JP3265874B2 - サージアブソーバ - Google Patents

サージアブソーバ

Info

Publication number
JP3265874B2
JP3265874B2 JP30051494A JP30051494A JP3265874B2 JP 3265874 B2 JP3265874 B2 JP 3265874B2 JP 30051494 A JP30051494 A JP 30051494A JP 30051494 A JP30051494 A JP 30051494A JP 3265874 B2 JP3265874 B2 JP 3265874B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
surge
surge absorber
pair
conductive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP30051494A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08153565A (ja
Inventor
芳幸 田中
富士男 池田
功先 松沢
隆明 伊藤
政利 阿部
三喜男 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP30051494A priority Critical patent/JP3265874B2/ja
Priority to KR1019950003324A priority patent/KR100204828B1/ko
Publication of JPH08153565A publication Critical patent/JPH08153565A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3265874B2 publication Critical patent/JP3265874B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T4/00—Overvoltage arresters using spark gaps
    • H01T4/10—Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel
    • H01T4/12—Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel hermetically sealed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12—Overvoltage protection resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電話機、ファクシミリ、
電話交換機、モデム等の通信機器用の電子機器に印加さ
れるサージ電圧の吸収機能に加えて、継続的な過電圧又
は過電流の電子機器への侵入時に電子機器やこの機器を
搭載するプリント基板の熱的損傷又は発火を防止するサ
ージアブソーバに関する。更に詳しくは、ギャップを有
するサージ吸収素子を不活性ガスとともに絶縁性を保つ
管に封止（hermetic seal）した放電型のサージアブソ
ーバに関するものである。本明細書で、過電圧又は過電
流とは、サージアブソーバの放電開始電圧を上回る異常
電圧とこれに伴う異常電流をいう。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハーメチックシールしたギャップ
式サージアブソーバとして、図４及び図５に示すような
サージアブソーバ９ａ及び９ｂが知られている。２つの
サージアブソーバ９ａ及び９ｂに内蔵されるギャップ式
サージ吸収素子１は、ＳｎＯ2のような導電性皮膜１ａ
で被包した円柱状のセラミック素体１ｂの中央に円周方
向に皮膜１ａを２分割する幅数１０μｍのマイクロギャ
ップ１ｃを形成し、このセラミック素体１ｂの両端に一
対のキャップ電極１ｄ，１ｅを冠着して作られる。マイ
クロギャップ１ｃにより２分割した皮膜間に電気的絶縁
が図られる。図４に示すように、サージアブソーバ９ａ
は、サージ吸収素子１を絶縁性を保つ管４内に収容して
サージ吸収素子１の両端に一対の封止電極２，３を配置
し、これらの封止電極２，３をキャップ電極１ｄ，１ｅ
に電気的に接続し同時に管４の内部にＡｒガスのような
不活性ガス５を封入して作られる。封止電極２，３には
それぞれリード線６，７が接続される。
【０００３】図５に示すように、サージアブソーバ９ｂ
は、ギャップ式サージ吸収素子１をその両端のキャップ
電極１ｄ，１ｅに接続したリード線６，７とともにガラ
ス管８で封止して作られる。ガラス管８にはＡｒガスの
ような不活性ガス５が封入される。上記サージアブソー
バ９ａ又は９ｂでは雷サージ等に起因してリード線６，
７に異常電圧が印加すると、最初に円柱状のセラミック
素体１ｂを被包する導電性皮膜１ａに沿ってグロー放電
が起こり、最終的に一対のキャップ電極１ｄ，１ｅ間で
のアーク放電に移行してサージ電圧を吸収する。
【０００４】上記サージアブソーバ９ａ又は９ｂは、電
子機器の一対の入力線路にこの電子機器に並列に接続さ
れ、電子機器の使用電圧より高い電圧で動作するように
構成される。即ち、上記サージアブソーバはその放電開
始電圧より低い電圧では抵抗値の高い抵抗体であるが、
印加電圧がその放電開始電圧以上のときには数１０Ω以
下の抵抗値の低い抵抗体になる。電子機器に雷サージ等
の数ｋＶ〜数１０ｋＶのサージ電圧が瞬間的に印加され
ると、上記サージアブソーバが放電し、このサージ電圧
を吸収して電子機器を保護するようになっている。
【０００５】しかし、電子機器を含む回路に過電圧又は
過電流（例えばＡＣ６００Ｖで３００ｍＡ）が何らかの
原因により継続して加わると、上記サージアブソーバに
電流が流れ続ける。この結果、サージアブソーバが発熱
し周辺の電子機器の発火の原因となる。通常、このよう
な過電圧又は過電流が回路に継続して侵入することは考
えられないが、不慮の事故を想定して最大限の安全対策
を施していく考えが広まってきている。例えば、米国の
ＵＬ（Underwriter's Laboratories Inc.）では、この
ような継続的な過電圧又は過電流の侵入時にサージアブ
ソーバが通信機器に火災や電撃の危険を与えてはならな
いように、サージアブソーバに対して所定の安全規格を
制定している。
【０００６】従来、こうした安全規格に適合し、継続的
な過電圧又は過電流に起因した電子機器の発火を防止し
得る別のサージアブソーバとして、図３に示すように低
融点金属線１０を図４に示したサージアブソーバ９ａの
管４の表面に密着させたサージアブソーバ９ｃが知られ
ている。このサージアブソーバ９ｃは低融点金属線１０
とサージアブソーバ９ａを基板１０ａとカバー１０ｂに
より密封し、低融点金属線１０の端子１０ｃ，１０ｄ
と、リード線６，７の端子１０ｅ，１０ｆとを基板１０
ａからそれぞれ別々に突設している。このサージアブソ
ーバ９ｃは、継続的な過電圧又は過電流（例えばＡＣ６
００Ｖで３００ｍＡ）の侵入があると低融点金属線１０
が直ちに溶断して、サージアブソーバ９ａの異常発熱の
みならず、電子機器やこの機器を搭載するプリント基板
の熱的損傷、発火等を防止できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、サージアブソ
ーバ９ｃは、上記特長がある反面、高いサージ電流が侵
入すると、低融点金属線１０が容易に溶断するためサー
ジ耐量が比較的低い欠点があった。また上記サージアブ
ソーバ９ｃは部品点数が多く構造が複雑で、小型化しに
くく、製造コストを低減することは至難であった。
【０００８】本発明の目的は、雷サージのような瞬間的
なサージ電圧を吸収することに加えて、継続的な過電圧
又は過電流の侵入があった場合にはサージアブソーバの
異常発熱のみならず、電子機器やこの機器を搭載するプ
リント基板の熱的損傷、発火等を防止することができ、
しかも高いサージ耐量を有するサージアブソーバを提供
することにある。本発明の別の目的は、部品点数が少な
くて済み、製造が簡単で、小型化し易く量産性に優れた
サージアブソーバを提供することにある。本発明の更に
別の目的は、サージインパルスに対して応答性が良く、
放電開始電圧を高くし得るサージアブソーバを提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、図１に示すように、本発明の第１のサージアブソー
バ１５は、導電性皮膜２１で被包した円柱状のセラミッ
ク素体２２の周面に皮膜２１を分割するギャップ２３が
形成され、セラミック素体２２の両端に一対のキャップ
電極２４，２５を有するサージ吸収素子２０が不活性ガ
ス１４とともに絶縁性を保つ管１１内に収容され、この
絶縁性を保つ管１１の両端に一対の封止電極１２，１３
が相対向して封着され、一対の封止電極１２，１３が封
着状態でサージ吸収素子２０を固定し、かつ一対のキャ
ップ電極２４，２５に電気的に接続される。その特徴あ
る構成は、導電性皮膜２１がＭｎＯ 2 よりなり、不活性
ガス１４がＣＯ2ガスだけであるか、或いはＣＯ2ガスと
Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ又はＮ2ガスの混合ガス
であることにある。第１のサージアブソーバでは、図示
しないが図１の一対のキャップ電極２４，２５を省略し
て、一対の封止電極を導電性皮膜に電気的に直接接続し
てもよい。
【００１０】また図２に示すように、本発明の第２のサ
ージアブソーバ３５は、上記サージ吸収素子２０のキャ
ップ電極２４，２５に一対のリード線２６，２７が接続
され、このサージ吸収素子２０が不活性ガス１４ととも
に絶縁性を保つ管１６により封止され、かつ一対のリー
ド線２６，２７が管１６から突出して形成される。その
特徴ある構成は、導電性皮膜２１がＭｎＯ 2 よりなり、
不活性ガス１４がＣＯ2ガスだけであるか、或いはＣＯ2
ガスとＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ又はＮ2ガスの混
合ガスであることにある。
【００１１】以下、本発明を詳述する。図１及び図２に
示すように、ギャップ式サージアブソーバ１５及び３５
は絶縁性を保つ管１１及び２８の内部にサージ吸収素子
２０がそれぞれ収容される。サージ吸収素子２０は導電
性皮膜２１で被包した円柱状のセラミック素体２２の両
端に一対のキャップ電極２４，２５を冠着した後、セラ
ミック素体２２の中央に円周方向にギャップ２３を形成
して作られる。前述したようにサージアブソーバ１５で
はキャップ電極２４，２５を省略してもよい。導電性皮
膜２１はスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティ
ング法、めっき法、ＣＶＤ法等の薄膜形成法によりセラ
ミック素体２２を被包するようにセラミック素体２２の
表面に形成される。本発明の導電性皮膜２１はＭｎＯ 2
である。
【００１２】ギャップ２３はレーザ光又はダイヤモンド
ブレードにより導電性皮膜２１を分割するように形成さ
れる。この分割は多いほど放電開始電圧が向上し、寿命
を長くできる。ギャップ２３が１本のときには、導電性
皮膜２１は２分割され、複数本形成されれば、導電性皮
膜２１は３つ以上に分割される。ギャップはレーザ光線
の焦点深度及び導電性皮膜の厚さから１本当り高々１０
００μｍの幅に形成される。ギャップ幅が広い程、放電
開始電圧を高くすることができる。このギャップ幅は１
本当り２００〜１０００μｍが好ましく、５００〜１０
００μｍが更に好ましい。１０００μｍを越えるとサー
ジインパルスに対する応答性が劣るようになり好ましく
ない。ギャップ２３は導電性皮膜２１のみを除去するこ
とにより、或いは導電性皮膜２１と皮膜下のセラミック
素体２２の表面を除去することにより形成される。
【００１３】サージアブソーバ１５はこのサージ吸収素
子２０を絶縁性を保つ管１１内に収容してセラミック素
体２２の両端に一対の封止電極１２，１３を配置し、こ
れらの封止電極１２，１３をキャップ電極２４，２５に
電気的に接続するか、或いはキャップ電極２４，２５を
設けずに直接導電性皮膜２１に電気的に接続し同時に絶
縁性を保つ管１１内部に不活性ガス１４を封入して作ら
れる。収容されたサージ吸収素子２０は一対の封止電極
１２，１３を管１１の両端に封着するときに封止電極１
２，１３により固定される。一方、サージアブソーバ３
５はサージ吸収素子２０のキャップ電極２４，２５の外
面にリード線２６，２７をそれぞれ接続した後、これを
絶縁性を保つ管２８の中に収容し、不活性ガス１４とと
もに封止する。リード線２６，２７は絶縁性を保つ管２
８から突出する。
【００１４】本発明ではサージアブソーバ１５及び３５
とも不活性ガス１４はＣＯ2ガス単独であるか、或いは
ＣＯ2ガスとＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ又はＮ2ガス
の混合ガスである。その混合割合はＣＯ2ガスが少なく
とも７０容積％であって、残部がＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋ
ｒ，Ｘｅ又はＮ2ガスであることが好ましい。この混合
割合はＣＯ2ガスが少なくとも５０容積％でも、或いは
少なくとも３０容積％でもよい。ＣＯ2ガスは放電時に
電子を吸着して負イオンになり放電開始電圧を高める負
性の封入ガスであって、８００℃で封入しても分解する
ことがない特長がある。このＣＯ2ガス又はＣＯ2ガスと
Ｈｅ等の混合ガスの封入ガス圧は３００〜１３００Ｔｏ
ｒｒが好ましく、８００〜１３００Ｔｏｒｒが更に好ま
しい。封入ガス圧が３００Ｔｏｒｒ未満ではＣＯ2ガス
の封入効果に乏しく、１３００Ｔｏｒｒを越えると封入
機の耐久性に問題を生じ易い。放電開始電圧はパッシェ
ンの法則（Paschen's law）から上述したギャップ幅と
封入ガス圧の積（以下、ｐｄ値という）の関数であるた
め、封入ガス圧はギャップ幅に応じて設定される。本発
明の絶縁性を保つ管はガラス管、セラミック管等であ
る。ガラス管はホウケイ酸ガラスのような硬質ガラス、
又は鉛ガラス、ソーダ石灰ガラスのような軟質ガラスか
ら作られる。セラミック管はＰＬＺＴ、透明アルミナの
ような可視光線を透過するセラミック焼結体から作られ
たもののみならず、他の絶縁性のあるセラミック管であ
ればよい。また本発明の絶縁性を保つ管は図２に示すサ
ージアブソーバ３５のリード線２６又は２７に接触する
部分が絶縁性材料で作られ、その他の部分は導電性材料
からなる管も含む。
【００１５】
【作用】本発明のサージアブソーバ１５又は３５が接続
された線路に継続して過電圧又は過電流が侵入するとサ
ージアブソーバ１５又は３５は放電を生じる。封入ガス
としてＣＯ2ガス又はＣＯ2ガスを含む混合ガスを用いる
と従来のＡｒガスと比べて、この放電の発熱による導電
性皮膜２１の損傷程度がより一層甚だしくなり、ギャッ
プ間隔が広がる。この結果、サージアブソーバ１５又は
３５の致命的な熱損傷になり得る前にその抵抗値は高ま
って放電開始電圧及び放電維持電圧が過電圧より高くな
り、放電は停止する。また封入ガスにＣＯ2ガス又はＣ
Ｏ2ガスを含む混合ガスを用いることにより、ギャップ
幅が２００〜１０００μｍの比較的広い範囲にあっても
サージインパルスに対する応答遅れが少なく、また８０
０℃程度の封入温度でも封入ガスであるＣＯ2ガスが分
解しない。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、雷
サージのような瞬間的なサージ電圧を吸収することに加
えて、継続的な過電圧又は過電流の侵入があった場合に
は導電性セラミック薄膜の導電性皮膜が熱損傷して、ギ
ャップ間隔が広がることにより放電開始電圧及び放電維
持電圧が上昇し、サージアブソーバの異常発熱のみなら
ず、電子機器及びこの機器を搭載するプリント基板の熱
的損傷、発火等を防止することができる。また本発明の
サージアブソーバは従来のような低融点金属線を用いな
いため、部品点数を減少してコストを削減でき、占有ス
ペースが僅かで済み、組立が簡便で量産性に優れる。更
にギャップ幅を２００〜１０００μｍにすることによ
り、少ないギャップ本数でもｐｄ値を大きくすることが
でき、容易にサージアブソーバの放電開始電圧を高くで
き、しかもギャップ形成時間を短縮することができる。
特に封入ガスにＣＯ2ガス又はＣＯ2ガスを含む混合ガス
を用いることにより、ギャップ幅が２００〜１０００μ
ｍの比較的広い範囲にあってもサージインパルスに対す
る応答遅れが少なく、また８００℃程度の封入温度でも
封入ガスであるＣＯ2ガスが熱的に安定なため、８００
℃までの封入が可能となり、封入方法が限定されず、生
産性が向上する利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のギャップ式サージアブソーバの中央縦
断面図。
【図２】本発明の別のギャップ式サージアブソーバの縦
断面図。
【図３】従来例の低融点金属線付きサージアブソーバの
斜視図。
【図４】従来例のギャップ式サージアブソーバの図１に
対応する断面図。
【図５】従来例のギャップ式サージアブソーバの図２に
対応する断面図。
【符号の説明】
１５，３５ サージアブソーバ １１，２８ 絶縁性を保つ管（ガラス管） １２，１３ 封止電極 １４ 不活性ガス １６，１７，２６，２７ リード線 ２０ サージ吸収素子 ２１ 導電性皮膜 ２２ セラミック素体 ２３ ギャップ ２４，２５ キャップ電極
フロントページの続き (72)発明者 松沢 功先 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱マテリアル株式会社 電子技術研究 所内 (72)発明者 伊藤 隆明 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三菱マテリアル株式会社内 (72)発明者 阿部 政利 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱マテリアル株式会社 電子技術研究 所内 (72)発明者 原田 三喜男 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱マテリアル株式会社 セラミックス 工場内 (56)参考文献 特開 平５−242950（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−198884（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−157981（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−104092（ＪＰ，Ａ) 実公 平２−16553（ＪＰ，Ｙ２) 実公 平２−3271（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01T 1/00 - 4/20

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電性皮膜(21)で被包した円柱状のセラ
    ミック素体(22)の周面に前記皮膜(21)を分割するギャッ
    プ(23)が形成され、前記セラミック素体(22)の両端に一
    対のキャップ電極(24,25)を有するか又は有しないサー
    ジ吸収素子(20)が不活性ガス(14)とともに絶縁性を保つ
    管(11)内に収容され、前記管(11)の両端に一対の封止電
    極(12,13)が相対向して封着され、前記一対の封止電極
    (12,13)が封着状態で前記サージ吸収素子(20)を固定
    し、かつ前記一対のキャップ電極(24,25)又は前記導電
    性皮膜(21)に電気的に接続されたサージアブソーバにお
    いて、 前記導電性皮膜(21)がＭｎＯ 2 よりなり、前記不活性ガ
    ス(14)がＣＯ2ガスであることを特徴とするサージアブ
    ソーバ。
  2. 【請求項２】 導電性皮膜(21)で被包した円柱状のセラ
    ミック素体(22)の周面に前記皮膜(21)を分割するギャッ
    プ(23)が形成され、前記セラミック素体(22)の両端に一
    対のキャップ電極(24,25)を有するか又は有しないサー
    ジ吸収素子(20)が不活性ガス(14)とともに絶縁性を保つ
    管(11)内に収容され、前記管(11)の両端に一対の封止電
    極(12,13)が相対向して封着され、前記一対の封止電極
    (12,13)が封着状態で前記サージ吸収素子(20)を固定
    し、かつ前記一対のキャップ電極(24,25)又は前記導電
    性皮膜(21)に電気的に接続されたサージアブソーバにお
    いて、 前記導電性皮膜(21)がＭｎＯ 2 よりなり、前記不活性ガ
    ス(14)がＣＯ2ガスと、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ
    又はＮ2ガスの混合ガスであることを特徴とするサージ
    アブソーバ。
  3. 【請求項３】 導電性皮膜(21)で被包した円柱状のセラ
    ミック素体(22)の周面に前記皮膜(21)を分割するギャッ
    プ(23)が形成され、前記セラミック素体(22)の両端に一
    対のキャップ電極(24,25)を有し、前記キャップ電極(2
    4,25)に一対のリード線(26,27)が接続されたサージ吸収
    素子(20)が不活性ガス(14)とともに絶縁性を保つ管(28)
    により封止され、かつ前記一対のリード線(26,27)が前
    記管(28)から突出したサージアブソーバにおいて、 前記導電性皮膜(21)がＭｎＯ 2 よりなり、前記不活性ガ
    ス(14)がＣＯ2ガスであることを特徴とするサージアブ
    ソーバ。
  4. 【請求項４】 導電性皮膜(21)で被包した円柱状のセラ
    ミック素体(22)の周面に前記皮膜(21)を分割するギャッ
    プ(23)が形成され、前記セラミック素体(22)の両端に一
    対のキャップ電極(24,25)を有し、前記キャップ電極(2
    4,25)に一対のリード線(26,27)が接続されたサージ吸収
    素子(20)が不活性ガス(14)とともに絶縁性を保つ管(28)
    により封止され、かつ前記一対のリード線(26,27)が前
    記管(28)から突出したサージアブソーバにおいて、 前記導電性皮膜(21)がＭｎＯ 2 よりなり、前記不活性ガ
    ス(14)がＣＯ2ガスと、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ
    又はＮ2ガスの混合ガスであることを特徴とするサージ
    アブソーバ。
  5. 【請求項５】 不活性ガスが少なくとも７０容積％のＣ
    Ｏ2ガスと、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ又はＮ2ガス
    とを混合してなる請求項２又は４記載のサージアブソー
    バ。
  6. 【請求項６】 不活性ガスが少なくとも５０容積％のＣ
    Ｏ2ガスと、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ又はＮ2ガス
    とを混合してなる請求項２又は４記載のサージアブソー
    バ。
  7. 【請求項７】 不活性ガスが少なくとも３０容積％のＣ
    Ｏ2ガスと、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ又はＮ2ガス
    とを混合してなる請求項２又は４記載のサージアブソー
    バ。
  8. 【請求項８】 ギャップ(23)の幅が２００μｍ〜１００
    ０μｍである請求項１ないし７いずれか記載のサージア
    ブソーバ。
  9. 【請求項９】 ギャップ(23)の幅が２００μｍ〜５００
    μｍである請求項８記載のサージアブソーバ。
  10. 【請求項１０】 ギャップ(23)が導電性皮膜(21)を２分
    割するようにセラミック素体(22)の周面に１本形成され
    た請求項１ないし９いずれか記載のサージアブソーバ。
  11. 【請求項１１】 ギャップ(23)が導電性皮膜(21)を３つ
    以上に分割するようにセラミック素体(22)の周面に複数
    本形成された請求項１ないし１０いずれか記載のサージ
    アブソーバ。
JP30051494A 1994-02-21 1994-12-05 サージアブソーバ Expired - Fee Related JP3265874B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30051494A JP3265874B2 (ja) 1994-02-21 1994-12-05 サージアブソーバ
KR1019950003324A KR100204828B1 (ko) 1994-02-21 1995-02-21 서지흡수기

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2235594 1994-02-21
JP6-236946 1994-09-30
JP23694694 1994-09-30
JP6-22355 1994-09-30
JP30051494A JP3265874B2 (ja) 1994-02-21 1994-12-05 サージアブソーバ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08153565A JPH08153565A (ja) 1996-06-11
JP3265874B2 true JP3265874B2 (ja) 2002-03-18

Family

ID=27283811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30051494A Expired - Fee Related JP3265874B2 (ja) 1994-02-21 1994-12-05 サージアブソーバ

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3265874B2 (ja)
KR (1) KR100204828B1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100799785B1 (ko) * 2000-10-02 2008-01-31 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 서지 업소버 및 그 제조 방법
JP4720403B2 (ja) * 2005-01-26 2011-07-13 三菱マテリアル株式会社 サージアブソーバ及びサージアブソーバの製造方法並びに電子部品及び電子部品の製造方法
JP5999299B2 (ja) * 2011-11-09 2016-09-28 三菱マテリアル株式会社 サージアブソーバおよびその製造方法
KR101812752B1 (ko) 2015-08-27 2017-12-27 아주대학교산학협력단 서지 흡수 장치의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100204828B1 (ko) 1999-06-15
JPH08153565A (ja) 1996-06-11
KR950034946A (ko) 1995-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3265898B2 (ja) チップ型サージアブソーバの製造方法
JP2513105B2 (ja) サ―ジアブソ―バ
JP3265874B2 (ja) サージアブソーバ
US6606230B2 (en) Chip-type surge absorber and method for producing the same
JP5304997B2 (ja) サージアブソーバ
JP3303025B2 (ja) チップ型マイクロギャップ式サージアブソーバ
JP2841336B2 (ja) ギャップ型サージアブソーバ
JP3134912B2 (ja) サージアブソーバ
JP3489627B2 (ja) チップ型サージアブソーバ
JP3431047B2 (ja) 電源用サージアブソーバ
JPS60124381A (ja) 避雷管
JPS61126789A (ja) サ−ジ吸収素子
JPH0727795B2 (ja) サ−ジ吸収素子
JPH0731519Y2 (ja) 保安機構付放電型サージ吸収素子
JP3265848B2 (ja) マイクロギャップ式サージアブソーバ
JP3199088B2 (ja) 放電型サージアブソーバ
JPH07320845A (ja) 放電型サージアブソーバ
JP2000077163A (ja) 表面実装型サージ吸収素子
JP2534958B2 (ja) チップ型サ―ジ吸収素子
JP2637983B2 (ja) 絶縁性薄板によるサージ吸収素子
JP2509812Y2 (ja) 保安機構付放電型サ―ジ吸収素子
JPH054795B2 (ja)
JPH04218288A (ja) 放電型サージ吸収素子
JPH0216554Y2 (ja)
JPH0878133A (ja) サージアブソーバ

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20011204

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees