JP3233068B2 - パターン発生装置 - Google Patents
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Description
式等の所定の信号授受形態を備えたメモリの良否判定試
験に用いるパターン発生装置に関する。
応し、高速なシステムを実現するため、半導体メモリに
おいては、メモリとのインターフェース部分に特殊な回
路を設けることにより高バンド幅のデータ転送を可能と
するプロトコル転送方式を備えたものが出現しており、
これに伴ってかかる半導体メモリの良否判定試験を適切
に行うことが必要になってきている。
体メモリを試験するための従来のパターン発生装置のブ
ロック図である。この図において、1はアドレス発生
器、3はメモリコントローラ、4は被試験メモリを示
す。
ラムアドレスからなるアドレスパターンaを一つのトラ
ンザクションの実行毎に数パターン発生し、メモリコン
トローラ3へ出力する。
レスパターンaを被試験メモリ4のプロトコル転送方式
に応じたデータパターンに変換し、必要なタイミング調
整を行った後でこれをリクエストパケットbとして被試
験メモリ4へ出力する。ここに、リクエストパケットb
については、被試験メモリによってパケットのフォーマ
ットが決まっており、このフォーマットに従ってデータ
を転送しないと、メモリ側では正しくアドレスパターン
を認識できない。
する半導体メモリであり、受け取ったリクエストパケッ
トbからロウアドレスパターンとカラムアドレスパター
ンとを解読し、それらによって指定される一つのメモリ
セルにアクセスすることができるものである。
メモリ内部のメモリセルにアクセスする場合、一旦アド
レスパターンからリクエストパケットを生成して被試験
メモリに与える必要がある。
アドレスを順次指定するトランザクションを繰り返すこ
とにより、メモリセルに連続してアクセスする場合を例
として上記構成による動作について説明する。
レスをそれぞれ“X”、“Y”とし、これらによってメ
モリセルのアドレス番地を指定するプログラム記述を例
えば“(X,Y)=(4,3)”とすると、ロウアドレ
ス4番地、カラムアドレス3番地のメモリセルにアクセ
スするものとする。そして、このようなプログラム記述
により図4に示すようなテストパターンを作成し、これ
に従って動作させるものとする。
までの間に順次指定されたロウアドレス、カラムアド
レスに従い、“(X,Y)=(4,0)、(4,1)、
(4,2)、(4,3)”のアドレスパターンaを順次
発生させ、メモリコントローラ3へ供給する。
上記アドレスパターンaを受け取り、被試験メモリ4の
プロトコル転送方式に応じたデータパターンに変換し、
かつ、必要なタイミング調整を行った後、リクエストパ
ケットbを生成して被試験メモリ4へ出力する。
受け取ったリクエストパケットbからロウアドレスとカ
ラムアドレスとを解読し、それらによって指定されるあ
る一つのメモリセルにアクセスする。
での間のアドレスパターンを発生させた後、ダミーパタ
ーン“(X,Y)=(NOOP,NOOP)”を発生さ
せるように記述されている。これは、被試験メモリ4が
一つのトランザクションを終了するのに要する時間と、
アドレス発生器1が一つのトランザクション内の全アド
レスパターンを発生させるのに要する時間との時間差を
調整し、タイミングを合わせる為に必要とされるもので
あり、被試験メモリ4の動作状態に適合して時間調整が
なされるようにプログラム作成者が予め記述しておく。
レスパターンを発生させるのに要する時間を1サイクル
としたとき、一つのトランザクションでアドレス発生器
1が4つのアドレスパターンを発生させ、被試験メモリ
4がこのトランザクションを終了するのに6サイクルの
時間を必要とする場合を想定しており、この時間差を調
整する為に、2サイクル分のダミーパターンを発生させ
ることとしている。従って、アドレス発生器1は、上述
したようにからまでの間のアドレスパターンを発生
させた後、ダミーパターン“(X,Y)=(NOOP,
NOOP)”を2度発生させる。そして、メモリコント
ローラ3は、これらダミーパターンを受けたときにはリ
クエストパケットbを出力しない。
ザクションであるからまでのアドレスパターン
“(X,Y)=(4,4)、(4,5)、(4,6)、
(4,7)”を順次発生させ、これにより、上記同様に
メモリコントローラ3がリクエストパケットbを順次出
力し、被試験メモリ4のメモリセルが順次アクセスされ
る。その後、アドレス発生器1は、上記同様に再びダミ
ーパターン“(X,Y)=(NOOP,NOOP)”を
2度発生させる。以上の動作を繰り返すことにより、順
次メモリセルにアクセスし、被試験メモリ4の良否判定
試験が行われる。
うに、プロトコル転送方式を備えたメモリの良否判定試
験を行う場合には、良否判定用のテストパターンが用い
られるが、このテストパターンの作成においては、試験
対象のメモリの動作状態を適切に考慮しつつアドレスパ
ターンが発生されるようにする必要がある。すなわち、
各トランザクション毎に、試験対象メモリへのリクエス
トパケットの転送タイミングと位相を合わせるようにア
ドレス発生器からアドレスパターンが出力されるように
しておかなければならない。
記プログラムがダミーパターン“(X,Y)=(NOO
P,NOOP)”を発生させる記述となっていたよう
に、プログラム作成者が動作時の試験対象メモリの状態
を予め想定し、それに基づいてプロトコル転送による影
響を考慮しつつ、テストパターンのプログラムを作成し
なければならなかったので、プログラムの作成が難しい
という問題があった。このため、かかるプログラム作成
の困難性を解消し、試験対象メモリとの間の信号授受形
態による影響を考慮せずに所望の記憶領域へのアクセス
のみを考えてプログラム作成を行えるようにすることが
望まれていた。
もので、プロトコル転送方式等の所定の信号授受形態を
備えたメモリの記憶領域へのアクセスのみを考えてテス
トパターンのプログラムを作成することを可能とし、メ
モリの良否判定試験におけるプログラム作成を容易にす
ることができるパターン発生装置を提供することを目的
とする。
試験対象メモリの記憶領域を指定するアドレスパターン
を順次発生させるアドレス発生手段と、前記試験対象メ
モリに対し、その信号授受形態に順次発生された前記ア
ドレスパターンを変換して供給し、各アドレスパターン
によって指定される前記記憶領域に順次アクセスする第
1の制御手段と、前記アドレス発生手段が発生させたア
ドレスパターンに対して前記試験対象メモリが動作する
状態を把握し、これに基づいて前記アドレスパターンの
発生タイミングを制御する第2の制御手段とを有し、前
記試験対象メモリは、動作速度が異なる複数の記憶領域
を有し、前記第2の制御手段は、前記複数の記憶領域そ
れぞれに記憶されているデータのアドレスと、順次発生
された前記アドレスパターンとにより前記状態を把握
し、アドレス発生手段がアドレス発生に要した第1の所
要時間と、発生されたアドレスパターンに対して前記試
験対象メモリが動作するのに要する第2の所要時間との
差を求め、その差に応じて前記発生タイミングの制御を
行うことを特徴としている。
ターン発生装置において、前記第2の制御手段は、前記
アドレス発生手段が所定の単位のアドレスパターンを発
生させる毎に前記差を求めて前記発生タイミングの制御
を行うことを特徴としている。
載のパターン発生装置において、前記アドレス発生手段
は、前記アドレスパターン若しくは前記記憶領域を指定
しない他のパターンを順次発生させるアドレス発生手段
であり、前記第2の制御手段が、前記他のパターンの発
生を制御して前記発生タイミングを制御することを特徴
としている。
実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施
形態によるパターン発生装置の構成を示すブロック図で
ある。この図において、1はアドレス発生器、2はコン
トロール回路、3はメモリコントローラ、4は被試験メ
モリを示す。
ラムアドレスからなるアドレスパターンaを一つのトラ
ンザクションの実行毎に数パターン発生し、コントロー
ル回路2とメモリコントローラ3へ出力する。このアド
レス発生器1は、一つのトランザクションの全アドレス
パターンを発生させた後に、コントロール回路2から供
給される制御信号cにより制御されてダミーパターンを
発生させ(後述)、その後で次のトランザクションのア
ドレスパターンを発生させるものとなっている。ここ
に、ダミーパターンは、ロウアドレス及びカラムアドレ
スのいずれをも何等指定しないパターンである。
が一つのトランザクションの全アドレスパターンを発生
させるのに要する時間と、被試験メモリ4が当該一つの
トランザクションを終了するのに要する時間との時間差
を求め、その時間差に応じた分のダミーパターンを発生
させる制御信号cをアドレス発生器1へ出力する。
モリ4のキャッシュ内に格納されているデータ(後述)
のロウアドレスを記憶しており、これとアドレス発生器
1から順次受けたアドレスパターンとに基づいて、順次
供給される各アドレスパターンに対する被試験メモリ4
での処理時間を把握するものとなっている。又、それら
把握した処理時間により、被試験メモリ4が当該アドレ
スパターンの発生によって形成されるトランザクション
を終了するまでに要する時間も把握する。
レスパターンaを被試験メモリ4のプロトコル転送方式
に応じたデータパターンに変換し、必要なタイミング調
整を行った後でこれをリクエストパケットbとして被試
験メモリ4へ出力する。又、メモリコントローラ3も被
試験メモリ4のキャッシュ内に格納されているデータの
ロウアドレスを記憶しており、順次供給される各アドレ
スパターンに対する被試験メモリ4での処理時間を把握
し、これに基づいて上記タイミング調整を行う。尚、メ
モリコントローラ3は、アドレス発生器1からダミーパ
ターンを受けたときにはリクエストパケットbを出力し
ない。
するキャッシュを備えた半導体メモリであり、受け取っ
たリクエストパケットbからロウアドレスパターンとカ
ラムアドレスパターンとを解読し、それらによって指定
される一つのメモリセルにアクセスすることができるも
のである。この被試験メモリ4においては、解読したア
ドレスパターンによって指定されるメモリセルのデータ
がキャッシュに格納されているものであれば、キャッシ
ュ内のデータが高速で読み出され、格納されているもの
でなければ、内部のメモリセルアレイに格納されたデー
タが読み出される。そして、キャッシュ内のデータを使
うか否かにより、被試験メモリ4における各アドレスパ
ターンに対する処理時間は異なってくる。
格納されているデータは、メモリコントローラ3からの
リクエストパケットbに含まれた命令によって更新され
る。すなわち、メモリコントローラ3は、順次アクセス
する(順次アドレスパターンaによって指定される)メ
モリセルに応じてキャッシュ内のデータを変更すること
ができ、その命令を被試験メモリ4へ発したときには、
それに応じて自己が記憶しているキャッシュ内データの
ロウアドレスも変更する。
を行うメモリコントローラ3の機能のうち、順次アクセ
スするメモリセルに応じて変更を決定する機能と同様の
機能をコントロール回路2も具備している。これによ
り、コントロール回路2は、順次受け取ったアドレスパ
ターンaに基づき、メモリコントローラ3によるキャッ
シュ内データの変更を把握し、キャッシュ内データが変
更されるときには、それに応じて自己が記憶しているキ
ャッシュ内データのロウアドレスも変更する。
モリコントローラ3は、それぞれ、被試験メモリ4の動
作状態を常時把握している。
アドレスを順次指定するトランザクションを繰り返すこ
とにより、メモリセルに連続してアクセスする場合を例
として上記構成によるパターン発生装置の動作について
説明する。
ログラムでは、ロウアドレス、カラムアドレスをそれぞ
れ“X”、“Y”とし、これらによってメモリセルのア
ドレス番地を指定するプログラム記述を“(X,Y)=
(ロウアドレスの番地,カラムアドレスの番地)”とす
る。従って、例えば“(X,Y)=(4,3)”という
プログラム記述に対しては、ロウアドレス4番地、カラ
ムアドレス3番地のメモリセルにアクセスする動作が実
行される。又、各トランザクションの開始と終了とを識
別できるように、トランザクション開始時におけるアド
レス番地指定記述の先頭に“START”、終了時にお
けるアドレス番地指定記述の先頭に“END”の文字列
をそれぞれ付加するものとする。このようなプログラム
記述形式に準拠した実際のテストパターンプログラムの
一例を図2に示し、以下の動作説明では、同プログラム
によって実行される動作について述べる。
までの間に順次指定されたロウアドレス、カラムアド
レスに従い、“(X,Y)=(4,0)、(4,1)、
(4,2)、(4,3)”のアドレスパターンaを順次
発生させ、コントロール回路2とメモリコントローラ3
へ供給する。
上記アドレスパターンaを受け取り、被試験メモリ4の
プロトコル転送方式に応じたデータパターンに変換し、
かつ、必要なタイミング調整を行った後、リクエストパ
ケットbを生成して被試験メモリ4へ出力する。
受け取ったリクエストパケットbからロウアドレスとカ
ラムアドレスとを解読し、それらによって指定されるあ
る一つのメモリセルにアクセスする。すなわち、指定さ
れるメモリセルのデータがキャッシュに格納されていれ
ば、そのキャッシュ内のデータが読み出され、格納され
ていなければ、内部のメモリセルアレイに格納されたデ
ータが読み出される。
け取ったアドレスパターンaのロウアドレスと、記憶し
ているキャッシュ内データのロウアドレスとの一致比較
をとる。これにより、当該アドレスパターンに対する被
試験メモリ4における処理がキャッシュ内のデータを使
うことになるかどうかを判断し、その判断結果に基づい
て当該アドレスパターンに対する被試験メモリ4での処
理時間(サイクル数)を把握する。
アドレスパターンaを順次受け取る度に被試験メモリ4
での処理時間を把握し、その把握した処理時間を順次累
算する。そして、現在実行中のトランザクションにおけ
る最後のアドレスパターン(X,Y)=(4,3)を受
け取り、その処理時間を累算した時点で得られた累算値
によって、当該トランザクションを終了するまでに要す
る時間を把握する。
ランザクション終了までの処理時間が6サイクルであっ
たとすると、コントロール回路2は、この処理時間から
当該トランザクション内の全アドレスパターンを発生さ
せるのに要した時間(4サイクル)を差し引き、当該ト
ランザクションの全アドレスパターンを発生させるのに
要する時間と、被試験メモリ4が当該トランザクション
を終了するのに要する時間との時間差(2サイクル)を
求める。
間差に基づき、その時間差分を調整するための2サイク
ル分のダミーパターンを発生させる制御信号cをアドレ
ス発生器1へ出力する。これにより、アドレス発生器1
は、上記“START”から“END”までの間のアド
レスパターンを発生させた後、ダミーパターン“(X,
Y)=(NOOP,NOOP)”を2度発生させる。
態に適合するようにアドレスパターンaの発生タイミン
グが自動的に調整された後、アドレス発生器1は、続く
トランザクションである図2の以降のアドレスパター
ン“(X,Y)=(4,4)、(4,5)、(4,
6)、(4,7)”を順次発生させる。そして、上記同
様に、メモリコントローラ3がリクエストパケットbを
順次出力し、被試験メモリ4のメモリセルが順次アクセ
スされると共に、コントロール回路2が把握した処理時
間から求めた時間差に基づいて制御信号cを出力し、こ
れに応じてアドレス発生器1がダミーパターン“(X,
Y)=(NOOP,NOOP)”を発生させる。
により、アドレスパターンaの発生タイミングが自動的
に調整されつつ順次メモリセルへのアクセスがなされ、
被試験メモリ4の良否判定試験が行われる。
ドレス発生手段が発生させたアドレスパターンに対して
試験対象メモリが動作する状態を把握し、これに基づい
てアドレスパターンの発生タイミングを制御する第2の
制御手段を設けることとしたので、発生させるアドレス
パターンのみを定めておけば、アドレスパターンを変換
してアクセスすることによるアドレス発生手段と試験対
象メモリとの動作タイミングの不一致が解消されて所望
の記憶領域へのアクセスを行うことができる。これによ
り、プロトコル転送方式等の所定の信号授受形態を備え
たメモリの記憶領域へのアクセスのみを考えてテストパ
ターンのプログラムを作成することが可能となり、メモ
リの良否判定試験におけるプログラム作成を容易にする
ことができるという効果が得られる。
の複数の記憶領域それぞれに記憶されているデータのア
ドレスと、順次発生されたアドレスパターンとによって
試験対象メモリの動作状態を把握することとし、アドレ
ス発生とそれに対する試験対象メモリの動作の所要時間
との差に応じて発生タイミングを制御することとしたの
で、アドレス発生手段と試験対象メモリとの動作タイミ
ングの時間差に応じて自動的にアドレスパターンの発生
が制御される。又、請求項2記載の発明によれば、アド
レス発生手段が所定の単位のアドレスパターンを発生さ
せる毎に、かかる時間差を求めてアドレスパターンの発
生タイミングを制御することとしたので、いくつかの記
憶領域単位でテストパターンを作成すれば、それぞれの
記憶領域単位については続けてアクセスし、各記憶領域
単位の間でタイミング調整を行うようにすることができ
る。
ス発生手段をアドレスパターン若しくは記憶領域を指定
しない他のパターンを順次発生させるものとし、第2の
制御手段が他のパターンの発生を制御してアドレスパタ
ーンの発生タイミングを制御することとしたので、ここ
にいう他のパターンを発生させるためにダミーパターン
をテストプログラムに含めていた従来のパターン発生装
置におけるアドレス発生手段や制御手段を利用して本発
明によるパターン発生装置を構成することができる。
の構成を示すブロック図である。
のプログラム例を示す図である。
試験するための従来のパターン発生装置のブロック図で
ある。
ーンのプログラム例を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 試験対象メモリの記憶領域を指定するア
ドレスパターンを順次発生させるアドレス発生手段と、 前記試験対象メモリに対し、その信号授受形態に順次発
生された前記アドレスパターンを変換して供給し、各ア
ドレスパターンによって指定される前記記憶領域に順次
アクセスする第1の制御手段と、 前記アドレス発生手段が発生させたアドレスパターンに
対して前記試験対象メモリが動作する状態を把握し、こ
れに基づいて前記アドレスパターンの発生タイミングを
制御する第2の制御手段とを有し、 前記試験対象メモリは、動作速度が異なる複数の記憶領
域を有し、 前記第2の制御手段は、前記複数の記憶領域それぞれに
記憶されているデータのアドレスと、順次発生された前
記アドレスパターンとにより前記状態を把握し、アドレ
ス発生手段がアドレス発生に要した第1の所要時間と、
発生されたアドレスパターンに対して前記試験対象メモ
リが動作するのに要する第2の所要時間との差を求め、
その差に応じて前記発生タイミングの制御を行う ことを
特徴とするパターン発生装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のパターン発生装置におい
て、 前記第2の制御手段は、前記アドレス発生手段が所定の
単位のアドレスパターンを発生させる毎に前記差を求め
て前記発生タイミングの制御を行うことを特徴とするパ
ターン発生装置。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載のパターン発生装置
において、 前記アドレス発生手段は、前記アドレスパターン若しく
は前記記憶領域を指定しない他のパターンを順次発生さ
せるアドレス発生手段であり、 前記第2の制御手段が、前記他のパターンの発生を制御
して前記発生タイミングを制御することを特徴とするパ
ターン発生装置。
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