WO2016016078A1 - Sensor - Google Patents

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WO2016016078A1
WO2016016078A1 PCT/EP2015/066855 EP2015066855W WO2016016078A1 WO 2016016078 A1 WO2016016078 A1 WO 2016016078A1 EP 2015066855 W EP2015066855 W EP 2015066855W WO 2016016078 A1 WO2016016078 A1 WO 2016016078A1
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chip
sensor chip
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PCT/EP2015/066855
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Thomas Caesar
Renate Tapper
Steffen Heinz
Marco NEUBERT
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Carl Freudenberg Kg
Edc Electronic Design Chemnitz Gmbh
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Publication date
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Definitions

  • the invention relates to a sensor. State of the art
  • a disadvantage of the known filter elements is that the sensors are often made relatively large in order to detect and evaluate one or more physical variables.
  • the production of such filter elements is relatively expensive.
  • larger sensors are difficult to mount on filter elements.
  • the detection of very small pressure differences in the range 10 - 500 Pa is possible in the prior art only with relatively large sensors and requires a lot of space.
  • the connection of such a relatively large sensor to a filter element is quite difficult and expensive.
  • contacting such a sensor is often done by cables. The latter is above all not worthwhile, because a handling of cables is cumbersome and of
  • the invention is therefore based on the object to provide a compact sensor.
  • a sensor which has such a small functional volume is particularly easy to assemble.
  • material can be saved if the functional volume is chosen to be so small.
  • a 180 nm technology can be used to arrange electronics and a membrane on a sensor chip. This allows the compact design of the sensor chip and thus of the functional volume. Within the functional volume, a plurality of electronic chips and / or a plurality of sensor chips could be arranged. As a result, several physical variables can be detected.
  • the electronic chip could have a plurality of analog and / or digital interfaces with which different sensor chips can be evaluated. As a result, a single electronic chip can be combined with various sensors or sensor chips.
  • the sensor chip with a transducer element and / or the sensor chip with a transducer element and a sensor front end could be used in their entirety in a 180 nm CMOS technology, in particular for detecting a
  • the transducer element could be designed as a transistor or resistor on a silicon membrane. As a result, a very reliable arrangement is created.
  • the electronics chip and the sensor chip could be arranged side by side on a circuit board. As a result, a very flat structure is realized.
  • the electronic chip and the sensor chip could be electrically conductively connected to one another by bonding wires.
  • the electronics chip and the sensor chip can be placed very close to each other. The usage of
  • Bonding wires allow easy fabrication because the bonding wires are mounted on the sides of the chips facing away from the board.
  • the electronic chip and the sensor chip could be electrically conductively connected to one another by a flip-chip connection using contact bumps, namely so-called "bumps.” This contacting makes sense when electrical devices, namely, in particular
  • Oxide layers which are arranged on a silicon substrate, facing a circuit board and facing away from the pure silicon side of the silicon substrate of the circuit board.
  • the sensor chip could include a membrane and electronic devices.
  • the sensor chip may consist of a silicon substrate, is arranged on and / or in the electronics.
  • the sensor chip can be constructed very compact. It is even conceivable that the membrane only consists of one
  • a transducer element is preferably a doped region.
  • the sensor chip could comprise a silicon substrate in which a membrane is etched, which is free of electronic devices and / or oxide layers except for transducer elements.
  • the Transducer elements are preferably designed as n- or p-doped regions on and / or in the membrane. By etching the membrane also a compact structure of the sensor chip is generated, as an intrinsic in the
  • Silicon substrate existing material is used as a membrane.
  • the membrane is therefore designed as a silicon membrane.
  • Electronics or oxide layers with a thickness of about 10 ⁇ m could be etched away until the silicon substrate is reached, while on the other side up to 500 ⁇ m depth is etched into the silicon substrate to create the membrane.
  • the electronics chip and the sensor chip could be arranged on a circuit board in which a passage is formed, wherein the passage is the only fluid-conducting access to a volume which is formed by the circuit board, the sensor chip and a sealing ring surrounding the sensor chip or sealed , wherein the volume is a first
  • Membrane surface facing a membrane A second membrane surface which faces the first membrane surface faces the atmosphere or another volume fluid-tightly separated from the volume.
  • the functional volume in the literal sense of this document is formed only by the sums of the extensions of the electronic chips and sensor chips in each case in the x, y and z directions.
  • the bonding wires, the Greierhügel and / or parts of a Abdichtkranzes contribute nothing to the functional volume or increase this not.
  • the bonding wires, the Druckierhügel and parts of the Abdichtkranzes may protrude beyond the functional volume.
  • a part of the sealing ring, which is arranged between an electronic chip and sensor chip, has, in the total extension of the functional volume in x, y or z direction to be disregarded. Decisive are only the dimensions of the electronic chips and sensor chips as such in the respective directions. In Fig. 4, the calculation or detection of the extensions x and z
  • the sensor chip could have a resolution of 5 Pa against this background.
  • the sensor chip could have a resolution that ranges from 1 Pa to less than 5 Pa.
  • the sensor chip could have a resolution that is greater than 5 Pa to 10 Pa.
  • This connection usually takes place via a cable.
  • Fig. 1 is a schematic view of the sensor, wherein the sensor comprises only two chips, namely an electronic chip and a sensor chip, which are interconnected, and a
  • Fig. 2 is a schematic view of the sensor chip
  • Fig. 5 is a schematic view of the sensor chip and the
  • Fig. 6 is a schematic transparent view of a sensor chip from above, which is arranged on a circuit board , wherein several devisierhügel are arranged surrounding a membrane.
  • FIG. 1 shows that the sensor 2 has at least one electronic chip 4 and at least one sensor chip 5, which are inside a
  • Functional volume 3 are arranged, which is at most 4 to 5 mm long, at most 2 to 3 mm wide and at most 0.5 to 0.8 mm high.
  • the distance x is 5 mm
  • the distance y is 3 mm
  • the distance z is 0.8 mm.
  • the electronics chip 4 has a plurality of analog and / or digital interfaces with which various sensor chips can be evaluated.
  • the electronic chip 4 and the sensor chip 5 is a wireless energy and / or data transmission. This can be done via a radio interface or via a non-pluggable connection of contacts.
  • the electronics chip 4 and the sensor chip 5 are arranged on a circuit board 6, which has a larger base area than the functional volume 3.
  • the sensor chip 5 has a resolution of 5 Pa.
  • the sensor chip 5 makes it possible to detect a differential pressure in the range 10 - 500 Pa.
  • the sensor chip 5 can either consist of only one transducer element 10, which converts a pressure change into an electrical signal, or of a transducer element 10 with a sensor front end 11.
  • the sensor chip 5 with a transducer element 10 and / or the sensor chip 5 with a transducer element 10 and a sensor front-end 1 1 is manufactured in its entirety in a 180 nm CMOS technology.
  • the sensor front-end 1 1 could have an electronics or be configured as such.
  • the transducer element 10 could be designed as a transistor or as a resistor on a silicon membrane.
  • Fig. 3 shows a schematic view of the electronic chip 4.
  • Electronic chip 4 comprises analog and / or digital interfaces for connection to further sensors 12 or to further sensor chips.
  • Electronics chip 4 comprises a sensor front end 13.
  • the electronics chip 4 comprises a microcontroller for signal processing 14.
  • the electronics chip 4 comprises a memory 15.
  • the electronics chip 4 comprises an RFID front end 16 for a contactless supply and / or for supply via a contact connection , 4 shows on the basis of a further sensor 2 'that the electronics chip 4' and the sensor chip 5 'are arranged side by side on a circuit board 6'.
  • the electronics chip 4 'and the sensor chip 5' are connected to one another in an electrically conductive manner by bonding wires 17.
  • the sensor chip 5 ', 5 comprises a membrane 19', 19” and electronic devices 20 ', 20 “, which may comprise oxide layers.
  • the sensor chip 5', 5" comprises one each Silicon substrate 21 ', 21 ", in which a membrane 19', 19” is etched, which is except for transducer elements 10 ', 10 "free of electronic devices or oxide layers.
  • the electronic chip 4 ', 4 "and the sensor chip 5', 5" are arranged on a board 6 ', 6 ", in which a passage 6'a, 6" a is formed, wherein the passage 6'a, 6 "a the only fluid-conducting access to a volume 22 ', 22 "is formed by the circuit board 6', 6", the sensor chip 5 ', 5 “and a sealing ring 23', 23” which surrounds the sensor chip 5 ', 5 ", wherein the volume 22 ', 22 "faces a first membrane surface 19'a, 19" a of the membrane 19', 19 ".
  • the electronic chip 4 ', 4" is glued.
  • the electronics chip 4 ', 4 " also has electronic devices 20', 20".
  • the volume 22 ', 22 " is sealed only by the circuit board 6', 6", the sensor chip 5 ', 5 "and the Abdichtkranz 23', 23", which surrounds the sensor chip 5 ', 5 ".
  • the Abdichtkranz 23 ', 23 preferably consists of a potting compound, which can also flow into a small gap sealing.
  • An interface between the sensor chip 5, 5 ', 5 "and the electronics chip 4, 4', 4" can be located in the functional volume 3.

Abstract

Ein Sensor (2, 2', 2"), umfassend einen Elektronikchip (4, 4', 4") und einen Sensorchip (5, 5', 5"), welche innerhalb eines Funktionsvolumens (3) angeordnet sind, welches höchstens 4 bis 5 mm lang, höchstens 2 bis 3 mm breit und höchstens 0,5 bis 0,8 mm hoch ist, löst die Aufgabe, einen kompakten Sensor anzugeben.

Description

Sensor
Beschreibung
Technisches Gebiet
Die Erfindung betrifft einen Sensor. Stand der Technik
Aus der DE 10 2010 044 616 A1 ist ein Mikrosystem für einen Filtereinsatz bekannt. Aus der DE 10 2009 040 707 A1 ist bereits ein Filterelement bekannt, bei dem einem Filtermedium ein Sensor zugeordnet ist.
Bei den bekannten Filterelementen ist nachteilig, dass die Sensoren häufig relativ groß ausgebildet sind, um eine oder mehrere physikalische Größen zu erfassen und auszuwerten. Die Fertigung solcher Filterelemente ist relativ teuer. Des Weiteren sind größere Sensoren schwierig an Filterelementen zu montieren. Insbesondere die Erfassung von sehr kleinen Druckdifferenzen im Bereich 10 - 500 Pa ist im Stand der Technik nur mit relativ großen Sensoren möglich und erfordert viel Bauraum. Des Weiteren ist die Anbindung eines solch relativ großen Sensors an ein Filterelement recht schwierig und kostspielig. Überdies erfolgt ein Kontaktieren eines solchen Sensors häufig durch Kabel. Letzteres ist vor allem nicht erstrebenswert, weil ein Umgang mit Kabeln umständlich ist und von
Endkunden nicht akzeptiert wird.
Darstellung der Erfindung
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde einen kompakten Sensor anzugeben.
Erfindungsgemäß wird die voranstehende Aufgabe mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Erfindungsgemäß ist zunächst erkannt worden, dass ein Bedarf nach einer Miniaturisierung eines Sensors zur Erfassung kleinster Druckdifferenzen im Bereich 10 - 500 Pa besteht.
Darauf ist erkannt worden, dass eine Miniaturisierung und eine bevorzugt kabellose, nicht steckbare Energieversorgung es ermöglicht, den Sensor kostengünstig zu integrieren. Die Integration und der bevorzugt kabellose, nicht steckbare Energie- und Datentransfer erfordert zudem keinen zusätzlichen Installationsaufwand.
Erfindungsgemäß ist konkret erkannt worden, dass ein Sensor, welcher ein so geringes Funktionsvolumen aufweist, besonders leicht zu montieren ist. Des Weiteren kann Material eingespart werden, wenn das Funktionsvolumen derart klein gewählt wird.
Folglich ist die eingangs genannte Aufgabe gelöst.
Es kann eine 180 nm-Technologie genutzt werden, um auf einem Sensorchip eine Elektronik und eine Membran anzuordnen. Dies erlaubt den kompakten Aufbau des Sensorchips und damit des Funktionsvolumens. Innerhalb des Funktionsvolumens könnten mehrere Elektronikchips und/ oder mehrere Sensorchips angeordnet sein. Hierdurch sind mehrere physikalische Größen erfassbar.
Der Elektronikchip könnte mehrere analoge und/ oder digitale Schnittstellen aufweisen, mit welchen verschiedene Sensorchips auswertbar sind. Hierdurch kann ein einziger Elektronikchip mit verschiedenen Sensoren oder Sensorchips kombiniert werden.
Mittels des Elektronikchips und/ oder des Sensorchips könnte eine kabellose Energie- und/ oder Datenübertragung über eine Funkschnittstelle,
insbesondere eine RFID-Schnittstelle, oder über eine nicht steckbare
Verbindung von Kontakten möglich sein oder erfolgen. Hierdurch ist eine aufwendige Verkabelung nicht mehr notwendig. Der Sensorchip mit einem Wandlerelement und/ oder der Sensorchip mit einem Wandlerelement und einem Sensor-Frontend könnte in seiner Gesamtheit in einer 180 nm CMOS-Technologie, insbesondere zur Erfassung eines
Differenzdrucks im Bereich 10 - 500 Pa mit einer Auflösung von 5 Pa, gefertigt sein. Hierdurch sind Drücke exakt und effizient messbar. Vor diesem Hintergrund könnte das Wandlerelement als Transistor oder Widerstand auf einer Siliziummembran ausgestaltet sein. Hierdurch wird eine sehr zuverlässige Anordnung geschaffen. Der Elektronikchip und der Sensorchip könnten nebeneinander auf einer Platine angeordnet sein. Hierdurch wird ein sehr flacher Aufbau realisiert.
Der Elektronikchip und der Sensorchip könnten durch Bonddrähte miteinander elektrisch leitend verbunden sein. Der Elektronikchip und der Sensorchip können so sehr eng beieinander platziert werden. Die Verwendung von
Bonddrähten erlaubt eine einfache Fertigung, da die Bonddrähte auf den der Platine abgewandten Seiten der Chips angebracht werden.
Der Elektronikchip und der Sensorchip könnten durch eine Flip-Chip- Verbindung unter Verwendung von Kontaktierhügeln, nämlich von sogenannten „Bumps", miteinander elektrisch leitend verbunden sein. Diese Kontaktierung ist sinnvoll, wenn elektrische Einrichtungen, nämlich insbesondere
Oxidschichten, die auf einem Siliziumsubstrat angeordnet sind, einer Platine zugewandt sind und die reine Siliziumseite des Siliziumsubstrats der Platine abgewandt ist.
Der Sensorchip könnte eine Membran und elektronische Einrichtungen umfassen. Der Sensorchip kann aus einem Silizumsubstrat bestehen, auf und/ oder in dem Elektronik angeordnet ist. Der Sensorchip kann so sehr kompakt aufgebaut sein. Es ist sogar denkbar, dass die Membran nur aus einem
Siliziumsubstrat und mindestens einem oder mehreren Wandlerelementen besteht. Ein Wandlerelement ist bevorzugt ein dotierter Bereich.
Vor diesem Hintergrund könnte der Sensorchip ein Siliziumsubstrat umfassen, in welches eine Membran eingeätzt ist, die bis auf Wandlerelemente frei von elektronischen Einrichtungen und/ oder Oxidschichten ist. Die Wandlerelemente sind bevorzugt als n- oder p-dotierte Bereiche auf und/ oder in der Membran ausgestaltet. Durch das Einätzen der Membran wird ebenfalls ein kompakter Aufbau des Sensorchips erzeugt, da ein intrinsisch im
Siliziumsubstrat vorhandenes Material als Membran genutzt wird. Die Membran ist daher als Siliziummembran ausgestaltet.
Elektronik oder Oxidschichten mit einer Dicke von etwa 10 μηη könnten bis zum Erreichen des Sliziumsubstrats weggeätzt sein, wobei auf der anderen Seite bis zu 500 pm Tiefe in das Siliziumsubstrat hinein geätzt wird, um die Membran zu schaffen.
Der Elektronikchip und der Sensorchip könnten auf einer Platine angeordnet sein, in welcher ein Durchgang ausgebildet ist, wobei der Durchgang der einzige fluidleitende Zugang zu einem Volumen ist, welches von der Platine, dem Sensorchip und einem den Sensorchip umfangenden Abdichtkranz gebildet bzw. abgedichtet begrenzt ist, wobei dem Volumen eine erste
Membranfläche einer Membran zugewandt ist. Eine zweite Membranfläche, welche der ersten Membranfläche gegenüberliegt, ist der Atmosphäre oder einem anderen vom Volumen fluiddicht abgetrennten Raum zugewandt.
Hierdurch kann der Sensorchip Differenzdrücke messen, wenn auf die zwei Membranflächen unterschiedliche Drücke einwirken.
Das Funktionsvolumen im Wortsinn dieser Schrift wird nur durch die Summen der Erstreckungen der Elektronikchips und Sensorchips jeweils in x-, y- und z- Richtung gebildet. Die Bonddrähte, die Kontaktierhügel und/ oder Teile eines Abdichtkranzes tragen nichts zum Funktionsvolumen bei bzw. vergrößern dieses nicht. Insbesondere können die Bonddrähte, die Kontaktierhügel und Teile des Abdichtkranzes über das Funktionsvolumen hinaus ragen. Ein Teil des Abdichtkranzes, welcher zwischen einem Elektronikchip und Sensorchip angeordnet ist, hat bei der Gesamterstreckung des Funktionsvolumens in x-, y- oder z-Richtung unberücksichtigt zu bleiben. Maßgeblich sind nur die Maße der Elektronikchips und Sensorchips als solche in den jeweiligen Richtungen. In Fig. 4 ist die Berechnung bzw. Erfassung der Erstreckungen x und z
beispielhaft eingezeichnet.
Der Sensorchip könnte vor diesem Hintergrund eine Auflösung von 5 Pa haben. Der Sensorchip könnte eine Auflösung haben, die im Bereich 1 Pa bis kleiner 5 Pa liegt. Der Sensorchip könnte eine Auflösung haben, die im Bereich größer 5 Pa bis 10 Pa liegt.
Zur Auswertung der Sensordaten ist der Anschluss des Sensors an eine
Geräteelektronik erforderlich. Dieser Anschluss erfolgt üblicherweise über ein Kabel.
Kurzbeschreibung der Zeichnung
In der Zeichnung zeigen
Fig. 1 eine schematische Ansicht des Sensors, wobei der Sensor nur zwei Chips, nämlich einen Elektronikchip und einen Sensorchip aufweist, die miteinander verbunden sind, und ein
Funktionsvolumen definieren
Fig. 2 eine schematische Ansicht des Sensorchips und
Fig. 3 eine schematische Ansicht des Elektronikchips,
Fig. 4 eine schematische Ansicht des Sensorchips und des
Elektronikchips, welche durch Bonddrähte miteinander verbunden sind, wobei Oxidschichten oder andere elektronische Einrichtungen auf einem Sliziumsubstrat des Sensorchips der Platine abgewandt sind,
Fig. 5 eine schematische Ansicht des Sensorchips und des
Elektronikchips, welche durch Kontaktierhügel mit der Platine und miteinander elektrisch leitend verbunden sind, wobei Oxidschichten oder andere elektronische Einrichtungen auf einem Sliziumsubstrat des Sensorchips der Platine zugewandt sind, und Fig. 6 eine schematische transparente Ansicht eines Sensorchips von oben, der auf einer Platine angeordnet ist, wobei mehrere Kontaktierhügel eine Membran umgebend angeordnet sind.
Ausführung der Erfindung
Fig. 1 zeigt, dass der Sensor 2 mindestens einen Elektronikchip 4 und mindestens einen Sensorchip 5 aufweist, welche innerhalb eines
Funktionsvolumens 3 angeordnet sind, welches höchstens 4 bis 5 mm lang, höchstens 2 bis 3 mm breit und höchstens 0,5 bis 0,8 mm hoch ist.
Die Strecke x beträgt 5 mm, die Strecke y beträgt 3 mm und die Strecke z beträgt 0,8 mm.
Der Elektronikchip 4 weist mehrere analoge und/ oder digitale Schnittstellen auf, mit welchen verschiedene Sensorchips auswertbar sind.
Mittels des Elektronikchips 4 und des Sensorchips 5 erfolgt eine kabellose Energie- und/ oder Datenübertragung. Dies kann über eine Funkschnittstelle oder über eine nicht steckbare Verbindung von Kontakten erfolgen. Der Elektronikchip 4 und der Sensorchip 5 sind auf einer Platine 6 angeordnet, die eine größere Grundfläche als das Funktionsvolumen 3 aufweist.
Der Sensorchip 5 hat eine Auflösung von 5 Pa.
Fig. 2 zeigt in einer schematischen Ansicht den Sensorchip 5. Der Sensorchip 5 ermöglicht eine Detektion eines Differenzdruckes im Bereich 10 - 500 Pa. Der Sensorchip 5 kann entweder nur aus einem Wandlerelement 10 bestehen, welches eine Druckänderung in ein elektrisches Signal wandelt, oder aus einem Wandlerelement 10 mit einem Sensor-Frontend 1 1 .
Der Sensorchip 5 mit einem Wandlerelement 10 und/ oder der Sensorchip 5 mit einem Wandlerelement 10 und einem Sensor-Frontend 1 1 wird in seiner Gesamtheit in einer 180 nm CMOS-Technologie gefertigt.
Das Sensor-Frontend 1 1 könnte eine Elektronik aufweisen oder als solche ausgestaltet sein.
Das Wandlerelement 10 könnte als Transistor oder als Widerstand auf einer Siliziummembran ausgestaltet sein.
Fig. 3 zeigt in einer schematischen Ansicht den Elektronikchip 4. Der
Elektronikchip 4 umfasst analoge und / oder digitale Schnittstellen für einen Anschluss an weitere Sensoren 12 oder an weitere Sensorchips. Der
Elektronikchip 4 umfasst ein Sensor-Frontend 13. Der Elektronikchip 4 umfasst einen Mikrokontroller für die Signalverarbeitung 14. Der Elektronikchip 4 umfasst einen Speicher 15. Der Elektronikchip 4 umfasst ein RFID-Frontend 16 für eine kontaktlose Versorgung und/ oder für eine Versorgung über eine Kontaktverbindung. Fig. 4 zeigt anhand eines weiteren Sensors 2', dass der Elektronikchip 4' und der Sensorchip 5' nebeneinander auf einer Platine 6' angeordnet sind. Der Elektronikchip 4' und der Sensorchip 5' sind durch Bonddrähte 17 miteinander elektrisch leitend verbunden.
Fig. 5 zeigt anhand eines weiteren Sensors 2", dass der Elektronikchip 4" und der Sensorchip 5" durch eine Flip-Chip-Verbindung unter Verwendung von Kontaktierhügeln 18, nämlich von sogenannten„Bumps", miteinander elektrisch leitend verbunden sind.
Sowohl in Fig. 4 als auch in Fig. 5 umfasst der Sensorchip 5', 5" eine Membran 19', 19" und elektronische Einrichtungen 20', 20", die Oxidschichten umfassen können. Der Sensorchip 5', 5" umfasst jeweils ein Siliziumsubstrat 21 ', 21 ", in welches eine Membran 19', 19" eingeätzt ist, die bis auf Wandlerelemente 10', 10" frei von elektronischen Einrichtungen oder Oxidschichten ist.
Der Elektronikchip 4', 4" und der Sensorchip 5', 5" sind auf einer Platine 6', 6" angeordnet, in welcher ein Durchgang 6'a, 6"a ausgebildet ist, wobei der Durchgang 6'a, 6"a der einzige fluidleitende Zugang zu einem Volumen 22', 22" ist, welches von der Platine 6', 6", dem Sensorchip 5', 5" und einem den Sensorchip 5', 5" umfangenden Abdichtkranz 23', 23" gebildet ist, wobei dem Volumen 22', 22" eine erste Membranfläche 19'a, 19"a der Membran 19', 19" zugewandt ist. Der Elektronikchip 4', 4" ist geklebt. Der Elektronikchip 4', 4" weist ebenfalls elektronische Einrichtungen 20', 20" auf. Das Volumen 22', 22" wird nur von der Platine 6', 6", dem Sensorchip 5', 5" und dem Abdichtkranz 23', 23", welcher den Sensorchip 5', 5" umfängt, abgedichtet. Auf zwei unterschiedlichen Seiten der Membran 19', 19" herrschen
unterschiedliche Drücke p1 und p2. Mit dem Sensor 2', 2" kann der
Differenzdruck zwischen den Seiten gemessen werden, wenn die beiden Seiten voneinander dicht abgetrennt sind und der Sensor 2', 2" geeignet angeordnet und abgedichtet gelagert ist. Dies ist durch die strichlierte Linie schematisch dargestellt.
Der Abdichtkranz 23', 23" besteht bevorzugt aus einer Vergussmasse, die auch in kleine Spalte abdichtend hineinfließen kann.
Fig. 6 zeigt in einer transparenten Ansicht, dass die Kontaktierhügel 18 eine Membran 19" umgeben. Die Kontaktierhügel 18 müssen derart exakt angebracht werden, dass der Sensorchip 5" bzw. die Membran 19"
gleichmäßig mit mechanischer Spannung beaufschlagt werden.
Eine Schnittstelle zwischen dem Sensorchip 5, 5', 5" und dem Elektronikchip 4, 4', 4" kann im Funktionsvolumen 3 liegen.

Claims

Patentansprüche
Sensor (2, 2', 2"), umfassend einen Elektronikchip (4, 4', 4") und einen Sensorchip (5, 5', 5"), welche innerhalb eines Funktionsvolumens (3) angeordnet sind, welches höchstens 4 bis 5 mm lang, höchstens 2 bis 3 mm breit und höchstens 0,5 bis 0,8 mm hoch ist.
Sensor nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb des Funktionsvolumens (3) mehrere Elektronikchips (4, 4', 4") und/ oder mehrere Sensorchips (5, 5', 5") angeordnet sind.
Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronikchip (4, 4', 4") mehrere analoge und/ oder digitale
Schnittstellen aufweist, mit welchen verschiedene Sensorchips auswertbar sind.
Sensor nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass mittels des Elektronikchips (4, 4', 4") und/ oder des Sensorchips (5, 5', 5") eine kabellose Energie- und/ oder
Datenübertragung über eine Funkschnittstelle oder über eine nicht steckbare Verbindung von Kontakten erfolgt.
Sensor nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der Sensorchip (5, 5', 5") mit einem
Wandlerelement (10, 10', 10") und/ oder der Sensorchip (5) mit einem Wandlerelement (10) und einem Sensor-Frontend (1 1 ) in seiner Gesamtheit in einer 180 nm CMOS-Technologie gefertigt ist.
Sensor nach dem voranstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass das Wandlerelement (10) als Transistor oder Widerstand auf einer Siliziummembran ausgestaltet ist.
7. Sensor nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass mit dem Sensorchip (5, 5', 5") eine Druckdifferenz im Bereich 10 - 500 Pa messbar ist.
8. Sensor nach dem voranstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensorchip (5, 5', 5") eine Auflösung von 5 Pa hat.
9. Sensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensorchip (5, 5', 5") eine Auflösung hat, die im Bereich 1 Pa bis kleiner 5 Pa liegt.
10. Sensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensorchip (5, 5', 5") eine Auflösung hat, die im Bereich größer 5 Pa bis 10 Pa liegt.
1 1. Sensor nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der Elektronikchip (4, 4', 4") und der Sensorchip (5, 5', 5") nebeneinander auf einer Platine (6, 6', 6") angeordnet sind.
12. Sensor nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der Elektronikchip (4, 4') und der Sensorchip (5, 5') durch Bonddrähte (17) miteinander elektrisch leitend verbunden sind.
13. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronikchip (4") und der Sensorchip (5") durch eine Flip- Chip-Verbindung unter Verwendung von Kontaktierhügeln (18) miteinander elektrisch leitend verbunden sind.
14. Sensor nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der Sensorchip (5, 5', 5") eine Membran (19', 19") und elektronische Einrichtungen (20', 20") umfasst.
15. Sensor nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der Sensorchip (5', 5") ein Siliziumsubstrat (21 ', 21 ") umfasst, in welches eine Membran (19', 19") eingeätzt ist, die bis auf Wandlerelemente (10', 10") frei von elektronischen Einrichtungen und/ oder Oxidschichten ist.
Sensor nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der Elektronikchip (4, 4', 4") und der Sensorchip (5, 5', 5") auf einer Platine (6, 6', 6") angeordnet sind, in welcher ein Durchgang (6'a, 6"a) ausgebildet ist, wobei der Durchgang (6'a, 6"a) der einzige fluidleitende Zugang zu einem Volumen (22', 22") ist, welches von der Platine (6, 6', 6"), dem Sensorchip (5, 5', 5") und einem den Sensorchip (5, 5', 5") umfangenden Abdichtkranz (23', 23") gebildet ist, wobei dem Volumen (22', 22") eine erste Membranfläche (19'a, 19"a) einer Membran (19', 19") zugewandt ist.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106796151A (zh) 2014-08-01 2017-05-31 卡尔·弗罗伊登伯格公司 传感器、包括传感器的过滤元件和这样的过滤元件的应用
JP7125004B2 (ja) 2018-05-18 2022-08-24 日清紡マイクロデバイス株式会社 Ｍｅｍｓ素子
EP3769833B1 (de) 2019-07-24 2022-04-20 Carl Freudenberg KG Filterelement mit funktionsraum und filteranordnung mit solchem filterelement und verfahren zur steuerung eines filtersystems
DE102019128218B4 (de) * 2019-10-18 2022-10-20 Klinkau Gmbh + Co. Kg Filterpressensystem und Filterplatte
DE102021131566A1 (de) 2021-12-01 2023-06-01 Mann+Hummel Gmbh Filterelement und Filteranordnung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7790492B1 (en) * 2009-06-13 2010-09-07 Mwm Acoustics, Llc Method for fabricating a transducer package with the transducer die unsupported by a substrate
DE202013102632U1 (de) * 2013-06-19 2013-12-20 Sensirion Ag Sensorbaustein
US20140210019A1 (en) * 2013-01-30 2014-07-31 Invensense, Inc. Low-cost package for integrated mems sensors

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1137115A (zh) * 1995-05-30 1996-12-04 山东矿业学院 多媒体应变式应力传感器
US5665648A (en) * 1995-12-21 1997-09-09 Hughes Electronics Integrated circuit spring contact fabrication methods
US6078102A (en) * 1998-03-03 2000-06-20 Silicon Bandwidth, Inc. Semiconductor die package for mounting in horizontal and upright configurations
ATE243406T1 (de) * 1999-09-06 2003-07-15 Sonionmems As Druckwandler
DE10000435A1 (de) * 2000-01-10 2001-07-12 Mann & Hummel Filter Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung wartungsintensiver Austauschteile an einem Aggregat
US20040099060A1 (en) 2002-11-23 2004-05-27 Johan Kijlstra Device and method for characterizing a capillary system
US6906406B2 (en) * 2002-12-19 2005-06-14 Freescale Semiconductor, Inc. Multiple dice package
US7104129B2 (en) * 2004-02-02 2006-09-12 Invensense Inc. Vertically integrated MEMS structure with electronics in a hermetically sealed cavity
JP4553720B2 (ja) * 2004-12-21 2010-09-29 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置及びその製造方法
GB2434877A (en) * 2006-02-06 2007-08-08 Qinetiq Ltd MOEMS optical modulator
US8022554B2 (en) * 2006-06-15 2011-09-20 Sitime Corporation Stacked die package for MEMS resonator system
US7847387B2 (en) * 2007-11-16 2010-12-07 Infineon Technologies Ag Electrical device and method
US7964448B2 (en) * 2008-09-18 2011-06-21 Infineon Technologies Ag Electronic device and method of manufacturing same
JP5191915B2 (ja) * 2009-01-30 2013-05-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8322225B2 (en) * 2009-07-10 2012-12-04 Honeywell International Inc. Sensor package assembly having an unconstrained sense die
DE102009029021B4 (de) * 2009-08-31 2022-09-22 Robert Bosch Gmbh Sensorsystem zur Umfeldüberwachung an einem mechanischen Bauteil und ein Verfahren zur Ansteuerung und Auswertung des Sensorsystems
DE102009040707B4 (de) 2009-09-10 2011-06-30 Carl Freudenberg KG, 69469 Filterelement mit einem fest angebundenen Sensor
CN102215448B (zh) * 2010-04-08 2015-04-01 北京卓锐微技术有限公司 可屏蔽电磁干扰的硅麦克风封装方法、封装体及电子装置
DE102010044616B4 (de) 2010-09-01 2013-07-18 Edc Electronic Design Chemnitz Gmbh Monolithisches Mikrosystem für einen lösbaren Filtereinsatz in einer Filtereinrichtung zur überwachten Reinigung von Medien
JP5732286B2 (ja) * 2011-03-16 2015-06-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US8804982B2 (en) * 2011-04-02 2014-08-12 Harman International Industries, Inc. Dual cell MEMS assembly
US8384168B2 (en) * 2011-04-21 2013-02-26 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor device with sealing structure
DE102012203373A1 (de) * 2012-03-05 2013-09-05 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Schallwandleranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren
US20140048946A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-20 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor packages and method of packaging dies of various sizes
US8709868B2 (en) * 2012-08-23 2014-04-29 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor packages and method of packaging dies of differing sizes
US9173605B2 (en) * 2012-12-13 2015-11-03 California Institute Of Technology Fabrication of implantable fully integrated electrochemical sensors
US9209497B2 (en) * 2012-12-17 2015-12-08 Infineon Technologies Ag Sensor module and battery elements
DE102013200070B3 (de) * 2013-01-04 2014-03-27 Robert Bosch Gmbh Mikrofon-Bauteil
JP2015005597A (ja) * 2013-06-20 2015-01-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 樹脂封止型センサ装置
US20140374855A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-25 Wai Yew Lo Pressure sensor and method of packaging same
US9365414B2 (en) * 2014-04-21 2016-06-14 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor package having stacked die
CN106796151A (zh) 2014-08-01 2017-05-31 卡尔·弗罗伊登伯格公司 传感器、包括传感器的过滤元件和这样的过滤元件的应用
US9673170B2 (en) * 2014-08-05 2017-06-06 Infineon Technologies Ag Batch process for connecting chips to a carrier
US9666559B2 (en) * 2014-09-05 2017-05-30 Invensas Corporation Multichip modules and methods of fabrication
JP2016058628A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社東芝 半導体装置、及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7790492B1 (en) * 2009-06-13 2010-09-07 Mwm Acoustics, Llc Method for fabricating a transducer package with the transducer die unsupported by a substrate
US20140210019A1 (en) * 2013-01-30 2014-07-31 Invensense, Inc. Low-cost package for integrated mems sensors
DE202013102632U1 (de) * 2013-06-19 2013-12-20 Sensirion Ag Sensorbaustein

Also Published As

Publication number Publication date
CA2956864A1 (en) 2016-02-04
KR20170036081A (ko) 2017-03-31
EP3174617A1 (de) 2017-06-07
EP3174826A1 (de) 2017-06-07
CN106796151A (zh) 2017-05-31
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RU2665341C1 (ru) 2018-08-29
US10189701B2 (en) 2019-01-29
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CA2956867A1 (en) 2016-02-04

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