JP3198693B2 - ダイオード - Google Patents
ダイオードInfo
- Publication number
- JP3198693B2 JP3198693B2 JP636693A JP636693A JP3198693B2 JP 3198693 B2 JP3198693 B2 JP 3198693B2 JP 636693 A JP636693 A JP 636693A JP 636693 A JP636693 A JP 636693A JP 3198693 B2 JP3198693 B2 JP 3198693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- cap
- lead terminal
- diode
- diode chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は大電流用として用いられ
るダイオードに係り、詳しくは、そのパッケージ構造に
関する。
るダイオードに係り、詳しくは、そのパッケージ構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、大電流用のダイオードとして
は、図４で示すように、ともに金属からなるステム２１
及びキャップ２２を備えており、ステム２１を覆うキャ
ップ２２によってダイオードチップ２３を封止したもの
が知られている。すなわち、このステム２１はアルミニ
ウムのような電気良導性の金属からなり、その一面には
ダイオードチップ２３が低融点金属などの導電性物質
（図示していない）を用いることによって固定されてい
る。そして、このダイオードチップ２３の一方の電極
（例えば、カソード電極）はステム２１を介してグラン
ド側のリード端子２４に導通する一方、その他方の電極
（例えば、アノード電極）はボンディングワイヤ２５を
通じることによって非グランド側のリード端子２６に接
続されている。また、このとき、キャップ２２の外面に
は、放熱フィン２２ａが一体に形成されている。
は、図４で示すように、ともに金属からなるステム２１
及びキャップ２２を備えており、ステム２１を覆うキャ
ップ２２によってダイオードチップ２３を封止したもの
が知られている。すなわち、このステム２１はアルミニ
ウムのような電気良導性の金属からなり、その一面には
ダイオードチップ２３が低融点金属などの導電性物質
（図示していない）を用いることによって固定されてい
る。そして、このダイオードチップ２３の一方の電極
（例えば、カソード電極）はステム２１を介してグラン
ド側のリード端子２４に導通する一方、その他方の電極
（例えば、アノード電極）はボンディングワイヤ２５を
通じることによって非グランド側のリード端子２６に接
続されている。また、このとき、キャップ２２の外面に
は、放熱フィン２２ａが一体に形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来構
成とされたダイオードでは、これに流れる電流値が大き
くなると、ボンディングワイヤ２５の抵抗が無視できな
くなり、最悪の場合、ボンディングワイヤ２５が焼損す
ることがある。そのため、使用電流の上限値を大きく引
き上げることができない。
成とされたダイオードでは、これに流れる電流値が大き
くなると、ボンディングワイヤ２５の抵抗が無視できな
くなり、最悪の場合、ボンディングワイヤ２５が焼損す
ることがある。そのため、使用電流の上限値を大きく引
き上げることができない。
【０００４】また、ダイオードチップ２３は低融点金属
によりステム２１に固定されているが、この低融点金属
は、ダイオードチップ２３の発熱と冷却との熱衝撃によ
り、経時的に劣化して接合力を失い、ダイオードチップ
２３がステム２１から剥がれることがある。
によりステム２１に固定されているが、この低融点金属
は、ダイオードチップ２３の発熱と冷却との熱衝撃によ
り、経時的に劣化して接合力を失い、ダイオードチップ
２３がステム２１から剥がれることがある。
【０００５】さらに、ダイオードチップ２３での発生熱
の大部分は、まずステム２１に伝わり、その周囲の取付
部を介してキャップ２２に伝達されて、放熱フィン２２
ａから放熱されるようになっており、熱の伝達経路が長
く、その途中に比較的に断面積の小さな部分があるか
ら、熱抵抗が大きく、充分な放熱効果が得られず、その
ため、使用電流値が制限される。
の大部分は、まずステム２１に伝わり、その周囲の取付
部を介してキャップ２２に伝達されて、放熱フィン２２
ａから放熱されるようになっており、熱の伝達経路が長
く、その途中に比較的に断面積の小さな部分があるか
ら、熱抵抗が大きく、充分な放熱効果が得られず、その
ため、使用電流値が制限される。
【０００６】本発明は、これらの不都合に鑑みて創案さ
れたものであって、ボンディングワイヤの焼損やダイオ
ードチップの剥がれ等の不具合を無くすとともに、放熱
効果を良好にして従来より大きい電流での使用が可能な
ダイオードの提供を目的としている。
れたものであって、ボンディングワイヤの焼損やダイオ
ードチップの剥がれ等の不具合を無くすとともに、放熱
効果を良好にして従来より大きい電流での使用が可能な
ダイオードの提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るダイオード
は、このような目的を達成するために、外周面に雄ねじ
部を有する金属製のステムと、このステムに螺合可能な
雌ねじ部を内周面に有し、外面に放熱フィンを有する金
属製のキャップと、ステムもしくはキャップいずれか一
方の金属容器を貫通し、絶縁体を介して支持されたリー
ド端子と、ステム及びキャップの螺合によって挟持さ
れ、かつ、リード端子の内端部とこれを支持しない他方
側の金属容器とのそれぞれに電極が接触するダイオード
チップとを備えている。
は、このような目的を達成するために、外周面に雄ねじ
部を有する金属製のステムと、このステムに螺合可能な
雌ねじ部を内周面に有し、外面に放熱フィンを有する金
属製のキャップと、ステムもしくはキャップいずれか一
方の金属容器を貫通し、絶縁体を介して支持されたリー
ド端子と、ステム及びキャップの螺合によって挟持さ
れ、かつ、リード端子の内端部とこれを支持しない他方
側の金属容器とのそれぞれに電極が接触するダイオード
チップとを備えている。
【０００８】
【作用】上記構成において、リード端子が金属容器であ
るキャップによって支持されている場合、ダイオードチ
ップはこのリード端子の内端部とステムとの間に挟持さ
れており、その電極それぞれはリード端子とステムとに
導通して接続されていることになる。また、リード端子
がステムを貫通している場合には、ダイオードチップが
そのリード端子の内端部とキャップとの間に挟持されて
いることになり、両者に対して接続されることになる。
そこで、いずれの場合においても、ボンディングワイヤ
の使用や低融点金属によるダイオードチップの固定は不
要となる。また、ダイオードチップから放熱フィンまで
の熱伝達経路が広くかつ短くなる結果、効率的な放熱が
行われることになる。
るキャップによって支持されている場合、ダイオードチ
ップはこのリード端子の内端部とステムとの間に挟持さ
れており、その電極それぞれはリード端子とステムとに
導通して接続されていることになる。また、リード端子
がステムを貫通している場合には、ダイオードチップが
そのリード端子の内端部とキャップとの間に挟持されて
いることになり、両者に対して接続されることになる。
そこで、いずれの場合においても、ボンディングワイヤ
の使用や低融点金属によるダイオードチップの固定は不
要となる。また、ダイオードチップから放熱フィンまで
の熱伝達経路が広くかつ短くなる結果、効率的な放熱が
行われることになる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１０】第１実施例 図１は本発明の第１実施例に係るダイオードの断面図で
あり、この図１における符号１はステム、２はキャッ
プ、３は非グランド側のリード端子、４はグランド側の
リード端子、５はダイオードチップである。
あり、この図１における符号１はステム、２はキャッ
プ、３は非グランド側のリード端子、４はグランド側の
リード端子、５はダイオードチップである。
【００１１】ステム１は円柱形の金属ブロックからな
り、その外周面には雄ねじ部１ａが形成されている。そ
して、キャップ２はステム１とともに金属容器を構成し
ており、その内周面にはステム１の雄ねじ部１ａと螺合
する雌ねじ部２ａが形成される一方、その外周面には放
熱フィン２ｂが一体として形成されている。また、この
キャップ２の頂部には貫通孔６が形成されており、この
貫通孔６を通じて非グランド側のリード端子３がキャッ
プ２を貫通している。さらに、このリード端子３の内端
部には偏平に広がった接触部３ａが形成されており、こ
のリード端子３とキャップ２との間には樹脂素材等から
なる絶縁体７及び滑動用スペーサ８が介装されている。
なお、グランド側のリード端子４は、ステム１の外端面
上に一体として形成されている。
り、その外周面には雄ねじ部１ａが形成されている。そ
して、キャップ２はステム１とともに金属容器を構成し
ており、その内周面にはステム１の雄ねじ部１ａと螺合
する雌ねじ部２ａが形成される一方、その外周面には放
熱フィン２ｂが一体として形成されている。また、この
キャップ２の頂部には貫通孔６が形成されており、この
貫通孔６を通じて非グランド側のリード端子３がキャッ
プ２を貫通している。さらに、このリード端子３の内端
部には偏平に広がった接触部３ａが形成されており、こ
のリード端子３とキャップ２との間には樹脂素材等から
なる絶縁体７及び滑動用スペーサ８が介装されている。
なお、グランド側のリード端子４は、ステム１の外端面
上に一体として形成されている。
【００１２】一方、ダイオードチップ５は、ステム１の
上側に位置する内端面上に載置されている。そして、こ
のダイオードチップ５は、図中の仮想線で示すように、
ステム１に対してキャップ２を所定深さまで螺合するこ
とによりステム１とリード端子３の接触部３ａとの間に
挟持されて固定されるとともに、その両主面上に設けら
れた電極（図示していない）のそれぞれはステム１及び
リード端子３の接触部３ａと接触して電気的に接続され
るようになっている。
上側に位置する内端面上に載置されている。そして、こ
のダイオードチップ５は、図中の仮想線で示すように、
ステム１に対してキャップ２を所定深さまで螺合するこ
とによりステム１とリード端子３の接触部３ａとの間に
挟持されて固定されるとともに、その両主面上に設けら
れた電極（図示していない）のそれぞれはステム１及び
リード端子３の接触部３ａと接触して電気的に接続され
るようになっている。
【００１３】すなわち、このようにしてダイオードチッ
プ５は、非グランド側のリード端子３の内端部とステム
１との間に挟持され、かつ、両者に対して電気的に接続
されるのであるから、従来例のようなワイヤボンディン
グを行う必要はなくなり、ボンディングワイヤの省略が
可能となる。また、この際、ダイオードチップ５はステ
ム１の内端面上に載置するだけでよく、これを低融点金
属等によって固定しておく必要もないことになる。
プ５は、非グランド側のリード端子３の内端部とステム
１との間に挟持され、かつ、両者に対して電気的に接続
されるのであるから、従来例のようなワイヤボンディン
グを行う必要はなくなり、ボンディングワイヤの省略が
可能となる。また、この際、ダイオードチップ５はステ
ム１の内端面上に載置するだけでよく、これを低融点金
属等によって固定しておく必要もないことになる。
【００１４】さらに、ダイオードチップ５で発生する熱
の大部分は、ステム１からその外周のねじ合わせ部分を
通じてキャップ２に伝達されることになる。そこで、ダ
イオードチップ５から放熱フィン２ｂに至る熱の伝達経
路は短くて断面積が広くなる結果、熱抵抗が小さくな
り、充分に大きな放熱効果が得られることになる。
の大部分は、ステム１からその外周のねじ合わせ部分を
通じてキャップ２に伝達されることになる。そこで、ダ
イオードチップ５から放熱フィン２ｂに至る熱の伝達経
路は短くて断面積が広くなる結果、熱抵抗が小さくな
り、充分に大きな放熱効果が得られることになる。
【００１５】第２実施例 次に、図２及び図３に基づいて本発明の第２実施例を説
明する。
明する。
【００１６】図２は本発明の第２実施例に係るダイオー
ドの断面図であり、図３はその一部であるステムの平面
図である。
ドの断面図であり、図３はその一部であるステムの平面
図である。
【００１７】この実施例のダイオードが、円柱形とされ
たうえで外周面に雄ねじ部１ａが形成されたステム１
と、内周面にステム１の雄ねじ部１ａと螺合する雌ねじ
部２ａを有し、かつ、外面には放熱フィン２ｂが一体に
形成されたキャップ２と、グランド側及び非グランド側
一対のリード端子３，４と、ダイオードチップ５とを備
えているのは、第１実施例と同様である。
たうえで外周面に雄ねじ部１ａが形成されたステム１
と、内周面にステム１の雄ねじ部１ａと螺合する雌ねじ
部２ａを有し、かつ、外面には放熱フィン２ｂが一体に
形成されたキャップ２と、グランド側及び非グランド側
一対のリード端子３，４と、ダイオードチップ５とを備
えているのは、第１実施例と同様である。
【００１８】まず、この第２実施例に係るダイオードで
は、一対のリード端子３，４がステム１に設けられてお
り、このうち、グランド側のリード端子３は絶縁された
状態でステム１を貫通している。すなわち、ステム１の
上側に位置する内端面上には、平面視角形状とされた凹
部９と、この凹部９から外端面にまで通じる貫通孔１０
とが形成されている。そして、この貫通孔１０には内端
部に偏平な接触部３ａを有するグランド側のリード端子
３が挿通されており、このリード端子３の接触部３ａは
ステム１の凹部９内に不回動状として嵌入されている。
また、このリード端子３とステム１との間には絶縁体７
が介装されており、リード端子３の接触部３ａの背面側
には圧縮バネ等の弾性体１１が介装されている。さらに
また、このとき、非グランド側のリード端子４は、グラ
ンド側のリード端子３と並立するようにしてステム１の
外端面上で一体に突設されている。
は、一対のリード端子３，４がステム１に設けられてお
り、このうち、グランド側のリード端子３は絶縁された
状態でステム１を貫通している。すなわち、ステム１の
上側に位置する内端面上には、平面視角形状とされた凹
部９と、この凹部９から外端面にまで通じる貫通孔１０
とが形成されている。そして、この貫通孔１０には内端
部に偏平な接触部３ａを有するグランド側のリード端子
３が挿通されており、このリード端子３の接触部３ａは
ステム１の凹部９内に不回動状として嵌入されている。
また、このリード端子３とステム１との間には絶縁体７
が介装されており、リード端子３の接触部３ａの背面側
には圧縮バネ等の弾性体１１が介装されている。さらに
また、このとき、非グランド側のリード端子４は、グラ
ンド側のリード端子３と並立するようにしてステム１の
外端面上で一体に突設されている。
【００１９】一方、キャップ２の頂部内面上には押え部
２ｃが突起状として一体に形成されており、放熱フィン
２ｂは頂部外面上に形成されている。なお、図中の符号
１２は、キャップ２の押え部２ｃとダイオードチップ５
との間に介装される導電性の滑動用スペーサを示してい
る。
２ｃが突起状として一体に形成されており、放熱フィン
２ｂは頂部外面上に形成されている。なお、図中の符号
１２は、キャップ２の押え部２ｃとダイオードチップ５
との間に介装される導電性の滑動用スペーサを示してい
る。
【００２０】ところで、ダイオードチップ５は、ステム
１の凹部９内において、グランド側のリード端子３の有
する接触部３ａ上に載置されている。そして、このダイ
オードチップ５は、図２中の仮想線で示すように、ステ
ム１に対してキャップ２を所定深さまで螺合することに
より、リード端子３の接触部３ａとキャップ２の押え部
２ｃとの間に滑動用スペーサ１２を介して挟持されるこ
とによって固定されており、ダイオードチップ５の各電
極はリード端子３及びキャップ２のそれぞれに対して電
気的に接続されている。なお、このとき、キャップ２
は、ステム１とのねじ合わせ部分を通じて非グランド側
のリード端子４に導通している。すなわち、このダイオ
ードチップ５は、グランド側のリード端子３の内端部と
キャップ２との間に挟持されるとともに、両者に対して
電気的に接続されていることになる。
１の凹部９内において、グランド側のリード端子３の有
する接触部３ａ上に載置されている。そして、このダイ
オードチップ５は、図２中の仮想線で示すように、ステ
ム１に対してキャップ２を所定深さまで螺合することに
より、リード端子３の接触部３ａとキャップ２の押え部
２ｃとの間に滑動用スペーサ１２を介して挟持されるこ
とによって固定されており、ダイオードチップ５の各電
極はリード端子３及びキャップ２のそれぞれに対して電
気的に接続されている。なお、このとき、キャップ２
は、ステム１とのねじ合わせ部分を通じて非グランド側
のリード端子４に導通している。すなわち、このダイオ
ードチップ５は、グランド側のリード端子３の内端部と
キャップ２との間に挟持されるとともに、両者に対して
電気的に接続されていることになる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイオードチップがステムもしくはキャップいずれか一
方の金属容器を貫通するリード端子の内端部と他方側の
金属容器との間に挟持されることになり、両者に対して
電気的に接続されているから、ボンディングワイヤを用
いての接続を行う必要がなる結果、使用電流が制限され
たり、その焼損というような不都合が生じることはなく
なる。
ダイオードチップがステムもしくはキャップいずれか一
方の金属容器を貫通するリード端子の内端部と他方側の
金属容器との間に挟持されることになり、両者に対して
電気的に接続されているから、ボンディングワイヤを用
いての接続を行う必要がなる結果、使用電流が制限され
たり、その焼損というような不都合が生じることはなく
なる。
【００２２】また、ダイオードチップを低融点金属によ
って固定する必要がないので、低融点金属の劣化による
ダイオードチップの剥がれも生じない。さらに、ダイオ
ードチップから放熱フィンに至る熱の伝達経路が短く、
かつ、断面積が広くなるから、充分に大きな放熱効果が
得られることになり、ボンディングワイヤによる電流制
限がないことと相俟って従来例より大きな電流での使用
が可能になる。
って固定する必要がないので、低融点金属の劣化による
ダイオードチップの剥がれも生じない。さらに、ダイオ
ードチップから放熱フィンに至る熱の伝達経路が短く、
かつ、断面積が広くなるから、充分に大きな放熱効果が
得られることになり、ボンディングワイヤによる電流制
限がないことと相俟って従来例より大きな電流での使用
が可能になる。
【図１】本発明の第１実施例に係るダイオードの断面図
である。
である。
【図２】本発明の第２実施例に係るダイオードの断面図
である。
である。
【図３】上記第２実施例のステムの平面図である。
【図４】従来例に係るダイオードの断面図である。
１ ステム １ａ 雄ねじ部 ２ キャップ ２ａ 雌ねじ部 ２ｂ 放熱フィン ３ リード端子 ５ ダイオードチップ
Claims (1)
- 【請求項１】 外周面に雄ねじ部（１ａ）を有する金属
製のステム（１）と、 このステム（１）に螺合可能な雌ねじ部（２ａ）を内周
面に有し、外面に放熱フィン（２ｂ）が形成された金属
製のキャップ（２）と、 ステム（１）もしくはキャップ（２）いずれか一方の金
属容器を貫通し、絶縁体（７）を介して支持されたリー
ド端子（３）と、 ステム（１）及びキャップ（２）の螺合によって挟持さ
れ、かつ、リード端子（３）の内端部とこれを支持しな
い他方側の金属容器とのそれぞれに電極が接触するダイ
オードチップ（５）とを備えていることを特徴とするダ
イオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP636693A JP3198693B2 (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP636693A JP3198693B2 (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216267A JPH06216267A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3198693B2 true JP3198693B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=11636370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP636693A Expired - Fee Related JP3198693B2 (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198693B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005112111A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 加圧接触式整流装置 |
| CN109817599B (zh) * | 2019-03-14 | 2024-05-10 | 山东省半导体研究所 | 一种带有新型镀镍引线框架的二极管及其碱洗工艺 |
| JP7046149B1 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-04-01 | 三菱電機株式会社 | 電子回路装置及びその製造方法 |
| CN114496947B (zh) * | 2022-01-06 | 2023-02-10 | 泗阳群鑫电子有限公司 | 一种整流二极管及制作方法 |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP636693A patent/JP3198693B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06216267A (ja) | 1994-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4849803A (en) | Molded resin semiconductor device | |
| US6180930B1 (en) | Heater with enclosing envelope | |
| US4314270A (en) | Hybrid thick film integrated circuit heat dissipating and grounding assembly | |
| JP3198693B2 (ja) | ダイオード | |
| US3434018A (en) | Heat conductive mounting base for a semiconductor device | |
| US4829364A (en) | Semiconductor device | |
| JP4439696B2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
| JP2993286B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP0668648B1 (en) | Semiconductor arrester | |
| JPH03187182A (ja) | 水中ヒーター装置 | |
| JPH0758746B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS61120468A (ja) | 光半導体装置 | |
| USRE34696E (en) | Semiconductor device housing with electrodes in press contact with the opposite sides of chip | |
| JP2714115B2 (ja) | 電力用半導体スイッチ装置 | |
| JPH056641Y2 (ja) | ||
| JPS61248455A (ja) | 電力用半導体素子 | |
| JPS5832245Y2 (ja) | 回転体取付用サ−ジ吸収器 | |
| JPS5846177B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58200560A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62290163A (ja) | 半導体装置 | |
| KR820002122Y1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JPS61256752A (ja) | 半導体装置 | |
| FR2496987A1 (fr) | Electrodes pour pastille semi-conductrice de puissance | |
| JPH01248629A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0618243B2 (ja) | 整流装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |