JPS61256752A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61256752A
JPS61256752A JP60099937A JP9993785A JPS61256752A JP S61256752 A JPS61256752 A JP S61256752A JP 60099937 A JP60099937 A JP 60099937A JP 9993785 A JP9993785 A JP 9993785A JP S61256752 A JPS61256752 A JP S61256752A
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JP
Japan
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heat
semiconductor chip
semiconductor device
case
gas
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JP60099937A
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English (en)
Inventor
Shigeki Horiuchi
堀内　茂樹
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は放熱性の良い半導体装置に関し、特に中空のパ
ッケージ内に水素ガスまたはヘリウムガスを封入した構
造の半導体装置においてその封入ガスの放熱性を高めた
半導体装置の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
先に、本願出願人は、放熱性の良い半導体装置として水
素ガスまたはヘリウムガスを中空のパッケージ内に封入
し、気密封止した構造を備えた半導体装置を提案してい
る。
第２図はこの半導体装置の一例を示す断面図である。同
図において、１は絶縁された電流導入端子１＆を有する
ケース、２はこのケース１上にろう付されている半導体
チップで、その表面の電極はケース１の絶縁された電流
導入端子１鳳と細い金属線３によシミ気的に接続されて
いる。また、４は半導体チップ２を気密封止するために
ケース１に溶接された金属カバーであシ、この金属カバ
ー４とケース１で囲まれた半導体チップ２を含むパッケ
ージの空間は露点の低い水素ガスまたはヘリウムガス５
が封入されている。
このように構成された半導体装置では、半導体チップ２
の中で通電時に発生する熱の放散はろう何部を通しての
ケース１への熱伝導が主であるが、水素ガス、ヘリウム
ガスは気体としては熱伝導率が大きいため、封入ガス５
を通しての熱放散も無視できない割合となる０そのため
、この種半導体装置は、封入ガス５を通しての熱放散の
効果によ）窒素ガス等の水素ガス、ヘリウムガスよ９１
桁熱伝導率の低いガスを封入ガスに用いた半導体装置よ
シ熱抵抗が低くなる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、第２図に示す半導体装置では、半導体チ
ップ２よシ封入ガス５への伝熱は半導体チップ２が封入
ガス５と接触する表面積があｔｂ広くとれないため、充
分とはいえず、封入ガスに水素ガス、ヘリウムガスを用
いたことＫよる熱抵抗の低減効果が弱いという問題点が
あった。
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、水素ガス、ヘリウムガスを封入ガスに用いた
ことによる熱抵抗の低減効果を充分に発揮することので
きる半導体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明に係る半導体装置は、半導体チップが装着すれた
ケースと、このケースに前記半導体チップを気密封止す
べく封着されたカバーとにより中空を有するパッケージ
を構成し、とのノくツケージ内に水素ガスまたはヘリウ
ムガスを封入してなる半導体装置において、前記半導体
チップの表面に表面積の大きな放熱体を取シ付けたもの
である０〔作用〕 本発明の半導体装置においては、半導体チップ表面上の
表面積の大きな放熱体は水素ガス、ヘリウムガスと半導
体チップとの熱接触にかかわる表面積を増大させ、半導
体チップよシの封入ガスへの放熱を大幅に向上させるこ
とができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、１は絶縁された電流導入端子１＆を有
するケース、２はこのケース１上にろう付されている半
導体チップであシ、その表面の電極はケース１の絶縁さ
れた電流導入端子１ａと細い金属線３によルミ気的に接
続されている０また、４は半導体チップ２を気密封止す
るためにケース１に溶接された金属カバーであり、この
金属カバー４とケース１で囲まれた半導体チップ２を含
むパッケージの空間は露点の低い水素ガスまたはヘリウ
ムガス５が封入されている。６は半導体チップ２０表面
に設けられた表面積の大きな放熱体であって、熱伝導率
の高い材料で作られている。
上記実施例構成の半導体装置では、半導体チップ２の中
で通電時に発生する熱の放散は、ろう付は部を通しての
ケース１の熱伝導に加えて、表面積の大きな放熱体６を
介して封入ガスへの伝熱が大きな１割合を占めることに
なる。そのため、本発明によるものは、封入ガス５への
伝熱に寄与する面積が大きくなるため、第２図に示すも
のよシ熱抵抗を低減することができる。特に、半導体チ
ップ２での発熱部が表面積の大きな放熱体６を設けた表
面に近い場合には、この放熱体６による熱抵抗低減の効
果は大きなものとなる。
なお、第１図の実施例では絶縁された電流導入端子が１
本で半導体チップ２がケース１に直接ろう付接地された
最とも簡単な金属カンシールのダイオード構造について
説明したが、水素ガスまたはヘリウムガスを封入ガスに
用いた中空気密封止構造の半導体装置であれば、上記実
施例と同様の効果を奏することは明らかである０ また、放熱体６の形状も第１図の実施例に示した形状に
限定されることなく、封入ガスとの接触面積が大きくと
れる形状であればよいことはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明に係る半導体装置によれば、半導
体チップの表面に表面積の大きな放熱体を設けた構成と
したので、装置の熱抵抗が低減でき、放熱性能の高い半
導体装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示す断面
図、第２図は先に同一出願人によって提案された半導体
装置を示す断面図である０１・・・・ケース、２・・・
・半導体チップ、３・・・・金属線、４・・・・金属カ
バー、５・・・・水素ガスまたはヘリウムガス、６・・
・ｅ放熱体。 第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップが装着されたケースと、該ケースに前記半
    導体チップを気密封止すべく封着されたカバーとにより
    中空を有するパッケージを構成し、このパッケージ内に
    水素ガスまたはヘリウムガスを封入してなる半導体装置
    において、前記半導体チップの表面に熱放散のための表
    面積の大きい放熱体を取付けたことを特徴とする半導体
    装置。
JP60099937A 1985-05-10 1985-05-10 半導体装置 Pending JPS61256752A (ja)

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JP60099937A JPS61256752A (ja) 1985-05-10 1985-05-10 半導体装置

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