JP3223597B2 - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シンチレータ等の光学
結晶に用いられる単結晶の製造方法に関する。
結晶に用いられる単結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原料を加熱して融液とし、その融液に種
結晶の下端を接触させ、種結晶を引き上げながら結晶を
成長させる育成工程、及び成長させた単結晶を融液から
切り離したのち、これを室温まで冷やす冷却工程を経る
単結晶製造法では、単結晶にしばしば割れが発生した
り、着色する等の問題があった。そこで、このような割
れを防ぐために、主にルツボの周りに保温構造を設けた
り、ルツボ上部に保温構造を設ける試みがなされてい
る。
結晶の下端を接触させ、種結晶を引き上げながら結晶を
成長させる育成工程、及び成長させた単結晶を融液から
切り離したのち、これを室温まで冷やす冷却工程を経る
単結晶製造法では、単結晶にしばしば割れが発生した
り、着色する等の問題があった。そこで、このような割
れを防ぐために、主にルツボの周りに保温構造を設けた
り、ルツボ上部に保温構造を設ける試みがなされてい
る。
【０００３】一方、従来、単結晶製造時の雰囲気は、育
成工程、冷却工程いずれも共通に、例えば、酸化物の場
合には酸素ガス、ＧａＡｓやＧａＰ等の化合物半導体の
場合にはそれぞれＡｓやＰ等、結晶を構成する元素のう
ち蒸気圧の最も高い元素を雰囲気とするのが一般的であ
った。ただし、雰囲気ガスとルツボ材料とのあいだで反
応が起こる場合や、雰囲気（酸素）ガスにより結晶中の
賦活原子の価数が変化し着色する等、特性が劣化する場
合は、単結晶製造時の雰囲気を化学的に不活性なガス又
は還元的雰囲気とする場合もあった。
成工程、冷却工程いずれも共通に、例えば、酸化物の場
合には酸素ガス、ＧａＡｓやＧａＰ等の化合物半導体の
場合にはそれぞれＡｓやＰ等、結晶を構成する元素のう
ち蒸気圧の最も高い元素を雰囲気とするのが一般的であ
った。ただし、雰囲気ガスとルツボ材料とのあいだで反
応が起こる場合や、雰囲気（酸素）ガスにより結晶中の
賦活原子の価数が変化し着色する等、特性が劣化する場
合は、単結晶製造時の雰囲気を化学的に不活性なガス又
は還元的雰囲気とする場合もあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、主にルツボの
周りに保温構造を設け温度勾配を大きくすると、結晶の
冷却工程で単結晶の割れを防ぐことは難しく、またルツ
ボ上部に保温構造を設け温度勾配を小さくすると、多結
晶が発生しやすく、多結晶に起因する割れが起こりやす
い。また、雰囲気（酸素）ガスによる賦活原子の価数の
変化による着色を避けるため、単結晶製造時の雰囲気を
化学的に不活性なガスとすると、得られる単結晶の表面
が荒れ、冷却工程で割れが発生しやすい。本発明は、割
れを未然に防ぎ、かつシンチレータ等の光学結晶に用い
る着色の少ない良質な単結晶を製造する方法を提供する
ことを目的とする。
周りに保温構造を設け温度勾配を大きくすると、結晶の
冷却工程で単結晶の割れを防ぐことは難しく、またルツ
ボ上部に保温構造を設け温度勾配を小さくすると、多結
晶が発生しやすく、多結晶に起因する割れが起こりやす
い。また、雰囲気（酸素）ガスによる賦活原子の価数の
変化による着色を避けるため、単結晶製造時の雰囲気を
化学的に不活性なガスとすると、得られる単結晶の表面
が荒れ、冷却工程で割れが発生しやすい。本発明は、割
れを未然に防ぎ、かつシンチレータ等の光学結晶に用い
る着色の少ない良質な単結晶を製造する方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、単結晶の
製造における雰囲気、温度条件等を種々検討した結果、
育成工程の雰囲気(第１の雰囲気)と冷却工程の雰囲気
(第２の雰囲気)は必ずしも同じである必要はなく、それ
ぞれに適した雰囲気があること、あるいは、冷却工程の
初期に一定時間、保温すると更に効果的に上記目的が達
せられることを見出し、本発明を完成した。
製造における雰囲気、温度条件等を種々検討した結果、
育成工程の雰囲気(第１の雰囲気)と冷却工程の雰囲気
(第２の雰囲気)は必ずしも同じである必要はなく、それ
ぞれに適した雰囲気があること、あるいは、冷却工程の
初期に一定時間、保温すると更に効果的に上記目的が達
せられることを見出し、本発明を完成した。
【０００６】すなわち、本発明は下記の（１）〜（３）
に関する。 （１）原料を加熱して融液とし、その融液に種結晶の下
端を接触させ、炉内の第１の雰囲気として、酸素を０．
１〜１０％含有する雰囲気とし、種結晶を引き上げなが
ら結晶を成長させ、次いで成長させた単結晶を融液から
切り離すとともに、炉内の第２の雰囲気を酸素を含まな
い不活性ガス雰囲気としたのち冷却する、セリウムで賦
活した珪酸ガドリニウム単結晶の製造方法。
に関する。 （１）原料を加熱して融液とし、その融液に種結晶の下
端を接触させ、炉内の第１の雰囲気として、酸素を０．
１〜１０％含有する雰囲気とし、種結晶を引き上げなが
ら結晶を成長させ、次いで成長させた単結晶を融液から
切り離すとともに、炉内の第２の雰囲気を酸素を含まな
い不活性ガス雰囲気としたのち冷却する、セリウムで賦
活した珪酸ガドリニウム単結晶の製造方法。
【０００７】（２）原料を加熱して融液とし、その融液
に種結晶の下端を接触させ、炉内の第１の雰囲気とし
て、酸素を０．１〜１０％含有する雰囲気とし、種結晶
を引き上げながら結晶を成長させ、次いで、成長させた
単結晶を融液から切り離すとともに、炉内の第２の雰囲
気を酸素を含まない不活性ガス雰囲気とし、その温度に
保持したのち、冷却する、セリウムで賦活した珪酸ガド
リニウム単結晶の製造方法。
に種結晶の下端を接触させ、炉内の第１の雰囲気とし
て、酸素を０．１〜１０％含有する雰囲気とし、種結晶
を引き上げながら結晶を成長させ、次いで、成長させた
単結晶を融液から切り離すとともに、炉内の第２の雰囲
気を酸素を含まない不活性ガス雰囲気とし、その温度に
保持したのち、冷却する、セリウムで賦活した珪酸ガド
リニウム単結晶の製造方法。
【０００８】（３） 請求項２において、その温度に保
持する保持時間は０．５〜１０時間であるセリウムで賦
活した珪酸ガドリニウム単結晶の製造方法。
持する保持時間は０．５〜１０時間であるセリウムで賦
活した珪酸ガドリニウム単結晶の製造方法。
【０００９】本発明では、単結晶の製造時の雰囲気、す
なわち育成工程の雰囲気（第１の雰囲気）と冷却工程の
雰囲気（第２の雰囲気）を同一にするのではなく、それ
ぞれの工程に適した雰囲気とするものである。あるい
は、それに加え、冷却工程の初期に一定時間の保温過程
を設けるものである。
なわち育成工程の雰囲気（第１の雰囲気）と冷却工程の
雰囲気（第２の雰囲気）を同一にするのではなく、それ
ぞれの工程に適した雰囲気とするものである。あるい
は、それに加え、冷却工程の初期に一定時間の保温過程
を設けるものである。
【００１０】それぞれの工程、すなわち育成工程及び
（保温過程も含む）冷却工程に適した雰囲気は、製造す
る単結晶の種類によって異なる。例えば、Ｇｄ2-xＣｅx
ＳｉＯ5（ただし、ｘは０．１以下の正の数値）等、セ
リウム等で賦活した珪酸ガドリニウム単結晶の場合は、
育成工程における雰囲気（第１の雰囲気）は結晶の成長
に有効な雰囲気が好ましい。そのような雰囲気として
は、酸素を０．１〜１０％、好ましくは１〜３％含有す
る（酸素以外は、不活性ガスである。）雰囲気がある。
酸素の含有量が０．１％未満であると、結晶の割れの発
生が起こりやすく、酸素の含有量が１０％を越えると、
得られる結晶は黄色に着色し、その後の熱処理によって
も特性の回復が望めない。冷却工程における雰囲気（第
２の雰囲気）は、結晶の特性向上に有効な雰囲気が良
い。そのような雰囲気としては、酸素を含まない不活性
ガスの雰囲気がある。ここで不活性ガスとは化学的に不
活性なガスのことをいい、例えば窒素、ヘリウム、アル
ゴン等である。これらの中で窒素は価格の点で最も好ま
しい。
（保温過程も含む）冷却工程に適した雰囲気は、製造す
る単結晶の種類によって異なる。例えば、Ｇｄ2-xＣｅx
ＳｉＯ5（ただし、ｘは０．１以下の正の数値）等、セ
リウム等で賦活した珪酸ガドリニウム単結晶の場合は、
育成工程における雰囲気（第１の雰囲気）は結晶の成長
に有効な雰囲気が好ましい。そのような雰囲気として
は、酸素を０．１〜１０％、好ましくは１〜３％含有す
る（酸素以外は、不活性ガスである。）雰囲気がある。
酸素の含有量が０．１％未満であると、結晶の割れの発
生が起こりやすく、酸素の含有量が１０％を越えると、
得られる結晶は黄色に着色し、その後の熱処理によって
も特性の回復が望めない。冷却工程における雰囲気（第
２の雰囲気）は、結晶の特性向上に有効な雰囲気が良
い。そのような雰囲気としては、酸素を含まない不活性
ガスの雰囲気がある。ここで不活性ガスとは化学的に不
活性なガスのことをいい、例えば窒素、ヘリウム、アル
ゴン等である。これらの中で窒素は価格の点で最も好ま
しい。
【００１１】請求項２において、「その温度に保持し」
とは、成長させた単結晶を融液から切り離す際の温度、
又はその付近の温度に保持されるように加熱することを
いい、その保持時間は０．５〜１０時間、好ましくは２
〜４時間である。保持時間が０．５時間未満であると、
結晶の特性の改善が不十分となり、１０時間を越える
と、熱エッチングによる割れの発生の起点をつくること
になり、好ましくない。
とは、成長させた単結晶を融液から切り離す際の温度、
又はその付近の温度に保持されるように加熱することを
いい、その保持時間は０．５〜１０時間、好ましくは２
〜４時間である。保持時間が０．５時間未満であると、
結晶の特性の改善が不十分となり、１０時間を越える
と、熱エッチングによる割れの発生の起点をつくること
になり、好ましくない。
【００１２】成長させた単結晶を融液から切り離し、そ
の温度に保持することなく、又はその温度に保持したの
ち冷却するときの冷却速度はおおむね、２０〜１００℃
／ｈとする。２０℃／ｈ未満であると、結晶を取り出す
までに余計な時間がかかり、１００℃／ｈを越えると、
急冷による熱応力により割れが発生しやすくなる。
の温度に保持することなく、又はその温度に保持したの
ち冷却するときの冷却速度はおおむね、２０〜１００℃
／ｈとする。２０℃／ｈ未満であると、結晶を取り出す
までに余計な時間がかかり、１００℃／ｈを越えると、
急冷による熱応力により割れが発生しやすくなる。
【００１３】本発明で製造することのできる単結晶とし
ては、Ｇｄ2-xＣｅxＳｉＯ5、Ｙ3-xＮｄxＡｌ5Ｏ12等の
賦活剤添加酸化物単結晶、Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12、Ｂｉ12Ｓｉ
Ｏ20、ＣｄＷＯ4、Ｇｄ2ＳｉＯ5、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12、Ｌｉ
ＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12等の酸化物単結
晶、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ等の半導体単結晶等で、チョ
クラルスキー法で育成する単結晶の場合に適用できる。
結晶が着色しやすく、比較的割れやすい賦活剤添加酸化
物単結晶に特に好適である。
ては、Ｇｄ2-xＣｅxＳｉＯ5、Ｙ3-xＮｄxＡｌ5Ｏ12等の
賦活剤添加酸化物単結晶、Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12、Ｂｉ12Ｓｉ
Ｏ20、ＣｄＷＯ4、Ｇｄ2ＳｉＯ5、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12、Ｌｉ
ＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12等の酸化物単結
晶、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ等の半導体単結晶等で、チョ
クラルスキー法で育成する単結晶の場合に適用できる。
結晶が着色しやすく、比較的割れやすい賦活剤添加酸化
物単結晶に特に好適である。
【００１４】
【作用】単結晶の割れは、育成工程における熱エッチン
グにより生じた荒れ（微小クラック）が、冷却工程でク
ラックの起点となって起こると推定している。そこで、
セリウムで賦活した珪酸ガドリニウム単結晶のような賦
活剤添加酸化物の場合は、育成工程の雰囲気を酸素を含
む雰囲気とすることによって熱エッチングによる荒れ
（微小クラック）の発生が極力抑えられ、次の工程での
割れの発生が防止され、次いで冷却工程では酸素を含ま
ない雰囲気（化学的に不活性な雰囲気）とすることによ
って、育成工程で若干生じた着色が消去されると考えら
れる。
グにより生じた荒れ（微小クラック）が、冷却工程でク
ラックの起点となって起こると推定している。そこで、
セリウムで賦活した珪酸ガドリニウム単結晶のような賦
活剤添加酸化物の場合は、育成工程の雰囲気を酸素を含
む雰囲気とすることによって熱エッチングによる荒れ
（微小クラック）の発生が極力抑えられ、次の工程での
割れの発生が防止され、次いで冷却工程では酸素を含ま
ない雰囲気（化学的に不活性な雰囲気）とすることによ
って、育成工程で若干生じた着色が消去されると考えら
れる。
【００１５】
【実施例】本発明を実施例により、更に具体的に説明す
る。
る。
【００１６】実施例１ 直径５０ｍｍのＩｒ製ルツボに、純度９９．９９％の酸
化ガドリニウムを０．９９７５モル、純度９９．９９９
９％の酸化珪素を１モル及び純度９９．９９％の酸化セ
リウムを０．００５モルの比にそれぞれ秤量し、混合
し、焼結した原料をとった。ルツボの加熱開始前、育成
炉内に予め３リットル／分の速さで窒素ガスを供給し
た。窒素ガスを供給した状態のまま、内容物が溶融する
温度まで加熱源の高周波電力を上げた。融液に種結晶を
接触させるとともに、炉内に更に０．０３リットル／分
の速さで酸素ガスを供給した（酸素分圧：約１％の雰囲
気）。この状態で上昇速度１〜５ｍｍ／ｈ及び回転速度
１０〜５０ｒｐｍで種結晶の引き上げを開始し、肩部で
結晶径を直径２５mmまで広げて、平行部を約１０ｃｍ引
き上げた。融液から結晶を切り離した後直ちに酸素ガス
の供給を止め、窒素ガスの流量は５リットル／分とし、
窒素ガス雰囲気中、５０℃／ｈの冷却速度で室温まで冷
却した。その後、結晶を取り出し結晶の特性を評価し
た。
化ガドリニウムを０．９９７５モル、純度９９．９９９
９％の酸化珪素を１モル及び純度９９．９９％の酸化セ
リウムを０．００５モルの比にそれぞれ秤量し、混合
し、焼結した原料をとった。ルツボの加熱開始前、育成
炉内に予め３リットル／分の速さで窒素ガスを供給し
た。窒素ガスを供給した状態のまま、内容物が溶融する
温度まで加熱源の高周波電力を上げた。融液に種結晶を
接触させるとともに、炉内に更に０．０３リットル／分
の速さで酸素ガスを供給した（酸素分圧：約１％の雰囲
気）。この状態で上昇速度１〜５ｍｍ／ｈ及び回転速度
１０〜５０ｒｐｍで種結晶の引き上げを開始し、肩部で
結晶径を直径２５mmまで広げて、平行部を約１０ｃｍ引
き上げた。融液から結晶を切り離した後直ちに酸素ガス
の供給を止め、窒素ガスの流量は５リットル／分とし、
窒素ガス雰囲気中、５０℃／ｈの冷却速度で室温まで冷
却した。その後、結晶を取り出し結晶の特性を評価し
た。
【００１７】実施例２ 用いたルツボ及び原料は実施例１と同じものである。ル
ツボの加熱開始前、育成炉内に予め３リットル／分の速
さで窒素ガスを供給した。窒素ガスを供給した状態のま
ま、内容物が溶融する温度まで加熱源の高周波電力を上
げた。融液に種結晶を接触させるとともに、炉内に更に
０．０３リットル／分の速さで酸素ガスを供給した（酸
素分圧：約１％の雰囲気）。この状態で上昇速度１〜５
ｍｍ／ｈ及び回転速度１０〜５０ｒｐｍで種結晶の引き
上げを開始し、肩部で結晶径を直径２５mmまで広げて、
平行部を約１０ｃｍ引き上げた。融液から結晶を切り離
した後直ちに酸素ガスの供給を止め、窒素ガスの流量は
５リットル／分とし、その温度（１９００℃）に３時間
保った後、窒素ガス雰囲気中、５０℃／ｈの冷却速度で
室温まで冷却した。その後、結晶を取り出し結晶の特性
を評価した。
ツボの加熱開始前、育成炉内に予め３リットル／分の速
さで窒素ガスを供給した。窒素ガスを供給した状態のま
ま、内容物が溶融する温度まで加熱源の高周波電力を上
げた。融液に種結晶を接触させるとともに、炉内に更に
０．０３リットル／分の速さで酸素ガスを供給した（酸
素分圧：約１％の雰囲気）。この状態で上昇速度１〜５
ｍｍ／ｈ及び回転速度１０〜５０ｒｐｍで種結晶の引き
上げを開始し、肩部で結晶径を直径２５mmまで広げて、
平行部を約１０ｃｍ引き上げた。融液から結晶を切り離
した後直ちに酸素ガスの供給を止め、窒素ガスの流量は
５リットル／分とし、その温度（１９００℃）に３時間
保った後、窒素ガス雰囲気中、５０℃／ｈの冷却速度で
室温まで冷却した。その後、結晶を取り出し結晶の特性
を評価した。
【００１８】比較例１ 用いたルツボ及び原料は実施例１と同じものである。ル
ツボの加熱開始前、育成炉内に窒素ガスを３リットル／
分の速さで流した。窒素ガスを供給した状態のまま、内
容物が溶融する温度まで加熱源の高周波電力を上げ、次
いでその融液に種結晶を接触させ、この状態で上昇速度
１〜５ｍｍ／ｈ及び回転速度１０〜５０ｒｐｍで種結晶
の引き上げを開始し、肩部で結晶径を直径２５mmまで広
げて、平行部を約１０cm引き上げた。窒素ガスを供給し
た状態のまま、切り離しを行い、５０℃／ｈの冷却速度
で冷却した。その後、結晶を取り出し結晶の特性を評価
した。
ツボの加熱開始前、育成炉内に窒素ガスを３リットル／
分の速さで流した。窒素ガスを供給した状態のまま、内
容物が溶融する温度まで加熱源の高周波電力を上げ、次
いでその融液に種結晶を接触させ、この状態で上昇速度
１〜５ｍｍ／ｈ及び回転速度１０〜５０ｒｐｍで種結晶
の引き上げを開始し、肩部で結晶径を直径２５mmまで広
げて、平行部を約１０cm引き上げた。窒素ガスを供給し
た状態のまま、切り離しを行い、５０℃／ｈの冷却速度
で冷却した。その後、結晶を取り出し結晶の特性を評価
した。
【００１９】比較例２ 用いたルツボ及び原料は実施例１と同じものである。ル
ツボの加熱開始前、育成炉内に予め３リットル／分の速
さで窒素ガスを供給した。窒素ガスを供給した状態のま
ま、内容物が溶融する温度まで加熱源の高周波電力を上
げた。融液に種結晶を接触させるとともに、炉内に更に
０．０３リットル／分の速さで酸素ガスを供給した（酸
素含有量：１％の雰囲気）。この状態で上昇速度１〜５
ｍｍ／ｈ及び回転速度１０〜５０ｒｐｍで引き上げを開
始し、肩部で結晶径を直径２５mmまで広げて、平行部を
約１０cm引き上げた。その後、酸素含有量１％の窒素ガ
スを供給しながら切り離しを行い、５０℃／ｈの冷却速
度で冷却した。その後、結晶を取り出し結晶の特性を評
価した。
ツボの加熱開始前、育成炉内に予め３リットル／分の速
さで窒素ガスを供給した。窒素ガスを供給した状態のま
ま、内容物が溶融する温度まで加熱源の高周波電力を上
げた。融液に種結晶を接触させるとともに、炉内に更に
０．０３リットル／分の速さで酸素ガスを供給した（酸
素含有量：１％の雰囲気）。この状態で上昇速度１〜５
ｍｍ／ｈ及び回転速度１０〜５０ｒｐｍで引き上げを開
始し、肩部で結晶径を直径２５mmまで広げて、平行部を
約１０cm引き上げた。その後、酸素含有量１％の窒素ガ
スを供給しながら切り離しを行い、５０℃／ｈの冷却速
度で冷却した。その後、結晶を取り出し結晶の特性を評
価した。
【００２０】実施例１〜２で得た結晶並びに比較例１〜
２で得た結晶について、１０×１０×１０ｍｍ3の結晶
サンプルを採り、これについての４３０ｎｍの透過率及
び蛍光出力と、結晶製造時の割れの発生の頻度を測定し
た（表１）。
２で得た結晶について、１０×１０×１０ｍｍ3の結晶
サンプルを採り、これについての４３０ｎｍの透過率及
び蛍光出力と、結晶製造時の割れの発生の頻度を測定し
た（表１）。
【表１】 表１ 単結晶の特性 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 項目 実施例１ 実施例２ 比較例１ 比較例２ ───────────────────────────────── 430nmの透過率(%) ７８ ８０ ７８ ７６ 蛍光出力 ３５０ ３８０ ３５０ ２７０ 割れ 少ない 少ない 多い 少ない ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００２１】育成工程で雰囲気を酸素１％含有窒素ガス
とし、冷却工程で雰囲気を１００％窒素ガスとして製造
した結晶（実施例１）は、430nmの透過率及び蛍光出力
が、育成工程及び冷却工程いずれの雰囲気も１００％窒
素ガスとして製造した結晶（比較例１）と同程度であ
り、結晶の割れは、育成工程及び冷却工程いずれの雰囲
気も１％酸素含有窒素ガスとして製造した結晶（比較例
２）と同程度に少なかった。また、実施例２で得られた
結晶は、実施例１と同様に割れは少なく、光学特性は、
それ以上に優れていた。
とし、冷却工程で雰囲気を１００％窒素ガスとして製造
した結晶（実施例１）は、430nmの透過率及び蛍光出力
が、育成工程及び冷却工程いずれの雰囲気も１００％窒
素ガスとして製造した結晶（比較例１）と同程度であ
り、結晶の割れは、育成工程及び冷却工程いずれの雰囲
気も１％酸素含有窒素ガスとして製造した結晶（比較例
２）と同程度に少なかった。また、実施例２で得られた
結晶は、実施例１と同様に割れは少なく、光学特性は、
それ以上に優れていた。
【００２２】
【発明の効果】本発明により、光学結晶等に用いる着色
の少ない良質な単結晶を歩留りよく製造できる。
の少ない良質な単結晶を歩留りよく製造できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−286300（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−321600（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−275599（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−261289（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−103900（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−22397（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−18398（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−195087（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 G01T 1/202 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (3)
- 【請求項１】原料を加熱して融液とし、その融液に種結
晶の下端を接触させ、炉内の第１の雰囲気として、酸素
を０．１〜１０％含有する雰囲気とし、種結晶を引き上
げながら結晶を成長させ、次いで、成長させた単結晶を
融液から切り離すとともに、炉内の第２の雰囲気を酸素
を含まない不活性ガス雰囲気としたのち冷却する、セリ
ウムで賦活した珪酸ガドリニウム単結晶の製造方法。 - 【請求項２】原料を加熱して融液とし、その融液に種結
晶の下端を接触させ、炉内の第１の雰囲気として、酸素
を０．１〜１０％含有する雰囲気とし、種結晶を引き上
げながら結晶を成長させ、次いで、成長させた単結晶を
融液から切り離すとともに、炉内の第２の雰囲気を酸素
を含まない不活性ガス雰囲気とし、その温度に保持した
のち、冷却する、セリウムで賦活した珪酸ガドリニウム
単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２において、その温度に保持する
保持時間は０．５〜１０時間であるセリウムで賦活した
珪酸ガドリニウム単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25971792A JP3223597B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25971792A JP3223597B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116082A JPH06116082A (ja) | 1994-04-26 |
| JP3223597B2 true JP3223597B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=17337967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25971792A Expired - Lifetime JP3223597B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3223597B2 (ja) |
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-
1992
- 1992-09-29 JP JP25971792A patent/JP3223597B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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