JP3224057B2 - 炭素添加半導体結晶の成長方法 - Google Patents
炭素添加半導体結晶の成長方法Info
- Publication number
- JP3224057B2 JP3224057B2 JP24674093A JP24674093A JP3224057B2 JP 3224057 B2 JP3224057 B2 JP 3224057B2 JP 24674093 A JP24674093 A JP 24674093A JP 24674093 A JP24674093 A JP 24674093A JP 3224057 B2 JP3224057 B2 JP 3224057B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- raw material
- gas
- arsenic
- cylinder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長方法における
化合物半導体結晶への炭素不純物添加を行う炭素添加半
導体結晶の成長方法に関するものである。
化合物半導体結晶への炭素不純物添加を行う炭素添加半
導体結晶の成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ系ヘテロ接合トランジスタのベ
ース層に用いるｐ型ＧａＡｓやｐ型ＡｌＧａＡｓのｐ型
不純物としては、亜鉛，マグネシウム，ベリリウムが用
いられている。
ース層に用いるｐ型ＧａＡｓやｐ型ＡｌＧａＡｓのｐ型
不純物としては、亜鉛，マグネシウム，ベリリウムが用
いられている。
【０００３】亜鉛は、拡散定数が大きいことやメモリ効
果を持つことなどにより急峻な不純物濃度分布を得るこ
とが難しい。マグネシウムは、キャリア濃度の飽和やメ
モリ効果を持つことなどの問題がある。ベリリウムは、
低拡散定数であるが、高濃度添加時の異常拡散や高電流
密度通電時の通電拡散などにより素子特性の劣化を生じ
る。
果を持つことなどにより急峻な不純物濃度分布を得るこ
とが難しい。マグネシウムは、キャリア濃度の飽和やメ
モリ効果を持つことなどの問題がある。ベリリウムは、
低拡散定数であるが、高濃度添加時の異常拡散や高電流
密度通電時の通電拡散などにより素子特性の劣化を生じ
る。
【０００４】一方、炭素不純物はこれらの問題解決に有
効なｐ型不純物として注目されてきた。
効なｐ型不純物として注目されてきた。
【０００５】高速動作が期待できるＩｎＰ系ヘテロ接合
トランジスタのベース層に用いるｐ型ＩｎＧａＡｓの場
合も、ｐ型不純物として亜鉛，マグネシウム，ベリリウ
ムなどが用いられているため、ｐ型ＧａＡｓやＡｌＧａ
Ａｓと同様な問題を持っている。ＩｎＧａＡｓ中の炭素
は当初ｎ型と思われていたが、S.A.Stockmanらの報告
（J.Electronic Materials, Vol.21,No.12,1992,p.111
1）やG.E.Stillmanらの報告（Inst.Phys.Conf.Ser.No12
9, P.687,1993）のようにｐ型になることは明確であ
る。
トランジスタのベース層に用いるｐ型ＩｎＧａＡｓの場
合も、ｐ型不純物として亜鉛，マグネシウム，ベリリウ
ムなどが用いられているため、ｐ型ＧａＡｓやＡｌＧａ
Ａｓと同様な問題を持っている。ＩｎＧａＡｓ中の炭素
は当初ｎ型と思われていたが、S.A.Stockmanらの報告
（J.Electronic Materials, Vol.21,No.12,1992,p.111
1）やG.E.Stillmanらの報告（Inst.Phys.Conf.Ser.No12
9, P.687,1993）のようにｐ型になることは明確であ
る。
【０００６】このようなことから、ＧａＡｓやＡｌＧａ
ＡｓやＩｎＧａＡｓの炭素不純物は拡散定数が小さい、
高濃度添加が可能、活性化率がほぼ１００％、メモリ効
果がない、異常拡散や通常拡散が見られない、などの特
徴をもつ新しいｐ型不純物として注目され、種々の炭素
添加半導体結晶の成長方法が提案され始めた。
ＡｓやＩｎＧａＡｓの炭素不純物は拡散定数が小さい、
高濃度添加が可能、活性化率がほぼ１００％、メモリ効
果がない、異常拡散や通常拡散が見られない、などの特
徴をもつ新しいｐ型不純物として注目され、種々の炭素
添加半導体結晶の成長方法が提案され始めた。
【０００７】III 族原料として主炭素混入源となるトリ
メチルガリウムを用い、Ｖ族原料のトリメチルひ素から
メチル基ガスを供給してトリメチルガリウムの「ガリウ
ム−炭素」結合の分解反応の進行を抑制し、このメチル
基ガスの供給量により炭素添加量を制御するような炭素
添加半導体結晶の成長方法の場合、トリメチルひ素はＡ
ｓとメチル基の両方の供給源となる。
メチルガリウムを用い、Ｖ族原料のトリメチルひ素から
メチル基ガスを供給してトリメチルガリウムの「ガリウ
ム−炭素」結合の分解反応の進行を抑制し、このメチル
基ガスの供給量により炭素添加量を制御するような炭素
添加半導体結晶の成長方法の場合、トリメチルひ素はＡ
ｓとメチル基の両方の供給源となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高温成長に
おいては成長表面からＡｓが解離しやすくなり、結晶性
が劣化しやすい問題がある。トリメチルひ素は熱分解し
にくいため、流量を増加してもＡｓ分圧はそれほど高く
ならない。アルシンは熱分解しやすく、Ａｓ分圧を高め
るのに有効であるが、アルシンの分解により発生した活
性水素は、主炭素源の「ガリウム−炭素」結合の分解反
応を促進させる作用があり、炭素濃度が減少してしまう
問題があった。
おいては成長表面からＡｓが解離しやすくなり、結晶性
が劣化しやすい問題がある。トリメチルひ素は熱分解し
にくいため、流量を増加してもＡｓ分圧はそれほど高く
ならない。アルシンは熱分解しやすく、Ａｓ分圧を高め
るのに有効であるが、アルシンの分解により発生した活
性水素は、主炭素源の「ガリウム−炭素」結合の分解反
応を促進させる作用があり、炭素濃度が減少してしまう
問題があった。
【０００９】このようなことから、６００℃以上の高温
での高炭素濃度添加半導体の成長において、メチル基ガ
スの制御とＡｓ分圧の制御を個別にできる方法の開発が
強く望まれていた。
での高炭素濃度添加半導体の成長において、メチル基ガ
スの制御とＡｓ分圧の制御を個別にできる方法の開発が
強く望まれていた。
【００１０】本発明の目的は、６００℃以上の高温での
高炭素濃度添加半導体成長において、炭素濃度制御に重
要なメチル基ガスの制御と、結晶表面荒れの防止に有効
なＡｓ分圧の制御を個別に制御できる成長方法を提供す
ることにある。
高炭素濃度添加半導体成長において、炭素濃度制御に重
要なメチル基ガスの制御と、結晶表面荒れの防止に有効
なＡｓ分圧の制御を個別に制御できる成長方法を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる炭素添加
半導体結晶の成長方法は、III 族原料として母結晶構成
元素を含み、かつ主炭素混入源となりうるIII 族原料を
用い、Ｖ族原料に主炭素混入源であるIII 族原料の「母
結晶元素−炭素」結合の分解反応を抑制するメチル基を
有するガスを用い、さらに、メチル基制御用原料として
トリメチルひ素を用い、ひ素圧制御用原料としてトリエ
チルひ素を用いるものである。
半導体結晶の成長方法は、III 族原料として母結晶構成
元素を含み、かつ主炭素混入源となりうるIII 族原料を
用い、Ｖ族原料に主炭素混入源であるIII 族原料の「母
結晶元素−炭素」結合の分解反応を抑制するメチル基を
有するガスを用い、さらに、メチル基制御用原料として
トリメチルひ素を用い、ひ素圧制御用原料としてトリエ
チルひ素を用いるものである。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【作用】本発明においては、メチル基ガスの供給とメチ
ル基ガスの制御により主炭素源となる母結晶構成原料の
「母結晶元素−炭素結合」の分解反応の進行を抑制する
ことによって、高炭素濃度結晶を成長させる成長方法に
おいて、メチル基ガスの制御とＡｓ分圧の制御を個別に
行う。
ル基ガスの制御により主炭素源となる母結晶構成原料の
「母結晶元素−炭素結合」の分解反応の進行を抑制する
ことによって、高炭素濃度結晶を成長させる成長方法に
おいて、メチル基ガスの制御とＡｓ分圧の制御を個別に
行う。
【００１５】従来の炭素添加結晶成長法では、メチル基
ガスの制御とＡｓ分圧の制御を個別に行うことはできな
かった。そのため、炭素の添加法と結晶表面からのＡｓ
の解離防止法は、ともに成長温度の低温化だけであり、
本発明の炭素添加半導体結晶の成長法とは、メチル基と
Ａｓ分圧の制御方法が異なる。
ガスの制御とＡｓ分圧の制御を個別に行うことはできな
かった。そのため、炭素の添加法と結晶表面からのＡｓ
の解離防止法は、ともに成長温度の低温化だけであり、
本発明の炭素添加半導体結晶の成長法とは、メチル基と
Ａｓ分圧の制御方法が異なる。
【００１６】
【実施例】本発明は気相成長法であれば実施可能であ
り、ここでは最も工業的であるメタルオーガニックベー
パーフェイズエピタキシー法（一般にＭＯＶＰＥ法と略
記）により行った場合について詳細に説明する。なお、
モレキュラービームエピタキシー法（一般にＭＢＥ法と
略記）や、メタルオーガニクモレキュラービームエピタ
キシー法（一般にＭＯＭＢＥ法と略記）や、ケミカルビ
ームエピタキシー法（一般にＣＢＥ法と略記）などの気
相成長法でも、本発明は実施できることは説明を要しな
い。
り、ここでは最も工業的であるメタルオーガニックベー
パーフェイズエピタキシー法（一般にＭＯＶＰＥ法と略
記）により行った場合について詳細に説明する。なお、
モレキュラービームエピタキシー法（一般にＭＢＥ法と
略記）や、メタルオーガニクモレキュラービームエピタ
キシー法（一般にＭＯＭＢＥ法と略記）や、ケミカルビ
ームエピタキシー法（一般にＣＢＥ法と略記）などの気
相成長法でも、本発明は実施できることは説明を要しな
い。
【００１７】図１に本発明を実施するためのＭＯＶＰＥ
法による薄膜成長装置の概略図を示す。図１で、１は反
応管、２は薄膜成長用基板、３は基板載置台、４は基板
加熱用の高周波コイル、５は原料ガス等の供給口、６は
原料ガス等の排気口、７−１はトリメチルガリウム入り
のボンベ、７−２はトリメチルインジウム入りのボン
ベ、７−３はトリメチルアルミニウム入りのボンベ、７
−４はターシャリブチルアルシン入りのボンベ、７−５
はトリエチルひ素入りのボンベ、８はトリメチルひ素入
りのボンベ、９はトリメチルアンチモン入りのボンベ、
１０は原料ガスをバブリングして搬送する水素ガスライ
ン、１１はメタンガスボンベ、１２はメタンガスのクラ
ッキング装置、７−１ａ，７−２ａ，７−３ａ，７−４
ａ，７−５ａ，８ａ，９ａおよび１１ａはボンベの開閉
用バルブ（以下、単にバルブという）を示す。なお、７
−１〜７−５，８，９，１１は以下、原料ボンベとい
う。 〔参考例〕 本発明の参考例として炭素添加ＧａＡｓ結晶の場合につ
いて説明する。原料に主炭素混入源のトリメチルガリウ
ムと、主メチル基供給源のトリメチルひ素と、ひ素分圧
制御用のターシャリブチルアルシンを用いた。原料ボン
ベ７−４と原料ボンベ８のバルブ７−４ａと８ａを開
け、水素ガスをトリメチルひ素原料とターシャリブチル
アルシン原料中にバブリングさせてトリメチルひ素とタ
ーシャリブチルアルシンの原料ガスを反応管１内に送
る。次に、原料ボンベ７−１のバルブ７−１ａを開け、
水素ガスをトリメチルガリウム中にバブリングさせてト
リメチルガリウムの原料ガスを反応管１内に送り、炭素
添加ＧａＡｓ薄膜を形成する。成長温度は６５０℃で、
炭素濃度が６ｘ１０１９原子／ｃｍ 3 になるようにト
リメチルガリウムとトリメチルひ素の流量を、Ｖ／III
比にして７０に固定した。ターシャリブチルアルシンの
流量は、ターシャリブチルアルシンとトリメチルひ素の
比にして１から１００まで変化させた。
法による薄膜成長装置の概略図を示す。図１で、１は反
応管、２は薄膜成長用基板、３は基板載置台、４は基板
加熱用の高周波コイル、５は原料ガス等の供給口、６は
原料ガス等の排気口、７−１はトリメチルガリウム入り
のボンベ、７−２はトリメチルインジウム入りのボン
ベ、７−３はトリメチルアルミニウム入りのボンベ、７
−４はターシャリブチルアルシン入りのボンベ、７−５
はトリエチルひ素入りのボンベ、８はトリメチルひ素入
りのボンベ、９はトリメチルアンチモン入りのボンベ、
１０は原料ガスをバブリングして搬送する水素ガスライ
ン、１１はメタンガスボンベ、１２はメタンガスのクラ
ッキング装置、７−１ａ，７−２ａ，７−３ａ，７−４
ａ，７−５ａ，８ａ，９ａおよび１１ａはボンベの開閉
用バルブ（以下、単にバルブという）を示す。なお、７
−１〜７−５，８，９，１１は以下、原料ボンベとい
う。 〔参考例〕 本発明の参考例として炭素添加ＧａＡｓ結晶の場合につ
いて説明する。原料に主炭素混入源のトリメチルガリウ
ムと、主メチル基供給源のトリメチルひ素と、ひ素分圧
制御用のターシャリブチルアルシンを用いた。原料ボン
ベ７−４と原料ボンベ８のバルブ７−４ａと８ａを開
け、水素ガスをトリメチルひ素原料とターシャリブチル
アルシン原料中にバブリングさせてトリメチルひ素とタ
ーシャリブチルアルシンの原料ガスを反応管１内に送
る。次に、原料ボンベ７−１のバルブ７−１ａを開け、
水素ガスをトリメチルガリウム中にバブリングさせてト
リメチルガリウムの原料ガスを反応管１内に送り、炭素
添加ＧａＡｓ薄膜を形成する。成長温度は６５０℃で、
炭素濃度が６ｘ１０１９原子／ｃｍ 3 になるようにト
リメチルガリウムとトリメチルひ素の流量を、Ｖ／III
比にして７０に固定した。ターシャリブチルアルシンの
流量は、ターシャリブチルアルシンとトリメチルひ素の
比にして１から１００まで変化させた。
【００１８】図２は、本発明の第１の実施例の実験結果
を示すもので、炭素添加ＧａＡｓ結晶の表面欠陥密度と
ターシャリブチルアルシン流量の関係を示す。図２から
Ａｓ解離を反映している表面欠陥密度は、ターシャリブ
チルアルシン供給量に比例して減少することがわかる。
供給量比が１の場合は、供給しない場合と同程度の表面
欠陥濃度であるが、供給量比が４０以上では、検出限界
以下の５０個／ｃｍ2以下になっており、良好な表面が
得られた。なお、炭素濃度はターシャリブチルアルシン
を加えても変化しなかった。
を示すもので、炭素添加ＧａＡｓ結晶の表面欠陥密度と
ターシャリブチルアルシン流量の関係を示す。図２から
Ａｓ解離を反映している表面欠陥密度は、ターシャリブ
チルアルシン供給量に比例して減少することがわかる。
供給量比が１の場合は、供給しない場合と同程度の表面
欠陥濃度であるが、供給量比が４０以上では、検出限界
以下の５０個／ｃｍ2以下になっており、良好な表面が
得られた。なお、炭素濃度はターシャリブチルアルシン
を加えても変化しなかった。
【００１９】これらの結果から、ターシャリブチルアル
シンの供給は高温における炭素添加ＧａＡｓ結晶の表面
からのＡｓ解離抑制に効果があることが明らかなった。
シンの供給は高温における炭素添加ＧａＡｓ結晶の表面
からのＡｓ解離抑制に効果があることが明らかなった。
【００２０】トリメチルガリウムとトリメチルアルミニ
ウムとトリメチルひ素とターシャリブチルアルシンを用
いた炭素添加ＡｌＧａＡｓ結晶の場合も、ターシャリブ
チルアルシンの供給効果はＧａＡｓの場合と同様であり
説明を要しない。 〔実施例〕 本発明は上記参考例におけるターシャリブチルアルシン
に代えてトリエチルひ素を用いたものに相当する。以下
実施例として炭素添加ＧａＡｓ結晶の場合について説明
する。原料に主炭素混入源のトリメチルガリウムと、主
メチル基供給源のトリメチルひ素と、Ａｓ分圧制御用の
トリエチルひ素を用いた。原料ボンベ７−５と原料ボン
ベ８のバルブ７−５ａと８ａを開け、水素ガスをトリエ
チルひ素原料とトリメチルひ素原料中にバブリングさせ
てトリエチルひ素とトリメチルひ素の原料ガスを反応管
１内に送る。次に、原料ボンベ７−１のバルブ７−１ａ
を開け、水素ガスをトリメチルガリウム中にバブリング
させてトリメチルガリウムの原料ガスを反応管１内に送
り、炭素添加ＧａＡｓ薄膜を形成する。成長温度は６５
０℃で、炭素濃度が６ｘ１０１９原子／ｃｍ 3 になる
ようにトリメチルガリウムとトリメチルひ素の流量を、
Ｖ／III 比にして７０に固定した。トリエチルひ素の流
量は、トリエチルひ素とトリメチルひ素の比にして１か
ら１００まで変化させた。
ウムとトリメチルひ素とターシャリブチルアルシンを用
いた炭素添加ＡｌＧａＡｓ結晶の場合も、ターシャリブ
チルアルシンの供給効果はＧａＡｓの場合と同様であり
説明を要しない。 〔実施例〕 本発明は上記参考例におけるターシャリブチルアルシン
に代えてトリエチルひ素を用いたものに相当する。以下
実施例として炭素添加ＧａＡｓ結晶の場合について説明
する。原料に主炭素混入源のトリメチルガリウムと、主
メチル基供給源のトリメチルひ素と、Ａｓ分圧制御用の
トリエチルひ素を用いた。原料ボンベ７−５と原料ボン
ベ８のバルブ７−５ａと８ａを開け、水素ガスをトリエ
チルひ素原料とトリメチルひ素原料中にバブリングさせ
てトリエチルひ素とトリメチルひ素の原料ガスを反応管
１内に送る。次に、原料ボンベ７−１のバルブ７−１ａ
を開け、水素ガスをトリメチルガリウム中にバブリング
させてトリメチルガリウムの原料ガスを反応管１内に送
り、炭素添加ＧａＡｓ薄膜を形成する。成長温度は６５
０℃で、炭素濃度が６ｘ１０１９原子／ｃｍ 3 になる
ようにトリメチルガリウムとトリメチルひ素の流量を、
Ｖ／III 比にして７０に固定した。トリエチルひ素の流
量は、トリエチルひ素とトリメチルひ素の比にして１か
ら１００まで変化させた。
【００２１】Ａｓ解離を反映している表面欠陥密度は、
トリメチルひ素の供給量に比例して減少した。供給量比
が１の場合は、供給しない場合と同程度の表面欠陥濃度
であるが、供給量比が４０以上では、検出限界以下の５
０個／ｃｍ 2 以下になっており、良好な表面が得られ
た。なお、炭素濃度はトリエチルひ素を加えても変化し
なかった。
トリメチルひ素の供給量に比例して減少した。供給量比
が１の場合は、供給しない場合と同程度の表面欠陥濃度
であるが、供給量比が４０以上では、検出限界以下の５
０個／ｃｍ 2 以下になっており、良好な表面が得られ
た。なお、炭素濃度はトリエチルひ素を加えても変化し
なかった。
【００２２】これらの結果から、トリエチルひ素の供給
は高温における炭素添加ＧａＡｓ結晶の表面からのＡｓ
解離抑制に効果があることが明らかになった。
は高温における炭素添加ＧａＡｓ結晶の表面からのＡｓ
解離抑制に効果があることが明らかになった。
【００２３】トリメチルガリウムとトリメチルアルミニ
ウムとトリメチルひ素とトリエチルひ素を用いた炭素添
加ＡｌＧａＡｓ結晶の場合も、トリエチルひ素の供給効
果はＧａＡｓの場合と同様であり説明を要しない。
ウムとトリメチルひ素とトリエチルひ素を用いた炭素添
加ＡｌＧａＡｓ結晶の場合も、トリエチルひ素の供給効
果はＧａＡｓの場合と同様であり説明を要しない。
【００２４】トリメチルガリウムとトリメチルインジウ
ムとトリメチルひ素とトリエチルひ素を用いた炭素添加
ＩｎＧａＡｓ結晶の場合も、トリエチルひ素の供給効果
はＧａＡｓの場合と同様であり説明を要しない。
ムとトリメチルひ素とトリエチルひ素を用いた炭素添加
ＩｎＧａＡｓ結晶の場合も、トリエチルひ素の供給効果
はＧａＡｓの場合と同様であり説明を要しない。
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による炭素
添加半導体結晶の成長方法では、III族元素を供給する
原料として、半導体結晶を構成するIII 族原子および炭
素原子を結晶に供給するガスを用い、Ｖ族元素を供給す
る原料として、メチル基を有するガスを用い、メチル基
制御用原料としてトリメチルひ素を用い、ひ素圧制御用
原料としてトリエチルひ素を用いるので、炭素濃度を制
御したままＶ族元素を供給する原料としてのメチル素を
有するガスの分圧の制御が可能であるから、方面欠陥の
ない高炭素濃度結晶が実現できる。これをヘテロ接合ト
ランジスタのベース層に応用した場合は高品質な抵抗ベ
ース層が容易に制作できるため、デバイスの高性能化が
達成できる。
添加半導体結晶の成長方法では、III族元素を供給する
原料として、半導体結晶を構成するIII 族原子および炭
素原子を結晶に供給するガスを用い、Ｖ族元素を供給す
る原料として、メチル基を有するガスを用い、メチル基
制御用原料としてトリメチルひ素を用い、ひ素圧制御用
原料としてトリエチルひ素を用いるので、炭素濃度を制
御したままＶ族元素を供給する原料としてのメチル素を
有するガスの分圧の制御が可能であるから、方面欠陥の
ない高炭素濃度結晶が実現できる。これをヘテロ接合ト
ランジスタのベース層に応用した場合は高品質な抵抗ベ
ース層が容易に制作できるため、デバイスの高性能化が
達成できる。
【図１】本発明を実施するための薄膜製造装置の概略図
である。
である。
【図２】本発明による炭素添加ＧａＡｓ中のターシャリ
ブチルアルシン流量と表面欠陥密度の関係を示す図であ
る。
ブチルアルシン流量と表面欠陥密度の関係を示す図であ
る。
【符号の説明】 １ 反応管 ２ 薄膜成長用基板 ３ 基板載置台 ４ 高周波コイル ５ 原料ガス等の供給口 ６ 原料ガス等の排気口 ７−１ トリメチルガリウムボンベ ７−２ トリメチルインジウムボンベ ７−３ トリメチルアルミニウムボンベ ７−４ ターシャリブチルアルシンボンベ ７−５ トリエチルひ素ボンベ ７−１ａ トリメチルガリウムボンベ開閉用バルブ ７−２ａ トリメチルインジウムボンベ開閉用バルブ ７−３ａ トリメチルアルミニウムボンベ開閉用バルブ ７−４ａ ターシャリブチルアルシンボンベ開閉用バル
ブ ７−５ａ トリエチルひ素ボンベ開閉用バルブ ８ トリメチルひ素ボンベ ８ａ トリメチルひ素ボンベ開閉用バルブ ９ トリメチルアンチモンボンベ ９ａ トリメチルアンチモンボンベ開閉用バルブ １０ 水素ガスライン １１ メタンガスボンベ １１ａ メタンガスボンベ開閉用バルブ １２ クラッキング装置
ブ ７−５ａ トリエチルひ素ボンベ開閉用バルブ ８ トリメチルひ素ボンベ ８ａ トリメチルひ素ボンベ開閉用バルブ ９ トリメチルアンチモンボンベ ９ａ トリメチルアンチモンボンベ開閉用バルブ １０ 水素ガスライン １１ メタンガスボンベ １１ａ メタンガスボンベ開閉用バルブ １２ クラッキング装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205
Claims (1)
- 【請求項１】 気相成長法による炭素添加III ・Ｖ族半
導体の結晶成長方法であって、 III 族元素を供給する原料として、半導体結晶を構成す
るIII 族原子および炭素原子を結晶に供給するガスを用
い、 Ｖ族元素を供給する原料として、メチル基を有するガス
を用い、メチル基制御用原料としてトリメチルひ素を用
い、ひ素圧制御用原料としてトリエチルひ素を用いるこ
とを特徴とする炭素添加半導体結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24674093A JP3224057B2 (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 炭素添加半導体結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24674093A JP3224057B2 (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 炭素添加半導体結晶の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106252A JPH07106252A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3224057B2 true JP3224057B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=17152950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24674093A Expired - Fee Related JP3224057B2 (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | 炭素添加半導体結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3224057B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113136616B (zh) * | 2021-03-29 | 2022-02-08 | 大庆溢泰半导体材料有限公司 | 一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法 |
-
1993
- 1993-10-01 JP JP24674093A patent/JP3224057B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07106252A (ja) | 1995-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2789861B2 (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JP3224057B2 (ja) | 炭素添加半導体結晶の成長方法 | |
| JP3189061B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JP3013992B2 (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JP2773849B2 (ja) | 気相の成長方法及び光励起気相成長装置 | |
| JP2587624B2 (ja) | 化合物半導体のエピタキシヤル結晶成長方法 | |
| JP2739778B2 (ja) | ３−５族化合物半導体の選択成長方法 | |
| JP4768773B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
| JP2861192B2 (ja) | 化合物半導体結晶の気相成長法 | |
| JP2936620B2 (ja) | 化合物半導体結晶の気相成長法 | |
| JPH0590160A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP3430621B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶成長方法 | |
| JPH0766136A (ja) | Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JP2861199B2 (ja) | 化合物半導体結晶の気相成長法 | |
| JP3408419B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JP2000124444A (ja) | 半導体装置及びエピタキシャルウェハ | |
| JP2003318185A (ja) | 化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子 | |
| JPH07247196A (ja) | 化合物半導体の結晶成長法 | |
| JP2000260719A (ja) | 結晶成長方法および半導体装置製造方法 | |
| JPH06326042A (ja) | 炭素添加化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPH07326576A (ja) | ３−５族化合物半導体の薄膜成長方法 | |
| JPH07254564A (ja) | 気相エピタキシャル成長法 | |
| JPH05347255A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPH07169699A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| JPH0697076A (ja) | 薄膜の気相成長法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070824 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080824 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080824 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090824 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090824 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |