JP3197792B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、タングステン膜の一度
のデポジション及びエッチングでは埋め込みが不完全と
なるような開口径の大きなコンタクト孔への埋め込みを
確実なものとする半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】このような開口径の大きなコンタクト孔
へのタングステン膜の埋め込みが不完全になると、例え
ば上層酸化膜の平坦度が劣化したり、膜が薄くなって抵
抗が高くなる。また、タングステン膜の全面エッチング
を行った場合、拡散層の表面が削られたりすることがあ
る。以下、図２１及び図２２の図面に基づきこの種の半
導体装置の製造方法について説明する。

【０００３】図２１に示す５１は一導電型の半導体基
板、例えばＰ型シリコン基板で、該基板５１上に所望位
置に開口を有する不図示のレジスト膜をマスクにして例
えばリンイオン（31Ｐ+ ）を注入して、Ｎ+ 型イオン注
入領域を形成した後に熱拡散して、図に示すようにＮ+
型拡散層５２を形成する。次に、基板全面にＢＰＳＧ膜
から成る層間絶縁膜５３を形成し、不図示のレジスト膜
をマスクにして前記Ｎ+ 型拡散層５２上の該層間絶縁膜
５３をエッチング除去して、それぞれ開口径が例えば
０．７μｍ、１．０μｍ、５．０μｍのコンタクト孔５
４、５５、５６を形成する。

【０００４】続いて、基板全面に例えばおよそ８０００
Åのタングステン膜５７をＣＶＤ法により形成した後
に、該タングステン膜５７を全面エッチングして、図２
２に示すようにコンタクト孔５４、５５、５６内に埋め
込む。このとき、図２２に示すように開口径が０．７μ
ｍ及び１．０μｍのコンタクト孔５４、５５には、タン
グステン膜５７が全体にわたって形成されるが、開口径
が５．０μｍと比較的大型のコンタクト孔５６にはタン
グステン膜５７の埋め込みが不完全となる。このため、
前述したように上層酸化膜の平坦度が劣化したり、抵抗
が高くなるという不都合が発生することになる。そこ
で、従来このような開口径の大きなコンタクト孔は形成
しないように設計上制限を設けていた。尚、このように
０．７μｍ及び１．０μｍ等の通常のコンタクト孔への
タングステン膜の埋め込みと同時に５．０μｍ等の比較
的大きなコンタクト孔へもタングステン膜を埋め込もう
としても不可能であり、一度で埋め込みきらない場合に
タングステン膜の埋め込みを複数回行うことも可能であ
るが、コンタクト孔の開口径に合わせて、例えば開口径
が１００μｍであれば、およそ１００回繰り返す必要が
あり、作業性が悪い。また、５．０μｍのコンタクト孔
が埋まるようにデポジションするタングステン膜の膜厚
を十分に厚くすることも考えられるが、全面エッチング
時間の無駄が多くなり、現実的ではない。

【０００５】また、図２３に示すようなアルミニウムか
ら成る金属配線６１上に層間絶縁膜６２を介して大型の
ビアコンタクト孔６３を形成したものに対して、図２４
に示すようにタングステン膜６４をデポジションした後
に、全面エッチングすると、タングステン膜６４は図２
５に示すようにビアコンタクト孔６３の端部にのみ残
り、埋め込みが不完全となる。この上から図２６に示す
ように全面にアルミニウムから成る金属配線６５を形成
してボンディングパッド６６を形成した後に、当該ボン
ディングパッド６６上に例えばＡｕから成る金属ワイヤ
６７を圧着した場合に、図２６に示すようにボンディン
グパッド６６部はコンタクト孔６３の中央側に向かって
窪んでいるため、金属ワイヤ６７との接着性が悪く、は
がれの原因となっていた。

【０００６】また、前記はがれを防止するため、コンタ
クト孔の開口径を余計に広くとった状態でタングステン
膜及び金属配線の形成を平坦化することにより、ボンデ
ィングパッドとの接着性を向上させるようにしたものも
ある。しかし、この場合ボンディングパッド−パッド間
のピッチの微細化をはかる上で障害となっていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はタン
グステン膜の一度のデポジション及び全面エッチングで
は埋め込みが不完全となるような開口径の大きなコンタ
クト孔への埋め込みを確実なものとすることを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は半導体
基板に形成した一度のタングステン膜のデポジション及
び全面エッチングでは埋め込みきらないコンタクト孔に
タングステン膜を埋め込む場合に、該コンタクト孔内に
スピンオングラス膜を部分的に埋め込んだ後に、コンタ
クト孔内のスピンオングラス膜が埋め込まれていない部
分にのみタングステン膜を埋め込む。そして、前記スピ
ンオングラス膜をエッチング除去した後に、該スピンオ
ングラス膜が除去された部分にタングステン膜を形成し
て、当該コンタクト孔全体にタングステン膜を埋め込む
ものである。

【０００９】また、本発明は通常の膜厚のタングステン
膜の一度のデポジション及び全面エッチング工程で埋め
込みが完了するコンタクト孔と前記工程ではタングステ
ン膜が埋め込みきらない開口径の大きい大型のコンタク
ト孔を有する半導体基板のそれらコンタクト孔内にタン
グステン膜を埋め込む場合に、前記大型のコンタクト孔
内にスピンオングラス膜を部分的に埋め込んだ後に、基
板全面にタングステン膜をデポジションし、全面エッチ
ングして前記通常のコンタクト孔内と大型コンタクト孔
内のスピンオングラス膜が埋め込まれていない部分にの
みタングステン膜を埋め込む。そして、前記スピンオン
グラス膜をエッチング除去した後に、該スピンオングラ
ス膜が除去された部分にタングステン膜を形成して、当
該コンタクト孔全体にタングステン膜を埋め込むもので
ある。

【００１０】更に、本発明はビアコンタクト孔にタング
ステン膜を埋め込んだ上から金属配線を施してボンディ
ングパッドを形成した後に、該ボンディングパッド上に
金属ワイヤを圧着する場合に、前記ビアコンタクト孔内
にスピンオングラス膜を部分的に埋め込んだ後に、該ビ
アコンタクト孔内のスピンオングラス膜が埋め込まれて
いない部分にのみタングステン膜を埋め込む。そして、
前記スピンオングラス膜をエッチング除去した後に、該
スピンオングラス膜が除去された部分にタングステン膜
を形成して、当該ビアコンタクト孔全体にタングステン
膜をほぼ均一な膜厚で埋め込み、その上から金属配線を
施して形成したボンディングパッド上に金属ワイヤを圧
着するものである。

【００１１】

【作用】以上の構成から、半導体基板に形成したコンタ
クト孔内にタングステン膜を埋め込む際に、コンタクト
孔内に部分的にスピンオングラス膜を形成した後に、当
該コンタクト孔内のスピンオングラス膜が埋め込まれて
いない部分にタングステン膜を埋め込む。

【００１２】続いて、前記スピンオングラス膜をエッチ
ング除去した後に、該スピンオングラス膜が除去された
部分にタングステン膜を埋め込むことにより、当該コン
タクト孔内にタングステン膜が完全に埋め込まれる。ま
た、本発明はビアコンタクト孔にタングステン膜を埋め
込んだ上から金属配線を施してボンディングパッドを形
成した後に、該ボンディングパッド上に金属ワイヤを圧
着する場合に、前記ビアコンタクト孔内にスピンオング
ラス膜を部分的に埋め込んだ後に、該ビアコンタクト孔
内のスピンオングラス膜が埋め込まれていない部分にの
みタングステン膜を埋め込む。そして、前記スピンオン
グラス膜をエッチング除去した後に、該スピンオングラ
ス膜が除去された部分にタングステン膜を形成して、当
該ビアコンタクト孔全体にタングステン膜をほぼ均一な
膜厚で埋め込み、その上から金属配線を施して形成した
ボンディングパッド上に金属ワイヤを圧着することによ
り、金属ワイヤのはがれが防止される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図に基づき詳述す
る。図１に示す１は一導電型の半導体基板、例えばＰ型
シリコン基板で、基板全面におよそ５００Åの膜厚のＳ
ｉＯ2 膜２を熱酸化により形成し、更にその上におよそ
１０００Åの膜厚のＳｉ3Ｎ4膜３をＬＰＣＶＤ法により
形成する。

【００１４】次に、図２に示すように前記Ｓｉ3Ｎ4膜３
上に後述するＬＯＣＯＳ酸化膜５形成領域上方にそれぞ
れ開口を有するレジスト膜４を形成した後に、該レジス
ト膜４をマスクにしてＬＯＣＯＳ酸化膜５形成領域上の
Ｓｉ3Ｎ4膜３をエッチング除去する。続いて、図３に示
すように前記レジスト膜４を除去した後、およそ９５０
℃パイロジェニック酸化によりおよそ６０００Åの膜厚
のＬＯＣＯＳ酸化膜５を形成する。

【００１５】そして、図４に示すようにＳｉ3Ｎ4膜３及
びＳｉＯ2 膜２を除去した後に、基板上を熱酸化してゲ
ート酸化膜７を形成した後に、ＬＯＣＯＳ酸化膜５をマ
スクにして例えばリンイオン（31Ｐ+ ）をおよそ加速電
圧８０ＫｅＶ、 注入量４Ｅ１５／ｃｍ2 の条件で注入し
て、Ｎ+ 型拡散層６を形成する。続いて、基板全面にお
よそ５０００ÅのＳｉＯ2 膜から成る層間絶縁膜７を常
圧ＣＶＤ法等により形成し、不図示のレジスト膜をマス
クにして層間絶縁膜７をドライエッチングによりＮ+ 拡
散層６上にそれぞれ開口径が例えば０．７μｍ、１．０
μｍ、５．０μｍのコンタクト孔８、９、１０を形成す
る。

【００１６】そして、基板全面におよそ５００Åの膜厚
のチタン膜１１及びおよそ１０００Åの膜厚の窒化チタ
ン膜１２から成るバリアメタルをスパッタリング法によ
り積層する。次に、図６に示すように前記コンタクト孔
８、９、１０を埋めるため、前記バリアメタル上に例え
ばおよそ５０００Åの厚さでクラックが入らないＳｉ
（ＯＨ）4 を主成分とする有機のＳＯＧ膜（スピンオン
グラス膜）１３を塗布して、およそ４００℃で、３０分
間ベークにより架橋反応を起こしＳｉＯ2 膜とする。
尚、一度では該コンタクト孔８、９、１０が埋まりきら
ない場合には、再びＳＯＧ膜を塗布して、ベークする。
また、無機のＳＯＧ膜は厚くすると（無機は１０００Å
以上で）クラックが入るため、使用しない。

【００１７】続いて、基板全面にレジスト膜１４を塗布
した後に、不図示のマスクを介して図７に示すように大
型のコンタクト孔１２内に形成したＳＯＧ膜１３上にの
みその幅がおよそ１．０μｍとなるように当該レジスト
膜１４をエッチング除去した後に、該レジスト膜１４を
マスクにしてＳＯＧ膜１３を異方性のドライエッチング
で除去する。これにより、本実施例では図７に示すよう
に該５．０μｍの大型のコンタクト孔１０と該１．０μ
ｍの各ＳＯＧ膜１３、１３との間の開口１６Ａの開口径
は１．０μｍとなり、後述するタングステン膜１５によ
る一度のデポジション及び全面エッチングにより埋め込
みが可能なサイズとなる。このように本実施例では、一
度のデポジション及びエッチングにより埋め込みが可能
な許容サイズとして、例えば１．０μｍを採用した。ま
た、例えば開口径が３．０μｍのコンタクト孔への埋め
込みを行う場合には、ＳＯＧ膜をコンタクト孔の中央部
の１カ所に設ければ良い。尚、この際ＳＯＧ膜を該コン
タクト孔を貫くように形成しても良く、両側が１．０μ
ｍずつ空くように形成しても良く、要するにコンタクト
孔内にＳＯＧ膜を部分的に形成することにより、コンタ
クト孔内のＳＯＧ膜が埋め込まれていない部分の隙間が
タングステン膜が完全に埋まるだけの開口径となってい
ればどのような形でも良い。以下、種々の開口径のコン
タクト孔に対してもＳＯＧ膜による仕切りの数を増減し
たり、配置を変更することにより、同様に行える。

【００１８】次に、レジスト膜１４を除去した後に、タ
ングステン膜１５をデポジションし、全面エッチングす
ることにより、図８に示すようにコンタクト孔８、９内
全体にタングステン膜１５を埋設すると共に、コンタク
ト孔１０とＳＯＧ膜１３との間の開口１６Ａにもタング
ステン膜１５を埋設する。続いて、ＳＯＧ膜１３を除去
するためにウェットエッチングを行い、図９に示すよう
に開口１６Ｂを形成する。この際、前記バリアメタルと
してのチタン膜１１及び窒化チタン膜１２によりＳｉＯ
2 膜から成る層間絶縁膜７のエッチングが防止される。

【００１９】そして、基板全面にタングステン膜１７を
デポジションし、全面エッチングすることにより、図１
０に示すように前記開口１６Ｂ内にタングステン膜１７
を埋設する。このようにして、大型のコンタクト孔内に
もタングステン膜を完全に埋設することができるように
なり、例えば上層酸化膜の平坦度が劣化したり、コンタ
クト抵抗が高くなるという不都合がなくなり、装置の信
頼性が向上する。従って、従来パターン設計上制限され
ていたこのような大型のコンタクト孔も扱えるようにな
り、設計上の制限を受けることが無くなる。

【００２０】尚、本発明は多層配線構造の半導体装置に
おいても同様に適用されるものである。また、ビアコン
タクト孔を介してボンディングパッドを埋める場合の実
施例について図１１乃至図１９を基に説明する。尚、第
１の実施例と同等の構成については同符号を付して、そ
の説明は省略する。

【００２１】先ず、図１１に示すように基板上にＬＯＣ
ＯＳ酸化膜５及びＮ+ 拡散層６を形成し、その上に層間
絶縁膜７を形成した後に、不図示のレジスト膜をマスク
にして該層間絶縁膜７をエッチングして所望位置にコン
タクト孔８、９を形成する。そして、基板全面にチタン
膜１１及び窒化チタン膜１２を積層した後に、前記コン
タクト孔８、９を介してＮ+ 型拡散層６にコンタクトす
るタングステン膜１５を形成する。

【００２２】次に、基板全面にスパッタリング法等によ
り６０００Åのアルミニウム膜を形成した後に、不図示
のレジスト膜をマスクにして当該アルミニウム膜及び前
記窒化チタン膜１２、チタン膜１１をエッチングして、
図１２に示すように金属配線２０、２１を形成する。続
いて、図１３に示すように基板全面におよそ６０００Å
の膜厚のＳｉＯ2 膜から成る層間絶縁膜２２を形成し、
前記金属配線２１の上方にビアコンタクト孔２３Ａ及び
２３Ｂを形成した後に、基板全面にチタン膜２４及び窒
化チタン膜２５を積層する。

【００２３】そして、図１４に示すように前記ビアコン
タクト孔２３Ａ、２３Ｂ内に前述したようにＳＯＧ膜２
６を塗布し、例えばおよそ４００℃で、３０分間ベーク
してＳｉＯ2 膜とする。尚、一度では該コンタクト孔２
３が埋まりきらない場合には、再びＳＯＧ膜を塗布し
て、ベークする。続いて、基板全面にレジスト膜２７を
塗布した後に、不図示のマスクを介して図１５に示すよ
うに大型のコンタクト孔２３Ｂ内に形成したＳＯＧ膜２
６上にその幅がおよそ１．０μｍとなるように当該レジ
スト膜２７をエッチング除去した後に、該レジスト膜２
７をマスクにしてＳＯＧ膜２６を異方性のドライエッチ
ングで除去する。

【００２４】次に、レジスト膜２７を除去した後に、タ
ングステン膜２８をデポジションし、全面エッチングす
ることにより、図１６に示すようにコンタクト孔２３Ａ
内及びコンタクト孔２３ＢとＳＯＧ膜２６との間の開口
内にタングステン膜２８を埋設する。続いて、ＳＯＧ膜
２６を除去するためにウェットエッチングを行い、不図
示の開口を形成する。この際、前記バリアメタルとして
のチタン膜２４及び窒化チタン膜２５によりＳｉＯ2 膜
から成る層間絶縁膜２２のエッチングが防止される。

【００２５】そして、基板全面にタングステン膜２９を
デポジションし、全面エッチングすることにより、図１
７に示すように前記開口内にタングステン膜２９を埋設
する。次に、基板全面におよそ７０００Åのアルミニウ
ム膜を形成した後に、不図示のレジスト膜をマスクにし
て当該アルミニウム膜及び前記窒化チタン膜２５、チタ
ン膜２４をエッチングして、図１８に示すようにアルミ
配線３０及びポッドアルミによりボンディングパッド３
１を形成する。つまり、アルミ配線３０とボンディング
パッド３１は同時に形成される。

【００２６】次に、基板全面にパッシベーション膜３２
をシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）で６０００Åつけてパ
ッド部のみレジスト膜をマスクとして、当該シリコン窒
化膜をエッチングし、図１９に示すようにパッド開口部
３３を形成する。そして、図２０に示すように前記ボン
ディングパッド３１上に例えばＡｕから成る金属ワイヤ
３４を圧着する。

【００２７】この場合、図に示すようにボンディングパ
ッド３１がフラットに形成されているので、金属ワイヤ
３４の接着性が向上する。そのため、従来、発生してい
たはがれを極力削減できる。また、従来、はがれの発生
を防止するため、ビアコンタクト孔の開口サイズを余計
に広くとり、タングステン膜の埋め込み時の形成状態を
緩やかにする必要が無くなり、本発明によれば例えば開
口サイズを半分ほど（例えば、開口径１００μｍ必要と
したものを６０μｍ程度）にしても、タングステン膜を
確実に埋め込むことができるので、はがれの発生を防止
できる。

【００２８】

【発明の効果】以上、本発明によれば一度のタングステ
ン膜のデポジション及び全面エッチング工程では埋め込
みきらなかった大型のコンタクト孔にタングステン膜を
埋め込む際に、先ず当該コンタクト孔内にスピンオング
ラス膜（以下、ＳＯＧ膜という。）を形成して、該コン
タクト孔とＳＯＧ膜との間の開口にタングステン膜を埋
設し、続いて該ＳＯＧ膜を除去した後にその位置にタン
グステン膜を埋設することにより、大型のコンタクト孔
でもタングステン膜が完全に埋設できるようになり、従
来のようにコンタクト孔が埋まりきらずに上層酸化膜の
平坦度が劣化したり、コンタクト抵抗が高くなったり、
コンタクト孔埋め込み時のエッチングで拡散層がえぐれ
たりすることがなくなり、装置の信頼性が向上する。従
って、従来パターン設計上制限を受けていた、このよう
な大型のコンタクト孔も扱えるようになり、設計上の制
限が無くなる。

【００２９】また、コンタクト孔近傍の平坦化がはかれ
ることにより、従来行っていた後工程でのＳＯＧ膜によ
る平坦化工程を省くことができる。また、本発明をビア
コンタクト孔に金属配線を施してボンディングパッドを
形成し、該ボンディングパッドに金属ワイヤを圧着する
ものに適用した場合、ボンディングパッドがフラットに
形成されているので、金属ワイヤの接着性が向上する。
そのため、従来、発生していたはがれを極力削減でき
る。

【００３０】また、従来、はがれの発生を防止するた
め、ビアコンタクト孔の開口サイズを余計に広くとり、
タングステン膜の埋め込み時の形成状態を緩やかにする
必要が無くなり、本発明によれば例えば開口サイズを小
さくしても、タングステン膜を確実に埋め込むことがで
きるので、はがれの発生を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造工程を示す第１の断
面図である。

【図２】本発明の半導体装置の製造工程を示す第２の断
面図である。

【図３】本発明の半導体装置の製造工程を示す第３の断
面図である。

【図４】本発明の半導体装置の製造工程を示す第４の断
面図である。

【図５】本発明の半導体装置の製造工程を示す第５の断
面図である。

【図６】本発明の半導体装置の製造工程を示す第６の断
面図である。

【図７】本発明の半導体装置の製造工程を示す第７の断
面図である。

【図８】本発明の半導体装置の製造工程を示す第８の断
面図である。

【図９】本発明の半導体装置の製造工程を示す第９の断
面図である。

【図１０】本発明の半導体装置の製造工程を示す第１０
の断面図である。

【図１１】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第１の断面図である。

【図１２】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第２の断面図である。

【図１３】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第３の断面図である。

【図１４】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第４の断面図である。

【図１５】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第５の断面図である。

【図１６】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第６の断面図である。

【図１７】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第７の断面図である。

【図１８】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第８の断面図である。

【図１９】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第９の断面図である。

【図２０】本発明他の実施例の半導体装置の製造工程を
示す第１０の断面図である。

【図２１】従来の半導体装置の製造工程を示す第１の断
面図である。

【図２２】従来の半導体装置の製造工程を示す第２の断
面図である。

【図２３】従来他の実施例の半導体装置の製造工程を示
す第１の断面図である。

【図２４】従来他の実施例の半導体装置の製造工程を示
す第２の断面図である。

【図２５】従来他の実施例の半導体装置の製造工程を示
す第３の断面図である。

【図２６】従来他の実施例の半導体装置の製造工程を示
す第４の断面図である。

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に形成した絶縁膜にコンタ
   クト孔を形成した後に該コンタクト孔内にスピンオング
   ラス膜を部分的に埋め込む工程と、 前記コンタクト孔内の前記スピンオングラス膜が埋め込
   まれていない部分にタングステン膜を埋め込む工程と、 前記コンタクト孔内のスピンオングラス膜を除去した後
   に該スピンオングラス膜が除去された部分にタングステ
   ン膜を埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体
   装置の製造方法。
2. 【請求項２】 半導体基板上に通常の膜厚のタングステ
   ン膜の一度のデポジション及び全面エッチングでは埋め
   込みきらないコンタクト孔を形成した後に当該コンタク
   ト孔内にタングステン膜を埋め込む際に、 前記コンタクト孔内全体にスピンオングラス膜を埋め込
   んだ後に当該スピンオングラス膜を部分的にエッチング
   除去して当該スピンオングラス膜が埋め込まれていない
   部分にタングステン膜を埋め込む工程と、 前記スピンオングラス膜をエッチング除去した後に当該
   スピンオングラス膜が除去された部分にタングステン膜
   を埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置
   の製造方法。
3. 【請求項３】 通常の膜厚のタングステン膜の一度のデ
   ポジション及び全面エッチング工程で埋め込みが完了す
   る通常のコンタクト孔と前記工程ではタングステン膜の
   埋め込みが不完全となる開口径の大きい大型のコンタク
   ト孔とを有する半導体装置の製造方法において、 前記大型のコンタクト孔内にのみスピンオングラス膜を
   部分的に埋め込む工程と、 前記基板全面に通常の膜厚のタングステン膜をデポジシ
   ョンし、全面エッチングして前記通常のコンタクト孔内
   と大型のコンタクト孔内のスピンオングラス膜が埋め込
   まれていない部分にタングステン膜を埋め込む工程と、 前記スピンオングラス膜をエッチング除去した後に基板
   全面にタングステン膜をデポジション及び全面エッチン
   グして当該スピンオングラス膜が除去された部分にタン
   グステン膜を埋め込む工程とを有することを特徴とする
   半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 ビアコンタクト孔にタングステン膜を埋
   め込んだ上から金属配線を施してボンディングパッドを
   形成した後に当該ボンディングパットに金属ワイヤを圧
   着する半導体装置の製造方法において、 前記ビアコンタクト孔内にスピンオングラス膜を部分的
   に埋め込む工程と、 前記ビアコンタクト孔内の前記スピンオングラス膜が埋
   め込まれていない部分にタングステン膜を埋め込む工程
   と、 前記ビアコンタクト孔内のスピンオングラス膜を除去し
   た後に該スピンオングラス膜が除去された部分にタング
   ステン膜を埋め込む工程と、 前記タングステン膜がほぼ均一な膜厚で埋め込まれたビ
   アコンタクト孔上に金属配線を形成する工程と、 前記金属配線上に金属ワイヤを圧着する工程とを有する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。