JP3226329B2 - 容量装置およびその製造方法 - Google Patents
容量装置およびその製造方法Info
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- JP3226329B2 JP3226329B2 JP15325692A JP15325692A JP3226329B2 JP 3226329 B2 JP3226329 B2 JP 3226329B2 JP 15325692 A JP15325692 A JP 15325692A JP 15325692 A JP15325692 A JP 15325692A JP 3226329 B2 JP3226329 B2 JP 3226329B2
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電体薄膜を用いた
容量装置およびその製造方法に関する。
容量装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、強誘電体薄膜は自発分極や高誘電
率といった特徴を持つために、不揮発性ＲＡＭ（Random
Access Memory）や高集積ＤＲＡＭ（Dynamic Random A
ccessMemory）に用いる容量絶縁膜として活発な研究が
おこなわれている。このような強誘電体薄膜を金属膜で
被覆した支持基板の表面上に形成する方法として、スパ
ッタ法やＣＶＤ（Chemical Vaper Deposition ）法また
は塗布法がある。これらの方法で形成された強誘電体薄
膜は、強誘電性または誘電率を向上させるために酸素雰
囲気中での熱処理によって多結晶化される。しかる後に
強誘電体薄膜の上に金属膜を形成することによって容量
装置を構成することになる。
率といった特徴を持つために、不揮発性ＲＡＭ（Random
Access Memory）や高集積ＤＲＡＭ（Dynamic Random A
ccessMemory）に用いる容量絶縁膜として活発な研究が
おこなわれている。このような強誘電体薄膜を金属膜で
被覆した支持基板の表面上に形成する方法として、スパ
ッタ法やＣＶＤ（Chemical Vaper Deposition ）法また
は塗布法がある。これらの方法で形成された強誘電体薄
膜は、強誘電性または誘電率を向上させるために酸素雰
囲気中での熱処理によって多結晶化される。しかる後に
強誘電体薄膜の上に金属膜を形成することによって容量
装置を構成することになる。
【０００３】以下従来の容量装置およびその製造方法に
ついて説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は強誘電体薄膜を
用いた従来の容量装置の製造工程図である。まず図３
（ａ）に示すように、集積回路が形成された支持基板３
１の上に膜厚１０〜１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜３２
および膜厚１００〜３００ｎｍの第１の白金（Ｐｔ）膜
３３を連続スパッタ法により形成する。次に図３（ｂ）
に示すように、第１のＰｔ膜３３の上に強誘電体薄膜と
して（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3膜３４を塗布法を用いて
膜厚２０〜３００ｎｍで形成した後、酸素雰囲気中で６
５０〜８００℃の温度で熱処理し（ＢａxＳｒ1-x）Ｔｉ
Ｏ3 膜３４を多結晶化する。次に図３（ｃ）に示すよう
に、膜厚１００〜３００ｎｍの第２のＰｔ膜３５をスパ
ッタ法を用いて堆積し、容量装置を形成していた。
ついて説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は強誘電体薄膜を
用いた従来の容量装置の製造工程図である。まず図３
（ａ）に示すように、集積回路が形成された支持基板３
１の上に膜厚１０〜１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜３２
および膜厚１００〜３００ｎｍの第１の白金（Ｐｔ）膜
３３を連続スパッタ法により形成する。次に図３（ｂ）
に示すように、第１のＰｔ膜３３の上に強誘電体薄膜と
して（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3膜３４を塗布法を用いて
膜厚２０〜３００ｎｍで形成した後、酸素雰囲気中で６
５０〜８００℃の温度で熱処理し（ＢａxＳｒ1-x）Ｔｉ
Ｏ3 膜３４を多結晶化する。次に図３（ｃ）に示すよう
に、膜厚１００〜３００ｎｍの第２のＰｔ膜３５をスパ
ッタ法を用いて堆積し、容量装置を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、強誘電体薄膜すなわち（ＢａxＳｒ1-x）
ＴｉＯ3 膜３４が粒径およそ数マイクロメータの多結晶
体からなるために、その内部および表面に微細な粒界空
隙（図示せず）が存在している。この粒界空隙が分散し
た（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３４の電気伝導率は、結
晶粒の表皮効果によって原子配列の無秩序な非晶質体の
それより高い。その結果絶縁破壊電圧の低下やリーク電
流の増大を招いたり、ＴＤＤＢ（Time Dependent Diele
ctric Breakdown ）特性が低下するなど、容量装置とし
ての特性に悪影響を及ぼすという課題を有していた。
来の構成では、強誘電体薄膜すなわち（ＢａxＳｒ1-x）
ＴｉＯ3 膜３４が粒径およそ数マイクロメータの多結晶
体からなるために、その内部および表面に微細な粒界空
隙（図示せず）が存在している。この粒界空隙が分散し
た（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３４の電気伝導率は、結
晶粒の表皮効果によって原子配列の無秩序な非晶質体の
それより高い。その結果絶縁破壊電圧の低下やリーク電
流の増大を招いたり、ＴＤＤＢ（Time Dependent Diele
ctric Breakdown ）特性が低下するなど、容量装置とし
ての特性に悪影響を及ぼすという課題を有していた。
【０００５】一方、粒界空隙のない非晶質の（ＢａxＳ
ｒ1-x）ＴｉＯ3 膜を強誘電体薄膜として用いると、そ
の強誘電体薄膜の誘電率が大幅に低下するという新たな
課題が発生した。
ｒ1-x）ＴｉＯ3 膜を強誘電体薄膜として用いると、そ
の強誘電体薄膜の誘電率が大幅に低下するという新たな
課題が発生した。
【０００６】本発明は上記の従来の課題を解決するもの
で、誘電率が高く容量が大きくかつ信頼性の高い容量装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
で、誘電率が高く容量が大きくかつ信頼性の高い容量装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１記載の容量装置は、支持基板の一主
面に形成した第１の金属膜と、前記第１の金属膜の上に
形成した粒界空隙を有する強誘電体薄膜と、前記強誘電
体薄膜の粒界の表面部を融解し、過冷却することによ
り、連続して形成された粒界空隙のない非晶質層と、前
記非晶質層の上に形成した第２の金属膜とからなること
を特徴としたものである。また本発明の請求項２記載の
容量装置は、請求項１記載の容量装置において、前記非
晶質層の厚さが１００ｎｍ以下とすることを特徴とする
ものである。また請求項３記載の容量装置は、請求項１
記載の容量装置において、第１の金属膜および第２の金
属膜のうち少なくとも一方を複数層の金属膜で形成する
ことを特徴とするものである。
に本発明の請求項１記載の容量装置は、支持基板の一主
面に形成した第１の金属膜と、前記第１の金属膜の上に
形成した粒界空隙を有する強誘電体薄膜と、前記強誘電
体薄膜の粒界の表面部を融解し、過冷却することによ
り、連続して形成された粒界空隙のない非晶質層と、前
記非晶質層の上に形成した第２の金属膜とからなること
を特徴としたものである。また本発明の請求項２記載の
容量装置は、請求項１記載の容量装置において、前記非
晶質層の厚さが１００ｎｍ以下とすることを特徴とする
ものである。また請求項３記載の容量装置は、請求項１
記載の容量装置において、第１の金属膜および第２の金
属膜のうち少なくとも一方を複数層の金属膜で形成する
ことを特徴とするものである。
【０００８】また本発明の請求項４記載の容量装置の製
造方法は、支持基板の一主面に第１の金属膜を形成する
工程と、その第１の金属膜の上に強誘電体薄膜を塗布法
により形成する工程と、その強誘電体薄膜を熱処理によ
って多結晶化する工程と、前記多結晶化した強誘電体薄
膜の表面を融解し、過冷却することにより、前記強誘電
体薄膜の粒界の表面部を非晶質層として連続して形成す
る工程と、前記非晶質層が形成された強誘電体薄膜の上
に第２の金属膜を形成する工程とを有するものである。
また本発明の請求項５記載の容量装置の製造方法は、請
求項４記載の容量装置の製造方法において、前記強誘電
体薄膜の表面を融解する工程が、光を照射することによ
って表面に非晶質層を形成する工程であることを特徴と
するものである。また本発明の請求項６記載の容量装置
の製造方法は、請求項４記載の容量装置の製造方法にお
いて、前記光を照射することによって非晶質化する工程
が、パルス状のレーザー光を１回以上照射することによ
って行われることを特徴とするものである。また本発明
の請求項７記載の容量装置の製造方法は、請求項５記載
の容量装置の製造方法において、レーザー光の波長が３
５１ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
造方法は、支持基板の一主面に第１の金属膜を形成する
工程と、その第１の金属膜の上に強誘電体薄膜を塗布法
により形成する工程と、その強誘電体薄膜を熱処理によ
って多結晶化する工程と、前記多結晶化した強誘電体薄
膜の表面を融解し、過冷却することにより、前記強誘電
体薄膜の粒界の表面部を非晶質層として連続して形成す
る工程と、前記非晶質層が形成された強誘電体薄膜の上
に第２の金属膜を形成する工程とを有するものである。
また本発明の請求項５記載の容量装置の製造方法は、請
求項４記載の容量装置の製造方法において、前記強誘電
体薄膜の表面を融解する工程が、光を照射することによ
って表面に非晶質層を形成する工程であることを特徴と
するものである。また本発明の請求項６記載の容量装置
の製造方法は、請求項４記載の容量装置の製造方法にお
いて、前記光を照射することによって非晶質化する工程
が、パルス状のレーザー光を１回以上照射することによ
って行われることを特徴とするものである。また本発明
の請求項７記載の容量装置の製造方法は、請求項５記載
の容量装置の製造方法において、レーザー光の波長が３
５１ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】この構成によって、多結晶体からなる強誘電体
薄膜と金属膜の界面に粒界空隙のない非晶質を配してい
るので、リーク電流が少なく絶縁破壊電圧の高い層間絶
縁膜を有することができ、また強誘電体膜と電極との界
面がフラットになるため、電極との接合を良くすること
ができる。
薄膜と金属膜の界面に粒界空隙のない非晶質を配してい
るので、リーク電流が少なく絶縁破壊電圧の高い層間絶
縁膜を有することができ、また強誘電体膜と電極との界
面がフラットになるため、電極との接合を良くすること
ができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例における容量装置およ
びその製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における容
量装置の製造工程図である。まず図１（ａ）に示すよう
に、集積回路が形成された支持基板１の上にスパッタ法
を用いて膜厚１０〜５００ｎｍの第１の窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）膜２を形成する。次に図１（ｂ）に示すように、
第１のＴｉＮ膜２の上に強誘電体薄膜として（ＢａxＳ
ｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３を塗布法を用いて膜厚２０〜３０
０ｎｍで形成した後、酸素雰囲気中で６５０〜８００℃
の温度で熱処理し、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３を多
結晶化する。この状態では、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3
膜３の内部および表面には結晶粒界の微細な粒界空隙が
分散している。そこでこの粒界空隙を消去するために、
図１（ｃ）に示すように、高エネルギーを持つ短パルス
のレーザ光４を（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３の表面に
一様に１回照射する。短パルスのレーザ光４としては、
波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光でそのエネル
ギー密度が５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2 のものを用いた。
この短パルス高エネルギーのレーザ光４の照射によっ
て、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３の表面層は瞬時に融
解し、過冷却状態のもとで厚さ１００ｎｍ以下の非晶質
層５を形成する。次に図１（ｄ）に示すように、膜厚２
０〜３００ｎｍの第２のＴｉＮ膜６をスパッタ法を用い
て堆積して容量装置が形成される。
びその製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における容
量装置の製造工程図である。まず図１（ａ）に示すよう
に、集積回路が形成された支持基板１の上にスパッタ法
を用いて膜厚１０〜５００ｎｍの第１の窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）膜２を形成する。次に図１（ｂ）に示すように、
第１のＴｉＮ膜２の上に強誘電体薄膜として（ＢａxＳ
ｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３を塗布法を用いて膜厚２０〜３０
０ｎｍで形成した後、酸素雰囲気中で６５０〜８００℃
の温度で熱処理し、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３を多
結晶化する。この状態では、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3
膜３の内部および表面には結晶粒界の微細な粒界空隙が
分散している。そこでこの粒界空隙を消去するために、
図１（ｃ）に示すように、高エネルギーを持つ短パルス
のレーザ光４を（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３の表面に
一様に１回照射する。短パルスのレーザ光４としては、
波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光でそのエネル
ギー密度が５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2 のものを用いた。
この短パルス高エネルギーのレーザ光４の照射によっ
て、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜３の表面層は瞬時に融
解し、過冷却状態のもとで厚さ１００ｎｍ以下の非晶質
層５を形成する。次に図１（ｄ）に示すように、膜厚２
０〜３００ｎｍの第２のＴｉＮ膜６をスパッタ法を用い
て堆積して容量装置が形成される。
【００１１】次に本発明の容量装置の製造方法の第２の
実施例について、説明する。図２（ａ）〜（ｄ）を用い
て説明する。まず図２（ａ）に示すように、集積回路が
形成された支持基板２１の上にスパッタ法を用いて膜厚
１０〜１００ｎｍのＴｉ膜２２と膜厚２０〜５００ｎｍ
の第１のＴｉＮ膜２３を連続して形成する。次に図２
（ｂ）に示すように、第１のＴｉＮ膜２３の上に強誘電
体薄膜として（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４を塗布法
を用いて膜厚２０〜３００ｎｍで形成した後、酸素雰囲
気中で６５０〜８００℃の温度で熱処理し、（ＢａxＳ
ｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４を多結晶化する。この状態で
は、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４の内部および表面
には結晶粒界の微細な粒界空隙が分散している。そこで
この粒界空隙を消去するために、図２（ｃ）に示すよう
に、高エネルギーを持つ短パルスのレーザ光２５を（Ｂ
ａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４の表面に一様に１回照射す
る。この短パルスのレーザ光２５としては、波長２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光でそのエネルギー密度が
５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2 のものを用いた。この短パル
ス高エネルギーのレーザ光２５の照射によって（Ｂａx
Ｓｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４の表面層は瞬時に融解し、過
冷却状態のもとで厚さ１００ｎｍ以下の非晶質層２６を
形成する。次に図２（ｄ）に示すように、膜厚２０〜３
００ｎｍの第２のＴｉＮ膜２７をスパッタ法を用いて堆
積し、容量装置が形成される。
実施例について、説明する。図２（ａ）〜（ｄ）を用い
て説明する。まず図２（ａ）に示すように、集積回路が
形成された支持基板２１の上にスパッタ法を用いて膜厚
１０〜１００ｎｍのＴｉ膜２２と膜厚２０〜５００ｎｍ
の第１のＴｉＮ膜２３を連続して形成する。次に図２
（ｂ）に示すように、第１のＴｉＮ膜２３の上に強誘電
体薄膜として（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４を塗布法
を用いて膜厚２０〜３００ｎｍで形成した後、酸素雰囲
気中で６５０〜８００℃の温度で熱処理し、（ＢａxＳ
ｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４を多結晶化する。この状態で
は、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４の内部および表面
には結晶粒界の微細な粒界空隙が分散している。そこで
この粒界空隙を消去するために、図２（ｃ）に示すよう
に、高エネルギーを持つ短パルスのレーザ光２５を（Ｂ
ａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４の表面に一様に１回照射す
る。この短パルスのレーザ光２５としては、波長２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光でそのエネルギー密度が
５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2 のものを用いた。この短パル
ス高エネルギーのレーザ光２５の照射によって（Ｂａx
Ｓｒ1-x）ＴｉＯ3 膜２４の表面層は瞬時に融解し、過
冷却状態のもとで厚さ１００ｎｍ以下の非晶質層２６を
形成する。次に図２（ｄ）に示すように、膜厚２０〜３
００ｎｍの第２のＴｉＮ膜２７をスパッタ法を用いて堆
積し、容量装置が形成される。
【００１２】以上のように本実施例における容量装置の
製造方法によれば、短パルス高エネルギーのレーザ光の
照射によって多結晶体からなる強誘電体薄膜の上に電気
伝導率の低い非晶質層を配置できるので、リーク電流が
少なく絶縁破壊電圧の高い層間絶縁膜を有する容量装置
を実現できる。
製造方法によれば、短パルス高エネルギーのレーザ光の
照射によって多結晶体からなる強誘電体薄膜の上に電気
伝導率の低い非晶質層を配置できるので、リーク電流が
少なく絶縁破壊電圧の高い層間絶縁膜を有する容量装置
を実現できる。
【００１３】なお第１および第２の実施例では短パルス
高エネルギーのレーザ光として波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ光を用いたが、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）
エキシマレーザやＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレーザ
など波長３５１ｎｍ以下で発振するものであれば、どの
ようなレーザを用いても同様の効果が得られることは言
うまでもない。
高エネルギーのレーザ光として波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ光を用いたが、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）
エキシマレーザやＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレーザ
など波長３５１ｎｍ以下で発振するものであれば、どの
ようなレーザを用いても同様の効果が得られることは言
うまでもない。
【００１４】また第１および第２の実施例では強誘電体
薄膜として（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ 3 膜を用いたが、Ｓ
ｒＴｉＯ3 膜、ＢａＴｉＯ3 膜、ＰＺＴ膜またはＰＬＺ
Ｔ膜など他の強誘電体薄膜を用いても同様の効果が得ら
れることはいうまでもない。
薄膜として（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ 3 膜を用いたが、Ｓ
ｒＴｉＯ3 膜、ＢａＴｉＯ3 膜、ＰＺＴ膜またはＰＬＺ
Ｔ膜など他の強誘電体薄膜を用いても同様の効果が得ら
れることはいうまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は、強誘電体薄膜と
金属膜の界面に非晶質層を配することによりリーク電流
が少なく絶縁破壊電圧の高い層間絶縁膜を有する容量装
置およびその製造方法を実現できるものである。
金属膜の界面に非晶質層を配することによりリーク電流
が少なく絶縁破壊電圧の高い層間絶縁膜を有する容量装
置およびその製造方法を実現できるものである。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例におけ
る容量装置の製造工程図
る容量装置の製造工程図
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例におけ
る容量装置の製造工程図
る容量装置の製造工程図
【図３】（ａ）〜（ｃ）は強誘電体薄膜を用いた従来の
容量装置の製造工程図
容量装置の製造工程図
１ 支持基板 ２ 第１のＴｉＮ膜（第１の金属膜） ３ （ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3 膜（強誘電体薄膜） ５ 非晶質層 ６ 第２のＴｉＮ膜（第２の金属膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 那須 徹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (72)発明者 木部 真樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (72)発明者 藤井 英治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−315124（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−51407（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−38008（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】 支持基板の一主面に形成した第１の金属
膜と、前記第１の金属膜の上に形成した粒界空隙を有す
る強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜の粒界の表面部を
融解し、過冷却することにより、連続して形成された粒
界空隙のない非晶質層と、前記非晶質層の上に形成した
第２の金属膜とからなる容量装置。 - 【請求項２】 前記非晶質層の厚さが１００ｎｍ以下で
あることを特徴とする請求項１記載の容量装置。 - 【請求項３】 第１の金属膜および第２の金属膜のうち
少なくとも一方を複数層の金属膜で形成する請求項１記
載の容量装置。 - 【請求項４】 支持基板の一主面に第１の金属膜を形成
する工程と、その第１の金属膜の上に強誘電体薄膜を塗
布法により形成する工程と、その強誘電体薄膜を熱処理
によって多結晶化する工程と、前記多結晶化した強誘電
体薄膜の表面を融解し、過冷却することにより、前記強
誘電体薄膜の粒界の表面部を非晶質層として連続して形
成する工程と、前記非晶質層が形成された強誘電体薄膜
の上に第２の金属膜を形成する工程とを有する容量装置
の製造方法。 - 【請求項５】 前記強誘電体薄膜の表面を融解する工程
が、光を照射することによって表面に非晶質層を形成す
る工程である請求項４記載の容量装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記光を照射することによって非晶質化
する工程が、パルス状のレーザー光を１回以上照射する
ことによって行われる請求項５記載の容量装置の製造方
法。 - 【請求項７】 レーザー光の波長が３５１ｎｍ以下であ
る請求項６記載の容量装置の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325692A JP3226329B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 容量装置およびその製造方法 |
| EP93304609A EP0574275B1 (en) | 1992-06-12 | 1993-06-14 | Semiconductor device having capacitor |
| DE69333864T DE69333864T2 (de) | 1992-06-12 | 1993-06-14 | Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator |
| EP97106056A EP0789395B1 (en) | 1992-06-12 | 1993-06-14 | Manufacturing method for semiconductor device having capacitor |
| DE69317940T DE69317940T2 (de) | 1992-06-12 | 1993-06-14 | Halbleiterbauelement mit Kondensator |
| US08/778,953 US5717233A (en) | 1992-06-12 | 1997-01-06 | Semiconductor device having capacitior and manufacturing method thereof |
| US08/947,712 US6126752A (en) | 1992-06-12 | 1997-10-09 | Semiconductor device having capacitor and manufacturing apparatus thereof |
| US08/950,920 US6080617A (en) | 1992-06-12 | 1997-10-15 | Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325692A JP3226329B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 容量装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343254A JPH05343254A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3226329B2 true JP3226329B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=15558484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15325692A Expired - Fee Related JP3226329B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 容量装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3226329B2 (ja) |
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1992
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