JP3209152B2 - 半導体圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
及びその製造方法に関するものである。
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１５は、従来例に係る半導体圧力セン
サを示す略断面図である。１は半導体圧力センサチップ
であり、単結晶シリコン基板の略中央部が薄肉状に形成
されてダイヤフラム１ａが形成され、ダイヤフラム１ａ
の一面側には圧力変化に応じて抵抗値が変化する歪みゲ
−ジ（図示せず）が形成されている。
サを示す略断面図である。１は半導体圧力センサチップ
であり、単結晶シリコン基板の略中央部が薄肉状に形成
されてダイヤフラム１ａが形成され、ダイヤフラム１ａ
の一面側には圧力変化に応じて抵抗値が変化する歪みゲ
−ジ（図示せず）が形成されている。
【０００３】２はガラス台座であり、略中央にはダイヤ
フラム１ａに連通する貫通孔２ａが形成され、一方の面
は半導体圧力センサチップ１と陽極接合法等により接合
され、他方の面には金属膜３が形成されている。
フラム１ａに連通する貫通孔２ａが形成され、一方の面
は半導体圧力センサチップ１と陽極接合法等により接合
され、他方の面には金属膜３が形成されている。
【０００４】１７はパッケ−ジであり、リ−ド１８が一
体成型され、半導体圧力センサチップ１を収納するため
の凹部１７ａを有し、凹部１７ａの底面には略中央に圧
力導入孔４ａを有する金属部材としての金属パイプ４が
パッケ−ジ１７と一体成型されている。そして、金属パ
イプ４の凹部１７ａの底面に露出している部分はガラス
台座２に接合された半導体圧力センサチップ１をダイボ
ンディングするために平坦に形成されている。
体成型され、半導体圧力センサチップ１を収納するため
の凹部１７ａを有し、凹部１７ａの底面には略中央に圧
力導入孔４ａを有する金属部材としての金属パイプ４が
パッケ−ジ１７と一体成型されている。そして、金属パ
イプ４の凹部１７ａの底面に露出している部分はガラス
台座２に接合された半導体圧力センサチップ１をダイボ
ンディングするために平坦に形成されている。
【０００５】この半導体圧力センサは、パッケ−ジ１７
の凹部１７ａ底面に露出した金属パイプ４上に、半導体
圧力センサチップ１が接合されたガラス台座２を半田５
（錫，錫−アンチモン合金，鉛，錫−鉛合金，金−シリ
コン合金，錫−銀合金等）によりダイボンディングす
る。このとき、圧力導入孔４ａは貫通孔２ａを介してダ
イヤフラム１ａに連通するように配置されている。そし
て、半導体圧力センサチップ１の電極（図示せず）とリ
−ド１８とはワイヤ１９によりワイヤボンディングさ
れ、半導体圧力センサチップ１のガラス台座２との接合
面と異なる面側はシリコン樹脂２０等が塗布されてお
り、パッケ−ジ１７の凹部１７ａ開口端は蓋体２１によ
り塞がれている。
の凹部１７ａ底面に露出した金属パイプ４上に、半導体
圧力センサチップ１が接合されたガラス台座２を半田５
（錫，錫−アンチモン合金，鉛，錫−鉛合金，金−シリ
コン合金，錫−銀合金等）によりダイボンディングす
る。このとき、圧力導入孔４ａは貫通孔２ａを介してダ
イヤフラム１ａに連通するように配置されている。そし
て、半導体圧力センサチップ１の電極（図示せず）とリ
−ド１８とはワイヤ１９によりワイヤボンディングさ
れ、半導体圧力センサチップ１のガラス台座２との接合
面と異なる面側はシリコン樹脂２０等が塗布されてお
り、パッケ−ジ１７の凹部１７ａ開口端は蓋体２１によ
り塞がれている。
【０００６】また、従来例に係る半導体圧力センサの異
なる例を示す。図１６は、従来例に係る半導体圧力セン
サを示す略断面図である。なお、図１５に示す半導体圧
力センサと同一個所には同一符号を付して説明を省略す
る。半導体圧力センサチップ１がガラス台座２を介して
ダイボンディングされた金属パイプ４が、プラスチック
や金属等から成る平板状のボ−ド２２の略中央に設けら
れた貫通孔に挿通され、金属パイプ４の端部においてボ
−ド２２とホウケイ酸ガラス２３等により接合されてい
る。また、ボ−ド２２にはピン２４が挿通されており、
ピン２４はホウケイ酸ガラス２３等によりボ−ド２２に
接合されている。
なる例を示す。図１６は、従来例に係る半導体圧力セン
サを示す略断面図である。なお、図１５に示す半導体圧
力センサと同一個所には同一符号を付して説明を省略す
る。半導体圧力センサチップ１がガラス台座２を介して
ダイボンディングされた金属パイプ４が、プラスチック
や金属等から成る平板状のボ−ド２２の略中央に設けら
れた貫通孔に挿通され、金属パイプ４の端部においてボ
−ド２２とホウケイ酸ガラス２３等により接合されてい
る。また、ボ−ド２２にはピン２４が挿通されており、
ピン２４はホウケイ酸ガラス２３等によりボ−ド２２に
接合されている。
【０００７】ピン２４と半導体圧力センサチップ１の電
極（図示せず）とはワイヤ１９によりワイヤボンディン
グされ、半導体圧力センサチップ１のガラス台座２との
接合面と異なる面側はシリコン樹脂２０等が塗布されて
いる。
極（図示せず）とはワイヤ１９によりワイヤボンディン
グされ、半導体圧力センサチップ１のガラス台座２との
接合面と異なる面側はシリコン樹脂２０等が塗布されて
いる。
【０００８】そして、ボ−ド２２の半導体圧力センサチ
ップ１がダイボンディングされた面側はキャップ２５で
覆われ、キャップ２５とボ−ド２２とは溶接等により接
合されている。
ップ１がダイボンディングされた面側はキャップ２５で
覆われ、キャップ２５とボ−ド２２とは溶接等により接
合されている。
【０００９】なお、図１５，図１６に示す金属膜３とし
ては、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ膜，Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕ膜等があり、半田５はＡｕの表面に塗られ
る。
ては、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ膜，Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕ膜等があり、半田５はＡｕの表面に塗られ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な半導体圧力センサにおいては、図１７に示すように、
ガラス台座２と金属パイプ４とをダイボンディングする
際に、接合位置ずれが発生した場合、半田５に引っ張り
応力２６が加わり、ガラス台座２の開口端近傍にクラッ
ク２７が生じ、半導体圧力センサチップ１が破壊される
という問題があった。
な半導体圧力センサにおいては、図１７に示すように、
ガラス台座２と金属パイプ４とをダイボンディングする
際に、接合位置ずれが発生した場合、半田５に引っ張り
応力２６が加わり、ガラス台座２の開口端近傍にクラッ
ク２７が生じ、半導体圧力センサチップ１が破壊される
という問題があった。
【００１１】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、ガラス台座と金属部
材とのダイボンディングの際に、位置ずれが生じた場合
にもガラス台座にクラックが生じることのない半導体圧
力センサ及びその製造方法を提供することにある。
であり、その目的とするところは、ガラス台座と金属部
材とのダイボンディングの際に、位置ずれが生じた場合
にもガラス台座にクラックが生じることのない半導体圧
力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体基板の一部を薄肉状にしてダイヤフラムを形成
し、該ダイヤフラムの一面に歪みゲ−ジが形成された半
導体圧力センサチップと、前記ダイヤフラムに連通する
貫通孔を有し、前記半導体圧力センサチップに接合され
たガラス台座と、前記貫通孔に連通する圧力導入孔を有
する金属部材とから成り、前記ガラス台座の前記半導体
圧力センサチップとの接合面と異なる面側には金属膜が
設けられ、前記金属膜と前記金属部材とが半田により接
合されて成る半導体圧力センサにおいて、前記ガラス台
座の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に、
前記貫通孔を囲むように粗面化された前記ガラス台座を
露出させることにより、前記ガラス台座の金属膜が設け
られた面側の前記貫通孔近傍に前記半田が付着しない構
成としたことを特徴とするものである。
半導体基板の一部を薄肉状にしてダイヤフラムを形成
し、該ダイヤフラムの一面に歪みゲ−ジが形成された半
導体圧力センサチップと、前記ダイヤフラムに連通する
貫通孔を有し、前記半導体圧力センサチップに接合され
たガラス台座と、前記貫通孔に連通する圧力導入孔を有
する金属部材とから成り、前記ガラス台座の前記半導体
圧力センサチップとの接合面と異なる面側には金属膜が
設けられ、前記金属膜と前記金属部材とが半田により接
合されて成る半導体圧力センサにおいて、前記ガラス台
座の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に、
前記貫通孔を囲むように粗面化された前記ガラス台座を
露出させることにより、前記ガラス台座の金属膜が設け
られた面側の前記貫通孔近傍に前記半田が付着しない構
成としたことを特徴とするものである。
【００１３】請求項２記載の発明は、半導体基板の一部
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍に、前記貫通孔を囲むよ
うに表面に酸化膜が形成されたＮｉ層を露出させること
により、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側の前
記貫通孔近傍に前記半田が付着しない構成としたことを
特徴とするものである。
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍に、前記貫通孔を囲むよ
うに表面に酸化膜が形成されたＮｉ層を露出させること
により、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側の前
記貫通孔近傍に前記半田が付着しない構成としたことを
特徴とするものである。
【００１４】請求項３記載の発明は、半導体基板の一部
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜上に、前記
貫通孔を囲むように耐熱性を有する樹脂を設けることに
より、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側の前記
貫通孔近 傍に前記半田が付着しない構成としたことを特
徴とするものである。
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜上に、前記
貫通孔を囲むように耐熱性を有する樹脂を設けることに
より、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側の前記
貫通孔近 傍に前記半田が付着しない構成としたことを特
徴とするものである。
【００１５】請求項４記載の発明は、半導体基板の一部
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜上に、前記
貫通孔を囲むようにアルミニウム層を設けることによ
り、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍に前記半田が付着しない構成としたことを特徴
とするものである。
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜上に、前記
貫通孔を囲むようにアルミニウム層を設けることによ
り、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍に前記半田が付着しない構成としたことを特徴
とするものである。
【００１６】請求項５記載の発明は、半導体基板の一部
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜に、前記貫
通孔を囲むように溝部を設けることにより、前記ガラス
台座の金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前記
半田が付着しない構成としたことを特徴とするものであ
る。
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜に、前記貫
通孔を囲むように溝部を設けることにより、前記ガラス
台座の金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前記
半田が付着しない構成としたことを特徴とするものであ
る。
【００１７】請求項６記載の発明は、半導体基板の一部
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側 には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍に前記貫通孔を囲むよう
に凸部を設け、前記ガラス台座の前記凸部が設けられた
面側の前記凸部上面を除いた箇所に前記金属膜を設ける
ことにより、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側
の前記貫通孔近傍に前記半田が付着しない構成としたこ
とを特徴とするものである。
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側 には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍に前記貫通孔を囲むよう
に凸部を設け、前記ガラス台座の前記凸部が設けられた
面側の前記凸部上面を除いた箇所に前記金属膜を設ける
ことにより、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側
の前記貫通孔近傍に前記半田が付着しない構成としたこ
とを特徴とするものである。
【００１８】請求項７記載の発明は、半導体基板の一部
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍に、前記貫通孔を囲むよ
うに鏡面化された前記ガラス台座を露出させることによ
り、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍に前記半田が付着しない構成としたことを特徴
とするものである。
を薄肉状にしてダイヤフラムを形成し、該ダイヤフラム
の一面に歪みゲ−ジが形成された半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに連通する貫通孔を有し、前記
半導体圧力センサチップに接合されたガラス台座と、前
記貫通孔に連通する圧力導入孔を有する金属部材とから
成り、前記ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと
の接合面と異なる面側には金属膜が設けられ、前記金属
膜と前記金属部材とが半田により接合されて成る半導体
圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設
けられた面側の前記貫通孔近傍に、前記貫通孔を囲むよ
うに鏡面化された前記ガラス台座を露出させることによ
り、前記ガラス台座の金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍に前記半田が付着しない構成としたことを特徴
とするものである。
【００１９】請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求
項７記載の半導体圧力センサにおいて、前記圧力導入孔
の口径を、前記貫通孔の口径よりも大きくしたことを特
徴とする
項７記載の半導体圧力センサにおいて、前記圧力導入孔
の口径を、前記貫通孔の口径よりも大きくしたことを特
徴とする
【００２０】請求項９記載の発明は、請求項１記載の半
導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座の
前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に、前記
貫通孔を囲むように粗面化された前記ガラス台座を露出
させる方法として、前記ガラス台座の一方の面を粗面化
し、粗面化された前記ガラス台座の表面に前記金属膜を
形成し、前記ガラス台座の前記貫通孔及びその近傍以外
をマスクして、前記金属膜をエッチングにより除去する
ようにしたことを特徴とするものである。
導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座の
前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に、前記
貫通孔を囲むように粗面化された前記ガラス台座を露出
させる方法として、前記ガラス台座の一方の面を粗面化
し、粗面化された前記ガラス台座の表面に前記金属膜を
形成し、前記ガラス台座の前記貫通孔及びその近傍以外
をマスクして、前記金属膜をエッチングにより除去する
ようにしたことを特徴とするものである。
【００２１】請求項１０記載の発明は、請求項２記載の
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に、前
記貫通孔を囲むように表面に酸化膜が形成されたＮｉ層
を露出させる方法として、前記金属膜をＮｉ層を含む複
数の金属層で構成し、前記貫通孔近傍の前記金属膜を、
前記Ｎｉ層が露出するまでエッチングを行い、高温雰囲
気中で酸化させることにより前記Ｎｉ層表面に薄い酸化
膜を形成するようにしたことを特徴とするものである。
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に、前
記貫通孔を囲むように表面に酸化膜が形成されたＮｉ層
を露出させる方法として、前記金属膜をＮｉ層を含む複
数の金属層で構成し、前記貫通孔近傍の前記金属膜を、
前記Ｎｉ層が露出するまでエッチングを行い、高温雰囲
気中で酸化させることにより前記Ｎｉ層表面に薄い酸化
膜を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００２２】請求項１１記載の発明は、請求項３記載の
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜上に、前記貫通孔を囲むように耐熱性を有する樹
脂を設ける方法として、前記貫通孔を囲むように開口部
を有するマスクを用いて、前記開口部を充填するように
液状の耐熱性を有する樹脂を塗布し、前記マスクを除去
するようにしたことを特徴とするものである。
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜上に、前記貫通孔を囲むように耐熱性を有する樹
脂を設ける方法として、前記貫通孔を囲むように開口部
を有するマスクを用いて、前記開口部を充填するように
液状の耐熱性を有する樹脂を塗布し、前記マスクを除去
するようにしたことを特徴とするものである。
【００２３】請求項１２記載の発明は、請求項４記載の
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜上に、前記貫通孔を囲むようにアルミニウム層を
設ける方法として、前記貫通孔を囲むように開口部を有
するマスクを用いてスパッタリングまたは蒸着によりア
ルミニウム層を形成し、前記マスクを除去するようにし
たことを特徴とするものである。
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜上に、前記貫通孔を囲むようにアルミニウム層を
設ける方法として、前記貫通孔を囲むように開口部を有
するマスクを用いてスパッタリングまたは蒸着によりア
ルミニウム層を形成し、前記マスクを除去するようにし
たことを特徴とするものである。
【００２４】請求項１３記載の発明は、請求項５記載の
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜に、前記貫通孔を囲むように溝部を設ける方法と
して、円筒形の切削刃を前記金属膜に押し付けることに
より前記溝部を形成するようにしたことを特徴とするも
のである。
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜に、前記貫通孔を囲むように溝部を設ける方法と
して、円筒形の切削刃を前記金属膜に押し付けることに
より前記溝部を形成するようにしたことを特徴とするも
のである。
【００２５】請求項１４記載の発明は、請求項５記載の
半導体圧力センサの製造方法であっ て、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜に、前記貫通孔を囲むように溝部を設ける方法と
して、ドリルで前記貫通孔の周囲の前記金属膜を削るこ
とにより前記溝部を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
半導体圧力センサの製造方法であっ て、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜に、前記貫通孔を囲むように溝部を設ける方法と
して、ドリルで前記貫通孔の周囲の前記金属膜を削るこ
とにより前記溝部を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
【００２６】請求項１５記載の発明は、請求項５記載の
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜に、前記貫通孔を囲むように溝部を設ける方法と
して、レーザー光を用いて前記貫通孔近傍の前記金属膜
を溶解させることにより前記溝部を形成するようにした
ことを特徴とするものである。
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍の前記
金属膜に、前記貫通孔を囲むように溝部を設ける方法と
して、レーザー光を用いて前記貫通孔近傍の前記金属膜
を溶解させることにより前記溝部を形成するようにした
ことを特徴とするものである。
【００２７】請求項１６記載の発明は、請求項６記載の
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前記
貫通孔を囲むように凸部を設け、前記ガラス台座の前記
凸部が設けられた面側の前記凸部上面を除いた箇所に前
記金属膜を設ける方法として、前記ガラス台座の一方の
面側の前記貫通孔近傍以外の箇所を切削して前記貫通孔
近傍に前記凸部を形成し、前記ガラス台座の前記凸部が
形成された面側に前記金属膜を形成し、前記凸部が露出
するまで研磨するようにしたことを特徴とするものであ
る。
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前記
貫通孔を囲むように凸部を設け、前記ガラス台座の前記
凸部が設けられた面側の前記凸部上面を除いた箇所に前
記金属膜を設ける方法として、前記ガラス台座の一方の
面側の前記貫通孔近傍以外の箇所を切削して前記貫通孔
近傍に前記凸部を形成し、前記ガラス台座の前記凸部が
形成された面側に前記金属膜を形成し、前記凸部が露出
するまで研磨するようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００２８】請求項１７記載の発明は、請求項７記載の
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍を、前
記貫通孔を囲むように鏡面化された前記ガラス台座を露
出させる方法として、前記貫通孔及びその近傍をマスク
して前記ガラス台座の一方の面側を粗面化し、マスクを
除去した後、前記ガラス台座の粗面化した面側に前記金
属膜を形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。
半導体圧力センサの製造方法であって、前記ガラス台座
の前記金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍を、前
記貫通孔を囲むように鏡面化された前記ガラス台座を露
出させる方法として、前記貫通孔及びその近傍をマスク
して前記ガラス台座の一方の面側を粗面化し、マスクを
除去した後、前記ガラス台座の粗面化した面側に前記金
属膜を形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００２９】
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づき説明する。なお、従来例として図１５，図
１６に示す構成と同一の構成については同一符号を付し
て説明を省略する。
図面に基づき説明する。なお、従来例として図１５，図
１６に示す構成と同一の構成については同一符号を付し
て説明を省略する。
【００３１】＝実施形態１＝ 図１は、本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサの
一部を示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧
力センサは、従来例として図１５，１６に示す半導体圧
力センサにおいて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の金
属膜３を除去して、粗面化されたガラス台座２を露出さ
せた構成である。
一部を示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧
力センサは、従来例として図１５，１６に示す半導体圧
力センサにおいて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の金
属膜３を除去して、粗面化されたガラス台座２を露出さ
せた構成である。
【００３２】なお、本実施形態においては、ガラス台座
２の一方の面に形成された金属膜３として、ガラス台座
２表面（以下においてこの層を最上層という）にチタン
（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），パラジウム（Ｐｄ），ニッ
ケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ），タングステン（Ｗ）の内
のいずれか１つの層を形成し、その上（以下においてこ
の層を中間層という）にＮｉ層を形成し、Ｎｉ層上（以
下においてこの層を最下層という）に金（Ａｕ）層を形
成して構成しているが、これに限定される必要はなく、
半田５が付着する金属膜３であればよい。
２の一方の面に形成された金属膜３として、ガラス台座
２表面（以下においてこの層を最上層という）にチタン
（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），パラジウム（Ｐｄ），ニッ
ケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ），タングステン（Ｗ）の内
のいずれか１つの層を形成し、その上（以下においてこ
の層を中間層という）にＮｉ層を形成し、Ｎｉ層上（以
下においてこの層を最下層という）に金（Ａｕ）層を形
成して構成しているが、これに限定される必要はなく、
半田５が付着する金属膜３であればよい。
【００３３】以下、ガラス台座２の一方の面への金属膜
３の形成方法について図面に基づき説明する。図２は、
本実施形態に係るガラス台座２の一方の面への金属膜３
の形成工程を示す略断面図である。先ず、ガラス台座２
の一方の面を、目の粗い砥石でポリッシング（研磨）
し、又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きかけて粗
面化し、金属膜３が付着しやすいようにする（図２
（ａ））。
３の形成方法について図面に基づき説明する。図２は、
本実施形態に係るガラス台座２の一方の面への金属膜３
の形成工程を示す略断面図である。先ず、ガラス台座２
の一方の面を、目の粗い砥石でポリッシング（研磨）
し、又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きかけて粗
面化し、金属膜３が付着しやすいようにする（図２
（ａ））。
【００３４】続いて、スパッタリング法を用いて金属膜
３を形成する（図２（ｂ））。ここで、ガラス台座２の
貫通孔２ａの内壁に金属膜３が形成されないようにする
方法としては、予め貫通孔２ａにワックスを埋め込み、
金属膜３を形成した後、加熱してワックスを溶かして除
去する方法や、マスクをして貫通孔２ａの部分を遮蔽す
る方法等がある。
３を形成する（図２（ｂ））。ここで、ガラス台座２の
貫通孔２ａの内壁に金属膜３が形成されないようにする
方法としては、予め貫通孔２ａにワックスを埋め込み、
金属膜３を形成した後、加熱してワックスを溶かして除
去する方法や、マスクをして貫通孔２ａの部分を遮蔽す
る方法等がある。
【００３５】最後に、フォトリソグラフィ技術を用いて
レジストをガラス台座２の貫通孔２ａ近傍以外の個所に
塗布し、前記レジストをマスクとして金属膜３をウエッ
トエッチングにより除去し、プラズマアッシング等によ
りレジストを除去する（図２（ｃ））。
レジストをガラス台座２の貫通孔２ａ近傍以外の個所に
塗布し、前記レジストをマスクとして金属膜３をウエッ
トエッチングにより除去し、プラズマアッシング等によ
りレジストを除去する（図２（ｃ））。
【００３６】従って、本実施形態においては、ガラス台
座２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３を除去して、ガラス台
座２という半田が付着し難いガラス製の部材を、貫通孔
２ａ近傍に露出させて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍
に金属膜３を形成しないようにしたので、貫通孔２ａの
近傍に半田５が付着しにくく、外部から熱的ストレスや
機械的ストレスが加わっても貫通孔２ａの近傍に引っ張
り応力が生じることがなく、クラックの発生を防止する
ことができる。
座２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３を除去して、ガラス台
座２という半田が付着し難いガラス製の部材を、貫通孔
２ａ近傍に露出させて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍
に金属膜３を形成しないようにしたので、貫通孔２ａの
近傍に半田５が付着しにくく、外部から熱的ストレスや
機械的ストレスが加わっても貫通孔２ａの近傍に引っ張
り応力が生じることがなく、クラックの発生を防止する
ことができる。
【００３７】＝実施形態２＝ 図３は、本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の一部を示す略断面図である。本実施形態に係る半導体
圧力センサは、従来例として図１５，図１６に示す半導
体圧力センサの金属膜３の構成を、最上層をＴｉ，Ｃ
ｒ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｗの内のいずれか１つの層（第
一の金属膜３ａ）で構成し、中間層をＮｉ層（第２の金
属膜３ｂ）で構成し、最下層をＡｕ層第３の金属膜３
ｃ）で構成し、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の第３の
金属膜３ｃを除去し、露出した第２の金属膜３ｂの表面
を酸化させた構成である。
の一部を示す略断面図である。本実施形態に係る半導体
圧力センサは、従来例として図１５，図１６に示す半導
体圧力センサの金属膜３の構成を、最上層をＴｉ，Ｃ
ｒ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｗの内のいずれか１つの層（第
一の金属膜３ａ）で構成し、中間層をＮｉ層（第２の金
属膜３ｂ）で構成し、最下層をＡｕ層第３の金属膜３
ｃ）で構成し、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の第３の
金属膜３ｃを除去し、露出した第２の金属膜３ｂの表面
を酸化させた構成である。
【００３８】以下、ガラス台座２の一方の面への金属膜
の形成方法について図面に基づき説明する。図４は、本
実施形態に係るガラス台座２の一方の面への第１〜第３
の金属膜３ａ〜３ｃの形成工程を示す略断面図である。
先ず、ガラス台座２の一方の面を、目の粗い砥石でポリ
ッシング（研磨）し、又は、サンドブラスト法により吐
粒を吹きかけて粗面化する（図４（ａ））。
の形成方法について図面に基づき説明する。図４は、本
実施形態に係るガラス台座２の一方の面への第１〜第３
の金属膜３ａ〜３ｃの形成工程を示す略断面図である。
先ず、ガラス台座２の一方の面を、目の粗い砥石でポリ
ッシング（研磨）し、又は、サンドブラスト法により吐
粒を吹きかけて粗面化する（図４（ａ））。
【００３９】続いて、スパッタリング法を用いて第１の
金属膜３ａ，第２の金属膜３ｂ，第３の金属膜３ｃの順
でガラス台座２の粗面化した面上に形成する（図４
（ｂ））。ここで、ガラス台座２の貫通孔２ａの内壁に
第１〜第３の金属膜３ａ〜３ｃが形成されないようにす
る方法としては、予め貫通孔２ａにワックスを埋め込
み、金属膜３を形成した後、加熱してワックスを溶かし
て除去する方法や、マスクをして貫通孔２ａの部分を遮
蔽する方法等がある。
金属膜３ａ，第２の金属膜３ｂ，第３の金属膜３ｃの順
でガラス台座２の粗面化した面上に形成する（図４
（ｂ））。ここで、ガラス台座２の貫通孔２ａの内壁に
第１〜第３の金属膜３ａ〜３ｃが形成されないようにす
る方法としては、予め貫通孔２ａにワックスを埋め込
み、金属膜３を形成した後、加熱してワックスを溶かし
て除去する方法や、マスクをして貫通孔２ａの部分を遮
蔽する方法等がある。
【００４０】次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストをガラス台座２の貫通孔２ａ近傍以外の個所に塗
布し、前記レジストをマスクとして第３の金属膜３ａを
ウエットエッチングにより除去してガラス台座２の貫通
孔２ａ近傍に第２の金属膜３ｂ（Ｎｉ層）を露出させ、
プラズマアッシング等によりレジストを除去する（図４
（ｃ））。なお、第３の金属膜３ｃ（Ａｕ層）のエッチ
ングは、王水またはシアン化ソーダと過酸化水素との混
合液で行うことができる。
ジストをガラス台座２の貫通孔２ａ近傍以外の個所に塗
布し、前記レジストをマスクとして第３の金属膜３ａを
ウエットエッチングにより除去してガラス台座２の貫通
孔２ａ近傍に第２の金属膜３ｂ（Ｎｉ層）を露出させ、
プラズマアッシング等によりレジストを除去する（図４
（ｃ））。なお、第３の金属膜３ｃ（Ａｕ層）のエッチ
ングは、王水またはシアン化ソーダと過酸化水素との混
合液で行うことができる。
【００４１】最後に、数百度の酸化炉（図示せず）の中
に投入して、露出した第２の金属膜３ｂの表面を酸化さ
せる。
に投入して、露出した第２の金属膜３ｂの表面を酸化さ
せる。
【００４２】従って、本実施形態においては、ガラス台
座２の貫通孔２ａ近傍の第２の金属膜３ｂを露出させ
て、その表面を酸化させるようにしたので、貫通孔２ａ
の近傍に半田５が付着しにくく、外部から熱的ストレス
や機械的ストレスが加わっても貫通孔２ａの近傍に引っ
張り応力が生じることがなく、クラックの発生を防止す
ることができる。
座２の貫通孔２ａ近傍の第２の金属膜３ｂを露出させ
て、その表面を酸化させるようにしたので、貫通孔２ａ
の近傍に半田５が付着しにくく、外部から熱的ストレス
や機械的ストレスが加わっても貫通孔２ａの近傍に引っ
張り応力が生じることがなく、クラックの発生を防止す
ることができる。
【００４３】＝実施形態３＝ 図５は、本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
を示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力セ
ンサは、従来例として図１５，図１６に示す半導体圧力
センサにおいて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の金属
膜３上に耐熱性を有する樹脂６を薄くコーティングした
構成である。この樹脂６としては、半田５の融点から考
えてテフロン（耐熱約２６０℃）やポリイミド（耐熱約
２２０℃）等が良い。
を示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力セ
ンサは、従来例として図１５，図１６に示す半導体圧力
センサにおいて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の金属
膜３上に耐熱性を有する樹脂６を薄くコーティングした
構成である。この樹脂６としては、半田５の融点から考
えてテフロン（耐熱約２６０℃）やポリイミド（耐熱約
２２０℃）等が良い。
【００４４】以下、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の金
属膜３上への樹脂６のコーティング方法について図面に
基づき説明する。図６は、本実施形態に係るガラス台座
２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上への樹脂６のコーティ
ング工程を示す略断面図である。先ず、ガラス台座２の
一方の面を、目の粗い砥石でポリッシング（研磨）し、
又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きかけて粗面化
し、スパッタリング法を用いて金属膜３をガラス台座２
の粗面化した面上に形成する（図６（ａ））。
属膜３上への樹脂６のコーティング方法について図面に
基づき説明する。図６は、本実施形態に係るガラス台座
２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上への樹脂６のコーティ
ング工程を示す略断面図である。先ず、ガラス台座２の
一方の面を、目の粗い砥石でポリッシング（研磨）し、
又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きかけて粗面化
し、スパッタリング法を用いて金属膜３をガラス台座２
の粗面化した面上に形成する（図６（ａ））。
【００４５】次に、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍に開
口部７ａを有して成るマスク（本実施形態においてはＳ
ＵＳ等のメタルマスクを用いた）７を用いてマスク７上
に耐熱性を有する液状の樹脂６を塗布し、スキージ（へ
ら）８を滑らせて開口部７ａに樹脂６を充填し（図６
（ｂ））、最後に、樹脂６を乾燥して硬化させ、マスク
７を除去する（図６（ｃ））。
口部７ａを有して成るマスク（本実施形態においてはＳ
ＵＳ等のメタルマスクを用いた）７を用いてマスク７上
に耐熱性を有する液状の樹脂６を塗布し、スキージ（へ
ら）８を滑らせて開口部７ａに樹脂６を充填し（図６
（ｂ））、最後に、樹脂６を乾燥して硬化させ、マスク
７を除去する（図６（ｃ））。
【００４６】従って、本実施形態においては、ガラス台
座２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上に樹脂６をコーティ
ングするようにしたので、貫通孔２ａの近傍に半田５が
付着しにくく、外部から熱的ストレスや機械的ストレス
が加わっても貫通孔２ａの近傍に引っ張り応力が生じる
ことがなく、クラックの発生を防止することができる。
座２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上に樹脂６をコーティ
ングするようにしたので、貫通孔２ａの近傍に半田５が
付着しにくく、外部から熱的ストレスや機械的ストレス
が加わっても貫通孔２ａの近傍に引っ張り応力が生じる
ことがなく、クラックの発生を防止することができる。
【００４７】＝実施形態４＝ 図７は、本発明の他の実施形態に係る圧力センサを示す
略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力センサ
は、実施形態３として図５に示す半導体圧力センサにお
いて、樹脂６の代わりにアルミニウム層９を設けた構成
である。ここで、金属膜３の構成としては、実施形態１
〜３と同様である。
略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力センサ
は、実施形態３として図５に示す半導体圧力センサにお
いて、樹脂６の代わりにアルミニウム層９を設けた構成
である。ここで、金属膜３の構成としては、実施形態１
〜３と同様である。
【００４８】以下、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の金
属膜３上へのアルミニウム層９の形成方法について図面
に基づき説明する。図８は、本実施形態に係るガラス台
座２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上へのアルミニウム層
９形成工程を示す略断面図である。先ず、ガラス台座２
の一方の面を、目の粗い砥石でポリッシング（研磨）
し、又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きかけて粗
面化し、スパッタリング法を用いて金属膜３をガラス台
座２の粗面化した面上に形成する（図８（ａ））。
属膜３上へのアルミニウム層９の形成方法について図面
に基づき説明する。図８は、本実施形態に係るガラス台
座２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上へのアルミニウム層
９形成工程を示す略断面図である。先ず、ガラス台座２
の一方の面を、目の粗い砥石でポリッシング（研磨）
し、又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きかけて粗
面化し、スパッタリング法を用いて金属膜３をガラス台
座２の粗面化した面上に形成する（図８（ａ））。
【００４９】次に、ガラス台座２の金属膜３を形成した
面側にレジスト１０を塗布し、フォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術を用いて貫通孔２ａ近傍のレジスト
１０を除去して開口部１０ａを形成し、開口部１０ａが
形成されたレジスト１０をマスクとしてスパッタリング
または蒸着によりアルミニウム層９を形成し、プラズマ
アッシング等によりレジスト１０を除去する。
面側にレジスト１０を塗布し、フォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術を用いて貫通孔２ａ近傍のレジスト
１０を除去して開口部１０ａを形成し、開口部１０ａが
形成されたレジスト１０をマスクとしてスパッタリング
または蒸着によりアルミニウム層９を形成し、プラズマ
アッシング等によりレジスト１０を除去する。
【００５０】ここで、金属への半田付け性であるが、
錫，銀，金，銅等は半田付け性がよいが、ステンレス，
ニクロム，アルミニウム，クロム，チタン等は半田付け
性が悪い。また、ニッケルも表面が酸化されると不動態
化して半田付け性が悪くなる。
錫，銀，金，銅等は半田付け性がよいが、ステンレス，
ニクロム，アルミニウム，クロム，チタン等は半田付け
性が悪い。また、ニッケルも表面が酸化されると不動態
化して半田付け性が悪くなる。
【００５１】従って、本実施形態においては、ガラス台
座２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上にアルミニウム層９
を形成するようにしたので、貫通孔２ａの近傍に半田５
が付着しにくく、外部から熱的ストレスや機械的ストレ
スが加わっても貫通孔２ａの近傍に引っ張り応力が生じ
ることがなく、クラックの発生を防止することができ
る。
座２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上にアルミニウム層９
を形成するようにしたので、貫通孔２ａの近傍に半田５
が付着しにくく、外部から熱的ストレスや機械的ストレ
スが加わっても貫通孔２ａの近傍に引っ張り応力が生じ
ることがなく、クラックの発生を防止することができ
る。
【００５２】なお、本実施形態においては、ガラス台座
２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上にアルミニウム層９を
形成するようにしたが、これに限定される必要はなく、
半田付け性が悪い材料、例えばステンレス，ニクロム，
アルミニウム，クロム，チタン，酸化されたニッケル，
アルミニウムの合金等を形成するようにすればよい。
２の貫通孔２ａ近傍の金属膜３上にアルミニウム層９を
形成するようにしたが、これに限定される必要はなく、
半田付け性が悪い材料、例えばステンレス，ニクロム，
アルミニウム，クロム，チタン，酸化されたニッケル，
アルミニウムの合金等を形成するようにすればよい。
【００５３】＝実施形態５＝ 図９は、本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
を示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力セ
ンサは、従来例として図１５，図１６に示す半導体圧力
センサにおいて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の金属
膜３に貫通孔２ａを囲むように溝部１１を形成した構成
である。ここで、溝部１１の形成方法としては、図１０
（ａ）に示すように円筒形の切削刃１２を貫通孔２ａの
周囲に押し付けて回転させる方法や、図１０（ｂ）に示
すように先端の尖ったドリル１３を貫通孔２ａの周囲に
円状に移動させる方法や、ＹＡＧレーザーやＣＯ2レー
ザー等のレーザー光１４で貫通孔２ａの周囲の金属膜３
を溶解する方法がある。なお、金属膜３の構成として
は、実施形態１〜４と同様である。また、溝部１１は、
金属パイプ４の圧力導入孔４ａの径内に収まるように形
成されている。
を示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力セ
ンサは、従来例として図１５，図１６に示す半導体圧力
センサにおいて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍の金属
膜３に貫通孔２ａを囲むように溝部１１を形成した構成
である。ここで、溝部１１の形成方法としては、図１０
（ａ）に示すように円筒形の切削刃１２を貫通孔２ａの
周囲に押し付けて回転させる方法や、図１０（ｂ）に示
すように先端の尖ったドリル１３を貫通孔２ａの周囲に
円状に移動させる方法や、ＹＡＧレーザーやＣＯ2レー
ザー等のレーザー光１４で貫通孔２ａの周囲の金属膜３
を溶解する方法がある。なお、金属膜３の構成として
は、実施形態１〜４と同様である。また、溝部１１は、
金属パイプ４の圧力導入孔４ａの径内に収まるように形
成されている。
【００５４】従って、本実施形態においては、溝部１１
により半田５が塗れ広がるのを防止することができ、外
部から熱的ストレスや機械的ストレスが加わっても貫通
孔２ａの近傍に引っ張り応力が生じることがなく、クラ
ックの発生を防止することができる。
により半田５が塗れ広がるのを防止することができ、外
部から熱的ストレスや機械的ストレスが加わっても貫通
孔２ａの近傍に引っ張り応力が生じることがなく、クラ
ックの発生を防止することができる。
【００５５】＝実施形態６＝ 図１１は、本発明の他の実施形態に係る半導体圧力セン
サを示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力
センサは、従来例として図１５，図１６に示す半導体圧
力センサにおいて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍に凸
部１５が形成され、ガラス台座２の凸部１５が形成され
た面側の凸部１５が形成された箇所以外の箇所に金属膜
３を形成した構成である。なお、金属膜３の構成として
は、実施形態１〜５と同様である。また、本実施形態に
おいては、凸部１５の上面と金属膜３の表面の高さが略
等しく、平坦化されているが、これに限定される必要は
ない。
サを示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力
センサは、従来例として図１５，図１６に示す半導体圧
力センサにおいて、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍に凸
部１５が形成され、ガラス台座２の凸部１５が形成され
た面側の凸部１５が形成された箇所以外の箇所に金属膜
３を形成した構成である。なお、金属膜３の構成として
は、実施形態１〜５と同様である。また、本実施形態に
おいては、凸部１５の上面と金属膜３の表面の高さが略
等しく、平坦化されているが、これに限定される必要は
ない。
【００５６】以下、ガラス台座２の貫通孔２ａの近傍に
凸部１５を形成し、ガラス台座２の凸部１５が形成され
た面側の凸部１５が形成された箇所以外の箇所に金属膜
３を形成する方法について図面に基づき説明する。図１
２は、本実施形態に係るガラス台座２の貫通孔２ａの近
傍に凸部１５を形成し、ガラス台座２の凸部１５が形成
された面側の凸部１５が形成された箇所以外の箇所に金
属膜３を形成する製造工程を示す略断面図である。先
ず、ガラス台座２の一方の面側の貫通孔２ａ近傍以外の
箇所を、フライスやサンドブラスト法により切削して貫
通孔２ａ近傍に凸部１５を形成し（図１２（ａ））、貫
通孔２ａのみにマスク（図示せず）をしてガラス台座２
の凸部１５を形成した面側にスパッタリングまたは蒸着
により金属膜３を形成する（図１２（ｂ））。
凸部１５を形成し、ガラス台座２の凸部１５が形成され
た面側の凸部１５が形成された箇所以外の箇所に金属膜
３を形成する方法について図面に基づき説明する。図１
２は、本実施形態に係るガラス台座２の貫通孔２ａの近
傍に凸部１５を形成し、ガラス台座２の凸部１５が形成
された面側の凸部１５が形成された箇所以外の箇所に金
属膜３を形成する製造工程を示す略断面図である。先
ず、ガラス台座２の一方の面側の貫通孔２ａ近傍以外の
箇所を、フライスやサンドブラスト法により切削して貫
通孔２ａ近傍に凸部１５を形成し（図１２（ａ））、貫
通孔２ａのみにマスク（図示せず）をしてガラス台座２
の凸部１５を形成した面側にスパッタリングまたは蒸着
により金属膜３を形成する（図１２（ｂ））。
【００５７】従って、本実施形態においては、ガラス台
座２の貫通孔２ａ近傍に凸部１５を形成し、凸部１５上
には金属膜３を形成しないようにしたので、その箇所
（ガラス面）には半田５が付着せず、外部から熱的スト
レスや機械的ストレスが加わっても貫通孔２ａの近傍に
引っ張り応力が生じることがなく、クラックの発生を防
止することができる。
座２の貫通孔２ａ近傍に凸部１５を形成し、凸部１５上
には金属膜３を形成しないようにしたので、その箇所
（ガラス面）には半田５が付着せず、外部から熱的スト
レスや機械的ストレスが加わっても貫通孔２ａの近傍に
引っ張り応力が生じることがなく、クラックの発生を防
止することができる。
【００５８】＝実施形態７＝ 図１３は、本発明の他の実施形態に係る半導体圧力セン
サを示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力
センサは、実施形態１として図１に示す半導体圧力セン
サにおいて、貫通孔２ａ近傍のガラス台座２を鏡面に仕
上げた構成である。
サを示す略断面図である。本実施形態に係る半導体圧力
センサは、実施形態１として図１に示す半導体圧力セン
サにおいて、貫通孔２ａ近傍のガラス台座２を鏡面に仕
上げた構成である。
【００５９】以下、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍を鏡
面にし、それ以外の箇所に金属膜３を形成する方法につ
いて図面に基づき説明する。図１４は、本実施形態に係
るガラス台座２の貫通孔２ａ近傍を鏡面にし、それ以外
の箇所に金属膜３を形成する製造工程を示す略断面図で
ある。先ず、ガラス台座２の一方の面側の貫通孔２ａ及
びその近傍をレジスト１０や治具等によりマスクし、サ
ンドブラスト法等によりガラス台座２のレジスト１０を
塗布した面側を粗面化し（図１４（ａ））、レジスト１
０を除去する（図１４（ｂ））。
面にし、それ以外の箇所に金属膜３を形成する方法につ
いて図面に基づき説明する。図１４は、本実施形態に係
るガラス台座２の貫通孔２ａ近傍を鏡面にし、それ以外
の箇所に金属膜３を形成する製造工程を示す略断面図で
ある。先ず、ガラス台座２の一方の面側の貫通孔２ａ及
びその近傍をレジスト１０や治具等によりマスクし、サ
ンドブラスト法等によりガラス台座２のレジスト１０を
塗布した面側を粗面化し（図１４（ａ））、レジスト１
０を除去する（図１４（ｂ））。
【００６０】最後に、ガラス台座２の粗面化した面側に
スパッタリングまたは蒸着により金属膜３を形成する
（図１４（ｃ））。このとき、ガラス台座２の貫通孔２
ａ近傍は、レジスト１０や治具等によりマスクされて保
護されるために、サンドブラスト法等により粗面化され
ず、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍が鏡面化されたまま
で残るため、金属膜３が付着しない。
スパッタリングまたは蒸着により金属膜３を形成する
（図１４（ｃ））。このとき、ガラス台座２の貫通孔２
ａ近傍は、レジスト１０や治具等によりマスクされて保
護されるために、サンドブラスト法等により粗面化され
ず、ガラス台座２の貫通孔２ａ近傍が鏡面化されたまま
で残るため、金属膜３が付着しない。
【００６１】従って、本実施形態においては、ガラス台
座２の貫通孔２ａ近傍が鏡面化されたままで残るため、
半田５がより付着し難くなって、半田５が付着せず、外
部から熱的ストレスや機械的ストレスが加わっても貫通
孔２ａの近傍に引っ張り応力が生じることがなく、クラ
ックの発生を防止することができる。
座２の貫通孔２ａ近傍が鏡面化されたままで残るため、
半田５がより付着し難くなって、半田５が付着せず、外
部から熱的ストレスや機械的ストレスが加わっても貫通
孔２ａの近傍に引っ張り応力が生じることがなく、クラ
ックの発生を防止することができる。
【００６２】なお、上述の全ての実施形態において、金
属パイプ４の圧力導入孔４ａの口径を、ガラス台座２の
貫通孔２ａの口径よりも大きくするようにすれば、金属
パイプ４の圧力導入孔４ａの目詰まりを減らすことがで
きる。
属パイプ４の圧力導入孔４ａの口径を、ガラス台座２の
貫通孔２ａの口径よりも大きくするようにすれば、金属
パイプ４の圧力導入孔４ａの目詰まりを減らすことがで
きる。
【００６３】
【発明の効果】請求項１乃至請求項７または請求項９乃
至請求項１７記載の発明は、ガラス台座の金属膜を形成
した面側の貫通孔近傍に、半田が付着しない構成とした
ので、外部から熱的ストレスや機械的ストレスが加わっ
ても貫通孔の近傍に引っ張り応力が生じることがなく、
クラックの発生を防止することができ、ガラス台座と金
属部材とのダイボンディングの際に、位置ずれが生じた
場合にもガラス台座にクラックが生じることのない半導
体圧力センサ及びその製造方法を提供することができ
た。
至請求項１７記載の発明は、ガラス台座の金属膜を形成
した面側の貫通孔近傍に、半田が付着しない構成とした
ので、外部から熱的ストレスや機械的ストレスが加わっ
ても貫通孔の近傍に引っ張り応力が生じることがなく、
クラックの発生を防止することができ、ガラス台座と金
属部材とのダイボンディングの際に、位置ずれが生じた
場合にもガラス台座にクラックが生じることのない半導
体圧力センサ及びその製造方法を提供することができ
た。
【００６４】請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求
項７記載の半導体圧力センサにおいて、圧力導入孔の口
径を、貫通孔の口径よりも大きくしたので、金属部材の
圧力導入孔の目詰まりを減らすことができる。
項７記載の半導体圧力センサにおいて、圧力導入孔の口
径を、貫通孔の口径よりも大きくしたので、金属部材の
圧力導入孔の目詰まりを減らすことができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサの
一部を示す略断面図である。
一部を示す略断面図である。
【図２】本実施形態に係るガラス台座の一方の面への金
属膜の形成工程を示す略断面図である。
属膜の形成工程を示す略断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の一部を示す略断面図である。
の一部を示す略断面図である。
【図４】本実施形態に係るガラス台座の一方の面への金
属膜の形成工程を示す略断面図である。
属膜の形成工程を示す略断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の一部を示す略断面図である。
の一部を示す略断面図である。
【図６】本実施形態に係るガラス台座の貫通孔近傍の金
属膜上への樹脂のコーティング工程を示す略断面図であ
る。
属膜上への樹脂のコーティング工程を示す略断面図であ
る。
【図７】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の一部を示す略断面図である。
の一部を示す略断面図である。
【図８】本実施形態に係るガラス台座の貫通孔近傍の金
属膜上へのアルミニウム層形成工程を示す略断面図であ
る。
属膜上へのアルミニウム層形成工程を示す略断面図であ
る。
【図９】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
を示す略断面図である。
を示す略断面図である。
【図１０】本実施形態に係るガラス台座の貫通孔近傍の
金属膜への溝部形成方法を示す略断面図であり、（ａ）
〜（ｃ）はその一例を示す略断面図である。
金属膜への溝部形成方法を示す略断面図であり、（ａ）
〜（ｃ）はその一例を示す略断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力セン
サを示す略断面図である。
サを示す略断面図である。
【図１２】本実施形態に係るガラス台座の貫通孔の近傍
に凸部を形成し、ガラス台座の凸部が形成された面側の
凸部が形成された箇所以外の箇所に金属膜を形成する製
造工程を示す略断面図である。
に凸部を形成し、ガラス台座の凸部が形成された面側の
凸部が形成された箇所以外の箇所に金属膜を形成する製
造工程を示す略断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力セン
サを示す略断面図である。
サを示す略断面図である。
【図１４】本実施形態に係るガラス台座の貫通孔近傍を
鏡面にし、それ以外の箇所に金属膜を形成する製造工程
を示す略断面図である。
鏡面にし、それ以外の箇所に金属膜を形成する製造工程
を示す略断面図である。
【図１５】従来例に係る半導体圧力センサを示す略断面
図である。
図である。
【図１６】従来例に係る半導体圧力センサを示す略断面
図である。
図である。
【図１７】従来例に係るガラス台座へのクラックの生じ
る動作原理を示す略断面図である。
る動作原理を示す略断面図である。
１ 半導体圧力センサチップ １ａ ダイヤフラム ２ ガラス台座 ２ａ 貫通孔 ３ 金属膜 ３ａ 第１の金属膜 ３ｂ 第２の金属膜 ３ｃ 第３の金属膜 ４ 金属パイプ ４ａ 圧力導入孔 ５ 半田 ６ 樹脂 ７ マスク ７ａ 開口部 ８ スキージ ９ アルミニウム層 １０ レジスト １０ａ 開口部 １１ 溝部 １２ 切削刃 １３ ドリル １４ レーザー光 １５ 凸部 １６ 研磨板 １７ パッケージ １７ａ 凹部 １８ リード １９ ワイヤ ２０ シリコン樹脂 ２１ 蓋体 ２２ ボード ２３ ホウケイ酸ガラス ２４ ピン ２５ キャップ ２６ 引っ張り応力 ２７ クラック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石上 敦史 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−206228（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−87839（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01L 9/04 H01L 29/84
Claims (17)
- 【請求項１】 半導体基板の一部を薄肉状にしてダイヤ
フラムを形成し、該ダイヤフラムの一面に歪みゲ−ジが
形成された半導体圧力センサチップと、前記ダイヤフラ
ムに連通する貫通孔を有し、前記半導体圧力センサチッ
プに接合されたガラス台座と、前記貫通孔に連通する圧
力導入孔を有する金属部材とから成り、前記ガラス台座
の前記半導体圧力センサチップとの接合面と異なる面側
には金属膜が設けられ、前記金属膜と前記金属部材とが
半田により接合されて成る半導体圧力センサにおいて、前記ガラス台座の前記金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍に、前記貫通孔を囲むように粗面化された前記
ガラス台座を露出させることにより、 前記ガラス台座の
金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前記半田が
付着しない構成としたことを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項２】 半導体基板の一部を薄肉状にしてダイヤ
フラムを形成し、該ダイヤフラムの一面に歪みゲ−ジが
形成された半導体圧力センサチップと、前記ダイヤフラ
ムに連通する貫通孔を有し、前記半導体圧力センサチッ
プに接合されたガラス台座と、前記貫通孔に連通する圧
力導入孔を有する金属部材とから成り、前記ガラス台座
の前記半導体圧力センサチップとの接合面と異なる面側
には金属膜が設けられ、前記金属膜と前記金属部材とが
半田により接合されて成る半導体圧力センサにおいて、 前記ガラス台座の前記金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍に、前記貫通孔を囲むように表面に酸化膜が形
成されたＮｉ層を露出させることにより、前記ガラス台
座の金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前記半
田が付着しない構成としたことを特徴とする半導体圧力
センサ。 - 【請求項３】 半導体基板の一部を薄肉状にしてダイヤ
フラムを形成し、該ダイヤフラムの一面に歪みゲ−ジが
形成された半導体圧力センサチップと、前記ダイヤフラ
ムに連通する貫通孔を有し、前記半導体圧力センサチッ
プに接合されたガラス台座と、前記貫通孔に連通する圧
力導入孔を有する金属部材とから成り 、前記ガラス台座
の前記半導体圧力センサチップとの接合面と異なる面側
には金属膜が設けられ、前記金属膜と前記金属部材とが
半田により接合されて成る半導体圧力センサにおいて、 前記ガラス台座の前記金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍の前記金属膜上に、前記貫通孔を囲むように耐
熱性を有する樹脂を設けることにより、前記ガラス台座
の金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前記半田
が付着しない構成としたことを特徴とする半導体圧力セ
ンサ。 - 【請求項４】 半導体基板の一部を薄肉状にしてダイヤ
フラムを形成し、該ダイヤフラムの一面に歪みゲ−ジが
形成された半導体圧力センサチップと、前記ダイヤフラ
ムに連通する貫通孔を有し、前記半導体圧力センサチッ
プに接合されたガラス台座と、前記貫通孔に連通する圧
力導入孔を有する金属部材とから成り、前記ガラス台座
の前記半導体圧力センサチップとの接合面と異なる面側
には金属膜が設けられ、前記金属膜と前記金属部材とが
半田により接合されて成る半導体圧力センサにおいて、 前記ガラス台座の前記金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍の前記金属膜上に、前記貫通孔を囲むようにア
ルミニウム層を設けることにより、前記ガラス台座の金
属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前記半田が付
着しない構成としたことを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項５】 半導体基板の一部を薄肉状にしてダイヤ
フラムを形成し、該ダイヤフラムの一面に歪みゲ−ジが
形成された半導体圧力センサチップと、前記ダイヤフラ
ムに連通する貫通孔を有し、前記半導体圧力センサチッ
プに接合されたガラス台座と、前記貫通孔に連通する圧
力導入孔を有する金属部材とから成り、前記ガラス台座
の前記半導体圧力センサチップとの接合面と異なる面側
には金属膜が設けられ、前記金属膜と前記金属部材とが
半田により接合されて成る半導体圧力センサにおいて、 前記ガラス台座の前記金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍の前記金属膜に、前記貫通孔を囲むように溝部
を設けることにより、前記ガラス台座の金属膜が設けら
れた面側の前記貫通孔近傍に前記半田が付着しない構成
としたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項６】 半導体基板の一部を薄肉状にしてダイヤ
フラムを形成し、該ダイヤフラムの一面に歪みゲ−ジが
形成された半導体圧力センサチップと、前記ダイヤフラ
ムに連通する貫通孔を有し、前記半導体圧力センサチッ
プに接合されたガラス台座と、前記貫通孔に連通する圧
力導入孔を有する金属部材とから成り、前記ガラス台座
の前記半導体圧力センサチップとの接合面と異なる面側
には金属膜が設けられ、前記金属膜と前記金属部材とが
半田により接合されて成る半導体圧力センサにおいて、 前記ガラス台座の前記金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍に前記貫通孔を囲むように凸部を設け、前記ガ
ラス台座の前記凸部が設けられた面側の前記凸部上面を
除いた箇所に前記金属膜を設けることにより、前記ガラ
ス台座の金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前
記半田が付着しない構成としたことを特徴とする半導体
圧力センサ。 - 【請求項７】 半導体基板の一部を薄肉状にしてダイヤ
フラムを形成し、該ダイヤフラムの一面に歪みゲ−ジが
形成された半導体圧力センサチップと、前記ダイヤフラ
ムに連通する貫通孔を有し、前記半導体圧力センサチッ
プに接合されたガラス台座と、前記貫通孔に連通する圧
力導入孔を有する金属部材とから成り、前記ガラス台座
の前記半導体圧力センサチップとの接合面と異なる面側
には金属膜が設けられ、前記金属膜と前記金属部材とが
半田により接合されて成る半導体圧力センサにおいて、 前記ガラス台座の前記金属膜が設けられた面側の前記貫
通孔近傍に、前記貫通孔を囲むように鏡面化された前記
ガラス台座を露出させることにより、前記ガラス台座の
金属膜が設けられた面側の前記貫通孔近傍に前記半田が
付着しない構成としたことを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項８】 前記圧力導入孔の口径を、前記貫通孔の
口径よりも大きくしたことを特徴とする請求項１乃至請
求項７記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項９】 請求項１記載の半導体圧力センサの製造
方法であって、前記ガラス台座の前記金属膜が設けられ
た面側の前記貫通孔近傍に、前記貫通孔を囲むように粗
面化された前記ガラス台座を露出させる方法として、前
記ガラス台座の一方の面を粗面化し、粗面化された前記
ガラス台座の表面に前記金属膜を形成 し、前記ガラス台
座の前記貫通孔及びその近傍以外をマスクして、前記金
属膜をエッチングにより除去するようにしたことを特徴
とする半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項２記載の半導体圧力センサの製
造方法であって、前記ガラス台座の前記金属膜が設けら
れた面側の前記貫通孔近傍に、前記貫通孔を囲むように
表面に酸化膜が形成されたＮｉ層を露出させる方法とし
て、前記金属膜をＮｉ層を含む複数の金属層で構成し、
前記貫通孔近傍の前記金属膜を、前記Ｎｉ層が露出する
までエッチングを行い、高温雰囲気中で酸化させること
により前記Ｎｉ層表面に薄い酸化膜を形成するようにし
たことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項３記載の半導体圧力センサの製
造方法であって、前記ガラス台座の前記金属膜が設けら
れた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜上に、前記貫通
孔を囲むように耐熱性を有する樹脂を設ける方法とし
て、前記貫通孔を囲むように開口部を有するマスクを用
いて、前記開口部を充填するように液状の耐熱性を有す
る樹脂を塗布し、前記マスクを除去するようにしたこと
を特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項４記載の半導体圧力センサの製
造方法であって、前記ガラス台座の前記金属膜が設けら
れた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜上に、前記貫通
孔を囲むようにアルミニウム層を設ける方法として、前
記貫通孔を囲むように開口部を有するマスクを用いてス
パッタリングまたは蒸着によりアルミニウム層を形成
し、前記マスクを除去するようにしたことを特徴とする
半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項５記載の半導体圧力センサの製
造方法であって、前記ガラス台座の前記金属膜が設けら
れた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜に、前記貫通孔
を囲むように溝部を設ける方法として、円筒形の切削刃
を前記金属膜に押し付けることにより前記溝部を形成す
るようにしたことを特徴とする半導体圧力センサの製造
方法。 - 【請求項１４】 請求項５記載の半導体圧力センサの製
造方法であって、前記ガラス台座の前記金属膜が設けら
れた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜に、 前記貫通孔
を囲むように溝部を設ける方法として、ドリルで前記貫
通孔の周囲の前記金属膜を削ることにより前記溝部を形
成するようにしたことを特徴とする半導体圧力センサの
製造方法。 - 【請求項１５】 請求項５記載の半導体圧力センサの製
造方法であって、前記ガラス台座の前記金属膜が設けら
れた面側の前記貫通孔近傍の前記金属膜に、前記貫通孔
を囲むように溝部を設ける方法として、レーザー光を用
いて前記貫通孔近傍の前記金属膜を溶解させることによ
り前記溝部を形成するようにしたことを特徴とする半導
体圧力センサの製造方法。 - 【請求項１６】 請求項６記載の半導体圧力センサの製
造方法であって、前記ガラス台座の前記金属膜が設けら
れた面側の前記貫通孔近傍に前記貫通孔を囲むように凸
部を設け、前記ガラス台座の前記凸部が設けられた面側
の前記凸部上面を除いた箇所に前記金属膜を設ける方法
として、前記ガラス台座の一方の面側の前記貫通孔近傍
以外の箇所を切削して前記貫通孔近傍に前記凸部を形成
し、前記ガラス台座の前記凸部が形成された面側に前記
金属膜を形成し、前記凸部が露出するまで研磨するよう
にしたことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項１７】 請求項７記載の半導体圧力センサの製
造方法であって、前記ガラス台座の前記金属膜が設けら
れた面側の前記貫通孔近傍に、前記貫通孔を囲むように
鏡面化された前記ガラス台座を露出させる方法として、
前記貫通孔及びその近傍をマスクして前記ガラス台座の
一方の面側を粗面化し、マスクを除去した後、前記ガラ
ス台座の粗面化した面側に前記金属膜を形成するように
したことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22903997A JP3209152B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22903997A JP3209152B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1164140A JPH1164140A (ja) | 1999-03-05 |
| JP3209152B2 true JP3209152B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=16885795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22903997A Expired - Fee Related JP3209152B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3209152B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5292687B2 (ja) | 2006-10-12 | 2013-09-18 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| JP5847385B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2016-01-20 | ミツミ電機株式会社 | 圧力センサ装置及び該装置を備える電子機器、並びに該装置の実装方法 |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP22903997A patent/JP3209152B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1164140A (ja) | 1999-03-05 |
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