JPH05235003A - 半田バンプ形成方法およびそのためのマスク - Google Patents
半田バンプ形成方法およびそのためのマスクInfo
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- JPH05235003A JPH05235003A JP3958892A JP3958892A JPH05235003A JP H05235003 A JPH05235003 A JP H05235003A JP 3958892 A JP3958892 A JP 3958892A JP 3958892 A JP3958892 A JP 3958892A JP H05235003 A JPH05235003 A JP H05235003A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体素子や回路配線基板の電極
等のフリップチップ接合等に適した半田バンプの形成方
法およびそれに用いるマスクの改良に関し、半田バンプ
とマスクとの接合を防止し、半田バンプを剥離させる危
険を解消した半田バンプの形成方法およびそれに用いる
マスクを提供することを目的とする。 【構成】 基板上にマスクを介して蒸着または半田ボー
ルの融着により半田バンプを形成する方法において、こ
のマスクとして、金属板から成るマスク構造部の少なく
ともバンプ形成位置画定用貫通孔内壁面が、半田との離
形性が良好な材質の最外層を含む一層以上から成る皮膜
で被覆されているマスクを用いるように構成する。
等のフリップチップ接合等に適した半田バンプの形成方
法およびそれに用いるマスクの改良に関し、半田バンプ
とマスクとの接合を防止し、半田バンプを剥離させる危
険を解消した半田バンプの形成方法およびそれに用いる
マスクを提供することを目的とする。 【構成】 基板上にマスクを介して蒸着または半田ボー
ルの融着により半田バンプを形成する方法において、こ
のマスクとして、金属板から成るマスク構造部の少なく
ともバンプ形成位置画定用貫通孔内壁面が、半田との離
形性が良好な材質の最外層を含む一層以上から成る皮膜
で被覆されているマスクを用いるように構成する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や回路配線
基板の電極等のフリップチップ接合等に適した半田バン
プの形成方法およびそれに用いるマスクの改良に関す
る。コンピュータを高速動作させる上で、総配線長を低
減するためにワイヤでなくバンプを用いた接合方式が有
効である。更に、バンプはその接合強度がワイヤと比べ
て強く、また電気抵抗が低いため、耐振動性、安定性に
も優れている。
基板の電極等のフリップチップ接合等に適した半田バン
プの形成方法およびそれに用いるマスクの改良に関す
る。コンピュータを高速動作させる上で、総配線長を低
減するためにワイヤでなくバンプを用いた接合方式が有
効である。更に、バンプはその接合強度がワイヤと比べ
て強く、また電気抵抗が低いため、耐振動性、安定性に
も優れている。
【０００２】バンプを用いた代表的な接合方式として、
フリップチップ接合がある。バンプによる接合では、一
括して多くの微細なバンプを形成する必要がある。特に
フリップチップ接合においては、その疲労寿命を長くす
るためにバンプを高く形成して、接合後のチップと基板
のスタンドオフを高くする必要がある。
フリップチップ接合がある。バンプによる接合では、一
括して多くの微細なバンプを形成する必要がある。特に
フリップチップ接合においては、その疲労寿命を長くす
るためにバンプを高く形成して、接合後のチップと基板
のスタンドオフを高くする必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来、一括して多くの微細な半田バンプ
を形成する方法として、蒸着法が用いられている。その
場合、半田バンプを形成する位置の孔を開けた金属製マ
スク（メタルマスク）を介して基板上に蒸着を行い、基
板上の所定位置に半田バンプを形成する。蒸着法はドラ
イプロセスであるため、ウェットプロセスであるメッキ
法等と比べて不純物の混入が少なく、また短時間で充分
な高さの半田バンプを形成することができる、という利
点がある。
を形成する方法として、蒸着法が用いられている。その
場合、半田バンプを形成する位置の孔を開けた金属製マ
スク（メタルマスク）を介して基板上に蒸着を行い、基
板上の所定位置に半田バンプを形成する。蒸着法はドラ
イプロセスであるため、ウェットプロセスであるメッキ
法等と比べて不純物の混入が少なく、また短時間で充分
な高さの半田バンプを形成することができる、という利
点がある。
【０００４】同じくドライプロセスとしては、半田ボー
ルを用いる方法がある。この方法では、多数の半田ボー
ルをメタルマスクを用いて基板上の所定位置に配置し、
加熱して溶融させた後に冷却すると、各位置に半田が融
着して半田バンプが形成される。この方法も、ドライプ
ロセスとしての利点と共に高い半田バンプを一気に形成
できるという利点がある。
ルを用いる方法がある。この方法では、多数の半田ボー
ルをメタルマスクを用いて基板上の所定位置に配置し、
加熱して溶融させた後に冷却すると、各位置に半田が融
着して半田バンプが形成される。この方法も、ドライプ
ロセスとしての利点と共に高い半田バンプを一気に形成
できるという利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図１に示す
ように、半導体素子あるいは回路配線基板等の基板１上
の電極２の位置に、メタルマスク３を介して半田を蒸着
しまたは半田ボールを融着させて半田バンプ５を形成す
る際に、メタルマスク３の孔の内壁面にも半田が蒸着ま
たは融着される。その結果、メタルマスク３と半田バン
プ５の周縁部とが接合してしまい、半田バンプ形成後に
メタルマスク３を取り外そうとすると、形成した半田バ
ンプ３自体も基板１から剥離させてしまうという問題が
あった。
ように、半導体素子あるいは回路配線基板等の基板１上
の電極２の位置に、メタルマスク３を介して半田を蒸着
しまたは半田ボールを融着させて半田バンプ５を形成す
る際に、メタルマスク３の孔の内壁面にも半田が蒸着ま
たは融着される。その結果、メタルマスク３と半田バン
プ５の周縁部とが接合してしまい、半田バンプ形成後に
メタルマスク３を取り外そうとすると、形成した半田バ
ンプ３自体も基板１から剥離させてしまうという問題が
あった。
【０００６】本発明は、半田バンプとマスクとの接合を
防止し、半田バンプを剥離させる危険を解消した半田バ
ンプの形成方法およびそれに用いるマスクを提供するこ
とを目的とする。
防止し、半田バンプを剥離させる危険を解消した半田バ
ンプの形成方法およびそれに用いるマスクを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本願第１の発明は、基板上にマスクを介して蒸着
または半田ボールの融着により半田バンプを形成する方
法において、このマスクとして、金属板から成るマスク
構造部の少なくともバンプ形成位置画定用貫通孔内壁面
が、半田との離形性が良好な材質の最外層を含む一層以
上から成る皮膜で被覆されているマスクを用いることを
特徴とする半田バンプの形成方法である。
めに、本願第１の発明は、基板上にマスクを介して蒸着
または半田ボールの融着により半田バンプを形成する方
法において、このマスクとして、金属板から成るマスク
構造部の少なくともバンプ形成位置画定用貫通孔内壁面
が、半田との離形性が良好な材質の最外層を含む一層以
上から成る皮膜で被覆されているマスクを用いることを
特徴とする半田バンプの形成方法である。
【０００８】そして上記方法に用いるマスクとして、本
願第２の発明は、基板上にマスクを介して蒸着または半
田ボールの融着により半田バンプを形成する方法に用い
るマスクにおいて、金属板から成るマスク構造部の少な
くともバンプ形成位置画定用貫通孔内壁面が、半田との
離形性が良好な材質の最外層を含む一層以上から成る皮
膜で被覆されていることを特徴とする半田バンプ形成用
マスクである。
願第２の発明は、基板上にマスクを介して蒸着または半
田ボールの融着により半田バンプを形成する方法に用い
るマスクにおいて、金属板から成るマスク構造部の少な
くともバンプ形成位置画定用貫通孔内壁面が、半田との
離形性が良好な材質の最外層を含む一層以上から成る皮
膜で被覆されていることを特徴とする半田バンプ形成用
マスクである。
【０００９】マスク表面の残留半田を除去してマスクを
再生利用する上で、上記皮膜の少なくとも最内層を耐食
性の良好な材質で形成し、実質的にマスク全面を被覆す
ると有利である。金属製の構造部分がこの皮膜で保護さ
れるため、構造部分には影響を及ぼさずマスク表面に付
着した残留半田のみをエッチングにより容易に除去する
ことができる。
再生利用する上で、上記皮膜の少なくとも最内層を耐食
性の良好な材質で形成し、実質的にマスク全面を被覆す
ると有利である。金属製の構造部分がこの皮膜で保護さ
れるため、構造部分には影響を及ぼさずマスク表面に付
着した残留半田のみをエッチングにより容易に除去する
ことができる。
【００１０】この皮膜の一態様として、半田との離形性
が良好で且つマスク表面の残留半田除去溶液に対して安
定な単一種類の材質の一層または複数種類の材質の複数
層から成ることができる。このような皮膜は、例えばフ
ルオロカーボン樹脂（例えば商品名「テフロン」等とし
て市販されているもの）、アルミナ、クロム、窒化チタ
ン、炭化チタンのいずれか一種類の単一層またはいずれ
か複数種類の複数層から成ることができる。
が良好で且つマスク表面の残留半田除去溶液に対して安
定な単一種類の材質の一層または複数種類の材質の複数
層から成ることができる。このような皮膜は、例えばフ
ルオロカーボン樹脂（例えば商品名「テフロン」等とし
て市販されているもの）、アルミナ、クロム、窒化チタ
ン、炭化チタンのいずれか一種類の単一層またはいずれ
か複数種類の複数層から成ることができる。
【００１１】また別の態様としては、皮膜が、半田との
離形性が良好な材質の最外層と、マスク表面残留半田除
去液に対して安定な材質の最内層とを含む複数層から成
ることができる。このような皮膜は、例えば離形性の良
好なアルミニウムの外層と耐食性の優れた金または白金
の内層とから成ることができる。上記の目的を達成する
ための本願第３の発明は、基板上に金属製マスクを介し
て半田バンプを形成する方法において、マスクのバンプ
形成位置画定用貫通孔と対応する貫通孔を有し且つバン
プ周縁部高さよりも大きい厚さを有する中間膜を基板と
マスクとの間に介在させて位置合わせし、蒸着または半
田ボールの融着によりバンプを形成し、その後上記中間
膜を溶解または取り外すことにより除去することを特徴
とする半田バンプの形成方法である。
離形性が良好な材質の最外層と、マスク表面残留半田除
去液に対して安定な材質の最内層とを含む複数層から成
ることができる。このような皮膜は、例えば離形性の良
好なアルミニウムの外層と耐食性の優れた金または白金
の内層とから成ることができる。上記の目的を達成する
ための本願第３の発明は、基板上に金属製マスクを介し
て半田バンプを形成する方法において、マスクのバンプ
形成位置画定用貫通孔と対応する貫通孔を有し且つバン
プ周縁部高さよりも大きい厚さを有する中間膜を基板と
マスクとの間に介在させて位置合わせし、蒸着または半
田ボールの融着によりバンプを形成し、その後上記中間
膜を溶解または取り外すことにより除去することを特徴
とする半田バンプの形成方法である。
【００１２】本願第３発明の第１の態様においては、中
間膜として、基板上の半田バンプ形成位置以外の領域に
被覆膜を形成し、その上からマスクを位置合わせし、前
記バンプ形成を行った後に、マスクを被覆膜から取り外
した後にこの被覆膜を溶解して除去する。上記第３発明
の第２の態様においては、中間膜として、マスクの片面
のバンプ形成位置画定用貫通孔以外の領域に被覆膜を形
成し、この膜面を基板側にしてマスクを位置合わせし、
前記バンプ形成を行った後に、上記被覆膜を溶解して除
去することにより、マスクを基板から分離する。
間膜として、基板上の半田バンプ形成位置以外の領域に
被覆膜を形成し、その上からマスクを位置合わせし、前
記バンプ形成を行った後に、マスクを被覆膜から取り外
した後にこの被覆膜を溶解して除去する。上記第３発明
の第２の態様においては、中間膜として、マスクの片面
のバンプ形成位置画定用貫通孔以外の領域に被覆膜を形
成し、この膜面を基板側にしてマスクを位置合わせし、
前記バンプ形成を行った後に、上記被覆膜を溶解して除
去することにより、マスクを基板から分離する。
【００１３】また第３発明の第３の態様においては、中
間膜として、マスクの片面のバンプ形成位置画定用貫通
孔以外の領域に半田との離形性が良好な被覆膜を形成
し、この膜面を基板側にしてマスクを位置合わせし、前
記バンプ形成を行った後に、上記被覆膜と共にマスクを
基板から引き離す。更に第３発明の第４の態様において
は、中間膜として、マスクのバンプ形成位置画定用貫通
孔に対応する貫通孔を有し半田との離形性の良好な膜部
材を、マスクと基板との間に介在させて位置合わせし、
前記バンプ形成を行った後に、マスクを膜部材から取り
外し、その後に膜部材を取り外すことにより除去する。
間膜として、マスクの片面のバンプ形成位置画定用貫通
孔以外の領域に半田との離形性が良好な被覆膜を形成
し、この膜面を基板側にしてマスクを位置合わせし、前
記バンプ形成を行った後に、上記被覆膜と共にマスクを
基板から引き離す。更に第３発明の第４の態様において
は、中間膜として、マスクのバンプ形成位置画定用貫通
孔に対応する貫通孔を有し半田との離形性の良好な膜部
材を、マスクと基板との間に介在させて位置合わせし、
前記バンプ形成を行った後に、マスクを膜部材から取り
外し、その後に膜部材を取り外すことにより除去する。
【００１４】また本願第４の発明は、上記第３発明の第
２態様に用いるマスクとして、金属板から成るマスク構
造部の片面のバンプ形成位置画定用貫通孔以外の領域
が、溶解可能な被覆膜で覆われていることを特徴とする
半田バンプ形成用マスクを提供する。更に本願第５発明
は、上記第３発明の第４態様に用いる膜部材として、半
田との離形性が良好な材質から成り、半田バンプ形成用
金属製マスクのバンプ形成位置画定用貫通孔と対応する
貫通孔を有し、バンプを形成する基板と上記マスクとの
間に挟んで用いることを特徴とする半田バンプ形成用の
基板・マスク間挿入膜部材を提供する。
２態様に用いるマスクとして、金属板から成るマスク構
造部の片面のバンプ形成位置画定用貫通孔以外の領域
が、溶解可能な被覆膜で覆われていることを特徴とする
半田バンプ形成用マスクを提供する。更に本願第５発明
は、上記第３発明の第４態様に用いる膜部材として、半
田との離形性が良好な材質から成り、半田バンプ形成用
金属製マスクのバンプ形成位置画定用貫通孔と対応する
貫通孔を有し、バンプを形成する基板と上記マスクとの
間に挟んで用いることを特徴とする半田バンプ形成用の
基板・マスク間挿入膜部材を提供する。
【００１５】
【作用】本願第１および第２の発明においては、金属板
から成るマスク構造部の少なくともバンプ形成位置画定
用貫通孔内壁面が、半田との離形性が良好な材質の最外
層を含む一層以上から成る皮膜で被覆されていることに
より、半田バンプとマスクとが接合されることがないの
で、半田バンプを剥離させることなくマスクを基板から
取り外すことができる。
から成るマスク構造部の少なくともバンプ形成位置画定
用貫通孔内壁面が、半田との離形性が良好な材質の最外
層を含む一層以上から成る皮膜で被覆されていることに
より、半田バンプとマスクとが接合されることがないの
で、半田バンプを剥離させることなくマスクを基板から
取り外すことができる。
【００１６】本願第３の発明においては、マスクのバン
プ形成位置画定用貫通孔と対応する貫通孔を有し且つバ
ンプ周縁部高さよりも大きい厚さを有する中間膜を基板
とマスクとの間に介在させた状態で半田バンプを形成す
ることにより、バンプ周縁が金属マスク（またはマスク
の金属部分）と接触せず、従って接合しないので、半田
バンプを剥離することなくマスクを基板から取り外すこ
とができる。中間膜は、その材質の選択により、半田バ
ンプ形成後に溶解または取り外すことにより基板上から
除去する。
プ形成位置画定用貫通孔と対応する貫通孔を有し且つバ
ンプ周縁部高さよりも大きい厚さを有する中間膜を基板
とマスクとの間に介在させた状態で半田バンプを形成す
ることにより、バンプ周縁が金属マスク（またはマスク
の金属部分）と接触せず、従って接合しないので、半田
バンプを剥離することなくマスクを基板から取り外すこ
とができる。中間膜は、その材質の選択により、半田バ
ンプ形成後に溶解または取り外すことにより基板上から
除去する。
【００１７】
【実施例】〔実施例１〕図２を参照して本願第１および
第２の発明の望ましい一態様を説明する。同図中の１は
素子や回路配線基板等、その上に半田バンプを形成する
基板であり、２は電極等の半田バンプ形成位置を示し、
マスク３は金属板から成るマスク構造部３ａの表面に半
田との離形性が良好で且つ耐食性の良いコーティング膜
３ｂが被覆されており、５は形成された半田バンプであ
る。
第２の発明の望ましい一態様を説明する。同図中の１は
素子や回路配線基板等、その上に半田バンプを形成する
基板であり、２は電極等の半田バンプ形成位置を示し、
マスク３は金属板から成るマスク構造部３ａの表面に半
田との離形性が良好で且つ耐食性の良いコーティング膜
３ｂが被覆されており、５は形成された半田バンプであ
る。
【００１８】蒸着または半田ボール融着により形成され
た半田バンプ５は、半田との離形性の良好なコーティン
グ膜３ｂと接しており、金属製のマスク構造部３ａと接
合することがないので、半田バンプ５の剥離を起こすこ
となくマスク３を容易に基板１から取り外すことができ
る。マスク３を基板１から取り外した後に、マスク３に
付着している残留半田をエッチングにより除去し、再生
利用する。金属製部分３ａが耐食コーティング膜３ｂに
よって保護されており、エッチングの影響を受けない。
た半田バンプ５は、半田との離形性の良好なコーティン
グ膜３ｂと接しており、金属製のマスク構造部３ａと接
合することがないので、半田バンプ５の剥離を起こすこ
となくマスク３を容易に基板１から取り外すことができ
る。マスク３を基板１から取り外した後に、マスク３に
付着している残留半田をエッチングにより除去し、再生
利用する。金属製部分３ａが耐食コーティング膜３ｂに
よって保護されており、エッチングの影響を受けない。
【００１９】コーティング膜３ｂを複数層で構成するこ
とにより、たとえ１つの層にピンホールが生じたり傷が
入ったりしても、他の層により金属部分３ａが保護され
ているので、エッチング再利用しても信頼性を非常に高
くすることができる。Ａｕ、Ｐｔ等の貴金属類は、残留
半田を除去するためのエッチング液に対する安定性が非
常に高い。しかし、半田とは良く濡れる性質があるた
め、金属製マスク（またはマスクの金属部分）と接合し
易く、マスク取り外し上の障害になる。そこで、Ａｕ、
Ｐｔ等の貴金属とＡｌ等半田との離形性に優れた金属の
２層構造にすることにより、マスクと半田バンプとの分
離が容易になる。Ａｌ等は残留半田のエッチング中に一
緒にエッチングされるが、その後再びスパッタ、蒸着等
の方法で形成することにより、マスクを再利用すること
ができる。
とにより、たとえ１つの層にピンホールが生じたり傷が
入ったりしても、他の層により金属部分３ａが保護され
ているので、エッチング再利用しても信頼性を非常に高
くすることができる。Ａｕ、Ｐｔ等の貴金属類は、残留
半田を除去するためのエッチング液に対する安定性が非
常に高い。しかし、半田とは良く濡れる性質があるた
め、金属製マスク（またはマスクの金属部分）と接合し
易く、マスク取り外し上の障害になる。そこで、Ａｕ、
Ｐｔ等の貴金属とＡｌ等半田との離形性に優れた金属の
２層構造にすることにより、マスクと半田バンプとの分
離が容易になる。Ａｌ等は残留半田のエッチング中に一
緒にエッチングされるが、その後再びスパッタ、蒸着等
の方法で形成することにより、マスクを再利用すること
ができる。
【００２０】〔実施例２〕本願第１および第２の発明に
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にスパッタによりテフロン（デュポン社商品名）を
コーティングした。このマスクを用いて、Ｉｎ半田を基
板上に１００μｍ蒸着した。半田バンプを剥離すること
なくマスクの取り外しを行うことができた。その後、マ
スクに付着していた半田を塩酸でエッチングして除去し
た。マスクには異常がなく、再利用することができた。
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にスパッタによりテフロン（デュポン社商品名）を
コーティングした。このマスクを用いて、Ｉｎ半田を基
板上に１００μｍ蒸着した。半田バンプを剥離すること
なくマスクの取り外しを行うことができた。その後、マ
スクに付着していた半田を塩酸でエッチングして除去し
た。マスクには異常がなく、再利用することができた。
【００２１】〔実施例３〕本願第１および第２の発明に
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面に蒸着によりＡｌをコーティングした。このマスク
をＯ2 雰囲気中で熱処理することにより、上記コーティ
ング層をＡｌ2 Ｏ3 とした。このマスクを用いて、Ｉｎ
半田を基板上に１００μｍ蒸着した。半田バンプを剥離
することなくマスクの取り外しを行うことができた。そ
の後、マスクに付着していた半田を塩酸でエッチングし
て除去した。マスクには異常がなく、再利用することが
できた。
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面に蒸着によりＡｌをコーティングした。このマスク
をＯ2 雰囲気中で熱処理することにより、上記コーティ
ング層をＡｌ2 Ｏ3 とした。このマスクを用いて、Ｉｎ
半田を基板上に１００μｍ蒸着した。半田バンプを剥離
することなくマスクの取り外しを行うことができた。そ
の後、マスクに付着していた半田を塩酸でエッチングし
て除去した。マスクには異常がなく、再利用することが
できた。
【００２２】〔実施例４〕本願第１および第２の発明に
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にメッキによりＣｒをコーティングした。このマス
クを用いて、Ｉｎ半田を基板上に１００μｍ蒸着した。
半田バンプを剥離することなくマスクの取り外しを行う
ことができた。その後、マスクに付着していた半田を硝
酸でエッチングして除去した。マスクには異常がなく、
再利用することができた。
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にメッキによりＣｒをコーティングした。このマス
クを用いて、Ｉｎ半田を基板上に１００μｍ蒸着した。
半田バンプを剥離することなくマスクの取り外しを行う
ことができた。その後、マスクに付着していた半田を硝
酸でエッチングして除去した。マスクには異常がなく、
再利用することができた。
【００２３】〔実施例５〕本願第１および第２の発明に
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にイオンプレーティングによりＴｉＮをコーティン
グした。このマスクを用いて、Ｉｎ半田を基板上に１０
０μｍ蒸着した。半田バンプを剥離することなくマスク
の取り外しを行うことができた。その後、マスクに付着
していた半田を塩酸でエッチングして除去した。マスク
には異常がなく、再利用することができた。
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にイオンプレーティングによりＴｉＮをコーティン
グした。このマスクを用いて、Ｉｎ半田を基板上に１０
０μｍ蒸着した。半田バンプを剥離することなくマスク
の取り外しを行うことができた。その後、マスクに付着
していた半田を塩酸でエッチングして除去した。マスク
には異常がなく、再利用することができた。
【００２４】〔実施例６〕本願第１および第２の発明に
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にメッキによりＣｒをコーティングした。更にその
上に蒸着によりＡｌをコーティングした。このマスクを
Ｏ2 雰囲気中で熱処理することにより、上記ＡｌをＡｌ
2 Ｏ3 とした。このマスクを用いて、Ｉｎ半田を基板上
に１００μｍ蒸着した。半田バンプを剥離することなく
マスクの取り外しを行うことができた。その後、マスク
に付着していた半田を塩酸でエッチングして除去した。
マスクには異常がなく、再利用することができた。この
マスクはコーティングが２層あるため、ピンホール等の
欠陥や傷に対して信頼性が高い。
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にメッキによりＣｒをコーティングした。更にその
上に蒸着によりＡｌをコーティングした。このマスクを
Ｏ2 雰囲気中で熱処理することにより、上記ＡｌをＡｌ
2 Ｏ3 とした。このマスクを用いて、Ｉｎ半田を基板上
に１００μｍ蒸着した。半田バンプを剥離することなく
マスクの取り外しを行うことができた。その後、マスク
に付着していた半田を塩酸でエッチングして除去した。
マスクには異常がなく、再利用することができた。この
マスクはコーティングが２層あるため、ピンホール等の
欠陥や傷に対して信頼性が高い。
【００２５】〔実施例７〕本願第１および第２の発明に
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にＡｕおよびＡｌを順に蒸着した。このマスクを用
いて、Ｉｎ半田を基板上に１００μｍ蒸着した。半田バ
ンプを剥離することなくマスクの取り外しを行うことが
できた。その後、マスクに付着していた半田を塩酸でエ
ッチングして除去した。最表層のＡｌはエッチングされ
たが、その下のＡｕ層から内部はマスクに異常がなかっ
た。このＡｕ層上に再びＡｌを蒸着して、マスクを再利
用することができた。
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にＡｕおよびＡｌを順に蒸着した。このマスクを用
いて、Ｉｎ半田を基板上に１００μｍ蒸着した。半田バ
ンプを剥離することなくマスクの取り外しを行うことが
できた。その後、マスクに付着していた半田を塩酸でエ
ッチングして除去した。最表層のＡｌはエッチングされ
たが、その下のＡｕ層から内部はマスクに異常がなかっ
た。このＡｕ層上に再びＡｌを蒸着して、マスクを再利
用することができた。
【００２６】〔実施例８〕本願第１および第２の発明に
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にＰｔおよびＡｌを順に蒸着した。このマスクを用
いて、Ｉｎ半田を基板上に１００μｍ蒸着した。半田バ
ンプを剥離することなくマスクの取り外しを行うことが
できた。その後、マスクに付着していた半田を塩酸でエ
ッチングして除去した。最表層のＡｌはエッチングされ
たが、その下のＰｔ層から内部はマスクに異常がなかっ
た。このＡｕ層上に再びＡｌを蒸着して、マスクを再利
用することができた。
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にＰｔおよびＡｌを順に蒸着した。このマスクを用
いて、Ｉｎ半田を基板上に１００μｍ蒸着した。半田バ
ンプを剥離することなくマスクの取り外しを行うことが
できた。その後、マスクに付着していた半田を塩酸でエ
ッチングして除去した。最表層のＡｌはエッチングされ
たが、その下のＰｔ層から内部はマスクに異常がなかっ
た。このＡｕ層上に再びＡｌを蒸着して、マスクを再利
用することができた。
【００２７】〔実施例９〕本願第１および第２の発明に
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にスパッタによりテフロン（デュポン社商品名）を
コーティングした。このマスクを用いて、Ｉｎ半田ボー
ル（粒径２００μｍ、マスクの孔径は３００μｍ）を基
板上に散布した後、加熱してボールを基板に融着させ
た。高さ１００μｍの半田バンプが形成された。半田バ
ンプを剥離することなくマスクの取り外しを行うことが
できた。その後、マスクに付着していた半田を塩酸でエ
ッチングして除去した。マスクには異常がなく、再利用
することができた。
したがって半田バンプを形成した。コバール製マスクの
表面にスパッタによりテフロン（デュポン社商品名）を
コーティングした。このマスクを用いて、Ｉｎ半田ボー
ル（粒径２００μｍ、マスクの孔径は３００μｍ）を基
板上に散布した後、加熱してボールを基板に融着させ
た。高さ１００μｍの半田バンプが形成された。半田バ
ンプを剥離することなくマスクの取り外しを行うことが
できた。その後、マスクに付着していた半田を塩酸でエ
ッチングして除去した。マスクには異常がなく、再利用
することができた。
【００２８】〔実施例１０〕本願第１および第２の発明
にしたがって半田バンプを形成した。コバール製マスク
の表面にメッキによりＣｒをコーティングした。このマ
スクを用いて、Ｉｎ半田ボール（粒径２００μｍ、マス
クの孔径は３００μｍ）を基板上に散布した後、加熱し
てボールを基板に融着させた。高さ１００μｍの半田バ
ンプが形成された。半田バンプを剥離することなくマス
クの取り外しを行うことができた。その後、マスクに付
着していた半田を硝酸でエッチングして除去した。マス
クには異常がなく、再利用することができた。
にしたがって半田バンプを形成した。コバール製マスク
の表面にメッキによりＣｒをコーティングした。このマ
スクを用いて、Ｉｎ半田ボール（粒径２００μｍ、マス
クの孔径は３００μｍ）を基板上に散布した後、加熱し
てボールを基板に融着させた。高さ１００μｍの半田バ
ンプが形成された。半田バンプを剥離することなくマス
クの取り外しを行うことができた。その後、マスクに付
着していた半田を硝酸でエッチングして除去した。マス
クには異常がなく、再利用することができた。
【００２９】次に、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照
して本願第３発明による半田バンプ形成方法の望ましい
態様を説明する。
して本願第３発明による半田バンプ形成方法の望ましい
態様を説明する。
【００３０】〔実施例１１〕図３（ａ）に示した態様に
おいては、次の手順で半田バンプ形成を行う。 ＜手順１＞基板１上の電極２（半田バンプ形成位置）以
外の領域に、適当な有機溶媒等により溶解可能な中間膜
３３を形成する。これにより形成された中間膜３３の半
田バンプ形成位置は貫通孔になっている。 ＜手順２＞中間膜３３上にメタルマスク３４を重ねて位
置合わせする。 ＜手順３＞蒸着または半田ボール融着により半田バンプ
５を形成する。中間膜３３は、半田バンプ５の周縁部高
さよりも大きい厚さを有するので、半田バンプ５の周縁
部はこの中間膜３３の貫通孔内壁面にのみ接触し、メタ
ルマスク３４には接触しない。 ＜手順４＞メタルマスク３４を取り外す。 ＜手順５＞中間膜３３を適当な有機溶剤等で溶解して除
去する。
おいては、次の手順で半田バンプ形成を行う。 ＜手順１＞基板１上の電極２（半田バンプ形成位置）以
外の領域に、適当な有機溶媒等により溶解可能な中間膜
３３を形成する。これにより形成された中間膜３３の半
田バンプ形成位置は貫通孔になっている。 ＜手順２＞中間膜３３上にメタルマスク３４を重ねて位
置合わせする。 ＜手順３＞蒸着または半田ボール融着により半田バンプ
５を形成する。中間膜３３は、半田バンプ５の周縁部高
さよりも大きい厚さを有するので、半田バンプ５の周縁
部はこの中間膜３３の貫通孔内壁面にのみ接触し、メタ
ルマスク３４には接触しない。 ＜手順４＞メタルマスク３４を取り外す。 ＜手順５＞中間膜３３を適当な有機溶剤等で溶解して除
去する。
【００３１】〔実施例１２〕図３（ｂ）に示した態様に
おいては、次の手順で半田バンプ形成を行う。 ＜手順１＞メタルマスク３４の半田バンプ形成位置画定
用孔３４Ａ以外の領域に、適当な有機溶媒等により溶解
可能な中間膜３３を形成する。これにより形成された中
間膜３３の半田バンプ形成位置は貫通孔になっている。 ＜手順２＞中間膜３３の側を基板１に向けてメタルマス
ク３４を基板１上に位置合わせする。そして、蒸着また
は半田ボール融着により半田バンプ５を形成する。中間
膜３３は、半田バンプ５の周縁部高さよりも大きい厚さ
を有するので、半田バンプ５の周縁部はこの中間膜３３
の貫通孔内壁面にのみ接触し、メタルマスク３４には接
触しない。 ＜手順３＞中間膜３３を適当な有機溶剤等で溶解して除
去し、これによりメタルマスク３４を取り外す。
おいては、次の手順で半田バンプ形成を行う。 ＜手順１＞メタルマスク３４の半田バンプ形成位置画定
用孔３４Ａ以外の領域に、適当な有機溶媒等により溶解
可能な中間膜３３を形成する。これにより形成された中
間膜３３の半田バンプ形成位置は貫通孔になっている。 ＜手順２＞中間膜３３の側を基板１に向けてメタルマス
ク３４を基板１上に位置合わせする。そして、蒸着また
は半田ボール融着により半田バンプ５を形成する。中間
膜３３は、半田バンプ５の周縁部高さよりも大きい厚さ
を有するので、半田バンプ５の周縁部はこの中間膜３３
の貫通孔内壁面にのみ接触し、メタルマスク３４には接
触しない。 ＜手順３＞中間膜３３を適当な有機溶剤等で溶解して除
去し、これによりメタルマスク３４を取り外す。
【００３２】〔実施例１３〕図３（ｃ）に示した態様に
おいては、次の手順で半田バンプ形成を行う。 ＜手順１＞メタルマスク３４の他に、メタルマスク３４
の半田バンプ形成位置画定用孔３４Ａと対応した貫通孔
３３Ａを有し且つ適当な有機溶媒等により溶解可能な中
間膜部材３３を用意する。 ＜手順２＞中間膜部材３３を基板１上に位置合わせし、
その上にメタルマスク３４を位置合わせする。そして、
蒸着または半田ボール融着により半田バンプ５を形成す
る。中間膜部材３３は、半田バンプ５の周縁部高さより
も大きい厚さを有するので、半田バンプ５の周縁部はこ
の中間膜３３の貫通孔内壁面にのみ接触し、メタルマス
ク３４には接触しない。 ＜手順３＞メタルマスク３４を取り外す。 ＜手順４＞中間膜部材３３を適当な有機溶剤等で溶解し
て除去する。
おいては、次の手順で半田バンプ形成を行う。 ＜手順１＞メタルマスク３４の他に、メタルマスク３４
の半田バンプ形成位置画定用孔３４Ａと対応した貫通孔
３３Ａを有し且つ適当な有機溶媒等により溶解可能な中
間膜部材３３を用意する。 ＜手順２＞中間膜部材３３を基板１上に位置合わせし、
その上にメタルマスク３４を位置合わせする。そして、
蒸着または半田ボール融着により半田バンプ５を形成す
る。中間膜部材３３は、半田バンプ５の周縁部高さより
も大きい厚さを有するので、半田バンプ５の周縁部はこ
の中間膜３３の貫通孔内壁面にのみ接触し、メタルマス
ク３４には接触しない。 ＜手順３＞メタルマスク３４を取り外す。 ＜手順４＞中間膜部材３３を適当な有機溶剤等で溶解し
て除去する。
【００３３】〔実施例１４〕図３（ｃ）の態様の一つの
変更態様においては、次の手順で半田バンプ形成を行
う。 ＜手順１＞メタルマスク３４の他に、メタルマスク３４
の半田バンプ形成位置画定用孔３４Ａと対応した貫通孔
３３Ａを有し且つ半田との離形性が良好な中間膜部材３
３を用意する。 ＜手順２＞と＜手順３＞は実施例１３と同様に行う。 ＜手順４＞最後に中間膜部材３３をピンセット等で取り
外す。中間膜部材３３の離形性により、半田バンプを剥
離する危険を生ぜず容易に取り外せる。
変更態様においては、次の手順で半田バンプ形成を行
う。 ＜手順１＞メタルマスク３４の他に、メタルマスク３４
の半田バンプ形成位置画定用孔３４Ａと対応した貫通孔
３３Ａを有し且つ半田との離形性が良好な中間膜部材３
３を用意する。 ＜手順２＞と＜手順３＞は実施例１３と同様に行う。 ＜手順４＞最後に中間膜部材３３をピンセット等で取り
外す。中間膜部材３３の離形性により、半田バンプを剥
離する危険を生ぜず容易に取り外せる。
【００３４】〔実施例１５〕本願第３発明に従って半田
バンプを形成した。Ｓｉ基板上の半田バンプ形成位置以
外の領域に厚さ約４０μｍのポリイミド膜を形成した。
これにより形成されたポリイミド膜の半田バンプ形成位
置は貫通孔になっている。この上から、厚さ２００μｍ
のコバール製メタルマスクを介して、Ｉｎ半田を１２０
μｍ蒸着した。形成されたＩｎ半田バンプの周縁部はポ
リイミド膜の貫通孔内壁面に接触しており、メタルマス
クとは接触していないので、マスクを容易に取り外すこ
とができた。次にヒドラジンを用いてポリイミド膜を溶
解除去した。
バンプを形成した。Ｓｉ基板上の半田バンプ形成位置以
外の領域に厚さ約４０μｍのポリイミド膜を形成した。
これにより形成されたポリイミド膜の半田バンプ形成位
置は貫通孔になっている。この上から、厚さ２００μｍ
のコバール製メタルマスクを介して、Ｉｎ半田を１２０
μｍ蒸着した。形成されたＩｎ半田バンプの周縁部はポ
リイミド膜の貫通孔内壁面に接触しており、メタルマス
クとは接触していないので、マスクを容易に取り外すこ
とができた。次にヒドラジンを用いてポリイミド膜を溶
解除去した。
【００３５】〔実施例１６〕本願第３発明に従って半田
バンプを形成した。コバール製メタルマスク（厚さ２０
０μｍ）の片面の半田バンプ形成位置画定用孔以外の領
域に厚さ約４０μｍのポリイミド膜を形成した。これに
より形成されたポリイミド膜の半田バンプ形成位置は貫
通孔になっている。ポリイミド膜側を基板に向けて、マ
スクをＳｉ基板上に位置合わせし、マスクを介してＩｎ
半田を１２０μｍ蒸着した。形成されたＩｎ半田バンプ
の周縁部はポリイミド膜の貫通孔内壁面に接触してお
り、メタルマスクとは接触していないので、ポリイミド
膜をヒドラジンで溶解することにより、マスクを容易に
取り外すことができた。
バンプを形成した。コバール製メタルマスク（厚さ２０
０μｍ）の片面の半田バンプ形成位置画定用孔以外の領
域に厚さ約４０μｍのポリイミド膜を形成した。これに
より形成されたポリイミド膜の半田バンプ形成位置は貫
通孔になっている。ポリイミド膜側を基板に向けて、マ
スクをＳｉ基板上に位置合わせし、マスクを介してＩｎ
半田を１２０μｍ蒸着した。形成されたＩｎ半田バンプ
の周縁部はポリイミド膜の貫通孔内壁面に接触してお
り、メタルマスクとは接触していないので、ポリイミド
膜をヒドラジンで溶解することにより、マスクを容易に
取り外すことができた。
【００３６】〔実施例１７〕本願第３発明に従って半田
バンプを形成した。コバール製メタルマスク（厚さ２０
０μｍ）と、このマスクの半田バンプ形成位置画定用孔
と対応する貫通孔を設けた厚さ約４０μｍのポリイミド
フィルムとを用意した。Ｓｉ基板上にポリイミドフィル
ムを位置合わせし、その上からメタルマスクを位置合わ
せして、Ｉｎ半田を１２０μｍ蒸着した。形成されたＩ
ｎ半田バンプの周縁部はポリイミドフィルムの貫通孔内
壁面に接触しており、メタルマスクとは接触していない
ので、メタルマスクを容易に取り外すことができた。次
にポリイミドフィルムをヒドラジンで溶解して除去し
た。
バンプを形成した。コバール製メタルマスク（厚さ２０
０μｍ）と、このマスクの半田バンプ形成位置画定用孔
と対応する貫通孔を設けた厚さ約４０μｍのポリイミド
フィルムとを用意した。Ｓｉ基板上にポリイミドフィル
ムを位置合わせし、その上からメタルマスクを位置合わ
せして、Ｉｎ半田を１２０μｍ蒸着した。形成されたＩ
ｎ半田バンプの周縁部はポリイミドフィルムの貫通孔内
壁面に接触しており、メタルマスクとは接触していない
ので、メタルマスクを容易に取り外すことができた。次
にポリイミドフィルムをヒドラジンで溶解して除去し
た。
【００３７】〔実施例１８〕本願第３発明に従って半田
バンプを形成した。コバール製メタルマスク（厚さ２０
０μｍ）と、このマスクの半田バンプ形成位置画定用孔
と対応する貫通孔を設けた厚さ約５０μｍのテフロン
（デュポン社商品名）フィルムとを用意した。Ｓｉ基板
上にテフロンフィルムを位置合わせし、その上からメタ
ルマスクを位置合わせして、Ｉｎ半田を１２０μｍ蒸着
した。形成されたＩｎ半田バンプの周縁部はテフロンフ
ィルムの貫通孔内壁面に接触しており、メタルマスクと
は接触していないので、メタルマスクを容易に取り外す
ことができた。尚、ポリイミドフィルムもピンセットで
容易に取り外すことができた。
バンプを形成した。コバール製メタルマスク（厚さ２０
０μｍ）と、このマスクの半田バンプ形成位置画定用孔
と対応する貫通孔を設けた厚さ約５０μｍのテフロン
（デュポン社商品名）フィルムとを用意した。Ｓｉ基板
上にテフロンフィルムを位置合わせし、その上からメタ
ルマスクを位置合わせして、Ｉｎ半田を１２０μｍ蒸着
した。形成されたＩｎ半田バンプの周縁部はテフロンフ
ィルムの貫通孔内壁面に接触しており、メタルマスクと
は接触していないので、メタルマスクを容易に取り外す
ことができた。尚、ポリイミドフィルムもピンセットで
容易に取り外すことができた。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体素子や回路配線基板上の電極部分に半田バンプを
形成する際に、メタルマスクと半田バンプ周縁部との接
合を防止し、マスク取り外し時のバンプ剥離を生ぜずに
半田バンプ形成を行うことができる。また、メタルマス
ク全面を耐食性の良好な皮膜で覆うことにより、マスク
表面に付着した余分な半田をエッチングにより除去して
マスクの再利用が容易に行える。
半導体素子や回路配線基板上の電極部分に半田バンプを
形成する際に、メタルマスクと半田バンプ周縁部との接
合を防止し、マスク取り外し時のバンプ剥離を生ぜずに
半田バンプ形成を行うことができる。また、メタルマス
ク全面を耐食性の良好な皮膜で覆うことにより、マスク
表面に付着した余分な半田をエッチングにより除去して
マスクの再利用が容易に行える。
【図１】図１は、従来の半田バンプ形成方法を示す断面
図である。
図である。
【図２】図２は、本発明の半田バンプ形成方法を示す断
面図である。
面図である。
【図３】図３は、本発明の半田バンプ形成方法の別の態
様を示す断面図である。
様を示す断面図である。
１…基板 ２…電極 ３…メタルマスク ４…コーティング膜 ５…半田バンプ ３３…中間膜（中間膜部材） ３４…メタルマスク
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上にマスクを介して蒸着または半田
ボールの融着により半田バンプを形成する方法におい
て、上記マスクとして、金属板から成るマスク構造部の
少なくともバンプ形成位置画定用貫通孔内壁面が、半田
との離形性が良好な材質の最外層を含む一層以上から成
る皮膜で被覆されているマスクを用いることを特徴とす
る半田バンプの形成方法。 - 【請求項２】 基板上にマスクを介して蒸着または半田
ボールの融着により半田バンプを形成する方法に用いる
マスクにおいて、金属板から成るマスク構造部の少なく
ともバンプ形成位置画定用貫通孔内壁面が、半田との離
形性が良好な材質の最外層を含む一層以上から成る皮膜
で被覆されていることを特徴とする半田バンプ形成用マ
スク。 - 【請求項３】 前記皮膜で実質的に全面が被覆されてい
ることを特徴とする請求項２記載のマスク。 - 【請求項４】 前記皮膜が、半田との離形性が良好で且
つマスク表面の残留半田除去溶液に対して安定な単一種
類の材質の一層または複数種類の材質の複数層から成る
ことを特徴とする請求項２または３記載のマスク。 - 【請求項５】 前記皮膜が、フルオロカーボン樹脂、ア
ルミナ、クロム、窒化チタン、炭化チタンのいずれか一
種類の単一層またはいずれか複数種類の複数層から成る
ことを特徴とする請求項４記載のマスク。 - 【請求項６】 前記皮膜が、半田との離形性が良好な材
質の最外層と、マスク表面残留半田除去液に対して安定
な材質の最内層とを含む複数層から成ることを特徴とす
る請求項２または３記載のマスク。 - 【請求項７】 前記皮膜がアルミニウムの外層と金また
は白金の内層とから成ることを特徴とする請求項６記載
のマスク。 - 【請求項８】 基板上に金属製マスクを介して半田バン
プを形成する方法において、マスクのバンプ形成位置画
定用貫通孔と対応する貫通孔を有し且つバンプ周縁部高
さよりも大きい厚さを有する中間膜を基板とマスクとの
間に介在させて位置合わせし、蒸着または半田ボールの
融着によりバンプを形成し、その後上記中間膜を溶解ま
たは取り外すことにより除去することを特徴とする半田
バンプの形成方法。 - 【請求項９】 金属板から成るマスク構造部の片面のバ
ンプ形成位置画定用貫通孔以外の領域が、溶解可能な被
覆膜で覆われていることを特徴とする半田バンプ形成用
マスク。 - 【請求項１０】 半田との離形性が良好な材質から成
り、半田バンプ形成用金属製マスクのバンプ形成位置画
定用貫通孔と対応する貫通孔を有し、バンプを形成する
基板と上記マスクとの間に挟んで用いることを特徴とす
る半田バンプ形成用の基板・マスク間挿入膜部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3958892A JPH05235003A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半田バンプ形成方法およびそのためのマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3958892A JPH05235003A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半田バンプ形成方法およびそのためのマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235003A true JPH05235003A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12557266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3958892A Pending JPH05235003A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半田バンプ形成方法およびそのためのマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235003A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008071A (en) * | 1995-09-20 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Method of forming solder bumps onto an integrated circuit device |
| KR100796206B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2008-01-24 | 주식회사 유니테스트 | 프로브 카드의 범프 형성 방법 |
| US7452797B2 (en) | 2003-04-15 | 2008-11-18 | Harima Chemicals, Inc. | Solder deposition method and solder bump forming method |
| JP2015106680A (ja) * | 2013-12-02 | 2015-06-08 | 太陽化学工業株式会社 | 非晶質炭素膜を備える電気接続部材搭載用マスク及びその製造方法並びに該電気接続部材搭載用マスクを使用した電気接続部材搭載方法 |
| JP2018041984A (ja) * | 2014-07-07 | 2018-03-15 | マクセルホールディングス株式会社 | 配列用マスク及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP3958892A patent/JPH05235003A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008071A (en) * | 1995-09-20 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Method of forming solder bumps onto an integrated circuit device |
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| JP2019004181A (ja) * | 2014-07-07 | 2019-01-10 | マクセルホールディングス株式会社 | 配列用マスク |
| JP2022126740A (ja) * | 2014-07-07 | 2022-08-30 | マクセル株式会社 | 配列用マスク |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000926 |