般式（Ｉ）で示される本発明の
ビスヒドラゾン化合物が得られる。

【００８３】

【化１】

【００８４】

【化１１】

【００８５】

【化１５】

【００８６】（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃、Ａｒ₄、Ｒ
₁、ａおよびｎは上述したものと同義である。）この反応は、例えば、エタノール、メタノール、テトラ
ヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテルま
たは１、４−ジオキサン等の溶剤中において、上記一般
式（ＸＩ）で示されるベンゾ［ｂ］フランモノヒドラゾ
ン化合物誘導体の１．０当量と、上記一般式（ＸＶ）で
示されるヒドラジン試薬あるいはその塩酸塩１．０当量
から１．５当量とを、酢酸等の有機酸、あるいは酢酸ナ
トリウム、酢酸カリウム等の有機塩の触媒量（０．００
１当量から０．１当量）と共に６０度から１１０度の温
度で２時間から８時間加熱撹拌することにより行われ
る。

【００８７】また、本発明のビスヒドラゾン化合物（Ｉ
Ｘ）は、例えば以下のようにすれば容易に製造すること
が出来る。

【００８８】下記一般式（Ｘ）で示されるベンゾ［ｂ］
フラン化合物誘導体を下記一般式（ＸＶ）で示されるヒ
ドラジン試薬と反応させることにより、下記一般式（Ｉ
Ｘ）で示される本発明のビスヒドラゾン化合物（ＩＸ）
を製造する。

【００８９】

【化９】

【００９０】

【化１０】

【００９１】

【化１５】

【００９２】（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ｒ₁、ａおよびｎ
は上述したものと同義である。）この反応は、例えば、エタノール、メタノール、テトラ
ヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテルま
たは１、４−ジオキサン等の溶剤中において、上記一般
式（Ｘ）で示されるベンゾ［ｂ］フラン化合物誘導体の
１．０当量と、上記一般式（ＸＶ）で示されるヒドラジ
ン試薬あるいはその塩酸塩２．０当量から３．０当量と
を、酢酸等の有機酸、あるいは酢酸ナトリウム、酢酸カ
リウム等の有機塩の触媒量（０．００１当量から０．１
当量）と共に６０度から１１０度の温度で２時間から８
時間加熱撹拌することにより行われる。

【００９３】本発明にかかる電子写真感光体は、以上に
示したビスヒドラゾン化合物を１種類あるいは２種類以
上含有させることによって得られる。また、場合によっ
ては他の電荷輸送材料として、次のスチリル化合物｛例
えば、β−フェニル−［４−（ベンジルアミノ）］スチ
ルベン、β−フェニル−［４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェ
ニルアミノ）］スチルベン、１，１−ビス（４−ジエチ
ルアミノフェニル）−４，４−ジフェニルブタジエ
ン｝、あるいは次のヒドラゾン化合物｛例えば、４−
（ジベンジルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルヒドラゾン、４−（エチルフェニルアミノ）ベン
ズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、４−ジ
（ｐ−トリルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルヒドラゾン、３，３−ビス−（４’−ジエチルア
ミノフェニル）−アクロレイン−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒ
ドラゾン｝、あるいは、次のトリフェニルアミン化合物
｛例えば４−メトキシ−４’−（４−メトキシスチリ
ル）トリフェニルアミン、４−メトキシ−４’−スチリ
ルトリフェニルアミン｝等を含有させることもできる。

【００９４】これらビスヒドラゾン化合物を電子写真感
光体として用いる態様には、種々の方法が考えられる。
例えば、ビスヒドラゾン化合物と増感染料を、必要によ
っては化学増感剤や電子吸引性化合物を添加して、結合
剤樹脂中に溶解もしくは分散させたものを導電性支持体
上に設けて成る感光体、あるいは、電荷キャリアー発生
効率の高いキャリアー発生層とキャリアー移動層とから
なる積層構造の形態において、導電性支持体上に増感染
料又はアゾ系顔料、フタロシアニン系顔料を代表とする
顔料を主体として設けられたキャリヤー発生層上に本発
明のビスヒドラゾン化合物を、必要によっては酸化防止
化合物や電子吸引性化合物を添加して結合剤中に溶解も
しくは分散させ、これをキャリヤー移動層として設けて
成る積層感光体などがあるが、いずれの場合にも適用す
ることが可能である。

【００９５】本発明の化合物を用いて感光体を作成する
に際しては、金属ドラム、金属板、導電性加工を施した
紙、プラスチックフィルムの様な支持体上へ重合体フィ
ルム形成性結合剤の助けを借りて皮膜にする。この場
合、更に感度を上げるためには、後述するような増感剤
及び重合性フィルム形成結合剤に対する可塑性を付与す
る物質を加えて均一な感光体皮膜にするのが望ましい。
これら重合性フィルム形成結合剤としては、利用分野に
応じて種々の物があげられる。すなわち、複写機用もし
くはプリンター用感光体の分野では、ポリスチレン樹
脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリスルホン樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、
ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリアリレート樹
脂等が望ましい。これらは、単独または２種以上混合し
て用いてもよい。なかでも、ポリスチレン、ポリカーボ
ネート、ポリアリレート、ポリフェニレンオキサイド等
の樹脂は、体積抵抗値が１０¹³Ω以上であり、また、皮
膜性、電位特性等にも優れている。

【００９６】また、これら結合剤の本発明のビスヒドラ
ゾン化合物に対して加える量は、重量比で０．２〜２０
倍の割合で、好ましくは０．５〜５倍の範囲で、０．２
未満になるとビスヒドラゾン化合物が感光体表面より析
出してくるという欠点が生じ、また、２０倍以上になる
と著しく感度低下をまねく。

【００９７】印刷版に使用するためには、特にアルカリ
性結合剤が必要である。アルカリ性結合剤とは、水また
はアルコール性のアルカリ性溶剤（混合系も含む）に可
溶な酸性基、例えば、酸無水物基、カルボキシル基、フ
ェノール性水酸基、スルホン酸基、スルホンアミド基、
又はスルホンイミド基を有する高分子物質である。これ
らアルカリ性結合剤樹脂は、通常、酸価が１００以上の
高い値を持っていることが好ましい。酸価の大きな結合
剤樹脂は、アルカリ性溶剤に易溶もしくは容易に膨潤化
する。これら結合剤樹脂としては、例えば、スチレン：
無水マレイン酸共重合体、酢ビ：無水マレイン酸共重合
体、酢ビ：クロトン酸共重合体、メタクリル酸：メタク
リル酸エステル共重合体、フェノール樹脂、メタクリル
酸：スチレン：メタクリル酸エステル共重合体等であ
る。また、これら樹脂の光導電性有機物質に対して加え
る割合は、複写機用感光体の場合と大略同じでよい。

【００９８】次に、感光層中に添加される増感染料とし
ては、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、
ナイトブルー、ビクトリアブルー等で代表されるトリフ
ェニルメタン系染料、エリスロシン、ローダミンＢ、ロ
ーダミン３Ｒ、アクリジンオレンジ、フラペオシン等に
代表されるアクリジン染料、メチレンブルー、メチレン
グリーン等に代表されるチアジン染料、カプリブルー、
メルドラブルー等に代表されるオキサジン染料、その他
シアニン染料、スチリル染料、ピリリウム塩染料、チオ
ピリリウム塩染料などがある。

【００９９】また、感光層において、光吸収によって極
めて高い効率で電荷キャリアーを発生させる光導電性の
顔料としては、各種金属フタロシアニン、無金属フタロ
シアニン、ハロゲン化無金属フタロシアニンなどのフタ
ロシアニン系顔料、ペリレンイミド、ペリレン酸無水物
等のペリレン酸顔料、ビスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔
料等のアゾ系顔料、その他キナクリドン系顔料、アント
ラキノン系顔料などがある。特に、電荷キャリアーを発
生する顔料に無金属フタロシアニン顔料、チタニルフタ
ロシアニン顔料、フロレン、フロレノン環を含有するビ
スアゾ顔料、芳香族アミンから成るビスアゾ顔料、トリ
スアゾ顔料を用いたものは高い感度を示す秀れた電子写
真感光体を与える。

【０１００】また、前述の染料も電荷キャリアー発生物
質として用いてもよい。これら染料は、単独で使用して
もよいが、顔料を共存させることにより更に高い効率で
電荷キャリアーを発生させる場合が多い。

【０１０１】以上にあげた分光増感剤とは別に、繰り返
し使用に対しての残留電位の増加、帯電電位の低下、感
度の低下等を防止する目的で種々の化学物質を添加する
場合が必要となってくる。これら添加する物質として
は、１−クロルアントラキノン、ベンゾキノン２，３−
ジクロロナフトキノン、ナフトキノン、４，４’−ジニ
トロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノ
ン、４−ニトロベンゾフェノン、４−ニトロベンザルマ
ロンジニトリル、α−シアノ−β−（ｐ−シアノフェニ
ル）アクリル酸エチル、９−アントラセニルメチルマロ
ンジニトリル、１−シアノ−１−（ｐ−ニトロフェニ
ル）−２−（ｐ−クロルフェニル）エチレン、２，７−
ジニトロフルオレノン等の電子吸引性化合物があげられ
る。その他、感光体中への添加物として、酸化防止剤、
カール防止剤、レベリング剤などを必要に応じて添加す
ることができる。

【０１０２】本発明のビスヒドラゾン化合物は感光体の
形態に応じて上記の種々の添加物質と共に適当な溶剤中
に溶解又は分散し、その塗布液を先に述べた導電性支持
体上に塗布し、乾燥して感光体を製造する。塗布溶剤と
しては、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロ
ロエタンなどのハロゲン化炭化水素、ジオキサン、ジメ
トキシメチルエーテル、ジメチルホルムアミドなどの溶
剤の単独又は２種以上の混合溶剤、または必要に応じて
アルコール類、アセトニトリル、メチルエチルケトンな
どの溶剤を更に加え使用することができる。

【０１０３】本発明の電子写真感光体は前記一般式
（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物をキャリアー移
動物質として用いるもので、その態様には種々の方法が
考えられるが、感光体の構成を図１から図６に模式的に
示す。

【０１０４】図１は、導電性支持体１の上に感光層４と
して、キャリアー発生物質２を主成分としてバインダー
中に分散させたキャリアー発生層５とキャリアー移動物
質３を主成分としてバインダー中に分散させたキャリア
ー移動層６との積層より成る機能分離型感光体であり、
キャリアー発生層５の表面にキャリアー移動層６が形成
されており、このキャリアー移動層６中にキャリアー移
動物質３として、本発明のビスヒドラゾン化合物を用い
た感光体の構成を示すものである。

【０１０５】図２は、図１と同一のキャリアー発生層５
と、キャリアー移動層６との積層よりなる機能分離型感
光体出あるが、第１図とは逆にキャリアー移動層６の表
面にキャリアー発生層５が形成されており、このキャリ
アー移動層６中にキャリアー移動物質３として、本発明
のビスヒドラゾン化合物を用いた感光体の構成を示すも
のである。

【０１０６】図３は導電性支持体１の上に感光層４とし
て、キャリアー発生物質２と、キャリアー移動物質３を
バインダー中に分散させた単層よりなる感光体の構成を
示すものである。

【０１０７】図４は導電性支持体１と図１と同一の感光
層４の間に中間層８を設けたものであり、積層よりなる
機能分離型感光体の構成を示すものである。

【０１０８】図５は導電性支持体１と図３と同一の感光
層４’の間に中間層８を設けたものであり、単層よりな
る感光体の構成を示すものである。

【０１０９】なお、導電性支持体１と感光層４との間に
設けられる中間層８は、保護機能や接着機能を付与し、
塗工性を高め、さらには基板から感光層への電荷注入改
善を目的としたものであり、このような材料としては、
カゼイン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコー
ル、ニトロセルロース、エチレンーアクリル酸コポリマ
ー、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン
６１０、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロン
など）、ポリウレタン、ゼラチン酸化アルミニウムなど
が適当である。

【０１１０】以下に、本発明のさらに具体的な実施形態
について説明するが、本発明はこれによりなんら限定さ
れるものではない。

【０１１１】（実施形態１）実施形態１では例示化合物
Ｎｏ３に示したビスヒドラゾン化合物を製造した。

【０１１２】（１）５−ホルミル−２−アセチルベン
ゾ［ｂ］フランの製造５−ホルミルサリチルアルデヒド５．０ｇ（１．０当
量）をエタノール１５ｍｌに溶解して、モノクロロアセ
トン３．２５ｇ（１．０５当量）を加える。ついで室温
下、ジイソプロピルエチルアミン８．７ｍｌ（１．５０
当量）を加える。反応温度を６０から７０度に保ち５時
間、加熱撹拌する。反応の終了を薄層クロマトグラフィ
ー（Ｔ．Ｌ．Ｃ．）により確認した後、放冷する。生じ
た固形物を濾別し、エタノールで洗浄する。この固形物
をエタノールより再結晶を行うことにより目的とする５
−ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン５．８ｇ
が白色結晶として得られた（収率９２．６％）。

【０１１３】このようにして得られた５−ホルミル−２
−アセチルベンゾ［ｂ］フランの構造確認は１Ｈ−ＮＭ
Ｒ、通常１３Ｃ−ＮＭＲ、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭ
Ｒを測定することにより行った。１Ｈ−ＮＭＲの測定結
果を図６に示し、通常１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図７
に示し、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図
８に示す。これらのＮＭＲシグナルは、目的とする５−
ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フランの構造を良
く支持している。

【０１１４】（２）５−ホルミル−２−アセチルベン
ゾ［ｂ］フランＮ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジンモ
ノヒドラゾン化合物の製造５−ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン２．０
ｇ（１．０当量）をエタノール１０ｍｌに溶解して、Ｎ
−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジン１．３６ｇ（１．０
５当量），触媒として酢酸０．１ｍｌを０度にて加えそ
の後室温に保ち１５時間、撹拌する。反応の終了を薄層
クロマトグラフィー（Ｔ．Ｌ．Ｃ．）により確認した
後、生じた固形物を濾別し、エタノールで洗浄する。こ
の固形物をエタノールより再結晶を行うことにより目的
とする５−ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン
のＮ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジンモノヒドラゾン
化合物２．７３ｇが淡黄色結晶として得られた（収率８
７．９％）。

【０１１５】このようにして得られた５−ホルミル−２
−アセチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−メチル−Ｎ−フェ
ニルヒドラジンモノヒドラゾン化合物の構造確認は１Ｈ
−ＮＭＲ、通常１３Ｃ−ＮＭＲ、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ
−ＮＭＲを測定することにより行った。１Ｈ−ＮＭＲの
測定結果を図９に示し、通常１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果
を図１０に示し、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲの測定
結果を図１１に示す。これらのＮＭＲシグナルは、目的
とする５−ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン
のＮ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジンモノヒドラゾン
化合物の構造を良く支持している。

【０１１６】（３）ビスヒドラゾン化合物（例示化合
物Ｎｏ３）の製造５−ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−
フェニルヒドラゾン１．０ｇ（１．０当量）をエタノー
ル６ｍｌに溶解して、Ｎ−アミノインドリン０．５１ｇ
（１．１当量），触媒として酢酸０．０５ｍｌを室温に
て加えその後６０−７０度に保ち５時間、加熱撹拌す
る。反応の終了を薄層クロマトグラフィー（Ｔ．Ｌ．
Ｃ．）により確認した後、放冷し。生じた固形物を濾別
し、エタノールで洗浄する。この固形物をエタノールよ
り再結晶を行うことにより目的とするビスヒドラゾン化
合物（例示化合物Ｎｏ３）が１．３５ｇ黄色結晶として
得られた（収率９３．０％）。

【０１１７】このようにして得られたビスヒドラゾン化
合物（例示化合物Ｎｏ３）の構造確認は１Ｈ−ＮＭＲ、
通常１３Ｃ−ＮＭＲ、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲを
測定することにより行った。１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を
図１２に示し、通常１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図１３
に示し、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図
１４に示す。これらのＮＭＲシグナルは、目的とするビ
スヒドラゾン化合物（例示化合物Ｎｏ３）の構造を良く
支持している。

【０１１８】（実施形態２）実施形態２では例示化合物
Ｎｏ２に示したビスヒドラゾン化合物を製造した。

【０１１９】（１）５−ホルミル−２−アセチルベン
ゾ［ｂ］フランのＮ−アミノインドリンによるモノヒド
ラゾン化合物の製造５−ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン２．０
ｇ（１．０当量）をエタノール１０ｍｌに溶解して、Ｎ
−アミノインドリン１．４７ｇ（１．０３当量）、触媒
として酢酸０．１ｍｌを０度にて加えその後室温に保ち
１５時間、撹拌する。反応の終了を薄層クロマトグラフ
ィー（Ｔ．Ｌ．Ｃ．）により確認した後、生じた固形物
を濾別し、エタノールで洗浄する。この固形物をエタノ
ールより再結晶を行うことにより目的とする５−ホルミ
ル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−アミノイン
ドリンモノヒドラゾン３．０９ｇが淡黄色結晶として得
られた（収率９５．５％）。

【０１２０】このようにして得られた５−ホルミル−２
−アセチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−アミノインドリン
−モノヒドラゾンの構造確認は１Ｈ−ＮＭＲ、通常１３
Ｃ−ＮＭＲ、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲを測定する
ことにより行った。１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図１５に
示し、通常１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図１６に示し、
ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図１７に示
す。これらのＮＭＲシグナルは、目的とする５−ホルミ
ル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−アミノイン
ドリンモノヒドラゾンの構造を良く支持している。

【０１２１】（２）ビスヒドラゾン化合物（例示化合
物Ｎｏ２）の製造５−ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−
アミノインドリンモノヒドラゾン１．０ｇ（１．０当
量）をエタノール６ｍｌに溶解して、Ｎ−メチル−Ｎ−
フェニルヒドラジン０．４８ｇ（１．２当量），触媒と
して酢酸０．０５ｍｌを室温にて加えその後６０−７０
度に保ち５時間、加熱撹拌する。反応の終了を薄層クロ
マトグラフィー（Ｔ．Ｌ．Ｃ．）により確認した後、放
冷し。生じた固形物を濾別し、エタノールで洗浄する。
この固形物をエタノールより再結晶を行うことにより目
的とするビスヒドラゾン化合物（例示化合物Ｎｏ２）が
１．２８ｇ黄色結晶として得られた（収率９１．８
％）。

【０１２２】このようにして得られたビスヒドラゾン化
合物（例示化合物Ｎｏ２）の構造確認は１Ｈ−ＮＭＲ、
通常１３Ｃ−ＮＭＲ、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲを
測定することにより行った。１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を
図１８に示し、通常１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図１９
に示し、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図
２０に示す。これらのＮＭＲシグナルは、目的とするビ
スヒドラゾン化合物（例示化合物Ｎｏ２）の構造を良く
支持している。

【０１２３】（実施形態３）実施形態３では例示化合物
Ｎｏ１に示したビスヒドラゾン化合物を製造した。

【０１２４】ビスヒドラゾン化合物（例示化合物Ｎｏ
１）の製造５−ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン１．０
ｇ（１．０当量）をエタノール１０ｍｌに溶解して、Ｎ
−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジン１．５６ｇ（２．４
当量），触媒として酢酸０．１ｍｌを室温にて加える。
その後、７０−８０度に加熱し、１５時間加熱撹拌す
る。反応の終了を薄層クロマトグラフィー（Ｔ．Ｌ．
Ｃ．）により確認した後、生じた固形物を濾別し、エタ
ノールで洗浄する。この固形物をエタノールより再結晶
を行うことにより目的とするビスヒドラゾン化合物（例
示化合物Ｎｏ１）１．９５ｇが淡黄色結晶として得られ
た（収率９２．６％）。

【０１２５】このようにして得られたビスヒドラゾン化
合物（例示化合物Ｎｏ１）の構造確認は１Ｈ−ＮＭＲ、
通常１３Ｃ−ＮＭＲ、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲを
測定することにより行った。１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を
図２１に示し、通常１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図２２
に示し、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図
２３に示す。これらのＮＭＲシグナルは、目的とするビ
スヒドラゾン化合物（例示化合物Ｎｏ１）の構造を良く
支持している。

【０１２６】（実施形態４）実施形態４では例示化合物
Ｎｏ４に示したビスヒドラゾン化合物を製造した。

【０１２７】ビスヒドラゾン化合物（例示化合物Ｎｏ
４）の製造５−ホルミル−２−アセチルベンゾ［ｂ］フラン１．０
ｇ（１．０当量）をエタノール１０ｍｌに溶解して、Ｎ
−アミノインドリン１．７１ｇ（２．４当量），触媒と
して酢酸０．１ｍｌを室温にて加える。その後、７０−
８０度に加熱し、１５時間加熱撹拌する。反応の終了を
薄層クロマトグラフィー（Ｔ．Ｌ．Ｃ．）により確認し
た後、生じた固形物を濾別し、エタノールで洗浄する。
この固形物をエタノールより再結晶を行うことにより目
的とするビスヒドラゾン化合物（例示化合物Ｎｏ１）
２．１０ｇが淡黄色結晶として得られた（収率９４．０
％）。

【０１２８】このようにして得られたビスヒドラゾン化
合物（例示化合物Ｎｏ４）の構造確認は１Ｈ−ＮＭＲ、
通常１３Ｃ−ＮＭＲ、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲを
測定することにより行った。１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を
図２４に示し、通常１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図２５
に示し、ＤＥＰＴ１３５１３Ｃ−ＮＭＲの測定結果を図
２６に示す。これらのＮＭＲシグナルは、目的とするビ
スヒドラゾン化合物（例示化合物Ｎｏ４）の構造を良く
支持している。

【０１２９】（実施形態５）本実施形態５では、上記図
１に示した電化移動層６に含有される電荷輸送物質３と
して、例示化合物Ｎｏ１、３、１０、２４、３９に示し
たビスヒドラゾン化合物の各々を含有させた積層構造の
感光層４を形成して、５種類の電子写真感光体を製造し
た。

【０１３０】アルミ蒸着のポリエステルフィルム（膜厚
８０μｍ）を支持体とし、その上に下記構造式（ＸＶ
Ｉ）で示されるビスアゾ顔料をフェノキシ樹脂（ユニオ
ンカーバイド製：ＰＫＨＨ）の１％ＴＨＦ溶液中に重量
比で樹脂と同量加え、ついでペイントコンディショナー
（レッドデビル社製）の中で直径１．５ｍｍのガラスビ
ーズと一緒の状態で約２時間分散を行いドクターブレイ
ド法により塗布、乾燥した。乾燥後の膜厚は０．２μｍ
であった。

【０１３１】

【化１６】

【０１３２】この顔料層（電荷発生層）の上に本発明の
例示化合物Ｎｏ１、Ｎｏ３、Ｎｏ１０、Ｎｏ２４、ある
いはＮｏ３９を１ｇとポリアリレート樹脂（ユニチカ
製：Ｕ−１００）１．２ｇを塩化メチレンに溶かした溶
液（１５％）をスキージングドクターにより塗布し、乾
燥膜厚２５μｍの樹脂−ビスアミン化合物固溶相（電荷
移動層）を作成した。

【０１３３】上記のように作成した積層型電子写真感光
体の電子写真特性は、静電記録紙試験装置（川口電機
製：ＳＰ−４２８）により評価した。測定条件は、加電
圧：−６ｋＶ、スタティック：Ｎｏ．３であり、白色光
照射（照射光：５ルックス）による−７００Ｖから−１
００Ｖに減衰させるに要する露光量Ｅ₁₀₀（ルックス・
秒）及び初期電位Ｖ₀（−ボルト）を測定し、その値を
表５に示した。さらに同装置を用いて、加電ー除電（除
電光：４０ルックスの白色光を１秒照射）を１サイクル
として１万回同様の操作を行った後の露光量Ｅ₁₀₀（ル
ックス・秒）及び初期電位Ｖ₀（−ボルト）を測定し、
Ｅ₁₀₀及びＶ₀の変化を調べた。

【０１３４】

【表５】

【０１３５】表５により、本発明のビスエナミン化合物
は感度繰り返し特性も良好であることがわかった。

【０１３６】（実施形態６）本実施形態６では、上記図
１に示した電化移動層６に含有される電荷輸送物質３と
して、例示化合物Ｎｏ２に示したビスヒドラゾン化合物
の各々を含有させた積層構造の感光層４を形成して、電
子写真感光体を製造した。

【０１３７】アルミ蒸着のポリエステルフィルム上に下
記（ＸＶＩＩ）式で示すｘ型無金属フタロシアニン（大
日本インキ社製：ファストゲンブルー８１２０）０．４
ｇを塩ビ：酢ビ共重合体樹脂（積水化学社製：エスレッ
クスＭ）０．３ｇを溶かした酢酸エチル溶液３０ｍｌ中
に加え、ペイントコンディショナー中で約２０分間分散
を行い、ドクターブレイド法により塗布し、乾燥後の膜
厚が０．４μｍになるように電荷発生層を形成させた。

【０１３８】

【化１７】

【０１３９】この電荷発生層の上に本発明の例示化合物
Ｎｏ２のビスヒドラゾン化合物を重量比５０％含有した
ポリアリレート層を積層して２層からなる感光体を作成
した。

【０１４０】本感光体の７８０ｎｍの光を用いて電位半
減に要したエネルギー（Ｅ₅₀）及び初期電位（−Ｖ₀）
を求めたところ、Ｖ₀＝−７５０（ボルト）、Ｅ₅₀＝
０．２２（ｕＪ）と非常に感度の高い、かつ高帯電性の
感光体であった。

【０１４１】また、シャープ社製レーザープリンター
（ＷＤ−５８０Ｐ）を改造し、ドラム部に本感光体を張
り付け、連続空コピー（ＮｏｎＣｏｐｙＡｇｉｎ
ｇ）を１万回を行った後その初期電位低下、感度の低下
の度合いも調べた。その結果、Ｖ₀＝−７３０（ボル
ト），Ｅ₅₀＝０．２３（ｕＪ）と第１回目と比べてほと
んど値の変動が見られなかった。

【０１４２】（実施形態７）本実施形態７では、上記図
３に示した電荷輸送物質３として、例示化合物Ｎｏ４、
７、１９、４１に示したビスヒドラゾン化合物の各々を
含有させた単一層の感光層４を形成して、４種類の電子
写真感光体を製造した。

【０１４３】アルミ基板表面をアルマイト加工（アルマ
イト層：７μｍ）した支持体上に本発明の例示化合物Ｎ
ｏ４、Ｎｏ７、Ｎｏ１９、あるいはＮｏ４１を１ｇ、下
記構造式（ＸＶＩＩＩ）で示されるポリカーボネート樹
脂１．１ｇ、Ｎ，Ｎ−３，５−キシリル−３，４，９，
１０−ペリレンテトラカルボキシルイミド０．１５ｇ及
び紫外線吸収剤０．０５ｇを塩化メチレンに溶かした
（イミド化合物は一部分散状態）溶液をアプリケーター
により塗布し、乾燥膜厚２０μｍの単層感光体を得た。

【０１４４】

【化１８】

【０１４５】上記のように作成した感光体の電子写真特
性は、静電記録紙試験装置により評価した。測定条件
は、加電圧：５．５ｋＶ、スタティック：Ｎｏ．３で行
った。白色光照射による＋７００Ｖから＋１００Ｖに減
衰させるに要する露光量Ｅ₁₀₀（ルックス・秒）を測定
し、その値を表６に示した。また、一万回の空コピーテ
ストを行い、感度（Ｅ₁₀₀）の低下の度合いも表６に示
した。

【０１４６】

【表６】

【０１４７】表６より本発明のビスヒドラゾン合物を用
いた感光体は、正帯電においても優れた感度及び繰り返
し特性を有する感光体であることがわかった。

【０１４８】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明のベンゾ
フラン骨格を有するビスヒドラゾン化合物は、今までに
無い新規な化合物である。また、本発明のビスヒドラゾ
ン化合物製造方法、及びその中間体の製造方法によれ
ば、本発明のビスヒドラゾン化合物を極めて容易に高収
率で製造することが出来る。

【０１４９】本発明のビスヒドラゾン合物を含有する感
光体は高感度で高耐久性を有する有機質の電子写真感光
体であり、無機系の物に比べて、無毒で資源的にも問題
がなく、透明性がよく、軽量で成膜性も優れており、正
負の両帯電性を有し、感光体の製造も容易という有機系
感光体の利点を備えているとともに、繰り返し使用でも
光感度の低下がほとんど起こらないという優れた特性を
備えている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のビスヒドラゾン化合物をも引いた電子
写真感光体の層構成を模式的に示した断面図である。

【図２】本発明のビスヒドラゾン化合物をも引いた電子
写真感光体の層構成を模式的に示した断面図である。

【図３】本発明のビスヒドラゾン化合物をも引いた電子
写真感光体の層構成を模式的に示した断面図である。

【図４】本発明のビスヒドラゾン化合物をも引いた電子
写真感光体の層構成を模式的に示した断面図である。

【図５】本発明のビスヒドラゾン化合物をも引いた電子
写真感光体の層構成を模式的に示した断面図である。

【図６】重クロロホルム中での５−ホルミル−２−アセ
チルベンゾ［ｂ］フランの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図７】重クロロホルム中での５−ホルミル−２−アセ
チルベンゾ［ｂ］フランの１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを
示である。

【図８】重クロロホルム中での５−ホルミル−２−アセ
チルベンゾ［ｂ］フランのＤＥＰＴ１３５での１３Ｃ−
ＮＭＲスペクトルである。

【図９】重クロロホルム中での５−ホルミル−２−アセ
チルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒ
ドラジンモノヒドラゾンの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図１０】重クロロホルム中での５−ホルミル−２−ア
セチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル
ヒドラジンモノヒドラゾンの１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル
である。

【図１１】重クロロホルム中での５−ホルミル−２−ア
セチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル
ヒドラジンモノヒドラゾンのＤＥＰＴ１３５での１３Ｃ
−ＮＭＲスペクトルである。

【図１２】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ３）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図１３】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ３）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図１４】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ３）のＤＥＰＴ１３５での１３Ｃ−Ｎ
ＭＲスペクトルである。

【図１５】重クロロホルム中での５−ホルミル−２−ア
セチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−アミノインドリンモノ
ヒドラゾンの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。

【図１６】重クロロホルム中での５−ホルミル−２−ア
セチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−アミノインドリンモノ
ヒドラゾンの１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。

【図１７】重クロロホルム中での５−ホルミル−２−ア
セチルベンゾ［ｂ］フラン−Ｎ−アミノインドリンモノ
ヒドラゾンのＤＥＰＴ１３５での１３Ｃ−ＮＭＲスペク
トルである。

【図１８】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ２）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図１９】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ２）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図２０】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ２）のＤＥＰＴ１３５の１３Ｃ−ＮＭ
Ｒスペクトルである。

【図２１】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ１）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図２２】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ１）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図２３】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ１）のＤＥＰＴ１３５で１３Ｃ−ＮＭ
Ｒスペクトルである。

【図２４】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ４）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図２５】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ４）の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図２６】重クロロホルム中でのビスヒドラゾン化合物
（例示化合物Ｎｏ４）のＤＥＰＴ１３５で１３Ｃ−ＮＭ
Ｒスペクトルである。

【符号の説明】

１導電性支持体２電荷発生物質３電荷移動物質４，４’ 感光層５電荷発生層６電荷移動層７中間層

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に設けられた感光層中
に、下記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラゾン化合物
を含有せしめてあることを特徴とする電子写真感光体。【化１】（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は置換基を含
んでもよいアリール基、置換基を含んでもよい複素環
基、置換基を含んでもよいアラルキル基、置換基を含ん
でもよい炭素数が１−５のアルキル基、置換基を含んで
もよい炭素数が１−５のフルオロアルキル基、または置
換基を含んでもよい炭素数が１−５のパーフルオロアル
キル基を示す。また、Ａｒ1とＡｒ2、Ａｒ3とＡｒ4はお
互いに原子、原子団、置換基を含んでもよいアルキレン
基、置換基を含んでもよいビニレン基または２価の連結
基により環構造を形成しても良い。Ｒ1は置換基を含ん
でもよいアリール基、置換基を含んでもよい複素環基、
置換基を含んでもよいアラルキル基、置換基を含んでも
よい炭素数が１−５のアルキル基、置換基を含んでもよ
い炭素数が１−５のフルオロアルキル基、または置換基
を含んでもよい炭素数が１−５のパーフルオロアルキル
基を示す。ａは置換基を含んでもよい炭素数１〜３のア
ルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のフル
オロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５
のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ
基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子
あるいは水素原子を示し、ｎは１〜３の整数を示す。た
だしｎが２以上の時、複数のａの各々は同一のものであ
ってもよく、異なるものであってもよく、お互いに環を
形成してもよい。）
【請求項２】前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラ
ゾン化合物が、下記一般式（ＩＩ）で示される化合物で
ある請求項１に記載の電子写真感光体。【化２】（式中、ｂ、ｄは置換基を含んでもよい炭素数１−５の
アルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のフ
ルオロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−
５のパーフルオロアルキル基、炭素数１−３のアルコキ
シ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原
子または水素原子を示し、ｌ、ｍは１−５の整数を示
す。ただしｌ、ｍが２以上の時、複数のｂ、ｄの各々は
同一のものであってもよく、異なるものであってもよ
く、お互いに環を形成してもよい。Ａｒ1、Ａｒ3、Ｒ
1、ａおよびｎは請求項１で示したものと同義であ
る。）
【請求項３】前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラ
ゾン化合物が、下記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物
である請求項１に記載の電子写真感光体。【化３】（式中、ｅは置換基を含んでもよい炭素数１−５のアル
キル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオ
ロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５の
パーフルオロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ
基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子
あまたは水素原子を示し、ｑは１−１４の整数を示す。
ただしｑが２以上の時、複数のｅの各々は同一のもので
あってもよく、異なるものであってもよく、お互いに環
を形成してもよい。ｐは２−５の正数を示す。Ａｒ1、
Ｒ1、ａ、ｄ、ｍおよびｎは請求項１で示したものと同
義である。）
【請求項４】前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラ
ゾン化合物が下記構造式（ＩＶ）で示される化合物であ
る請求項１に記載の電子写真感光体。【化４】（式中、ｅは置換基を含んでもよい炭素数１−５のアル
キル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオ
ロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５の
パーフルオロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ
基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子
あまたは水素原子を示し、ｒは１−８の整数を示す。た
だしｒが２以上の時、複数のｅの各々は同一のものであ
ってもよく、異なるものであってもよく、お互いに環を
形成してもよい。Ａｒ1、Ｒ1、ａ、ｄ、ｍおよびｎは請
求項１で示したものと同義である。）
【請求項５】前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラ
ゾン化合物が下記構造式（Ｖ）で示される化合物である
請求項１に記載の電子写真感光体。【化５】（式中、ｆは置換基を含んでもよい炭素数１−５のアル
キル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオ
ロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５の
パーフルオロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ
基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子
あまたは水素原子を示し、ｔは１−１４の整数を示す。
ただしｔが２以上の時、複数のｆの各々は同一のもので
あってもよく、異なるものであってもよく、お互いに環
を形成してもよい。ｓは２−５の正数を示す。Ａｒ3、
Ｒ1、ａ、ｂ、ｌおよびｎは請求項１で示したものと同
義である。）
【請求項６】前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラ
ゾン化合物が下記構造式（ＶＩ）示される化合物である
請求項１に記載の電子写真感光体。【化６】（式中、ｆは置換基を含んでもよい炭素数１−５のアル
キル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオ
ロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５の
パーフルオロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ
基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子
あまたは水素原子を示し、ｕは１−８の整数を示す。た
だしｕが２以上の時、複数のｆの各々は同一のものであ
ってもよく、異なるものであってもよく、お互いに環を
形成してもよい。Ａｒ3、Ｒ1、ａ、ｂ、ｌおよびｎは請
求項１で示したものと同義である。）
【請求項７】前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラ
ゾン化合物が下記構造式（ＶＩＩ）示される化合物であ
る請求項１に記載の電子写真感光体。【化７】（式中、ｅは置換基を含んでもよい炭素数１−５のアル
キル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオ
ロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５の
パーフルオロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ
基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子
あまたは水素原子を示し、ｑは１−１４の整数を示す。
ただしｑが２以上の時、複数のｅの各々は同一のもので
あってもよく、異なるものであってもよく、お互いに環
を形成してもよい。ｐは２−５の正数を示す。ｆは置換
基を含んでもよい炭素数１−５のアルキル基、置換基を
含んでもよい炭素数が１−５のフルオロアルキル基、置
換基を含んでもよい炭素数が１−５のパーフルオロアル
キル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜３の
ジアルキルアミノ基、ハロゲン原子あまたは水素原子を
示し、ｔは１−１４の整数を示す。ただしｔが２以上の
時、複数のｆの各々は同一のものであってもよく、異な
るものであってもよく、お互いに環を形成してもよい。
ｓは２−５の正数を示す。Ａｒ3、Ｒ1、ａ、ｂ、ｌおよ
びｎは請求項１で示したものと同義である。Ｒ1、ａ、
およびｎは請求項１で示したものと同義である。）
【請求項８】前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラ
ゾン化合物が下記構造式（ＶＩＩＩ）示される化合物で
ある請求項１に記載の電子写真感光体。【化８】（式中、ｅは置換基を含んでもよい炭素数１−５のアル
キル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５のフルオ
ロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５の
パーフルオロアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ
基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子
または水素原子を示し、ｒは１−８の整数を示す。ただ
しｒが２以上の時、複数のｅの各々は同一のものであっ
てもよく、異なるものであってもよく、お互いに環を形
成してもよい。ｆは置換基を含んでもよい炭素数１−５
のアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１−５の
フルオロアルキル基、置換基を含んでもよい炭素数が１
−５のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜３のアルコ
キシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン
原子あまたは水素原子を示し、ｕは１−８の整数を示
す。ただしｕが２以上の時、複数のｆの各々は同一のも
のであってもよく、異なるものであってもよく、お互い
に環を形成してもよい。Ｒ1、ａ、およびｎは請求項１
で示したものと同義である。）
【請求項９】前記一般式（Ｉ）で示されるビスヒドラ
ゾン化合物が、下記一般式（ＩＸ）で示される化合物で
ある請求項１に記載の電子写真感光体。【化９】（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ1、ａおよびｎは請求項１で
示したものと同義である。）
【請求項１０】前記感光層が、電荷発生物質を含有せ
しめた電荷発生層と、電荷移動物質を含有せしめた電荷
移動層との積層構造からなり、該電荷移動物質が前記ビ
スヒドラゾン化合物からなる請求項１乃至８のいずれか
１つに記載の電子写真感光体。
【請求項１１】前記感光層が電荷発生物質と電荷移動
物質とを含有せしめた単一層からなり、電荷移動物質が
前記ビスヒドラゾン化合物からなる請求項１乃至８のい
ずれか１つに記載の電子写真感光体。
【請求項１２】下記一般式（Ｉ）で示されるビスヒド
ラゾン化合物。【化１】（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ｒ1、ａおよび
ｎは請求項１で示したものと同義である。）
【請求項１３】下記一般式（ＩＸ）で示されるビスヒ
ドラゾン化合物。【化９】（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ1、ａおよびｎは請求項１で
示したものと同義である。）
【請求項１４】下記一般式（Ｉ）で示されるビスヒド
ラゾン化合物を製造するための中間体であって、下記一般式（ＸＩ）で示されるベンゾ［ｂ］フランモノ
ヒドラゾン化合物誘導体からなるビスヒドラゾン化合物
の中間体。【化１】【化１１】（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ｒ1、ａおよび
ｎは請求項１で示したものと同義である。）
【請求項１５】下記一般式（ＸＩ）で示されるベンゾ
［ｂ］フランモノヒドラゾン化合物誘導体からなるビス
ヒドラゾン化合物の第二の中間体を製造する方法であっ
て、下記一般式（Ｘ）で示されるベンゾ［ｂ］フラン化
合物誘導体と、下記一般式（ＸＩＶ）で示されるヒドラ
ジン化合物誘導体とを反応させるビスヒドラゾン化合物
の中間体の製造方法。【化１１】【化１０】【化１４】（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ｒ1、ａおよび
ｎは請求項１で示したものと同義である。）
【請求項１６】下記一般式（Ｉ）で示されるビスヒド
ラゾン化合物を製造する方法であって、下記一般式（Ｘ
Ｉ）で示されるベンゾ［ｂ］フランモノヒドラゾン化合
物誘導体と、下記一般式（ＸＶ）で示されるヒドラジン
化合物誘導体とを反応させるビスヒドラゾン化合物の製
造方法。【化１】【化１１】【化１５】（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ｒ1、ａおよび
ｎは請求項１で示したものと同義である。）
【請求項１７】下記一般式（ＩＸ）で示されるビスヒ
ドラゾン化合物を製造する方法であって、下記一般式（Ｘ）で示されるベンゾ［ｂ］フラン化合物
誘導体と、下記一般式（ＸＶ）で示されるヒドラジン化
合物誘導体とを反応させるビスヒドラゾン化合物の製造
方法。【化９】【化１０】【化１５】（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ1、ａおよびｎは請求項１で
示したものと同義である。）