JP3188978B2 - カメラの測光装置 - Google Patents
カメラの測光装置Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/099—Arrangement of photoelectric elements in or on the camera
- G03B7/0993—Arrangement of photoelectric elements in or on the camera in the camera
- G03B7/0997—Through the lens [TTL] measuring
- G03B7/09979—Multi-zone light measuring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Focusing (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、オートフォーカス(以
下AFと略す)カメラ等において用いられる、画面上の
光電変換エリアが一部で重複(例えば十字形の光電変換
エリアを持ったもの)する光電変換素子列を有するAF
受光部出力を用いて測光値を得る、カメラの測光装置に
関するものである。
下AFと略す)カメラ等において用いられる、画面上の
光電変換エリアが一部で重複(例えば十字形の光電変換
エリアを持ったもの)する光電変換素子列を有するAF
受光部出力を用いて測光値を得る、カメラの測光装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、AFカメラ等において通常用
いられる電荷蓄積型光電変換素子より構成される焦点検
出装置の出力から、被写体輝度に関する測光値を得よう
とする場合、蛍光灯のようなフリッカーのある光源下で
はフリッカーの山の位置で電荷を蓄積してしまうか、谷
の位置で蓄積してしまうかによって、算出した測光値が
平均的な被写体輝度に対して誤差を持つため、測光精度
が低下することが知られている。
いられる電荷蓄積型光電変換素子より構成される焦点検
出装置の出力から、被写体輝度に関する測光値を得よう
とする場合、蛍光灯のようなフリッカーのある光源下で
はフリッカーの山の位置で電荷を蓄積してしまうか、谷
の位置で蓄積してしまうかによって、算出した測光値が
平均的な被写体輝度に対して誤差を持つため、測光精度
が低下することが知られている。
【0003】上記の問題に対して、特開昭62ー198
24や特開昭62ー259022では、複数回の積分動
作の電荷蓄積時間の平均値を用いる事によって、一回の
みの測光で得る測光値の変動の影響を除去し、被写体輝
度に対する平均的な(正確な)測光値を求めることが開
示されている。
24や特開昭62ー259022では、複数回の積分動
作の電荷蓄積時間の平均値を用いる事によって、一回の
みの測光で得る測光値の変動の影響を除去し、被写体輝
度に対する平均的な(正確な)測光値を求めることが開
示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常一
回の積分動作は電荷蓄積時間と転送時間以外にアナログ
−デジタル(以下ADと略す。)変換時間と焦点検出演
算時間を要するため、測光精度を上げるために、測光開
始後複数回(特開昭62ー259022号公報の開示例
では4回)の積分動作終了を待つことは、これらの装置
を用いるカメラの速写性に悪影響を及ぼす。
回の積分動作は電荷蓄積時間と転送時間以外にアナログ
−デジタル(以下ADと略す。)変換時間と焦点検出演
算時間を要するため、測光精度を上げるために、測光開
始後複数回(特開昭62ー259022号公報の開示例
では4回)の積分動作終了を待つことは、これらの装置
を用いるカメラの速写性に悪影響を及ぼす。
【0005】安定性を増すために平均化する積分動作回
数を増せば、応答性が緩慢となり良くない。また、やみ
くもに測光回数を増やしても、測光タイミングが光源の
フリッカー周期と同期してしまったならば、光源の状態
が片寄った状態で測光を繰り返すばかりで、正確な測光
値を得られない。加えて、同一の素子列での複数回の測
光動作、AD変換動作は無駄な出力処理であり、敬遠さ
れるべきである。
数を増せば、応答性が緩慢となり良くない。また、やみ
くもに測光回数を増やしても、測光タイミングが光源の
フリッカー周期と同期してしまったならば、光源の状態
が片寄った状態で測光を繰り返すばかりで、正確な測光
値を得られない。加えて、同一の素子列での複数回の測
光動作、AD変換動作は無駄な出力処理であり、敬遠さ
れるべきである。
【0006】そこで、本発明は、この様な従来の問題点
に鑑みてなされたものであり、蛍光灯のようなフリッカ
ー光源下においても、高精度の測光値を速やかに得るこ
とを可能としたカメラの測光装置を提供することにあ
る。
に鑑みてなされたものであり、蛍光灯のようなフリッカ
ー光源下においても、高精度の測光値を速やかに得るこ
とを可能としたカメラの測光装置を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、焦点検出を兼
ねる測光装置において、被写界の第1領域からの光束を
光電変換する第1光電変換手段(38A)と、被写界の
前記第1領域と重複する重複領域を有する第2領域から
の光束を、光電変換する第2光電変換手段(38C)
と、前記第1光電変換手段の出力から第1輝度情報(a
p)を算出する第1輝度算出手段(1式)と、前記第1
光電変換手段の光電変換開始から前記第2光電変換手段
の光電変換開始までの所定時間を設定する所定時間設定
手段(42)と、該所定時間設定手段により設定された
所定時間後に、前記第2光電変換手段の出力から第2輝
度情報(cq )を算出する第2輝度算出手段(1式)
と、前記第1光電変換手段の前記重複領域における第1
重複領域輝度値(a(+c))と、前記第2光電変換手
段の前記重複領域における第2重複領域輝度値(c(+
a))とを演算する輝度値演算手段と(2式、3式)、
前記第1、第2輝度情報及び前記第1、第2重複領域輝
度値を用いて、前記第1、第2領域の測光演算を行う測
光平均値演算手段(8式、9式)とを有することを特徴
とする。
ねる測光装置において、被写界の第1領域からの光束を
光電変換する第1光電変換手段(38A)と、被写界の
前記第1領域と重複する重複領域を有する第2領域から
の光束を、光電変換する第2光電変換手段(38C)
と、前記第1光電変換手段の出力から第1輝度情報(a
p)を算出する第1輝度算出手段(1式)と、前記第1
光電変換手段の光電変換開始から前記第2光電変換手段
の光電変換開始までの所定時間を設定する所定時間設定
手段(42)と、該所定時間設定手段により設定された
所定時間後に、前記第2光電変換手段の出力から第2輝
度情報(cq )を算出する第2輝度算出手段(1式)
と、前記第1光電変換手段の前記重複領域における第1
重複領域輝度値(a(+c))と、前記第2光電変換手
段の前記重複領域における第2重複領域輝度値(c(+
a))とを演算する輝度値演算手段と(2式、3式)、
前記第1、第2輝度情報及び前記第1、第2重複領域輝
度値を用いて、前記第1、第2領域の測光演算を行う測
光平均値演算手段(8式、9式)とを有することを特徴
とする。
【0008】さらに、本発明は、焦点検出を兼ねる測光
装置において、前記焦点検出を行なう被写界の焦点検出
領域と測光値を算出する測光領域とを光電変換する電荷
蓄積型光電変換手段と(38)、該電荷蓄積型光電変換
手段の出力から輝度情報を算出する輝度算出手段と(1
式)、該電荷蓄積型光電変換手段の蓄積時間を制御する
蓄積時間制御手段41と、測光領域を前記焦点検出領域
よりも狭い限定測光領域を設定する測光領域設定手段
と、前記焦点検出領域から最適な輝度情報を得るために
前記蓄積時間制御手段により設定される第1電荷蓄積時
間T(B)と前記限定測光領域から最適な輝度情報を得
るために前記蓄積時間制御手段により設定される第2電
荷蓄積時間T(A)とのいずれか短い方の電荷蓄積時間
を判断する判断手段とを備え、該判断手段で判断した前
記第1電荷蓄積時間と前記第2電荷蓄積時間とのいずれ
か短い方の電荷蓄積時間でもって、前記電荷蓄積型光電
変換手段全体の測光値を得ることを特徴とする。
装置において、前記焦点検出を行なう被写界の焦点検出
領域と測光値を算出する測光領域とを光電変換する電荷
蓄積型光電変換手段と(38)、該電荷蓄積型光電変換
手段の出力から輝度情報を算出する輝度算出手段と(1
式)、該電荷蓄積型光電変換手段の蓄積時間を制御する
蓄積時間制御手段41と、測光領域を前記焦点検出領域
よりも狭い限定測光領域を設定する測光領域設定手段
と、前記焦点検出領域から最適な輝度情報を得るために
前記蓄積時間制御手段により設定される第1電荷蓄積時
間T(B)と前記限定測光領域から最適な輝度情報を得
るために前記蓄積時間制御手段により設定される第2電
荷蓄積時間T(A)とのいずれか短い方の電荷蓄積時間
を判断する判断手段とを備え、該判断手段で判断した前
記第1電荷蓄積時間と前記第2電荷蓄積時間とのいずれ
か短い方の電荷蓄積時間でもって、前記電荷蓄積型光電
変換手段全体の測光値を得ることを特徴とする。
【0009】
【作用】本発明の着目すべき点は、異なる光電変換素子
列の重複領域の輝度出力をフリッカー周期を考慮して異
なる時点で得ることとし、蛍光灯の様なフリッカー光源
下で、同一素子列の測光動作の重複なしに、効率良くし
かも測距エリア全域において高精度の測光値を速やかに
得ることを可能としたものである。
列の重複領域の輝度出力をフリッカー周期を考慮して異
なる時点で得ることとし、蛍光灯の様なフリッカー光源
下で、同一素子列の測光動作の重複なしに、効率良くし
かも測距エリア全域において高精度の測光値を速やかに
得ることを可能としたものである。
【0010】請求項1の発明は、第1光電変換手段の光
電変換開始から所定時間経過後に第2光電変換手段の光
電変換を開始し、第1光電変換手段の重複領域での輝度
情報と第2光電変換手段重複領域での輝度情報を平均化
して重複領域の平均的な、つまりは重複領域の正確な輝
度値を輝度値演算手段で演算する〔(5)式〕。さら
に、上記第1光電変換手段の該重複領域以外の領域に関
しても、光電変換動作時に得られる重複領域の輝度値
〔(2)式、(3)式〕と上記で求めた重複領域の正確
な輝度値〔(5)式〕との比率〔(6)式、(7)式〕
とを用いて、第1光電変換手段と第2光電変換手段の光
源のフリッカーの影響を受けない平均的な(正確な)測
光値を測光平均値演算手段〔(8)式、(9)式〕を使
って演算する。
電変換開始から所定時間経過後に第2光電変換手段の光
電変換を開始し、第1光電変換手段の重複領域での輝度
情報と第2光電変換手段重複領域での輝度情報を平均化
して重複領域の平均的な、つまりは重複領域の正確な輝
度値を輝度値演算手段で演算する〔(5)式〕。さら
に、上記第1光電変換手段の該重複領域以外の領域に関
しても、光電変換動作時に得られる重複領域の輝度値
〔(2)式、(3)式〕と上記で求めた重複領域の正確
な輝度値〔(5)式〕との比率〔(6)式、(7)式〕
とを用いて、第1光電変換手段と第2光電変換手段の光
源のフリッカーの影響を受けない平均的な(正確な)測
光値を測光平均値演算手段〔(8)式、(9)式〕を使
って演算する。
【0011】よって、同一素子列の複数回の光電変換動
作のような無駄な動作無しに、測距エリア全域において
高精度の測光値を速やかに得ることができる。請求項2
の発明は、焦点検出領域が十字の領域でなく、二重十字
などである場合でも、測光領域全体の平均的な測光値を
得ることができる効果がある。よって、同一素子列の複
数回の光電変換動作のような無駄な動作無しに、測距エ
リア全域において高精度の測光値を速やかに得ることが
できる。
作のような無駄な動作無しに、測距エリア全域において
高精度の測光値を速やかに得ることができる。請求項2
の発明は、焦点検出領域が十字の領域でなく、二重十字
などである場合でも、測光領域全体の平均的な測光値を
得ることができる効果がある。よって、同一素子列の複
数回の光電変換動作のような無駄な動作無しに、測距エ
リア全域において高精度の測光値を速やかに得ることが
できる。
【0012】請求項3の発明は、請求項2の発明と同じ
く二重十字の測光領域などである場合に、測光順序を換
えた発明である。従って、1つの測光方式に縛られるこ
となく、測光方式に自由度をもって測光領域全体の平均
的な測光値を得ることができる効果がある。請求項4の
発明は、上記発明にフリッカー検出手段を設けることに
より、光源のフリッカー周期(t)を検出し、第1光電
変換手段の光電変換のt/2時間経過後に第2列目の光
電変換動作を行い、所定時間を自動的に定め、請求項5
の発明は、蛍光灯のフリッカー周期(t)が一定範囲で
あるため、上記発明に周期記憶手段を設けることによ
り、所定時間を前もって記憶手段に記憶させておくこと
で廉価に実施することができ、請求項6の発明では、上
記発明に手動時間設定手段を設けることにより、特殊な
フリッカー周期(t)の場合、撮影者が設定できるよう
にしている。
く二重十字の測光領域などである場合に、測光順序を換
えた発明である。従って、1つの測光方式に縛られるこ
となく、測光方式に自由度をもって測光領域全体の平均
的な測光値を得ることができる効果がある。請求項4の
発明は、上記発明にフリッカー検出手段を設けることに
より、光源のフリッカー周期(t)を検出し、第1光電
変換手段の光電変換のt/2時間経過後に第2列目の光
電変換動作を行い、所定時間を自動的に定め、請求項5
の発明は、蛍光灯のフリッカー周期(t)が一定範囲で
あるため、上記発明に周期記憶手段を設けることによ
り、所定時間を前もって記憶手段に記憶させておくこと
で廉価に実施することができ、請求項6の発明では、上
記発明に手動時間設定手段を設けることにより、特殊な
フリッカー周期(t)の場合、撮影者が設定できるよう
にしている。
【0013】請求項7から請求項9の発明は、光電変換
手段を電荷蓄積型光電変換手段であって被写体が輝度が
暗い場合を想定したものである。被写体が輝度が暗い場
合には、光電変換手段の電荷蓄積時間が長くなる。従っ
て、測光方式切換え手段と所定電荷蓄積時間を設定する
蓄積時間設定手段を設けることで、所定電荷蓄積時間よ
りいずれか1つの光電変換手段の電荷蓄積時間が長くな
るようであれば、前記測光平均値演算手段を作動させず
全ての前記光電変換手段を同時に前記所定電荷蓄積時間
で制御する方式に切換えることで、迅速かつ正確な測光
値を求めることができる。
手段を電荷蓄積型光電変換手段であって被写体が輝度が
暗い場合を想定したものである。被写体が輝度が暗い場
合には、光電変換手段の電荷蓄積時間が長くなる。従っ
て、測光方式切換え手段と所定電荷蓄積時間を設定する
蓄積時間設定手段を設けることで、所定電荷蓄積時間よ
りいずれか1つの光電変換手段の電荷蓄積時間が長くな
るようであれば、前記測光平均値演算手段を作動させず
全ての前記光電変換手段を同時に前記所定電荷蓄積時間
で制御する方式に切換えることで、迅速かつ正確な測光
値を求めることができる。
【0014】請求項10から請求項12の発明は、以下
の場合を想定した発明である。焦点検出と測光値の検出
を同一の電荷蓄積型光電変換手段で行なう場合に、測光
領域を限定する測光領域設定手段を設けていることがあ
る。すると、限定された測光領域の電荷蓄積時間と焦点
検出を行なう電荷蓄積時間が異なる場合が生じる。かか
る場合においてもいずれの検出の精度も低下することが
ないように、請求項10から請求項12の発明は、適正
な検出精度を得ることができるようにした。
の場合を想定した発明である。焦点検出と測光値の検出
を同一の電荷蓄積型光電変換手段で行なう場合に、測光
領域を限定する測光領域設定手段を設けていることがあ
る。すると、限定された測光領域の電荷蓄積時間と焦点
検出を行なう電荷蓄積時間が異なる場合が生じる。かか
る場合においてもいずれの検出の精度も低下することが
ないように、請求項10から請求項12の発明は、適正
な検出精度を得ることができるようにした。
【0015】
【実施例】図1〜図9は、本願発明に係るカメラの測光
装置の第1実施例を示すものである。図10〜図14
は、カメラの測光装置の第2実施例を示すものである。
図15、図16は、カメラの測光装置の第3実施例を示
すものである。
装置の第1実施例を示すものである。図10〜図14
は、カメラの測光装置の第2実施例を示すものである。
図15、図16は、カメラの測光装置の第3実施例を示
すものである。
【0016】なお、第1実施例は、図1に示す測光装置
の測光領域が十字形であり、第2及び第3実施例が該測
光領域が二重十字形である点で異なっている。また、第
2実施例と第3実施例とは、測光演算の手順が異なる点
で相違している。以下、第1実施例から説明していく。 (実施例1)まず、本発明の測光装置の第1実施例の測
光手順について詳述する。
の測光領域が十字形であり、第2及び第3実施例が該測
光領域が二重十字形である点で異なっている。また、第
2実施例と第3実施例とは、測光演算の手順が異なる点
で相違している。以下、第1実施例から説明していく。 (実施例1)まず、本発明の測光装置の第1実施例の測
光手順について詳述する。
【0017】図1は、本発明の焦点検出を兼ねる測光装
置の測光領域を示す図で、被写界に十字形の検出領域を
有す。十字形の横方向の検出領域をA列、B列とし、縦
方向の検出領域をC列、D列とする。図2は、本発明の
焦点検出を兼ねる測光装置(AFAEモジュール)の構
成の一例を示したものである。AFAEモジュールは、
視野マスク31、フィールドレンズ32及び二対の再結
像レンズ28A・28B及び、28C・28Dから成る
焦点検出光学系25と、二対の光電変換素子列38A・
38B及び、38C・38Dから成る光電変換手段35
とから構成されている。以上のような構成において、撮
影レンズ11の射出瞳16に含まれる光軸17に対して
対称な二対の領域18A・18B及び、18C・18D
を通る光束は、図1に示したような焦点検出領域全体に
対応した開口形状を有する視野マスク31付近で一次像
を形成する。視野マスク31の開口部に形成された一次
像の一部は、更にフィールドレンズ32及び二対の再結
像レンズ28A・28B及び、28C・28Dにより光
電変換手段35の二対の光電変換素子列38A・38B
及び、38C・38D上に二対の二次像として形成され
る。
置の測光領域を示す図で、被写界に十字形の検出領域を
有す。十字形の横方向の検出領域をA列、B列とし、縦
方向の検出領域をC列、D列とする。図2は、本発明の
焦点検出を兼ねる測光装置(AFAEモジュール)の構
成の一例を示したものである。AFAEモジュールは、
視野マスク31、フィールドレンズ32及び二対の再結
像レンズ28A・28B及び、28C・28Dから成る
焦点検出光学系25と、二対の光電変換素子列38A・
38B及び、38C・38Dから成る光電変換手段35
とから構成されている。以上のような構成において、撮
影レンズ11の射出瞳16に含まれる光軸17に対して
対称な二対の領域18A・18B及び、18C・18D
を通る光束は、図1に示したような焦点検出領域全体に
対応した開口形状を有する視野マスク31付近で一次像
を形成する。視野マスク31の開口部に形成された一次
像の一部は、更にフィールドレンズ32及び二対の再結
像レンズ28A・28B及び、28C・28Dにより光
電変換手段35の二対の光電変換素子列38A・38B
及び、38C・38D上に二対の二次像として形成され
る。
【0018】図3に光電変換手段35上での光電変換部
配置構成を示す。光電変換素子列38A・38Bは各々
n個の光電変換素子Ap 、Bp (p=1〜n)から成
り、一次像がフィルム面と一致しているときに対応する
光電変換素子(A1 とB1 、A 2 とB2 、・・・)の出
力が等しくなる様に配置されている。38C・38Dも
同様に各々m個の光電変換素子Aq 、Bq (q=1〜
m)から成っている。光電変換素子列38A・38B及
び、38C・38Dを形成する光電変換素子は、例えば
フォトダイオード等の電荷蓄積型素子(CCD)によっ
て構成されており、光電変換手段35上の照度に応じ
て、蓄積時間制御手段で電荷蓄積時間を制御すること
で、適正な時間だけ電荷蓄積を行うことにより光電変換
素子出力を適正な出力レベルに制御することができる。
配置構成を示す。光電変換素子列38A・38Bは各々
n個の光電変換素子Ap 、Bp (p=1〜n)から成
り、一次像がフィルム面と一致しているときに対応する
光電変換素子(A1 とB1 、A 2 とB2 、・・・)の出
力が等しくなる様に配置されている。38C・38Dも
同様に各々m個の光電変換素子Aq 、Bq (q=1〜
m)から成っている。光電変換素子列38A・38B及
び、38C・38Dを形成する光電変換素子は、例えば
フォトダイオード等の電荷蓄積型素子(CCD)によっ
て構成されており、光電変換手段35上の照度に応じ
て、蓄積時間制御手段で電荷蓄積時間を制御すること
で、適正な時間だけ電荷蓄積を行うことにより光電変換
素子出力を適正な出力レベルに制御することができる。
【0019】電荷蓄積動作の時期について考察すると、
フリッカー光源の影響を考慮して、一対である光電変換
素子列A列とB列(またはC列とD列)は、焦点検出の
ために同時に電荷蓄積動作を行わなくてはいけない。し
かし、光電変換素子列A列(=B列)とC列(=D列)
とは、必ずしも同時に行う必要はない。
フリッカー光源の影響を考慮して、一対である光電変換
素子列A列とB列(またはC列とD列)は、焦点検出の
ために同時に電荷蓄積動作を行わなくてはいけない。し
かし、光電変換素子列A列(=B列)とC列(=D列)
とは、必ずしも同時に行う必要はない。
【0020】光電変換素子出力からの輝度情報の算出
は、下記の式の通りである。光電変換素子Ap の場合を
示す。 ap = CS(A)×O(Ap )/T(A) ・・・(1) ap :輝度情報 CS(A):定数 O(Ap ):光電変換素子出力(AD変換値) T(A) :電荷蓄積時間 各列の光電変換素子出力を算出して得た光電変換素子A
p 、Bp及び光電変換素子Cq 、Dq に対応する輝度情
報をap 、bp (p=1〜n)及び輝度情報c q 、dq
(q=1〜m)とする。
は、下記の式の通りである。光電変換素子Ap の場合を
示す。 ap = CS(A)×O(Ap )/T(A) ・・・(1) ap :輝度情報 CS(A):定数 O(Ap ):光電変換素子出力(AD変換値) T(A) :電荷蓄積時間 各列の光電変換素子出力を算出して得た光電変換素子A
p 、Bp及び光電変換素子Cq 、Dq に対応する輝度情
報をap 、bp (p=1〜n)及び輝度情報c q 、dq
(q=1〜m)とする。
【0021】デフォーカス量が0であった場合、輝度情
報ap とbp は同一の被写体部分について撮影レンズ1
1の異なる瞳領域を通過した光束が再結像して得られた
ものであるから、同一の値である。よって被写体の輝度
情報として(ap +bp )/2の値を用いても良いし、
輝度情報ap もしくはbp のどちらか一方のみでも良
い。輝度情報cq 、dq についても同様である。以後は
輝度情報としてap 、及びcq を用いて説明を進める。
報ap とbp は同一の被写体部分について撮影レンズ1
1の異なる瞳領域を通過した光束が再結像して得られた
ものであるから、同一の値である。よって被写体の輝度
情報として(ap +bp )/2の値を用いても良いし、
輝度情報ap もしくはbp のどちらか一方のみでも良
い。輝度情報cq 、dq についても同様である。以後は
輝度情報としてap 、及びcq を用いて説明を進める。
【0022】被写体がフリッカー光源で照明されている
場合は、光源のフリッカー周期に同期して被写体輝度が
変化するため、上記輝度情報ap またはcq の情報は変
動し、被写体輝度を正確に表すものとは限らない。よっ
て、一回のみの光電変換動作によって得られる測光値は
一般に正確な値(平均値)とはいえない。ここで図4に
示すように光電変換素子列A1 〜An とC1 〜Cm の交
点に注目すると、Aj 〜Aj+2 の領域とCk 〜Ck+2 の
領域とは同一の被写体領域を測光している。従って、被
写体を照明する光源が定常光であれば測光時点が異なっ
ていても、輝度情報aj 〜aj+2 を合計したものとck
〜ck+2 を合計したものとの値(及びその平均値)も同
一の値となるため、以下の(2)式〜(4)式が成立す
る。
場合は、光源のフリッカー周期に同期して被写体輝度が
変化するため、上記輝度情報ap またはcq の情報は変
動し、被写体輝度を正確に表すものとは限らない。よっ
て、一回のみの光電変換動作によって得られる測光値は
一般に正確な値(平均値)とはいえない。ここで図4に
示すように光電変換素子列A1 〜An とC1 〜Cm の交
点に注目すると、Aj 〜Aj+2 の領域とCk 〜Ck+2 の
領域とは同一の被写体領域を測光している。従って、被
写体を照明する光源が定常光であれば測光時点が異なっ
ていても、輝度情報aj 〜aj+2 を合計したものとck
〜ck+2 を合計したものとの値(及びその平均値)も同
一の値となるため、以下の(2)式〜(4)式が成立す
る。
【0023】 (aj +aj+1 +aj+2 )/3 = a(+c) ・・・(2) (ck +ck+1 +ck+2 )/3 = c(+a) ・・・(3) a(+c) = c(+a) ・・・(4) .a(+c)は、A列とC列との重複領域の輝度値、c
(+a)は、該領域の輝度値を示す。以下同じである。
(+a)は、該領域の輝度値を示す。以下同じである。
【0024】ところが、被写体がフリッカー光源で照明
されている場合は光源のフリッカー周期に同期して被写
体輝度が変化するため、上記(4)式が一般には成り立
たない。a(+c)光電変換時点(最初の光電変換時点
をT0とする)とc(+a)光電変換時点(次に行なう
光電変換時点をT1とする)とが異なるためである。フ
リッカー周期によって変化する被写体輝度を図5に示
す。
されている場合は光源のフリッカー周期に同期して被写
体輝度が変化するため、上記(4)式が一般には成り立
たない。a(+c)光電変換時点(最初の光電変換時点
をT0とする)とc(+a)光電変換時点(次に行なう
光電変換時点をT1とする)とが異なるためである。フ
リッカー周期によって変化する被写体輝度を図5に示
す。
【0025】なお、本装置の光電変換に要する時間、つ
まりは光電変換素子の電荷蓄積時間は、光源フリッカー
周期に比べ短時間であるとする。T0、T1は電荷蓄積
開始時間をもって代表される。上記フリッカー光源に同
期して被写体輝度は周期的に明るくなったり暗くなった
りするが(一般の蛍光灯照明下では最明、最暗の差が約
1EVほど有ると言われている)、A列の光電変換時点
と、その変換時点(T0)からフリッカー周期(t)の
1/2(もしくはt/2の奇数倍)時間後(T1)の2
つの時点での被写体輝度の平均を求めれば、光電変換時
とフリッカー周期の位相条件に拘らず、その値は被写体
の平均的な輝度値とみなすことができる。
まりは光電変換素子の電荷蓄積時間は、光源フリッカー
周期に比べ短時間であるとする。T0、T1は電荷蓄積
開始時間をもって代表される。上記フリッカー光源に同
期して被写体輝度は周期的に明るくなったり暗くなった
りするが(一般の蛍光灯照明下では最明、最暗の差が約
1EVほど有ると言われている)、A列の光電変換時点
と、その変換時点(T0)からフリッカー周期(t)の
1/2(もしくはt/2の奇数倍)時間後(T1)の2
つの時点での被写体輝度の平均を求めれば、光電変換時
とフリッカー周期の位相条件に拘らず、その値は被写体
の平均的な輝度値とみなすことができる。
【0026】フリッカー周期(t)は、被写体光強度の
周期的な変動(通常100ミリ秒〜1ミリ秒程度の周期
を対象とする)を検出するフリッカー周期検出手段を設
けることで、該フリッカー周期検出手段からのフリッカ
ー周期を基にすれば良い。
周期的な変動(通常100ミリ秒〜1ミリ秒程度の周期
を対象とする)を検出するフリッカー周期検出手段を設
けることで、該フリッカー周期検出手段からのフリッカ
ー周期を基にすれば良い。
【0027】あるいは、下記の方法でも良い。世界各国
の電源周波数は、50Hz、60Hzの2種類に大別さ
れる。蛍光灯等のフリッカー光源の輝度変化周期は電源
電圧周波数の2倍の周波数である。上記各国の電源周波
数から、世界各国でのフリッカー光源は100Hzもし
くは120Hzで輝度変化しているとみなすとこができ
る。よって、フリッカー周期は10.0ミリ秒もしくは
8.33ミリ秒であるため、簡易的かつ実用的な測光精
度を得る方法として、中間の9.2ミリ秒をもってフリ
ッカー周期として(t/2周期を4.6ミリ秒として)
予め記憶手段に記憶させておき、本発明の測光装置に記
憶手段を設けておいても良い。
の電源周波数は、50Hz、60Hzの2種類に大別さ
れる。蛍光灯等のフリッカー光源の輝度変化周期は電源
電圧周波数の2倍の周波数である。上記各国の電源周波
数から、世界各国でのフリッカー光源は100Hzもし
くは120Hzで輝度変化しているとみなすとこができ
る。よって、フリッカー周期は10.0ミリ秒もしくは
8.33ミリ秒であるため、簡易的かつ実用的な測光精
度を得る方法として、中間の9.2ミリ秒をもってフリ
ッカー周期として(t/2周期を4.6ミリ秒として)
予め記憶手段に記憶させておき、本発明の測光装置に記
憶手段を設けておいても良い。
【0028】図6は、50Hz、60Hzの2種類電源
におけるフリッカー周期と光電変換時点とを示す図であ
る。実線の波形が50Hz電源、破線の波形が60Hz
電源での輝度変化を表す。図中T0からカウントしてT
1は4.6ミリ秒後、T1’は13.8ミリ秒後であ
る。ただし、設定されたt/2周期の4.6ミリ秒と
は、あくまでも50Hz、60Hzの蛍光灯の平均のt
/2周期なので、あまり大きな奇数の倍数を掛けてしま
うと実際のフリッカー光源の輝度変化周期とのズレが大
きくなり上記前提が崩れ好ましくない。
におけるフリッカー周期と光電変換時点とを示す図であ
る。実線の波形が50Hz電源、破線の波形が60Hz
電源での輝度変化を表す。図中T0からカウントしてT
1は4.6ミリ秒後、T1’は13.8ミリ秒後であ
る。ただし、設定されたt/2周期の4.6ミリ秒と
は、あくまでも50Hz、60Hzの蛍光灯の平均のt
/2周期なので、あまり大きな奇数の倍数を掛けてしま
うと実際のフリッカー光源の輝度変化周期とのズレが大
きくなり上記前提が崩れ好ましくない。
【0029】従って、4.6ミリ秒が最も望ましく、次
いでその3倍の13.8ミリ秒が望ましい。測光のため
の電荷蓄積時間やその後の測光動作時間に応じて、可能
ならば4.6ミリ秒、不可能ならばその3倍の13.8
ミリ秒と順次切り換えていけば良い。勿論、上記4.6
ミリ秒、13.8ミリ秒の数値は装置駆動の都合上、多
少の変更は許される。(例えば、図6から考慮すると、
T1の許容時間は3.6ミリ秒〜5.4ミリ秒程度、T
1’の許容時間は12.8ミリ秒〜14.6ミリ秒程度
である。)また、撮影状況において撮影者が被写体を照
明するフリッカー光源のフリッカー周期が分かる場合、
本発明の測光装置に手動時間設定手段を付加し、フリッ
カー周期を撮影者の設定による値として、上記動作を行
っても良い。こうすれば、特殊なフリッカー光源にも対
処可能となる。
いでその3倍の13.8ミリ秒が望ましい。測光のため
の電荷蓄積時間やその後の測光動作時間に応じて、可能
ならば4.6ミリ秒、不可能ならばその3倍の13.8
ミリ秒と順次切り換えていけば良い。勿論、上記4.6
ミリ秒、13.8ミリ秒の数値は装置駆動の都合上、多
少の変更は許される。(例えば、図6から考慮すると、
T1の許容時間は3.6ミリ秒〜5.4ミリ秒程度、T
1’の許容時間は12.8ミリ秒〜14.6ミリ秒程度
である。)また、撮影状況において撮影者が被写体を照
明するフリッカー光源のフリッカー周期が分かる場合、
本発明の測光装置に手動時間設定手段を付加し、フリッ
カー周期を撮影者の設定による値として、上記動作を行
っても良い。こうすれば、特殊なフリッカー光源にも対
処可能となる。
【0030】A列の光電変換動作時点(T0)から、フ
リッカー周期の1/2経過後の時点(T1=T0+t/
2)でC列の光電変換動作を行い、輝度情報ap 、cq
から輝度値a(+c)、c(+a)を得られれば、図2
に示した交点領域の測光値を、下記の式で得られる。 LV(+ac) = {a(+c)+c(+a)}/2 ・・・(5) LV(+ac)が交点領域の平均的な(つまりは正確
な)測光値である。
リッカー周期の1/2経過後の時点(T1=T0+t/
2)でC列の光電変換動作を行い、輝度情報ap 、cq
から輝度値a(+c)、c(+a)を得られれば、図2
に示した交点領域の測光値を、下記の式で得られる。 LV(+ac) = {a(+c)+c(+a)}/2 ・・・(5) LV(+ac)が交点領域の平均的な(つまりは正確
な)測光値である。
【0031】(5)式を用いれば次の関係が得られる。 R(a) = LV(+ac) / a(+c) ・・・(6) R(c) = LV(+ac) / c(+a) ・・・(7) ここで、R(a)及びR(c)は、輝度情報ap 及びc
q を用いて正確な測光値を求めるための係数である。
q を用いて正確な測光値を求めるための係数である。
【0032】 LV(p) = ap × R(a) ・・・(8) LV(q) = cq × R(c) ・・・(9) 上記式のLV(p)、LV(q)は、各々の光電変換素
子Ap 及びCq が光電変換する領域の正確な(平均的
な)測光値である。
子Ap 及びCq が光電変換する領域の正確な(平均的
な)測光値である。
【0033】LV(p)、LV(q)算出で、光電変換
素子Ap 及びCq の光電変換領域の正確な(平均的な)
測光値が得られる。つまり、光電変換素子のAj 〜A
j+2 の領域以外である光電変換素子A1 〜Aj-1 領域や
光電変換素子Aj+3 〜An 領域の正確な測光値を得るこ
とができる(C列についても同様)。図7及び図8を用
いて、上述した光電変換、測光値演算のアルゴリズムを
用いた実際的なアルゴリズムのフローが示す。以下、ス
テップをSと略す。 S100;測光装置駆動上の任意の時点T0よりスター
トする。 S105;光電変換素子C、D列の電荷蓄積開始までの
遅延時間を制御するタイマーのカウントを開始する。 S110;光電変換素子A、B列の光電変換動作(電荷
蓄積)を開始する。 S115;光電変換素子A、B列出力の逐次AD変換を
行なう。 S120;AD変換値を演算して得られる輝度情報の記
憶を行う。(測光演算のフローにはap 値記憶と記す
が、実際には本装置は焦点検出演算も行なうためbp 値
の記憶も行う。) S125;先のS105よりカウントを開始しているタ
イマー値がフリッカー周期tの1/2に相当する値にな
ったか否かを判定する。
素子Ap 及びCq の光電変換領域の正確な(平均的な)
測光値が得られる。つまり、光電変換素子のAj 〜A
j+2 の領域以外である光電変換素子A1 〜Aj-1 領域や
光電変換素子Aj+3 〜An 領域の正確な測光値を得るこ
とができる(C列についても同様)。図7及び図8を用
いて、上述した光電変換、測光値演算のアルゴリズムを
用いた実際的なアルゴリズムのフローが示す。以下、ス
テップをSと略す。 S100;測光装置駆動上の任意の時点T0よりスター
トする。 S105;光電変換素子C、D列の電荷蓄積開始までの
遅延時間を制御するタイマーのカウントを開始する。 S110;光電変換素子A、B列の光電変換動作(電荷
蓄積)を開始する。 S115;光電変換素子A、B列出力の逐次AD変換を
行なう。 S120;AD変換値を演算して得られる輝度情報の記
憶を行う。(測光演算のフローにはap 値記憶と記す
が、実際には本装置は焦点検出演算も行なうためbp 値
の記憶も行う。) S125;先のS105よりカウントを開始しているタ
イマー値がフリッカー周期tの1/2に相当する値にな
ったか否かを判定する。
【0034】YES→S130に進む。NO→S125
で待機する。ここでS125通過条件をタイマー値がフ
リッカー周期(t)の1/2に相当する値としたが、勿
論フリッカー周期tの1/2の奇数倍に相当する値の設
定であっても構わない。 S130;今度は光電変換素子C、D列の光電変換動作
を開始する。 S135;光電変換素子出力Cq 、Dq の逐次AD変換
を行なう。 S140;AD変換値を演算して得られる輝度情報の記
憶を行う。 S145;測光値演算を行う。S145内容は、別途図
9に記す。
で待機する。ここでS125通過条件をタイマー値がフ
リッカー周期(t)の1/2に相当する値としたが、勿
論フリッカー周期tの1/2の奇数倍に相当する値の設
定であっても構わない。 S130;今度は光電変換素子C、D列の光電変換動作
を開始する。 S135;光電変換素子出力Cq 、Dq の逐次AD変換
を行なう。 S140;AD変換値を演算して得られる輝度情報の記
憶を行う。 S145;測光値演算を行う。S145内容は、別途図
9に記す。
【0035】図9は、図8のS145測光値演算の内容
を説明した図である。 S150;(2)式で述べた、光電変換素子出力Ap 中
の重複領域の輝度情報aj 〜aj+2 より重複領域輝度値
a(+c)を算出する。 S155;(3)式で述べた、光電変換素子出力Cq 中
の重複領域の輝度情報ck 〜ck+2 より重複領域輝度値
c(+a)を算出する。 S160;(5)式を用い、LV(+ac)を算出す
る。 S165;(6)式を用い、R(a)を算出する。 S170;(7)式を用い、R(c)で算出する。 S175;(8)式で述べた、輝度情報ap (p=1〜
n)、R(a)を用いて光電変換素子Ap が測光する領
域の正確な測光値LV(p)を演算する。 S180;(9)式で述べた、輝度情報cq (q=1〜
m)、R(c)を用いて光電変換素子Cq が測光する領
域の正確な測光値LV(q)を演算する。
を説明した図である。 S150;(2)式で述べた、光電変換素子出力Ap 中
の重複領域の輝度情報aj 〜aj+2 より重複領域輝度値
a(+c)を算出する。 S155;(3)式で述べた、光電変換素子出力Cq 中
の重複領域の輝度情報ck 〜ck+2 より重複領域輝度値
c(+a)を算出する。 S160;(5)式を用い、LV(+ac)を算出す
る。 S165;(6)式を用い、R(a)を算出する。 S170;(7)式を用い、R(c)で算出する。 S175;(8)式で述べた、輝度情報ap (p=1〜
n)、R(a)を用いて光電変換素子Ap が測光する領
域の正確な測光値LV(p)を演算する。 S180;(9)式で述べた、輝度情報cq (q=1〜
m)、R(c)を用いて光電変換素子Cq が測光する領
域の正確な測光値LV(q)を演算する。
【0036】S180終了でS145測光値演算が終了
する。S145終了後、S190に進み一回の動作を終
了する。なお、上記例および図4では光電変換素子Aj
〜Aj+2 の3個とCk 〜Ck+2 の3個とがちょうど重な
りあって同一の被写体領域を光電変換しているものとし
て説明したが、実際には、光電変換素子Aj 〜Aj+10 の
10個程度とCk 〜C k+ 10 の10個程度とが重複してい
る。そのため、たとえ光電変換素子Ap とCq とは、光
電変換素子列の位置精度等の誤差によって厳密に重なっ
ていない場合(それぞれ1/2素子幅ずつずれている場
合)がある。しかし、1/2素子幅ズレていても残り1
9/2程度が重なっており、a(+c)、c(+a)は
実用上同一領域の値とみなして問題ない。
する。S145終了後、S190に進み一回の動作を終
了する。なお、上記例および図4では光電変換素子Aj
〜Aj+2 の3個とCk 〜Ck+2 の3個とがちょうど重な
りあって同一の被写体領域を光電変換しているものとし
て説明したが、実際には、光電変換素子Aj 〜Aj+10 の
10個程度とCk 〜C k+ 10 の10個程度とが重複してい
る。そのため、たとえ光電変換素子Ap とCq とは、光
電変換素子列の位置精度等の誤差によって厳密に重なっ
ていない場合(それぞれ1/2素子幅ずつずれている場
合)がある。しかし、1/2素子幅ズレていても残り1
9/2程度が重なっており、a(+c)、c(+a)は
実用上同一領域の値とみなして問題ない。
【0037】また、製造上の問題で光電変換素子Ap と
Cqとの交点中央の位置を示すj、kの値が変動するよ
うな場合には、本発明の装置に交点光電変換素子位置を
予め記憶しておく記憶手段(EEPROM等)を設け、
該手段に各個体毎のj、kの値を記憶させて演算に用い
てやれば良い。 (本願発明に係る測光装置の適用例)図9は、本願発明
に係る測光装置(焦点検出装置を兼ねる)を一眼レフカ
メラに適用した場合の実施例を説明した図である。第1
実施例ばかりでなく、以下に説明する第2、第3実施例
においても同様である。
Cqとの交点中央の位置を示すj、kの値が変動するよ
うな場合には、本発明の装置に交点光電変換素子位置を
予め記憶しておく記憶手段(EEPROM等)を設け、
該手段に各個体毎のj、kの値を記憶させて演算に用い
てやれば良い。 (本願発明に係る測光装置の適用例)図9は、本願発明
に係る測光装置(焦点検出装置を兼ねる)を一眼レフカ
メラに適用した場合の実施例を説明した図である。第1
実施例ばかりでなく、以下に説明する第2、第3実施例
においても同様である。
【0038】カメラボデイ20に交換可能なレンズ10
が着脱自在にマウントに装着されている。撮影レンズ1
1を通して被写体から到達する光束は、カメラボデイ2
0に設けられたメインミラー21により一部は反射され
てファインダーに導かれ、他の一部はメインミラー21
を透過してサブミラー22により反射され、焦点検出測
光用の光束としてAFモジュール30に導かれる。
が着脱自在にマウントに装着されている。撮影レンズ1
1を通して被写体から到達する光束は、カメラボデイ2
0に設けられたメインミラー21により一部は反射され
てファインダーに導かれ、他の一部はメインミラー21
を透過してサブミラー22により反射され、焦点検出測
光用の光束としてAFモジュール30に導かれる。
【0039】AFモジュール30に導かれた光束は、公
知のように光電変換手段35上で対になった二次像の光
電変換部並び方向の相対的位置関係を検出することによ
り、撮影レンズのデフォーカス量を検出できる。センサ
ー制御手段40は、不図示の蓄積時間制御手段41と所
定時間設定手段42を有している。所定時間設定手段4
2は、CPU100のポート(以下Pと略す。)3から
の各光電変換素子列の電荷蓄積動作指令を受け取り、指
令に応じた制御信号を光電変換手段35の各光電変換素
子列38A〜38Dに与えることにより各光電変換素子
列の電荷蓄積開始時刻を制御し、蓄積時間制御手段41
は、CPU100のP3からの各光電変換素子列の電荷
蓄積開始及び終了指令を受け取り、光電変換手段35の
各光電変換素子列の電荷蓄積時間を制御する。また、蓄
積時間制御手段41は、転送クロック信号等を光電変換
手段35に与え光電変換素子出力を時系列的にCPU1
00に転送するとともに、光電変換素子出力O(Ap )
の転送開始に同期した同期信号をCPU100のP3に
送る。CPU100は、この出力に同期して、内蔵した
AD変換手段によりP1に入力する光電変換素子出力の
AD変換を開始し、光電変換素子数に応じたAD変換デ
ータを得て、輝度情報を算出する。
知のように光電変換手段35上で対になった二次像の光
電変換部並び方向の相対的位置関係を検出することによ
り、撮影レンズのデフォーカス量を検出できる。センサ
ー制御手段40は、不図示の蓄積時間制御手段41と所
定時間設定手段42を有している。所定時間設定手段4
2は、CPU100のポート(以下Pと略す。)3から
の各光電変換素子列の電荷蓄積動作指令を受け取り、指
令に応じた制御信号を光電変換手段35の各光電変換素
子列38A〜38Dに与えることにより各光電変換素子
列の電荷蓄積開始時刻を制御し、蓄積時間制御手段41
は、CPU100のP3からの各光電変換素子列の電荷
蓄積開始及び終了指令を受け取り、光電変換手段35の
各光電変換素子列の電荷蓄積時間を制御する。また、蓄
積時間制御手段41は、転送クロック信号等を光電変換
手段35に与え光電変換素子出力を時系列的にCPU1
00に転送するとともに、光電変換素子出力O(Ap )
の転送開始に同期した同期信号をCPU100のP3に
送る。CPU100は、この出力に同期して、内蔵した
AD変換手段によりP1に入力する光電変換素子出力の
AD変換を開始し、光電変換素子数に応じたAD変換デ
ータを得て、輝度情報を算出する。
【0040】フリッカー周期検出手段95は、被写体光
強度の周期的な変動(通常100ミリ秒〜1ミリ秒程度
の周期を対象とする)を検出し、フリッカー光源のフリ
ッカー周期情報をCPU100のP13に送る。フリッ
カー周期検出手段95は、被写体光強度の変動周期を検
出すれば良いので、図1で示した本装置の測光領域と厳
密に同一の領域についてのみ測光する必要はなく、また
絶対的な輝度値を検出する必要もない。従って、撮影光
軸方向を漠然と測光する簡便な測光装置で構わない。
強度の周期的な変動(通常100ミリ秒〜1ミリ秒程度
の周期を対象とする)を検出し、フリッカー光源のフリ
ッカー周期情報をCPU100のP13に送る。フリッ
カー周期検出手段95は、被写体光強度の変動周期を検
出すれば良いので、図1で示した本装置の測光領域と厳
密に同一の領域についてのみ測光する必要はなく、また
絶対的な輝度値を検出する必要もない。従って、撮影光
軸方向を漠然と測光する簡便な測光装置で構わない。
【0041】焦点検出に関しては、AD変換終了後、得
られたデータに対して3点内挿法等によりデフォーカス
量を算出し焦点検出可能であることは公知である。3点
内挿法は、本出願人による特開昭60ー37513に開
示されているため、ここでは説明を省略する。
られたデータに対して3点内挿法等によりデフォーカス
量を算出し焦点検出可能であることは公知である。3点
内挿法は、本出願人による特開昭60ー37513に開
示されているため、ここでは説明を省略する。
【0042】CPU100は、得られたデフォーカス量
に基づきAF表示手段50の表示部51、52、53、
54の表示形態をP2を用いて制御する。また、AFモ
ード選択手段76の設定情報(合焦優先AFモード、レ
リーズ優先AFモード、MFモード)は、CPU100
のP11に送られ、合焦優先AFモード及びレリーズ優
先AFモード設定時、CPU100は該デフォーカス量
に基づきAFモーター60の駆動方向及び駆動量をP1
2を用いて制御して、撮影レンズ駆動系65を介して撮
影レンズ11を合焦点に移動させる。
に基づきAF表示手段50の表示部51、52、53、
54の表示形態をP2を用いて制御する。また、AFモ
ード選択手段76の設定情報(合焦優先AFモード、レ
リーズ優先AFモード、MFモード)は、CPU100
のP11に送られ、合焦優先AFモード及びレリーズ優
先AFモード設定時、CPU100は該デフォーカス量
に基づきAFモーター60の駆動方向及び駆動量をP1
2を用いて制御して、撮影レンズ駆動系65を介して撮
影レンズ11を合焦点に移動させる。
【0043】CPU100は、上記デフォーカス量の算
出と並行もしくは時系列的に前後して得られたデータに
基づいて、本発明にかかるデータ処理を行い、スポット
測光値を算出する。また、CPU100は、スポット測
光値以外の測光値をP5に送られる測光手段90の出力
信号により算出する。CPU100は、P9に送られる
測光モード選択手段78のスポット測光かその他の測光
モードかの設定情報に基づいて、測光表示手段80の表
示部81、82の表示形態をP4を用いて制御する。更
に、P10に送られるAEモード選択手段77の設定情
報(マニュアル、シャッター優先AE、絞り優先AE、
プログラムAE、デーライトシンクロ等)によっては、
算出された測光値よりCPU100はシャッター制御手
段70、絞り制御手段72及びストロボ制御手段74を
P6〜P8を用いて単独にもしくは並列的に制御し、適
正露光をフィルムに与える。
出と並行もしくは時系列的に前後して得られたデータに
基づいて、本発明にかかるデータ処理を行い、スポット
測光値を算出する。また、CPU100は、スポット測
光値以外の測光値をP5に送られる測光手段90の出力
信号により算出する。CPU100は、P9に送られる
測光モード選択手段78のスポット測光かその他の測光
モードかの設定情報に基づいて、測光表示手段80の表
示部81、82の表示形態をP4を用いて制御する。更
に、P10に送られるAEモード選択手段77の設定情
報(マニュアル、シャッター優先AE、絞り優先AE、
プログラムAE、デーライトシンクロ等)によっては、
算出された測光値よりCPU100はシャッター制御手
段70、絞り制御手段72及びストロボ制御手段74を
P6〜P8を用いて単独にもしくは並列的に制御し、適
正露光をフィルムに与える。
【0044】以上が、焦点検出装置を兼ねた測光装置
を、一眼レフカメラに適用した実施例の構成及び動作の
概要である。 (電荷蓄積時間について)なお、電荷蓄積時間T(A)
の設定は、蓄積時間制御手段41によって光電変換素子
列(上式例ではA列)中の測光演算に用いる光電変換素
子の出力全てがAD変換可能範囲を超過しないように、
電荷蓄積型素子(CCD)からの逐次出力される出力値
や、シリコンフォトダイオードなどの出力値が蓄積時間
制御手段41に入力されることよって電荷蓄積時間が決
定される。この方式をピークオートゲインコントロール
(以下、ピークAGCと略す。)と呼ぶ。
を、一眼レフカメラに適用した実施例の構成及び動作の
概要である。 (電荷蓄積時間について)なお、電荷蓄積時間T(A)
の設定は、蓄積時間制御手段41によって光電変換素子
列(上式例ではA列)中の測光演算に用いる光電変換素
子の出力全てがAD変換可能範囲を超過しないように、
電荷蓄積型素子(CCD)からの逐次出力される出力値
や、シリコンフォトダイオードなどの出力値が蓄積時間
制御手段41に入力されることよって電荷蓄積時間が決
定される。この方式をピークオートゲインコントロール
(以下、ピークAGCと略す。)と呼ぶ。
【0045】量子化誤差の少ない高精度の輝度情報を得
るためには、ピークAGCのレベル設定がAD変換可能
範囲の限界値付近となるのがよい。しかし、実用上は、
飽和してしまわないように安全をみて、AD変換可能範
囲の限界値からその約1/2の間の所定の値にピークA
GCのレベル設定を行う。
るためには、ピークAGCのレベル設定がAD変換可能
範囲の限界値付近となるのがよい。しかし、実用上は、
飽和してしまわないように安全をみて、AD変換可能範
囲の限界値からその約1/2の間の所定の値にピークA
GCのレベル設定を行う。
【0046】各素子列に入射する光量の比率や各光電変
換素子の面積、光電変換効率、AD変換前の第1次増幅
条件等の違いによって、各列同一の電荷蓄積時間では最
適な光電変換素子出力を得られない場合は、各列毎にピ
ークAGCを実施して、各列毎に最適な電荷蓄積時間設
定を行う。定数CS(A)は、光電変換素子出力O(A
p )、電荷蓄積時間T(A)から正しく輝度情報ap を
算出するために、各光電変換素子列毎に定められた定数
である。定数CS(A)は、均一輝度面に対して各列の
輝度情報が同一となるように設定してやれば良い。A列
全ての領域を測光演算に用いる場合は、光電変換素子A
1 〜An の範囲でピークAGCを実施する。また、不図
示の測光領域設定手段であるスポット測光領域切り換え
スイッチで測光領域が中央交差部分近傍のAw 〜Aw+x
間のみに限定された場合は、ピークAGC実施の対象を
同区間のみについての光電変換素子出力O(Aw )〜O
(Aw+x )がAD変換可能範囲を超過しないように、蓄
積時間制御手段41によって最適な電荷蓄積時間T
(A’)の決定を行う。
換素子の面積、光電変換効率、AD変換前の第1次増幅
条件等の違いによって、各列同一の電荷蓄積時間では最
適な光電変換素子出力を得られない場合は、各列毎にピ
ークAGCを実施して、各列毎に最適な電荷蓄積時間設
定を行う。定数CS(A)は、光電変換素子出力O(A
p )、電荷蓄積時間T(A)から正しく輝度情報ap を
算出するために、各光電変換素子列毎に定められた定数
である。定数CS(A)は、均一輝度面に対して各列の
輝度情報が同一となるように設定してやれば良い。A列
全ての領域を測光演算に用いる場合は、光電変換素子A
1 〜An の範囲でピークAGCを実施する。また、不図
示の測光領域設定手段であるスポット測光領域切り換え
スイッチで測光領域が中央交差部分近傍のAw 〜Aw+x
間のみに限定された場合は、ピークAGC実施の対象を
同区間のみについての光電変換素子出力O(Aw )〜O
(Aw+x )がAD変換可能範囲を超過しないように、蓄
積時間制御手段41によって最適な電荷蓄積時間T
(A’)の決定を行う。
【0047】なお、本例では焦点検出装置も兼ねている
ことから、焦点検出領域と測光領域が異なる設定となる
ことも有り得る。
ことから、焦点検出領域と測光領域が異なる設定となる
ことも有り得る。
【0048】従って、焦点検出用の光電変換素子出力に
関しても、焦点検出範囲全域に対してピークAGCを実
施する必要があり、最適な焦点検出を行なうための電荷
蓄積時間T(B)と最適な測光値を得るための電荷蓄積
時間T(A)とが異なってしまうことがある。例えば、
焦点検出は全光電変換素子領域、測光は中央重複領域近
傍の設定で、周辺部に高輝度被写体がある場合を想定す
ると、周辺部に高輝度被写体があるために最適な焦点検
出を行なうための電荷蓄積時間T(B)は、最適な測光
値を得るための電荷蓄積時間T(A)に比べ短かくな
る。
関しても、焦点検出範囲全域に対してピークAGCを実
施する必要があり、最適な焦点検出を行なうための電荷
蓄積時間T(B)と最適な測光値を得るための電荷蓄積
時間T(A)とが異なってしまうことがある。例えば、
焦点検出は全光電変換素子領域、測光は中央重複領域近
傍の設定で、周辺部に高輝度被写体がある場合を想定す
ると、周辺部に高輝度被写体があるために最適な焦点検
出を行なうための電荷蓄積時間T(B)は、最適な測光
値を得るための電荷蓄積時間T(A)に比べ短かくな
る。
【0049】この結果、最適な焦点検出を行なうための
電荷蓄積時間T(B)における中央重複領域近傍の光電
変換素子出力O(Aw )は、AD変換可能限界値に比べ
かなり低くなってしまい、AD変換の量子化誤差が大き
く測光精度が悪くなってしまう。逆に、最適な測光値を
得るための電荷蓄積時間T(A)で光電変換素子を駆動
させると、周辺部の高輝度被写体における光電変換素子
出力O(Aw )は、AD変換可能限界値を超過してしま
い、焦点検出精度が著しく低下する。
電荷蓄積時間T(B)における中央重複領域近傍の光電
変換素子出力O(Aw )は、AD変換可能限界値に比べ
かなり低くなってしまい、AD変換の量子化誤差が大き
く測光精度が悪くなってしまう。逆に、最適な測光値を
得るための電荷蓄積時間T(A)で光電変換素子を駆動
させると、周辺部の高輝度被写体における光電変換素子
出力O(Aw )は、AD変換可能限界値を超過してしま
い、焦点検出精度が著しく低下する。
【0050】このような場合、電荷蓄積時間設定の第1
の方法として、判断手段によって電荷蓄積時間T(A)
およびT(B)のうち、どちらかの方が短いかを判断
し、短い方の時間を両方の蓄積に適用してもよい。本想
定例であれば、比較的短時間の電荷蓄積時間T(B)で
の光電変換素子出力でも、測光演算であれば程々の結果
が得られるし、長時間の方の最適な電荷蓄積時間T
(A)を採用して、光電変換素子出力がAD変換可能限
界値を超過し、光電変換素子出力が飽和した焦点検出の
結果よりもましであるからである。
の方法として、判断手段によって電荷蓄積時間T(A)
およびT(B)のうち、どちらかの方が短いかを判断
し、短い方の時間を両方の蓄積に適用してもよい。本想
定例であれば、比較的短時間の電荷蓄積時間T(B)で
の光電変換素子出力でも、測光演算であれば程々の結果
が得られるし、長時間の方の最適な電荷蓄積時間T
(A)を採用して、光電変換素子出力がAD変換可能限
界値を超過し、光電変換素子出力が飽和した焦点検出の
結果よりもましであるからである。
【0051】また、第2の方法として、短時間に電荷蓄
積が最適となる動作、長時間に電荷蓄積の最適となる動
作を交互に繰り返す方法でも良い。まず、焦点検出と測
光検出とのどちらか一方が、先に最適となる電荷蓄積時
間を採用し、最適となった方の動作を済ませ、次に、他
方が電荷蓄積に最適となった時間を採用し、該他方の動
作を行えばよい。上記想定例では、焦点検出に最適なピ
ークAGCを実施、比較的短時間の電荷蓄積時間T
(B)で焦点検出を行い、次の電荷蓄積動作では測光用
ピークAGCを実施して比較的長時間の電荷蓄積時間T
(A)で測光演算を行う。交互ではあるが、焦点検出、
測光ともに高精度の結果が得られる。
積が最適となる動作、長時間に電荷蓄積の最適となる動
作を交互に繰り返す方法でも良い。まず、焦点検出と測
光検出とのどちらか一方が、先に最適となる電荷蓄積時
間を採用し、最適となった方の動作を済ませ、次に、他
方が電荷蓄積に最適となった時間を採用し、該他方の動
作を行えばよい。上記想定例では、焦点検出に最適なピ
ークAGCを実施、比較的短時間の電荷蓄積時間T
(B)で焦点検出を行い、次の電荷蓄積動作では測光用
ピークAGCを実施して比較的長時間の電荷蓄積時間T
(A)で測光演算を行う。交互ではあるが、焦点検出、
測光ともに高精度の結果が得られる。
【0052】あるいは、第3の方法として、合焦優先A
Fモード(撮影レンズ11が合焦点に至るまで露光動作
に入らないモード)設定時には、最適な測光値を得るた
めの電荷蓄積時間と最適な焦点検出を行なうための電荷
蓄積時間との長短に拘らず、焦点検出・合焦動作を先に
行い、撮影レンズ11が合焦点に至った後に測光動作を
行う方法でも良い。撮影レンズ11が合焦点に至るまで
は露光動作に入らないため、測光動作を後回しにしても
構わないからである。 (実施例2)次に、本願発明の測光装置についての第2
実施例を示す。第2実施例では、図10に示すような二
重十字の測光領域を有している。先の図2に示した測光
領域の構成の応用例である。
Fモード(撮影レンズ11が合焦点に至るまで露光動作
に入らないモード)設定時には、最適な測光値を得るた
めの電荷蓄積時間と最適な焦点検出を行なうための電荷
蓄積時間との長短に拘らず、焦点検出・合焦動作を先に
行い、撮影レンズ11が合焦点に至った後に測光動作を
行う方法でも良い。撮影レンズ11が合焦点に至るまで
は露光動作に入らないため、測光動作を後回しにしても
構わないからである。 (実施例2)次に、本願発明の測光装置についての第2
実施例を示す。第2実施例では、図10に示すような二
重十字の測光領域を有している。先の図2に示した測光
領域の構成の応用例である。
【0053】図11は、図2のAFAEモジュールの視
野マスク31を広げることで、光電変換手段35上での
光電変換部配置構成を示したものである。二重十字形の
横方向下側の光電変換素子Ap 、Bp (p=1〜n)か
らなる光電変換素子列をA列、B列とし、上側の光電変
換素子Er 、Fr (r=1〜h)からなる光電変換素子
列をE列、F列とする。縦方向の光電変換素子Cq 、D
q (q=1〜m)からなる光電変換素子列をC列、D列
とする。
野マスク31を広げることで、光電変換手段35上での
光電変換部配置構成を示したものである。二重十字形の
横方向下側の光電変換素子Ap 、Bp (p=1〜n)か
らなる光電変換素子列をA列、B列とし、上側の光電変
換素子Er 、Fr (r=1〜h)からなる光電変換素子
列をE列、F列とする。縦方向の光電変換素子Cq 、D
q (q=1〜m)からなる光電変換素子列をC列、D列
とする。
【0054】A、B列は低輝度時の焦点検出用に大面積
の光電変換素子より構成され、E、F列は高輝度時の焦
点検出用に小面積の光電変換素子より構成されている。
各列の光電変換素子出力をAD変換して得た、光電変換
素子Ap 、Bp 、及びEr 、Fr 、及びCq 、Dq に対
応する輝度情報を、ap 、bp (p=1〜n)、及びe
r 、fr (r=1〜h)、及びcq 、dq (q=1〜
m)とする。
の光電変換素子より構成され、E、F列は高輝度時の焦
点検出用に小面積の光電変換素子より構成されている。
各列の光電変換素子出力をAD変換して得た、光電変換
素子Ap 、Bp 、及びEr 、Fr 、及びCq 、Dq に対
応する輝度情報を、ap 、bp (p=1〜n)、及びe
r 、fr (r=1〜h)、及びcq 、dq (q=1〜
m)とする。
【0055】前述したように、フリッカー光源での使用
を考慮して、対になっている光電変換素子列A列とB
列、C列とD列、又はE列とF列は、同時に測光動作を
行わなくてはいけないが、A列(=B列)、C列(=D
列)、E列(=F列)はそれぞれ同時に行う必要はな
い。
を考慮して、対になっている光電変換素子列A列とB
列、C列とD列、又はE列とF列は、同時に測光動作を
行わなくてはいけないが、A列(=B列)、C列(=D
列)、E列(=F列)はそれぞれ同時に行う必要はな
い。
【0056】以下、A列、C列、E列を各組の代表とし
て話を進める。A列とC列は、重複領域Aj 〜Aj+2 と
Ck 〜Ck+3を有し、E列とC列は重複領域Eg 〜Eg+2
とCs 〜Cs+1 を有している。以下、前述と同様に以
後は輝度情報としてap 、cq 、及びer を用いること
として説明を進める。
て話を進める。A列とC列は、重複領域Aj 〜Aj+2 と
Ck 〜Ck+3を有し、E列とC列は重複領域Eg 〜Eg+2
とCs 〜Cs+1 を有している。以下、前述と同様に以
後は輝度情報としてap 、cq 、及びer を用いること
として説明を進める。
【0057】A列とC列に関する部分は前記第1実施例
と同様である。
と同様である。
【0058】最初の光電変換時点(T0)と、フリッカ
ー周期(t)の1/2(もしくはt/2の奇数倍)遅れ
た時点(T1)の2つの時点で、A列、C列の光電変換
動作を行う。 T0:(aj +aj+1 +aj+2 )/3=a(+c) ・・・(2) T1:(ck +ck+1 +ck+2 +ck+3 )/4=c(+a)・・・(10) 重複測光領域についてLV(+ac)を算出し、次いで
R(a)、R(c)を算出して、最終的にLV(p)、
LV(q)まで求める。
ー周期(t)の1/2(もしくはt/2の奇数倍)遅れ
た時点(T1)の2つの時点で、A列、C列の光電変換
動作を行う。 T0:(aj +aj+1 +aj+2 )/3=a(+c) ・・・(2) T1:(ck +ck+1 +ck+2 +ck+3 )/4=c(+a)・・・(10) 重複測光領域についてLV(+ac)を算出し、次いで
R(a)、R(c)を算出して、最終的にLV(p)、
LV(q)まで求める。
【0059】E列の光電変換動作に関しては、A列及び
C列の光電変換動作時点T0、T1に関してなんら関係
のない任意の時点(T2)で行ってかまわない。図12
に、そのタイミングを示す。E列の測光動作に関し、詳
細は以下のようになる。任意の時点(T2)で光電変換
動作を行い、E列の輝度情報er を得る。
C列の光電変換動作時点T0、T1に関してなんら関係
のない任意の時点(T2)で行ってかまわない。図12
に、そのタイミングを示す。E列の測光動作に関し、詳
細は以下のようになる。任意の時点(T2)で光電変換
動作を行い、E列の輝度情報er を得る。
【0060】ここで、図11に示すように、E列とC列
との重複領域Eg 〜Eg+2 とCs 〜Cs+1 に着目する。
上記重複領域の輝度値を下記のように得る。 T2:(eg +eg+1 +eg+2 )/3 = e(+c) ・・・(11) T1:(cs +cs+1 )/2 = c(+e) ・・・(12) Rc(e) = c(+e) / e(+c) ・・・(13) e(+c)は、E列とC列との重複領域の輝度値、c
(+e)は、該重複領域の輝度値である。
との重複領域Eg 〜Eg+2 とCs 〜Cs+1 に着目する。
上記重複領域の輝度値を下記のように得る。 T2:(eg +eg+1 +eg+2 )/3 = e(+c) ・・・(11) T1:(cs +cs+1 )/2 = c(+e) ・・・(12) Rc(e) = c(+e) / e(+c) ・・・(13) e(+c)は、E列とC列との重複領域の輝度値、c
(+e)は、該重複領域の輝度値である。
【0061】Rc(e)は同一領域におけるE列とC列
との輝度出力比である。T1とT2とが異なる(光電変
換時点の光源フリッカー周期の位相が異なる意味。)こ
とによる被写体輝度の比である。この値を用いればE列
の輝度情報er をC列の輝度情報cq と等価に取り扱う
ことが可能である。 e’r = er × Rc(e) ・・・(14) e’r はT1の照明条件での被写体輝度を表す。ここか
ら正確な被写体輝度LV(*)を求めるには、先の
(9)式で用いた補正係数R(c)を用いる。
との輝度出力比である。T1とT2とが異なる(光電変
換時点の光源フリッカー周期の位相が異なる意味。)こ
とによる被写体輝度の比である。この値を用いればE列
の輝度情報er をC列の輝度情報cq と等価に取り扱う
ことが可能である。 e’r = er × Rc(e) ・・・(14) e’r はT1の照明条件での被写体輝度を表す。ここか
ら正確な被写体輝度LV(*)を求めるには、先の
(9)式で用いた補正係数R(c)を用いる。
【0062】 LV(r) = e’r × R(c) = er × Rc(e) × R(c) ・・・(15) LV(r)は、Er 光電変換素子が測光する領域の正確
な(平均的な)測光値である。
な(平均的な)測光値である。
【0063】以上の光電変換、測光値演算のアルゴリズ
ムのフローを図13及び図14に示す。図13、図14
に基づいて、以下説明する。なお、前述の図7、図8で
説明したステップと共通するステップには、図13、図
14においても同一符号を付けてある。S100〜S1
40で、A〜D列の光電変換を行ない、そのデータを記
憶し、次に、 S200;光電変換素子E、F列の光電変換動作(電荷
蓄積)を開始する。 S205;光電変換素子E、F列出力の逐次AD変換を
行なう。 S210;AD変換値を演算して得られる輝度情報の記
憶を行う。 S220;測光値演算を行う。S220内容は、別途図
11に記す。 S150;前述と同様に輝度情報aj 〜aj+2 より、a
(+c)を算出する。 S225;(10)式を用い、光電変換素子出力Cq 中
の輝度情報ck 〜ck+3 より重複領域の輝度値c(+
a)を算出する。 S160〜S180で、LV(+ac)、R(a)、L
V(p)等を算出する。 S230;(11)式を用い、光電変換素子出力Er 中
の輝度情報ej 〜ej+2 より重複領域の輝度値e(+
c)を算出する。 S235;(12)式を用い、光電変換素子出力Cq 中
の輝度情報ck 〜ck+1 より重複領域の輝度値c(+
e)を算出する。 S240;(13)式を用い、同一領域に関するE列と
C列との輝度出力比Rc(e)を算出する。 S245;(15)式で述べた、輝度情報er (r=1
〜h)、R(c)、及び輝度出力比Rc(e)を用いて
E列素子が測光する領域の正確な測光値LV(r)を演
算する。
ムのフローを図13及び図14に示す。図13、図14
に基づいて、以下説明する。なお、前述の図7、図8で
説明したステップと共通するステップには、図13、図
14においても同一符号を付けてある。S100〜S1
40で、A〜D列の光電変換を行ない、そのデータを記
憶し、次に、 S200;光電変換素子E、F列の光電変換動作(電荷
蓄積)を開始する。 S205;光電変換素子E、F列出力の逐次AD変換を
行なう。 S210;AD変換値を演算して得られる輝度情報の記
憶を行う。 S220;測光値演算を行う。S220内容は、別途図
11に記す。 S150;前述と同様に輝度情報aj 〜aj+2 より、a
(+c)を算出する。 S225;(10)式を用い、光電変換素子出力Cq 中
の輝度情報ck 〜ck+3 より重複領域の輝度値c(+
a)を算出する。 S160〜S180で、LV(+ac)、R(a)、L
V(p)等を算出する。 S230;(11)式を用い、光電変換素子出力Er 中
の輝度情報ej 〜ej+2 より重複領域の輝度値e(+
c)を算出する。 S235;(12)式を用い、光電変換素子出力Cq 中
の輝度情報ck 〜ck+1 より重複領域の輝度値c(+
e)を算出する。 S240;(13)式を用い、同一領域に関するE列と
C列との輝度出力比Rc(e)を算出する。 S245;(15)式で述べた、輝度情報er (r=1
〜h)、R(c)、及び輝度出力比Rc(e)を用いて
E列素子が測光する領域の正確な測光値LV(r)を演
算する。
【0064】S245終了で、S220の測光値演算が
終了する。S220終了後、S190に進み一回の動作
を終了する。上記例において、測光演算上はA列とB列
又は、E列とF列どちらの光電変換動作を先に行っても
良い。しかし、A列とB列の光電変換素子はE列とF列
の光電変換素子よりも大面積であるから、同一の輝度情
報を得るための電荷蓄積時間はA列とB列の方が短くて
済む。よって、本装置の駆動迅速化のためにS125通
過条件のタイマー値を小さくさせるため(t×3/2よ
りもt/2の方にさせるため)、A列とB列の光電変換
動作を先に行ったほうが良い。 (実施例3)次に、第3実施例を説明する。第3実施例
では、第2実施例と同様な二重十字形の光電変換素子列
を有する装置における、別の測光動作順序を説明する。
終了する。S220終了後、S190に進み一回の動作
を終了する。上記例において、測光演算上はA列とB列
又は、E列とF列どちらの光電変換動作を先に行っても
良い。しかし、A列とB列の光電変換素子はE列とF列
の光電変換素子よりも大面積であるから、同一の輝度情
報を得るための電荷蓄積時間はA列とB列の方が短くて
済む。よって、本装置の駆動迅速化のためにS125通
過条件のタイマー値を小さくさせるため(t×3/2よ
りもt/2の方にさせるため)、A列とB列の光電変換
動作を先に行ったほうが良い。 (実施例3)次に、第3実施例を説明する。第3実施例
では、第2実施例と同様な二重十字形の光電変換素子列
を有する装置における、別の測光動作順序を説明する。
【0065】第2実施例では、A列の光電変換動作(T
0時)に引き続き、光源フリッカー周期(t)の1/2
倍経過後に(T1=T0+t/2)、C列の光電変換動
作を行い、次いで任意時間経過後(T2)にE列の光電
変換動作を行ったが、今回説明する測光動作順序は、T
0にA列光電変換動作、T1にE列光電変換動作、T2
にC列光電変換動作を行う。
0時)に引き続き、光源フリッカー周期(t)の1/2
倍経過後に(T1=T0+t/2)、C列の光電変換動
作を行い、次いで任意時間経過後(T2)にE列の光電
変換動作を行ったが、今回説明する測光動作順序は、T
0にA列光電変換動作、T1にE列光電変換動作、T2
にC列光電変換動作を行う。
【0066】それぞれの重複領域(重複測光領域)に関
して下記の測光値を得る。 T0:(aj +aj+1 +aj+2 )/3=a(+c) ・・・(2) T2:(ck +ck+1 +ck+2 +ck+3 )/4=c(+a)・・・(16) T1:(eg +eg+1 +eg+2 )/3 = e(+c) ・・・(17) T2:(cs +cs+1 )/2 = c(+e) ・・・(18) Rc(a) = c(+a) / a(+c) ・・・(19) Rc(e) = c(+e) / e(+c) ・・・(13) Rca(ce) = c(+a) / c(+e) ・・・(20) Rc(a)は同一領域のT2時輝度/T0時輝度の比、
Rc(e)は同一領域のT2時輝度/T1時輝度の比で
ある。Rca(ce)は同一光源条件(T2時)での各
重複領域の輝度比である。この輝度比は正確な輝度値
(各領域の時間的平均な輝度値)においても成立する。
(13)式、(19)式、(20)式の係数を用いて下
記の式を得られる。
して下記の測光値を得る。 T0:(aj +aj+1 +aj+2 )/3=a(+c) ・・・(2) T2:(ck +ck+1 +ck+2 +ck+3 )/4=c(+a)・・・(16) T1:(eg +eg+1 +eg+2 )/3 = e(+c) ・・・(17) T2:(cs +cs+1 )/2 = c(+e) ・・・(18) Rc(a) = c(+a) / a(+c) ・・・(19) Rc(e) = c(+e) / e(+c) ・・・(13) Rca(ce) = c(+a) / c(+e) ・・・(20) Rc(a)は同一領域のT2時輝度/T0時輝度の比、
Rc(e)は同一領域のT2時輝度/T1時輝度の比で
ある。Rca(ce)は同一光源条件(T2時)での各
重複領域の輝度比である。この輝度比は正確な輝度値
(各領域の時間的平均な輝度値)においても成立する。
(13)式、(19)式、(20)式の係数を用いて下
記の式を得られる。
【0067】 LV:T0(+ac) = a(+c) ・・・(21) (T0時点のA列とC列との重複領域の測光値) LV:T1(+ac) = e(+c)×Rc(e)×Rca(ce) ・・・(22) (T1時点のA列とC列との重複領域の測光値) LV(+ac)={LV:T0(+ac)+ LV:T1(+ac)}/2 ・・・(23) LV(+ac)はA列とC列との重複領域の正確な測光値である。
【0068】 R(a) = LV(+ac) / a(+c) ・・・(6) R(c) = LV(+ac) / c(+a) ・・・(7) R(e) = R(c) × Rc(e) ・・・(24) (24)式はE列に関しての補正係数で、E列測光値を
C列出力と等価にした後にC列補正係数を掛け合わせる
ことによってE列補正係数としている。これらの補正係
数を用いて、以下に示すように各々Ap 、Cq 、Er の
光電変換素子が測光する領域の正確な(平均的な)測光
値を求められる。
C列出力と等価にした後にC列補正係数を掛け合わせる
ことによってE列補正係数としている。これらの補正係
数を用いて、以下に示すように各々Ap 、Cq 、Er の
光電変換素子が測光する領域の正確な(平均的な)測光
値を求められる。
【0069】 LV(p) = ap × R(a) ・・・(8) LV(q) = cq × R(c) ・・・(9) LV(r) = er × R(e) ・・・(25) 以上の光電変換、測光値演算のアルゴリズムのフローを
図15及び図16に示す。なお、前述の図7、図8及び
図13、図14にて説明したステップと共通するステッ
プには、図15、図16においても同一符号をつけてあ
る。S100〜S125で、光電変換素子列A、B列の
光電変換を行ない、次に、S200〜S210で 光電
変換素子列E、F列の光電変換を行ない、次に、S13
0〜S140で 光電変換素子列C、D列の光電変換を
行なう。 S250;測光値演算を行う。S250内容は、別途図
13に記す。 S150;前述と同様である。 S260;(16)式を用い、任意時間における(T
2)、光電変換素子Cq の輝度情報ck 〜ck+3 より重
複領域の輝度値c(+a)を算出する。 S265;(17)式を用い、所定時間における(T
1)、光電変換素子Er の輝度情報eg 〜eg+2 より重
複領域の輝度値e(+c)を算出する。 S270;(18)式を用い、任意時間における(T
2)、光電変換素子Cq の輝度情報cs 〜cs+1 より重
複領域の輝度値c(+e)を算出する。 S275;(19)式を用い、同一領域におけるA列と
C列との輝度出力比Rc(a)を算出する。T0時とT
2時との時間差による比である。 S240;前述同様、測光出力比Rc(e)を算出す
る。 S280;(20)式を用い、同一時点(T2)におけ
るA列とC列、及びE列とC列との輝度比Rca(c
e)を算出する。 S285;(21)式で述べた、T0時点のA列とC列
との重複領域の輝度値である。 S290;(22)式で述べた、T1時点のA列とC列
との重複領域の輝度値である。 S295;(23)式で述べた、A列とC列との重複領
域の正確(平均的)な輝度値である。 S165〜S170で、前述した係数R(a)、R
(c)を求める。 S300;(24)式を用い、E列に関する輝度情報e
r を用いて正確な被写体輝度を求めるための係数R
(e)を求める。 S165〜S170で、前述した正確な測光値を求め
る。 S305;(25)式で述べた、輝度情報er 、R
(e)を用いてE列が測光する領域の正確な測光値LV
(r)を演算する。
図15及び図16に示す。なお、前述の図7、図8及び
図13、図14にて説明したステップと共通するステッ
プには、図15、図16においても同一符号をつけてあ
る。S100〜S125で、光電変換素子列A、B列の
光電変換を行ない、次に、S200〜S210で 光電
変換素子列E、F列の光電変換を行ない、次に、S13
0〜S140で 光電変換素子列C、D列の光電変換を
行なう。 S250;測光値演算を行う。S250内容は、別途図
13に記す。 S150;前述と同様である。 S260;(16)式を用い、任意時間における(T
2)、光電変換素子Cq の輝度情報ck 〜ck+3 より重
複領域の輝度値c(+a)を算出する。 S265;(17)式を用い、所定時間における(T
1)、光電変換素子Er の輝度情報eg 〜eg+2 より重
複領域の輝度値e(+c)を算出する。 S270;(18)式を用い、任意時間における(T
2)、光電変換素子Cq の輝度情報cs 〜cs+1 より重
複領域の輝度値c(+e)を算出する。 S275;(19)式を用い、同一領域におけるA列と
C列との輝度出力比Rc(a)を算出する。T0時とT
2時との時間差による比である。 S240;前述同様、測光出力比Rc(e)を算出す
る。 S280;(20)式を用い、同一時点(T2)におけ
るA列とC列、及びE列とC列との輝度比Rca(c
e)を算出する。 S285;(21)式で述べた、T0時点のA列とC列
との重複領域の輝度値である。 S290;(22)式で述べた、T1時点のA列とC列
との重複領域の輝度値である。 S295;(23)式で述べた、A列とC列との重複領
域の正確(平均的)な輝度値である。 S165〜S170で、前述した係数R(a)、R
(c)を求める。 S300;(24)式を用い、E列に関する輝度情報e
r を用いて正確な被写体輝度を求めるための係数R
(e)を求める。 S165〜S170で、前述した正確な測光値を求め
る。 S305;(25)式で述べた、輝度情報er 、R
(e)を用いてE列が測光する領域の正確な測光値LV
(r)を演算する。
【0070】S305終了でS250の測光値演算が終
了する。S250終了後、S190に進み一回の動作を
終了する。このように、重複領域を共有しない光電変換
素子列A列とE列とを、最初の光電変換時点と、光源フ
リッカー周期(t)の1/2倍後の光電変換時点とで行
ない、光電変換素子列A列とE列とに交差する光電変換
素子列C列を任意の時点で光電変換動作を行っても、そ
れぞれの光電変換素子列全域に関して正確な測光値を得
ることができる。
了する。S250終了後、S190に進み一回の動作を
終了する。このように、重複領域を共有しない光電変換
素子列A列とE列とを、最初の光電変換時点と、光源フ
リッカー周期(t)の1/2倍後の光電変換時点とで行
ない、光電変換素子列A列とE列とに交差する光電変換
素子列C列を任意の時点で光電変換動作を行っても、そ
れぞれの光電変換素子列全域に関して正確な測光値を得
ることができる。
【0071】従って、現実の光電変換手段35における
各光電変換素子の配列や配線の引回し等から、各光電変
換素子列の信号のやりとりに問題がある場合において
も、測光値演算方式の自由度を上げることが可能であ
る。上記の測光値演算方式の求め方の手順で明らかなよ
うに、この測光値演算方式のアルゴリズムは、さらに、
いずれか1つの光電変換素子列と交差する多数の光電変
換素子列を有している測光装置に関しても適用可能であ
る。
各光電変換素子の配列や配線の引回し等から、各光電変
換素子列の信号のやりとりに問題がある場合において
も、測光値演算方式の自由度を上げることが可能であ
る。上記の測光値演算方式の求め方の手順で明らかなよ
うに、この測光値演算方式のアルゴリズムは、さらに、
いずれか1つの光電変換素子列と交差する多数の光電変
換素子列を有している測光装置に関しても適用可能であ
る。
【0072】この場合の必要条件として、以下の2点が
挙げられる。1点目は、各光電変換素子列の測光領域が
最低1カ所において他の光電変換素子列の測光領域と交
差しており、重複測光領域を共有すること。2点目は、
各光電変換素子列中の任意の2列が(交差している組合
せは第2実施例、交差していない組合せは第3実施例)
光源のフリッカー周期の1/2(もしくはt/2の奇数
倍)の時間差を持って光電変換動作を行うことである。
挙げられる。1点目は、各光電変換素子列の測光領域が
最低1カ所において他の光電変換素子列の測光領域と交
差しており、重複測光領域を共有すること。2点目は、
各光電変換素子列中の任意の2列が(交差している組合
せは第2実施例、交差していない組合せは第3実施例)
光源のフリッカー周期の1/2(もしくはt/2の奇数
倍)の時間差を持って光電変換動作を行うことである。
【0073】この条件を満たしていれば、上記第2、第
3実施例で説明した図13〜図16のアルゴリズムの延
長として、各光電変換素子列の測光領域全域に関しての
フリッカーの影響を受けない正確な測光値を、各列各1
回づつの光電変換動作によって無駄無く算出できる。 (被写体輝度が低い場合)なお、光電変換のための電荷
蓄積時間T(A)について述べれば、測光すべき被写体
がある程度暗い場合には、適正な輝度情報を得るために
電荷蓄積時間T(A)を延ばしてやる必要がある。とこ
ろが、電荷蓄積時間T(A)が光源のフリッカー周期の
約8割程度の時間に成った場合、各回の測光値の変動が
小さく、実用上いかなるタイミングにおいて光電変換し
ても、1回の光電変換をもって正確な測光値を得られ
る。
3実施例で説明した図13〜図16のアルゴリズムの延
長として、各光電変換素子列の測光領域全域に関しての
フリッカーの影響を受けない正確な測光値を、各列各1
回づつの光電変換動作によって無駄無く算出できる。 (被写体輝度が低い場合)なお、光電変換のための電荷
蓄積時間T(A)について述べれば、測光すべき被写体
がある程度暗い場合には、適正な輝度情報を得るために
電荷蓄積時間T(A)を延ばしてやる必要がある。とこ
ろが、電荷蓄積時間T(A)が光源のフリッカー周期の
約8割程度の時間に成った場合、各回の測光値の変動が
小さく、実用上いかなるタイミングにおいて光電変換し
ても、1回の光電変換をもって正確な測光値を得られ
る。
【0074】よって、上記のように蓄積時間制御手段4
1からの電荷蓄積時間T(A)が光源のフリッカー周期
の約8割程度の時間になった場合は、測光方式を全ての
光電変換素子列を同時に光電変換動作させる方式にして
も構わない。つまり、ある程度測光すべき被写体が暗い
場合には、蓄積時間制御手段41で制御する各光電変換
素子の電荷蓄積時間T(A)と、蓄積時間設定手段で決
められた時間T(a)とを比較手段で比較する。比較し
た結果後者より前者の方が長い場合には、測光方式切換
え手段によって、第1光電変換素子列の光電変換開始か
らt/2の時間を待って第2の光電変換素子列を光電変
換する方式から、全ての光電変換素子列を同時に光電変
換動作させる方式に切り換えた方がよい。
1からの電荷蓄積時間T(A)が光源のフリッカー周期
の約8割程度の時間になった場合は、測光方式を全ての
光電変換素子列を同時に光電変換動作させる方式にして
も構わない。つまり、ある程度測光すべき被写体が暗い
場合には、蓄積時間制御手段41で制御する各光電変換
素子の電荷蓄積時間T(A)と、蓄積時間設定手段で決
められた時間T(a)とを比較手段で比較する。比較し
た結果後者より前者の方が長い場合には、測光方式切換
え手段によって、第1光電変換素子列の光電変換開始か
らt/2の時間を待って第2の光電変換素子列を光電変
換する方式から、全ての光電変換素子列を同時に光電変
換動作させる方式に切り換えた方がよい。
【0075】なぜなら、全光電変換素子を同時に光電変
換する動作でも高精度の輝度情報が得られるからであ
り、さらに、先に述べたフリッカー周期(t)の1/2
(もしくはt/2奇数倍)の時間を待って別の光電変換
素子列を光電変換する方式は、被写体が暗いと、所定時
間設定手段で定められる時間が1.5t、2.5tにな
るため、0.8tで全ての光電変換素子列を同時に光電
変換動作させる方式のほうが迅速に測光値を得られるか
らである。
換する動作でも高精度の輝度情報が得られるからであ
り、さらに、先に述べたフリッカー周期(t)の1/2
(もしくはt/2奇数倍)の時間を待って別の光電変換
素子列を光電変換する方式は、被写体が暗いと、所定時
間設定手段で定められる時間が1.5t、2.5tにな
るため、0.8tで全ての光電変換素子列を同時に光電
変換動作させる方式のほうが迅速に測光値を得られるか
らである。
【0076】さらに、蓄積時間設定手段の代わりに蓄積
時間記憶手段を設けておき、記憶させた所定時間T
(a)よりも電荷蓄積時間T(A)が長くなったとき
は、測光方式を切換えてもよい。先に述べたように世界
各国の電源周波数は50Hz、60Hzの2種類に大別
されるため、より長いフリッカー周期の50Hz電源で
のフリッカー周期(10ミリ秒)×0.8に相当する約
8ミリ秒を、記憶しておくことが考えられる。
時間記憶手段を設けておき、記憶させた所定時間T
(a)よりも電荷蓄積時間T(A)が長くなったとき
は、測光方式を切換えてもよい。先に述べたように世界
各国の電源周波数は50Hz、60Hzの2種類に大別
されるため、より長いフリッカー周期の50Hz電源で
のフリッカー周期(10ミリ秒)×0.8に相当する約
8ミリ秒を、記憶しておくことが考えられる。
【0077】勿論、この約8ミリ秒とはかなり厳しい測
光精度を望む場合の数値であって、カメラの性格上(高
級機種か普及機種か)、もしくはカメラの測光モード設
定上(スポット測光モードかスポット測光を加味した分
割測光モードか)、撮影フィルム種類(リバーサルフィ
ルムかネガフィルムか)の条件で、更に短時間の約5ミ
リ秒〜約7ミリ秒程度の設定であっても構わない。更に
厳しく約9ミリ秒〜約10ミリ秒とすることもできる。
光精度を望む場合の数値であって、カメラの性格上(高
級機種か普及機種か)、もしくはカメラの測光モード設
定上(スポット測光モードかスポット測光を加味した分
割測光モードか)、撮影フィルム種類(リバーサルフィ
ルムかネガフィルムか)の条件で、更に短時間の約5ミ
リ秒〜約7ミリ秒程度の設定であっても構わない。更に
厳しく約9ミリ秒〜約10ミリ秒とすることもできる。
【0078】この場合は、蓄積時間記憶手段に複数の時
間T(a1,a2,a3・・・)を記憶させておき、新たに選択
手段を設けることで、上記複数の露光条件(フィルム種
類、測光モード)から一つの露光条件を選択手段により
選択して、その条件に合致する時間を選択する。この選
択された時間T(a1)と電荷蓄積時間T(A)とを比較
手段によって比較し、電荷蓄積時間T(A)が長いよう
であれば、測光方式切換え手段によって全ての光電変換
素子列を同時に光電変換動作させる方式に切り換える。
間T(a1,a2,a3・・・)を記憶させておき、新たに選択
手段を設けることで、上記複数の露光条件(フィルム種
類、測光モード)から一つの露光条件を選択手段により
選択して、その条件に合致する時間を選択する。この選
択された時間T(a1)と電荷蓄積時間T(A)とを比較
手段によって比較し、電荷蓄積時間T(A)が長いよう
であれば、測光方式切換え手段によって全ての光電変換
素子列を同時に光電変換動作させる方式に切り換える。
【0079】また、撮影状況において撮影者が被写体を
照明するフリッカー光源のフリッカー周期が分かる場
合、本発明の測光装置に不図示の手動フリッカー周期設
定手段を付加し、フリッカー周期を撮影者の設定値とし
て、上記動作を行っても良い。特殊なフリッカー光源に
も対処可能となる。 (合焦状態でない場合)なお、以上に述べてきた例では
いずれもデフォーカス量が0であった場合、つまり合焦
状態であって、輝度情報ap とbp とが同一の被写体部
分についての場合を説明してきたが(C列、D列及びE
列、F列に関しても同様)、合焦状態でない場合につい
ても、同様に正確な測光値を演算可能である。
照明するフリッカー光源のフリッカー周期が分かる場
合、本発明の測光装置に不図示の手動フリッカー周期設
定手段を付加し、フリッカー周期を撮影者の設定値とし
て、上記動作を行っても良い。特殊なフリッカー光源に
も対処可能となる。 (合焦状態でない場合)なお、以上に述べてきた例では
いずれもデフォーカス量が0であった場合、つまり合焦
状態であって、輝度情報ap とbp とが同一の被写体部
分についての場合を説明してきたが(C列、D列及びE
列、F列に関しても同様)、合焦状態でない場合につい
ても、同様に正確な測光値を演算可能である。
【0080】合焦状態でない場合には、先に記した公知
の焦点検出アルゴリズム(特開昭60−37513)に
よって、デフォーカス量に応じた輝度情報ap と輝度情
報b p の位置ズレ量が算出される(焦点検出は位置ズレ
量からデフォーカス量を換算する)。例えば、図2及び
(2)〜(4)式で説明した、合焦状態での光電変換素
子列A1 〜An とC1 〜Cm の交点の輝度情報について
説明する。
の焦点検出アルゴリズム(特開昭60−37513)に
よって、デフォーカス量に応じた輝度情報ap と輝度情
報b p の位置ズレ量が算出される(焦点検出は位置ズレ
量からデフォーカス量を換算する)。例えば、図2及び
(2)〜(4)式で説明した、合焦状態での光電変換素
子列A1 〜An とC1 〜Cm の交点の輝度情報について
説明する。
【0081】現在デフォーカス量に応じた輝度情報ap
と輝度情報bp の位置ズレ量が2×y、輝度情報cq と
輝度情報dq の位置ズレ量が2×zであったとする。現
在の出力はa”〜d”で表すと下記のようになる。 a”j-y = b”j+y = aj = bj a”j+1-y = b”j+1+y = aj+1 = bj+1 a”j+2-y = b”j+2+y = aj+2 = bj+2 c”k-z = d”k+z = ck = dk c”k+1-z = d”k+1+z = ck+1 = dk+1 c”k+2-z = d”k+2+Z = ck+2 = dk+2 ・・・(26) よって、先に説明した(2)〜(3)式を下記のように
改めて用いてやれば良い。
と輝度情報bp の位置ズレ量が2×y、輝度情報cq と
輝度情報dq の位置ズレ量が2×zであったとする。現
在の出力はa”〜d”で表すと下記のようになる。 a”j-y = b”j+y = aj = bj a”j+1-y = b”j+1+y = aj+1 = bj+1 a”j+2-y = b”j+2+y = aj+2 = bj+2 c”k-z = d”k+z = ck = dk c”k+1-z = d”k+1+z = ck+1 = dk+1 c”k+2-z = d”k+2+Z = ck+2 = dk+2 ・・・(26) よって、先に説明した(2)〜(3)式を下記のように
改めて用いてやれば良い。
【0082】 (a”j-y +a”j+1-y +a”j+2-y ) / 3 = a(+c) ・・・(27) (c”k-z +c”k+1-z +c”k+2-z ) / 3 = c(+a) ・・・(28) (4)式以下は同様である。
【0083】なお、yおよびzは整数値ではない場合、
実用上、真のyおよびzに最も近い整数値のy’および
z’を用いても構わない。
実用上、真のyおよびzに最も近い整数値のy’および
z’を用いても構わない。
【0084】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明のカメラ
の測光装置は、フリッカー光源下で、被写界の測光領域
が互いに交差した二列の光電変換手段のうち、まず第1
光電変換手段により輝度情報を求めて、その所定時間後
に第2光電変換手段により輝度情報を求める。この輝度
情報を用いることにより、フリッカー光源の影響を受け
ない測光領域全体の平均的な測光値を求めることができ
る。特に、迅速に測光領域全体の平均的な測光値を求め
るには有効である。
の測光装置は、フリッカー光源下で、被写界の測光領域
が互いに交差した二列の光電変換手段のうち、まず第1
光電変換手段により輝度情報を求めて、その所定時間後
に第2光電変換手段により輝度情報を求める。この輝度
情報を用いることにより、フリッカー光源の影響を受け
ない測光領域全体の平均的な測光値を求めることができ
る。特に、迅速に測光領域全体の平均的な測光値を求め
るには有効である。
【0085】また、前記測光領域をさらに広げて、一列
以上の光電変換手段を加え、三列又はそれ以上の光電変
換手段の列となった場合でも、迅速に測光領域全体の平
均的な測光値を求めることができ、測光演算の手順は、
任意の二列が所定時間後に行なうことができれば、一義
的な手段に拘束されない。また、光源のフリッカー周期
を検出する手段を加えると、自動的に前記の所定時間を
定めることができる。
以上の光電変換手段を加え、三列又はそれ以上の光電変
換手段の列となった場合でも、迅速に測光領域全体の平
均的な測光値を求めることができ、測光演算の手順は、
任意の二列が所定時間後に行なうことができれば、一義
的な手段に拘束されない。また、光源のフリッカー周期
を検出する手段を加えると、自動的に前記の所定時間を
定めることができる。
【0086】これとは別に、所定時間を記憶する手段を
有していると、前もってフリッカー光源の周期を予想し
ておくことで、所定時間設定手段を簡易化し、低価格化
を図ることができる。特殊なフリッカー光源下では、手
動で周期を設定することができる手動時間設定手段を有
していると効果的である。
有していると、前もってフリッカー光源の周期を予想し
ておくことで、所定時間設定手段を簡易化し、低価格化
を図ることができる。特殊なフリッカー光源下では、手
動で周期を設定することができる手動時間設定手段を有
していると効果的である。
【0087】一方、フリッカー光源の光量が少ない時
(暗い時)は、光電変換手段が電荷蓄積型光電変換手段
であると、蓄積時間が長くなるだけで測光値の精度が上
がらない。この場合は、測光方式切換え手段を有してお
けば、該手段によって第1光電変換手段の光電変換から
第2光電変換手段の光電変換までの所定時間差を設ける
方法から、すべての電荷蓄積型光電変換手段を同時に作
動する方法に変換することで迅速にかつ正確な測光値を
得ることができる。
(暗い時)は、光電変換手段が電荷蓄積型光電変換手段
であると、蓄積時間が長くなるだけで測光値の精度が上
がらない。この場合は、測光方式切換え手段を有してお
けば、該手段によって第1光電変換手段の光電変換から
第2光電変換手段の光電変換までの所定時間差を設ける
方法から、すべての電荷蓄積型光電変換手段を同時に作
動する方法に変換することで迅速にかつ正確な測光値を
得ることができる。
【0088】さらに、カメラ撮影の際、測光領域のみを
狭い範囲する場合がある。この場合に本願発明は、光電
変換手段を焦点検出および測光値を検出することに共用
しているため、適切な焦点検出を行なうための電荷蓄積
時間と測光値を検出を行なうための電荷蓄積時間とが異
なってしまうことがある。かかる場合に、どちらか一方
の電荷蓄積時間で光電変換するといずれか一方の検出の
精度が低下する。そこで適正な検出精度を得ることがで
きるように、短時間の電荷蓄積時間で双方の検出動作を
行なったり、焦点検出動作又は測光値の検出動作を電荷
蓄積時間の短い方から交互に行ったりするようにした。
狭い範囲する場合がある。この場合に本願発明は、光電
変換手段を焦点検出および測光値を検出することに共用
しているため、適切な焦点検出を行なうための電荷蓄積
時間と測光値を検出を行なうための電荷蓄積時間とが異
なってしまうことがある。かかる場合に、どちらか一方
の電荷蓄積時間で光電変換するといずれか一方の検出の
精度が低下する。そこで適正な検出精度を得ることがで
きるように、短時間の電荷蓄積時間で双方の検出動作を
行なったり、焦点検出動作又は測光値の検出動作を電荷
蓄積時間の短い方から交互に行ったりするようにした。
【図1】第1実施例の測光領域例(十字形)を示す図で
ある。
ある。
【図2】第1実施例の測光装置の構成例を示す図であ
る。
る。
【図3】第1実施例の光電変換手段の光電変換素子の配
置構成を示す図である。
置構成を示す図である。
【図4】第1実施例の光電変換素列の測光領域重複領域
の部分拡大図である。
の部分拡大図である。
【図5】第1実施例の光電変換タイミング(T0、T
1)を示す図である。
1)を示す図である。
【図6】50Hz、60Hzのフリッカー周期と光電変
換タイミング(T0、T1、T1’)とを示す図であ
る。
換タイミング(T0、T1、T1’)とを示す図であ
る。
【図7】
【図8】第1実施例の測光値演算のアルゴリズムのフロ
ーを示す図である。
ーを示す図である。
【図9】本願発明を一眼レフカメラに適用した構成図で
ある。
ある。
【図10】第2実施例の測光領域例(二重十字形)を示
す図である。
す図である。
【図11】第2実施例の光電変換手段の光電変換素子の
配置構成を示す図である。
配置構成を示す図である。
【図12】第2実施例の光電変換タイミングを示す図で
ある。図5に(T2)が加えられている。
ある。図5に(T2)が加えられている。
【図13】
【図14】第2実施例の測光値演算のアルゴリズムのフ
ローを示す図である。
ローを示す図である。
【図15】
【図16】第3実施例の測光値演算のアルゴリズムのフ
ローを示す図である。
ローを示す図である。
10 撮影レンズ 20 カメラボディ 30 AFモジュール 38 光電変換手段 40 センサー制御手段 41 蓄積時間制御手段 42 周期設定手段 95 フリッカー周期検出手段 100 CPU
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03B 7/08 G02B 7/34
Claims (12)
- 【請求項1】 焦点検出を兼ねる測光装置において、 被写界の第1領域からの光束を光電変換する第1光電変
換手段と、 被写界の前記第1領域と重複する重複領域を有する第2
領域からの光束を、光電変換する第2光電変換手段と、 前記第1光電変換手段の出力から第1輝度情報を算出す
る第1輝度算出手段と、 前記第1光電変換手段の光電変換開始から前記第2光電
変換手段の光電変換開始までの所定時間を設定する所定
時間設定手段と、 該所定時間設定手段により設定された所定時間後に、前
記第2光電変換手段の出力から第2輝度情報を算出する
第2輝度算出手段と、 前記第1光電変換手段の前記重複領域における第1重複
領域輝度値と、前記第2光電変換手段の前記重複領域に
おける第2重複領域輝度値とを演算する輝度値演算手段
と、 前記第1、第2輝度情報及び前記第1、第2重複領域輝
度値を用いて、前記第1、第2領域の測光演算を行う測
光平均値演算手段とを有することを特徴とするカメラの
測光装置。 - 【請求項2】 焦点検出を兼ねる測光装置において、 被写界の第1領域からの光束を光電変換する第1光電変
換手段と、 被写界の前記第1領域と重複する第1重複領域を有する
第2領域からの光束を、光電変換する第2光電変換手段
と、 被写界の前記第2領域と重複する第2重複領域を有する
第3領域からの光束を、光電変換する第3光電変換手段
と、 前記第1光電変換手段の出力から第1輝度情報を算出す
る第1輝度算出手段と、 前記第1光電変換手段の光電変換開始から前記第2光電
変換手段の光電変換開始までの所定時間を設定する所定
時間設定手段と、 該所定時間設定手段により設定された所定時間後に、前
記第2光電変換手段の出力から第2輝度情報を算出する
第2輝度算出手段と、 任意時に、前記第3光電変換手段の出力から第3輝度情
報を算出する第3輝度算出手段と、 前記第1光電変換手段の前記第1重複領域における第1
重複領域輝度値と、前記第2光電変換手段の前記第1重
複領域における第2重複領域輝度値とを演算する第1輝
度値演算手段と、 前記第2光電変換手段の前記第2重複領域における第3
重複領域輝度値と、前記第3光電変換手段の第2重複領
域における第4重複領域輝度値とを演算する第2輝度値
演算手段と、 前記第1、第2、第3の輝度情報、及び前記第1、第
2、第3、第4重複領域輝度値を用いて測光演算を行う
測光平均値演算手段、とを有することを特徴とするカメ
ラの測光装置。 - 【請求項3】 焦点検出を兼ねる測光装置において、 被写界の第1領域からの光束を光電変換する第1光電変
換手段と、 被写界の前記第1領域と重複する第1重複領域を有する
第2領域からの光束を、光電変換する第2光電変換手段
と、 被写界の前記第2領域と重複する第2重複領域を有する
第3領域からの光束を、光電変換する第3光電変換手段
と、 前記第1光電変換手段の出力から第1輝度情報を算出す
る第1輝度算出手段と、 前記第1光電変換手段の光電変換開始から前記第3光電
変換手段の光電変換開始までの所定時間を設定する所定
時間設定手段と、 該所定時間設定手段により設定された所定時間後に、前
記第3光電変換手段の出力から第3輝度情報を算出する
第3輝度算出手段と、 任意時に、前記第2光電変換手段の出力から第2輝度情
報を算出する第2輝度算出手段と、 前記第1光電変換手段の前記第1重複領域における第1
重複領域輝度値と、前記第2光電変換手段の前記第1重
複領域における第2重複領域輝度値とを演算する第1輝
度値演算手段と、 前記第2光電変換手段の前記第2重複領域における第3
重複領域輝度値と、前記第3光電変換手段の第2重複領
域における第4重複領域輝度値とを演算する第2輝度値
演算手段と、 前記第1、第2、第3の輝度情報、及び前記第1、第
2、第3、第4重複領域輝度値を用いて測光演算を行う
測光平均値演算手段とを有することを特徴とするカメラ
の測光装置。 - 【請求項4】 請求項1、請求項2又は請求項3のカメ
ラの測光装置において、 前記所定時間設定手段は、被写体を照射する光源のフリ
ッカー周期を検出するフリッカー周期検出手段を含み、
該フリッカー周期検出手段により検出されたフリッカー
周期の1/2の奇数倍間隔に前記所定時間を設定するこ
とを特徴とするカメラの測光装置。 - 【請求項5】 請求項1、請求項2又は請求項3のカメ
ラの測光装置において、 前記所定時間設定手段は、予め光源のフリッカー周期の
1/2の奇数倍間隔の時間を記憶しておく周期記憶手段
であることを特徴とするカメラの測光装置。 - 【請求項6】 請求項1、請求項2又は請求項3のカメ
ラの測光装置において、 前記所定時間設定手段は、撮影者によって時間設定可能
な手動時間設定手段であることを特徴とするカメラの測
光装置。 - 【請求項7】 請求項1、請求項2又は請求項3のカメ
ラの測光装置において、 電荷蓄積型の光電変換素子からなる各々の前記光電変換
手段の電荷蓄積時間を制御する各々の蓄積時間制御手段
と、 所定電荷蓄積時間を設定する蓄積時間設定手段と、 前記各々の蓄積時間制御手段より得られる電荷蓄積時間
と前記所定電荷蓄積時間とを比較する比較手段と、 測光方式切換え手段とを備え、 該測光方式切換え手段は、前記比較手段によるいずれか
1つの前記電荷蓄積時間の長さと前記所定電荷蓄積時間
の長さとを比較した結果に基づいて、前記電荷蓄積時間
が前記所定電荷蓄積時間より長い時間となるときは前記
測光平均値演算手段を作動させず全ての前記光電変換手
段を同時に前記所定電荷蓄積時間で制御する方式に切換
え、前記電荷蓄積時間が前記所定電荷蓄積時間より短い
時間となるときはそのまま切換えないことを特徴とする
カメラの測光装置。 - 【請求項8】 請求項7のカメラの測光装置おいて、 前記蓄積時間設定手段は、被写体を照射する光源のフリ
ッカー周期を検出するフリッカー周期検出手段を含み、
該フリッカー周期検出手段により検出された前記フリッ
カー周期に所定係数を掛けて前記所定電荷蓄積時間を設
定することを特徴とするカメラの測光装置。 - 【請求項9】 請求項7のカメラの測光装置において、 前記蓄積時間設定手段は、予め複数の蓄積時間を記憶し
ており、カメラの露光設定の変更に応じて、前記複数の
蓄積時間の内からいずれかを選択することを特徴とする
カメラの測光装置。 - 【請求項10】 焦点検出を兼ねる測光装置において、 前記焦点検出を行なう被写界の焦点検出領域と測光値を
算出する測光領域とを光電変換する電荷蓄積型光電変換
手段と、 前記電荷蓄積型光電変換手段の出力から輝度情報を算出
する輝度算出手段と、 前記電荷蓄積型光電変換手段の蓄積時間を制御する蓄積
時間制御手段と、 前記測光領域を前記焦点検出領域よりも狭い限定測光領
域を設定する測光領域設定手段と、 前記焦点検出領域から最適な輝度情報を得るために前記
蓄積時間制御手段により設定される第1電荷蓄積時間と
前記限定測光領域から最適な輝度情報を得るために前記
蓄積時間制御手段により設定される第2電荷蓄積時間と
のいずれか短い方の電荷蓄積時間を判断する判断手段と
を備え、 該判断手段で判断した前記第1電荷蓄積時間と前記第2
電荷蓄積時間とのいずれか短い方の電荷蓄積時間でもっ
て、前記電荷蓄積型光電変換手段全体の測光値を得るこ
とを特徴とするカメラの測光装置。 - 【請求項11】 焦点検出を兼ねる測光装置において、 前記焦点検出を行なう被写界の焦点検出領域と測光値を
算出する測光領域とを光電変換する電荷蓄積型光電変換
手段と、 前記電荷蓄積型光電変換手段の出力から輝度情報を算出
する輝度算出手段と、 前記電荷蓄積型光電変換手段の蓄積時間を制御する蓄積
時間制御手段と、 前記測光領域を前記焦点検出領域よりも狭い限定測光領
域を設定する測光領域設定手段と、 前記焦点検出領域から最適な輝度情報を得るために前記
蓄積時間制御手段により設定される第1電荷蓄積時間と
前記限定測光領域から最適な輝度情報を得るために前記
蓄積時間制御手段により設定される第2電荷蓄積時間と
のいずれか短い方の電荷蓄積時間を判断する判断手段と
を備え、 該判断手段で判断した前記第1電荷蓄積時間と前記第2
電荷蓄積時間とのいずれか短い方の電荷蓄積時間から、
焦点検出及び測光値検出を交互に行なうことを特徴とす
るカメラの測光装置。 - 【請求項12】 焦点検出を兼ねる測光装置において、 前記焦点検出を行なう被写界の焦点検出領域と測光値を
算出する測光領域とを光電変換する電荷蓄積型光電変換
手段と、 前記電荷蓄積型光電変換手段の出力から輝度情報を算出
する輝度算出手段と、 前記電荷蓄積型光電変換手段の蓄積時間を制御する蓄積
時間制御手段と、 前記測光領域を前記焦点検出領域よりも狭い限定測光領
域を設定する測光領域設定手段と、 前記焦点検出領域から最適な輝度情報を得るために前記
蓄積時間制御手段により設定される第1電荷蓄積時間と
前記限定測光領域から最適な輝度情報を得るために前記
蓄積時間制御手段により設定される第2電荷蓄積時間と
のいずれか短い方の電荷蓄積時間を判断する判断手段と
を備え、 カメラの動作設定が、合焦点に至るまで露光動作に入ら
ないモードの設定であるときは、前記判断手段が前記第
1電荷蓄積時間を判断して、前記第1電荷蓄積時間の経
過後に測光値を得ることを特徴とするカメラの測光装
置。
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-
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