JP3233068B2 - パターン発生装置 - Google Patents

パターン発生装置

Info

Publication number
JP3233068B2
JP3233068B2 JP13414397A JP13414397A JP3233068B2 JP 3233068 B2 JP3233068 B2 JP 3233068B2 JP 13414397 A JP13414397 A JP 13414397A JP 13414397 A JP13414397 A JP 13414397A JP 3233068 B2 JP3233068 B2 JP 3233068B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
pattern
memory
generation
sequentially
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP13414397A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10326498A (ja
Inventor
保光 筒井
Original Assignee
安藤電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 安藤電気株式会社 filed Critical 安藤電気株式会社
Priority to JP13414397A priority Critical patent/JP3233068B2/ja
Priority to US09/082,785 priority patent/US6148424A/en
Publication of JPH10326498A publication Critical patent/JPH10326498A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3233068B2 publication Critical patent/JP3233068B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/10Test algorithms, e.g. memory scan [MScan] algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns 
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31917Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
    • G01R31/31919Storing and outputting test patterns
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/31813Test pattern generators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プロトコル転送方
式等の所定の信号授受形態を備えたメモリの良否判定試
験に用いるパターン発生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、マイクロプロセッサの高速化に対
応し、高速なシステムを実現するため、半導体メモリに
おいては、メモリとのインターフェース部分に特殊な回
路を設けることにより高バンド幅のデータ転送を可能と
するプロトコル転送方式を備えたものが出現しており、
これに伴ってかかる半導体メモリの良否判定試験を適切
に行うことが必要になってきている。
【0003】図3は、プロトコル転送方式を備えた半導
体メモリを試験するための従来のパターン発生装置のブ
ロック図である。この図において、1はアドレス発生
器、3はメモリコントローラ、4は被試験メモリを示
す。
【0004】アドレス発生器1は、ロウアドレス及びカ
ラムアドレスからなるアドレスパターンaを一つのトラ
ンザクションの実行毎に数パターン発生し、メモリコン
トローラ3へ出力する。
【0005】メモリコントローラ3は、受け取ったアド
レスパターンaを被試験メモリ4のプロトコル転送方式
に応じたデータパターンに変換し、必要なタイミング調
整を行った後でこれをリクエストパケットbとして被試
験メモリ4へ出力する。ここに、リクエストパケットb
については、被試験メモリによってパケットのフォーマ
ットが決まっており、このフォーマットに従ってデータ
を転送しないと、メモリ側では正しくアドレスパターン
を認識できない。
【0006】被試験メモリ4は、良否判定試験の対象と
する半導体メモリであり、受け取ったリクエストパケッ
トbからロウアドレスパターンとカラムアドレスパター
ンとを解読し、それらによって指定される一つのメモリ
セルにアクセスすることができるものである。
【0007】このように、プロトコル転送方式を備えた
メモリ内部のメモリセルにアクセスする場合、一旦アド
レスパターンからリクエストパケットを生成して被試験
メモリに与える必要がある。
【0008】次に、同一ロウアドレス内の4つのカラム
アドレスを順次指定するトランザクションを繰り返すこ
とにより、メモリセルに連続してアクセスする場合を例
として上記構成による動作について説明する。
【0009】尚、ここでは、ロウアドレス、カラムアド
レスをそれぞれ“X”、“Y”とし、これらによってメ
モリセルのアドレス番地を指定するプログラム記述を例
えば“(X,Y)=(4,3)”とすると、ロウアドレ
ス4番地、カラムアドレス3番地のメモリセルにアクセ
スするものとする。そして、このようなプログラム記述
により図4に示すようなテストパターンを作成し、これ
に従って動作させるものとする。
【0010】まず、アドレス発生器1が、図4のから
までの間に順次指定されたロウアドレス、カラムアド
レスに従い、“(X,Y)=(4,0)、(4,1)、
(4,2)、(4,3)”のアドレスパターンaを順次
発生させ、メモリコントローラ3へ供給する。
【0011】次いで、メモリコントローラ3が、順次、
上記アドレスパターンaを受け取り、被試験メモリ4の
プロトコル転送方式に応じたデータパターンに変換し、
かつ、必要なタイミング調整を行った後、リクエストパ
ケットbを生成して被試験メモリ4へ出力する。
【0012】これにより、被試験メモリ4では、順次、
受け取ったリクエストパケットbからロウアドレスとカ
ラムアドレスとを解読し、それらによって指定されるあ
る一つのメモリセルにアクセスする。
【0013】ここで、図4のプログラムは、からま
での間のアドレスパターンを発生させた後、ダミーパタ
ーン“(X,Y)=(NOOP,NOOP)”を発生さ
せるように記述されている。これは、被試験メモリ4が
一つのトランザクションを終了するのに要する時間と、
アドレス発生器1が一つのトランザクション内の全アド
レスパターンを発生させるのに要する時間との時間差を
調整し、タイミングを合わせる為に必要とされるもので
あり、被試験メモリ4の動作状態に適合して時間調整が
なされるようにプログラム作成者が予め記述しておく。
【0014】図4では、アドレス発生器1が一つのアド
レスパターンを発生させるのに要する時間を1サイクル
としたとき、一つのトランザクションでアドレス発生器
1が4つのアドレスパターンを発生させ、被試験メモリ
4がこのトランザクションを終了するのに6サイクルの
時間を必要とする場合を想定しており、この時間差を調
整する為に、2サイクル分のダミーパターンを発生させ
ることとしている。従って、アドレス発生器1は、上述
したようにからまでの間のアドレスパターンを発生
させた後、ダミーパターン“(X,Y)=(NOOP,
NOOP)”を2度発生させる。そして、メモリコント
ローラ3は、これらダミーパターンを受けたときにはリ
クエストパケットbを出力しない。
【0015】続いて、アドレス発生器1は、次のトラン
ザクションであるからまでのアドレスパターン
“(X,Y)=(4,4)、(4,5)、(4,6)、
(4,7)”を順次発生させ、これにより、上記同様に
メモリコントローラ3がリクエストパケットbを順次出
力し、被試験メモリ4のメモリセルが順次アクセスされ
る。その後、アドレス発生器1は、上記同様に再びダミ
ーパターン“(X,Y)=(NOOP,NOOP)”を
2度発生させる。以上の動作を繰り返すことにより、順
次メモリセルにアクセスし、被試験メモリ4の良否判定
試験が行われる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに、プロトコル転送方式を備えたメモリの良否判定試
験を行う場合には、良否判定用のテストパターンが用い
られるが、このテストパターンの作成においては、試験
対象のメモリの動作状態を適切に考慮しつつアドレスパ
ターンが発生されるようにする必要がある。すなわち、
各トランザクション毎に、試験対象メモリへのリクエス
トパケットの転送タイミングと位相を合わせるようにア
ドレス発生器からアドレスパターンが出力されるように
しておかなければならない。
【0017】このようなことから、従来においては、上
記プログラムがダミーパターン“(X,Y)=(NOO
P,NOOP)”を発生させる記述となっていたよう
に、プログラム作成者が動作時の試験対象メモリの状態
を予め想定し、それに基づいてプロトコル転送による影
響を考慮しつつ、テストパターンのプログラムを作成し
なければならなかったので、プログラムの作成が難しい
という問題があった。このため、かかるプログラム作成
の困難性を解消し、試験対象メモリとの間の信号授受形
態による影響を考慮せずに所望の記憶領域へのアクセス
のみを考えてプログラム作成を行えるようにすることが
望まれていた。
【0018】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、プロトコル転送方式等の所定の信号授受形態を
備えたメモリの記憶領域へのアクセスのみを考えてテス
トパターンのプログラムを作成することを可能とし、メ
モリの良否判定試験におけるプログラム作成を容易にす
ることができるパターン発生装置を提供することを目的
とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
試験対象メモリの記憶領域を指定するアドレスパターン
を順次発生させるアドレス発生手段と、前記試験対象メ
モリに対し、その信号授受形態に順次発生された前記ア
ドレスパターンを変換して供給し、各アドレスパターン
によって指定される前記記憶領域に順次アクセスする第
1の制御手段と、前記アドレス発生手段が発生させたア
ドレスパターンに対して前記試験対象メモリが動作する
状態を把握し、これに基づいて前記アドレスパターンの
発生タイミングを制御する第2の制御手段とを有し、前
記試験対象メモリは、動作速度が異なる複数の記憶領域
を有し、前記第2の制御手段は、前記複数の記憶領域そ
れぞれに記憶されているデータのアドレスと、順次発生
された前記アドレスパターンとにより前記状態を把握
し、アドレス発生手段がアドレス発生に要した第1の所
要時間と、発生されたアドレスパターンに対して前記試
験対象メモリが動作するのに要する第2の所要時間との
差を求め、その差に応じて前記発生タイミングの制御を
行うことを特徴としている。
【0020】
【0021】請求項記載の発明は、請求項記載のパ
ターン発生装置において、前記第2の制御手段は、前記
アドレス発生手段が所定の単位のアドレスパターンを発
生させる毎に前記差を求めて前記発生タイミングの制御
を行うことを特徴としている。
【0022】請求項記載の発明は、請求項1又は2
載のパターン発生装置において、前記アドレス発生手段
は、前記アドレスパターン若しくは前記記憶領域を指定
しない他のパターンを順次発生させるアドレス発生手段
であり、前記第2の制御手段が、前記他のパターンの発
生を制御して前記発生タイミングを制御することを特徴
としている。
【0023】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施
形態によるパターン発生装置の構成を示すブロック図で
ある。この図において、1はアドレス発生器、2はコン
トロール回路、3はメモリコントローラ、4は被試験メ
モリを示す。
【0024】アドレス発生器1は、ロウアドレス及びカ
ラムアドレスからなるアドレスパターンaを一つのトラ
ンザクションの実行毎に数パターン発生し、コントロー
ル回路2とメモリコントローラ3へ出力する。このアド
レス発生器1は、一つのトランザクションの全アドレス
パターンを発生させた後に、コントロール回路2から供
給される制御信号cにより制御されてダミーパターンを
発生させ(後述)、その後で次のトランザクションのア
ドレスパターンを発生させるものとなっている。ここ
に、ダミーパターンは、ロウアドレス及びカラムアドレ
スのいずれをも何等指定しないパターンである。
【0025】コントロール回路2は、アドレス発生器1
が一つのトランザクションの全アドレスパターンを発生
させるのに要する時間と、被試験メモリ4が当該一つの
トランザクションを終了するのに要する時間との時間差
を求め、その時間差に応じた分のダミーパターンを発生
させる制御信号cをアドレス発生器1へ出力する。
【0026】ここで、コントロール回路2は、被試験メ
モリ4のキャッシュ内に格納されているデータ(後述)
のロウアドレスを記憶しており、これとアドレス発生器
1から順次受けたアドレスパターンとに基づいて、順次
供給される各アドレスパターンに対する被試験メモリ4
での処理時間を把握するものとなっている。又、それら
把握した処理時間により、被試験メモリ4が当該アドレ
スパターンの発生によって形成されるトランザクション
を終了するまでに要する時間も把握する。
【0027】メモリコントローラ3は、受け取ったアド
レスパターンaを被試験メモリ4のプロトコル転送方式
に応じたデータパターンに変換し、必要なタイミング調
整を行った後でこれをリクエストパケットbとして被試
験メモリ4へ出力する。又、メモリコントローラ3も被
試験メモリ4のキャッシュ内に格納されているデータの
ロウアドレスを記憶しており、順次供給される各アドレ
スパターンに対する被試験メモリ4での処理時間を把握
し、これに基づいて上記タイミング調整を行う。尚、メ
モリコントローラ3は、アドレス発生器1からダミーパ
ターンを受けたときにはリクエストパケットbを出力し
ない。
【0028】被試験メモリ4は、良否判定試験の対象と
するキャッシュを備えた半導体メモリであり、受け取っ
たリクエストパケットbからロウアドレスパターンとカ
ラムアドレスパターンとを解読し、それらによって指定
される一つのメモリセルにアクセスすることができるも
のである。この被試験メモリ4においては、解読したア
ドレスパターンによって指定されるメモリセルのデータ
がキャッシュに格納されているものであれば、キャッシ
ュ内のデータが高速で読み出され、格納されているもの
でなければ、内部のメモリセルアレイに格納されたデー
タが読み出される。そして、キャッシュ内のデータを使
うか否かにより、被試験メモリ4における各アドレスパ
ターンに対する処理時間は異なってくる。
【0029】ここで、被試験メモリ4のキャッシュ内に
格納されているデータは、メモリコントローラ3からの
リクエストパケットbに含まれた命令によって更新され
る。すなわち、メモリコントローラ3は、順次アクセス
する(順次アドレスパターンaによって指定される)メ
モリセルに応じてキャッシュ内のデータを変更すること
ができ、その命令を被試験メモリ4へ発したときには、
それに応じて自己が記憶しているキャッシュ内データの
ロウアドレスも変更する。
【0030】又、このようなキャッシュ内データの変更
を行うメモリコントローラ3の機能のうち、順次アクセ
スするメモリセルに応じて変更を決定する機能と同様の
機能をコントロール回路2も具備している。これによ
り、コントロール回路2は、順次受け取ったアドレスパ
ターンaに基づき、メモリコントローラ3によるキャッ
シュ内データの変更を把握し、キャッシュ内データが変
更されるときには、それに応じて自己が記憶しているキ
ャッシュ内データのロウアドレスも変更する。
【0031】このようにして、コントロール回路2とメ
モリコントローラ3は、それぞれ、被試験メモリ4の動
作状態を常時把握している。
【0032】次に、同一ロウアドレス内の4つのカラム
アドレスを順次指定するトランザクションを繰り返すこ
とにより、メモリセルに連続してアクセスする場合を例
として上記構成によるパターン発生装置の動作について
説明する。
【0033】ここで、かかる動作を実行させるためのプ
ログラムでは、ロウアドレス、カラムアドレスをそれぞ
れ“X”、“Y”とし、これらによってメモリセルのア
ドレス番地を指定するプログラム記述を“(X,Y)=
(ロウアドレスの番地,カラムアドレスの番地)”とす
る。従って、例えば“(X,Y)=(4,3)”という
プログラム記述に対しては、ロウアドレス4番地、カラ
ムアドレス3番地のメモリセルにアクセスする動作が実
行される。又、各トランザクションの開始と終了とを識
別できるように、トランザクション開始時におけるアド
レス番地指定記述の先頭に“START”、終了時にお
けるアドレス番地指定記述の先頭に“END”の文字列
をそれぞれ付加するものとする。このようなプログラム
記述形式に準拠した実際のテストパターンプログラムの
一例を図2に示し、以下の動作説明では、同プログラム
によって実行される動作について述べる。
【0034】まず、アドレス発生器1が、図2のから
までの間に順次指定されたロウアドレス、カラムアド
レスに従い、“(X,Y)=(4,0)、(4,1)、
(4,2)、(4,3)”のアドレスパターンaを順次
発生させ、コントロール回路2とメモリコントローラ3
へ供給する。
【0035】次いで、メモリコントローラ3が、順次、
上記アドレスパターンaを受け取り、被試験メモリ4の
プロトコル転送方式に応じたデータパターンに変換し、
かつ、必要なタイミング調整を行った後、リクエストパ
ケットbを生成して被試験メモリ4へ出力する。
【0036】これにより、被試験メモリ4では、順次、
受け取ったリクエストパケットbからロウアドレスとカ
ラムアドレスとを解読し、それらによって指定されるあ
る一つのメモリセルにアクセスする。すなわち、指定さ
れるメモリセルのデータがキャッシュに格納されていれ
ば、そのキャッシュ内のデータが読み出され、格納され
ていなければ、内部のメモリセルアレイに格納されたデ
ータが読み出される。
【0037】一方、このときコントロール回路2は、受
け取ったアドレスパターンaのロウアドレスと、記憶し
ているキャッシュ内データのロウアドレスとの一致比較
をとる。これにより、当該アドレスパターンに対する被
試験メモリ4における処理がキャッシュ内のデータを使
うことになるかどうかを判断し、その判断結果に基づい
て当該アドレスパターンに対する被試験メモリ4での処
理時間(サイクル数)を把握する。
【0038】このようにして、コントロール回路2は、
アドレスパターンaを順次受け取る度に被試験メモリ4
での処理時間を把握し、その把握した処理時間を順次累
算する。そして、現在実行中のトランザクションにおけ
る最後のアドレスパターン(X,Y)=(4,3)を受
け取り、その処理時間を累算した時点で得られた累算値
によって、当該トランザクションを終了するまでに要す
る時間を把握する。
【0039】今、コントロール回路2にて把握されたト
ランザクション終了までの処理時間が6サイクルであっ
たとすると、コントロール回路2は、この処理時間から
当該トランザクション内の全アドレスパターンを発生さ
せるのに要した時間(4サイクル)を差し引き、当該ト
ランザクションの全アドレスパターンを発生させるのに
要する時間と、被試験メモリ4が当該トランザクション
を終了するのに要する時間との時間差(2サイクル)を
求める。
【0040】次いで、コントロール回路2は、求めた時
間差に基づき、その時間差分を調整するための2サイク
ル分のダミーパターンを発生させる制御信号cをアドレ
ス発生器1へ出力する。これにより、アドレス発生器1
は、上記“START”から“END”までの間のアド
レスパターンを発生させた後、ダミーパターン“(X,
Y)=(NOOP,NOOP)”を2度発生させる。
【0041】このようにして、被試験メモリ4の動作状
態に適合するようにアドレスパターンaの発生タイミン
グが自動的に調整された後、アドレス発生器1は、続く
トランザクションである図2の以降のアドレスパター
ン“(X,Y)=(4,4)、(4,5)、(4,
6)、(4,7)”を順次発生させる。そして、上記同
様に、メモリコントローラ3がリクエストパケットbを
順次出力し、被試験メモリ4のメモリセルが順次アクセ
スされると共に、コントロール回路2が把握した処理時
間から求めた時間差に基づいて制御信号cを出力し、こ
れに応じてアドレス発生器1がダミーパターン“(X,
Y)=(NOOP,NOOP)”を発生させる。
【0042】以後、上述した動作を同様に繰り返すこと
により、アドレスパターンaの発生タイミングが自動的
に調整されつつ順次メモリセルへのアクセスがなされ、
被試験メモリ4の良否判定試験が行われる。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
ドレス発生手段が発生させたアドレスパターンに対して
試験対象メモリが動作する状態を把握し、これに基づい
てアドレスパターンの発生タイミングを制御する第2の
制御手段を設けることとしたので、発生させるアドレス
パターンのみを定めておけば、アドレスパターンを変換
してアクセスすることによるアドレス発生手段と試験対
象メモリとの動作タイミングの不一致が解消されて所望
の記憶領域へのアクセスを行うことができる。これによ
り、プロトコル転送方式等の所定の信号授受形態を備え
たメモリの記憶領域へのアクセスのみを考えてテストパ
ターンのプログラムを作成することが可能となり、メモ
リの良否判定試験におけるプログラム作成を容易にする
ことができるという効果が得られる。
【0044】ここで、発明によれば、試験対象メモリ
の複数の記憶領域それぞれに記憶されているデータのア
ドレスと、順次発生されたアドレスパターンとによって
試験対象メモリの動作状態を把握することとし、アドレ
ス発生とそれに対する試験対象メモリの動作の所要時間
との差に応じて発生タイミングを制御することとしたの
で、アドレス発生手段と試験対象メモリとの動作タイミ
ングの時間差に応じて自動的にアドレスパターンの発生
が制御される。又、請求項記載の発明によれば、アド
レス発生手段が所定の単位のアドレスパターンを発生さ
せる毎に、かかる時間差を求めてアドレスパターンの発
生タイミングを制御することとしたので、いくつかの記
憶領域単位でテストパターンを作成すれば、それぞれの
記憶領域単位については続けてアクセスし、各記憶領域
単位の間でタイミング調整を行うようにすることができ
る。
【0045】尚、請求項記載の発明によれば、アドレ
ス発生手段をアドレスパターン若しくは記憶領域を指定
しない他のパターンを順次発生させるものとし、第2の
制御手段が他のパターンの発生を制御してアドレスパタ
ーンの発生タイミングを制御することとしたので、ここ
にいう他のパターンを発生させるためにダミーパターン
をテストプログラムに含めていた従来のパターン発生装
置におけるアドレス発生手段や制御手段を利用して本発
明によるパターン発生装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態によるパターン発生装置
の構成を示すブロック図である。
【図2】 同パターン発生装置におけるテストパターン
のプログラム例を示す図である。
【図3】 プロトコル転送方式を備えた半導体メモリを
試験するための従来のパターン発生装置のブロック図で
ある。
【図4】 従来のパターン発生装置におけるテストパタ
ーンのプログラム例を示す図である。
【符号の説明】
1 アドレス発生器 2 コントロール回路 3 メモリコントローラ 4 被試験メモリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 29/00 G01R 31/28 G01R 31/3183 G06F 12/16 G06F 11/22

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試験対象メモリの記憶領域を指定するア
    ドレスパターンを順次発生させるアドレス発生手段と、 前記試験対象メモリに対し、その信号授受形態に順次発
    生された前記アドレスパターンを変換して供給し、各ア
    ドレスパターンによって指定される前記記憶領域に順次
    アクセスする第1の制御手段と、 前記アドレス発生手段が発生させたアドレスパターンに
    対して前記試験対象メモリが動作する状態を把握し、こ
    れに基づいて前記アドレスパターンの発生タイミングを
    制御する第2の制御手段とを有し、 前記試験対象メモリは、動作速度が異なる複数の記憶領
    域を有し、 前記第2の制御手段は、前記複数の記憶領域それぞれに
    記憶されているデータのアドレスと、順次発生された前
    記アドレスパターンとにより前記状態を把握し、アドレ
    ス発生手段がアドレス発生に要した第1の所要時間と、
    発生されたアドレスパターンに対して前記試験対象メモ
    リが動作するのに要する第2の所要時間との差を求め、
    その差に応じて前記発生タイミングの制御を行う ことを
    特徴とするパターン発生装置。
  2. 【請求項2】 請求項記載のパターン発生装置におい
    て、 前記第2の制御手段は、前記アドレス発生手段が所定の
    単位のアドレスパターンを発生させる毎に前記差を求め
    て前記発生タイミングの制御を行うことを特徴とするパ
    ターン発生装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載のパターン発生装置
    において、 前記アドレス発生手段は、前記アドレスパターン若しく
    は前記記憶領域を指定しない他のパターンを順次発生さ
    せるアドレス発生手段であり、 前記第2の制御手段が、前記他のパターンの発生を制御
    して前記発生タイミングを制御することを特徴とするパ
    ターン発生装置。
JP13414397A 1997-05-23 1997-05-23 パターン発生装置 Expired - Fee Related JP3233068B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13414397A JP3233068B2 (ja) 1997-05-23 1997-05-23 パターン発生装置
US09/082,785 US6148424A (en) 1997-05-23 1998-05-21 Pattern generating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13414397A JP3233068B2 (ja) 1997-05-23 1997-05-23 パターン発生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10326498A JPH10326498A (ja) 1998-12-08
JP3233068B2 true JP3233068B2 (ja) 2001-11-26

Family

ID=15121483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13414397A Expired - Fee Related JP3233068B2 (ja) 1997-05-23 1997-05-23 パターン発生装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6148424A (ja)
JP (1) JP3233068B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6078637A (en) 1998-06-29 2000-06-20 Cypress Semiconductor Corp. Address counter test mode for memory device
US6671845B1 (en) * 1999-10-19 2003-12-30 Schlumberger Technologies, Inc. Packet-based device test system
US7114112B2 (en) * 2003-06-18 2006-09-26 International Business Machines Corporation Method, system, and program for simulating Input/Output (I/O) requests to test a system
JP2012252530A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Fujitsu Ltd メモリコントローラ及び制御方法
US10074436B1 (en) * 2017-06-13 2018-09-11 Winbound Electronics Corp. Memory device and data reading method thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5552581A (en) * 1978-10-11 1980-04-17 Advantest Corp Pattern generator
JPS5914840B2 (ja) * 1979-10-19 1984-04-06 日本電信電話株式会社 半導体メモリ試験用パタ−ン発生装置
US4759021A (en) * 1985-01-31 1988-07-19 Hitachi, Ltd. Test pattern generator
JPS62185177A (ja) * 1986-02-12 1987-08-13 Yokogawa Electric Corp テストシステム
EP0429673B1 (en) * 1989-06-16 1996-11-13 Advantest Corporation Test pattern generator
JPH05281299A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Ando Electric Co Ltd アドレスパターン発生器
JPH08129056A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Ando Electric Co Ltd 半導体試験装置のパターン発生器
KR100208043B1 (ko) * 1996-01-12 1999-07-15 오우라 히로시 시험 패턴 발생기
US5883905A (en) * 1997-02-18 1999-03-16 Schlumberger Technologies, Inc. Pattern generator with extended register programming
JP3833341B2 (ja) * 1997-05-29 2006-10-11 株式会社アドバンテスト Ic試験装置のテストパターン発生回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10326498A (ja) 1998-12-08
US6148424A (en) 2000-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1356468B1 (en) Method for programming memory controller in a high performance microprocessor
US20010054135A1 (en) Memory control technique
JP2002288037A (ja) メモリ制御装置及び方法
US20060059320A1 (en) Memory control device
JP3233068B2 (ja) パターン発生装置
KR930002962A (ko) 프로그램 가능한 제어기
JPH11167515A (ja) データ伝送装置及びデータ伝送方法
US5153856A (en) DRAM controller
JPH0844559A (ja) データ処理装置およびそのオペレーション方法
JP2000020451A (ja) 情報処理装置および方法、並びに提供媒体
JP2004171678A (ja) 情報記憶装置、情報記憶方法、及び情報記憶プログラム
JP2607561Y2 (ja) 半導体メモリ試験装置
JP2000285013A (ja) インターフェース装置
JP2000137997A (ja) 半導体試験装置のフェイルデータメモリ回路
JPH09305562A (ja) データ転送装置
JPH04262435A (ja) メモリ制御方式
JP2000148657A (ja) Dmaコントローラ
JPH03211634A (ja) データトレース方式
JPH052553A (ja) メモリ制御システム
JP2904471B2 (ja) データ提供装置
JP2000011645A (ja) 半導体記憶装置
JPH06348581A (ja) メモリアクセス制御装置
JPH0448262B2 (ja)
JPH03255551A (ja) 記憶装置
JPH06214879A (ja) メモリ構成制御方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010821

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees