JPS61248455A - 電力用半導体素子 - Google Patents
電力用半導体素子Info
- Publication number
- JPS61248455A JPS61248455A JP8861585A JP8861585A JPS61248455A JP S61248455 A JPS61248455 A JP S61248455A JP 8861585 A JP8861585 A JP 8861585A JP 8861585 A JP8861585 A JP 8861585A JP S61248455 A JPS61248455 A JP S61248455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling
- semiconductor element
- power semiconductor
- electrodes
- refrigerant liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発ＢＡは半導体素子に保シ、特に、液冷ま九は沸騰冷
却される電力用サイリスタ変換器に好適な電力用半導体
素子に関する。
却される電力用サイリスタ変換器に好適な電力用半導体
素子に関する。
一般に、大容量半導体素子は正負極に銅製のペースをも
っている。一方、冷却フィンも熱伝導率の大きな銅、ま
たは、アルミ材が使用される。沸騰冷却の場合は冷却フ
ィンは半導体素子で発生した熱で冷媒液を沸騰させる。
っている。一方、冷却フィンも熱伝導率の大きな銅、ま
たは、アルミ材が使用される。沸騰冷却の場合は冷却フ
ィンは半導体素子で発生した熱で冷媒液を沸騰させる。
大容量半導体素子では素子及び冷却フィンが大型化し、
熱抵抗の限度から半導体素子の利用率の低下をきたして
きた。
熱抵抗の限度から半導体素子の利用率の低下をきたして
きた。
従来のスタックの構成例は、例えば、実開昭５６−４２
９９９号公報に開示されている。
９９９号公報に開示されている。
〔発明の目的〕 ・
本発明の目的は冷却のための部品を削減することにより
、熱抵抗の低減を図シ、小型なサイリスク変換器を提供
することにある。
、熱抵抗の低減を図シ、小型なサイリスク変換器を提供
することにある。
大容量半導体素子はその発生熱量が大きいため、従来の
強制風冷式では充分な冷却効果が得られない。このため
フロン冷却等の熱伝達率の高い沸騰冷却が用いられる。
強制風冷式では充分な冷却効果が得られない。このため
フロン冷却等の熱伝達率の高い沸騰冷却が用いられる。
この場合、冷却フィンは冷媒液を沸騰させることによっ
て、半導体素子の発生熱を冷媒液へ伝達する。従って、
冷却フィンは強制風冷等に比べて、コンパクトとなって
いる。ところが、半導体素子の電流容量の増加のため、
電極が非常に大きなものとなっている。
て、半導体素子の発生熱を冷媒液へ伝達する。従って、
冷却フィンは強制風冷等に比べて、コンパクトとなって
いる。ところが、半導体素子の電流容量の増加のため、
電極が非常に大きなものとなっている。
よって、この電極に冷媒液を通すための空隙を設けて、
冷却フィンと電極の二つの役割を持たせた。
冷却フィンと電極の二つの役割を持たせた。
このようにして、冷却フイ／を電極で兼用することによ
ｐ１冷却フィン自身の熱抵抗及び半導体素子と冷却フィ
ン間の接触熱抵抗が低減される。
ｐ１冷却フィン自身の熱抵抗及び半導体素子と冷却フィ
ン間の接触熱抵抗が低減される。
以下、本発明の一実施例を第１図によシ説明する。
陽・陰極用の電極１，２、バッファー電極４、シリコン
３、碍子５及び冷媒液６で構成される。
３、碍子５及び冷媒液６で構成される。
この動作はシリコン３で発生した熱を電標１゜２へ伝え
、熱伝達率が飛躍的にのびる核沸騰領域で冷媒液６を沸
騰させることによシ、効率のよい冷却を行なう。
、熱伝達率が飛躍的にのびる核沸騰領域で冷媒液６を沸
騰させることによシ、効率のよい冷却を行なう。
第２図は他の実施例を示す。この場合電極１゜２の中に
、ヒートバイブロのように熱伝導の良好な冷却機材を埋
込んだ場合も同様の効果が得られる。その他の構成は第
１図と同じである。
、ヒートバイブロのように熱伝導の良好な冷却機材を埋
込んだ場合も同様の効果が得られる。その他の構成は第
１図と同じである。
本発明によれば、冷却フィンの熱抵抗、および、半導体
素子と冷却フィン間の接触熱抵抗が低減され、スタック
の小型化が図れる。
素子と冷却フィン間の接触熱抵抗が低減され、スタック
の小型化が図れる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
他の実施例の断面図を示す。
他の実施例の断面図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フラットベース形電力用半導体素子において、その
電極の一方もしくは両極に冷媒液を通し得るような空隙
を設けて、冷却体を兼用することを特徴とする電力用半
導体素子。 ２、特許請求の範囲第１項において、その電極の一方も
しくは両極に熱伝導の良好な冷却用機材を埋込んだこと
を特徴とする電力用半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8861585A JPS61248455A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 電力用半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8861585A JPS61248455A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 電力用半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248455A true JPS61248455A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13947710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8861585A Pending JPS61248455A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 電力用半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008153172A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 半導体素子の冷却構造 |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP8861585A patent/JPS61248455A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008153172A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 半導体素子の冷却構造 |
| US8213179B2 (en) | 2007-06-15 | 2012-07-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor element cooling structure |
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