JP3214980B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えばページプリンタ用
感光ドラムの露光用光源として用いられる半導体発光装
置に関するものである。
感光ドラムの露光用光源として用いられる半導体発光装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】ペー
ジプリンタ用感光ドラムの露光用光源として用いられる
半導体発光装置は、半導体基板上に複数の発光素子を例
えば８ドット／ｍｍまたは１２ドット／ｍｍに列状に配
列して回路基板上に搭載し、この半導体発光装置をペー
ジプリンタ用感光ドラムと対峙させて、複数の発光素子
を選択的に発光させることにより、感光ドラムに印画情
報を供給するものである。
ジプリンタ用感光ドラムの露光用光源として用いられる
半導体発光装置は、半導体基板上に複数の発光素子を例
えば８ドット／ｍｍまたは１２ドット／ｍｍに列状に配
列して回路基板上に搭載し、この半導体発光装置をペー
ジプリンタ用感光ドラムと対峙させて、複数の発光素子
を選択的に発光させることにより、感光ドラムに印画情
報を供給するものである。
【０００３】この従来の半導体発光装置を図５に示す。
図５に示す半導体発光装置は、例えばシリコンなどから
成る半導体基板１１の一方の主面に、例えばガリウム砒
素やアルミニウム・ガリウム砒素などから成る島状の発
光素子１２を設け、この発光素子１２の表面および半導
体基板１１の表面に例えば窒化シリコン膜などから成る
絶縁膜１３を形成し、この絶縁膜１３の発光素子１２の
頂部に透孔１３ａを形成して個別電極１４を設けると共
に、半導体基板１１の裏面側に共通電極１５を設けたも
のである。
図５に示す半導体発光装置は、例えばシリコンなどから
成る半導体基板１１の一方の主面に、例えばガリウム砒
素やアルミニウム・ガリウム砒素などから成る島状の発
光素子１２を設け、この発光素子１２の表面および半導
体基板１１の表面に例えば窒化シリコン膜などから成る
絶縁膜１３を形成し、この絶縁膜１３の発光素子１２の
頂部に透孔１３ａを形成して個別電極１４を設けると共
に、半導体基板１１の裏面側に共通電極１５を設けたも
のである。
【０００４】この半導体発光装置を被着回路基板（不図
示）に搭載する場合、その共通電極１５を導電性ペース
トを介して被着回路基板上の配線に接続し、各個別電極
１４をボンディングワイヤーによって一つずつ被着回路
基板上の配線に接続することが行われている。ところ
が、各個別電極１４を一つずつ被着回路基板上の配線に
ボンディングワイヤーで接続しようとすると生産性が低
下する。
示）に搭載する場合、その共通電極１５を導電性ペース
トを介して被着回路基板上の配線に接続し、各個別電極
１４をボンディングワイヤーによって一つずつ被着回路
基板上の配線に接続することが行われている。ところ
が、各個別電極１４を一つずつ被着回路基板上の配線に
ボンディングワイヤーで接続しようとすると生産性が低
下する。
【０００５】そこで図６に示すように、半導体基板１１
の一方の主面において各発光素子１２毎に個別電極１４
を形成すると共に、発光素子１２の片側に共通電極１５
を形成し、各個別電極１４と共通電極１５とに金バンプ
等の導電性部材１６を形成し、その導電性部材１６を透
光性ガラスなどから成る被着回路基板上の配線に押しつ
けながら樹脂を硬化させることによって樹脂の収縮力で
導電性部材１６と被着回路基板の配線を当接させて接続
するマイクロバンプボンディング法などが提案されてい
る。なおマイクロバンプボンディング法では、導電性部
材１６と被着回路基板の配線を当接させるだけで導通を
得ることから、導電性部材１６の材料は、殆ど酸化され
ることない金（Ａｕ）を用いるのが一般的である。すな
わち当接部分に酸化膜が生成すると絶縁になる恐れがあ
る。
の一方の主面において各発光素子１２毎に個別電極１４
を形成すると共に、発光素子１２の片側に共通電極１５
を形成し、各個別電極１４と共通電極１５とに金バンプ
等の導電性部材１６を形成し、その導電性部材１６を透
光性ガラスなどから成る被着回路基板上の配線に押しつ
けながら樹脂を硬化させることによって樹脂の収縮力で
導電性部材１６と被着回路基板の配線を当接させて接続
するマイクロバンプボンディング法などが提案されてい
る。なおマイクロバンプボンディング法では、導電性部
材１６と被着回路基板の配線を当接させるだけで導通を
得ることから、導電性部材１６の材料は、殆ど酸化され
ることない金（Ａｕ）を用いるのが一般的である。すな
わち当接部分に酸化膜が生成すると絶縁になる恐れがあ
る。
【０００６】図６に示す半導体発光装置では、被着回路
基板に実装される半導体発光装置は、各個別電極１４と
共通電極１５とに形成される導電性部材１６を介して支
持されることになるが、この導電性部材１６は直径が約
５０μｍ、高さが数十μｍの金であり、荷重に対して弱
く、マイクロバンプボンディングの工程で半導体基板１
１が押圧されると変形し、その結果個別電極１４が被着
回路基板に接触して変形し、発光素子１２の発光特性が
バラついたり、個別電極１４の表面が擦れて外観不良に
なるという問題があった。
基板に実装される半導体発光装置は、各個別電極１４と
共通電極１５とに形成される導電性部材１６を介して支
持されることになるが、この導電性部材１６は直径が約
５０μｍ、高さが数十μｍの金であり、荷重に対して弱
く、マイクロバンプボンディングの工程で半導体基板１
１が押圧されると変形し、その結果個別電極１４が被着
回路基板に接触して変形し、発光素子１２の発光特性が
バラついたり、個別電極１４の表面が擦れて外観不良に
なるという問題があった。
【０００７】またこのような導電性部材１６は通常電解
メッキによって形成されるが、電解メッキを行う場合、
各個別電極１４を共通に接続する配線が必要であると共
に、導電性部材１６を形成しない箇所にはマスクを形成
しなければならず、形成工程が極めて煩雑であるという
問題があった。
メッキによって形成されるが、電解メッキを行う場合、
各個別電極１４を共通に接続する配線が必要であると共
に、導電性部材１６を形成しない箇所にはマスクを形成
しなければならず、形成工程が極めて煩雑であるという
問題があった。
【０００８】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、ワイヤーボンディング法の生
産性の悪さを解消すると共に、発光素子や発光素子上の
電極が回路基板に擦れたりすることのない半導体発光装
置を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、ワイヤーボンディング法の生
産性の悪さを解消すると共に、発光素子や発光素子上の
電極が回路基板に擦れたりすることのない半導体発光装
置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体発光装置では、半導体基板の表
面に対向する複数の凸状部をこの半導体基板と一体に設
け、この複数の凸状部間に、この凸状部の高さより低い
島状の発光素子を設け、この発光素子の表面および半導
体基板の表面に絶縁膜を設けると共に、この絶縁膜の発
光素子の頂部および対向する一方の凸状部の頂部に透孔
を形成し、この発光素子の頂部から対向する他方の凸状
部の頂部にかけて個別電極を設けると共に、一方の凸状
部の頂部に共通電極を形成した。
に、本発明に係る半導体発光装置では、半導体基板の表
面に対向する複数の凸状部をこの半導体基板と一体に設
け、この複数の凸状部間に、この凸状部の高さより低い
島状の発光素子を設け、この発光素子の表面および半導
体基板の表面に絶縁膜を設けると共に、この絶縁膜の発
光素子の頂部および対向する一方の凸状部の頂部に透孔
を形成し、この発光素子の頂部から対向する他方の凸状
部の頂部にかけて個別電極を設けると共に、一方の凸状
部の頂部に共通電極を形成した。
【００１０】
【作用】上記のように構成すると、対向する凸状部上が
個別電極および共通電極の接続端子部となって被着回路
基板と接続できるようになり、半導体発光装置を被着回
路基板上に実装する際に、発光素子または発光素子上の
電極が被着回路基板に接触したり、擦れたりすることが
なく、発光素子の発光特性のバラツキが解消できる。ま
た対向する凸状部上が個別電極および共通電極の接続端
子部となって被着回路基板と接続できるようになり、半
導体発光装置の機械的強度が増すと共に、ワイヤーボン
ディングの煩雑さが解消できる。さらに個別電極および
共通電極における被着回路基板の配線との当接部に格別
な導電性部材を設ける必要がないことから、微細化にも
対応できる。
個別電極および共通電極の接続端子部となって被着回路
基板と接続できるようになり、半導体発光装置を被着回
路基板上に実装する際に、発光素子または発光素子上の
電極が被着回路基板に接触したり、擦れたりすることが
なく、発光素子の発光特性のバラツキが解消できる。ま
た対向する凸状部上が個別電極および共通電極の接続端
子部となって被着回路基板と接続できるようになり、半
導体発光装置の機械的強度が増すと共に、ワイヤーボン
ディングの煩雑さが解消できる。さらに個別電極および
共通電極における被着回路基板の配線との当接部に格別
な導電性部材を設ける必要がないことから、微細化にも
対応できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は本発明に係る半導体発光装置の一
実施例を示す断面図であり、図２は平面図である。図１
および図２において、１は半導体基板、２は発光素子、
３は絶縁膜、４は個別電極、５は共通電極である。
細に説明する。図１は本発明に係る半導体発光装置の一
実施例を示す断面図であり、図２は平面図である。図１
および図２において、１は半導体基板、２は発光素子、
３は絶縁膜、４は個別電極、５は共通電極である。
【００１２】半導体基板１は一導電側半導体不純物を含
有する単結晶シリコンなどから成る。この半導体基板１
上には、複数の対向する凸状部１ａ、１ｂが半導体基板
１と一体に形成されている。この凸状部１ａ、１ｂは後
に詳述するように、例えば凸状部１ａ、１ｂ以外の部分
をエッチング除去することにより、半導体基板１と一体
に形成される。この凸状部１ａ、１ｂは、発光素子２よ
りも５〜１０μｍ程度高くなるように形成される。
有する単結晶シリコンなどから成る。この半導体基板１
上には、複数の対向する凸状部１ａ、１ｂが半導体基板
１と一体に形成されている。この凸状部１ａ、１ｂは後
に詳述するように、例えば凸状部１ａ、１ｂ以外の部分
をエッチング除去することにより、半導体基板１と一体
に形成される。この凸状部１ａ、１ｂは、発光素子２よ
りも５〜１０μｍ程度高くなるように形成される。
【００１３】この凸状部１ａ、１ｂ間には、発光素子２
が複数列状に設けられる。この発光素子２は、一導電側
半導体不純物を含有する例えばガリウム砒素および／ま
たはアルミニウム・ガリウム砒素などの化合物半導体２
ａ、および他の導電型半導体不純物を含有する例えばア
ルミニウム・ガリウム砒素および／またはガリウム砒素
などの化合物半導体で構成される。この場合、発光素子
２は高さが例えば３〜８μｍに形成される。したがって
凸状部１ａ、１ｂは８〜１８μｍ程度に形成すればよ
い。なお絶縁膜３の厚みは、０．５μｍ程度であり、個
別電極４と共通電極５の厚みも０．５μｍ程度である。
したがって絶縁膜３を個別電極４または共通電極５を含
めた高さも発光素子２部分は凸状部１ａ、１ｂ部分より
も５〜１０μｍ程度低くなる。
が複数列状に設けられる。この発光素子２は、一導電側
半導体不純物を含有する例えばガリウム砒素および／ま
たはアルミニウム・ガリウム砒素などの化合物半導体２
ａ、および他の導電型半導体不純物を含有する例えばア
ルミニウム・ガリウム砒素および／またはガリウム砒素
などの化合物半導体で構成される。この場合、発光素子
２は高さが例えば３〜８μｍに形成される。したがって
凸状部１ａ、１ｂは８〜１８μｍ程度に形成すればよ
い。なお絶縁膜３の厚みは、０．５μｍ程度であり、個
別電極４と共通電極５の厚みも０．５μｍ程度である。
したがって絶縁膜３を個別電極４または共通電極５を含
めた高さも発光素子２部分は凸状部１ａ、１ｂ部分より
も５〜１０μｍ程度低くなる。
【００１４】発光素子２の表面および半導体基板１の表
面には、例えば窒化シリコン膜などから成る絶縁膜３が
形成される。この絶縁膜３の発光素子２の頂部と凸状部
１ｂの頂部には透孔３ａ、３ｂが形成されている。
面には、例えば窒化シリコン膜などから成る絶縁膜３が
形成される。この絶縁膜３の発光素子２の頂部と凸状部
１ｂの頂部には透孔３ａ、３ｂが形成されている。
【００１５】この透孔部３ａから一方の凸状部１ａにか
けて個別電極４が形成され、他方の凸状部１ｂの頂部に
共通電極５が形成されている。この個別電極４および共
通電極５は、金の一層構造のものやクロムと金の二層構
造のもので構成され、個別電極４と共通電極５がスパッ
タリング法や真空蒸着法で同時に同一厚みに形成されて
パターニングされる。したがって個別電極４および共通
電極５を含めた凸状部１ａ、１ｂの高さも、個別電極４
を含めた発光素子２の高さより高くなる。
けて個別電極４が形成され、他方の凸状部１ｂの頂部に
共通電極５が形成されている。この個別電極４および共
通電極５は、金の一層構造のものやクロムと金の二層構
造のもので構成され、個別電極４と共通電極５がスパッ
タリング法や真空蒸着法で同時に同一厚みに形成されて
パターニングされる。したがって個別電極４および共通
電極５を含めた凸状部１ａ、１ｂの高さも、個別電極４
を含めた発光素子２の高さより高くなる。
【００１６】このように構成された半導体発光装置を、
被着回路基板６に実装する。被着回路基板６は、例えば
透孔性ガラスなどで構成され、その一主面には例えばア
ルミニウムなどから成る個別電極配線７と共通電極配線
８が形成されている。半導体発光装置を被着回路基板６
に搭載する場合、半導体発光装置の個別電極４と共通電
極５の当接部分に亜鉛をコートして２００〜３００℃程
度の温度で合金化するか、日着回路基板６の配線７、８
の当接部分にチタン（Ｔｉ）をコートして２００〜３０
０℃程度の温度で合金化することにより実装すればよ
い。また被着回路基板６の配線７、８の当接部分に金バ
ンプ（導電性部材）を形成して、光硬化型または熱硬化
型樹脂の収縮力で当接させることにより接続してもよ
い。いずれの場合も、凸状部１ａ、１ｂは発光素子２よ
りも高いことから、発光素子２や個別電極４が被着回路
基板６に接触したり、擦れることはない。
被着回路基板６に実装する。被着回路基板６は、例えば
透孔性ガラスなどで構成され、その一主面には例えばア
ルミニウムなどから成る個別電極配線７と共通電極配線
８が形成されている。半導体発光装置を被着回路基板６
に搭載する場合、半導体発光装置の個別電極４と共通電
極５の当接部分に亜鉛をコートして２００〜３００℃程
度の温度で合金化するか、日着回路基板６の配線７、８
の当接部分にチタン（Ｔｉ）をコートして２００〜３０
０℃程度の温度で合金化することにより実装すればよ
い。また被着回路基板６の配線７、８の当接部分に金バ
ンプ（導電性部材）を形成して、光硬化型または熱硬化
型樹脂の収縮力で当接させることにより接続してもよ
い。いずれの場合も、凸状部１ａ、１ｂは発光素子２よ
りも高いことから、発光素子２や個別電極４が被着回路
基板６に接触したり、擦れることはない。
【００１７】個別電極４から共通電極５に向けて電流を
流すと、発光素子２の半導体接合部で発光し、発光した
光が発光素子２の被着回路基板６側に取り出され、被着
回路基板６を透過して、例えばページプリンタの感光用
ドラム（不図示）に照射される。
流すと、発光素子２の半導体接合部で発光し、発光した
光が発光素子２の被着回路基板６側に取り出され、被着
回路基板６を透過して、例えばページプリンタの感光用
ドラム（不図示）に照射される。
【００１８】次に、本発明に係る半導体発光装置の製造
方法を図３および図４に基づいて説明する。まず図３
（ａ）に示すように、一導電型半導体不純物、例えばｎ
型半導体不純物を含有する半導体基板１に酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）膜１ｃを形成する。半導体基板１を単結晶
シリコンで構成する場合、この酸化シリコン膜１ｃは例
えば熱酸化法で形成することができる。
方法を図３および図４に基づいて説明する。まず図３
（ａ）に示すように、一導電型半導体不純物、例えばｎ
型半導体不純物を含有する半導体基板１に酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）膜１ｃを形成する。半導体基板１を単結晶
シリコンで構成する場合、この酸化シリコン膜１ｃは例
えば熱酸化法で形成することができる。
【００１９】次に同図（ｂ）に示すように、半導体基板
１の凸状部１ａ、１ｂの形成箇所のみに酸化シリコン膜
１ｃを残し、他の酸化シリコン膜１ｃをエッチング除去
する次に同図（ｃ）に示すように、例えばフッ酸（Ｈ
Ｆ）および硝酸（ＨＮＯ3 ）を用いて酸化シリコン膜１
ｃが残っている箇所以外の半導体基板１をエッチングす
る。この段階で凸状部１ａ、１ｂが形成される。
１の凸状部１ａ、１ｂの形成箇所のみに酸化シリコン膜
１ｃを残し、他の酸化シリコン膜１ｃをエッチング除去
する次に同図（ｃ）に示すように、例えばフッ酸（Ｈ
Ｆ）および硝酸（ＨＮＯ3 ）を用いて酸化シリコン膜１
ｃが残っている箇所以外の半導体基板１をエッチングす
る。この段階で凸状部１ａ、１ｂが形成される。
【００２０】次に同図（ｄ）に示すように、半導体基板
１の露出部分に、一導電型半導体不純物を含有するガリ
ウム砒素層および／またはアルミニウム・ガリウム砒素
層２ａを１．５〜４μｍの厚みに形成し、他の導電型半
導体不純物、例えばｐ型半導体不純物を含有するガリウ
ム砒素層および／またはアルミニウム・ガリウム砒素層
２ｂを１．５〜４μｍの厚みに形成する。このガリウム
砒素層および／またはアルミニウム・ガリウム砒素層２
ａ、２ｂは、例えばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成
長）法などで形成される。
１の露出部分に、一導電型半導体不純物を含有するガリ
ウム砒素層および／またはアルミニウム・ガリウム砒素
層２ａを１．５〜４μｍの厚みに形成し、他の導電型半
導体不純物、例えばｐ型半導体不純物を含有するガリウ
ム砒素層および／またはアルミニウム・ガリウム砒素層
２ｂを１．５〜４μｍの厚みに形成する。このガリウム
砒素層および／またはアルミニウム・ガリウム砒素層２
ａ、２ｂは、例えばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成
長）法などで形成される。
【００２１】次に同図（ｅ）に示すように、ガリウム砒
素層および／またはアルミニウム・ガリウム砒素層２
ａ、２ｂを硫酸、過酸化水素、およびＫＯＨなどを水に
溶解させたエッチング液を用いてメサエッチングし、発
光素子２を形成する。
素層および／またはアルミニウム・ガリウム砒素層２
ａ、２ｂを硫酸、過酸化水素、およびＫＯＨなどを水に
溶解させたエッチング液を用いてメサエッチングし、発
光素子２を形成する。
【００２２】次に同図（ｆ）に示すように、発光素子２
および半導体基板１の表面に窒化シリコン（ＳｉＮx ）
などから成る絶縁膜３を形成する。この絶縁膜３は、例
えばプラズマＣＶＤ法などで厚み０．５μｍ程度に形成
される。
および半導体基板１の表面に窒化シリコン（ＳｉＮx ）
などから成る絶縁膜３を形成する。この絶縁膜３は、例
えばプラズマＣＶＤ法などで厚み０．５μｍ程度に形成
される。
【００２３】次に図４（ａ）に示すように、発光素子２
の頂部と一方の凸状部１ｂの頂部の絶縁膜３に透孔３
ａ、３ｂを形成する。この透孔３ａ、３ｂもフォトレジ
ストを用いてエッチングすることにより形成される。
の頂部と一方の凸状部１ｂの頂部の絶縁膜３に透孔３
ａ、３ｂを形成する。この透孔３ａ、３ｂもフォトレジ
ストを用いてエッチングすることにより形成される。
【００２４】次に同図（ｂ）に示すように、発光素子２
の頂部の透孔３ａから一方の凸状部１ａの頂部にかけて
個別電極４を形成すると共に、他方の凸状部１ｂの頂部
の透孔３ｂ部分に共通電極５を形成する。この個別電極
４および共通電極５は、金の一層構造のもの、またはク
ロムと金の二層構造のものなどで構成され、スパッタリ
ング法や真空蒸着法で形成される。この場合、半導体基
板１がシリコンで共通電極５との接合部分にｎ型半導体
不純物を１×１０18／ｃｍ3 程度含有し、ガリウム砒素
層および／またはアルミニウムガリウム砒素層２ｂが個
別電極４との接合部分にｐ型半導体不純物を１×１０19
／ｃｍ3 程度含有していれば、充分にオーミックコンタ
クトをとることができる。
の頂部の透孔３ａから一方の凸状部１ａの頂部にかけて
個別電極４を形成すると共に、他方の凸状部１ｂの頂部
の透孔３ｂ部分に共通電極５を形成する。この個別電極
４および共通電極５は、金の一層構造のもの、またはク
ロムと金の二層構造のものなどで構成され、スパッタリ
ング法や真空蒸着法で形成される。この場合、半導体基
板１がシリコンで共通電極５との接合部分にｎ型半導体
不純物を１×１０18／ｃｍ3 程度含有し、ガリウム砒素
層および／またはアルミニウムガリウム砒素層２ｂが個
別電極４との接合部分にｐ型半導体不純物を１×１０19
／ｃｍ3 程度含有していれば、充分にオーミックコンタ
クトをとることができる。
【００２５】次に図１に示すように、透光性ガラスなど
から成る被着回路基板８に実装する。この場合、多少加
圧、加熱しても発光素子２部分が損傷することはない。
から成る被着回路基板８に実装する。この場合、多少加
圧、加熱しても発光素子２部分が損傷することはない。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
装置によれば、半導体基板の表面に対向する複数の凸状
部をこの半導体基板と一体に設け、この複数の凸状部間
に、この凸状部の高さより低い島状の発光素子を設け、
この発光素子の表面および半導体基板の表面に絶縁膜を
設けると共に、この絶縁膜の発光素子の頂部および対向
する一方の凸状部の頂部に透孔を形成し、この発光素子
の頂部から対向する他方の凸状部の頂部にかけて個別電
極を設けると共に、一方の凸状部の頂部に共通電極を形
成したことから、対向する凸状部上が個別電極および共
通電極の接続端子部となって被着回路基板と接続できる
ようになり、半導体発光装置を被着回路基板上に実装す
る際に、発光素子または発光素子上の電極が被着回路基
板に接触したり、擦れたりすることがなく、発光素子の
発光特性のバラツキが解消できる。また対向する凸状部
上が個別電極および共通電極の接続端子部となって被着
回路基板と接続できるようになり、半導体発光装置の機
械的強度が増すと共に、ワイヤーボンディングの煩雑さ
が解消できる。さらに個別電極および共通電極における
被着回路基板の配線との当接部に格別な導電性部材を設
ける必要がないことから、微細化にも対応できる。
装置によれば、半導体基板の表面に対向する複数の凸状
部をこの半導体基板と一体に設け、この複数の凸状部間
に、この凸状部の高さより低い島状の発光素子を設け、
この発光素子の表面および半導体基板の表面に絶縁膜を
設けると共に、この絶縁膜の発光素子の頂部および対向
する一方の凸状部の頂部に透孔を形成し、この発光素子
の頂部から対向する他方の凸状部の頂部にかけて個別電
極を設けると共に、一方の凸状部の頂部に共通電極を形
成したことから、対向する凸状部上が個別電極および共
通電極の接続端子部となって被着回路基板と接続できる
ようになり、半導体発光装置を被着回路基板上に実装す
る際に、発光素子または発光素子上の電極が被着回路基
板に接触したり、擦れたりすることがなく、発光素子の
発光特性のバラツキが解消できる。また対向する凸状部
上が個別電極および共通電極の接続端子部となって被着
回路基板と接続できるようになり、半導体発光装置の機
械的強度が増すと共に、ワイヤーボンディングの煩雑さ
が解消できる。さらに個別電極および共通電極における
被着回路基板の配線との当接部に格別な導電性部材を設
ける必要がないことから、微細化にも対応できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係る半導体発光装置の一実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明に係る半導体発光装置の製造工程の一部
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明に係る半導体発光装置の製造工程の一部
を示す図である。
を示す図である。
【図５】従来の半導体発光装置を示す図である。
【図６】従来の他の半導体発光装置を示す図である。
１・・・半導体基板、１ａ、１ｂ・・・凸状部、２・・
・発光素子、３・・・絶縁膜、４・・・個別電極、５・
・・共通電極
・発光素子、３・・・絶縁膜、４・・・個別電極、５・
・・共通電極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に対向する複数の凸状
部をこの半導体基板と一体に設け、この複数の凸状部間
に、この凸状部の高さより低い島状の発光素子を設け、
この発光素子の表面および半導体基板の表面に絶縁膜を
設けると共に、この絶縁膜の発光素子の頂部および対向
する一方の凸状部の頂部に透孔を形成し、この発光素子
の頂部から対向する他方の凸状部の頂部にかけて個別電
極を設けると共に、一方の凸状部の頂部に共通電極を形
成した半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記半導体基板と発光素子が異種の半導
体から成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体発
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14607894A JP3214980B2 (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14607894A JP3214980B2 (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818103A JPH0818103A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3214980B2 true JP3214980B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=15399620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14607894A Expired - Fee Related JP3214980B2 (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214980B2 (ja) |
-
1994
- 1994-06-28 JP JP14607894A patent/JP3214980B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0818103A (ja) | 1996-01-19 |
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