JP3202183U - 各システムがマスクチャンバを有するマルチシステム - Google Patents

Abstract

【課題】基板を効率的かつ高い費用対効果で処理するための基板処理システムを提供する。【解決手段】処理システム１００は、複数のサブシステム又はクラスタツール１０２、１０４を含むことができる。処理システムの各クラスタツールは、マスクチャンバ１０８、１１０及び１以上の処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅ、１２２Ａ−１２２Ｅを含むことができる。マスクチャンバは、処理チャンバ内での様々な堆積プロセス中に利用されるマスクを加熱するように構成することができる。一実施形態では、第１層は、第１クラスタツール１０２内で基板上に堆積させることができ、第２層は、第２クラスタツール１０４内で前記基板上に堆積させることができる。【選択図】図１

Description

背景

（分野）
本開示の実施形態は、概して、基板処理システムに関する。具体的には、本明細書で説明される実施形態は、各サブシステムがマスクチャンバを有することができるサブシステムを有する処理システムに関する。

（関連技術の説明）
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、情報を表示するためのテレビのスクリーン、コンピュータのモニタ、携帯電話等の製造に使用される。典型的なＯＬＥＤは、個別に通電可能な画素を有するマトリックスディスプレイパネルを形成するようにすべてが基板上に堆積された２つの電極間に位置する有機材料の層を含むことができる。ＯＬＥＤは、一般的に、２つのガラスパネルの間に配置され、ガラスパネルの端部は、内部にＯＬＥＤを封止するためにシールされる。

フラットパネル技術の市場の受け入れとともに、より大型のディスプレイ、増加した生産、及びより低い製造コストに対する需要は、フラットパネルディスプレイ組立加工業者用のより大きなサイズのガラス基板を受け入れる新しいシステムを装置メーカーに開発させてきた。また、様々なシステムコンポーネントを複雑な処理操作に効率的かつ高い費用対効果で統合する能力は、所有コストを低減する。しかしながら、大面積基板を処理するためのこのような大型の装置に採用すると、システムの様々なコンポーネントの統合は、時間が掛かり、困難になる。また、様々な処理操作に伴う複雑性を考慮した場合に、工場の床面積を効果的に利用するシステムアーキテクチャは、困難なままである。

したがって、当該技術分野で必要とされるのは、基板を効率的かつ高い費用対効果で処理するための改良された処理システムである。

概要

一実施形態では、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、第１クラスタツールと、第２クラスタツールとを含む。第１クラスタツールは、第１搬送チャンバと、第１搬送チャンバに結合された第１マスクチャンバと、第１搬送チャンバに結合された１以上の第１処理チャンバとを含む。第２クラスタツールは、第２搬送チャンバと、第２搬送チャンバに結合された第２マスクチャンバと、第２搬送チャンバに結合された１以上の第２処理チャンバとを含む。パススルーを、第１クラスタツールと第２クラスタツールとの間に配置することができる。

別の一実施形態では、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、第２クラスタツールに結合された第１クラスタツールを含む。第１クラスタツールは、第１搬送チャンバと、第１ロードロックチャンバと、第１搬送チャンバに結合された第１マスクチャンバと、第１搬送チャンバに結合された１以上の第１処理チャンバとを含む。第１マスクチャンバは、第１搬送チャンバの真空環境から隔離されながら、大気からマスクをロードするように操作可能とすることができる。第２クラスタツールは、第２搬送チャンバと、第２ロードロックチャンバと、第２搬送チャンバに結合された第２マスクチャンバと、第２搬送チャンバに結合された１以上の第２処理チャンバとを含む。第２マスクチャンバは、第２搬送チャンバの真空環境から隔離されながら、大気からマスクをロードするように操作可能とすることができる。

更に別の一実施形態では、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、第２クラスタツールに結合された第１クラスタツールを含む。第１クラスタツールは、第１搬送チャンバと、第１ロードロックチャンバと、第１搬送チャンバに結合された第１マスクチャンバと、第１搬送チャンバに結合された１以上の第１処理チャンバとを含む。第１マスクチャンバは、第１搬送チャンバの真空環境から隔離されながら、大気から１以上の第１マスクをロードし、前記第１マスクを加熱するように操作可能とすることができる。１以上の第１処理チャンバは、基板上に第１ケイ素含有層を堆積するように構成することができる。第２クラスタツールは、第２搬送チャンバと、第２ロードロックチャンバと、搬送チャンバに結合された第２マスクチャンバと、第２搬送チャンバに結合された１以上の第２処理チャンバとを含む。第２マスクチャンバは、第２搬送チャンバの真空環境から隔離されながら、大気から１以上の第２マスクをロードし、前記第２マスクを加熱するように操作可能とすることができる。１以上の第２処理チャンバは、基板上に第２ケイ素含有層を堆積するように構成することができる。

本開示の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。

処理システムの概略斜視図を示す。 様々な構造が上部に形成された基板の概略断面図を示す。 基板処理方法の操作を示す。

理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。

詳細な説明

本明細書で説明される実施形態は、基板を処理するための方法及び装置に関する。処理システムは、複数のクラスタツールを含むことができる。処理システムの各クラスタツールは、マスクチャンバ及び１以上の処理チャンバを含むことができる。マスクチャンバは、処理チャンバ内での様々な堆積プロセス中に利用されるマスクを加熱するように構成することができる。一実施形態では、第１層は、第１クラスタツール内で基板上に堆積させることができ、第２層は、第２クラスタツール内で前記基板上に堆積させることができる。

図１は、処理システム１００の概略斜視図を示す。処理システム１００は、第１クラスタツール１０２と、パススルー１０６によって結合された第２クラスタツール１０４を含む。クラスタツール１０２、１０４は、処理システム１００の個別のコンポーネントであるサブシステムと考えることができる。一般的に、以下で説明される処理システムのコンポーネントは、大面積基板をハンドリングし、搬送し、処理するための大きさに作られ、構成される。また、システム１００は、他の大きさ及び／又は種類の基板をハンドリングするように構成されてもよいことが理解される。システムコンポーネントの一部はまた、基板上で実行される種々の処理の間に真空を生成するように構成することができる。一般的に、処理システム１００は、効率及びスループットを改善するために構成することができる。一実施形態では、処理システム１００は、１時間当たり基板約６０枚以上のスループットを有することが可能である。

大面積基板は、少なくとも約３００ｍｍ×９００ｍｍの平面面積を有する矩形状の基板とすることができる。大面積基板は、形状が主に矩形であるとして本明細書に記載されるが、大面積基板は、円形などの他の形状を有してもよい。

第１クラスタツール１０２及び第２クラスタツール１０４は、互いに隣接して配置することができ、カップリングチャンバ１０６を介して共に結合することができる。パススルー１０６は、第１パススルーチャンバ１１４、第２パススルーチャンバ１２０、オプションのターン（旋回）チャンバ１１６、及びオプションのバッファチャンバ１１８を含む。ターンチャンバ１１６は、第１パススルーチャンバ１１４を介して第１クラスタツール１０２に結合することができ、ターンチャンバ１１６は、第２パススルーチャンバ１２０を介して第２クラスタツール１０４に結合することができる。ターンチャンバ１１６は、第１クラスタツール１０２から第２クラスタツール１０４まで搬送される基板を搬送、回転、又はアライメントするように構成することができる。例えば、ロボットがターンチャンバ１１６内に配置されてもよい。ロボットは、パススルーチャンバ１１４、１２０の各々の中に配置することができる基板支持プラットフォームからの基板に係合し、搬送するように構成することができる。

ターンチャンバ１１６をパススルー１０６内に組み込むことの利点の１つは、基板がパススルー１０６を通って移動しながら、１８０°回転させることができ、これによって各クラスタツール１０２、１０４は、同じ方向（姿勢）で基板を受け取り、これによって処理を促進し、装置コストを削減する。同様に、基板は、第２クラスタツール１０４から第１クラスタツール１０２までターンチャンバ１１６を介して搬送させることができる。

一実施例では、基板は、第１クラスタツール１０２から第１パススルーチャンバ１１４を通ってターンチャンバ１１６まで搬送させることができる。その後、基板は、第２パススルーチャンバ１２０を通って第２クラスタツール１０４へ搬送させることができる。バッファチャンバ１１８を、ターンチャンバ１１６又はパススルー１０６の他の部分に結合することもできる。バッファチャンバ１１８は、１以上の基板を受け取り、格納することができる。バッファチャンバ１１８は、基板を分析するための様々な検知及び計測装置を含んでもよい。一実施形態では、バッファチャンバ１１８は、バススルー１０６を、第１クラスタツール１０２と第２クラスタツール１０４との間で基板を搬送するように操作可能にしながら、複数の基板をキューに入れるように構成することができる。上記の実施例では、基板は第１クラスタツール１０２から第２クラスタツール１０４へ搬送されると説明されたが、実施例は限定を意図するものではない。例えば、基板は、第２クラスタツール１０４内で処理され、その後、第１クラスタツール１０２に搬送されてもよい。

第１クラスタツール１０２は、第１搬送チャンバ１１１、第１マスクチャンバ１０８、第１ロードロックチャンバ１０５、及び１以上の第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅを含む。第１搬送チャンバ１１１は、第１クラスタツール１０２内に中央配置させることができ、第１マスクチャンバ１０８、第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅ、及び第１ロードロックチャンバ１０５は、第１搬送チャンバ１１１に結合させることができる。例えば、第１マスクチャンバ１０８、第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅ、及び第１ロードロックチャンバ１０５は、第１搬送チャンバ１１１の周囲に放射状に配置することができる。

第１マスクチャンバ１０８は、第１搬送チャンバ１１１内の真空を破ることなく、第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅ内の様々な堆積プロセス中に利用される１以上のマスクをシステム１００内にロードするように構成することができる。第１マスクチャンバ１０８はまた、使用後の又は未使用のマスクを真空下に保管するために使用され、これによって交換のためにシステム１００から除去するための都合の良い時間を待つことができる。第１マスクチャンバ１０８はまた、加熱素子（例えば、抵抗性又は反射性加熱素子）を含み、これによって第１マスクチャンバ１０８から第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅへの第１マスクの搬送前に第１マスクを加熱することができる。動作時には、第１搬送チャンバ１１１内に配置されたロボットは、第１マスクチャンバ１０８内に配置された第１マスクと係合し、第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅのうちの１つに第１マスクを搬送することができる。第１マスクは、マスクチャンバ１０８からの別のクリーンなマスクで置き換えされる前に、複数の基板を処理するために利用することができる。

第１ロードロックチャンバ１０５は、大気から基板を受け取るように構成することができる。第１搬送チャンバ１１１内に配置されたロボットは、第１ロードロックチャンバ１０５から基板を取り出し、第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅに基板を搬送することができる。第１搬送チャンバ１１１に結合された第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅは、基板を処理するように構成することができる。一実施形態では、第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅは、基板上に第１層を堆積するように構成することができる。第１層は、約５，０００Å〜約１０，０００Åの間の厚さで基板上に堆積させることができる。一実施形態では、３以上の第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅが、第１搬送チャンバ１１１に結合されてもよい。例えば、５つの処理チャンバが、第１搬送チャンバ１１１に結合されてもよい。

第２クラスタツール１０４は、第２搬送チャンバ１２１を、第２マスクチャンバ１１０、１以上の第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅ、及び第２ロードロックチャンバ１１５を含む。第２搬送チャンバ１２１は、第２クラスタツール１０４内に中央配置させることができ、第２マスクチャンバ１１０、第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅ、及び第２ロードロックチャンバ１１５は、第２搬送チャンバ１２１に結合させることができる。例えば、第２マスクチャンバ１１０、第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅ、及び第２ロードロックチャンバ１１５は、第２搬送チャンバ１２１の周囲に放射状に配置することができる。

第２マスクチャンバ１１０は、第２搬送チャンバ１２１内の真空を破ることなく、第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅ内の様々な堆積プロセス中に利用される１以上のマスクをシステム１００内にロードするように構成することができる。第２マスクチャンバ１１０はまた、使用後の又は未使用のマスクを真空下に保管するために使用され、これによって交換のためにシステム１００から除去するための都合の良い時間を待つことができる。第２マスクチャンバ１１０はまた、加熱素子（例えば、抵抗性又は反射性加熱素子）を含み、これによって第２マスクチャンバ１１０から第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅへの第２マスクの搬送前に第２マスクを加熱することができる。動作時には、第２搬送チャンバ１２１内に配置されたロボットは、第２マスクチャンバ１１０内に配置された第２マスクと係合し、第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅのうちの１つに第２マスクを搬送することができる。第２マスクは、第２マスクチャンバ１１０からの別のクリーンなマスクで置き換えされる前に、複数の基板を処理するために利用することができる。

第２ロードロックチャンバ１１５は、第２搬送チャンバ１２１の真空環境から基板を受け取るように構成することができる。第２搬送チャンバ１２１内に配置されたロボットは、第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅから基板を取り出し、第２ロードロックチャンバ１１５に基板を搬送することができる。第２搬送チャンバ１２１に結合された第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅは、基板を処理するように構成することができる。一実施形態では、第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅは、基板上に第２層を堆積するように構成することができる。第２層は、約５，０００Å〜約１０，０００Åの間の厚さで基板上に堆積させることができる。一実施形態では、３以上の第２処理チャンバが、第２搬送チャンバ１２１に結合されてもよい。例えば、５つの第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅが、第２搬送チャンバ１２１に結合されてもよい。別の一実施形態では、第２クラスタツール１０４は、第１クラスタツール１０２よりも少ない処理チャンバを有してもよい。例えば、第１クラスタツール１０２は、５つの処理チャンバを有することができ、第２クラスタツール１０２は、４つの処理チャンバを有することができる。

図２は、様々な構造が上に形成された基板２０２の概略断面図を示す。基板２０２は、基板２０２内に形成されたデバイス構造２０４を有することができる。第１層２０６は、デバイス構造２０４上に形成させることができる。一実施形態では、第１層２０６は、コンフォーマル堆積プロセス中で堆積させることができる。オプションで、第１層２０６の一部は、堆積プロセスの後に除去することができる。図示のように、第１層２０６は、デバイス構造２０４及び基板２０２の上に堆積されてもよく、デバイス構造２０４及び基板２０２に接触してもよい。

第２層２０８は、第１層２０６及び基板２０２の上に形成することができる。第２層２０８はまた、コンフォーマル堆積プロセス中に形成させることができ、第２層２０８は、第１層２０６及び基板２０２の両方に接触させることができる。一実施形態では、第１層２０６は、第１マスクを利用して堆積させることができ、第２層２０８は、第２マスクを利用して堆積させることができる。オプションで、（破線で示される）第３層２１０が、第１層２０６と第２層２０８との間に配置されてもよい。

図３は、基板２０２などの基板を処理する方法３００を概略的に示す。操作３１０では、デバイス構造が上に形成された基板を、処理システム内に搬送することができる。例えば、デバイス構造２０４が上に形成された基板２０２を、処理システム１００内に搬送することができる。一実施例では、基板２０２を第１搬送チャンバ１１１内に搬送し、その後、第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅのうちの１つへ搬送することができる。第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅのうちの１つの中への基板２０２の搬送の前に、第１マスクを第１マスクチャンバ１０８から第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅへ搬送することができる。第１マスクは、後に処理される基板上に堆積パターンを生成するために利用することができる。

操作３２０では、第１層は、処理システムの第１クラスタツール内で第１マスクを用いて基板上に堆積させることができる。例えば、第１マスクは、基板２０２上での第１層２０６の堆積中に利用することができる。第１層の堆積プロセスは、第１クラスタツール１０２の１以上の第１処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅ内で実行することができる。

操作３３０では、基板は、処理システムの第２クラスタツールに搬送することができる。例えば、基板２０２は、第１クラスタツール１０２からパススルー１０６を通って第２クラスタツール１０４内に搬送することができる。第２搬送チャンバ１２１は、パススルー１０６から基板２０２を受け取り、第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅのうちの１つの中に基板２０２を搬送することができる。第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅのうちの１つへの基板２０２の搬送の前に、第２マスクを第２マスクチャンバ１１０から第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｅまで搬送することができる。第２マスクは、後に処理される基板上に堆積パターンを生成するために利用することができる。

操作３４０では、第２層は、処理システムの第２クラスタツール内で第２マスクを用いて基板上に堆積させることができる。例えば、第２マスクは、基板２０２上での第２層２０８の堆積中に利用することができる。第２層の堆積プロセスは、第２クラスタツール２０４の１以上の第２処理チャンバ１２２Ａ−１２２Ｄ内で実行することができる。

第１クラスタツール１０２内で実行される堆積プロセス内で使用される第１マスク及び第２クラスタツール１０４内で実行される堆積プロセス内で使用される第２マスクは、それぞれ第１マスクチャンバ１０８及び第２マスクチャンバ１１０内で加熱及び冷却させることができる。マスクチャンバ１０８、１１０内でのマスクの加熱及び冷却は、処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅ、１２２Ａ−１２２Ｅ内に存在する処理条件へ曝露させるためのマスクを準備することができる。このように、処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅ、１２２Ａ−１２２Ｅ内で新たな予備加熱したマスクは、処理の前にマスクを加熱するために待機時間を必要としない。マスクチャンバ１０８、１１０はまた、使用後のマスクを保管し、搬送チャンバ１１１、１２１からそれぞれシールさせることができ、これによって処理を中断しないようにクラスタツール１０２、１０４の真空を破ることなく、マスクを切り替えるために、マスクチャンバ１０８、１１０が開くことを可能にする。このように、マスクチャンバ１０８、１１０内で実行されるマスクの準備プロセスは、処理チャンバ１１２Ａ−１１２Ｅ、１２２Ａ−１２２Ｅで使用するための複数のマスクを加熱又は冷却することによって、スループットを向上させることができると理解される。更に、第１クラスタツール１０２及び第２クラスタツール１０４にマスクチャンバ１０８、１１０をそれぞれ含むことは、改善された処理システムのレイアウト及び改善された操作効率を提供することができる。

上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の及び更なる実施形態は本開示の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の実用新案登録請求の範囲に基づいて定められる。

Claims (19)

1. 第１クラスタツールであって、
   第１搬送チャンバと、
   第１搬送チャンバに結合された第１マスクチャンバと、
   第１搬送チャンバに結合された１以上の第１処理チャンバとを含む第１クラスタツールと、
   第２クラスタツールであって、
   第２搬送チャンバと、
   第２搬送チャンバに結合された第２マスクチャンバと、
   第２搬送チャンバに結合された１以上の第２処理チャンバとを含む第２クラスタツールと、
   第１クラスタツールと第２クラスタツールとの間に配置されたパススルーとを含む基板処理システム。
2. パススルーは、
   ターンチャンバと、
   第１搬送チャンバとターンチャンバとの間に結合された第１パススルーチャンバとを含む、請求項１記載の処理システム。
3. パススルーは、
   第２搬送チャンバとターンチャンバとの間に結合された第２パススルーチャンバを含む、請求項２記載の処理システム。
4. パススルーは、
   パススルーを第１クラスタツールと第２クラスタツールとの間で基板を搬送するように動作可能にしながら、複数の基板をキューに入れるように構成されたバッファチャンバを含む、請求項１記載の処理システム。
5. 第１クラスタツールは、第２クラスタツールが第２処理チャンバを有するよりも多くの第１処理チャンバを有する、請求項１記載の処理システム。
6. 第１クラスタクールは、５つの第１処理チャンバを有する、請求項５記載の処理システム。
7. 第２クラスタツールは、４つの第２処理チャンバを有する、請求項６記載の処理システム。
8. 第１処理チャンバ及び第２処理チャンバは、１以上の薄膜層を堆積するように構成される、請求項１記載の処理システム。
9. 第１マスクチャンバは、マスク加熱要素を含む、請求項１記載の処理システム。
10. 第１クラスタツールであって、
    第１搬送チャンバと、
    第１搬送チャンバに結合された第１ロードロックチャンバと、
    第１搬送チャンバに結合された第１マスクチャンバであって、第１マスクチャンバは、第１搬送チャンバの真空環境から隔離されながら、大気からマスクをロードするように操作可能である第１マスクチャンバと、
    第１搬送チャンバに結合された１以上の第１処理チャンバとを含む第１クラスタツールと、
    第１クラスタツールに結合された第２クラスタツールであって、
    第２搬送チャンバと、
    第２搬送チャンバに結合された第２ロードロックチャンバと、
    第２搬送チャンバに結合された第２マスクチャンバであって、第２マスクチャンバは、第２搬送チャンバの真空環境から隔離されながら、大気からマスクをロードするように操作可能である第２マスクチャンバと、
    第２搬送チャンバに結合された１以上の第２処理チャンバとを含む第２クラスタツールとを含む基板処理システム。
11. 第１クラスタツールと第２クラスタツールとの間に配置されたターンチャンバであって、第１クラスタツールと第２クラスタツールとの間で搬送されながら、基板を１８０°回転するように操作可能なターンチャンバを含む、請求項１０記載の処理システム。
12. 第１クラスタツールとターンチャンバとの間に配置された第１パススルーチャンバと、第２クラスタツールとターンチャンバとの間に配置された第２パススルーチャンバとを含む、請求項１１記載の処理システム。
13. 第１クラスタツールは、Ｎ個の第１処理チャンバを含み、第２クラスタツールは、Ｎ−１個の第２処理チャンバを含む、請求項１０記載の処理システム。
14. 第１クラスタクールは、５つの第１処理チャンバを有する、請求項１３記載の処理システム。
15. 第２クラスタツールは、４つの第２処理チャンバを有する、請求項１４記載の処理システム。
16. 第１クラスタツールは、基板上に第１層を堆積するように構成され、第２クラスタツールは、前記基板上に第２層を堆積するように構成される、請求項１０記載の処理システム。
17. 第１マスクチャンバ及び第２マスクのチャンバは、１以上のマスクを加熱するように構成される、請求項１０記載の処理システム。
18. 第１クラスタツールであって、
    第１搬送チャンバと、
    第１搬送チャンバに結合された第１ロードロックチャンバと、
    第１搬送チャンバに結合された第１マスクチャンバであって、第１マスクチャンバは、第１搬送チャンバの真空環境から隔離されながら、大気から１以上の第１マスクをロードし、前記第１マスクを加熱するように操作可能である第１マスクチャンバと、
    第１搬送チャンバに結合された１以上の第１処理チャンバであって、基板上に第１ケイ素含有層を堆積するように構成された１以上の第１処理チャンバとを含む第１クラスタツールと、
    第１クラスタツールに結合された第２クラスタツールであって、
    第２搬送チャンバと、
    第２搬送チャンバに結合された第２ロードロックチャンバと、
    第２搬送チャンバに結合された第２マスクチャンバであって、第２マスクチャンバは、第２搬送チャンバの真空環境から隔離されながら、大気から１以上の第２マスクをロードし、前記第２マスクを加熱するように操作可能である第２マスクチャンバと、
    第２搬送チャンバに結合された１以上の第２処理チャンバであって、前記基板上に第２ケイ素含有層を堆積するように構成された１以上の第２処理チャンバとを含む第２クラスタツールとを含む基板処理システム。
19. 第２クラスタツールは、第１クラスタツールが第１処理チャンバを有するよりも少ない第２処理チャンバを有する、請求項１８記載の処理システム。