JP3238141B2 - 回転照射源を用いた基板検査方法及び装置 - Google Patents

回転照射源を用いた基板検査方法及び装置

Info

Publication number
JP3238141B2
JP3238141B2 JP23291799A JP23291799A JP3238141B2 JP 3238141 B2 JP3238141 B2 JP 3238141B2 JP 23291799 A JP23291799 A JP 23291799A JP 23291799 A JP23291799 A JP 23291799A JP 3238141 B2 JP3238141 B2 JP 3238141B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
electromagnetic radiation
cover glass
radiation source
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP23291799A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000065760A (ja
Inventor
マウ−ソン・チョウ
リチャード・エイ・チョズコ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp
Original Assignee
Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp
TRW Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp, TRW Inc filed Critical Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp
Publication of JP2000065760A publication Critical patent/JP2000065760A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3238141B2 publication Critical patent/JP3238141B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は広く検査装置に関
し、特に、暗視野画像技術を用いて基板や基板上のカバ
−ガラスを検査することができる装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基板のクラックあるいは基板を覆うカバ
−ガラスのクラックは、基板不良あるいは該基板が配置
された装置の故障の原因となることがある。特に、基板
が太陽電池の場合は、太陽電池あるいは該太陽電池を覆
うカバ−ガラスのどちらにクラックが入っても、該クラ
ックがはいった太陽電池パネルの電力出力を甚だしく制
限する可能性がある。カバ−ガラスの小さなクラック
は、例えば、充填剤あるいは接着剤で補修することによ
り、通常は修正可能であるが、太陽電池のクラックは、
通常、修正できない。たいていの場合、クラックの入っ
た太陽電池は取り外して、新しい太陽電池と取り替えて
いる。従って、基板及びカバ−ガラスのクラックを検出
することと、太陽電池のクラックとカバ−ガラスのクラ
ックを見分けることが、重要であり、特に、カバ−ガラ
スのクラックが太陽電池のクラックとほぼ同じ領域に発
生し、太陽電池のクラックを見えにくくする場合は、ク
ラックの識別が重要である。現行の太陽電池検査技術で
は、太陽電池のクラックとカバ−ガラスのクラックを同
時に確実に検出することは不可能で、同じ位置に重なる
クラックも確実に検出することはできない。
【0003】太陽電池等の基板上のカバ−ガラスに入っ
たクラックを検出するために現在用いられている技術は
目視検査を必要とする。検査作業員は、カバ−ガラスと
太陽電池に、適切に調整した照明光を当てて、カバ−ガ
ラスに欠陥やクラックがあるかどうか、拡大鏡を使って
手作業で調べる。この技術では、基板を十分に検査する
ためには、検査作業員は頭をさまざまの角度に回さなけ
ればならない。この手作業による検査手法は時間のかか
る方法であり、検査作業員の目を疲れさせ、人為ミスで
欠陥を見落とすことが起りうる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、求められてい
るのは、基板のクラック、特に、太陽電池のクラック及
び太陽電池を覆うカバ−ガラスのクラック、を検出し、
さらに、太陽電池のクラックと該太陽電池上のカバ−ガ
ラスに入ったクラックとを識別する装置と方法であっ
て、ばらつきのないクラックの検出と識別が行え、しか
も人手による検査を必要としない装置と方法である。
【0005】
【課題を解決するための手段】従来の技術における前述
及びその他の欠点は、基板のクラックと基板を覆うカバ
−ガラスのクラックを検出する装置及び方法を提供する
本願の第1の発明により対処され、克服される。該装置
は、基板から間隔を置いて配置された電磁放射線源を具
備し、該電磁放射線源は基板に電磁放射線を照射するよ
うに配置されている。電磁放射線源が複数の方位角で基
板を照射するように、方位角を可変する手段が設けられ
ている。該基板は電磁放射線の一部を反射する。電磁放
射線検出器は、該反射された電磁放射線の一部を集め、
その集められた放射線から、クラックを表わす指標を含
む複数の画像を作成する。前記電磁放射線源(58)
は、固定したリング型放射線源(58)であり、前記方
位角を可変する手段(60)は、前記放射線源(58)
と前記基板(14)との間に配置された、電磁放射線を
実質上透過しない板(60)であり、該板(60)が第
一の開口(61)を備えていて、前記固定した放射線源
(58)が、前記開口(61)を通して前記カバ−ガラ
スと基板とを前記所定の方位角で照射するようになって
いる。
【0006】本願第2の発明によれば、前記複数の放
射線源(52)は第一と第二の放射線源(52、52)
から成り、該第一の放射線源(52)は、第一の方位角
で前記カバ−ガラスと基板とを照射するように配置さ
れ、該第二の放射線源(52)は、第二の方位角で前記
基板を照射するように配置され、前記第一と第二の方位
角は約180度ずれている。本願第3の発明によれば、
前記放射線源と前記電磁放射線検出器との間に位置して
前記検出器を前記電磁放射線源から遮蔽するシールド
(38、64)を具備する。本願第4の発明によれば、
電磁放射線検出器(22)は、所定のスペクトル応答性
(spectral response)を有するビデ
オカメラであり、前記第一及び第二の放射線源は、それ
ぞれ第一及び第二スペクトル出力を有し、該第一及び第
二のスペクトル出力はビデオカメラの所定のスペクトル
応答性と略一致している。
【0007】本発明の上記及びさらなる特徴と利点は、
以下の詳細な説明と添付の図面から明らかになる。図面
及び書面による記述において、数字は発明の種々の特徴
を示し、同じ数字は、図面及び書面による記述の全体を
通じて、同じ特徴を示している。
【0008】
【発明の実施の形態】添付図面に示した好ましい実施の
形態に関して以下に詳細に説明する。図1には、検査装
置10が示されている。検査装置10は、基板14を検
査し、該基板14を覆うカバ−ガラス16を検査し、該
基板14のクラックを検出し、該カバ−ガラス16のク
ラックを検出し、更に、該基板14のクラックと該カバ
−ガラス16のクラックとを識別する。検査装置10
は、ガラス、珪素、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム等の材
料によって形成された基板14、及び集積回路あるいは
エネルギ−収集装置に用いられる基板の検査に使用可能
であり、更に、基板14を覆うカバ−ガラス16の検査
にも使用できる。本発明は、太陽電池14を覆うカバ−
ガラス16のクラックを検出するのと、カバ−ガラス1
6のクラックと太陽電池14のクラックとを識別するの
に使用する時、特に有効である。本発明は、基板14の
離層型欠陥等の欠陥を検出するのにも有効である。
【0009】図1に示すように、検査装置10は、電磁
放射線源18と、ビデオカメラ等の電磁放射線検出器2
2と、基板14とカバ−ガラス16とを照射する方位角
Ψを可変する手段と、方位角Ψの変化に伴って、複数の
画像を作成し表示するビデオモニタ23等の手段とを具
備する。電磁放射線源18は、さまざまの方位角Ψで基
板14とカバ−ガラス16とを照射するのに利用される
電磁放射線26を放射する。電磁放射線源18は、赤外
波長を有する電磁放射線26を放射するらせん巻ヒ−タ
コイル18であることが好ましい。あるいは、放射線源
18は、タングステンハロゲン電球、発光ダイオ−ド
(LED)、ダイオ−ドレ−ザ等でもよく、また、電磁
放射線26は、紫外から赤外波長までの間の任意の波長
のものでよいが、電磁放射線26は赤外線であることが
好ましい。
【0010】基板14とカバ−ガラス16とをさまざま
の方位角Ψで照射するために、基板14とカバ−ガラス
16、あるいは電磁放射線源18のどちらかを中心線3
0の周りに回転させる。基板14とカバ−ガラス16が
大きな太陽電池に実装されている場合は、放射線源18
を回転させることが好ましい。そうするためには、放射
線源18を、開口35を有する回転可能な支持構造34
に取り付ける。回転可能な支持構造34は、中心線30
を中心に回転させることが好ましく、また、支持構造3
4は、放射線検出器22が支持構造34の開口35を通
して基板14とカバ−ガラス16とを見ることができる
ように、配置される。
【0011】図2を参照すると、回転可能な支持構造3
4は、モ−タ36と該支持構造34に連結されたスリッ
プリング38により機械的に回転されることが好まし
い。電力は電源(図示せず)からスリップリング38に
供給される。スリップリング38には金属ブラシ(図示
せず)が備えてあり、支持構造34がモ−タ36によっ
て回転される時の放射線源18への電力伝達を容易にし
ている。開口40がスリップリング38に設けられてい
て、検出器22は、開口40を通してカバ−ガラス16
と基板14とが見えるような位置に配置される。速度制
御装置42はモ−タ36に連結され、画像が人間の目で
監視できる速度でモニタ23に表示されるように、モ−
タ36の速度を制御するのに用いられる。あるいは、支
持構造34は手動で回転させ、電池(図示せず)を支持
構造34に直接取り付けて、放射線源18に電力を供給
する。
【0012】図1に戻って、発明の好ましい実施の形態
では、シールドが放射線源18と検出器22との間に設
けられ、検出器22を放射線源18の直射から遮蔽して
いる。シールドは、別体の装置(図示せず)によって設
けることもできるが、支持構造34によって設けること
が好ましい。図2に示す発明の実施の形態では、シール
ドは、支持構造34と共にスリップリング38によっ
て、放射線源18と検出器22との間に設けられてい
る。
【0013】図1に戻って、基板14とカバ−ガラス1
6とは、入射電磁放射線26の一部を反射する。検出器
22は、反射電磁放射線44の一部を連続的に集めて、
画像を作成し、これらの画像は、基板14の欠陥、ある
いはカバ−ガラス16のクラックを表わす指標があるか
どうか、人間の目で画像を検査できるように、モニタ2
3に表示される。検出器22は、電磁放射線を検出する
装置ならどのような装置でもよいが、発明の好ましい実
施の形態では、検出器22はビデオカメラ22であり、
該ビデオカメラ22は、基板14及びカバ−ガラス16
の表面積の大部分をカメラ22の視野の中で合焦できる
ように、中心線30上に設けられ、カバ−ガラス16の
表面に対してほぼ直角になっている。カメラ22は、反
射電磁放射線44の一部を連続的に集めて、基板14と
カバ−ガラス16とを照射する方位角Ψの変化に伴っ
て、複数の画像を作成する。基板14とカバ−ガラス1
6とが完全に平滑で欠陥が無ければ、これらの画像はむ
らなく一様に見え(ただし、基板14が太陽電池14の
場合は、画像には格子構造46が表れる)、且つ、全照
射方位角Ψで変わることなく一様に見える。
【0014】カバ−ガラス16にクラックがあると、ク
ラック48が適切な方位角Ψで照射された時の画像に
は、該クラック48を表わす指標が含まれる。クラック
の屈折率の不連続は、ガラスのクラックが、このクラッ
クの方位角Ψと90度異なる方位角Ψで照射された時、
最大になり、最大反射放射線44を生じる。一方、クラ
ックに沿って照射された時、クラックの屈折率の不連続
は最小になる。従って、方位角Ψの変化に伴って、ガラ
スのクラック48の画像は、ガラスクラックの方位角Ψ
に対する放射線源18の方位角Ψの向きに応じて、ちょ
っとの間明るく見え、次に暗くなる。このようにして、
放射線源18が方位角Ψで180度回転し終えると、直
線状及び曲線状のクラックを含む、ガラスに入った全て
のクラックを検出することができる。
【0015】基板14にクラックあるいは欠陥がある
と、このクラックあるいは欠陥がいかなる方位角Ψで照
射された場合でも、画像には、該クラックあるいは欠陥
50を表わす指標が含まれる。この指標50は、モニタ
23上では暗い像として現れる。放射線の反射量、ひい
ては、ガラスのクラック48によって生じる像の強度
は、照射方位角Ψによって変化するが、基板の欠陥ある
いはクラック50の暗い像は、本質的に照射方位角Ψに
左右されない。方位角Ψを変化させると、ガラスのクラ
ック48の像は照射方位角Ψの変化に伴って、断続的に
強度が弱まったり、明るくなったりするが、基板のクラ
ック50の暗い像はそのまま変わらない。このようにし
て、基板のクラック50を検出し、ガラスのクラック4
8と区別することができる。特に、ガラスのクラックの
下に隠れた基板のクラックを検出し、基板14を覆うカ
バ−ガラス16に入ったクラックと区別することができ
る。
【0016】図3を参照すると、発明の好ましい実施の
形態では、放射線源18(図1)は2つの放射線素子5
2から成り、これらの放射線素子52は、回転可能な支
持構造34上で、中心線30の両側に方位角Ψで約18
0度互いに離れて、配置されている。放射線素子52
は、基板14とカバ−ガラス16とに放射線54、56
を反対側から方位角ΨとΨ'で照射するために用いられ
る。放射線54、56はほぼ同じ強度を有することが好
ましく、Ψ'はΨ+180度にほぼ等しいことが好まし
い。放射線54、56は、回転可能な支持構造34の位
置に依存して、ガラスのクラックに直角あるいは該クラ
ックに沿って同時に入射するように、基板14とカバ−
ガラス16の前面を同時に反対側から照射できる。この
結果、より高い強度が得られ、基板14とカバ−ガラス
16をより均一に照射でき、且つ反射放射線44を同相
で集めることができ、これにより、単一の放射線源から
なる図1の実施の形態におけるような基板14とカバ−
ガラス16に対する不均一な照射に比べて、ガラスのク
ラックをより良く検出できる。
【0017】発明の好ましい実施の形態では、該2つの
放射線素子52は、各々、らせん巻ヒ−タコイルで、各
コイル52は、直径約0.38ミリで、ニッケルクロム
等の材料からなる小径電熱線で構成されており、該コイ
ル52は、らせん状に巻かれ、電源(図示せず)から電
力が供給されて放射線54、56が生じるようになって
いる。あるいは、該放射線素子52は、タングステンハ
ロゲン電球、発光ダイオ−ド、ダイオ−ドレ−ザ等でも
よい。各放射線素子52は、2つの台碍子57で支持構
造34に取り付けることが好ましく、基板14とカバ−
ガラス16とを照射するように配置される。反射放射線
44を良く検出するためには、検出器22は、該放射線
素子52のスペクトル出力に合ったスペクトル応答性を
持つことが好ましい。上記のヒ−タコイル放射線素子5
2用のそのような検出器22の一つに、マサチュセッツ
州ノ−スビレリカにあるインフラマトリックス社製の
“インフラカム"(商標)と呼ばれる、珪化白金赤外線
カメラ22があり、これは、1〜5ミクロンの波長範囲
にスペクトル応答性を持っている。放射線素子52とし
てタングステンハロゲン電球、発光ダイオ−ド(LE
D)、ダイオ−ドレ−ザ等を用いる発明の別の実施の形
態では、該放射線素子52のスペクトル出力が、検出器
22のそれとよく合うように、検出器22は、シリコン
フォトダイオ−ド検出器、ゲルマニウムフォトダイオ−
ド検出器、インジウムガリウム砒素(InGaAs)フ
ォトダイオ−ド検出器等であることが好ましい。
【0018】図4を参照すると、発明のもう一つの実施
の形態では、放射線源18(図1)は、電磁放射線59
を放射する固定した放射線源58である。放射線源58
とカバ−ガラス16との間に、回転板60が配置されて
いる。回転板60は、電磁放射線59を実質上透過せ
ず、一つ以上の開口61を備えていて、該開口61は、
放射線源58から放射された赤外線59の一部62が該
開口61を通過してカバ−ガラス16と基板14とに入
射するように、回転板60上の所定位置に設けられてい
る。回転板60は、カバ−ガラス16と基板14とを複
数の方位角Ψで照射するように、回転される。放射線源
58と検出器22との間には、シールド64が配置され
て、検出器22を放射線源58からの直射から遮蔽して
いる。該シールド64は、電磁放射線59を透過しない
材料によって形成されていることが好ましく、開口66
を備えている。該シールド64は、検出器22が開口6
6を通してカバ−ガラス16と基板14とを見ることが
できるように、配置される。
【0019】図5を参照すると、発明の別の実施の形態
では、放射線源18(図1)は複数の放射線素子68か
ら構成され、各放射線素子68は、固定した支持構造7
0上にそれぞれ異なった方位角Ψで配置されている。各
放射線素子68には順次電力(図示せず)が供給され
る。各放射線素子68は電磁放射線72を放射し、この
電磁放射線72は、カバ−ガラス16と基板14とを所
定の方位角Ψで照射するのに利用される。一度に1つの
放射線素子68にだけ電力を供給することにより、カバ
−ガラス16と基板14とを照射する方位角Ψを可変す
る手段が得られる。
【0020】図1乃至図5を参照すると、本発明では、
電磁放射線を用いて基板14とカバ−ガラス16とをさ
まざまの方位角Ψで照射し、方位角Ψの変化に伴って、
集められた反射放射線から画像を作成することにより、
基板14の欠陥及びカバ−ガラス16のクラックを表わ
す指標を有する画像が得られ、該画像を監視するだけ
で、基板14とカバ−ガラス16の検査をすることがで
き、これにより基板14とカバ−ガラス16を詳細に目
視検査する必要が無くなる。さらに、本発明は、基板1
4の欠陥を検出し、基板14とカバ−ガラス16のクラ
ックを検出し、基板14のクラックとカバ−ガラス16
のクラックとを識別する、基板14とカバ−ガラス16
の検査方法を提供する。この方法によると、検査作業員
は、基板14とカバ−ガラス16とを十分に検査するた
めに頭をさまざまの角度に回す必要がなくなるので、人
為ミスの発生頻度が低く、検査作業員の疲労を軽減する
ことができる。
【0021】本発明は、以上に図示し説明したところに
限定されず、上述した物理的な実現における寸法にも限
定されないことは当業者によって理解されよう。この発
明の範囲は特許請求の範囲によってのみ限定されるもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による検査装置の等角図
である。
【図2】本発明の第2の実施の形態による検査装置の側
面図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態による検査装置の等
角図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態による検査装置の等
角図である。
【図5】本発明の第5の実施の形態による検査装置の等
角図である。
【符号の説明】
10検査装置 14基板 16カバ−ガラス 18放射線源 22検出器 22電磁放射線検出器 23ビデオモニタ 26電磁放射線 30中心線 34回転可能な支持構造 35開口 36モ−タ 38スリップリング 40開口 42速度制御装置 44反射電磁放射線 46格子構造 48ガラスのクラック 50基板のクラック 52放射線素子 54、56放射線 57台碍子 58固定した放射線源 59電磁放射線 60回転板 61開口 62赤外線の一部 64シールド 66開口 68放射線素子 70固定した支持構造 72電磁放射線
フロントページの続き (72)発明者 リチャード・エイ・チョズコ アメリカ合衆国カリフォルニア州90275, ランチョ・パロス・ヴァーデス,シャド ウ・ウッド・ドライブ 22636 (56)参考文献 特開 平3−158708(JP,A) 特開 平8−222832(JP,A) 特開 平8−220008(JP,A) 特開 平5−272940(JP,A) 特開 昭63−124938(JP,A) 実開 平2−124504(JP,U) 特許3220690(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 21/84 - 21/958 H01L 31/04 - 31/06

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板(14)の欠陥(50)及び該基板
    を覆うカバ−ガラス(16)のクラック(48)を検出
    する装置であって、 前記カバ−ガラス(16)と前記基板(14)とから間
    隔を置いて配置された電磁放射線源(58)であって、
    前記カバ−ガラスと前記基板とに所定の方位角で電磁放
    射線(62)を照射するように配置され、前記基板とカ
    バ−ガラスとは前記電磁放射線の一部を反射(44)す
    るようになっている、前記電磁放射線源(58)と、 前記電磁放射線源(58)が複数の方位角で前記基板と
    カバ−ガラスとを照射するように、前記方位角を可変す
    る手段(60)と、 前記方位角の変化に伴って、前記反射電磁放射線の一部
    を連続的に集めるように配置された電磁放射線検出器
    (22)と、 前記方位角の変化に伴って、前記集められた反射放射線
    (44)から複数の画像を作成する手段(23)であっ
    て、前記複数の画像は前記欠陥と前記クラックを表わす
    指標を含んでいる、前記画像作成手段(23)とから成
    り、 前記電磁放射線源(58)は、 固定したリング型放射
    線源(58)であり前記方位角を可変する手段(60)は、 前記放射線源
    (58)と前記基板(14)との間に配置された、電磁
    放射線を実質上透過しない板(60)であ、該板(6
    0)が第一の開口(61)を備えていて、前記固定した
    放射線源(58)が、前記開口(61)を通して前記カ
    バ−ガラスと基板とを前記所定の方位角で照射するよう
    になっていることを特徴とする装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の装置において、前記基
    板(14)は、シリコン太陽電池、ヒ化ガリウム(ga
    llium arsenide)太陽電池、集積回路、
    及びエネルギ−収集・変換装置であることを特徴とする
    装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の装置において、前記電
    磁放射線(62)は、紫外波長から赤外波長までの間の
    波長を有する、ことを特徴とする装置。
  4. 【請求項4】 請求項に記載の装置において、前記方
    位角を可変する手段(60)は、前記カバ−ガラスと基
    板とに電磁放射線を複数の方位角で照射するように前記
    板を回転(60)させて前記方位角を可変する手段であ
    ることを特徴とする装置。
  5. 【請求項5】 基板(14)の欠陥(50)及び該基板
    を覆うカバ−ガラス(16)のクラック(48)を検出
    する装置であって、 前記カバ−ガラス(16)と前記基板(14)とから間
    隔を置いて配置された電磁放射線源(52)であって、
    前記カバ−ガラスと前記基板とに所定の方位角で電磁放
    射線(54)を照射するように配置され、前記基板とカ
    バ−ガラスとは前記電磁放射線の一部を反射(44)す
    るようになっている、前記電磁放射線源(52)と、 前記電磁放射線源(52)が複数の方位角で前記基板と
    カバ−ガラスとを照射するように、前記方位角を可変す
    る手段(34)と、 前記方位角の変化に伴って、前記反射電磁放射線の一部
    を連続的に集めるように配置された電磁放射線検出器
    (22)と、 前記方位角の変化に伴って、前記集められた反射放射線
    (44)から複数の画像を作成する手段(23)であっ
    て、前記複数の画像は前記欠陥と前記クラックを表わす
    指標を含んでいる、前記画像作成手段(23)とから成
    り、 前記電磁放射線源(52)は複数の放射線源から成り、 前記複数の放射線源(52)は第一と第二の放射線源
    (52、52)から成り、該第一の放射線源(52)
    は、第一の方位角で前記カバ−ガラスと基板とを照射す
    るように配置され、該第二の放射線源(52)は、第二
    の方位角で前記基板を照射するように配置され、前記第
    一と第二の方位角は約180度ずれており、 前記第一と
    第二の放射線源は、それぞれ第一と第二のコイル線(5
    2、52)であることを特徴とする装置。
  6. 【請求項6】 基板(14)の欠陥(50)及び該基板
    を覆うカバ−ガラス(16)のクラック(48)を検出
    する装置であって、 前記カバ−ガラス(16)と前記基板(14)とから間
    隔を置いて配置された電磁放射線源(18、58)であ
    って、前記カバ−ガラスと前記基板とに所定の方位角で
    電磁放射線(26、62)を照射するように配置され、
    前記基板とカバ−ガラスとは前記電磁放射線の一部を反
    射(44)するようになっている、前記電磁放射線源
    (18、58)と、 前記電磁放射線源(18、58)が複数の方位角で前記
    基板とカバ−ガラスとを照射するように、前記方位角を
    可変する手段(34、60)と、 前記方位角の変化に伴って、前記反射電磁放射線の一部
    を連続的に集めるように配置された電磁放射線検出器
    (22)と、 前記方位角の変化に伴って、前記集められた反射放射線
    (44)から複数の画像を作成する手段(23)であっ
    て、前記複数の画像は前記欠陥と前記クラックを表わす
    指標を含んでいる、前記画像作成手段(23)とから成
    り、 更に、前記放射線源と前記電磁放射線検出器との間に位
    置して前記検出器を前記電磁放射線源から遮蔽するシー
    ルド(38、64)を具備することを特徴とする装置。
  7. 【請求項7】 基板(14)の欠陥(50)及び該基板
    を覆うカバ−ガラス(16)のクラックを検出する装置
    であって、 前記基板から間隔を置いて配置された第一と第二の電磁
    放射線源(52、52)であって、前記カバ−ガラスと
    基板とに電磁放射線(54)をそれぞれ第一と第二の方
    位角で照射するように配置され、該第一と第二の方位角
    は約180度ずれており、前記欠陥とクラックとは前記
    電磁放射線の一部を散乱するようになっている、前記第
    一と第二の電磁放射線源(52、52)と 前記第一と第
    二の電磁放射線源(52、52)に連結された支持構造
    であって、前記第一と第二の電磁放射線源(52、5
    2)が複数の第一と第二の方位角で前記基板とカバ−ガ
    ラスとを照射するように、前記第一と第二の方位角を可
    変する回転可能な支持構造(34)と、 前記第一と第二の方位角の変化に伴って、前記反射赤外
    線の一部を連続的に集めて複数の画像を作成するように
    配置された電磁放射線検出器(22)と、 前記欠陥と前
    記クラックを表わす指標を含んでいる前記複数の画像を
    表示するモニタ(23)とから成り、 前記電磁放射線検出器(22)は、所定のスペクトル応
    答性(spectral response)を有する
    ビデオカメラであり、前記第一と第二の放射線源は、そ
    れぞれ第一及び第二のスペクトル出力を有し、該第一及
    び第二のスペクトル出力は前記ビデオカメラの所定のス
    ペクトル応答性と略一致していることを特徴とする装
    置。
  8. 【請求項8】 請求項に記載の装置において、前記
    一及び第二のスペクトル出力と前記ビデオカメラの所定
    のスペクトル応答性とはそれぞれ、紫外から赤外波長の
    間にあることを特徴とする装置。
JP23291799A 1998-08-21 1999-08-19 回転照射源を用いた基板検査方法及び装置 Expired - Fee Related JP3238141B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/138169 1998-08-21
US09/138,169 US6111638A (en) 1998-08-21 1998-08-21 Method and apparatus for inspection of a solar cell by use of a rotating illumination source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000065760A JP2000065760A (ja) 2000-03-03
JP3238141B2 true JP3238141B2 (ja) 2001-12-10

Family

ID=22480767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23291799A Expired - Fee Related JP3238141B2 (ja) 1998-08-21 1999-08-19 回転照射源を用いた基板検査方法及び装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6111638A (ja)
EP (1) EP0982585A1 (ja)
JP (1) JP3238141B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007078404A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池パネル検査装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6433867B1 (en) * 2000-01-11 2002-08-13 The Aerospace Corporation Contrast imaging method for inspecting specular surface devices
US6359212B1 (en) * 2000-07-13 2002-03-19 Trw Inc. Method for testing solar cell assemblies and second surface mirrors by ultraviolet reflectometry for susceptibility to ultraviolet degradation
EP1518261B1 (en) * 2002-06-21 2008-08-13 Applied Materials, Inc. Angled sensors for detecting substrates
DE602004022585D1 (de) * 2003-12-12 2009-09-24 Solarworld Ind Deutschland Gmb Messung der pyramidengrösse auf einer texturierten oberfläche
US20050134857A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-23 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to monitor silicide formation on product wafers
US20050252545A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Spire Corporation Infrared detection of solar cell defects under forward bias
JP2006351669A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Mitsubishi Electric Corp 赤外検査装置および赤外検査方法ならびに半導体ウェハの製造方法
US7705978B2 (en) * 2006-02-06 2010-04-27 Northrop Grumman Corporation Method and apparatus for inspection of multi-junction solar cells
US7326929B2 (en) * 2006-02-06 2008-02-05 Northrop Grumman Corporation Method and apparatus for inspection of semiconductor devices
CN101378092B (zh) * 2007-08-30 2011-08-10 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 太阳电池及组件隐裂检测装置及其测试方法
US8233572B2 (en) * 2007-09-25 2012-07-31 Qualcomm Incorporated Interference mitigation for impulse-based communication
GB0721060D0 (en) 2007-10-29 2007-12-05 Pilkington Group Ltd Optical inspection
JP5245482B2 (ja) * 2008-03-21 2013-07-24 株式会社ニコン 基板検査装置、およびマスク用基板の製造方法
US8739492B2 (en) 2008-07-09 2014-06-03 Skyfuel, Inc. Space frame connector
ES2611789T3 (es) 2008-07-09 2017-05-10 Skyfuel, Inc. Colectores solares con paneles reflectantes extraíbles deslizantes para el uso en aplicaciones térmicas solares
US8904774B2 (en) 2008-08-22 2014-12-09 Skyfuel, Inc. Hydraulic-based rotational system for solar concentrators that resists high wind loads without a mechanical lock
JP5900187B2 (ja) * 2012-06-27 2016-04-06 住友金属鉱山株式会社 表面傷検査装置及び表面傷検査方法
JP6212926B2 (ja) * 2013-04-26 2017-10-18 住友金属鉱山株式会社 物体検査装置及び物体検査方法
US9703325B2 (en) 2015-08-12 2017-07-11 Apple Inc. Coverglass fracture detection
JP7107008B2 (ja) * 2017-07-07 2022-07-27 日本電産トーソク株式会社 検査装置および検査方法
CN109001228B (zh) * 2018-09-18 2024-02-27 华侨大学 一种带背光照明的衬底缺陷检测用回转工作台
CN113588670B (zh) * 2021-09-28 2021-12-03 江苏力腾机械有限公司 一种电梯配件生产用裂纹检测设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4747684A (en) * 1986-09-30 1988-05-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of and apparatus for real-time crystallographic axis orientation determination
US4989973A (en) * 1988-10-03 1991-02-05 Nissan Motor Co., Ltd. Surface condition estimating apparatus
FR2641866B1 (fr) * 1988-12-26 1993-03-05 Aerospatiale Procede et installation de controle de fenetres de protection de cellules solaires
DE4123916C2 (de) * 1990-07-19 1998-04-09 Reinhard Malz Verfahren und Vorrichtung zum beleuchtungsdynamischen Erkennen und Klassifizieren von Oberflächenmerkmalen und -defekten eines Objektes
FR2686697B1 (fr) * 1992-01-27 1994-04-29 Aerospatiale Dispositif de detection de defauts dans des pieces bicouches, notamment dans des cellules solaires.
US5298963A (en) * 1992-02-26 1994-03-29 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Apparatus for inspecting the surface of materials
JPH0711488B2 (ja) * 1992-12-18 1995-02-08 株式会社泰光 カット面が形成された宝石の拡大視装置
US5334844A (en) * 1993-04-05 1994-08-02 Space Systems/Loral, Inc. Optical illumination and inspection system for wafer and solar cell defects

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007078404A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池パネル検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0982585A1 (en) 2000-03-01
JP2000065760A (ja) 2000-03-03
US6111638A (en) 2000-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3238141B2 (ja) 回転照射源を用いた基板検査方法及び装置
US6420705B2 (en) Method and apparatus for inspection of a substrate by use of a ring illuminator
JP3229411B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板の欠陥検出方法およびその修正方法
US5111048A (en) Apparatus and method for detecting fatigue cracks using infrared thermography
US7705978B2 (en) Method and apparatus for inspection of multi-junction solar cells
JP2008058270A (ja) 多結晶シリコン基板の検査方法および太陽電池セルの検査方法、並びに赤外線検査装置
US20060278831A1 (en) Infrared inspection apparatus, infrared inspecting method and manufacturing method of semiconductor wafer
JP3379805B2 (ja) 表面欠陥検査装置
US7326929B2 (en) Method and apparatus for inspection of semiconductor devices
JP2007078404A (ja) 太陽電池パネル検査装置
US6359212B1 (en) Method for testing solar cell assemblies and second surface mirrors by ultraviolet reflectometry for susceptibility to ultraviolet degradation
CN109490253A (zh) 一种新型模拟自然光双向反射分布函数测试装置
US20210129971A1 (en) System and method for measuring localized characteristics of a transparency
JP2006184177A (ja) 赤外検査装置及び赤外検査方法
KR20150098406A (ko) 그래핀의 전도성 검사 장치 및 검사 방법
CN111505008A (zh) 用于检查缺陷的方法和装置
JPH07234187A (ja) ガラス基板の表面欠点検出方法およびその装置
TW200424510A (en) Lighting apparatus for inspecting substrate
JP2821460B2 (ja) 透明基板の傷検査装置
KR100480490B1 (ko) 다중 접합 웨이퍼의 공간 검사장치
JP2008215875A (ja) 成形体の検査方法およびこの方法を用いた検査装置
JPH05232040A (ja) 外観検査用投光装置
JPH02198347A (ja) 半導体不良解析装置
JP2004125703A (ja) 透過位相物体の外観検査装置
JPS60198437A (ja) レ−ザ光を用いた表面検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees