JP3220690B2 - 基板の欠陥を検出する装置及びその方法 - Google Patents
基板の欠陥を検出する装置及びその方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/72—Investigating presence of flaws
-
- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、全体として、検査
装置、より具体的には、赤外線映像技術により基板の検
査を行うことのできる装置に関する。
装置、より具体的には、赤外線映像技術により基板の検
査を行うことのできる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板のクラックすなわち欠陥の結果、基
板の故障又はその基板が配置される装置の故障が生じる
可能性がある。基板が太陽電池として使用される場合、
そのクラックすなわち欠陥は、その不良な太陽電池を保
持するソーラパネルの電力出力を著しく制限する可能性
がある。クラックが一度び開始したならば、時間の経過
に伴い、より広がって、より顕著なクラックへと発展す
る可能性が強い。このため、大きいクラックのみなら
ず、小さいクラックをも検出することが重要である。飛
行計画の仕様書では、典型的に数平方メートルの寸法の
ソーラパネルにてクラックが極く僅か又は零であること
を要求している。
板の故障又はその基板が配置される装置の故障が生じる
可能性がある。基板が太陽電池として使用される場合、
そのクラックすなわち欠陥は、その不良な太陽電池を保
持するソーラパネルの電力出力を著しく制限する可能性
がある。クラックが一度び開始したならば、時間の経過
に伴い、より広がって、より顕著なクラックへと発展す
る可能性が強い。このため、大きいクラックのみなら
ず、小さいクラックをも検出することが重要である。飛
行計画の仕様書では、典型的に数平方メートルの寸法の
ソーラパネルにてクラックが極く僅か又は零であること
を要求している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】太陽電池を検査する周
知の方法は、太陽電池を側部からタングステンハロゲン
灯にて照射し、戻った光を赤外線カメラで撮影するもの
である。この技術は、太陽電池を一側部から照射するこ
とを必要とするため、典型的に、太陽電池の一側部が過
度に明るく、その反対側は、過度に暗く、このため、太
陽電池が均一に照射されない結果となる。この均一に照
射し得ないことは、小さいクラックを隠し、これにより
そのクラックが検出されないことになる。
知の方法は、太陽電池を側部からタングステンハロゲン
灯にて照射し、戻った光を赤外線カメラで撮影するもの
である。この技術は、太陽電池を一側部から照射するこ
とを必要とするため、典型的に、太陽電池の一側部が過
度に明るく、その反対側は、過度に暗く、このため、太
陽電池が均一に照射されない結果となる。この均一に照
射し得ないことは、小さいクラックを隠し、これにより
そのクラックが検出されないことになる。
【０００４】また、この従来技術の方法は、太陽電池の
全体を十分に照射するためには、典型的にタングステン
ハロゲン灯を比較的高強度のレベルにて作動させること
も必要とする。タングステンハロゲン灯は、石英の外被
体を有するため、このハロゲン灯は対象とする２乃至５
μｍの波長範囲のエネルギを強力に吸収する。かかる吸
収損失を補償するため、タングステンハロゲン灯は、比
較的高温度にて作動することがしばしばであり、このた
め、光の出力の大部分がより短い波長を有する結果とな
る。より短い波長の光線、特に、１．０乃至２．０μｍ
の範囲の光線は１．０乃至２.０μｍの波長範囲におい
て、太陽電池のカバーガラスにより強力に反射されるた
め、ぎらつくような光線（ｇｌａｒｅ）となる可能性が
ある。更に、この高強度のレベルは、太陽電池に熱を加
え、その結果、電池が熱膨張して、検出過程中、クラッ
クを一時的に閉じて、このため、こうしたクラックは検
出されない結果となる可能性がある。また、太陽電池の
過剰な加熱は、太陽電池がその熱を再放射し、次に、そ
の熱がカメラにより撮影されるため、不鮮明な電池のク
ラックの検出状態となる可能性もある。クラックが存在
しなくても、像の特徴がクラックのように見える可能性
がある。
全体を十分に照射するためには、典型的にタングステン
ハロゲン灯を比較的高強度のレベルにて作動させること
も必要とする。タングステンハロゲン灯は、石英の外被
体を有するため、このハロゲン灯は対象とする２乃至５
μｍの波長範囲のエネルギを強力に吸収する。かかる吸
収損失を補償するため、タングステンハロゲン灯は、比
較的高温度にて作動することがしばしばであり、このた
め、光の出力の大部分がより短い波長を有する結果とな
る。より短い波長の光線、特に、１．０乃至２．０μｍ
の範囲の光線は１．０乃至２.０μｍの波長範囲におい
て、太陽電池のカバーガラスにより強力に反射されるた
め、ぎらつくような光線（ｇｌａｒｅ）となる可能性が
ある。更に、この高強度のレベルは、太陽電池に熱を加
え、その結果、電池が熱膨張して、検出過程中、クラッ
クを一時的に閉じて、このため、こうしたクラックは検
出されない結果となる可能性がある。また、太陽電池の
過剰な加熱は、太陽電池がその熱を再放射し、次に、そ
の熱がカメラにより撮影されるため、不鮮明な電池のク
ラックの検出状態となる可能性もある。クラックが存在
しなくても、像の特徴がクラックのように見える可能性
がある。
【０００５】更に、現在の方法は、表面異常を基板のク
ラックと客観的に且つ明確に区別することはできない。
表面異常は、主として、基板の表面に、溶剤の斑点のよ
うな汚染物質が存在することに起因する。これら汚染物
質は、全体として、太陽電池の性能に有害ではなく、典
型的に、太陽電池を不合格とすることにはならない。現
在の方法の場合、表面異常の像は、典型的に、電池のク
ラックの像よりも拡散している。しかしながら、多くの
場合、像の外観に基づいてのみ電池のクラックと表面異
常とを識別することは難しい。その結果、クラックと表
面異常とを識別するため電池を再検査することが典型的
に、必要となり、検査時間及びコストが増す結果とな
る。良好な電池の不必要な拒絶又はさもなければ良好な
電池の不必要な再加工を回避するため、表面異常と電池
のクラックとを識別することが望ましい。
ラックと客観的に且つ明確に区別することはできない。
表面異常は、主として、基板の表面に、溶剤の斑点のよ
うな汚染物質が存在することに起因する。これら汚染物
質は、全体として、太陽電池の性能に有害ではなく、典
型的に、太陽電池を不合格とすることにはならない。現
在の方法の場合、表面異常の像は、典型的に、電池のク
ラックの像よりも拡散している。しかしながら、多くの
場合、像の外観に基づいてのみ電池のクラックと表面異
常とを識別することは難しい。その結果、クラックと表
面異常とを識別するため電池を再検査することが典型的
に、必要となり、検査時間及びコストが増す結果とな
る。良好な電池の不必要な拒絶又はさもなければ良好な
電池の不必要な再加工を回避するため、表面異常と電池
のクラックとを識別することが望ましい。
【０００６】このため、クラックのような欠陥を均一に
検出し、欠陥の種類を識別し、しかも、基板を過度に加
熱することのない、太陽電池のような基板の欠陥を検出
する装置及び方法が必要とされている。
検出し、欠陥の種類を識別し、しかも、基板を過度に加
熱することのない、太陽電池のような基板の欠陥を検出
する装置及び方法が必要とされている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】基板から隔てられ且つ赤
外光線により基板を実質的に均一に照射し得るように配
置された赤外線放射源と、基板から反射した赤外光線を
集め得るように配置されたレンズを有する赤外線カメラ
と、欠陥を表わす標識を含む像を反射光から形成する手
段とを備え、前記赤外線放射源（１４）が、環状リング
の形状をしており、前記赤外線放射源（１４）が、前記
基板（１２）が前記環状リングの内部空間を通じて前記
カメラ（１６）にて見ることができるように前記レンズ
（３０）と前記基板（１２）との間に配置され、前記赤
外線放射源（１４）が前記環状リングとなるようにら旋
状にコイル巻きした線である、基板の欠陥を検出する装
置を提供する。この本発明により、従来技術の上記及び
その他の短所の対策が講じられ且つ解決される。
外光線により基板を実質的に均一に照射し得るように配
置された赤外線放射源と、基板から反射した赤外光線を
集め得るように配置されたレンズを有する赤外線カメラ
と、欠陥を表わす標識を含む像を反射光から形成する手
段とを備え、前記赤外線放射源（１４）が、環状リング
の形状をしており、前記赤外線放射源（１４）が、前記
基板（１２）が前記環状リングの内部空間を通じて前記
カメラ（１６）にて見ることができるように前記レンズ
（３０）と前記基板（１２）との間に配置され、前記赤
外線放射源（１４）が前記環状リングとなるようにら旋
状にコイル巻きした線である、基板の欠陥を検出する装
置を提供する。この本発明により、従来技術の上記及び
その他の短所の対策が講じられ且つ解決される。
【０００８】第二の形態において、本発明は、基板の欠
陥を検出し且つ該欠陥の種類を決定する装置において、
前記基板（１２）から隔てられ且つ前記基板をある入射
角度にて赤外光線（１８）で実質的に均一に照射する位
置に配置された赤外線放射源（１４）と、前記基板（１
２）から反射した赤外光線（１８）を集めるように配置
されたレンズ（３０）を有する赤外線カメラ（１６）
と、前記反射した赤外光線（１８）から前記欠陥を表わ
す標識（４８、５０）を含む像（３２）を形成する手段
（４４）と、前記入射角度を変化させる手段（ｄ）とを
備える、装置を提供するものである。
陥を検出し且つ該欠陥の種類を決定する装置において、
前記基板（１２）から隔てられ且つ前記基板をある入射
角度にて赤外光線（１８）で実質的に均一に照射する位
置に配置された赤外線放射源（１４）と、前記基板（１
２）から反射した赤外光線（１８）を集めるように配置
されたレンズ（３０）を有する赤外線カメラ（１６）
と、前記反射した赤外光線（１８）から前記欠陥を表わ
す標識（４８、５０）を含む像（３２）を形成する手段
（４４）と、前記入射角度を変化させる手段（ｄ）とを
備える、装置を提供するものである。
【０００９】更に別の形態において、本発明は、基板の
欠陥を検出し且つ該欠陥の種類を決定する方法におい
て、前記基板（１２）をある入射角度にて略均一な仕方
で赤外光線源（１４）により照射するステップと、前記
基板（１２）から反射した赤外光線を集めるステップ
と、前記反射した赤外光線から像（３２）を発生させる
ステップと、前記欠陥を表わす標識（４８、５０）につ
いて前記像を検査する（４４）ステップと、標識の外観
の変化について前記像を連続的に監視する一方にて、前
記入射角度を変化させる（ｄ）ステップとを備える、方
法を提供するものである。
欠陥を検出し且つ該欠陥の種類を決定する方法におい
て、前記基板（１２）をある入射角度にて略均一な仕方
で赤外光線源（１４）により照射するステップと、前記
基板（１２）から反射した赤外光線を集めるステップ
と、前記反射した赤外光線から像（３２）を発生させる
ステップと、前記欠陥を表わす標識（４８、５０）につ
いて前記像を検査する（４４）ステップと、標識の外観
の変化について前記像を連続的に監視する一方にて、前
記入射角度を変化させる（ｄ）ステップとを備える、方
法を提供するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の上記及び追加的な特徴及
び有利な点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明ら
かになるであろう。図面及び以下の説明において、数字
は、本発明の色々な特徴部分を示し、図面及び説明の双
方の全体を通じて同様の特徴部分は同様の参照番号にて
表示する。
び有利な点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明ら
かになるであろう。図面及び以下の説明において、数字
は、本発明の色々な特徴部分を示し、図面及び説明の双
方の全体を通じて同様の特徴部分は同様の参照番号にて
表示する。
【００１１】以下、添付図面に図示した好適な実施の形
態に関して詳細に説明する。図１を参照すると、基板１
２を検査し且つクラック及び表面異常のような欠陥を検
出する検査装置１０が図示されている。本発明の検査装
置１０は、クラックを均一に且つ正確に検出し、クラッ
ク、表面異常及び層剥離型式の欠陥を正確に識別するた
め、太陽電池１２の検査に利用されることが好ましい。
態に関して詳細に説明する。図１を参照すると、基板１
２を検査し且つクラック及び表面異常のような欠陥を検
出する検査装置１０が図示されている。本発明の検査装
置１０は、クラックを均一に且つ正確に検出し、クラッ
ク、表面異常及び層剥離型式の欠陥を正確に識別するた
め、太陽電池１２の検査に利用されることが好ましい。
【００１２】本発明は、太陽電池におけるクラック、表
面異常及び剥離型式の欠陥を検出することのみに限定さ
れるものではなく、集積回路又はエネルギ集め装置にて
使用されるシリコン、砒化ガリウム、ゲルマニウム及び
その他の基板のような、他の基板における欠陥を検出す
るために利用することもできる。
面異常及び剥離型式の欠陥を検出することのみに限定さ
れるものではなく、集積回路又はエネルギ集め装置にて
使用されるシリコン、砒化ガリウム、ゲルマニウム及び
その他の基板のような、他の基板における欠陥を検出す
るために利用することもできる。
【００１３】図１及び図２に図示するように、検査装置
１０は、赤外線放射源１４と、赤外線カメラ１６とを備
えている。赤外線放射源１４は、基板１２の照射に利用
される赤外線エネルギ１８を発生させる。該放射源１４
は、基板１２を均一に照射する任意の放射源１４とする
ことができるが、この放射源１４は、環状体又はリング
の形状（図２参照）をした放射源であるリング照射装置
であることが好ましい。従って、以下、放射源及びリン
グ照射装置を夫々同じ符号１４で引用する。リングの形
態は、基板１２が一定の角度θから均一に照射されるよ
うに、対称の放射パターンを提供する。図２に図示する
ように、本発明の好適な実施の形態について、リング照
射装置１４は、ら旋状にコイル巻きされ且つ第一の直径
２０の環状リングに形成される、ニッケル／クロームの
ような材料から成る小径のヒータ線から成っている。取
り扱いを容易にし且つ基板１２から遠方の距離及び近い
距離の双方にて良好に均一に照射するため、第一の直径
２０は１４ｃｍであることが好ましい（図１）。しかし
ながら、本発明は、１４ｃｍの第一の直径２０（図２）
にのみ限定されず、種々の第一の直径２０を有する異な
る寸法のリング照射装置１４によって実施することも可
能である。
１０は、赤外線放射源１４と、赤外線カメラ１６とを備
えている。赤外線放射源１４は、基板１２の照射に利用
される赤外線エネルギ１８を発生させる。該放射源１４
は、基板１２を均一に照射する任意の放射源１４とする
ことができるが、この放射源１４は、環状体又はリング
の形状（図２参照）をした放射源であるリング照射装置
であることが好ましい。従って、以下、放射源及びリン
グ照射装置を夫々同じ符号１４で引用する。リングの形
態は、基板１２が一定の角度θから均一に照射されるよ
うに、対称の放射パターンを提供する。図２に図示する
ように、本発明の好適な実施の形態について、リング照
射装置１４は、ら旋状にコイル巻きされ且つ第一の直径
２０の環状リングに形成される、ニッケル／クロームの
ような材料から成る小径のヒータ線から成っている。取
り扱いを容易にし且つ基板１２から遠方の距離及び近い
距離の双方にて良好に均一に照射するため、第一の直径
２０は１４ｃｍであることが好ましい（図１）。しかし
ながら、本発明は、１４ｃｍの第一の直径２０（図２）
にのみ限定されず、種々の第一の直径２０を有する異な
る寸法のリング照射装置１４によって実施することも可
能である。
【００１４】図１及び図２を参照すると、本発明の好適
な実施の形態について、リング照射装置１４は、絶縁体
２４により支持されている。該絶縁体２４は、熱伝導率
が小さく且つリング照射装置１４と関係する温度に耐え
ることのできる任意の材料にて形成することができる
が、絶縁体２４は遷移材料にて製造することが好まし
い。リング照射装置１４は、セラミック調節具（ｃｅｒ
ａｍｉｃ ｓｔａｎｄｏｆｆｓ）（図示せず）を使用し
て絶縁体２４に締結することができるが、絶縁体２４
は、リング照射装置１４がその内部に配置される溝２５
を保持している。このリング照射装置１４は、セラミッ
ク材料で出来ていることが好ましい、幾つかの締結具２
６により溝２５内に固着することができる。開口部２８
が絶縁体２４に形成されており、カメラ１６は、この開
口部２８を通じて基板１２を見ることができる。
な実施の形態について、リング照射装置１４は、絶縁体
２４により支持されている。該絶縁体２４は、熱伝導率
が小さく且つリング照射装置１４と関係する温度に耐え
ることのできる任意の材料にて形成することができる
が、絶縁体２４は遷移材料にて製造することが好まし
い。リング照射装置１４は、セラミック調節具（ｃｅｒ
ａｍｉｃ ｓｔａｎｄｏｆｆｓ）（図示せず）を使用し
て絶縁体２４に締結することができるが、絶縁体２４
は、リング照射装置１４がその内部に配置される溝２５
を保持している。このリング照射装置１４は、セラミッ
ク材料で出来ていることが好ましい、幾つかの締結具２
６により溝２５内に固着することができる。開口部２８
が絶縁体２４に形成されており、カメラ１６は、この開
口部２８を通じて基板１２を見ることができる。
【００１５】リング照射装置１４から放出された赤外光
線１８は、角度θにて基板１２に入射し、基板１２を照
射する。一方、基板１２は、この入射した赤外光線１８
を全方向に反射する。赤外線カメラ１６のレンズ３０
は、絶縁体２４の開口部２８を通じてこの基板１２を見
る。反射した赤外光線の一部分は、カメラ１６のレンズ
に入射し、カメラ１６により捕獲され且つ集められる。
カメラ１６は、集められた反射赤外光線から像３２を形
成する手段を提供する。カメラ１６のレンズ３０は、基
板１２に対して略直角に軸線３４に沿って配置され、基
板１２の相当な表面積をカメラ１６の視界内に収束させ
ることができる。カメラ１６は、リング照射装置１４の
スペクトル出力に適合するスペクトル応答性を有するこ
とが好ましい。かかるカメラ１６の１つは、マサチュー
セッツ州、ノース・ビレリカに所在するインフラマトリ
ックス・インコーポレーテッド（Ｉｎｆｒａｍａｔｒｉ
ｃｓＩｎｃ．，）が製造するインフラキャム（Ｉｎｆｒ
ａｃａｍTM）（登録商標名）のような白金−珪素化合物
赤外線カメラ１６である。インフラキャムは、１乃至５
μｍの波長に対するスペクトル応答性を有している。こ
のレンズ３０は、基板１２の一部分、又は基板１２の全
体を見るために使用することのできる接写レンズ３０で
あることが好ましい。
線１８は、角度θにて基板１２に入射し、基板１２を照
射する。一方、基板１２は、この入射した赤外光線１８
を全方向に反射する。赤外線カメラ１６のレンズ３０
は、絶縁体２４の開口部２８を通じてこの基板１２を見
る。反射した赤外光線の一部分は、カメラ１６のレンズ
に入射し、カメラ１６により捕獲され且つ集められる。
カメラ１６は、集められた反射赤外光線から像３２を形
成する手段を提供する。カメラ１６のレンズ３０は、基
板１２に対して略直角に軸線３４に沿って配置され、基
板１２の相当な表面積をカメラ１６の視界内に収束させ
ることができる。カメラ１６は、リング照射装置１４の
スペクトル出力に適合するスペクトル応答性を有するこ
とが好ましい。かかるカメラ１６の１つは、マサチュー
セッツ州、ノース・ビレリカに所在するインフラマトリ
ックス・インコーポレーテッド（Ｉｎｆｒａｍａｔｒｉ
ｃｓＩｎｃ．，）が製造するインフラキャム（Ｉｎｆｒ
ａｃａｍTM）（登録商標名）のような白金−珪素化合物
赤外線カメラ１６である。インフラキャムは、１乃至５
μｍの波長に対するスペクトル応答性を有している。こ
のレンズ３０は、基板１２の一部分、又は基板１２の全
体を見るために使用することのできる接写レンズ３０で
あることが好ましい。
【００１６】太陽電池１２のような多くの基板１２は、
１乃至２．０μｍの波長範囲内にて強力に反射するコー
ティングを有するカバーガラス３６を有している。かか
る太陽電池１２について、カバーガラス３６から反射し
た光を遮断し且つかかる反射光からのぎらつくような光
を少なくするため、ロングパスフィルタ３８をカメラ１
６に追加することができる。これと代替的に、レンズ３
０は、２．０μｍ以下の波長の光線を遮断するフィルタ
として機能するゲルマニウム材料にて製造してもよい。
１乃至２．０μｍの波長範囲内にて強力に反射するコー
ティングを有するカバーガラス３６を有している。かか
る太陽電池１２について、カバーガラス３６から反射し
た光を遮断し且つかかる反射光からのぎらつくような光
を少なくするため、ロングパスフィルタ３８をカメラ１
６に追加することができる。これと代替的に、レンズ３
０は、２．０μｍ以下の波長の光線を遮断するフィルタ
として機能するゲルマニウム材料にて製造してもよい。
【００１７】本発明の好適な実施の形態の場合、リング
照射装置１４及び絶縁体２４からの全ての光線をカメラ
１６から遮蔽するため、カメラ１６のレンズ３０と絶縁
体２４との間に遮光体４０が配置される。この遮光体４
０は、絶縁体２４と一体に、又は別個の装置として形成
することができる。遮光体４０は、赤外光線を反射しな
い内面４２を有する、ポリ塩化ビニル材料の管であるこ
とが好ましい。
照射装置１４及び絶縁体２４からの全ての光線をカメラ
１６から遮蔽するため、カメラ１６のレンズ３０と絶縁
体２４との間に遮光体４０が配置される。この遮光体４
０は、絶縁体２４と一体に、又は別個の装置として形成
することができる。遮光体４０は、赤外光線を反射しな
い内面４２を有する、ポリ塩化ビニル材料の管であるこ
とが好ましい。
【００１８】本発明の好適な実施の形態に関し、カメラ
１６は、集められた反射赤外光線から像３２を形成する
手段を提供する。別個のプロセッサ、コンピュタ等もま
た像３２を形成し且つ記録する手段を提供することがで
きる。像３２は、モニター装置４４に表示されることが
好ましい。基板１２がクラック及び表面異常が存在しな
い太陽電池１２である場合、像３２は、太陽電池の構造
に固有の格子構造体４６を除いて、均一な外観となる。
基板１２が欠陥を含む場合、像３２はその欠陥の標識４
８、５０を表示することになる。
１６は、集められた反射赤外光線から像３２を形成する
手段を提供する。別個のプロセッサ、コンピュタ等もま
た像３２を形成し且つ記録する手段を提供することがで
きる。像３２は、モニター装置４４に表示されることが
好ましい。基板１２がクラック及び表面異常が存在しな
い太陽電池１２である場合、像３２は、太陽電池の構造
に固有の格子構造体４６を除いて、均一な外観となる。
基板１２が欠陥を含む場合、像３２はその欠陥の標識４
８、５０を表示することになる。
【００１９】長い距離ｄ及び小さい入射角度θについて
太陽電池１２を検査するとき、電池のクラック４８及び
表面異常５０の双方の標識が暗い像として表示される。
表面異常５０と電池のクラック４８とを識別するため、
軸線３４に沿って太陽電池１２に近接する位置にリング
照射装置１４を再位置決めし、これにより、距離ｄを短
くし且つ入射角度θを増大させる。像３２は、リング照
射装置１４が動く間に監視される。電池のクラック４８
は、距離及び入射角度θに関係なく暗く表わされる。他
方、リング照射装置１４が太陽電池１２から相当な距離
に配置され、太陽電池１２が小さいθ角度にて照射され
るとき、表面異常５０は暗い像として表示される。像５
０は、リング照射装置１４を太陽電池１２の近くに再位
置決めし、θ角度が増大するに伴い色が薄くなる。像５
０は、リング照射装置１４が太陽電池１２により近接す
る位置に更に再位置決めされ、太陽電池１２を更に大き
いθ角度にて照射するとき、最終的に明るい像として再
度表示される。表面異常５０の像３２は、約２０°乃至
４０°の範囲のθ角度にて暗く現れ、その像は約４５°
乃至４６°にて薄くなり、約５８°にて明確により明る
くなる。このように、本発明は、表面異常５０を電池の
クラック４８から識別し、高効率のシリコン電池のよう
なテキスチャを付した表面構造体を有する太陽電池１２
に作用させたとき、優れた反復可能な結果を提供し、ま
た、裸の太陽電池１２、又はカバーガラス３６を有する
太陽電池１２の検査に使用することができる。
太陽電池１２を検査するとき、電池のクラック４８及び
表面異常５０の双方の標識が暗い像として表示される。
表面異常５０と電池のクラック４８とを識別するため、
軸線３４に沿って太陽電池１２に近接する位置にリング
照射装置１４を再位置決めし、これにより、距離ｄを短
くし且つ入射角度θを増大させる。像３２は、リング照
射装置１４が動く間に監視される。電池のクラック４８
は、距離及び入射角度θに関係なく暗く表わされる。他
方、リング照射装置１４が太陽電池１２から相当な距離
に配置され、太陽電池１２が小さいθ角度にて照射され
るとき、表面異常５０は暗い像として表示される。像５
０は、リング照射装置１４を太陽電池１２の近くに再位
置決めし、θ角度が増大するに伴い色が薄くなる。像５
０は、リング照射装置１４が太陽電池１２により近接す
る位置に更に再位置決めされ、太陽電池１２を更に大き
いθ角度にて照射するとき、最終的に明るい像として再
度表示される。表面異常５０の像３２は、約２０°乃至
４０°の範囲のθ角度にて暗く現れ、その像は約４５°
乃至４６°にて薄くなり、約５８°にて明確により明る
くなる。このように、本発明は、表面異常５０を電池の
クラック４８から識別し、高効率のシリコン電池のよう
なテキスチャを付した表面構造体を有する太陽電池１２
に作用させたとき、優れた反復可能な結果を提供し、ま
た、裸の太陽電池１２、又はカバーガラス３６を有する
太陽電池１２の検査に使用することができる。
【００２０】更に、本発明は、基板１２を過剰に加熱す
ることはない。約３５ワットのリング照射装置１４のコ
イル状のヒータ線内への電力入力装置（図示せず）は、
典型的に、カバーガラス３６の無い太陽電池１２を十分
に照射するレベルの赤外光線１８を提供し、また、約４
５ワットの電力入力装置は、カバーガラス３６を有する
太陽電池１２を十分に照射するレベルの赤外光線１８を
提供する。こうした電力入力レベルは、それぞれ約３２
５乃至３７５℃のリング照射装置１４の温度に変換さ
れ、この温度は従来技術のタングステンハロゲン灯より
も遥かに低く、このため、太陽電池１２の加熱程度が軽
減される。このため、最小の過剰な加熱程度にて電池の
クラック４８をより均一に検出することが可能となる。
ることはない。約３５ワットのリング照射装置１４のコ
イル状のヒータ線内への電力入力装置（図示せず）は、
典型的に、カバーガラス３６の無い太陽電池１２を十分
に照射するレベルの赤外光線１８を提供し、また、約４
５ワットの電力入力装置は、カバーガラス３６を有する
太陽電池１２を十分に照射するレベルの赤外光線１８を
提供する。こうした電力入力レベルは、それぞれ約３２
５乃至３７５℃のリング照射装置１４の温度に変換さ
れ、この温度は従来技術のタングステンハロゲン灯より
も遥かに低く、このため、太陽電池１２の加熱程度が軽
減される。このため、最小の過剰な加熱程度にて電池の
クラック４８をより均一に検出することが可能となる。
【００２１】また、本発明は、従来技術における結果と
比較したとき、基板１２の大きい表面積が実質的により
均一に照射されることも許容し、その理由は、本発明
は、一定の入射角度θにて全方向から対称の光線を提供
し、基板１２が均一に照射されることになるからであ
る。
比較したとき、基板１２の大きい表面積が実質的により
均一に照射されることも許容し、その理由は、本発明
は、一定の入射角度θにて全方向から対称の光線を提供
し、基板１２が均一に照射されることになるからであ
る。
【００２２】更に、本発明は、電池のクラック４８を表
面異常５０から識別する方法を提供する。しかしなが
ら、本発明は、電池のクラック４８及び表面異常５０の
検出にのみ限定されず、基板１２に結合させた金属溶射
材料のような第二の材料と基板１２との間の層剥離を含
む、基板１２のその他の種類の欠陥も検出することがで
きる。層剥離は、明るい像として表示され、照射角度θ
を変化させても明るいままである一方、基板のクラック
４８は、暗い像として表示され、照射角度θを変化させ
ても暗いままであり、表面異常５０は暗い像として表示
され、この暗い像は、照射角度θの増大に伴って明るい
像に変化する。
面異常５０から識別する方法を提供する。しかしなが
ら、本発明は、電池のクラック４８及び表面異常５０の
検出にのみ限定されず、基板１２に結合させた金属溶射
材料のような第二の材料と基板１２との間の層剥離を含
む、基板１２のその他の種類の欠陥も検出することがで
きる。層剥離は、明るい像として表示され、照射角度θ
を変化させても明るいままである一方、基板のクラック
４８は、暗い像として表示され、照射角度θを変化させ
ても暗いままであり、表面異常５０は暗い像として表示
され、この暗い像は、照射角度θの増大に伴って明るい
像に変化する。
【００２３】本発明は図示し且つ上述した形態にのみ限
定されるものではなく、また上述した物理的な実施の形
態の寸法にのみ限定されるものでないことが当業者に理
解されよう。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載に
よってのみ限定されるものである。
定されるものではなく、また上述した物理的な実施の形
態の寸法にのみ限定されるものでないことが当業者に理
解されよう。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載に
よってのみ限定されるものである。
【図１】本発明の好適な実施の形態による検査装置の側
面図である。
面図である。
【図２】図１に図示したリング照射装置の詳細な端面図
である。
である。
１０ 検査装置 １２ 太陽電池 １４ 赤外線放射源／リング照射装置 １６ 赤外線カメラ １８ 赤外光線／赤
外線エネルギ ２０ 第一の直径 ２４ 絶縁体 ２５ 溝 ２６ 締結具 ２８ 開口部 ３０ レンズ／接写
レンズ ３２ 像 ３４ 軸線 ３６ カバーガラス ３８ ロングパスフ
ィルタ ４０ 遮光体 ４２ 遮光体の内面 ４４ モニター装置 ４６ 格子構造 ４８ 電池のクラック／標識 ５０ 表面異常／標
識
外線エネルギ ２０ 第一の直径 ２４ 絶縁体 ２５ 溝 ２６ 締結具 ２８ 開口部 ３０ レンズ／接写
レンズ ３２ 像 ３４ 軸線 ３６ カバーガラス ３８ ロングパスフ
ィルタ ４０ 遮光体 ４２ 遮光体の内面 ４４ モニター装置 ４６ 格子構造 ４８ 電池のクラック／標識 ５０ 表面異常／標
識
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リチャード・エイ・チョズコ アメリカ合衆国カリフォルニア州90275, ランチョ・パロス・ヴァーデス，シャド ウ・ウッド・ドライブ 22636 (72)発明者 エル・スザン・ケイスメント アメリカ合衆国カリフォルニア州92708, ファウンティアン・ヴァリ，サン・ラフ ァエル・ストリート 17951 (72)発明者 ジョナサン・ダブリュー・アレンバーグ アメリカ合衆国カリフォルニア州90405, サンタ・モニカ，フォース・ストリート 2623，ナンバー６ (56)参考文献 特開 平８−222832（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−220008（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−272940（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−124938（ＪＰ，Ａ) 特開2000−65760（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 21/84 - 21/958 H01L 31/04 - 31/06
Claims (17)
- 【請求項１】 基板（１２）の欠陥（４８、５０）を検
出する装置において、 該基板から隔てられ且つ前記基板を赤外光線（１８）で
実質的に均一に照射し得るように配置された赤外線放射
源（１４）と、 前記基板から反射した赤外光線を集め得るように配置さ
れたレンズ（３０）を有する赤外線カメラ（１６）と、 前記反射した赤外光線から前記欠陥を表わす標識（４
８、５０）を含む像を形成する手段（４４）とを備え、 前記赤外線放射源（１４）が、環状リングの形状をして
おり、 前記赤外線放射源（１４）が、前記基板（１２）が前記
環状リングの内部空間を通じて前記カメラ（１６）にて
見ることができるように前記レンズ（３０）と前記基板
（１２）との間に配置され、 前記赤外線放射源（１４）が前記環状リングとなるよう
にら旋状にコイル巻きした線である、装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の装置において、 前記基板（１２）が太陽電池を備える、装置。
- 【請求項３】 請求項１に記載の装置において、 前記コイル状巻きした線がニッケル／クローム材料であ
る、装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の装置において、 前記ら旋状にコイル巻きした線を支持し得るように該ら
旋状にコイル巻きした線に結合された絶縁体（２４）を
更に備える、装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の装置において、 前記絶縁体（２４）と前記ら旋状にコイル巻きした線の
環状リングとの結合体が前記環状リングの内部空間に対
応する所定の開口部（２８）を有し、 前記絶縁体（２４）が、前記基板（１２）が前記開口部
（２８）を通じて前記カメラにて見ることができるよう
に配置された、装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の装置において、 前記絶縁体（２４）が、前記基板（１２）を向いた円形
の環状溝（２５）を更に備え、 前記ら旋状にコイル巻きした線（１４）が前記円形の環
状溝（２５）内に配置される、装置。 - 【請求項７】 請求項４に記載の装置において、 前記絶縁体（２４）がセラミック材料である、装置。
- 【請求項８】 請求項７に記載の装置において、 前記セラミック材料が遷移材料（ｔｒａｎｓｉｔｅ ｍ
ａｔｅｒｉａｌ）である、装置。 - 【請求項９】 請求項１に記載の装置において、 前記基板（１２）が、カバーガラス（３６）と、前記基
板（１２）と前記レンズ（３０）との間に配置されたロ
ングパスフィルタ（ｌｏｎｇ−ｐａｓｓ ｆｉｌｔｅ
ｒ）（３８）とを有し、 該ロングパスフィルタ（３８）が２．０μｍ以下の波長
の光線を略遮断する、装置。 - 【請求項１０】 基板の欠陥を検出し且つ該欠陥の種類
を決定する装置において、 前記基板（１２）から隔てられ且つ前記基板をある入射
角度にて赤外光線（１８）で実質的に均一に照射する位
置に配置された赤外線放射源（１４）と、 前記基板（１２）から反射した赤外光線（１８）を集め
るように配置されたレンズ（３０）を有する赤外線カメ
ラ（１６）と、 前記反射した赤外光線（１８）から前記欠陥を表わす標
識（４８、５０）を含む像（３２）を形成する手段（４
４）と、 前記入射角度を変化させる手段（ｄ）とを備える、装
置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の装置において、 前記入射角度を変化させる前記手段（ｄ）が、前記赤外
線放射源（１４）を前記基板に接近させ又は該基板から
更に遠くなるように動かすことにより提供される、装
置。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の装置において、 基板のクラック型の欠陥を表わす前記標識（４８、５
０）が、前記入射角度の前記変化に伴って暗い像のまま
である暗い像である、装置。 - 【請求項１３】 請求項１０に記載の装置において、 表面異常型の欠陥を表わす前記標識（５０）が、前記入
射角度が増大するとき明るい像に変化する暗い像であ
る、装置。 - 【請求項１４】 請求項１０に記載の装置において、 層剥離型の欠陥を表わす前記標識（５０）が前記入射角
度の前記変化に伴って明るい像のままである明るい像で
ある、装置。 - 【請求項１５】 基板の欠陥を検出し且つ該欠陥の種類
を決定する方法において、 前記基板（１２）をある入射角度にて略均一な仕方で赤
外光線源（１４）により照射するステップと、 前記基板（１２）から反射した赤外光線を集めるステッ
プと、 前記反射した赤外光線から像（３２）を発生させるステ
ップと、 前記欠陥を表わす標識（４８、５０）について前記像を
検査する（４４）ステップと、 標識の外観の変化について前記像を連続的に監視する一
方にて、前記入射角度を変化させる（ｄ）ステップとを
備える、方法。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の方法において、 前記入射角度を変化させる（ｄ）ステップが、前記赤外
光線源を前記基板に接近させ又は更に離れるように動か
すことにより、前記入射角度を変化させるステップを更
に備える、方法。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の方法において、 前記像を連続的に監視しつつ、前記入射角度を変化させ
る（ｄ）ステップが、前記像を連続的に監視しつつ、前
記入射角度を変化させるステップを更に含み、クラック
型の欠陥（４８）が前記全ての入射角度にて暗い像を発
生させ、表面異常型の欠陥（５０）が前記入射角度の増
大に伴い明るい像に変化する暗い像を発生させる、方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/138230 | 1998-08-21 | ||
| US09/138,230 US6236044B1 (en) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | Method and apparatus for inspection of a substrate by use of a ring illuminator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000065759A JP2000065759A (ja) | 2000-03-03 |
| JP3220690B2 true JP3220690B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=22481063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23215399A Expired - Fee Related JP3220690B2 (ja) | 1998-08-21 | 1999-08-19 | 基板の欠陥を検出する装置及びその方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6236044B1 (ja) |
| EP (1) | EP0985924A1 (ja) |
| JP (1) | JP3220690B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007309679A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 画像検査方法およびその方法を用いた画像検査装置 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433867B1 (en) * | 2000-01-11 | 2002-08-13 | The Aerospace Corporation | Contrast imaging method for inspecting specular surface devices |
| EP1441799B1 (en) * | 2001-06-18 | 2006-10-11 | Durect Corporation | Device for delivering microdoses of agent to the ear |
| US7146034B2 (en) | 2003-12-09 | 2006-12-05 | Superpower, Inc. | Tape manufacturing system |
| FR2869994B1 (fr) * | 2004-05-04 | 2009-05-22 | Centre Nat Rech Scient Cnrse | Dispositif et procede de mesure de la reflectivite d'une cellule solaire |
| US20050252545A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Spire Corporation | Infrared detection of solar cell defects under forward bias |
| JP2005332621A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Yazaki Corp | コンビネーションスイッチ用レバーの組み付け構造 |
| JP2006184177A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置及び赤外検査方法 |
| US7284396B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-10-23 | International Gemstone Registry Inc. | Method and system for laser marking in the volume of gemstones such as diamonds |
| JP2006351669A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置および赤外検査方法ならびに半導体ウェハの製造方法 |
| US7705978B2 (en) * | 2006-02-06 | 2010-04-27 | Northrop Grumman Corporation | Method and apparatus for inspection of multi-junction solar cells |
| US7326929B2 (en) * | 2006-02-06 | 2008-02-05 | Northrop Grumman Corporation | Method and apparatus for inspection of semiconductor devices |
| GB2437544A (en) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | Gary M Holloway | Inspection device for optically complex surfaces |
| CN101490517B (zh) * | 2006-05-05 | 2013-03-27 | Bt成像股份有限公司 | 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统 |
| JP4878907B2 (ja) | 2006-05-08 | 2012-02-15 | 三菱電機株式会社 | 画像検査装置およびこの画像検査装置を用いた画像検査方法 |
| DE102007007140B4 (de) * | 2007-02-09 | 2009-01-29 | Astrium Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Detektion mechanischer Defekte eines Halbleiter-Bauelements, insbesondere einer Solarzelle oder Solarzellen-Anordnung |
| GB2479677A (en) * | 2007-04-23 | 2011-10-19 | Belron Hungary Kft Zug Branch | Glazing panel investigation |
| CN101378092B (zh) * | 2007-08-30 | 2011-08-10 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 太阳电池及组件隐裂检测装置及其测试方法 |
| JP2011527510A (ja) * | 2008-07-09 | 2011-10-27 | ビーティー イメージング ピーティーワイ リミテッド | 薄膜撮像方法および装置 |
| CA2736734C (en) * | 2008-09-17 | 2015-05-19 | Nippon Steel Corporation | Method for detecting defect in material and system for the method |
| KR101323035B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2013-10-29 | 로세브 테크놀로지 코포레이션 | 다결정 웨이퍼의 검사 방법 |
| JP2014232038A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社エアロ | ワーク検査装置 |
| CN103344613B (zh) * | 2013-07-26 | 2016-09-28 | 杭州远方光电信息股份有限公司 | 一种材料反射特性测量装置及方法 |
| CN105277565A (zh) * | 2014-06-13 | 2016-01-27 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 快速获取太阳电池组件的高清红外缺陷图像的方法 |
| JP6277931B2 (ja) * | 2014-10-01 | 2018-02-14 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせ不良部の検出方法及び検査システム |
| US10586880B2 (en) * | 2015-10-21 | 2020-03-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Solar cell manufacturing method |
| US10670531B2 (en) * | 2016-01-04 | 2020-06-02 | Laser & Plasma Technologies, LLC | Infrared detection camera |
| CN107369740A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-11-21 | 苏州天准科技股份有限公司 | 一种用于检测太阳能硅片隐裂的光学检测装置及检测方法 |
| US10228321B1 (en) * | 2017-11-21 | 2019-03-12 | Saudi Arabian Oil Company | System and method for infrared reflection avoidance |
| KR20220015635A (ko) * | 2020-07-31 | 2022-02-08 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 이물 검출 장치 및 검출 방법 |
| CN112881427B (zh) * | 2021-01-13 | 2023-06-13 | 四川宇然智荟科技有限公司 | 可见光和红外热成像的电子元器件缺陷检测装置及方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3841920A (en) * | 1971-07-06 | 1974-10-15 | Block Engineering | Method of manufacturing an infrared radiation source |
| US4501966A (en) * | 1981-03-13 | 1985-02-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Infrared microscope inspection apparatus |
| US4695130A (en) | 1983-09-30 | 1987-09-22 | Antonio Medina | Camera flash attachment for three dimensional imaging systems |
| JPH0827239B2 (ja) * | 1986-11-14 | 1996-03-21 | オムロン株式会社 | 照明装置 |
| US4792683A (en) | 1987-01-16 | 1988-12-20 | Hughes Aircraft Company | Thermal technique for simultaneous testing of circuit board solder joints |
| EP0356680A1 (de) | 1988-08-11 | 1990-03-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Optische Aufnahmeeinrichtung für Bildverarbeitungssysteme |
| JPH04242129A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-28 | Nec San-Ei Instr Co Ltd | 赤外温度測定装置 |
| FR2686697B1 (fr) * | 1992-01-27 | 1994-04-29 | Aerospatiale | Dispositif de detection de defauts dans des pieces bicouches, notamment dans des cellules solaires. |
| JP2855943B2 (ja) * | 1992-03-11 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | パターン検査方法及びその装置 |
| US5334844A (en) * | 1993-04-05 | 1994-08-02 | Space Systems/Loral, Inc. | Optical illumination and inspection system for wafer and solar cell defects |
| US5768138A (en) | 1994-06-29 | 1998-06-16 | Root Electro-Optics, Inc. | Automatic tooling inspection system |
| US5548120A (en) | 1994-11-14 | 1996-08-20 | Eastman Kodak Company | Linear integrating cavity light source for infra-red illumination of sensitized media |
| JP3617547B2 (ja) * | 1995-02-14 | 2005-02-09 | 富士通株式会社 | 配線パターンを観察する方法および加工装置 |
| JPH08220008A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外検査装置 |
| WO1997040367A1 (en) | 1996-04-22 | 1997-10-30 | Autospect, Inc. | Method and system for inspecting a low gloss surface of an object at a vision station |
-
1998
- 1998-08-21 US US09/138,230 patent/US6236044B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-07-23 EP EP99114540A patent/EP0985924A1/en not_active Withdrawn
- 1999-08-19 JP JP23215399A patent/JP3220690B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-29 US US09/821,426 patent/US6420705B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007309679A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 画像検査方法およびその方法を用いた画像検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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