JP3193497U - センサモジュール - Google Patents

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    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector

Abstract

【課題】後続の製造プロセスにおいて損傷してしまうことがなく、かつ、回路支持体との接続に適した導電構造体を有するセンサモジュールを提供する。【解決手段】センサモジュール1はセンサチップ2を有しており、このセンサチップは、測定素子21と、センサチップの上側面の導電構造体とを有している。このセンサモジュールはさらに、センサチップの下側面の1つまたは複数の接続箇所24と、上側面における導電構造体と、下側面における1つまたは複数の接続箇所とを電気接続するための、センサチップを通る1つまたは複数の電気的なスルーコンタクト23と、センサチップの上側面に載置されかつ基板の形態をしたカバー3と、センサチップの測定素子に至る、カバーにおけるアクセス部とを有しており、上記のセンサモジュールは平行六面体の形状を有する。【選択図】図1

Description

本考案は、センサモジュールに関する。
今日、センサモジュールにはセンサチップが含まれることが多く、実際のセンサ機能は、このセンサチップの基板上に、測定感度を有する素子の形態で取り付けられているかまたはこのセンサチップに組み込まれている。この際に上記の基板は、電子評価回路のような回路機能も同時に組み込まれている例えばシリコン製の半導体基板とすることが可能である。
このようなセンサチップの例は、本出願人の欧州特許第1 236 038 B1に記載されている。
保護されていないセンサチップは、後続の処理プロセスにおいて損傷してしまうおそれがある。センサチップの導電構造体の大部分も、従来のプリント基板のような回路支持体と接続するのに適していない。
EP 1 236 038 B1
後続の製造プロセスにおいて損傷してしまうことがなく、かつ、回路支持体との接続に適した導電構造体を有するセンサチップを提供するである。
上記の課題は、本考案の請求項1に記載したセンサモジュールによって解決され、このセンサモジュールは、センサチップを有しており、このセンサチップは、測定素子と、センサチップの上側面の導電構造体とを有している。このセンサモジュールはさらに、センサチップの下側面の1つまたは複数の接続箇所と、上側面における導電構造体と、下側面における1つまたは複数の接続箇所とを電気接続するための、センサチップを通る1つまたは複数の電気的なスルーコンタクトと、センサチップの上側面に載置されかつ基板の形態をしたカバーと、センサチップの測定素子に至る、カバーにおけるアクセス部とを有しており、上記のセンサモジュールは平行六面体の形状を有する。
本考案の1つの実施例によるセンサモジュールの斜視図(a)ならびに上側面(b)、下側面(c)、長手方向断面(d)および横断面(e)を示す図である。 本考案の別の実施例によるセンサモジュールの斜視図(a)ならびに上側面(b)、下側面(c)、長手方向断面(d)および横断面(e)を示す図である。
本考案は、請求項1の特徴部分に記載された特徴的構成を有するセンサモジュールに関する。このセンサモジュールには、測定素子と、センサチップの上側面の導電構造体とを有するセンサチップが含まれている。センサチップの下側面には1つまたは複数の接続箇所が設けられており、これらの接続箇所は、センサチップを通る1つまたは複数の電気的なスルーコンタクトを介して、その上側面の導電構造体に接続されている。このセンサチップの上側面には、基板の形態をしたカバーが被着されており、このカバーは、センサチップの測定素子に至るアクセス部を有する。上記のセンサモジュールは、平行六面体形に構成される。
このようなセンサモジュールは、例えば上記のセンサチップの接続箇所に対する補完物としての金属化領域を有する回路支持体に容易に配置することができる。ここで上記の回路支持体側の領域は、例えばはんだペーストまたははんだボールのような導電手段を介して、上記のセンサモジュールの接続箇所に接続することができる。すなわち上記のスルーホール部により、上記のセンサモジュール用の接続箇所は、センサチップの背面に配置されるため、ボンディングワイヤおよびこのようなボンディングワイヤに対するポッティングは不要であり、それにもかかわらず、上記のセンサモジュールは、測定素子を有する上側面が周囲環境に向かって配向され、フリップチップ技術を使用する場合のように例えば回路支持体に向かって配向されないのである。
上記のセンサモジュールの下側面における上記の接続箇所の幾何学形状は、サイズの小さなコンパクトな構造を達成するのに有利であり、また同時に上記の接続箇所を互いに良好にデカップリングすることができる。さらにセンサモジュールの上側面において有利には中央に配置されるアクセス部により、センサモジュールの周囲環境からセンサチップの測定素子への最短の接続が得られる。後続の加工処理には、上記のカバーによって損傷から保護される極めてコンパクトかつ耐性のあるセンサモジュールが得られる。有利な発展形態では光学的または機械的な配向補助部を設けることができ、これによって回路支持体における配置の際に、センサモジュールの正しい配向をサポートすることができる。
上記のセンサモジュールは有利には長さが幅よりも大きいため、このセンサモジュールは長方形の基本面を有する。上記のカバーにおけるアクセス部は有利には、上記の長さおよび幅から得られる長方形の2つの対角線の交点に配置することができ、すなわち中央に配置することができる。上記のセンサモジュールは有利には長さが1.5mm未満であり、幅が1mm未満である。このセンサモジュールは有利には高さが0.7mm未満である。
有利には上記のセンサチップの下側面に少なくとも4つの接続箇所が設けられており、このセンサチップの下側面の各4分の1区画は少なくとも1つの接続箇所を有する。これにより、最良の面積利用度が得られる。有利には少なくとも4つのスルーコンタクトも設けられ、上記のセンサチップの下側面の各4分の1区画は、少なくとも1つのスルーコンタクトを有し、有利な発展形態において上記の複数のスルーコンタクトの端部は、対応する接続箇所と近くなり、有利には0.2mmよりも短い間隔になるため、上記のスルーコンタクトの端部と接続箇所との間の接続は最短になる。有利にはスルーコンタクトと接触接続部とが1対1に対応付けられ、すなわち、各スルーコンタクトはちょうど、ただ1つの接続箇所に接続されるのである。この点において有利な発展形態では、スルーコンタクトの個数は、接続箇所の個数に等しい。
本考案の有利な発展形態は、従属する請求項に記載されている。
本考案の別の実施形態、利点および応用例は、従属請求項および図面に基づく以下の説明から得られる。
同じエレメントは、図をまたがって同じ参照符号によって示されている。
図1a)には本考案の1つの実施例によるセンサモジュール1の、上側から見た斜視図が示されている。センサモジュール1は、基本的に平行六面体の形状を有する。このセンサモジュール1には、接着層4を介してセンサチップ2に接続されているカバー3が含まれている。カバー3は、この実施例において基板であり、例えばシリコン基板のような半導体基板であり、この基板はセンサチップ2の保護に使用される。このカバー3は有利には、センサチップの上側面において測定素子が配置されている領域を除き、センサチップ2の表面全体を覆っている。この領域には、カバー3におけるアクセス部を通してアクセス可能であり、このアクセス部は、この実施例において、カバー3における円筒形の開口部31として構成されており、この開口部31は、測定素子のすぐ上に配置されているため、上記の測定素子は、開口部31を通して外界にアクセスし、また殊にセンサモジュールの周囲環境のパラメタを測定することができる。この測定素子は、例えば、湿度センサの場合にポリマ層またはセラミック層として構成され、かつ、このセンサモジュールの周囲環境から水分子を取り入れることの可能な測定層とすることができる。この点において有利にはカバー3におけるアクセス部を介して上記の測定素子と、センサモジュールの周囲環境とを接続して、例えば気体または液体のようなこのセンサモジュールを包囲する流体が、センサチップ2のこの表面区画に到達できるようにする。開口部31は、この実施例において円形の断面および円筒形の形状を有しているが、別の実施形態においては、例えば、センサチップ2の方向に先細りした、すなわち円錐形の形状も有し得る。このような凹みは、カバー3の基板内にあらかじめ作製することができる。センサモジュールの側面7においてセンサチップ2およびカバー3は露出している。
図1b)には、図1a)に示したセンサモジュールの上側面の平面図が示されている。すなわち、ここでは例えば中央の開口部31を有するカバー3が見える。センサモジュール1の幅Bよりも長さLが大きい場合、開口部31は、これによって定められる長方形の2本の対角線の交点に中央に配置される。ここでは、例えば長さL=1.31mmおよび幅B=0.74mmである。開口部31は、この実施形態において円形をしており、かつ、例えば感知層とすることの可能な測定素子21が見えるようにする。ここで上記のカバーにおける同様に円形の開口部31は、測定素子21よりも大きな直径を有しているため、カバー3は、測定素子21を囲むが、測定素子21とカバー3との間では所定の間隔が保たれる。この中間空間において、センサチップ2の基板22ないしは基板22をカバーする層が露出している。
図1d)には、図1b)の垂直方向の破線に沿った、図1a)のセンサモジュールの長手方向断面が示されている。ここからわかるのは、開口部31を有するカバー3が、測定素子21の上に配置されており、測定素子21にアクセスできることである。カバー3は、接着層4によってセンサチップ2に接着されており、殊にその上側面26に接着されている。ここでは測定素子21は、接着層4によって覆われていないため、測定特性が損なわれることがない。測定素子21もセンサチップ2の上側面26に載置されており、この上側面26には導電構造体も設けられている。センサチップ2は有利には、例えばシリコン基板のような半導体基板であり、このシリコン基板には有利には、測定素子21の信号を処理および/または評価するために電子回路28も組み込まれているため、これらの図において明示的に書き込んでいない導電構造体は、例えばセンサチップ2の上側面26に集積回路28を作製するためにも使用されるCMOSプロセスの金属層になり得る。ここで集積回路28は、非透光性のカバー3によってこの集積回路が保護されている箇所において上記の半導体基板に組み込むことができる。上記の導電構造体は、測定素子21と集積回路28とを電気接続することができ、また集積回路28および/または測定素子21を、センサチップ2の上側面26とその下側面27との間のスルーコンタクト23に接続することができる。このようなスルーコンタクト23の2つの例は図1d)に示されている。これにより、センサモジュールの電気接続は、センサチップ2の上側面26を介して行う必要がないため、ボンディングワイヤを省略することができる。その代わりにセンサチップ2の下側面27に複数の導電性接続箇所24が設けられており、これらの導電性接続箇所それ自体は、導電接続部25を介してスルーコンタクト23に接続される。これについては図1c)の下側面27の平面図を参照されたい。各接続箇所は、有利にははんだボール5を有しており、この場合にはこのはんだボールを介してセンサモジュールと、回路支持体とを導電的ならびに機械的に接続することができる。導電性接続部25も、センサチップ2の下側面のその他の導電構造体も共に有利には、保護のため、塗料が塗られているが、少なくともはんだボール5は露出している。この実施例では、例えば、6つの接続箇所24が設けられており、このセンサモジュールの長手延在方向に沿って3つずつが1つの列になって並んでいる。ここではセンサチップ2のコーナに4つのスルーコンタクト23が見えており、これらのスルーコンタクトは、短い導電性接続部25を介してそれぞれ、対応する接続箇所24に電気接続されている。この実施例において接続箇所24のうちの2つは、センサモジュールに電気エネルギを供給するために設けられており、これに対して接続箇所24のうちの別の2つは、集積回路28および/または測定素子21から信号を、および/または、集積回路28および/または測定素子21への信号を伝送することができる。
はんだボールを除いたセンサモジュールの高さHは(図1d)を参照されたい)は、有利には0.425mmであり、カバー3の高さH3は、約0.3mmであり、センサチップの高さは約0.1mmである。開口部31の直径Dは、約0.30mmであるかまたは有利には0.25mmと0.55mmとの間とすることが可能である。接着層4もほぼ円形の切り抜き部を有している。開口部31の領域におけるこの切り抜き部の直径は有利には、開口部31の直径Dよりも大きく、例えば0.30mmの開口部の上記の直径Dに対して0.31mmである。これについては図1d)の略図を参照されたい。隣接するはんだボール5の(中心点と中心点との間の)間隔は有利には0.4mmである。
有利には複数のセンサモジュールが共通の1つの製造プロセスにおいて同時に作製される。このためにセンサモジュール用の半導体ウェハとカバーウェハとを接続する、例えば接着することができ、最終的には、このようにした接続したウェハ装置をのこぎりによって複数のセンサモジュールに個別化し、これによって個々のセンサモジュールの側面7においてカバー3およびセンサチップ2が露出する。これについては図1a)を参照されたい。
図2では本考案の別の実施例によるセンサモジュールの斜視図が図a)に、その上側面が図b)に、その下側面が図c)に、長手方向断面が図d)に、また横断面が図e)に示されている。図2のセンサモジュールは、実質的につぎのような点においてのみ、図1のセンサモジュールと異なる。すなわち、ここではカバー3とセンサチップ2との間に保護層6が設けられているのである。保護層6は、センサチップ2にカバー3を接着する際にセンサチップ2を保護するために使用される。この保護層は、例えば、フォト構造化可能な積層式の塗料(ドライレジスト)とすることができ、または有利にはセンサチップ2の上側面26全体が、測定素子21およびこの測定素子を取り囲む領域を除いて覆われるように構造化することができる。すなわち、保護層6は測定素子21を囲み、(丸い構造を前提とすると)有利には保護層6におけるこの開口部の直径は、測定素子21の直径よりも大きい。有利には保護層6におけるこの開口部の直径は、カバー3における開口部31の直径よりも小さいため、図2b)に示したこのセンサモジュールの上側面26の平面図において、カバー3における開口部31を通して保護層6のリングを見ることができる。このようにすることの利点は、カバー3と、保護層6を有するセンサチップ2とが一緒に接着される場合に余った接着材が、測定素子21にまで直接拡がらないようにすることである。接着剤の拡がりがそれ自体で止まらない場合、この拡がりは遅くとも、半導体基板に向かって下がる保護層6のエッジにおいてこの接着剤の表面張力によって停止する。それでもなおこの接着剤が基板22にまで流れると、この接着剤は、保護層6の垂直に立ち上がっているエッジと、水平方向の基板22との間の毛管力によって引き留められる。図2において接着層は、わかりやすくするために示していないが、カバー3と保護層6との間に配置され、これによってカバー3とのセンサチップ2との間の解除不能の接続が行われる。
この明細書において本考案の有利な複数の実施形態を説明したが、本考案がこれらに限定されないことであり、添付の請求の範囲内において別の仕方で実施できることを指摘しておきたい。
1 センサモジュール、 2 センサチップ、 3 カバー、 4 接着層、 5 はんだボール、 6 保護層、 7 側面、 21 測定素子、 22 基板、 23 スルーコンタクト、 24 接続箇所、 25 導電構造体、 26 上側面、 27 下側面、 28 電子回路、 31 開口部、 B センサモジュールの幅、 L センサモジュールの長さ、 D 開口部31の直径、 H センサモジュールの高さ、 H3 カバー3の高さ

Claims (24)

  1. センサモジュールにおいて、
    該センサモジュールは、
    − センサチップ(2)を有しており、前記センサチップ(2)は、測定素子(21)と、前記センサチップ(2)の上側面(26)の導電構造体(25)とを有しており、
    前記センサモジュールはさらに、
    − 前記センサチップ(2)の下側面(27)の1つまたは複数の接続箇所(24)と、
    − 前記上側面(26)における前記導電構造体(25)と、前記下側面(27)における1つまたは複数の接続箇所(24)とを電気接続するための、前記センサチップ(2)を通る1つまたは複数の電気的なスルーコンタクト(23)と、
    − 前記センサチップ(2)の前記上側面(26)に載置されかつ基板の形態をしたカバー(3)と、
    − 前記センサチップ(2)の前記測定素子(21)に至る、前記カバー(3)におけるアクセス部とを有しており、
    前記センサモジュールは平行六面体の形状を有する、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  2. 請求項1に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記アクセス部は、前記カバー(3)における開口部(31)として構成されており、
    前記開口部(31)は、前記測定素子(21)の上に、前記カバー(3)を通って円筒形に延在している、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  3. 請求項2に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記開口部(31)の断面積は、前記測定素子(21)の断面積よりも大きい、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  4. 請求項1から3までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記センサモジュールは、幅(B)よりも長さ(L)が大きく、
    前記アクセス部は、前記長さ(L)および前記幅(B)によって得られる長方形の2本の対角線の交点に配置されている、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  5. 請求項1から4までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記センサモジュールは、長さ(L)が1.5mmより短く、かつ、幅(B)が1mmよりも短い、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  6. 請求項1から5までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記センサモジュールは、高さ(H)が0.7mmよりも低い、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  7. 請求項1から6までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記センサチップ(2)と前記カバー(3)との間に接着層(4)を有する、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  8. 請求項1から7までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記センサチップ(2)と前記カバー(3)との間に保護層(6)を有する、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  9. 請求項8を引用する請求項7に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記保護層(6)は、前記センサチップ(2)と前記接着層(4)との間に配置されている、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  10. 請求項8または9に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記測定素子(21)は、前記保護層(6)によって覆われておらず、
    前記保護層(6)は、前記測定素子(21)を囲み、かつ、当該測定素子(21)から離隔している、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  11. 請求項10に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記測定素子(21)は、前記センサチップ(2)の残りの表面から持ち上がっており、
    前記測定素子(21)と、前記測定素子(21)を囲む前記保護層(6)との間に溝が構成されている、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  12. 請求項1から11までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記センサチップ(2)にはシリコン基板が含まれており、
    該シリコン基板には電子回路(28)が集積されており、
    前記電子回路(28)および/または前記測定素子(21)は、前記導電構造体(25)を介して、1つまたは複数の前記スルーコンタクト(23)に電気接続されている、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  13. 請求項1から12までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記カバー(3)にはシリコン基板が含まれている、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  14. 請求項1から13までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    各接続箇所(24)に導電手段が設けられている、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  15. 請求項1から14までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    少なくとも4つの接続箇所(24)を有しており、
    前記センサチップ(2)の前記下側面(27)の各4分の1区画は、少なくとも1つの接続箇所(24)を有する、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  16. 請求項1から15までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    少なくとも4つのスルーコンタクト(23)を有しており、
    前記センサチップ(2)の前記下側面(27)の各4分の1区画は、少なくとも1つのスルーコンタクト(23)を有する、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  17. 請求項1から16までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記スルーコンタクト(23)の個数は、前記接続箇所(24)の個数に等しい、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  18. 請求項1から17までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    各スルーコンタクト(23)はちょうど1つの接続箇所(24)と導電接続されている、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  19. 請求項1から18までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    6つの接続箇所(24)を有しており、
    前記接続箇所(24)は、前記センサチップ(2)の前記下側面(27)の長手延在方向に沿い、3つの接続箇所からなる2つの列で並んで配置されている、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  20. 請求項1から19までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    ちょうど4つのスルーコンタクト(23)を有しており、
    前記センサチップ(2)の前記下側面(27)の各4分の1区画は、少なくとも1つのスルーコンタクト(23)を有する、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  21. 請求項1から20までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記スルーコンタクト(23)と前記接続箇所(24)とを電気接続するために前記センサチップ(2)の前記下側面(27)に導電構造体(25)を有する、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  22. 請求項21に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記導電構造体(25)は、前記センサチップ(2)の前記下側面(27)において塗料によって塗装されている、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  23. 請求項1から22までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記平行六面体形センサモジュールは、平坦な4つの側面(7)を有しており、
    各側面(7)において前記カバー(3)の少なくとも1つの区画および前記センサチップ(2)の少なくとも1つ区画が露出している、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  24. 請求項1から23までのいずれか1項に記載のセンサモジュールにおいて、
    前記センサモジュールは湿度センサである、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105137023A (zh) * 2015-10-14 2015-12-09 无锡百灵传感技术有限公司 一种在线检测水产品的系统与方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016016078A1 (de) * 2014-08-01 2016-02-04 Carl Freudenberg Kg Sensor
EP3001186B1 (en) * 2014-09-26 2018-06-06 Sensirion AG Sensor chip
EP3124962B1 (en) * 2015-07-29 2022-09-28 Sensirion AG Gas sensor array and a method for manufacturing thereof
EP3139159A1 (en) * 2016-08-23 2017-03-08 Sensirion AG Sensor assembly

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU6719000A (en) 1999-12-08 2001-06-18 Sensirion Ag Capacitive sensor
EP2481703B1 (en) * 2011-01-27 2020-07-01 Sensirion AG Sensor protection
DE202011051190U1 (de) * 2011-09-02 2011-11-21 Sensirion Ag Sensorbaustein

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105137023A (zh) * 2015-10-14 2015-12-09 无锡百灵传感技术有限公司 一种在线检测水产品的系统与方法

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